KR20050045695A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 FOUP이 놓여지는 스테이지와 FOUP 도어를 개폐하는 도어 오프너를 가진다. 도어 오프너는 FOUP 도어와 결합되어 FOUP 도어를 FOUP으로부터 분리하는 도어 홀더를 가지며, 도어 홀더에는 FOUP 도어에 형성된 유입홀을 통해 FOUP 내로 질소가스를 분사하는 분사구와 FOUP 내의 공기가 배기되는 배기구가 형성된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES}
본 발명은 반도체 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 기판이 적재되는 컨테이너의 도어를 개폐하는 로드포트를 포함하는 장치 및 컨테이너 내를 소정의 가스로 채우는 방법에 관한 것이다.
종래에는 반도체 제조 공정은 청정실 내에서 진행되며 웨이퍼의 저장 및 운반을 위해 오픈형 웨이퍼 컨테이너가 주로 사용되었다. 그러나 최근에는 청정실의 유지비용을 줄이기 위해 공정설비 내부 및 공정설비와 관련된 일부 설비의 내부에서만 높은 청정도가 유지되고, 기타 지역에서는 비교적 낮은 청정도가 유지된다. 낮은 청정도가 유지되는 지역에서 대기중의 이물질이나 화학적인 오염으로부터 웨이퍼를 보호하기 위해 밀폐형 웨이퍼 컨테이너가 사용되며, 이러한 밀폐형 웨이퍼 컨테이너의 대표적인 예로 전면 개방 일체식 포드(front open unified pod : 이하 "FOUP")가 있다.
또한, 최근에 반도체 웨이퍼의 직경이 200mm에서 300mm로 증가됨에 따라, 자동화 시스템에 의해 반도체 칩이 제조되며, 이러한 반도체 제조 공정의 자동화와 클리닝환경을 위해 공정설비에 연결되어 FOUP과 공정설비간 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 핸들링 시스템(equipment front end module : 이하 "EFEM")이 사용된다.
미국등록특허 제 6,473,996에는 상술한 EFEM 설비의 로드포트가 개시되어 있다. FOUP이 로드포트의 스테이션 상에 놓여지면, 도어 오프너에 의해 FOUP 도어가 열리고 FOUP으로부터 웨이퍼들이 반출되어 공정설비로 이송된다. 공정이 완료된 웨이퍼들은 다시 FOUP내로 반입되고, FOUP 도어가 닫혀 FOUP은 외부로부터 밀폐된다. 비록 EFEM 내로 유입되는 공기는 필터에 의해 여과되지만, 공기는 산소, 수분, 그리고 오존과 같은 분자성 오염물질들을 포함하고 있다. 따라서 밀폐된 FOUP 내에는 상술한 오염물질들이 존재하며, 이들은 웨이퍼 표면을 산화시키거나 웨이퍼 표면에 부착되어 양품의 반도체 생산을 저해하는 원인으로 작용한다.
본 발명은 FOUP 내에 존재하는 분자성 오염물질들로 인해 웨이퍼 상에 자연산화막이 형성되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 기판 처리 장치는 로드포트와 반도체 기판을 수용하는 컨테이너를 가진다. 상기 컨테이너는 적어도 하나의 유입홀이 형성된 도어를 가지며, 상기 로드포트는 상기 컨테이너가 놓여지는 스테이션과 상기 도어를 개폐하는 도어 오프너를 가진다. 상기 도어오프너는 상기 컨테이너의 개폐시 상기 도어와 결합되는 도어 홀더를 포함하며, 상기 도어 홀더에는 상기 컨테이너 내부를 소정의 가스로 채우기 위해 상기 컨테이너 내부로 상기 가스를 분사하는 분사부가 위치된다. 상기 가스는 상기 도어와 상기 도어 홀더가 결합된 상태에서 상기 유입홀을 통해 상기 컨테이너 내부로 분사된다.
상기 분사부는 상기 도어홀더와 상기 도어가 결합시 상기 유입홀과 대향되는 위치에서 상기 도어 홀더에 홀로서 형성된 분사구와 상기 분사구와 연결되며, 상기 분사구로 상기 가스를 공급하는 공급관을 포함하며, 상기 공급관에는 질량유량계가 설치된다. 상기 분사구는 상기 컨테이너 내에 적재된 반도체 기판들과 평행하게 상기 가스가 분사되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 유입홀 내에는 외부의 파티클이 상기 컨테이너 내부로 유입되는 것을 방지하는 필터와 상기 유입홀을 개폐하는 유입홀 개폐부가 삽입된다. 상기 유입홀 개폐부는 상기 유입홀에 결합되며 상기 유입홀의 내측으로 돌출되고 중앙에 상기 가스의 이동로가 형성된 상부판을 가지는 고정체, 상기 고정체의 이동로를 개폐하는 차단판, 그리고 상기 차단판과 결합되어 상기 차단판에 탄성력을 제공하는 탄성체를 가지며, 상기 차단판은 상기 분사부로부터 공급되는 가스압에 의해 상기 고정판으로부터 이격된다.
또한, 상기 도어에는 유출홀이 형성되고 상기 도어 홀더에는 상기 컨테이너 내의 유체가 배기되는 통로인 배기부가 위치되며, 상기 컨테이너 내의 가스는 상기 도어와 상기 도어 홀더가 결합된 상태에서 상기 유출홀 및 상기 배기부를 통해 배기된다. 상기 배기부는 상기 도어 홀더에 홀로서 형성되는 배기구와 상기 배기구과 연결되는 배기관, 그리고 상기 배기관에 설치되는 펌프를 포함한다.
상기 유출홀 내에는 상기 유출홀을 개폐하는 유출홀 개폐부가 삽입되며, 상기 유출홀 개폐부는 상기 유출홀에 결합되며 상기 유출홀의 내측으로 돌출되고 중앙에 공기의 이동로가 형성된 돌출판, 상기 돌출판의 이동로를 개폐하는 차단판, 그리고 상기 차단판과 결합되어 상기 차단판에 탄성력을 제공하는 탄성체를 구비하며, 상기 차단판은 상기 펌프의 진공압에 의해 상기 돌출판으로부터 이격된다.
