TW201842550A - 框架單元及被加工物之雷射加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 　　提供一種框架單元，代替黏著帶而使用從而將被加工物的加工所需的費用抑制為低。 [解決手段] 　　一種框架單元，為在保持被加工物之際使用者，包含：環狀的框，具備收容被加工物的開口；電極片，覆蓋框的開口的一部分，具備包含正負的電極的電極層；和供電單元，配裝對電極供電的電池，控制從電池往電極的供電；以靜電的力將被加工物吸附而保持。

Description

框架單元及被加工物之雷射加工方法
本發明涉及為了保持被加工物而使用的框架單元及使用此框架單元的被加工物之雷射加工方法。
在將半導體晶圓、光裝置晶圓、封裝基板等分割為複數個晶片之際，首先以夾台等保持此等被加工物。之後，沿著設定於被加工物的分割預定線(切割道)照射雷射束，或將予以旋轉的環狀的切削刀具予以切入，從而可將被加工物分割為複數個晶片(例如參照專利文獻1)。
在如此的方法中在分割被加工物前，將徑比被加工物大的黏著帶(切割帶)之中央部分貼附於被加工物，此外於此黏著帶的外周部分固定包圍被加工物的環狀的框。藉此，可防止被加工物直接對夾台接觸而損傷。再者，防止將被加工物分割而得的晶片的分散，使得可易於進行搬送(例如參照專利文獻2)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-84720號公報 　　[專利文獻2]日本特開平9-27543號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，在上述的方法中，無法再利用使用後的黏著帶，故被加工物的加工所需的費用容易變高。尤其，黏著材難殘留於被加工物的高性能的黏著帶價格亦高，故使用如此的黏著帶時，被加工物的加工所需的費用亦變高。
本發明係鑑於該問題點而創作者，其目的在於提供框架單元及使用此框架單元的被加工物之雷射加工方法，該框架單元係代替黏著帶而使用從而將被加工物的加工所需的費用抑制為低者。 [解決問題之技術手段]
依本發明的一態樣時，提供一種框架單元，為在保持被加工物之際使用者，具有：環狀的框，具備收容該被加工物的開口；電極片，覆蓋該框的該開口的一部分，具備包含正負的電極的電極層；和供電單元，配裝對該電極供電的電池，控制從該電池往該電極的供電；以靜電的力將該被加工物吸附而保持。
於本發明的一態樣，該電極層可具備將正負的電極整列為彼此不同而成的一對的梳狀電極。此外，該電極片可設於外周部固定於該框的樹脂片。再者，該電極片可構成為使對該被加工物具有透射性的波長的雷射束透射，在經由該電極片對該被加工物照射該雷射束之際使用此框架單元。
依本發明的其他的一態樣時，提供一種被加工物之雷射加工方法，為使用上述的框架單元的被加工物之加工方法，具備：吸附步驟，使該被加工物載於該框架單元的該電極片，對該電極供電而將該被加工物以靜電的力進行吸附；框架單元支撐步驟，以具有第1面、與該第1面相反之側的第2面並使對該被加工物具有透射性的波長的該雷射束透射的板狀的支撐台的該第1面側，支撐吸附該被加工物之下的該框架單元的該電極片側；雷射加工步驟，從該支撐台的該第2面側，經由該支撐台及該電極片對該被加工物照射該雷射束，將該被加工物的內部改質而形成改質層；框架單元卸除步驟，在實施該雷射加工步驟後，從該支撐台卸除該框架單元；和剝離步驟，在該框架單元卸除步驟後，調整往該電極的供電，將該被加工物從該框架單元的該電極片剝離。 [對照先前技術之功效]
本發明的一態樣相關的框架單元具有環狀的框、具備包含正負的電極的電極層的電極片、配裝對電極供電的電池並控制從電池往電極的供電的供電單元，以靜電的力將被加工物吸附而保持，故不同於使用黏著材的黏著帶，可反覆使用。因此，代替黏著帶而使用此框架單元，使得將被加工物的加工所需的費用抑制為低。
參照附圖而說明有關本發明的一態樣相關的實施方式。圖1係示意性就本實施方式相關的框架單元2的構成例進行繪示的透視圖，圖2係示意性就框架單元2的構成例進行繪示的剖面圖。
