CN108807225A - 气体供给装置、其控制方法、装载站、半导体制造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 91
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 169
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 15
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 34
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 230000008676 import Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供能够可靠地向对象容器的内部供给预定的气体而将对象容器的内部置换为预定的气体的气体供给装置、其控制方法、及具备该气体供给装置的装载站以及半导体制造装置。本发明的气体导入装置即吹扫单元的特征在于，包括：外壳，为了将FOUP的内部置换为预定的气体，该外壳能使该气体通过；喷嘴，其密合于在FOUP的一个面设置的口的附近，并且该喷嘴为了使口开放而按压该口；动作调整空间，为了使喷嘴在能经由口向对象容器内喷射预定的气体的使用姿势与不能经由口向对象容器内喷射预定的气体的待机姿势之间进行动作，该动作调整空间扩大、缩小；以及气体导入部，其通过使气体相对于动作调整空间进行出入来控制喷嘴的动作。
Description
技术领域
本发明涉及用于向具有对象空间的对象容器供给预定的气体的气体供给装置、气体供给装置的控制方法、装载站以及半导体制造装置。
背景技术
以往，在半导体的制造工序中，为了提高成品率、品质，在无尘室内进行晶圆的处理。近年来，用于使FOUP内的晶圆在高清洁的环境中输送·保管晶圆的对象容器即被称作FOUP(Front-Opening Unified Pod)的容纳用容器和半导体制造装置之间出入并且用于使FOUP内的晶圆在该容纳容器与输送装置之间进行FOUP的交接的接口部的装置即装载站(Load Port)被作为用于仅针对晶圆周围的局部空间进一步提高清洁度的重要的装置来使用。
然而，半导体制造装置内虽维持在适合晶圆的处理或者加工的预定的气体气氛，但在从FOUP内向半导体制造装置内送出晶圆时，FOUP的内部空间和半导体制造装置的内部空间会相互连通。因而，当FOUP内的环境的清洁度低于半导体制造装置内的清洁度时，FOUP内的气体就会进入到半导体制造装置内，而可能对半导体制造装置内的气体气氛产生不良影响。
作为用于应对这种问题的技术，在以往，公开了一种具有吹扫装置的装载站，在将收纳有晶圆的FOUP载置于装载站的载置台的状态下，该吹扫装置从FOUP的底面侧向内部注入预定的气体(例如氮、非活性气体等)并使其充满，从而将FOUP内置换为预定的气体气氛。这种从FOUP的底面侧向FOUP内注入氮、干燥空气等预定的气体而将FOUP内置换为预定的气体气氛的、所谓的底部吹扫方式与前部吹扫方式的吹扫装置相比较，具有预定的气体气氛的极限浓度较高这样的优点。
而且，在专利文献1中公开了一种具有吹扫装置的装载站，该吹扫装置构成为为了向FOUP内吹入预定的气体(例如氮、非活性气体等)，利用除了预定的气体之外的气体(压缩空气等)操作设于对象容器即FOUP的阀。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015－88500号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，以往的吹扫装置是这样的构造：为了开放FOUP的开口部，通过利用预定的气体的压力来操作设于对象容器即FOUP的阀，因此，因预定的气体的压力不同，每单位时间的供给量会产生偏差，其结果，在预定的作业时间内将FOUP内维持在较高的预定气体气氛浓度是困难的，存在预定的气体气氛的极限浓度较低这样的缺点。
本发明即是着眼于这一点而完成的，主要的目的在于提供能够以更高的效率将上述FOUP即对象容器的内部置换为预定的气体的气体供给装置、及具备该气体供给装置的吹扫装置以及装载站。
用于解决问题的方案
本发明鉴于以上的问题点，采取了以下的手段。
即，本发明的气体供给装置的特征在于，该气体供给装置包括：外壳构造部，为了向对象容器的内部供给预定的气体，该外壳构造部能使该气体通过；喷嘴构造部，其具有喷嘴部和按压部，该喷嘴部与设于所述对象容器的一个面且在内部具有开闭机构的口部接触，该按压部用于使开闭机构开放；以及动作调整空间，其设于所述外壳构造部和所述喷嘴构造部，为了使所述喷嘴部在能经由所述口部向所述对象容器内供给所述预定的气体的使用姿势和不能经由所述口部向所述对象容器内供给所述预定的气体的待机姿势之间进行动作，该动作调整空间扩大、缩小。