상기 분사구는 상기 도어홀더의 일측에 형성되고, 상기 배기구는 상기 도어홀더의 타측에 형성되는 것이 바람직하며, 상기 분사구는 복수개가 형성되고, 이들은 서로 다른 높이에 배치된다.
또한, 상기 컨테이너 내부로 상기 가스가 분사되는 동안 상기 도어와 상기 도어 홀더를 고정시키는 도어 고정부가 제공된다. 상기 도어 고정부는 상기 도어 홀더에 홀로서 형성되며 상기 도어와 상기 도어 홀더는 진공에 의해 고정된다.
또한, 본 발명인 기판 처리 장치는 반도체 기판들을 수용하며 일면에 적어도 하나의 유입홀과 적어도 하나의 유출홀이 형성된 도어를 가지는 컨테이너와 상기 컨테이너가 놓여지는 스테이션이 설치된 로드포트를 가지며 상기 컨테이너와 공정설비 간에 반도체 기판을 이송하는 핸들링 시스템을 포함한다. 상기 로드포트는 상기 스테이션에 놓여진 상기 도어와 결합되어 상기 도어를 개폐하며 상기 컨테이너 내부로 질소가스 또는 불활성 가스를 분사하는 분사구와 상기 컨테이너 내의 유체가 배기되는 배기구가 형성된 도어 홀더를 가지는 도어 오프너를 포함하고, 상기 분사구로부터 분사되는 질소가스 또는 불활성 가스는 상기 도어의 유입홀을 통해 상기 컨테이너 내부로 공급되고 상기 컨테이너 내의 유체는 상기 도어의 유출홀 및 상기 배기구를 통해 배기된다.
또한, 본 발명의 기판 처리 방법은 로드포트의 스테이션 상에 놓여진 컨테이너의 도어와 상기 로드포트의 도어 홀더가 결합되어 상기 도어가 상기 컨테이너로부터 분리되는 단계, 상기 컨테이너 내로 기판들이 이송되는 단계, 상기 도어가 상기 컨테이너를 향해 이동되는 단계, 그리고 상기 도어 홀더에 형성된 분사구로부터 분사된 가스가 상기 도어에 형성된 유입홀을 통해 상기 컨테이너로 분사되어 상기 컨테이너 내부를 상기 가스로 채우는 단계를 포함한다.
상기 컨테이너 내부를 상기 가스로 채우는 단계는 상기 분사구로부터 상기 유입홀을 통해 상기 컨테이너 내부로 상기 가스가 분사되고, 이와 동시에 상기 도어에 형성된 유출홀을 통해 상기 컨테이너 내의 유체가 상기 컨테이너로부터 배기되는 제 1단계와 상기 유출홀이 닫히고, 상기 분사부로부터 상기 유입홀을 통해 상기 컨테이너 내부로 상기 가스가 분사되어 상기 컨테이너 내부가 상기 가스로 채워지는 제 2단계를 포함하며, 상기 제 1단계는 상기 도어가 상기 컨테이너에 결합되기 이전부터 이루어지는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 17을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 기판처리장치(1)의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리장치(1)는 컨테이너(container)(100), 웨이퍼 핸들링 시스템(wafer handling system)(20), 그리고 퍼지부(도 5의 500)(purge part)를 가진다. 컨테이너(100)는 웨이퍼(W)와 같은 반도체 기판들을 수납하는 용기로 이송 중에 대기중의 이물이나 화학적인 오염으로부터 웨이퍼(W)를 보호하기 위해 밀폐형 웨이퍼(W) 캐리어인 전방 개방 일체식 포드(front open unified pod : 이하 "FOUP")가 사용된다. FOUP(100)의 사시도인 도 2를 참조하면, FOUP(100)은 전방이 개방된 몸체(120)와 몸체(120)의 전방을 개폐하는 도어(140)를 가진다. 몸체(120) 내측벽에는 웨이퍼(W)가 삽입되는 슬롯(160)이 서로 평행하게, 그리고 도어(140)와 수직하게 형성된다.
웨이퍼 핸들링 시스템(20)은 FOUP(100)과 공정설비(700) 간에 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 것으로, 하우징(housing)(300), 로드포트(loadport)(200), 클리닝부(cleaning unit)(600), 그리고 반송로봇(transfer robot)(660)을 가진다. 공정설비(700)는 화학기상증착(chemical vapor deposition) 설비, 건식식각(dry etch) 설비, 열확산로(thermal furnace), 디벨로프(developing) 설비, 또는 세정(cleaning) 설비일 수 있다. 하우징(300)은 직육면체의 형상을 가지며, 공정설비(700)와 인접하는 측면인 리어면(rear wall)(320)에는 웨이퍼(W) 이송을 위한 통로인 반입구(322)가 형성되고, 프론트면(340)에는 개구부가 형성된다. 클리닝부(600)는 하우징(300) 내부를 일정 청정도로 유지하기 위해, 하우징(300) 내의 상부에 배치된다. 클리닝부(600)는 하우징(300) 내의 상부에 배치되는 팬(fan)(640)과 필터(filter)(620)를 가진다. 팬(640)은 하우징(300) 내의 상부에서 하부로 공기가 층류로 흐르도록 하며, 필터(620)는 공기 중의 파티클을 제거하여 공기를 여과한다. 하우징(300)의 하부면에는 공기의 배기통로인 배기구(360)가 형성된다. 공기는 자연 배기되거나 펌프(도시되지 않음)에 의해 강제 배기될 수 있다. 반송로봇(660)은 FOUP(100)과 공정설비(700)간 웨이퍼(W)를 반송하며, 컨트롤러(680)에 의해 제어된다. 반송로봇(660)은 하나 또는 둘 이상이 설치될 수 있으며, 하우징(300) 내에 배치된다.