如示於圖1及圖2，框架單元2具備以鋁等的材料而成的環狀的框4。於框4之中央部分形成將此框4從第1面4a貫穿至第2面4b的開口4c。開口4c的形狀係例如從第1面4a側(或第2面4b側)所見時大致上圓形。另外，框4的材質、形狀、大小等方面無特別的限制。
於框4的第2面4b，以聚乙烯(PE)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等的材料而成的膜狀的底片(樹脂片)6被以覆蓋開口4c的方式固定。具體而言，圓形的底片6的第1面6a側的外周部分黏貼於框4的第2面4b。
底片6具有可保護被加工物11(圖5等參照)的程度的柔軟性、不阻礙後述的靜電的力的程度的絕緣性。然而，底片6的材質、形狀、厚度、大小等方面無特別的限制。被加工物11被以此底片6的第1面6a側進行保持。另一方面，於底片6的第2面6b側之中央部分，設置電極片8。
圖3係示意性就電極片8的構成例進行繪示的平面圖，圖4係示意性就電極片8的構成例進行繪示的剖面圖，電極片8例如包含以與底片6同樣的材料而形成為大致上圓形的支撐片10。支撐片10的直徑比開口4c的直徑小，比被加工物11的直徑大。然而，支撐片10的材質、形狀、厚度、大小等方面無特別的限制。
於支撐片10的其中一面(例如，底片6側的面)，配置電極層12。此電極層12例如透過以下方式獲得：將以導電性的材料而形成於支撐片10的其中一面的導電材層，分離為正的電極圖案(電極)12a與負的電極圖案(電極)12b。形成導電材層的導電性的材料方面，可舉例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide: ITO)等的可視域下透明的材料。
此情況下，例如利用沿著任意的分離預定線而照射雷射束、予以剝蝕的方法，將導電材層分離為正的電極圖案12a與負的電極圖案12b即可。亦即，將易於被導電材層吸收的波長的雷射束沿著分離預定線進行照射，形成此導電材層被除去的絕緣區域12c。
藉此，獲得被絕緣區域12c分離的正的電極圖案12a與負的電極圖案12b。在此方法下，沿著導電材層的分離預定線而照射雷射束即可，故比起使用遮罩之下的蝕刻等的方法可易於縮短加工所需的時間。
當然，亦可利用蝕刻等的方法將導電材層分離為正的電極圖案12a與負的電極圖案12b。此外，亦可利用絲網印刷、噴墨等的方法而形成分離為正的電極圖案12a與負的電極圖案12b的狀態下的電極層12。
正的電極圖案12a及負的電極圖案12b的形狀係例如使正的電極與負的電極整列為彼此不同的一對的梳狀即可。在如此的梳狀的電極(梳狀電極)方面，以高的密度配置正的電極與負的電極，故例如作用在電極與被加工物11之間的稱為梯度力等的靜電之力亦變強。亦即，變得能以強的力保持被加工物11。
然而，正的電極圖案12a及負的電極圖案12b的形狀等方面無特別的限制。例如，亦可將正的電極圖案12a及負的電極圖案12b以圓等而構成。另外，在以利用雷射束之下的剝蝕而形成如示於圖3的絕緣區域12c之際，只要以一筆畫的要領照射雷射束，即可進一步縮短加工所需的時間。
如此般構成的電極片8例如透過具有接著力的遮蓋片14從而配置為電極層12側密接於底片6的第2面6b側。藉此，比起使支撐片10側密接於第2面6b側的情況，可效率佳地使從電極層12產生的電場作用於第1面6a側的被加工物11。
遮蓋片14例如包含以與底片6同樣的材料而形成的圓形的基材片、設於基材片的其中一面的糊層(接著材層)。此處，遮蓋片14(基材片)的直徑比電極片8(支撐片10)的直徑大。然而，遮蓋片14的材質、形狀、厚度、大小、構造等方面無特別的限制。
另外，在本實施方式雖利用氧化銦錫等的在可視域為透明的材料而形成電極層12，惟電極層12的材質係依框架單元2的用途等而變更。例如，經由電極層12對被加工物11照射雷射束時，需要以使此雷射束透射的材料而形成電極層12。此情況下，底片6、支撐片10、遮蓋片14方面亦採用使雷射束透射的材料。
另一方面，不經由電極層12對被加工物11照射雷射束的情況、使環狀的切削刀具切入於被加工物11的情況等之下，可未必要利用透明的材料而形成電極層12。此情況下，底片6、支撐片10、遮蓋片14方面亦無須採用透明的材料。
於底片6的第2面6b側係配置連接於正的電極圖案12a的第1佈線16a、連接於負的電極圖案12b的第2佈線16b。如示於圖1，於框4的第1面4a側係設置供電單元18。第1佈線16a及第2佈線16b係例如作成為繞著框4而連接於供電單元18。
供電單元18具備用於就使用於往上述的正的電極圖案12a及負的電極圖案12b的供電的電池20進行收容的電池保持器18a。此外，在鄰接於電池保持器18a的位置，設置供於就往正的電極圖案12a及負的電極圖案12b的供電與非供電進行切換用的開關18b。
例如，使開關18b為導通狀態(導通狀態)時，收容於電池保持器18a的電池20的電力經由第1佈線16a及第2佈線16b往正的電極圖案12a及負的電極圖案12b供應。另一方面，使開關18b為非導通狀態(關斷狀態)時，往正的電極圖案12a及負的電極圖案12b的供電停止。
另外，在本實施方式雖將供電單元18配置於框4的第1面4a側，惟供電單元18的配置等方面無特別的限制。至少此供電單元18配置於在使用(例如支撐)框架單元2之際不會成為妨礙的位置即可。例如，亦可將供電單元18配置於框4的開口4c內。此外，電池20可為如鈕扣型電池(幣型電池)的一次電池，亦可為可透過充電而反覆使用的2次電池。
接著，說明有關利用如上述的框架單元2之下的被加工物之雷射加工方法。在本實施方式相關的被加工物之雷射加工方法係首先，進行將被加工物11以框架單元2進行吸附的吸附步驟。圖5係用於說明有關吸附步驟的透視圖。
在本實施方式所加工的被加工物11係例如以矽(Si)等的材料而成的圓盤狀的晶圓。此被加工物11的表面11a側係以設定為格子狀的分割預定線(切割道)13而區劃為複數個區域，於各區域形成IC(Integrated Circuit)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等的裝置15。
另外，在本實施方式雖將以矽等的材料而成的圓盤狀的晶圓當作被加工物11，惟被加工物11的材質、形狀、構造、大小等方面無限制。亦可使用以其他半導體、陶瓷、樹脂、金屬等的材料而成的被加工物11。同樣地，裝置15的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等方面亦無限制。
在吸附步驟係首先，以被加工物11的背面11b側與底片6的第1面6a側接觸的方式，使被加工物11載置於底片6。更具體而言，將被加工物11載置於底片6的與電極片8對應的區域(中央部分)。接著，使供電單元18的開關18b為導通狀態，將電池20的電力供應至正的電極圖案12a與負的電極圖案12b。
藉此，在正的電極圖案12a及負的電極圖案12b的周圍產生電場，其效果方面，靜電的力作用於被加工物11與電極層12之間。由於此靜電的力，被加工物11被框架單元2吸附、保持。另外，作用於被加工物11與電極層12之間的靜電的力方面，包括庫侖力、JR力、梯度(gradient)力等。
在吸附步驟後，進行就吸附被加工物11的狀態下的框架單元2進行支撐的框架單元支撐步驟。圖6係示意性就在框架單元支撐步驟等使用的雷射加工裝置102的構成例進行繪示的透視圖，圖7係用於說明有關框架單元支撐步驟等的剖面圖。另外，在圖6及圖7，利用功能塊等示出雷射加工裝置102的一部分的構成要素。
如示於圖6，雷射加工裝置102具備支撐各構成要素的基台104。於基台104的後端部，設置延伸於Z軸方向(鉛直方向)的支撐構造106。在基台4的遠離支撐構造106的前方的角部，設置朝上方突出的突出部104a。
於突出部104a的內部形成空間，於此空間設置透過升降機構(未圖示)而升降的載盒升降機108。於載盒升降機108之上表面，載置用於收容複數個被加工物11的載盒110。另外，被加工物11，在上述的吸附步驟後，被框架單元2吸附、保持的狀態下被收容於載盒110。