若是这样的结构，则能够在不拘泥于向对象容器内供给的预定的气体的压力如何的前提下，为了使喷嘴构造部进行动作而适当地向对象容器的内部导入预定的气体。此外，由于喷嘴构造部不仅使口开放，而且还通过密合于口的附近而有效地避免了预定的气体向外部泄漏，因此能够效率较佳地向对象容器的内部导入预定的气体。其结果，根据本发明，能够提供以更高的效率将对象容器的内部置换为预定的气体的气体供给装置以及具备该气体供给装置的装载站。
作为能以较高的效率将对象容器的内部置换为预定的气体的具体的结构，能够列举出这样的结构：喷嘴部通过密合于在所述对象容器的一个面设置的所述口部的外缘来防止对象容器内的气体向外部流出，按压部具有用于按压所述开闭机构的按压面和为了朝向所述对象容器内供给预定的气体而进行喷射的喷射部。
此外，作为用于效率更佳地将对象容器内的气体置换为预定的气体的动作调整空间的结构，能够列举出这样的结构：动作调整空间具有：第一动作调整空间，其设于外壳构造部和喷嘴部之间，为了使喷嘴部在使喷嘴部密合于口部的外缘的密合姿势与使喷嘴部和口部自该密合姿势分开的分开姿势之间进行动作，该第一动作调整空间扩大、缩小；以及第二动作调整空间，其设于喷嘴部和按压部之间，为了使按压部在通过与口部分开而将口部封闭的封闭姿势与通过按压口部而使该口开放的开放姿势之间进行动作，该第二动作调整空间扩大、缩小。
而且，作为用于效率更佳地将对象容器内的气体置换为预定的气体的具体的气体供给装置的控制方法，该气体供给装置包括：外壳构造部，为了将对象容器的内部置换为预定的气体，该外壳构造部能使该气体通过；喷嘴部，其用于通过密合于在所述对象容器的一个面设置的口部的外缘来防止所述对象容器内的气体向外部流出；按压部，其具有用于按压口部的按压面和用于朝向对象容器内喷射预定的气体的喷射部；第一动作调整空间，其设于外壳构造部和喷嘴部之间，为了使所述喷嘴部在使喷嘴部密合于所述口部的外缘的密合姿势与使喷嘴部和口部自该密合姿势分开的分开姿势之间进行动作，该第一动作调整空间扩大、缩小；以及第二动作调整空间，其设于喷嘴部和按压部之间，为了使按压部在通过与所述口部分开而将口部封闭的封闭姿势与通过按压口部而使该口部开放的开放姿势之间进行动作，该第二动作调整空间扩大、缩小，该控制方法的特征在于，通过使所述控制用气体相对于所述第一动作调整空间和所述第二动作调整空间进行出入来控制所述第一喷嘴和所述第二喷嘴的动作。
并且，为了利用更简单的结构控制第一喷嘴和第二喷嘴的动作，期望的是，控制用气体直接相对于第一动作调整空间进行出入，通过还具备将第一动作调整空间和第二动作调整空间连通的连通通路，从而也能使第二动作调整空间扩大、缩小。
而且，为了更有效地控制第一喷嘴和第二喷嘴的动作，期望的是，连通通路构成为，在使喷嘴部向密合于所述口部的外缘的所述密合姿势进行了动作之后使按压部向开放姿势进行动作。
此外，作为能有效地利用上述气体导入装置的一例子，能够列举出一种装载站，其特征在于，该装载站具备多个上述的气体供给装置，构成为在使所述气体供给装置的按压部连通于在对象容器的底面设置的多个口部的状态下能够将对象容器内的气体气氛置换为氮或干燥空气。
并且，如果将本发明应用于如下这样的半导体制造装置，则能够将上述本发明的效果应用于半导体制造装置，该半导体制造装置的特征在于，该半导体制造装置在无尘室内与气体供给装置相邻地设置，接受输送来的吹扫对象容器即FOUP，使容纳于该FOUP内的晶圆经由形成在FOUP的前表面的搬出搬入口在该半导体制造装置与该FOUP内之间进行出入。
发明的效果
根据以上所说明的本发明，能够提供能够可靠地向对象容器的内部供给预定的气体的气体供给装置、及具备该气体供给装置的吹扫装置以及装载站。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的外观图。
图2是该实施方式的示意性侧剖视图。
图3是该实施方式的主要部分的外观图。
图4是图3的示意性剖视图。
图5是图3的中央侧剖视图。
图6是图3的动作说明图。
图7是图5的动作说明图。
图8是图3的动作说明图。
图9是图5的动作说明图。
图10是该实施方式的变形例的与图8对应的外观图。
附图标记说明
1、气体供给装置(吹扫喷嘴单元)；2、喷嘴构造部(喷嘴)；21、喷嘴部(第一喷嘴)；22、按压部(第二喷嘴)；3、外壳构造部(外壳)；4、气体导入部；5、动作调整空间；51、第一动作调整空间；52、第二动作调整空间；53、连通通路；X、装载站；P、吹扫装置；100、对象容器(FOUP)。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的一个实施方式。