도 3은 도 1의 로드포트(200)의 사시도이다. 도 3을 참조하면, 로드포트(200)는 수직프레임(220), 받침대(240), 스테이션(260), 그리고 도어오프너(도 1의 400)를 가진다. 수직프레임(220)은 하우징의 프론트면(340)에 형성된 개구부에 삽입되어, 하우징(300) 내부를 외부로부터 밀폐시키고, 받침대(240)는 수직프레임(220)의 측부에 결합된다. 수직프레임(220)에는 받침대(240)에 놓여진 FOUP의 도어(140)와 대향되는 위치에 통공(도 1의 222)이 형성된다. 받침대(240)의 상부면에는 FOUP(100)이 놓여지는 스테이션(260)이 설치되며, 스테이션(260)에는 복수의 키네마틱 핀들(262)이 설치된다. 키네마틱 핀들(262)은 FOUP(100)이 스테이션(260) 상에 놓여질 때 FOUP(100)의 바닥면에 형성된 홈들(도시되지 않음)에 삽입된다. 상술한 구조에 의해 FOUP(100)은 스테이션(260) 상의 정해진 위치에 정확하게 놓여질 수 있다.
도어오프너(400)는 스테이션(260)에 놓여진 FOUP의 도어(140)를 개폐하기 위한 것이다. 도어오프너(400)는 도어홀더(420), 아암(도 1의 440), 그리고 구동부(도시되지 않음)를 가진다. 도어홀더(420)는 통공(222)과 상응되는 크기 및 형상을 가지며, 통공(222)에 삽입 설치된다. 아암(440)은 도어홀더의 후면에 고정 결합되고, 받침대(240) 내에 설치된 구동부에 의해 구동된다.
도어홀더(420)에는 래치키(latch key)(422)와 레지스트레이션 핀(registration pin)(424)이 설치된다. 레지스트레이션 핀(424)은 도어(140)가 도어홀더(420)의 정확한 위치에 결합되도록 FOUP(100)의 위치를 결정하기 위한 것이고, 래치키(422)는 도어(140)를 열기 위한 것이다. 래치키(422)는 도어홀더(420)의 양측에 각각 설치될 수 있다. 도어(140)의 정면도인 도 4를 참조하면, 도어(140)에는 레지스트레이션 핀(424)이 삽입되는 레지스트레이션 핀 홀(144)과 래치키(422)가 삽입되는 래치키 홀(142)이 형성된다.
스테이션(260)에 놓여진 FOUP(100)이 수직프레임(220)의 통공에 위치된 도어홀더(420)를 향해 이동되면, 레지스트레이션 핀(424)이 레지스트레이션 핀 홀(144)에 삽입됨으로써 도어(140)와 도어홀더(420)의 도킹위치가 결정된다. 이후에 래치키(422)가 래치키 홀(142)에 삽입 및 회전됨으로써 도어(140)는 도어홀더(420)와 결합된다. 아암(440)은 도어홀더(420)의 일면에 고정 결합되고, 받침대(240) 내에 설치된 구동부에 의해 상하 그리고 전후 방향으로 이동된다. FOUP(100)으로부터 도어(140)가 열리면, 아암(440)은 도어홀더(420)를 일정거리 후진 이동시키고 이후에 통공(222)보다 아래로 이동시켜 도어(140)를 FOUP의 몸체(120)으로부터 분리시킨다. 웨이퍼(W)들이 반송로봇(660)에 의해 FOUP(100) 내로 반입되면, 도어홀더(420)가 승강 후 전진되고 도어(140)는 FOUP의 몸체(120)와 결합된다.
도어(140)가 닫히기 전에 하우징(300) 내에 존재하는 공기가 FOUP(100) 내부로 유입될 수 있다. 비록 필터(620)에 의해 파티클이 여과된다 할지라도 하우징(300) 내의 공기는 산소, 수분, 그리고 오존과 같은 분자성 오염물질을 포함한다. 이들이 FOUP(100) 내에 잔존한 상태에서 FOUP(100)이 밀폐되면, FOUP(100) 내에 적재된 웨이퍼(W)들 상에 자연산화막이 형성될 수 있다.
퍼지부(500)는 이를 방지하기 위한 것으로 FOUP(100) 내부의 유체를 FOUP(100)으로부터 배기하고, FOUP(100) 내부를 소정의 가스로 채우는 부분이다. 가스로는 질소가스(nitrogen gas), 불활성 가스(inert gas) 또는 건조공기(dry air)가 사용될 수 있다. 도 5는 도어홀더(420)와 퍼지부(500)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 퍼지부(500)는 FOUP(100) 내부로 질소가스를 분사하는 분사부(520)와 FOUP(100) 내부의 유체가 배기되는 배기부(540)를 가지며, 분사부(520)와 배기부(540)는 도어홀더(420)에 위치된다. 분사부(520)는 분사구(522)와 공급관(524)을 가지고, 배기부(540)는 배기구(542)와 배기관(544)을 가진다.
분사구(522)는 도어홀더(420)의 일측 가장자리에 홀로서 형성되고, 배기구(542)는 도어홀더(420)의 타측 가장자리에 홀로서 형성된다. 분사구(522)는 복수개가 형성될 수 있으며, 이 경우 분사구(522)는 서로 다른 높이에 배치되도록 형성되는 것이 바람직하다. 배기구(542)는 분사구(522)와 동일한 수로 형성되고, 이들은 각각 분사구(522)와 동일 높이에 형성된다. 분사구(522)와 배기구(542)의 형성위치는 FOUP(100) 내에서 질소가스가 와류의 발생 없이 원활하게 흐를 수 있도록 하기 위한 것이다.
분사구(522)에는 질소공급원(528)과 결합된 공급관(524)이 연결되고, 배기구(542)에는 펌프(548)와 결합된 배기관(544)이 연결된다. 공급관(524)과 배기관(544)은 스테인리스 스틸로 제조될 수 있다. 선택적으로 공급관(524)과 배기관(544)은 도어홀더(420)가 아암(440)에 의해 원활하게 구동될 수 있도록 유동성이 있는 플라스틱으로 제조될 수 있다. 공급관(524)에는 분사구(522)로 공급되는 질소가스의 량을 조절하기 위한 질량유량계(mass flow controller : MFC)(526)가 결합되고, 배기관(544)에는 흡입되는 유체의 량을 조절하기 위한 질량유량계(546)가 결합될 수 있다. 선택적으로 분사구(522)와 배기구(542) 내에는 관들이 삽입될 수 있다.
