TW201842607A - 氣體供給裝置、氣體供給裝置之控制方法、裝載埠及半導體製造裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題係提供可以對於對象容器的內部確實地供給指定氣體之氣體供給裝置、及具備該氣體供給裝置裝載埠及半導體製造裝置。 作為關於本發明解決手段之氣體導入裝置之單元(1),其特徵係具備:要將FOUP(100)的內部置換成指定氣體就得以使該氣體通過之外殼(3),密貼在FOUP(100)的一面所設置的埠(101)附近而且推壓就會使埠(101)開放之噴嘴(2),使噴嘴(2)於介著埠(101)得以將指定氣體往對象容器內噴射之使用姿勢及介著埠(101)不得將指定氣體往對象容器內噴射之待機姿勢之間動作進行擴縮之動作調整空間(5),與藉由對動作調整空間(5)將壓縮空氣投入排出來控制噴嘴(2)的動作之氣體導入部(4)。
Description
本發明係有關供對具有對象空間的對象容器供給指定氣體用之氣體供給裝置、氣體供給裝置之控制方法、裝載埠及半導體製造裝置。
從前,在半導體之製造製程,為了生產率或品質之提昇,而在無塵室內進行晶圓的處理。於近年,滿足用以於高清淨的環境搬送・保管晶圓之對象容器之被稱作FOUP(Front-Opening Unified Pod)的收納用容器,與將FOUP內的晶圓在與半導體製造裝置之間取出放入而且在與搬送裝置之間進行FOUP的交付之介面部裝置之裝載埠(Load Port),係僅針對晶圓周圍的局部空間而利用為用以使清淨度更提昇之重要裝置。
然而,半導體製造裝置內雖被維持在適於晶圓的處理或加工之指定氣體氛圍,但在將晶圓從FOUP內送出到半導體製造裝置內時FOUP的內部空間與半導體製造裝置的內部空間是相互連通。因此,當FOUP內的環境之清淨度比起半導體製造裝置內還低時,FOUP內的氣體會進入半導體製造裝置內而對半導體製造裝置內的氣體氛圍帶來不良影響。
作為用以對應此類之問題之技術,於從前,揭示一種裝載埠,其具備於將收納晶圓的FOUP載置在裝載埠的載置台之狀態下將指定氣體(例如氮或乾燥空氣、惰性氣體等)由FOUP底面側注入並使之充滿內部,而將FOUP內置換成指定氣體氛圍之沖淨裝置。此類之由FOUP底面側將氮或乾燥空氣、惰性氣體等指定氣體注入FOUP內而將FOUP內置換成指定氣體氛圍之、所謂的下沖淨方式(Bottom purge method),相較於前沖淨方式(Front purge method)之沖淨裝置,優點在於指定氣體氛圍的到達濃度較高。
於是,在專利文獻1,揭示為了將指定氣體(例如氮或惰性氣體等)吹進FOUP內,而具備構成將設在對象容器之FOUP之閥利用指定氣體以外的氣體(壓縮空氣等)來操作之沖淨裝置之裝載埠。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-88500號公報
[發明所欲解決之課題]
然而,從前的沖淨裝置,係為了開放FOUP的開口部,而利用指定氣體的壓力來操作設在對象容器之FOUP之閥之構造,因此,隨指定氣體壓力如何之不同,致使每單位時間的供給量產生偏差,結果,難以在指定作業時間內將FOUP內維持在高的指定氣體氛圍濃度,而有指定氣體氛圍的到達濃度低之缺點。
本發明,係著眼於此類之問題點而作成,主要目的在於提供可以將上述FOUP之對象容器的內部以更高的效率置換成指定氣體之氣體供給裝置、其控制方法及具備該氣體供給裝置之裝載埠以及半導體製造裝置。 [供解決課題之手段]