本实施方式的气体供给装置即吹扫喷嘴单元1例如能够安装于图1和图2所示的装载站X所应用的吹扫装置P。装载站X在半导体的制造工序中使用，并在无尘室内与半导体制造装置(省略图示)相邻地配置，使门部D密合于本发明的吹扫对象容器的一个例子即图2所示的FOUP100的门并进行开闭，使收纳于FOUP100内的被收纳体即示意性图示的晶圆W在该装载站X与半导体制造装置之间进行出入。
如图2所示，在本实施方式中应用的FOUP100，是在内部收纳多张晶圆W、且构成为能够使这些晶圆W经由形成于该FOUP100的前表面的搬出搬入口进行出入并具有能够开闭搬出搬入口的门的已知结构，因此省略详细的说明。另外，在本实施方式中，FOUP100的前表面意味着在该FOUP100载置于装载站X时与装载站X的门部D相面对的一侧的面。如后述的图5、图7、图9中假想线所示，在FOUP100的底面的预定部位设有吹扫用的口101。口101例如是将嵌入到在FOUP100的底面形成的开口部的中空筒状的密封垫圈(grommeet seal)作为主体而成的。
半导体制造装置例如包括相对地配置在距装载站X较远的位置的半导体制造装置主体和配置在半导体制造装置主体与装载站X之间的传送室，在传送室内例如设有在FOUP100内与传送室内之间、以及传送室内与半导体制造装置主体内之间逐张传送FOUP100内的晶圆W的传送机。另外，也可以是在FOUP100与半导体制造装置(半导体制造装置主体和传送室)之间连同容纳有多张晶圆W的盒一起传送。利用这样的结构，能够在无尘室中将半导体制造装置主体内、传送室内以及FOUP100内维持在高清洁度。
如图1所示，装载站X包括：框架F，其以立起姿势配置，并具有能够开闭可与FOUP100的搬出搬入口连通的开口部的门部D；载置台B，其以大致水平姿势向远离框架F中的靠半导体制造装置侧的方向延伸；以及吹扫装置P，其能够向FOUP100内注入吹扫用气体，将FOUP100内的气体气氛置换为氮气等吹扫用气体。
在将FOUP100载置于载置台的状态下，设于框架F的门部D能够在以与设于FOUP100的前表面的门(省略图示)密合的状态打开该门并开放搬出搬入口的开放位置与封闭搬出搬入口的封闭位置之间进行工作。作为用于使门部D在开放位置与封闭位置之间至少进行升降移动的门升降机构(省略图示)，可以应用已知的结构。
载置台B以大致水平姿势配置在比框架F中的高度方向中央部稍靠上方的位置，并具有向上突出的多个定位用突起(运动销(日文：キネマティックピン))。于是，通过使这些定位用突起卡合于在FOUP100底面形成的定位用凹部(省略图示)来谋求FOUP100在载置台B上的定位。此外，在载置台B设有用于检测FOUP100在载置台B上是否载置于预定位置的未图示的落位传感器。能够根据规格等适当地设定·变更定位用突起和落位传感器的构造、配置部位。
吹扫装置P包括多个吹扫喷嘴单元1，该多个吹扫喷嘴单元1以使上端部露出的状态在载置台B上配置于预定部位。
这多个吹扫喷嘴单元1与设于FOUP100的底面的口101的位置相应地安装在载置台B上的适当位置，并能够与设于FOUP100的底部的口101接触。另外，在本实施方式中，除了各吹扫喷嘴单元1之外，还在与口101相对应的任一个部位适当配置有排气阀，该排气阀构成为当FOUP100内的压力升高时能够排出FOUP100内的气体。由于该排气阀的结构是依照现有的结构，因此省略具体的说明。
另外，在此，具体地说明设于FOUP100的口101的结构。该口101像上述那样构成吹扫喷嘴单元1的一部分，例如图2中的A部放大所示，该口101包括：基座103；气体流入口104，其设于基座103且供预定的气体流入；单向阀105；阀室106，其将单向阀105以能够可动的方式收纳；压缩弹簧107，其用于对单向阀105向气体流入口104侧施力；连通口108；用于支承压缩弹簧107的支承板109；以及过滤器110等。像这种结构的口101是现有的结构，因此省略进一步详细的说明。经由像这种现有的口101向FOUP100的内部导入吹扫气体的以往一般形态如下所述。即，使预定的气体即吹扫气体向气体流入口104流入，随着吹扫气体的流量产生的力将压缩弹簧107压缩，使单向阀105与基座103之间产生间隙。由此，吹扫气体从该间隙经过阀室106和连通口108，再通过过滤器110，从而被导入到FOUP100的内部。
而且，由构成上述口101的气体流入口104、单向阀105以及压缩弹簧107构成本发明的开闭机构。
如图3～图9所示，各吹扫喷嘴单元1包括：喷嘴2，其为喷嘴构造部；外壳3，其为将喷嘴2以能够升降的状态保持的外壳构造部；以及气体导入部4，为了使喷嘴2相对于该外壳3进行动作，该气体导入部4使压缩空气出入。另外，在本说明书中，将该气体导入部4的图示设为示意性图示。