FOUP 도어(140)가 FOUP의 몸체(120)으로부터 분리될 때 도어홀더의 래치키(422)는 도어의 래치키홀(142)에 삽입되며, 이에 의해 도어(140)는 도어홀더(420)에 결합된다. FOUP(100) 내부로 질소가스가 분사되는 동안 FOUP 도어(140)가 흔들리는 것을 방지하기 위해 진공에 의해 도어(140)를 도어홀더(420)에 고정시키는 도어고정부가 제공된다. 도 6을 참조하면, 도어홀더(420)에는 하나 또는 복수의 진공홀(426)이 형성되며, 진공홀(426)에는 진공펌프(도시되지 않음)가 결합된 진공관(도시되지 않음)이 연결된다.
도어홀더(420)에 위치된 분사구(522)로부터 분사된 질소가스가 FOUP(100) 내부로 공급되도록 도어(140)에는 유입홀(146)이 형성된다. 유입홀(146)은 도어(140)와 도어홀더(420)가 결합된 상태에서 분사구(522)와 대향되도록 위치된다.
도 7은 도어(140)에서 유입홀(146)이 형성된 부분의 단면도이다. 도 7을 참조하면, 각각의 유입홀(146)에는 필터(160)와 유입홀 개폐부(180)가 삽입된다. 필터(160)는 파티클들이 유입홀(146)을 통해 FOUP(100) 내부로 유입되는 것을 방지하고, 유입홀 개폐부(180)은 도어(140) 내 질소가스의 이동로를 개폐한다. 유입홀 개폐부(180)는 질소가스가 분사되는 동안에는 유입홀(146)을 개방하고, FOUP(146) 내가 질소가스로 채워지면 유입홀(146)을 차단한다.
유입홀(146)은 원형으로 형성되며, 유입홀(146)의 후단부에는 내측으로 돌출된 돌출부(147)가 형성된다. 유입홀 개폐부(180)는 고정체(184), 돌출판(182), 차단판(186), 그리고 탄성체(188)를 가진다. 돌출판(182)은 중앙에 통공(189b)이 형성된 원형의 판으로 돌출부(147)와 대향되도록 배치된다. 고정체(184)는 원통형상으로 형성되며, 유입홀(146)의 측벽과 밀착되어 돌출판(182)의 가장자리로부터 유입홀(146) 전단부까지 돌출된 측판(184a)과 중앙에 통공(189c)이 형성된 상부판(184b)을 가진다. 돌출부(147), 돌출판(182), 그리고 고정체 상부판(184b)에 형성된 통공들(189a, 189b, 189c)은 질소가스의 이동로로서 기능하며, 이들은 동일한 크기 및 형상으로 서로 대향되도록 위치된다.
차단판(186)은 고정체 상부판의 통공(189c)을 개폐하는 판으로 고정체(184)와 돌출판(182)에 의해 제공되는 공간(183) 내에 배치된다. 차단판(186)은 원판 형상을 가지며, 고정체 상부판(184b)에 형성된 통공(189c)보다 넓고 측판(184a)의 내부공간보다는 좁은 면적으로 형성된다. 탄성체(188)는 차단판(186)에 탄성력을 제공하는 부분으로, 스프링들(188)이 사용될 수 있다. 스프링(188)의 일단은 차단판(186)의 후면 가장자리에 설치된 고정핀(187)에 결합되고, 스프링(188)의 타단은 돌출판(182)에 설치된 고정핀(185)에 결합된다. 스프링(188)은 복수개가 제공되며, 균등하게 배치된다. 차단판(186)이 고정체 상부판(184b)과 밀착될 때 스프링(188)은 평형상태로 유지되거나 조금 압축된 상태로 유지된다.
도 8과 도 9는 각각 도어(140)의 유입홀(146)이 개방된 상태와 차단된 상태를 보여주는 도면이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 분사구(522)으로부터 질소가스가 공급되면 가스압에 의해 스프링(188)은 압축되고 차단판(186)은 일정거리 후진되어 고정체 상부판(184b)으로부터 이격된다. 질소가스는 차단판(186)과 고정체 상부판 (184b)사이에 발생된 틈을 통해 유입홀(146) 내로 유입되며, 이후 돌출판의 통공(189b), 필터(160), 그리고 돌출부의 통공(189a)을 따라 흐른다. 질소가스의 공급이 멈추면, 도 9에 도시된 바와 같이 스프링(188)의 탄성력에 의해 차단판(186)은 전진되어 고정체 상부판(184b)과 밀착되고, 유입홀(146) 내에서 질소가스의 이동로는 차단된다.
FOUP(100) 내부를 질소 분위기로 조성하기 전 FOUP(100) 내의 유체(FOUP(100) 내의 공기와 웨이퍼(W) 상에 부착된 산소 또는 수분 등)는 배기되어야 한다. FOUP(100) 내의 유체는 도어홀더(420)에 위치된 배기부(540)를 통해 배기될 수 있다. 이를 위해 도어(140)에는 유출홀(148)이 형성된다. 유출홀(148)은 도어(140)와 도어홀더(420)가 결합된 상태에서 배기구(424)와 대향되도록 위치된다.
유출홀(148) 내에는 필터(170)와 유출홀 개폐부(190)가 삽입된다. 필터(170)는 배기부(540)를 통해 오염물질이 FOUP(100) 내부로 유입되는 것을 차단하기 위한 것이고, 유출홀 개폐부(190)는 FOUP(100) 내에 잔존하는 유체가 배기되는 유출홀(148)의 통로를 개폐한다. 유출홀 개폐부(190)는 FOUP(100) 내의 유체가 배기되는 동안에는 유출홀(148)을 개방하고, 이후에는 유출홀(148)을 차단하여 FOUP(100) 내부가 질소분위기로 조성되도록 하고, 유입홀(146)을 통해 외부의 공기가 FOUP(100) 내로 유입되는 것을 방지한다.