本發明係有鑑於上述之類的問題點,採取以下之類的手段。
亦即,本發明之氣體供給裝置,其特徵係具備:要將指定氣體供給到對象容器內部就得以使該氣體通過之外殼構造部;具有設置於前述對象容器的一面且接觸到內部具備開閉機構的埠部之噴嘴部及使開閉機構開放的推壓部之噴嘴構造部;與要使前述噴嘴部於介著前述埠部得以將前述指定氣體往前述對象容器內供給的使用姿勢及介著前述埠部不得將前述指定氣體往前述對象容器內供給的待機姿勢之間動作進行擴縮之動作調整空間。
根據這樣的裝置,不必拘泥於往對象容器內供給的指定氣體的壓力如何,可以為了讓噴嘴構造部動作而往對象容器內部適當地導入指定氣體。此外,噴嘴構造部不僅開放埠且藉由密貼在埠的附近而有效地迴避指定氣體往外部漏洩,所以能有效率地往對象容器內部導入指定氣體。結果,根據本發明,係可以將對象容器的內部以更高的效率置換成指定氣體。
作為得以將對象容器的內部以高效率置換成指定氣體之具體的構成,可以舉出:噴嘴部,係藉由密貼於前述對象容器的一面所設置的前述埠部的外緣而防止前述對象容器內的氣體往外部流出;推壓部,係具有推壓前述開閉機構之推壓面及向前述對象容器內噴射要供給的指定氣體之噴射部之構成。
此外,作為供把對象容器內的氣體更有效率地置換成指定氣體用之動作調整空間之構成,可以列舉動作調整空間具有:設在外殼構造部及噴嘴部之間且於使噴嘴部密貼在埠部的外緣之密貼姿勢及從該密貼姿勢使噴嘴部與埠部分開的分開姿勢之間要使噴嘴部動作進行擴縮之第一動作調整空間;與設在噴嘴部與推壓部之間、要使推壓部於藉由離開埠部而使埠部閉止的閉止姿勢與藉由推壓埠部使該埠部開放的開放姿勢之間動作進行擴縮之第二動作調整空間。
接著,作為供把對象容器內的氣體更有效率地置換成指定氣體用之具體的氣體供給裝置之控制方法,係具備:要將對象容器內部置換成指定氣體就得以使該氣體通過之外殼構造部,供藉由密貼於前述對象容器的一面所設置的埠部的外緣而防止前述對象容器內的氣體往外部流出用之噴嘴部,具有推壓埠部的推壓面及向對象容器內噴射指定氣體的噴射部之推壓部,設在外殼構造部及噴嘴部之間且於使噴嘴部密貼在前述埠部的外緣之密貼姿勢及從該密貼姿勢使噴嘴部與埠部分開的分開姿勢之間要使前述噴嘴部動作進行擴縮之第一動作調整空間,與設在噴嘴部與推壓部之間、要使推壓部於藉由離開前述埠部而使埠部閉止的閉止姿勢與藉由推壓埠部使該埠部開放的開放姿勢之間動作進行擴縮之第二動作調整空間之氣體供給裝置之控制方法,其特徵係藉由將前述控制用氣體往前述第一動作調整空間及前述第二動作調整空間加以投入排出來控制噴嘴部及推壓部之動作。
再者,為了以更簡單的構成來控制噴嘴部及推壓部之動作,最好控制用氣體是往第一動作調整空間直接被投入排出之氣體;藉由進而具備連通第一動作調整空間及第二動作調整空間之連通路,得以擴縮第二動作調整空間。
接著,為了更有效地控制噴嘴部及推壓部之動作,最好連通路是作成在使噴嘴部動作成密貼在前述埠部的外緣之前述密貼姿勢之後使推壓部往開放姿勢動作之構成。
此外,作為得以有效利用上述氣體供給裝置之一例,可以舉出一種裝載埠,其特徵係具備複數個上述的氣體供給裝置,在使前述氣體供給裝置的推壓部連通到對象容器底面設置的複數個埠部之各個的狀態下,可以將對象容器內的氣體氛圍置換成氮或乾燥空氣之構成。
再者,於具備上述之裝載埠,接受被搬送而來的對象容器且將被收容在該對象容器內的晶圓在介著在該對象容器的前面形成的搬出搬入口而進行取出放入為特徵之半導體製造裝置,也可以得到前述效果。 [發明之效果]
以上,根據說明的本發明,係能提供可以將對象容器的內部藉由特定氣體以高效率置換之氣體供給裝置、其控制方法、及具備該氣體供給裝置之裝載埠以及半導體製造裝置。