在此，本实施方式的气体导入装置即吹扫喷嘴单元1的特征在于，包括：外壳3，为了向FOUP100的内部供给预定的气体，该外壳3能使该气体通过；喷嘴2，其具有第一喷嘴21和第二喷嘴22，该第一喷嘴21是与设于FOUP100的一个面且在内部具有开闭机构的口部即口101的附近接触的喷嘴部，该第二喷嘴22是用于使开闭机构开闭的按压部；以及动作调整空间5，其设于外壳3和喷嘴2，为了使喷嘴2在能经由口101向对象容器内供给预定的气体的使用姿势与不能经由口101向对象容器内供给预定的气体的的待机姿势之间进行动作，该动作调整空间5扩大、缩小。此外，在本实施方式的吹扫喷嘴单元1中还具有气体导入部4，该气体导入部4通过使控制用气体即压缩空气相对于动作调整空间5进行出入来控制喷嘴2的动作。
以下，说明气体导入装置即吹扫喷嘴单元1的各构成要素。
为了将对象容器即FOUP100的内部置换为预定的气体，外壳3能使该气体通过。该外壳3具有：外壳主体31，其呈大致长方体形状；成对的外环32，其设于该外壳主体31的内壁35且供喷嘴2的外周面拼接；以及导入口33，其从外壳主体31的外壁34朝向喷嘴2连通且用于朝向喷嘴2侧导入压缩空气。具体地进行说明，该导入口33从外壳主体31的外壁34朝向内壁35贯通，并与形成于外壳3和喷嘴2之间的动作调整空间5相连通。
喷嘴2具有：第一喷嘴21，其用于通过与设于对象容器的一个面的口101的外缘102密合来防止FOUP100内的气体向外部流出；以及第二喷嘴22，其具有用于按压口101的按压面和用于朝向对象容器内喷射预定的气体的喷射部。第一喷嘴21具有能与口101的外缘102密合的接触面23和用于对第二喷嘴22无缝支承的密封件即内环24。第二喷嘴22具有：气体导入口25，其用于导入预定的气体；气体引导路径26，为了将从该气体导入口25导入的预定的气体即氮气向上方引导，该气体引导路径26沿高度方向在轴心部分贯通；按压面27，其在顶端与对象容器的口101抵接，并按压该口101，而能够将该口101的内部的单向阀105(图2)开放；以及气体喷射口28，其从该按压面27向基端侧形成为狭缝状且用于向FOUP100内导入氮气。而且，在本实施方式中，将用于从气体导入口26沿水平方向引导预定的气体即吹扫用气体的第二流路26a和与该第二流路26a连续且用于沿垂直方向引导吹扫用气体的第一流路25a以将彼此相对位置固定了的状态一体地构成。但是，本发明并不对构成为能够变更上述第二流路26a与第一流路25a的相对位置的方式造成阻碍。
动作调整空间5具有：第一动作调整空间51，其设于外壳3和第一喷嘴21之间，为了使第一喷嘴21在使第一喷嘴21密合于口101的外缘102的密合姿势(P1)与使第一喷嘴21和口101自该密合姿势(P1)分开的分开姿势(P2)之间进行动作，该第一动作调整空间51扩大、缩小；第二动作调整空间52，其设于第一喷嘴21和第二喷嘴22之间，为了使第二喷嘴22在通过使第二喷嘴22自口101(具体而言，单向阀105)分开而封闭口101的封闭姿势(Q2)与通过按压口101(具体而言，单向阀105)而使该口101开放的开放姿势(Q1)之间进行动作，该第二动作调整空间52扩大、缩小；以及连通通路53，其将这些第一动作调整空间51和第二动作调整空间52连通。
第一动作调整空间51在从上述外壳3的导入口33导入了导入气体即压缩空气时能将姿势从第一喷嘴21的接触面23与口101的外缘102分开的分开姿势(P2)变更为第一喷嘴21的接触面23密合于口101的外缘102的密合姿势(P1)。
第二动作调整空间52在第一动作调整空间51导入气体、且第一喷嘴21成为密合姿势(P1)之后经由连通通路53而导入压缩空气，从而将姿势从通过使第二喷嘴22与口101(具体而言，单向阀105)分开而封闭口101的封闭姿势(Q2)变更为通过按压该口101(具体而言，单向阀105)而使该口101开放的开放姿势(Q1)。
连通通路53构成为，通过向第一动作调整空间51供给控制用气体而向第一动作调整空间51、第二动作调整空间52导入气体即压缩空气从而使第一喷嘴21成为密合姿势(P1)，且使第二喷嘴22向开放姿势(Q1)进行动作，并且通过抽吸第一动作调整空间51、第二动作调整空间52内的控制用气体即压缩空气而使第二喷嘴22成为封闭姿势(Q2)，且使第一喷嘴21成为分开姿势(P2)。该连通通路53在图4、图5、图7及图9中用虚线来表示，在上述第一喷嘴21、第二喷嘴22的周向上设有一个或多个。而且，该连通通路53设定为，通过调整其直径及位置、数量，从而能在导入了压缩空气时在上述第一动作调整空间51使第一喷嘴21的姿势变更为密合姿势(P1)之后，向第二动作调整空间52导入压缩空气而使第二喷嘴22的姿势变更为开放姿势(Q1)。