도 10은 FOUP 도어(140)에서 유출홀(148)이 형성된 부분의 단면도이다. 유출홀(148)의 형상은 유입홀(146)의 형상과 동일하며, 유출홀(148)에 삽입되는 필터(170)의 형상 및 위치는 유입홀(146)에 삽입되는 필터(160)의 형상 및 위치와 동일하다. 또한, 유출홀 개폐부(190)는 유입홀 개폐부(180)와 동일한 형상의 고정체(194), 돌출판(192), 차단판(196), 그리고 탄성체(198)를 가진다. 유출홀 개폐부(190)에서 차단판(196)과 탄성체(198)의 결합위치는 유입홀 개폐부(180)와 상이하다. 도 9에 도시된 바와 같이 차단판(196)은 돌출판(192)과 대향되도록 배치되며, 탄성체(198)의 일단은 차단판(196)의 전면 가장자리에 설치된 고정핀(195)에 결합되고, 탄성체(198)의 타단은 고정체 상부판(194b)에 설치된 고정핀(195)과 결합된다.
배기부(540)의 펌프(548)가 작동되면 차단판(196)은 진공압에 의해 일정거리 후진되어 돌출판(192)으로부터 이격되고, 스프링(198)은 압축된다. FOUP(100) 내의 유체는 돌출판(192)과 차단판(196) 사이에 형성된 공간(193)과 고정체 상부판의 통공(199c)을 통해 배기된다. 펌프(548)의 동작이 멈추면 스프링(198)의 탄성력에 의해 차단판(196)은 전진되어 돌출판(192)과 밀착되고, 유출홀(148) 내에서 유체의 이동로는 차단된다.
도 11과 도 12는 본 실시예에서 FOUP(100) 내에서 질소가스의 이동경로를 보여주는 도면이다. 도 11과 도 12를 참조하면, 분사부(520)는 도어홀더(420)에 위치되고, 분사부(520)로부터 분사되는 질소가스는 도어(140)에 형성된 유입홀(146)을 통해 FOUP(100) 내부로 웨이퍼(W)와 평행하게 분사된다. 따라서 웨이퍼(W)들 상부면에 부착된 수분과 산소를 신속하게 그리고 완전히 제거된다.
본 실시예에 의하면, FOUP(100) 내부를 질소분위기로 조성하는 시기는 웨이퍼(W)들이 FOUP(100) 내에 적재되는 즉시 이루어진다. 이는 FOUP(100)을 다른 장소로 이송하여 FOUP(100) 내부를 질소분위기로 형성하는 경우, 이송도중에 웨이퍼(W) 상에 자연산화막이 형성될 수 있기 때문이다.
도 13은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이고, 도 14 내지 도 16은 FOUP(100) 내부가 질소가스에 의해 채워지는 단계를 순차적으로 보여주는 도면이다. 처음에 FOUP(100)이 로드포트의 스테이지(260) 상에 놓여지고, 도어(140)와 도어홀더(420)가 결합된다(스텝 S10). 도어(140)가 열리고, 도어 홀더(420)와 도어(140)는 일정거리 평행하게 FOUP의 몸체(120)로부터 멀어진 후 하강된다(스텝 S20). 공정이 완료된 웨이퍼(W)들은 반송로봇(660)에 의해 이송되어 FOUP(100) 내에 적재된다(스텝 S30). 웨이퍼(W)들이 모두 FOUP(100) 내에 적재되면, 도어홀더(420)가 승강된 후 FOUP(100)을 향해 이동된다(스텝 S40). 도 14에 도시된 바와 같이 도어(140)가 이동되는 도중에 질소가스가 분사되고 펌프(548)가 동작된다. 가스압에 의해 도어(140)에 형성된 유입홀(146)이 개방되고, 진공압에 의해 유출홀(148)이 개방된다. 질소가스는 웨이퍼(W)들과 평행한 방향으로 FOUP(100) 내부로 분사되며 웨이퍼(W) 상에 부착된 파티클이나 수분 등을 제거한다. FOUP(100) 내에 잔존하는 유체는 도어(140)에 형성된 유출홀(148) 및 배기부(540)를 통해 배기된다(스텝 S54). 도어(140)가 FOUP(100)과 결합되어 FOUP(100)이 닫히면, 펌프(548)의 동작이 멈추고 유출홀(148)이 차단된다. 선택적으로 도 15에 도시된 바와 같이 도어(140)가 닫힌 후 일정시간 동안, FOUP(100) 내부로 질소가스가 분사되고 FOUP(100) 내의 유체가 배기될 수 있다. 이후에 도 16에 도시된 바와 같이 분사구(522)로부터 계속적으로 공급되는 질소가스에 의해 FOUP(100) 내부는 질소분위기로 조성된다(스텝 S54). 일정시간이 경과하면 질소가스의 공급이 멈추고 도어(140)에 형성된 유입홀(146)이 차단된다.
본 실시예에서는 도어(140)가 FOUP(100)을 향해 이동되는 도중부터 질소가스가 분사되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 FOUP 도어(140)가 FOUP(100)과 결합된 이후 질소가스의 분사기 시작될 수 있다.
도 17은 본 발명의 기판 처리 장치가 세정설비(800)와 결합된 예를 보여주는 도면이다. 도 17에서 실선으로 된 화살표는 FOUP(100)의 이송경로를 나타내고, 점선으로 된 화살표는 웨이퍼(W)의 이송경로를 나타낸다. 도 17을 참조하면, 세정설비(800) 내에는 세정공정이 수행되며 일렬로 배열되어 있는 일련의 배쓰들(860)이 배치되고, 이들 일련의 배쓰들(860)의 일측과 타측에는 각각 EFEM(820, 840)이 배치된다. 세정공정이 완료된 웨이퍼(W)들이 적재된 FOUP(100) 내부를 질소분위기로 조성하기 위해 일련의 배쓰들의 타측에 배치된 EFEM(840)는 상술한 퍼지부(500)를 가진다.