以下,參照圖式詳細說明本發明一實施型態。
關於本實施型態之氣體供給裝置之沖淨噴嘴單元1,係例如圖1及圖2所示之可以安裝在被適用於裝載埠X的沖淨裝置P之單元。裝載埠X,係被搭載於半導體之製造製程使用的半導體製造裝置。於圖11,模式例示半導體製造裝置M的構成。半導體製造裝置M,被配置於無塵室內使用,包含:半導體製造裝置本體71、鄰接於半導體製造裝置本體71配置的移送室72、鄰接於移送室72配置的1個以上(在圖之例為3個)之裝載埠X。於半導體製造裝置M,本發明之沖淨對象容器之一例即圖2所示之FOUP100被載置於裝載埠X。接著,於FOUP100的門扉112,使裝載埠X的門部D密貼而使門扉112與門部D一體地移動開閉這些,藉此使被收容在FOUP100內的被收容體即模式地圖示之晶圓W對半導體製造裝置M進行取出放入之裝置。
於本實施型態所適用之FOUP100,如圖2所示,為一種已知之裝置,在內部收容複數枚晶圓W、構成介著在前面形成的搬出搬入口111而可以將該等晶圓W取出放入,且具備可以開閉搬出搬入口111的門扉112,故而省略詳細說明。又,在本實施型態,FOUP100的前面,係意味在載置於裝載埠X時與裝載埠X的門部D對面之側的面。在FOUP100的底面,如後述的圖5、7、9以假想虛線所示,沖淨用的埠101被設在指定處。埠101,例如,係作成以被嵌入FOUP100底面形成的開口部之中空筒狀密封墊圈(grommet seal)為主體。
半導體製造裝置M,例如圖11所示,設置著具備裝載埠X、配置在相對地遠離裝載埠X的位置之半導體製造裝置本體71、配置在半導體製造裝置本體71與裝載埠X之間之移送室72;在移送室72內,設置將例如被載置於各裝載埠X的FOUP100內的晶圓W,1枚1枚地移送於FOUP100內與移送室72內之間、及移送室72內與半導體製造裝置本體71內之間之移送機721。又,也可以在FOUP100與移送室72之間、以及移送室72與半導體製造裝置本體71之間一盒盒地移送收納複數枚晶圓W的卡匣。利用這樣的構成,在無塵室,半導體製造裝置本體71內、移送室72內、及FOUP100內可維持在高清淨度。
裝載埠X,如圖1所示,係具備以立起姿勢配置並具有門部D可以開閉開口部得以連通到FOUP100的搬出搬入口111之框架F,框架F中以略水平姿勢在遠離半導體製造裝置71的方向延伸之載置台B,與將沖淨用氣體注入FOUP100內、可以將FOUP100內的氣體氛圍置換成氮氣等沖淨用氣體之沖淨裝置P。
設在框架F的門部D,在將FOUP100載置於載置台B之狀態於密貼在FOUP100的前面設置的門扉112之狀態下可以於打開該門扉12開放搬出搬入口111之開放位置、與閉止搬出搬入口111之閉止位置之間動作。作為使門部D於開放位置與閉止位置之間至少昇降移動之門昇降機構(省略圖示)可以適用既知之機構。
載置台B,係以略水平姿勢被配置在框架F中從高度方向中央部稍微偏靠上方的位置之載置台,具有向上突出的複數個定位用突起(Kinematic Pin)81。於是,藉由使該等定位用突起81卡合在FOUP100底面形成的定位用凹部(省略圖示),謀求FOUP100定位於載置台B。此外,在載置台B,設置未圖示的就座感應裝置以檢測FOUP100是否在載置台B上被載置於指定的位置之為圖示的就座感應裝置82。定位用突起81及就座感應裝置82之構造或配置處可以因應規格等之不同而酌情設定/變更。
沖淨裝置P,係具備在載置台B上使上端部露出來之狀態下被配置在指定處之複數個沖淨噴嘴單元1。