气体导入部4用于通过使与氮气不同的气体的一例子即压缩空气相对于第一动作调整空间51和第二动作调整空间52进行出入来控制第一喷嘴21和第二喷嘴22的动作。该气体导入部4使控制用气体相对于第一动作调整空间51进行出入，通过经由将第一动作调整空间51和第二动作调整空间52连通的连通通路53，从而也能使第二动作调整空间52扩大、缩小。
在本实施方式中，能够通过向动作调整空间5内导入压缩空气，从而阶段性地进行如下控制：从图3～图5所示的待机位置，即第一喷嘴21处于分开姿势(P2)且第二喷嘴22处于封闭姿势(Q2)的状态成为如图6和图7所示第一喷嘴21成为密合姿势(P1)而密合于口101的外缘102并且第二喷嘴22处于封闭姿势(Q2)而也密合于口101的外缘102而未使口101开放的状态，进而成为像图8和图9所示的使用位置那样、通过第二喷嘴22进一步向上方突出且按压面27推起口101(具体而言，单向阀105)从而使口101开放的开放姿势(Q1)的状态。
此外，不言而喻的是，如果通过自图8和图9所示的状态(P1、Q1)控制气体导入部4而抽吸压缩空气，则会经过上述图6和图7所示的状态(P1、Q2)恢复为图3～图5所示的状态(P2、Q2)。即，根据本实施方式，通过使预定的气体即与氮气不同的压缩空气相对于气体导入部4进行出入，从而能够顺畅且适当地进行构成喷嘴2的第一喷嘴21和第二喷嘴22各自的升降移动。
以上详细说明的本实施方式的吹扫喷嘴单元1实现了通过以单元化的状态安装于装载站X的载置台B的多个预定部位(在本实施方式中是载置台B的四个角附近)而作为能够将载置在载置台B上的FOUP100内的气体气氛置换为吹扫用气体的吹扫装置P发挥功能。
此外，作为本实施方式的变形例，能够列举出图10所示的气体导入装置即吹扫喷嘴单元1。在该变形例中对与上述实施方式的构成要素相当的构件标注相同的附图标记，并且省略详细的说明。
若具体说明，则是本变形例的吹扫喷嘴单元1的上述第二喷嘴22的形状有所不同。第二喷嘴22在与按压面27分开的位置设有开口29，使该开口29相当于气体喷射口28。即便是这样的结构，也起到与上述实施方式相同的效果。
像以上那样，本实施方式的气体供给装置的特征在于，包括：外壳3，为了将对象容器的内部置换为预定的气体，该外壳3能使该气体通过；喷嘴2，其密合于在对象容器的一个面设置的口101的附近，并且为了使口101开放而按压该口101；动作调整空间5，其设于外壳3和喷嘴2，为了使喷嘴2在能经由口101向对象容器内供给预定的气体的使用姿势与不能经由口101向对象容器内供给预定的气体的待机姿势之间进行动作，该动作调整空间5扩大、缩小；以及气体导入部4，其通过使气体相对于动作调整空间5进行出入来控制喷嘴2的动作。
通过如此设置，从而能够在不拘泥于向对象容器内供给的预定的气体的压力如何的前提下，为了使喷嘴2进行动作而适当地向对象容器即FOUP100的内部导入预定的气体。此外，由于喷嘴2不仅使口101开放，还通过密合于口101的附近而有效地避免了预定的气体向外部泄漏，因此能够效率较佳地向对象容器的内部导入预定的气体。其结果，根据本实施方式，能够提供能够以更高的效率向对象容器的内部供给预定的气体的吹扫喷嘴单元1、具备该吹扫喷嘴单元1的吹扫装置P及装载站X、以及应用该装载站X的半导体制造装置。
作为能以较高的效率将对象容器的内部置换为预定的气体的具体的结构，在本实施方式中设为这样的结构，即喷嘴2具有：第一喷嘴21，其是用于通过密合于在对象容器的一个面设置的口101的外缘102来防止对象容器内的气体向外部流出的喷嘴部；以及第二喷嘴22，其是具有用于按压口101的按压面27和用于朝向对象容器内喷射气体的喷射部的按压部。
此外，作为用于效率更佳地将对象容器内的气体置换为预定的气体的动作调整空间5的结构的一例子，在本实施方式中应用这样的结构，即动作调整空间5具有：第一动作调整空间51，其设于外壳3和第一喷嘴21之间，为了使第一喷嘴21在使第一喷嘴21密合于口101的外缘102的密合姿势(P1)与使第一喷嘴21和口101自该密合姿势(P1)分开的分开姿势(P2)之间进行动作，该第一动作调整空间51扩大、缩小；以及第二动作调整空间52，其设于第一喷嘴21和第二喷嘴22之间，为了使第二喷嘴22在通过与口101分开而将口101封闭的封闭姿势(Q2)与通过按压口101而使该口101开放的开放姿势(Q1)之间进行动作，该第二动作调整空间52扩大、缩小。