웨이퍼(W)가 적재된 FOUP(100)은 세정설비 내로 유입(IN)되고, 다음에 이송부(882)에 의해 FOUP(100)은 배쓰들(860)의 일측에 놓여진 EFEM의 로드포트(824)로 로딩된다. FOUP(100) 내의 웨이퍼(W)는 반송로봇(826)에 의해 배쓰(860)로 이송되고, 비어 있는 FOUP(100)은 배쓰들(860)의 타측에 놓여진 EFEM의 로드포트(844)로 이송된다. 웨이퍼(W)들은 배쓰들(860)에서 세정이 이루어지고, 세정이 완료된 웨이퍼(W)들은 EFEM의 로드포트(844)에 놓여진 FOUP(100) 내부로 이송된다. 웨이퍼(W)들이 FOUP(100) 내에 적재되면, 질소가스가 분사되어 FOUP(100) 내부는 질소분위기로 조성되고, 이후에 이송부(886)에 의해 반도체 제조 설비 밖으로 유출(OUT)된다.
본 발명에 의하면, FOUP 내에 적재된 웨이퍼 상에 부착된 수분과 산소를 모두 제거하고, FOUP 내부를 불활성 가스 또는 건조공기로 채운 상태에서 FOUP을 밀폐하므로 웨이퍼 상에 자연산화막이 형성되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 웨이퍼가 FOUP 내에 적재되고 FOUP 도어가 닫히자마자 FOUP 내부를 불활성 가스 또는 건조공기 분위기로 조성하므로 웨이퍼 상에 자연산화막이 형성되는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 질소가스는 FOUP 내에 적재된 웨이퍼와 평행한 방향으로 공급되므로 FOUP 내부를 빠르게 퍼지할 수 있다.
또한, 분사구들은 도어홀더의 일측에 삽입되어 위치되고 배기구들은 도어홀더의 타측에 삽입되어 위치되므로 FOUP 내에서 질소가스는 와류를 발생하지 않고 원활한 흐름을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 기판처리장치의 단면도;
도 2는 도 1의 FOUP의 사시도;
도 3은 도 1의 로드포트의 사시도;
도 4는 FOUP 도어의 정면도;
도 5는 도어 오프너를 개략적으로 도시한 도면;
도 6은 진공홀이 형성된 도어홀더의 정면도;
도 7은 FOUP 도어에서 유입홀이 형성된 부분의 단면도;
도 8과 도 9는 각각 FOUP 도어의 유입홀이 개방된 상태와 차단된 상태를 보여주는 도면;
도 10은 FOUP 도어에서 유출홀이 형성된 부분의 단면도;
도 11과 도 12는 각각 FOUP 내에서 질소가스가 플로우되는 경로를 보여주는 도면들;
도 13은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트;
도 14 내지 도 16은 FOUP 내부가 질소가스로 채워지는 단계를 개략적으로 보여주는 도면들; 그리고
도 17은 본 발명의 기판 처리 장치가 세정설비와 결합된 예를 보여주는 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : FOUP 140 : FOUP 도어
142 : 래치키홀 146 : 레지스트레이션 핀 홀
146 : 유입홀 148 : 유출홀
160, 170 : 필터 180 : 유입홀 개폐부
190 : 유출홀 개폐부 182, 192 : 돌출판
184, 194 : 고정판 186, 196 : 차단판
188, 198 : 스프링 200 : 로드포트
400 : 도어오프너 420 : 도어홀더
422 : 래치키 424 : 레지스트레이션 핀
426 : 진공홀 520 : 분사부
522 : 분사구 524 : 공급관
526, 546 : 질량유량계 540 : 배기부
542 : 배기구 544 : 배기관

Claims (25)

  1. 반도체 기판을 수용하는, 그리고 적어도 하나의 유입홀이 형성된 도어를 가지는 컨테이너와;
    상기 컨테이너가 놓여지는 스테이션과 상기 도어를 개폐하는 도어 오프너를 가지는 로드포트와; 그리고
    상기 컨테이너 내부를 소정의 가스로 채우기 위해, 상기 컨테이너 내부로 상기 가스를 분사하는 분사부를 구비하되,
    상기 도어오프너는 상기 컨테이너의 개폐시 상기 도어와 결합되는 도어 홀더를 포함하며, 상기 분사부는 상기 도어 홀더에 위치되고, 상기 가스는 상기 도어와 상기 도어 홀더가 결합된 상태에서 상기 유입홀을 통해 상기 컨테이너 내부로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 분사부는,
    상기 도어홀더와 상기 도어가 결합시, 상기 유입홀과 대향되는 위치에서 상기 도어 홀더에 홀로서 형성된 분사구와;
    상기 분사구와 연결되며, 상기 분사구로 상기 가스를 공급하는 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 분사부는 상기 공급관에 연결되는 질량유량계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 분사구는 상기 컨테이너 내에 적재된 반도체 기판들과 평행하게 상기 가스가 분사되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 장치는 외부의 파티클이 상기 컨테이너 내부로 유입되는 것을 방지하기 위해 상기 도어에 형성된 유입홀에 삽입되는 필터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 도어는 상기 유입홀을 개폐하는 유입홀 개폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 유입홀 개폐부는,
    상기 유입홀에 결합되며, 상기 유입홀의 내측으로 돌출되고 중앙에 상기 가스의 이동로가 형성된 상부판을 가지는 고정체와;
    상기 고정체의 이동로를 개폐하는 차단판과;
    상기 차단판과 결합되어 상기 차단판에 탄성력을 제공하는 탄성체를 구비하되,
    상기 차단판은 상기 분사부로부터 공급되는 가스압에 의해 상기 고정판으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 도어에는 유출홀이 형성되고,
    상기 장치는 상기 컨테이너 내의 유체가 배기되는 통로인 배기부를 더 포함하며,
    상기 배기부는 상기 도어 홀더에 위치되고,
    상기 컨테이너 내의 가스는 상기 도어와 상기 도어 홀더가 결합된 상태에서 상기 유출홀 및 상기 배기부를 통해 배기되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 배기부는,
    상기 도어 홀더에 홀로서 형성되는 배기구와;
    상기 배기구과 연결되는 배기관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 배기부는 상기 배기관과 연결된 펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 도어는 상기 유출홀을 개폐하는 유출홀 개폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 유출홀 개폐부는,
    상기 유출홀에 결합되며, 상기 유출홀의 내측으로 돌출되고 중앙에 공기의 이동로가 형성된 돌출판과;
    상기 돌출판의 이동로를 개폐하는 차단판과; 그리고
    상기 차단판과 결합되어 상기 차단판에 탄성력을 제공하는 탄성체를 구비하되,
    상기 차단판은 상기 펌프의 진공압에 의해 상기 돌출판으로부터 이격되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 분사구는 상기 도어홀더의 일측에 형성되고,