該等複數個沖淨噴嘴單元1,係對應於設在FOUP100底面的埠101的位置被安裝在載置台B上的適當位置,且可以接觸到設在FOUP100底部的埠101之單元。又,於本實施型態,各沖淨噴嘴單元1之外,在對應於埠101的任何地方適當配置排氣閥,構成當FOUP100內的壓力變高時得以將FOUP100內的氣體排出。該排氣閥之構成係依據既存構成為準,因而省略具體的說明。
此外,在此,具體地說明設置在FOUP100之埠101的構成。該埠101,如上述係與沖淨噴嘴單元1對應配置者,如例如在圖2之A部放大顯示,具備基台103,設置在基台103、且讓指定氣體流入之氣體流入口104,逆止閥(check valve)105,以逆止閥105可動之方式予以收納之閥室106,將逆止閥105彈推到氣體流入口104側之壓縮彈簧107,連通口108,支撐壓縮彈簧107之支撐板109,與過濾器110等。如此構成的埠101,是既存的構成因而省略詳細的說明。透過這樣的既存的埠101對FOUP100的內部導入沖淨氣體之從前的一般態樣如以下所述。亦即,使指定氣體之沖淨氣體流入氣體流入口104,藉由伴隨該沖淨氣體的流量之壓力使壓縮彈簧107壓縮,使在逆止閥105與基台103之間產生間隙。藉此,沖淨氣體,從該間隙經過閥室106與連通口108、通過過濾器110,被導入FOUP100的內部。
接著,利用構成上述埠101之氣體流入口104、逆止閥105及壓縮彈簧107,構成關於本發明之開閉機構。
各沖淨噴嘴單元1,係如圖3~圖9所示,具備作為噴嘴構造部之噴嘴2、將噴嘴2於可以升降之狀態下予以保持之作為外殼構造部之外殼3、與對於該外殼3要噴嘴2進行動作就將壓縮空氣投入排出之氣體導入部4。又,於本說明書,係模式地圖示該氣體導入部4。
在此,關於本實施型態之作為氣體供給裝置之沖淨噴嘴單元1,其特徵係具備:要將指定氣體供給到FOUP100的內部就得以使該氣體通過之外殼3;具有設置於FOUP100的一面且接觸到內部具備開閉機構的埠部的埠部101附近之作為噴嘴部之第一噴嘴21及作為使開閉機構開閉的推壓部之第二噴嘴22之噴嘴2;與設置擴及外殼3及噴嘴2、要使噴嘴2於介著埠101得以將指定氣體往對象容器內供給的使用姿勢及介著埠101不得將指定氣體往對象容器內供給的待機姿勢之間動作進行擴縮之動作調整空間5。此外,在關於本實施形態之沖淨噴嘴單元1,進而具有藉由往動作調整空間5投入排出控制用氣體之壓縮空氣以控制噴嘴2的動作之氣體導入部4。
以下,說明作為氣體供給裝置之沖淨噴嘴單元1之各構成要素。
外殼3,係要將對象容器之FOUP100之內部置換成指定氣體就得以使該氣體通過。該外殼3,係具有做成概略直方體形狀的外殼本體31、設在該外殼本體31的內壁35且噴嘴2的外周面所拼接的做成對的外環32、從外殼本體31外壁34向噴嘴2連通且供將壓縮空氣向噴嘴2側導入用的導入口33。具體說明,該導入口33係從外殼本體31的外壁34向內壁35貫通,連通到外殼3與噴嘴2之間被形成的動作調整空間5。