而且，本实施方式的吹扫喷嘴单元1的控制方法是应用于作为效率更佳地将FOUP100内的气体置换为预定的气体的具体的结构的控制方法，在本实施方式中是应用于吹扫喷嘴单元1的控制方法，该吹扫喷嘴单元1具有：第一动作调整空间51，其设于外壳3和第一喷嘴21之间，为了使第一喷嘴21在使第一喷嘴21密合于口101的外缘102的密合姿势(P1)与使第一喷嘴21和口101自该密合姿势(P1)分开的分开姿势(P2)之间进行动作，该第一动作调整空间51扩大、缩小；以及第二动作调整空间52，其设于第一喷嘴21和第二喷嘴22之间，为了使第二喷嘴22在通过与口101分开而将口101封闭的封闭姿势(Q2)与通过按压口101而使该口101开放的开放姿势(Q1)之间进行动作，该第二动作调整空间52扩大、缩小，该控制方法的特征在于，利用气体导入部4使压缩空气相对于这些第一动作调整空间51和第二动作调整空间52进行出入。
并且，为了利用简单的结构控制第一喷嘴21和第二喷嘴22的动作，在本实施方式中，通过将控制用气体导入装置设为使控制用气体相对于第一动作调整空间51进行出入的装置，还设有将第一动作调整空间51和第二动作调整空间52连通的连通通路53，从而也能使第二动作调整空间52扩大、缩小。
而且，为了更有效地控制第一喷嘴21和第二喷嘴22的动作，在本实施方式中构成为，将连通通路53构成为在使第一喷嘴21向密合于口101的外缘102的密合姿势(P1)进行动作之后，使第二喷嘴22向开放姿势(Q1)进行动作。
此外，本实施方式的半导体制造装置的特征在于，该半导体制造装置与装载站X相邻地设置，并接受输送来的吹扫对象容器即FOUP100，使容纳于该FOUP100内的晶圆W经由形成在FOUP100的前表面的搬出搬入口在该半导体制造装置与该FOUP100内之间进行出入。
以上，说明了本发明的实施方式，但本发明并不限于上述实施方式的结构。在上述实施方式中公开了气体导入部4使作为与氮气不同的气体的一个例子即压缩空气相对于第一动作调整空间51和第二动作调整空间52进行出入的方式，但不言而喻的是，作为控制用气体并不限于压缩空气，也可以使用氮气、其他的非活性气体、或者干燥的空气。
在上述实施方式中，形成了通过向第1动作调整空间导入压缩空气而使喷嘴机构上升的上升用动作调整空间，但也可以不抽吸压缩空气而是还设有通过导入压缩空气而使喷嘴机构下降的下降用动作调整空间。第2动作调整空间也是同样，也可以是，不仅设有上升用的动作调整空间，而且还设有下降用的动作调整空间。或者，也可以是通过与弹簧等的弹性施力相组合而仅形成上升用、下降用中的任一个动作调整空间。
而且，在上述实施方式中，设为利用构成第一流路(26a)的按压部即第二喷嘴22使阀即口101开放的结构，但也可以相对于形成第一流路(26a)的构件独立设置用于使口101开放的按压部。此外，在上述实施方式中，应用了形成第二流路25a的构件相对于外壳3相对移动的结构，但也可以设为将第二流路相对于外壳固定而能相对于第一流路相对地进行动作的结构。
此外，例如在上述实施方式中，例示了以1对1的关系形成动作调整空间和透气孔的方式，但也可以采用形成多个与1个动作调整空间连通的通气孔的结构。此外，在上述实施方式中，公开了仅利用气体导入部对压缩空气的控制来控制喷嘴的方式，但并不否定通过对喷嘴进行弹性施力而使其能够进行动作的方式。
其他的结构也能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形。
Claims (8)
1.一种气体供给装置，其特征在于，
该气体供给装置包括：
外壳构造部，为了向对象容器的内部供给预定的气体，该外壳构造部能使该气体通过；
喷嘴构造部，其具有喷嘴部和按压部，该喷嘴部与设于所述对象容器的一个面且在内部具有开闭机构的口部接触，该按压部用于使开闭机构开放；以及
动作调整空间，为了使所述喷嘴构造部在能经由所述口部向所述对象容器内供给所述预定的气体的使用姿势和不能经由所述口部向所述对象容器内供给所述预定的气体的待机姿势之间进行动作，该动作调整空间扩大、缩小。
2.根据权利要求1所述的气体供给装置，其中，
所述喷嘴部通过密合于在所述对象容器的一个面设置的所述口部的外缘来防止所述对象容器内的气体向外部流出，
所述按压部具有用于按压所述开闭机构的按压面和用于朝向所述对象容器内喷射所述预定的气体的喷射部。
3.根据权利要求2所述的气体供给装置，其中，
所述动作调整空间具有：
第一动作调整空间，其设于所述外壳构造部和所述喷嘴部之间，为了使所述喷嘴部在使所述喷嘴部密合于所述口部的外缘的密合姿势与使所述喷嘴部和所述口部自该密合姿势分开的分开姿势之间进行动作，该第一动作调整空间扩大、缩小；以及
第二动作调整空间，其设于所述喷嘴部和所述按压部之间，为了使所述按压部在通过与所述口部分开而将所述口部封闭的封闭姿势与通过按压所述口部而使该口开放的开放姿势之间进行动作，该第二动作调整空间扩大、缩小。
4.一种气体供给装置的控制方法，该气体供给装置包括：
外壳构造部，为了将对象容器的内部置换为预定的气体，该外壳构造部能使该气体通过；