在鄰接於突出部104a的位置，配置供於就保持被加工物11的框架單元2的粗略的位置進行調整用的位置調整單元112。位置調整單元112例如包含一面維持平行於Y軸方向(分度進給方向)的狀態一面被接近、隔離的一對的導軌。各導軌具有將框23支撐的支撐面、與支撐面垂直的側面。
例如，使從載盒110搬出的框架單元2乘於位置調整單元112的導軌，透過此導軌將框架單元2夾住於X軸方向(加工進給方向)，使得可將框架單元2定位於既定的位置。在位置調整單元112的附近，配置用於搬送框架單元2(被加工物11)的搬送單元114。搬送單元114具備將框架單元2中的框4進行吸附的吸附墊116。
在基台4之中央設置移動機構(加工進給機構、分度進給機構)118。移動機構118具備被配置於基台4之上表面並平行於Y軸方向的一對的Y軸導軌120。於Y軸導軌120，可滑動地安裝Y軸移動台122。
於Y軸移動台122的背面側(下表面側)，設置螺帽部(未圖示)，平行於Y軸導軌120的Y軸滾珠螺桿124被螺合於此螺帽部。於Y軸滾珠螺桿124的一端部，連結Y軸脈衝馬達126。以Y軸脈衝馬達126使Y軸滾珠螺桿124旋轉時，Y軸移動台122沿著Y軸導軌120而移動於Y軸方向。
於Y軸移動台122的表面(上表面)，設置平行於X軸方向的一對的X軸導軌128。於X軸導軌128，可滑動地安裝X軸移動台130。
於X軸移動台130的背面側(下表面側)，設置螺帽部(未圖示)，平行於X軸導軌128的X軸滾珠螺桿132被螺合於此螺帽部。於X軸滾珠螺桿132的一端部，連結X軸脈衝馬達134。以X軸脈衝馬達134使X軸滾珠螺桿132旋轉時，X軸移動台130沿著X軸導軌128移動於X軸方向。
於X軸移動台130的表面側(上表面側)，設置台底136。於台底136之上部，配置供於支撐框架單元2用的支台單元138。此支台單元138經由台底136連結於馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，繞大致上平行於Z軸方向(鉛直方向)的旋轉軸而旋轉。
此外，支台單元138及台底136係透過上述的移動機構118而移動於X軸方向及Y軸方向(加工進給、分度進給)。關於支台單元138的細節後述。
於支撐構造106，設置朝前方(支台單元138側)突出的支撐臂件106a，於此支撐臂件106a的頂端部，配置供於朝下方照射雷射束用的雷射照射單元140。此外，在鄰接於雷射照射單元140的位置，設置供於就被加工物11等進行攝像用的攝像單元(相機)142。
雷射照射單元140具備使對被加工物11具有透射性的波長的雷射束進行脈衝振盪的雷射振盪器(未圖示)。例如，被加工物11以矽等的半導體材料而成的晶圓的情況下，可使用利用Nd：YAG等的雷射介質使波長為1000nm以上(例如，1064nm)的雷射束進行脈衝振盪的雷射振盪器等。
此外，雷射照射單元140具備將從雷射振盪器所脈衝振盪的雷射束進行聚光的聚光器，將此雷射束照射、聚光於經由框架單元2被支台單元138支撐的被加工物11的內部。例如，一面以雷射照射單元140照射雷射束，一面使支台單元138移動於X軸方向，從而可將被加工物11的內部沿著X軸方向進行改質。
在將被加工物11加工後例如再次透過搬送單元114將框架單元2收容於載盒110。載盒升降機108、位置調整單元112、搬送單元114、移動機構118、支台單元138、雷射照射單元140、攝像單元142等的構成要素係分別連接於控制單元144。
此控制單元144配合被加工物11的加工所需的一連串的程序，控制上述的各構成要素。此外，於控制單元144，連接作為使用者介面的觸控面板式的監視器146。
如示於圖7，支台單元138例如形成為具有底壁138a、設於底壁138a的外周部分的側壁138b、連接於側壁138b之上端的上頂壁138c的箱狀。於側壁138b的一部分形成開口，吸附被加工物11的狀態下的框架單元2通過此開口而往支台單元138的內部搬入。
於上頂壁138c之中央部分，形成將上頂壁138c貫穿於上下的圓形的開口。於此開口，嵌入以使從雷射照射單元140放射的雷射束透射的材料而形成的板狀的支撐構材(支撐台)138d。
亦即，支撐構材138d使對於被加工物11具有透射性的波長的雷射束透射。另外，在圖7係說明的方便上，省略支撐構材138d的影線。此支撐構材138d(開口)的直徑比被加工物11的直徑大。為此，可透過支撐構材138d支撐被加工物11的整面。
於上頂壁138c的下表面側，設置用於固定框架單元2的框4的夾具138e。此外，於接近於此夾具138e的上頂壁138c的下表面，具有吸引路徑138f的一端側的開口。吸引路徑138f的另一端側經由閥148等連接於吸引源150。
在框架單元支撐步驟係首先，將吸附被加工物11的狀態下的框架單元2從載盒110搬出，搬入於支台單元138內。具體而言，以夾具138e將框4固定為，底片6的第2面6b側(電極片8側、遮蓋片14側)密接於支撐構材138d的下表面(第1面)。
並且，此狀態下打開閥148，使吸引源150的負壓作用。藉此，能以支撐構材138d的下表面側支撐框架單元2。如此，被加工物11在表面11a側曝露於下方的狀態下經由框架單元2保持於支台單元138。
在框架單元支撐步驟後，進行從支撐構材138d之上表面(第2面)側照射雷射束而將被加工物11加工的雷射加工步驟。雷射加工步驟係接著使用雷射加工裝置102而進行。具體而言，首先，使支台單元138旋轉，使成為加工的對象的分割預定線13的伸長的方向對準於雷射加工裝置12的X軸方向。
接著，使支台單元138移動，例如使雷射照射單元140的位置對準於成為對象的分割預定線13的延長線上。並且，如示於圖7，一面從雷射照射單元140朝被加工物11照射雷射束152，一面使支台單元138移動於X軸方向。
此處，雷射束152的照射條件(加工條件)在可將被加工物11的內部透過多光子吸收而改質的範圍進行調整。具體而言，例如使雷射束152聚光於被加工物11的內部。其他條件例如如下。 　　雷射束的波長：1000nm以上 　　雷射束的輸出：1W 　　雷射束的反覆頻率：80kHz 　　支台單元138的移動速度：800nm／s
如上述般，支台單元138的支撐構材138d以使雷射束152透射的材料而形成。此外，框架單元2的底片6、支撐片10、電極層12、及遮蓋片14亦以使雷射束152透射的材料而形成。
因此，經由支撐構材138d及框架單元2將雷射束152照射於被加工物11的內部，可沿著分割預定線13形成改質層17。反覆如此的動作，例如沿著全部的分割預定線13形成改質層17時，雷射加工步驟結束。
在雷射加工步驟後，進行從支台單元138(支撐構材138d)卸除框架單元2的框架單元卸除步驟。具體而言，首先關閉閥148，遮斷吸引源150的負壓。並且，以搬送單元114等將框架單元2從支台單元138搬出。搬出的框架單元2再次收容於載盒110。
在框架單元卸除步驟後，進行將被加工物11從框架單元2的底片6(電極片8)剝離的剝離步驟。圖8(A)及圖8(B)係用於說明有關剝離步驟的透視圖。在此剝離步驟係例如將保持加工後的被加工物11的框架單元2從載盒110取出，如示於圖8(A)，將黏著帶21的表面21a側黏貼於被加工物11的表面11a。
接著，使供電單元18的開關18b為非導通狀態，使往正的電極圖案12a及負的電極圖案12b的供電停止。藉此，作用於被加工物11與電極層12之間的靜電的力變弱或喪失。此狀態下，例如使框架單元2上下反轉為黏著帶21的背面21b側朝下方，使得如示於圖8(B)，可將被加工物11從底片6(電極片8)剝離。
如以上，本實施方式相關的框架單元2具有環狀的框4、具備包含正的電極圖案(電極)12a與負的電極圖案(電極)12b的電極層12的電極片8、配裝對正的電極圖案12a及負的電極圖案12b供電的電池20並控制從電池20往正的電極圖案12a及負的電極圖案12b的供電的供電單元18，以靜電的力將被加工物11吸附而保持，故不同於使用黏著材的黏著帶，可反覆使用。因此，代替黏著帶而使用此框架單元，使得將被加工物11的加工所需的費用抑制為低。
另外，本發明不限制於上述實施方式等的記載而可進行各種變更而實施。例如，在上述實施方式雖說明有關將改質層17形成於被加工物11的內部的情況，惟不經由電極層12對被加工物11照射雷射束的情況、使環狀的切削刀具切入於被加工物11的情況等之下，亦可使用本實施方式的框架單元2。
除此之外，上述實施方式相關的構造、方法等只要不脫離本發明的目的之範圍即可酌情變更而實施。
2‧‧‧框架單元
4‧‧‧框
4a‧‧‧第1面
4b‧‧‧第2面
4c‧‧‧開口
6‧‧‧底片(樹脂片)
6a‧‧‧第1面
6b‧‧‧第2面
8‧‧‧電極片
10‧‧‧支撐片
12‧‧‧電極層
12a‧‧‧正的電極圖案(電極)
12b‧‧‧負的電極圖案(電極)
12c‧‧‧絕緣區域
14‧‧‧遮蓋片
16a‧‧‧第1佈線
16b‧‧‧第2佈線
18‧‧‧供電單元
18a‧‧‧電池保持器
18b‧‧‧開關
20‧‧‧電池
102‧‧‧雷射加工裝置
104‧‧‧基台
104a‧‧‧突出部
106‧‧‧支撐構造
106a‧‧‧支撐臂件
108‧‧‧載盒升降機
110‧‧‧載盒
112‧‧‧位置調整單元
114‧‧‧搬送單元
116‧‧‧吸附墊
118‧‧‧移動機構(加工進給機構、分度進給機構)
120‧‧‧Y軸導軌
122‧‧‧Y軸移動台
124‧‧‧Y軸滾珠螺桿
126‧‧‧Y軸脈衝馬達
128‧‧‧X軸導軌
130‧‧‧X軸移動台
132‧‧‧X軸滾珠螺桿
134‧‧‧X軸脈衝馬達
136‧‧‧台底
138‧‧‧支台單元
138a‧‧‧底壁
138b‧‧‧側壁
138c‧‧‧上頂壁
138d‧‧‧支撐構材(支撐台)
138e‧‧‧夾具
138f‧‧‧吸引路徑
140‧‧‧雷射照射單元
142‧‧‧攝像單元(相機)
144‧‧‧控制單元
146‧‧‧監視器
148‧‧‧閥
150‧‧‧吸引源
152‧‧‧雷射束
11‧‧‧被加工物
11a‧‧‧表面
11b‧‧‧背面
13‧‧‧分割預定線(切割道)
15‧‧‧裝置
17‧‧‧改質層
21‧‧‧黏著帶
21a‧‧‧表面
21b‧‧‧背面
[圖1]示意性就框架單元的構成例進行繪示的透視圖。 　　[圖2]示意性就框架單元的構成例進行繪示的剖面圖。 　　[圖3]示意性就框架單元的一部分進行繪示的平面圖。 　　[圖4]示意性就框架單元的一部分進行繪示的剖面圖。 　　[圖5]用於說明有關吸附步驟的透視圖。 　　[圖6]示意性就雷射加工裝置的構成例進行繪示的透視圖。 　　[圖7]用於說明有關框架單元支撐步驟及雷射加工步驟的剖面圖。 　　[圖8]圖8(A)及圖8(B)係用於說明有關剝離步驟的透視圖。

Claims (5)

  1. 一種框架單元，為在保持被加工物之際使用者， 　　具有： 　　環狀的框，具備收容該被加工物的開口； 　　電極片，覆蓋該框的該開口的一部分，具備包含正負的電極的電極層；和 　　供電單元，配裝對該電極供電的電池，控制從該電池往該電極的供電； 　　以靜電的力將該被加工物吸附而保持。
  2. 如請求項1的框架單元，其中，該電極層具備將正負的電極整列為彼此不同而成的一對的梳狀電極。
  3. 如請求項1或2的框架單元，其中，該電極片設於外周部固定於該框的樹脂片。
  4. 如請求項1至3中任一項的框架單元，其中， 　　該電極片係構成為使對該被加工物具有透射性的波長的雷射束透射， 　　在經由該電極片對該被加工物照射該雷射束之際使用。
  5. 一種被加工物之雷射加工方法，為使用如請求項4的框架單元的被加工物之加工方法， 　　具備： 　　吸附步驟，使該被加工物載於該框架單元的該電極片，對該電極供電而將該被加工物以靜電的力進行吸附； 　　框架單元支撐步驟，以具有第1面、與該第1面相反之側的第2面並使對該被加工物具有透射性的波長的該雷射束透射的板狀的支撐台的該第1面側，支撐吸附該被加工物之下的該框架單元的該電極片側； 　　雷射加工步驟，從該支撐台的該第2面側，經由該支撐台及該電極片對該被加工物照射該雷射束，將該被加工物的內部改質而形成改質層； 　　框架單元卸除步驟，在實施該雷射加工步驟後，從該支撐台卸除該框架單元；和 　　剝離步驟，在該框架單元卸除步驟後，調整往該電極的供電，將該被加工物從該框架單元的該電極片剝離。
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