    상기 배기구는 상기 도어홀더의 타측에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 분사구는 복수개가 형성되고, 이들은 서로 다른 높이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 설비는 상기 컨테이너 내부로 상기 가스가 분사되는 동안 상기 도어와 상기 도어 홀더를 고정시키는 도어 고정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 도어 고정부는 상기 도어 홀더에 홀로서 형성되며, 상기 도어와 상기 도어 홀더는 진공에 의해 고정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 가스는 질소, 불활성 가스(inert gas) 또는 건조공기(dry air)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 컨테이너는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 반도체 기판들을 수용하는, 그리고 일면에 적어도 하나의 유입홀과 적어도 하나의 유출홀이 형성된 도어를 가지는 컨테이너와;
    상기 컨테이너가 놓여지는 스테이션이 설치된 로드포트를 가지는, 그리고 상기 컨테이너와 공정설비 간에 반도체 기판을 이송하는 핸들링 시스템을 포함하되,
    상기 로드포트는 상기 컨테이너 내부로 질소가스 또는 불활성 가스를 분사하는 분사구와 상기 컨테이너 내의 유체가 배기되는 배기구가 형성되는, 그리고 상기 스테이션에 놓여진 상기 도어와 결합되어 상기 도어를 개폐하는 도어 홀더를 가지는 도어 오프너를 포함하고,
    상기 분사구로부터 분사되는 질소가스 또는 불활성 가스는 상기 도어의 유입홀을 통해 상기 컨테이너 내부로 공급되고, 상기 컨테이너 내의 유체는 상기 도어의 유출홀 및 상기 배기구를 통해 배기되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 공정설비는 세정공정이 수행되는 설비인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
  21. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    로드포트의 스테이션 상에 놓여진 컨테이너의 도어와 상기 로드포트의 도어 홀더가 결합되어 상기 도어가 상기 컨테이너로부터 분리되는 단계와;
    상기 컨테이너 내로 기판들이 이송되는 단계와;
    상기 도어가 상기 컨테이너를 향해 이동되는 단계와; 그리고
    상기 도어 홀더에 형성된 분사구로부터 분사된 가스가 상기 도어에 형성된 유입홀을 통해 상기 컨테이너로 분사되어 상기 컨테이너 내부를 상기 가스로 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 컨테이너 내부를 상기 가스로 채우는 단계는,
    상기 분사구로부터 상기 유입홀을 통해 상기 컨테이너 내부로 상기 가스가 분사되고, 이와 동시에 상기 도어에 형성된 유출홀을 통해 상기 컨테이너 내의 유체가 상기 컨테이너로부터 배기되는 제 1단계와;
    상기 유출홀이 닫히고, 상기 분사부로부터 상기 유입홀을 통해 상기 컨테이너 내부로 상기 가스가 분사되어 상기 컨테이너 내부가 상기 가스로 채워지는 제 2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 제 1단계는 상기 도어가 상기 컨테이너에 결합되기 이전부터 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  24. 제 21항에 있어서,
    상기 분사부는 상기 컨테이너에 적재된 반도체 기판들과 평행한 방향으로 상기 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  25. 제 21항에 있어서,
    상기 가스는 질소가스, 불활성 가스 또는 건조 공기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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JP2004304464A JP2005150706A (ja) 2003-11-12 2004-10-19 基板移送コンテナ、基板移送装置および基板移送方法
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100840481B1 (ko) * 2006-12-07 2008-06-20 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치
KR100852468B1 (ko) * 2007-01-17 2008-08-14 (주)인터노바 로드락 챔버 직결식 로드포트
KR100921638B1 (ko) * 2007-12-26 2009-10-14 주식회사 케이씨텍 습식 세정 장치
KR101372448B1 (ko) * 2013-02-01 2014-03-11 나노세미콘(주) 진공 및 가압을 이용한 잔류가스 및 이물질 제거장치
KR101462241B1 (ko) * 2012-03-20 2014-11-20 (주)드림솔 웨이퍼용 개구통합형 포드의 퍼지장치
WO2016036039A1 (ko) * 2014-09-01 2016-03-10 로체 시스템즈(주) 퍼지 모듈 및 이를 포함하는 로드 포트
KR101636242B1 (ko) * 2016-03-21 2016-07-05 주식회사 제이디티 반도체 제조 설비용 배출유량 센서의 내구성 향상 장치
KR20180046272A (ko) * 2016-10-27 2018-05-08 세메스 주식회사 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 설비
KR20190042757A (ko) * 2016-09-16 2019-04-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 가스방출 제어를 위한 방법 및 장치
KR101998875B1 (ko) * 2018-05-30 2019-07-10 주식회사 앱스필 파티클 카운터용 외함 및 이를 구비한 초순수 생산 시스템

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6913654B2 (en) * 2003-06-02 2005-07-05 Mykrolis Corporation Method for the removal of airborne molecular contaminants using water gas mixtures
US7344030B2 (en) * 2003-11-07 2008-03-18 Entegris, Inc. Wafer carrier with apertured door for cleaning
JP4541232B2 (ja) * 2005-06-16 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
CN101263590B (zh) * 2005-08-03 2010-05-19 恩特格林斯公司 传送容器
US20070144118A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Alvarez Daniel Jr Purging of a wafer conveyance container
JP4338205B2 (ja) * 2006-03-29 2009-10-07 Ｔｄｋ株式会社 ポッドクランプユニット、ポッドクランプユニットを有するロードポート、ポッド及びロードポートを有するミニエンバイロンメントシステム
JP4859065B2 (ja) * 2007-10-23 2012-01-18 信越ポリマー株式会社 基板収納容器
US8870512B2 (en) 2007-10-27 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Sealed substrate carriers and systems and methods for transporting substrates
US20090186569A1 (en) * 2008-01-18 2009-07-23 Seiko Epson Corporation Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method
FR2933813B1 (fr) * 2008-07-11 2010-12-24 Alcatel Lucent Dispositif de purge et procede.