噴嘴2,係具有供藉由密貼於對象容器的一面所設置的埠101的外緣102而防止FOUP100內的氣體往外部流出用之第一噴嘴21,與具有推壓埠101的推壓面及向對象容器內噴射指定氣體之噴射部之第二噴嘴22。第一噴嘴21,係具有得以密貼在埠101外緣102之接觸面23,與供對第二噴嘴22無間隙地支撐用之墊片之內環24。第二噴嘴22,係具有供導入指定氣體用之氣體導入口25,在軸心部分把從該氣體導入口25被導入的指定氣體即氮氣要往上方導引就朝高度方向貫通之氣體導引路26,在先端抵接於對象容器的埠101、推壓得以開放該埠101內部的逆止閥105(圖2)之推壓面27,與從該推壓面27往基端側被形成狹縫狀且供將氮氣往FOUP100內導入用之氣體噴射口28。於是,在本實施型態,把從氣體導入口25朝水平方向導引指定氣體之沖淨用氣體之第二流路25a、與在該第二流路25a連續且朝垂直方向導引沖淨用氣體之第一流路26a,於固定相對位置之狀態下一體地構成。然而,本發明並不妨礙可以變更構成上述第一、第二流路26a、25a的相對位置之態樣。
動作調整空間5係具有:設在外殼3及第一噴嘴21之間且於使第一噴嘴21密貼在埠101的外緣102之密貼姿勢(P1)及從該密貼姿勢(P1)使第一噴嘴21與埠101分開的分開姿勢(P2)之間要使第一噴嘴21動作進行擴縮之第一動作調整空間51,與設在第一噴嘴21與第二噴嘴22之間、要使第二噴嘴22於藉由離開埠101(具體為逆止閥105)而使埠101閉止的閉止姿勢(Q2)與藉由推壓埠101(具體為逆止閥105)使該埠101開放的開放姿勢(Q1)之間動作進行擴縮之第二動作調整空間52,與連通該等第一動作調整空間51及第二動作調整空間52之連通路53。
第一動作調整空間51,係得以在從上述外殼3的導入口33將導入氣體即壓縮空氣導入之後把第一噴嘴21的接觸面23從埠101的外緣102離開之分開姿勢(P2)往密貼到埠101的外緣102之密貼姿勢(P1)變更姿勢之空間。
第二動作調整空間52,係供在氣體被導入第一動作調整空間51且第一噴嘴21成為密貼姿勢(P1)之後,藉由壓縮空氣通過連通路53而被導入,把第二噴嘴22從藉由離開埠101(具體為逆止閥105)而使埠101閉止的閉止姿勢(Q2)、往藉由推壓該埠101(具體為逆止閥105)使該埠101開放的開放姿勢(Q1)變更姿勢用之空間。
連通路53,係作成藉由對第一動作調整空間51供給控制用氣體並往第一、第二動作調整空間51、52導入氣體即壓縮空氣而將第一噴嘴21形成密貼姿勢(P1)且使第二噴嘴22往開放姿勢(Q1)動作,並且抽吸第一、第二動作調整空間51、52內的控制用氣體之壓縮空氣而將第二噴嘴22形成閉止姿勢(Q2)且將第一噴嘴21形成分開姿勢(P2)之構成。該連通路53,係在圖4、圖5、圖7及圖9以虛線顯示,在上述第一、第二噴嘴22的周方向設置一個或複數個。於是,該連通路53,係藉由調整其徑長及位置、數量,而設定成得以在壓縮空氣被導入時在上述第一動作調整空間51使第一噴嘴21往密貼姿勢(P1)變更姿勢之後,往第二動作調整空間52導入壓縮空氣且使第二噴嘴22往開放姿勢(Q1)變更姿勢。
氣體導入部4,係供藉由往第一動作調整空間51及第二動作調整空間52投入排出不同於氮氣之氣體之一例之壓縮空氣,來控制第一噴嘴21及第二噴嘴22的動作用之部位。該氣體導入部4,係往第一動作調整空間51投入排出控制用氣體,藉由介著連通第一動作調整空間51及第二動作調整空間52之連通路53,也得以擴縮第二動作調整空間52。
於本實施型態,可以藉由往動作調整空間5內導入壓縮空氣,從圖3~圖5所示之待機位置、亦即第一噴嘴21在分開姿勢(P2)且第二噴嘴22在閉止姿勢(Q2)之狀態,如圖6及圖7所示邊使第一噴嘴21為密貼姿勢(P1)密貼在埠101的外緣102邊使第二噴嘴22在閉止姿勢(Q2)密貼在埠101的外緣102也邊形成不使埠101開成之狀態,進而階段性地控制成如圖8及圖9所示之使用位置,形成藉由第二噴嘴22朝更上方突出、推壓面27將埠101(具體為逆止閥105)推上去使埠101開放之開放姿勢(Q1)之狀態。
此外,當然如果從圖8及圖9所示之狀態(P1、Q1)藉由控制氣體導入部4來抽吸壓縮空氣,則經過上述圖6及圖7所示之狀態(P1、Q2),就會回到圖3~圖5所示之狀態(P2、Q2)。亦即,根據本實施型態,藉由將作為指定氣體之不同於氮氣之壓縮空氣由氣體導入部4投入排出,可以順暢且適切地進行構成噴嘴2之第一噴嘴21及第二噴嘴22各自之升降移動。
關於以上詳述的本實施形態之沖淨噴嘴單元1,藉由於單元化之狀態下安裝在裝載埠X的載置台B之複數個指定處(於本實施型態為載置台B的四隅附近),可以實現作為能將載置台B上被載置的FOUP100內的氣體氛圍置換成沖淨用氣體的沖淨裝置P之功能。
此外,作為本實施型態之變形例,可以舉出圖10所示之作為氣體導入裝置之沖淨噴嘴單元1。針對該變形例對相當於上述實施型態的構成要素者附上相同圖號而且省略詳細的說明。
具體地說明,關於本變形例之沖淨噴嘴單元1,係不同於上述第二噴嘴22的形狀。第二噴嘴22,係在與推壓面27分開的位置設置開口29,將該開口29作成相當於氣體噴射口28。即使是這樣的噴嘴,也可以發揮上述實施型態同樣的效果。
如上述,關於本實施型態之氣體供給裝置,其特徵係具備:要將對象容器的內部置換成指定氣體就得以使該氣體通過之外殼3,密貼在對象容器的一面所設置的埠101附近而且推壓就會使埠101開放之噴嘴2,設置擴及外殼3及噴嘴2且使噴嘴2於介著埠101得以將指定氣體往對象容器內供給之使用姿勢及介著埠101不得將指定氣體往對象容器內供給之待機姿勢之間動作進行擴縮之動作調整空間5,與藉由往動作調整空間5將空氣投入排出來控制噴嘴2的動作之氣體導入部4。
藉由這樣作成,不必拘泥於往對象容器內供給的指定氣體的壓力如何,可以為了讓噴嘴2動作而往作為對象容器之FOUP100的內部適當地導入指定氣體。此外,噴嘴2不僅開放埠101且藉由密貼在埠101的附近而有效地迴避指定氣體往外部漏洩,所以能有效率地往對象容器內部導入指定氣體。結果,根據本實施型態,係能提供可以將對象容器的內部以更高的效率供給成指定氣體之沖淨噴嘴單元1、及具備該沖淨噴嘴單元1之沖淨裝置P及裝載埠X、以及具備該裝載埠X之半導體製造裝置M。
在作為可以將對象容器的內部以高效率置換成指定氣體之具體的構成之本實施型態,噴嘴2之構成,係具有供藉由密貼於對象容器的一面所設置的埠101的外緣102而防止對象容器內的氣體往外部流出用之作為噴嘴部之第一噴嘴21,與具有推壓埠101的推壓面27及向對象容器內噴射氣體的噴射部之作為推壓部之第二噴嘴22。
此外,在作為用以將對象容器內的氣體更有效率地置換成指定氣體之動作調整空間5的構成之一例之本實施型態,動作調整空間5適用構成具有:設在外殼3及第一噴嘴21之間且於使第一噴嘴21密貼在埠101的外緣102之密貼姿勢(P1)及從該密貼姿勢(P1)使第一噴嘴21與埠101分開的分開姿勢(P2)之間要使第一噴嘴21動作進行擴縮之第一動作調整空間51,與設在第一噴嘴21與第二噴嘴22之間、要使第二噴嘴22於藉由離開埠101而使埠101閉止的閉止姿勢(Q2)與藉由推壓埠101使該埠101開放的開放姿勢(Q1)之間動作進行擴縮之第二動作調整空間52。