喷嘴部，其用于通过密合于在所述对象容器的一个面设置的口部的外缘来防止所述对象容器内的气体向外部流出；
按压部，其具有用于按压所述口部的按压面和用于朝向所述对象容器内喷射所述预定的气体的喷射部；
第一动作调整空间，其设于所述外壳构造部和所述喷嘴部之间，为了使所述喷嘴部在使所述喷嘴部密合于所述口部的外缘的密合姿势与使所述喷嘴部和所述口部自该密合姿势分开的分开姿势之间进行动作，该第一动作调整空间扩大、缩小；以及
第二动作调整空间，其设于所述喷嘴部和所述按压部之间，为了使所述按压部在通过与所述口部分开而将所述口部封闭的封闭姿势与通过按压所述口部而使该口部开放的开放姿势之间进行动作，该第二动作调整空间扩大、缩小，该控制方法的特征在于，
通过使控制用气体相对于所述第一动作调整空间和所述第二动作调整空间进行出入来控制所述喷嘴部和所述按压部的动作。
5.根据权利要求4所述的气体供给装置，其中，
所述控制用气体直接相对于所述第一动作调整空间进行出入，通过还具备将所述第一动作调整空间和所述第二动作调整空间连通的连通通路，从而也能使所述第二动作调整空间扩大、缩小。
6.根据权利要求5所述的气体供给装置，其中，
所述连通通路构成为，在使所述喷嘴部向密合于所述口部的外缘的所述密合姿势进行了动作之后使所述按压部向所述开放姿势进行动作。
7.一种装载站，其特征在于，
该装载站具备多个权利要求1～3中任一项所述的气体供给装置，构成为在使所述气体供给装置的所述按压部连通于在所述对象容器的底面设置的多个所述口部的状态下能够将所述对象容器内的气体气氛置换为氮或干燥空气。
8.一种半导体制造装置，其特征在于，
该半导体制造装置在无尘室内与权利要求7所述的装载站相邻地设置，接受输送来的吹扫对象容器即FOUP，使容纳于该FOUP内的晶圆经由形成在FOUP的前表面的搬出搬入口在该半导体制造装置与该FOUP内之间进行出入。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017090618 | 2017-04-28 | ||
| JP2017-090618 | 2017-04-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108807225A true CN108807225A (zh) | 2018-11-13 |
| CN108807225B CN108807225B (zh) | 2024-04-02 |
Family
ID=64094054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810403438.2A Active CN108807225B (zh) | 2017-04-28 | 2018-04-28 | 气体供给装置、其控制方法、装载站、半导体制造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7132488B2 (zh) |
| CN (1) | CN108807225B (zh) |
| TW (1) | TWI763773B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114074092A (zh) * | 2020-08-21 | 2022-02-22 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 一种检测设备及检测系统 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6164664A (en) * | 1998-03-27 | 2000-12-26 | Asyst Technologies, Inc. | Kinematic coupling compatible passive interface seal |
| US7328727B2 (en) * | 2004-04-18 | 2008-02-12 | Entegris, Inc. | Substrate container with fluid-sealing flow passageway |
| JP2011166047A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Tadashi Kamimura | ガス導入装置およびガス導入の方法 |
| US20130326841A1 (en) * | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Sinfonia Technology Co., Ltd. | Purge nozzle unit, purge apparatus and load port |