JP5511444B2 (ja) * 2010-03-11 2014-06-04 Ｔｄｋ株式会社 処理基板収納ポッド
KR100989887B1 (ko) * 2010-05-24 2010-10-26 지이에스(주) 웨이퍼 잔존가스 제거장치
JP5617708B2 (ja) * 2011-03-16 2014-11-05 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置
KR101295152B1 (ko) * 2011-06-30 2013-08-09 (주)둔포기계 기판 반출입 시스템
US9662688B2 (en) 2012-07-09 2017-05-30 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for cross-flow purge for optical components in a chamber
US9136149B2 (en) 2012-11-16 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Loading port, system for etching and cleaning wafers and method of use
US9579697B2 (en) * 2012-12-06 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method of cleaning FOUP
US9257320B2 (en) 2013-06-05 2016-02-09 GlobalFoundries, Inc. Wafer carrier purge apparatuses, automated mechanical handling systems including the same, and methods of handling a wafer carrier during integrated circuit fabrication
KR102297447B1 (ko) * 2013-08-12 2021-09-01 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 팩토리 인터페이스 환경 제어들을 갖는 기판 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들
US10347516B2 (en) * 2014-11-11 2019-07-09 Applied Materials, Inc. Substrate transfer chamber
JP6822953B2 (ja) 2014-11-25 2021-01-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板キャリア及びパージチャンバの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法
CN104867853A (zh) * 2015-03-30 2015-08-26 上海华力微电子有限公司 Foup结构和foup清洁方法
JP6623627B2 (ja) * 2015-09-04 2019-12-25 シンフォニアテクノロジー株式会社 ノズルユニット
JP6919849B2 (ja) * 2016-08-09 2021-08-18 近藤工業株式会社 半導体製造装置
KR20180021550A (ko) 2016-08-22 2018-03-05 현대자동차주식회사 스위칭 주파수 제어 방법
US10741432B2 (en) 2017-02-06 2020-08-11 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus, and methods for a load port door opener
US10566216B2 (en) 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
CN109969456B (zh) * 2017-12-28 2021-03-23 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 一种foup盒内真空氮气填充系统及foup盒排空气法
US10403514B1 (en) * 2018-04-12 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Substrate transporting system, storage medium and substrate transporting method
CN108856162A (zh) * 2018-06-30 2018-11-23 程梦轩 一种具有清洁功能的模块装载装置
US11569102B2 (en) 2020-02-14 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Oxidation inhibiting gas in a manufacturing system
KR102471469B1 (ko) * 2021-03-29 2022-11-28 주식회사 저스템 스테이지 장치 및 이를 구비한 로드포트모듈

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5169272A (en) * 1990-11-01 1992-12-08 Asyst Technologies, Inc. Method and apparatus for transferring articles between two controlled environments
DE4326308C1 (de) * 1993-08-05 1994-10-20 Jenoptik Jena Gmbh Transportvorrichtung für Magazine zur Aufnahme scheibenförmiger Objekte
US5482161A (en) * 1994-05-24 1996-01-09 Fluoroware, Inc. Mechanical interface wafer container
US6003674A (en) * 1996-05-13 1999-12-21 Brooks; Ray Gene Method and apparatus for packing contaminant-sensitive articles and resulting package
US5879458A (en) * 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system
US5988233A (en) * 1998-03-27 1999-11-23 Asyst Technologies, Inc. Evacuation-driven SMIF pod purge system
US6261044B1 (en) * 1998-08-06 2001-07-17 Asyst Technologies, Inc. Pod to port door retention and evacuation system
US6641349B1 (en) * 1999-04-30 2003-11-04 Tdk Corporation Clean box, clean transfer method and system
JP3769417B2 (ja) * 1999-06-30 2006-04-26 株式会社東芝 基板収納容器
JP3193026B2 (ja) * 1999-11-25 2001-07-30 株式会社半導体先端テクノロジーズ 基板処理装置のロードポートシステム及び基板の処理方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100840481B1 (ko) * 2006-12-07 2008-06-20 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체공정장비 배기라인의 파우더 제거장치
KR100852468B1 (ko) * 2007-01-17 2008-08-14 (주)인터노바 로드락 챔버 직결식 로드포트
KR100921638B1 (ko) * 2007-12-26 2009-10-14 주식회사 케이씨텍 습식 세정 장치
KR101462241B1 (ko) * 2012-03-20 2014-11-20 (주)드림솔 웨이퍼용 개구통합형 포드의 퍼지장치
KR101372448B1 (ko) * 2013-02-01 2014-03-11 나노세미콘(주) 진공 및 가압을 이용한 잔류가스 및 이물질 제거장치
WO2016036039A1 (ko) * 2014-09-01 2016-03-10 로체 시스템즈(주) 퍼지 모듈 및 이를 포함하는 로드 포트
US10141210B2 (en) 2014-09-01 2018-11-27 Rorze Systems Corporation Purge module and load port having the same
KR101636242B1 (ko) * 2016-03-21 2016-07-05 주식회사 제이디티 반도체 제조 설비용 배출유량 센서의 내구성 향상 장치
KR20190042757A (ko) * 2016-09-16 2019-04-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 가스방출 제어를 위한 방법 및 장치
KR20180046272A (ko) * 2016-10-27 2018-05-08 세메스 주식회사 버퍼 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 설비
KR101998875B1 (ko) * 2018-05-30 2019-07-10 주식회사 앱스필 파티클 카운터용 외함 및 이를 구비한 초순수 생산 시스템

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Publication number Publication date
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