接著,關於本實施型態之沖淨噴嘴單元1之控制方法,係一種於作為用以將FOUP100內的氣體更有效率地置換成指定氣體之具體的構成之本實施型態,具有:設在外殼3及第一噴嘴21之間且於使第一噴嘴21密貼在埠101的外緣102之密貼姿勢(P1)及從該密貼姿勢(P1)使第一噴嘴21與埠101分開的分開姿勢(P2)之間要使第一噴嘴21動作進行擴縮之第一動作調整空間51,與設在第一噴嘴21與第二噴嘴22之間、要使第二噴嘴22於藉由離開埠101而使埠101閉止的閉止姿勢(Q2)與藉由推壓埠101使該埠101開放的開放姿勢(Q1)之間動作進行擴縮之第二動作調整空間52之沖淨噴嘴單元1適用之控制方法,其特徵係利用氣體導入部4,將壓縮空氣往該等第一動作調整空間51及第二動作調整空間52投入排出。
再者,為了以更簡單的構成來控制第一噴嘴21及第二噴嘴22之動作,於本實施型態,將控制用氣體導入裝置、作成把控制用氣體往第一動作調整空間51投入排出;藉由進而設置連通第一動作調整空間51及第二動作調整空間52之連通路53,得以也擴縮第二動作調整空間52。
接著,為了更有效地控制第一噴嘴21及第二噴嘴22之動作,於本實施型態,將連通路53、作成在使第一噴嘴21動作成密貼在埠101的外緣102之密貼姿勢(P1)之後使第二噴嘴22往開放姿勢(Q1)動作之構成。
此外,關於本實施型態之半導體製造裝置M,其特徵係鄰接設置在裝載埠X,接受被搬送而來的沖淨對象容器之FOUP100且將被收容在該FOUP100內的晶圓W在與該FOUP100內之間介著在FOUP100的前面形成的搬出搬入口111而進行取出放入。
以上,說明本發明之實施型態,但本發明並不以上述實施型態之構成為限。於上述實施型態,氣體導入部4,係揭示往第一動作調整空間51及第二動作調整空間52投入排出作為與氮氣不同之氣體之一例之壓縮空氣之態樣,當然,作為控制用氣體並不以壓縮空氣為限,也可以使用氮氣或其他惰性氣體、或者乾燥之空氣。
於上述實施型態,藉由對第1動作調整空間導入壓縮空氣來形成噴嘴機構上昇之上昇用動作調整空間,但是也可以進而設置利用壓縮空氣之並非抽吸而是導入來使噴嘴機構降下之降下用動作調整空間。針對第2動作調整空間,也同樣地,不只是上昇用動作調整空間,也可以設置降下用動作調整空間。此外,也可以利用與彈簧等彈性彈推之組合來形成上昇用、降下用之任一動作調整空間。
於是,在上述實施型態,利用構成第一流路(26a)之作為推壓部之第二噴嘴22形成將閥即埠101開放之構成,但形成第一流路(26a)之構件之外,也可以設置開放埠101之推壓部。此外,於上述實施型態,形成第二流路25a之構件為適用對著外殼3相對地移動之構成,但也可以作成將第二流路對外殼固定、對第一流路得以相對地動作之構成。
此外,例如於上述實施型態係例示將動作調整空間51,52與通氣孔以1對1的關係形成之態樣,但也可以採用將連通到1個動作調整空間的通氣孔形成複數個之構成。此外,於上述實施型態係揭示僅以利用氣體導入部4之控制壓縮空氣來控制噴嘴2之態樣,但並非否定藉由彈性彈推噴嘴可以進行動作之態樣。
其他的構成,也在不逸脫本發明的要旨的範圍下,可以有種種變更之可能。
1‧‧‧氣體供給裝置(沖淨噴嘴單元;purge nozzle unit)
2‧‧‧噴嘴構造部(噴嘴)
21‧‧‧噴嘴部(第一噴嘴)
22‧‧‧推壓部(第二噴嘴)
3‧‧‧外殼構造部(外殼)
4‧‧‧氣體導入部
5‧‧‧動作調整空間
51‧‧‧第一動作調整空間
52‧‧‧第二動作調整空間
53‧‧‧連通路
X‧‧‧裝載埠
P‧‧‧沖淨裝置
100‧‧‧對象容器(FOUP)
圖1係關於本發明一實施型態之外觀圖。 圖2係關於同實施型態之模式的側剖面圖。 圖3係關於同實施型態之重要部分的外觀圖。 圖4係關於圖3之模式的剖面圖。 圖5係關於圖3之中央側剖面圖。 圖6係關於圖3之動作說明圖。 圖7係關於圖5之動作說明圖。 圖8係關於圖3之動作說明圖。 圖9係關於圖5之動作說明圖。 圖10係關於同實施型態的變形例之對應於圖8之外觀圖。 圖11係關於實施型態的半導體製造裝置之模式平面圖。
Claims (8)
- 一種氣體供給裝置,其特徵係具備: 要將指定氣體供給到對象容器內部就得以使該氣體通過之外殼構造部; 具有設置於前述對象容器的一面且接觸到內部具備開閉機構的埠部之噴嘴部及使開閉機構開放的推壓部之噴嘴構造部;與 要使前述噴嘴部於介著前述埠部得以將前述指定氣體往前述對象容器內供給的使用姿勢及介著前述埠部不得將前述指定氣體往前述對象容器內供給的待機姿勢之間動作進行擴縮之動作調整空間。
- 如申請專利範圍第1項記載之氣體供給裝置,其中 前述噴嘴部,係藉由密貼於前述對象容器的一面所設置的前述埠部的外緣而防止前述對象容器內的氣體往外部流出; 前述推壓部,係具有推壓前述開閉機構之推壓面及向前述對象容器內噴射前述指定氣體之噴射部。
- 如申請專利範圍第2項記載之氣體供給裝置,其中 前述動作調整空間係具有: 設在前述外殼構造部及前述噴嘴部之間且於使前述噴嘴部密貼在前述埠部的外緣之密貼姿勢及從該密貼姿勢使前述噴嘴部與前述埠部分開的分開姿勢之間要使前述噴嘴部動作進行擴縮之第一動作調整空間;與 設在前述噴嘴部與前述推壓部之間、要使前述推壓部於藉由離開前述埠部而使前述埠部閉止的閉止姿勢與藉由推壓前述埠部使該埠部開放的開放姿勢之間動作進行擴縮之第二動作調整空間。
- 一種氣體供給裝置之控制方法,具備: 要將對象容器內部置換成指定氣體就得以使該氣體通過之外殼構造部, 供藉由密貼於前述對象容器的一面所設置的埠部的外緣而防止前述對象容器內的氣體往外部流出用之噴嘴部, 具有推壓前述埠部的推壓面及向前述對象容器內噴射前述指定氣體的噴射部之推壓部, 設在前述外殼構造部及前述噴嘴部之間且於使前述噴嘴部密貼在前述埠部的外緣之密貼姿勢及從該密貼姿勢使前述噴嘴部與前述埠部分開的分開姿勢之間要使前述噴嘴部動作進行擴縮之第一動作調整空間,與 設在前述噴嘴部與前述推壓部之間、要使前述推壓部於藉由離開前述埠部而使前述埠部閉止的閉止姿勢與藉由推壓前述埠部使該埠部開放的開放姿勢之間動作進行擴縮之第二動作調整空間之氣體供給裝置之控制方法,其特徵係 藉由將控制用氣體往前述第一動作調整空間及前述第二動作調整空間加以投入排出來控制前述噴嘴部及前述推壓部之動作。
- 如申請專利範圍第4項記載之氣體供給裝置之控制方法,其中 前述控制用氣體係往前述第一動作調整空間直接被投入排出之氣體;藉由進而具備連通前述第一動作調整空間及前述第二動作調整空間之連通路,得以擴縮前述第二動作調整空間。
- 如申請專利範圍第5項記載之氣體供給裝置之控制方法,其中 前述連通路,係作成在使前述噴嘴部動作成密貼在前述埠部的外緣之前述密貼姿勢之後使前述推壓部往前述開放姿勢動作之構成。
- 一種裝載埠,其特徵係 具備複數個申請專利範圍第1~3項任一項記載的氣體供給裝置,作成在使前述氣體供給裝置的前述推壓部連通到前述對象容器底面設置的複數個前述埠部之狀態下,可以將前述對象容器內的氣體氛圍置換成氮或乾燥空氣之構成。
- 一種半導體製造裝置,其特徵係 具備:申請專利範圍第7項記載之裝載埠、半導體製造裝置本體、配置於前述裝載埠與前述半導體製造裝置本體之間的移送室; 接受被搬送而來的對象容器,使被收容在該對象容器內的晶圓透過在對象容器的前面形成的搬出搬入口而進行取出放入。
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