| JP2014036185A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Sinfonia Technology Co Ltd | パージノズルユニット、パージ装置、ロードポート |
| JP2014036049A (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Sinfonia Technology Co Ltd | パージノズルユニット、パージ装置、ロードポート |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6319297B1 (en) * | 1998-03-27 | 2001-11-20 | Asyst Technologies, Inc. | Modular SMIF pod breather, adsorbent, and purge cartridges |
| US9105673B2 (en) * | 2007-05-09 | 2015-08-11 | Brooks Automation, Inc. | Side opening unified pod |
-
2018
- 2018-04-06 JP JP2018074003A patent/JP7132488B2/ja active Active
- 2018-04-26 TW TW107102667A patent/TWI763773B/zh active
- 2018-04-28 CN CN201810403438.2A patent/CN108807225B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6164664A (en) * | 1998-03-27 | 2000-12-26 | Asyst Technologies, Inc. | Kinematic coupling compatible passive interface seal |
| US7328727B2 (en) * | 2004-04-18 | 2008-02-12 | Entegris, Inc. | Substrate container with fluid-sealing flow passageway |
| JP2011166047A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Tadashi Kamimura | ガス導入装置およびガス導入の方法 |
| US20130326841A1 (en) * | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Sinfonia Technology Co., Ltd. | Purge nozzle unit, purge apparatus and load port |
| JP2014036049A (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Sinfonia Technology Co Ltd | パージノズルユニット、パージ装置、ロードポート |
| JP2014036185A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Sinfonia Technology Co Ltd | パージノズルユニット、パージ装置、ロードポート |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114074092A (zh) * | 2020-08-21 | 2022-02-22 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 一种检测设备及检测系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108807225B (zh) | 2024-04-02 |
| JP2018190963A (ja) | 2018-11-29 |
| TWI763773B (zh) | 2022-05-11 |
| JP7132488B2 (ja) | 2022-09-07 |
| TW201842607A (zh) | 2018-12-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |