TW201838817A - 附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 - Google Patents

附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種附脫模層的銅箔，其可製作埋入電路，且可良好地抑制利用蝕刻使所述埋入電路露出時侵蝕埋入電路。本發明的附脫模層的銅箔依序具備脫模層、銅箔和阻隔層。

Description

附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法
本發明係關於一種附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法。
印刷配線板在這半世紀間實現大的進展，如今幾乎被用於所有電子機器。伴隨近年來電子機器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化不斷進展，對印刷配線板要求導體圖案的微細化(微間距化)或高頻應對等。
印刷配線板首先製造成覆銅積層體，所述覆銅積層體是將銅箔與以玻璃環氧基板、BT樹脂、聚醯亞胺膜等為主的絕緣基板貼合而成。貼合使用以下方法：將絕緣基板與銅箔重疊並進行加熱加壓而形成的方法(層壓法)；或者將作為絕緣基板材料的前驅物的清漆塗布於銅箔的具有被覆層的面並進行加熱、硬化的方法(流延法)。
近年來，開發出分別根據目的而以各種製法製作的印刷配線板並加以利用。例如已知利用所謂的埋入法製造的印刷配線板等電路埋入基板(ETS，Embedded Trace Substrate)，所述埋入法是在極薄銅箔的表面形成電路鍍層，以覆蓋所述形成的電路鍍層的方式(以掩埋電路鍍層的方式)，在極薄銅箔上設置埋入樹脂而積層樹脂層，使用所述被埋入的電路鍍層形成印刷配線板等(專利文獻1)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-101137號公報
作為所述電路埋入基板的製作方法的一個例子，首先，在極薄銅箔的表面形成電路，以覆蓋所述電路的方式積層樹脂，形成埋入電路。其次，將積層於極薄銅箔的載體銅箔剝離後，利用蝕刻將極薄銅箔去除，藉此使埋入樹脂中的電路露出，藉此利用所述埋入電路製作印刷配線板。
然而，如果像所述那樣以覆蓋電路的方式積層樹脂而形成埋入電路後，利用蝕刻將極薄銅箔去除而使埋入電路露出，則會存在因所述極薄銅箔的蝕刻導致埋入電路被侵蝕的問題。
另外，為了容易進行對銅箔的各種加工，有時在藉由貼合於樹脂等支持體而支撐銅箔的狀態下進行所述加工。此時，藉由在銅箔的與樹脂等支持體的貼合側表面設置脫模層，而可在加工後容易地將樹脂等支持體剝離。關於這種附脫模層的銅箔，以往並沒有用於像所述那樣的埋入法的例子。
本發明人等進行了努力研究，結果發現，藉由在附脫模層的銅箔的與脫模層側表面為相反側的表面設置阻隔層，可使用附脫模層的銅箔製作埋入電路，且可良好地抑制利用蝕刻使所述埋入電路露出時侵蝕埋入電路。
將以上見解作為基礎而完成的本發明在一形態中是一種附脫模層的銅箔，其依序具備脫模層、銅箔和阻隔層。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在一實施形態中，所述阻隔層 是C層、Ni層、Ti層、Cr層、V層、Zr層、Ta層、Au層、Pt層、Os層、Pd層、Ru層、Rh層、Ir層、W層，或者包含含有選自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si及Cr所組成的群中的任一種以上的合金的層，或者包含含有選自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si及Cr所組成的群中的任一種以上的碳化物、氧化物或氮化物的層。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在另一實施形態中，所述阻隔層由選自由Ni、Ti、Cr、氧化鈦、氧化鉻及碳所組成的群中的任一種以上所構成。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述阻隔層具有選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的一種以上的層。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述阻隔層是選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的任一種以上的層。
所述阻隔層是選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的任一種的層。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述阻隔層的厚度為0.001μm以上且10μm以下。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述銅箔的厚度為0.1μm以上且100μm以下。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述脫模層單獨或組合多種而具有下式所表示的矽烷化合物、所述矽烷化合物的水解產物、所述矽烷化合物的水解產物的縮合物。
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的所述烴基，R3及R4分別獨立地為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的所述烴基)
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述脫模層具有分子內具有2個以下的巰基的化合物。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述脫模層單獨或組合多種而具有下式所表示的鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、所述鋁酸鹽化合物的水解產物、所述鈦酸鹽化合物的水解產物、所述鋯酸鹽化合物的水解產物、所述鋁酸鹽化合物的水解產物的縮合物、所述鈦酸鹽化合物的水解產物的縮合物或所述鋯酸鹽化合物的水解產物的縮合物。
(R1)m-M-(R2)n
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的所述烴基，M為Al、Ti或Zr，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R1的至少一個為烷氧基。m+n為M的價數，即，當為Al時為3，當為Ti、Zr時為4)
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述脫模層具有樹脂塗膜，所述樹脂塗膜由聚矽氧以及選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種或多種樹脂所構成。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，在所述銅箔與阻隔層之間，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，在所述阻 隔層的與銅箔側為相反側的面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，所述粗化處理層是由選自由Cu、Ni、P、W、As、Mo、Cr、Ti、Fe、V、Co及Zn所組成的群中的任一種單質或含有任一種以上所述單質的合金所構成的層。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，在所述銅箔與脫模層之間，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在又一實施形態中，在所述脫模層側表面具備樹脂層。
本發明在另一形態中是一種積層體，其具有本發明的附脫模層的銅箔。
本發明在又一形態中是一種積層體，其含有本發明的附脫模層的銅箔和樹脂，且所述銅箔的端面的一部分或全部由所述樹脂覆蓋。
本發明在又一形態中是一種積層體，其具有兩個本發明的附脫模層的銅箔和樹脂，且其是將所述兩個附脫模層的銅箔中的一附脫模層的銅箔的所述脫模層側表面與所述樹脂的一面積層，將另一所述附脫模層的銅箔的脫模層側表面與所述樹脂的另一面積層而成。
本發明在又一形態中是一種印刷配線板的製造方法，其是使用本發明的附脫模層的銅箔而製造印刷配線板。
本發明在又一形態中是一種印刷配線板的製造方法，其包括以下步驟：在本發明的附脫模層的銅箔的所述脫模層側積層支持體或絕緣基板1的步驟；在積層了所述支持體或所述絕緣基板1的附脫模層的銅箔的所述阻隔層側設置經圖案化的抗鍍覆層的步驟；在設置了所述經圖案化的抗鍍覆層的所 述阻隔層上設置鍍銅層後，將所述抗鍍覆層去除，藉此形成鍍銅電路的步驟；利用絕緣基板2覆蓋所述鍍銅電路，藉此將所述鍍銅電路埋入的步驟；將所述鍍銅電路埋入後，將所述脫模層側表面的所述支持體或所述絕緣基板1去除，藉此使所述附脫模層的銅箔的脫模層側表面露出的步驟；利用蝕刻將所述銅箔自所述露出的脫模層側表面去除而使所述阻隔層表面露出的步驟；以及利用蝕刻將所述露出的阻隔層去除，藉此使埋入所述絕緣基板2中的電路露出的步驟。
本發明在又一形態中是一種印刷配線板的製造方法，其是使用本發明的積層體而製造印刷配線板。
本發明在又一形態中是一種電子機器的製造方法，其是使用利用本發明的方法製造的印刷配線板而製造電子機器。
根據本發明的附脫模層的銅箔，可製作埋入電路，且可良好地抑制利用蝕刻使所述埋入電路露出時侵蝕埋入電路。
1、2‧‧‧絕緣基板
10、11‧‧‧阻隔層
20、21、60‧‧‧銅箔
30、31‧‧‧脫模層
40‧‧‧抗鍍覆層
50‧‧‧鍍銅層
51、61‧‧‧鍍銅電路
圖1是表示使用本發明的一實施形態的附脫模層的銅箔的埋入電路的形成方法的一部分的示意圖。
圖2是表示使用本發明的一實施形態的附脫模層的銅箔的埋入電路的形成方法的一部分的示意圖。
圖3是表示使用本發明的一實施形態的附脫模層的銅箔的埋入電路的形成方法的一部分的示意圖。
圖4是表示使用本發明的一實施形態的附脫模層的銅箔的埋入電路的形成 方法的一部分的示意圖。
圖5是本發明的另一實施形態的在絕緣基板的兩表面分別設置了附脫模層的銅箔的積層體的示意圖。
<附脫模層的銅箔>
依序具備脫模層、銅箔和阻隔層。銅箔典型的是以壓延銅箔或電解銅箔或利用濺鍍等乾式鍍覆法製造的銅箔的形態提供。一般來說，電解銅箔是使銅自硫酸銅鍍覆浴中電解析出至鈦或不銹鋼的鼓上而製造，壓延銅箔是反復進行利用壓延輥的塑性加工和熱處理而製造。作為銅箔的材料，除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度銅以外，還可使用例如加入了Sn的銅、加入了Ag的銅、添加了Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加了Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。
銅箔的厚度沒有必要特別限定，例如為0.1μm以上且100μm以下、1μm以上且1000μm以下、或1μm以上且500μm以下、或1μm以上且300μm以下、或3μm以上且100μm以下、或5μm以上且70μm以下、或6μm以上且35μm以下、或9μm以上且18μm以下。
阻隔層對銅蝕刻劑具有耐溶解性，即具備如下性質：對於銅蝕刻劑(銅的蝕刻液)，比銅不易溶解或被蝕刻的速度比銅慢。被蝕刻的速度是指每單位時間被蝕刻液侵蝕的厚度。例如可以如下方式算出被蝕刻的速度。
測量蝕刻前的樣品的質量W1(g)。測量特定時間t(s)蝕刻後的樣品的質量W2(g)。而且，利用下式算出被蝕刻的速度。
被蝕刻的速度(μm/s)={蝕刻前的樣品的質量W1(g)-樣品的質量W2(g)}/{阻隔層的密度(g/μm3)×樣品被蝕刻的面積(μm2)×蝕刻時間t (s)}
此外，測量所述被蝕刻的速度時，例如可使用硫酸-過氧化氫水溶液作為銅的蝕刻液。
作為對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻隔層，較佳為使用C層、Ni層、Ti層、Cr層、V層、Zr層、Ta層、Au層、Pt層、Os層、Pd層、Ru層、Rh層、Ir層、W層，或者包含含有Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si及Cr中的任一種以上的合金的層，或者包含含有Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si及Cr中的任一種以上的碳化物或氧化物或氮化物的層等。作為對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻隔層，更佳為由選自由Ni、Ti、Cr、氧化鈦、氧化鉻及碳所組成的群中的任一種或兩種以上所構成的阻隔層。另外，因為更具有作為阻隔層的效果，所以阻隔層較佳為具有選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的一種以上的層。另外，因為更具有作為阻隔層的效果，所以阻隔層較佳為選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的一種以上的層。另外，因為更具有作為阻隔層的效果，所以阻隔層較佳為選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的一種的層。另外，阻隔層較佳為Ni層。另外，阻隔層較佳為Ti層。另外，阻隔層較佳為Cr層。
此外，Ni層或包含Ni的合金層較佳為以如下方式形成。原因在於，Ni層或包含Ni的合金層的表面變得平滑，形成於所述Ni層或包含Ni的合金層上的極薄銅層及/或銅層的阻隔層側及與阻隔層為相反側的表面也變得平滑，因此極薄銅層及/或銅層的微細電路形成性提升。
‧Ni層或包含Ni的合金層的形成
Ni層或包含Ni的合金層可藉由進行鎳鍍覆或包含鎳的合金鍍覆而形成。此時，重要的是最後加工成緻密且均勻且沒有缺陷的鍍覆。作為鎳鍍覆或包含鎳的合金鍍覆，在以下的條件下進行。
‧鍍覆液
鎳：20~200g/L
其他元素：0.1~200g/L(僅在包含鎳的合金鍍覆的情況下)
硼酸：5~60g/L
液溫：40~65℃
pH值：1.5~5.0，較佳為2.0~3.0。藉由使pH值偏低而階段性地進行鍍覆處理，產生氫氣而陰極表面成為還原環境。因此，可抑制產生氧化物、氫氧化物、水合物等產生水分的原因要素。
電流密度：0.5~20A/dm2，較佳為2~8A/dm2。較佳為以低電流密度進行處理，因為不易導致粗糙鍍覆，成為缺陷少且緻密鍍覆。
‧攪拌(液體循環量)
100~1000L/分鐘。液體循環量多會使產生的氫氣的氣體脫離變好，針孔等缺陷變少。另外，具有減小擴散層厚度的效果，可抑制產生氫氧化物等產生水分的原因要素。
‧進行鍍覆的對象的搬送速度
2~30m/分鐘，較佳為5~10m/分鐘。搬送速度慢會使平滑且緻密的Ni層或包含鎳的合金層形成。
‧添加劑
添加劑較佳為使用以下的一次光澤劑及二次光澤劑。藉此，結晶變得平滑且緻密。因此，鍍覆產生的缺陷減少，水分的吸收減少。
(一次光澤劑)
1-5萘-二磺酸鈉：2~10g/L、1-3-6萘-三磺酸鈉：10~30g/L、對甲苯碸-醯胺：0.5~4g/L、糖精鈉：0.5~5g/L中的任一種。
(二次光澤劑)
福馬林：0.5~5g/L、明膠：0.005~0.5g/L、硫脲：0.05~1.0g/L、炔丙醇：0.01~0.3g/L、1-4丁炔二醇：0.05~0.5g/L、乙撐氰醇(ethylene cyanohydrin)：0.05~0.5g/L中的任一種。
阻隔層的厚度的下限沒有必要特別限定，例如也可為0.001μm以上、較佳為0.01μm以上、進而較佳為0.05μm以上。另外，阻隔層的厚度的上限沒有必要特別限定，例如也可為10μm以下、較佳為5μm以下、進而較佳為1μm以下。
關於本發明的附脫模層的銅箔，在銅箔的表面形成電路，以覆蓋所述電路的方式積層樹脂而形成埋入電路後，利用蝕刻將所述銅箔去除而使埋入電路露出時，因為具備對銅蝕刻劑具有耐溶解性的阻隔層，所以沒有因銅箔的蝕刻而侵蝕至埋入電路的擔憂。
本發明的附脫模層的銅箔的脫模層可自脫模層側將利用壓接等使樹脂基材等支持體貼合時的樹脂基材等支持體剝離。此時，樹脂基材等支持體與銅箔藉由脫模層分離。
(1)矽烷化合物
脫模層也可將具有下式所表示的結構的矽烷化合物、或所述矽烷化合物的水解生成物質、或所述水解生成物質的縮合物(以下，簡記作矽烷化合物)單獨或多個組合而形成。
(式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的所述烴基，R3 及R4分別獨立地為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的所述烴基)。
所述矽烷化合物必須具有至少一個烷氧基。在不存在烷氧基而僅由選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的這些中任一烴基構成取代基的情況下，有樹脂基板與銅箔的密接性過度下降的傾向。另外，所述矽烷化合物必須具有至少一個選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的這些中任一烴基。原因在於，在不存在所述烴基的情況下，有樹脂基板與銅箔的密接性上升的傾向。此外，本案發明的烷氧基也包括一個以上的氫原子被鹵素原子取代的烷氧基。
所述矽烷化合物較佳為具有三個烷氧基、一個所述烴基(包括一個以上的氫原子被鹵素原子取代的烴基)。以上式來說的話，指R3及R4兩者均為烷氧基。
作為烷氧基，沒有限定，可列舉甲氧基、乙氧基、正或異丙氧基、正、異或三級丁氧基、正、異或新戊氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、及正辛氧基等直鏈狀、支鏈狀、或環狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷氧基。
作為鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
作為烷基，沒有限定，可列舉甲基、乙基、正或異丙基、正、異或三級丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
作為環烷基，沒有限定，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
作為芳基，可列舉苯基、經烷基取代的苯基(例：甲苯基、二 甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基。
這些烴基也可一個以上的氫原子被鹵素原子取代，例如可被氟原子、氯原子、或溴原子取代。
作為較佳的矽烷化合物的例子，可列舉甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正或異丙基三甲氧基矽烷、正、異或三級丁基三甲氧基矽烷、正、異或新戊基三甲氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷；烷基取代苯基三甲氧基矽烷(例如，對(甲基)苯基三甲氧基矽烷)、甲基三乙氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正或異丙基三乙氧基矽烷、正、異或三級丁基三乙氧基矽烷、戊基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、烷基取代苯基三乙氧基矽烷(例如，對(甲基)苯基三乙氧基矽烷)、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基矽烷、及十三氟辛基三乙氧基矽烷、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、苯基三氯矽烷、三甲基氟矽烷、二甲基二溴矽烷、二苯基二溴矽烷、這些的水解產物、及這些的水解產物的縮合物等。這些之中，就獲取容易性的觀點來說，較佳為丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、己基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、癸基三甲氧基矽烷。
(2)分子內具有2個以下的巰基的化合物
脫模層也可使用分子內具有2個以下的巰基的化合物而構成。
作為所述分子內具有2個以下的巰基的化合物，可列舉硫醇、二硫醇、硫羧酸或其鹽、二硫羧酸或其鹽、硫磺酸或其鹽、及二硫磺酸或其鹽，可使用選自這些中的至少一種。
硫醇在分子內具有一個巰基，例如由R-SH表示。在此，R表示也可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。
二硫醇在分子內具有兩個巰基，例如由R(SH)2表示。R表示也 可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，兩個巰基可分別與相同的碳鍵結，也可與互不相同的碳或氮鍵結。
硫羧酸是有機羧酸的羥基被巰基取代而成，例如由R-CO-SH表示。R表示也可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，硫羧酸也可以鹽的形態使用。此外，還可使用具有兩個硫羧酸基的化合物。
二硫羧酸是有機羧酸的羧基中的兩個氧原子被硫黃原子取代而成，例如由R-(CS)-SH表示。R表示也可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，二硫羧酸也可以鹽的形態使用。此外，還可使用具有兩個二硫羧酸基的化合物。
硫磺酸是有機磺酸的羥基被巰基取代而成，例如由R(SO2)-SH表示。R表示也可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，硫磺酸也可以鹽的形態使用。
二硫磺酸是有機二磺酸的兩個羥基分別被巰基取代而成，例如由R-((SO2)-SH)2表示。R表示也可包含羥基或胺基的脂肪族系或芳香族系烴基或雜環基。另外，兩個硫磺酸基可分別與相同的碳鍵結，也可與互不同的碳鍵結。另外，二硫磺酸也可以鹽的形態使用。
在此，作為適宜作為R的脂肪族系烴基，可列舉烷基、環烷基，這些烴基也可包含羥基和胺基中的任一個或兩個。
另外，作為烷基，沒有限定，可列舉甲基、乙基、正或異丙基、正、異或三級丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
另外，作為環烷基，沒有限定，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
另外，作為適宜作為R的芳香族烴基，可列舉苯基、經烷基取 代的苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基，這些烴基也可包含羥基和胺基中的任一個或兩個。
另外，作為適宜作為R的雜環基，可列舉咪唑、三唑、四唑、苯并咪唑、苯并三唑、噻唑、苯并噻唑，也可包含羥基和胺基中的任一個或兩個。
作為分子內具有2個以下的巰基的化合物的較佳的例子，可列舉3-巰基-1,2丙二醇、2-巰基乙醇、1,2-乙烷二硫醇、6-巰基-1-己醇、1-辛烷硫醇、1-十二烷硫醇、10-羥基-1-十二烷硫醇、10-羧基-1-十二烷硫醇、10-胺基-1-十二烷硫醇、1-十二烷硫醇磺酸鈉、苯硫酚、硫代苯甲酸、4-胺基-苯硫酚、對甲苯硫醇、2,4-二甲基苯硫醇、3-巰基-1,2,4三唑、2-巰基-苯并噻唑。這些之中，就水溶性和廢棄物處理方面的觀點來說，較佳為3-巰基-1,2丙二醇。
(3)金屬烷氧化物
脫模層也可將具有下式所表示的結構的鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、或這些化合物的水解生成物質、或所述水解生成物質的縮合物(以下，簡記作金屬烷氧化物)單獨或多個組合而構成。
(R1)m-M-(R2)n
式中，R1為烷氧基或鹵素原子，R2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的所述烴基，M為Al、Ti或Zr，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R1的至少一個為烷氧基。m+n為M的價數，即，當為Al時為3，當為Ti、Zr時為4。
所述金屬烷氧化物必須具有至少一個烷氧基。在不存在烷氧基而僅由選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的這些中任一烴基構成取代基的情況下，有樹脂基板與銅箔的密 接性過度下降的傾向。另外，所述金屬烷氧化物必須具有0~2個選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的這些中任一烴基。原因在於，在具有3個以上的所述烴基的情況下，有樹脂基板與銅箔的密接性過度下降的傾向。此外，本案發明的烷氧基也包括一個以上的氫原子被鹵素原子取代的烷氧基。就將樹脂基板與銅箔的剝離強度調節為所述範圍的方面來說，所述金屬烷氧化物較佳為具有兩個以上的烷氧基且具有一個或兩個所述烴基(包括一個以上的氫原子被鹵素原子取代的烴基)。
另外，作為烷基，沒有限定，可列舉甲基、乙基、正或異丙基、正、異或三級丁基、正、異或新戊基、正己基、正辛基、正癸基等直鏈狀或支鏈狀的碳數1~20、較佳為碳數1~10、更佳為碳數1~5的烷基。
另外，作為環烷基，沒有限定，可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等碳數3~10、較佳為碳數5~7的環烷基。
另外，作為適宜作為R2的芳香族烴基，可列舉苯基、經烷基取代的苯基(例：甲苯基、二甲苯基)、1-或2-萘基、蒽基等碳數6~20、較佳為6~14的芳基，這些烴基也可包含羥基和胺基中的任一個或兩個。
這些烴基也可一個以上的氫原子被鹵素原子取代，例如可被氟原子、氯原子、或溴原子取代。
作為較佳的鋁酸鹽化合物的例子，可列舉三甲氧基鋁、甲基二甲氧基鋁、乙基二甲氧基鋁、正或異丙基二甲氧基鋁、正、異或三級丁基二甲氧基鋁、正、異或新戊基二甲氧基鋁、己基二甲氧基鋁、辛基二甲氧基鋁、癸基二甲氧基鋁、苯基二甲氧基鋁；烷基取代苯基二甲氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二甲氧基鋁)、二甲基甲氧基鋁、三乙氧基鋁、甲基二乙氧基鋁、乙基二乙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或三級丁基二乙氧基鋁、戊基二乙氧基鋁、己基二乙氧基鋁、辛基二乙氧基鋁、癸基二乙氧基鋁、苯基二乙氧基 鋁、烷基取代苯基二乙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二乙氧基鋁)、二甲基乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、甲基二異丙氧基鋁、乙基二異丙氧基鋁、正或異丙基二乙氧基鋁、正、異或三級丁基二異丙氧基鋁、戊基二異丙氧基鋁、己基二異丙氧基鋁、辛基二異丙氧基鋁、癸基二異丙氧基鋁、苯基二異丙氧基鋁、烷基取代苯基二異丙氧基鋁(例如，對(甲基)苯基二異丙氧基鋁)、二甲基異丙氧基鋁、(3,3,3-三氟丙基)二甲氧基鋁、及十三氟辛基二乙氧基鋁、甲基二氯鋁、二甲基氯鋁、二甲基氯鋁、苯基二氯鋁、二甲基氟鋁、二甲基溴鋁、二苯基溴鋁、這些的水解產物、及這些的水解產物的縮合物等。這些之中，就獲取容易性的觀點來說，較佳為三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁。
作為較佳的鈦酸鹽化合物的例子，可列舉四甲氧基鈦、甲基三甲氧基鈦、乙基三甲氧基鈦、正或異丙基三甲氧基鈦、正、異或三級丁基三甲氧基鈦、正、異或新戊基三甲氧基鈦、己基三甲氧基鈦、辛基三甲氧基鈦、癸基三甲氧基鈦、苯基三甲氧基鈦；烷基取代苯基三甲氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鈦)、二甲基二甲氧基鈦、四乙氧基鈦、甲基三乙氧基鈦、乙基三乙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或三級丁基三乙氧基鈦、戊基三乙氧基鈦、己基三乙氧基鈦、辛基三乙氧基鈦、癸基三乙氧基鈦、苯基三乙氧基鈦、烷基取代苯基三乙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鈦)、二甲基二乙氧基鈦、四異丙氧基鈦、甲基三異丙氧基鈦、乙基三異丙氧基鈦、正或異丙基三乙氧基鈦、正、異或三級丁基三異丙氧基鈦、戊基三異丙氧基鈦、己基三異丙氧基鈦、辛基三異丙氧基鈦、癸基三異丙氧基鈦、苯基三異丙氧基鈦、烷基取代苯基三異丙氧基鈦(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鈦、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鈦、及十三氟辛基三乙氧基鈦、甲基三氯鈦、二甲基二氯鈦、三甲基氯鈦、苯基三氯鈦、二甲基二氟鈦、二甲基二溴鈦、二苯基二溴鈦、這些的水解產物、及這些的水解產物的縮合物等。這些之 中，就獲取容易性的觀點來說，較佳為四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦。
作為較佳的鋯酸鹽化合物的例子，可列舉四甲氧基鋯、甲基三甲氧基鋯、乙基三甲氧基鋯、正或異丙基三甲氧基鋯、正、異或三級丁基三甲氧基鋯、正、異或新戊基三甲氧基鋯、己基三甲氧基鋯、辛基三甲氧基鋯、癸基三甲氧基鋯、苯基三甲氧基鋯；烷基取代苯基三甲氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三甲氧基鋯)、二甲基二甲氧基鋯、四乙氧基鋯、甲基三乙氧基鋯、乙基三乙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或三級丁基三乙氧基鋯、戊基三乙氧基鋯、己基三乙氧基鋯、辛基三乙氧基鋯、癸基三乙氧基鋯、苯基三乙氧基鋯、烷基取代苯基三乙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三乙氧基鋯)、二甲基二乙氧基鋯、四異丙氧基鋯、甲基三異丙氧基鋯、乙基三異丙氧基鋯、正或異丙基三乙氧基鋯、正、異或三級丁基三異丙氧基鋯、戊基三異丙氧基鋯、己基三異丙氧基鋯、辛基三異丙氧基鋯、癸基三異丙氧基鋯、苯基三異丙氧基鋯、烷基取代苯基三異丙氧基鋯(例如，對(甲基)苯基三異丙氧基鈦)、二甲基二異丙氧基鋯、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基鋯、及十三氟辛基三乙氧基鋯、甲基三氯鋯、二甲基二氯鋯、三甲基氯鋯、苯基三氯鋯、二甲基二氟鋯、二甲基二溴鋯、二苯基二溴鋯、這些的水解產物、及這些的水解產物的縮合物等。這些之中，就獲取容易性的觀點來說，較佳為四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯。
(4)由樹脂塗膜所構成的脫模層
使用由聚矽氧、以及選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種或多種樹脂所構成的樹脂塗膜，將樹脂基板與銅箔貼合，藉此可適度地使密接性降低，而將剝離強度調節為像後述那樣的範圍。
這種用以實現密接性的剝離強度的調節是藉由像後述那樣使用 由聚矽氧、以及選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種或多種樹脂所構成的樹脂塗膜而進行。原因在於，對這種樹脂塗膜進行像後述那樣的特定條件的烘烤處理，用於樹脂基板與銅箔之間，進行熱壓而進行貼合，藉此可適度地使密接性降低，而將剝離強度調節為所述範圍。
作為環氧系樹脂，可列舉雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、溴化環氧樹脂、胺型環氧樹脂、可撓性環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、苯氧樹脂、溴化苯氧樹脂等。
作為三聚氰胺系樹脂，可列舉甲基醚化三聚氰胺樹脂、丁基化尿素三聚氰胺樹脂、丁基化三聚氰胺樹脂、甲基化三聚氰胺樹脂、丁基醇改質三聚氰胺樹脂等。另外，三聚氰胺系樹脂也可為所述樹脂與丁基化尿素樹脂、丁基化苯代三聚氰胺樹脂等的混合樹脂。
此外，環氧系樹脂的數量平均分子量較佳為2000~3000，三聚氰胺系樹脂的數量平均分子量較佳為500~1000。藉由具有這種數量平均分子量，而可實現樹脂的塗料化，並且容易將樹脂塗膜的接著強度調整為特定範圍。
另外，作為氟樹脂，可列舉聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚氟乙烯等。
作為聚矽氧，可列舉甲基苯基聚矽氧烷、甲基氫聚矽氧烷、二甲基聚矽氧烷、改質二甲基聚矽氧烷、這些的混合物等。在此，所謂改質，例如可列舉環氧改質、烷基改質、胺基改質、羧基改質、醇改質、氟改質、烷基芳烷基聚醚改質、環氧聚醚改質、聚醚改質、烷基高級醇酯改質、聚酯改質、醯氧基烷基改質、鹵化烷基醯氧基烷基改質、鹵化烷基改質、胺基乙二醇改質、巰基改質、含有羥基的聚酯改質等。
關於樹脂塗膜，如果膜厚過小，則樹脂塗膜過薄而難以形成， 因此生產性容易降低。另外，即使膜厚超過固定大小，也未見到樹脂塗膜的剝離性的進一步提升，樹脂塗膜的製造成本容易變高。就這種觀點來說，樹脂塗膜的膜厚較佳為0.1~10μm，進而較佳為0.5~5μm。另外，樹脂塗膜的膜厚是藉由在後述程式中以特定塗布量塗布樹脂塗料而達成。
在樹脂塗膜中，聚矽氧作為樹脂塗膜的剝離劑發揮功能。因此，如果環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂的合計量與聚矽氧相比過多，則在樹脂基板與銅箔之間，樹脂塗膜所賦予的剝離強度變大，因此樹脂塗膜的剝離性降低，有時以手工不容易剝離。另一方面，如果環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂的合計量過少，則所述剝離強度變小，因此有時會在附脫模層的銅箔的搬送時或加工時剝離。就這個觀點來說，較佳為以相對於聚矽氧100質量份，環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂的合計為10~1500質量份的量含有所述成分，進而較佳為以20~800質量份的量含有。
另外，氟樹脂與聚矽氧同樣地，作為剝離劑發揮功能，具有使樹脂塗膜的耐熱性提升的效果。如果氟樹脂與聚矽氧相比過多，則所述剝離強度變小，因此有時會在積層體的搬送時或加工時剝離，另外，後述烘烤步驟所需的溫度提高，因此變得不經濟。就這個觀點來說，氟樹脂相對於聚矽氧100質量份，較佳為0~50質量份，進而較佳為0~40質量份。
樹脂塗膜中，除聚矽氧、及環氧樹脂及/或三聚氰胺樹脂、及視需要的氟樹脂以外，也可進一步含有選自SiO2、MgO、Al2O3、BaSO4及Mg(OH)2中的一種以上的表面粗化粒子。藉由樹脂塗膜含有表面粗化粒子，而樹脂塗膜的表面變得凹凸。藉由所述凹凸，而塗布了樹脂塗膜的樹脂基板或銅箔的表面變得凹凸，而成為消光表面。關於表面粗化粒子的含量，只要使樹脂塗膜凹凸化，則沒有特別限定，相對於聚矽氧100質量份，較佳為1~10質量份。
表面粗化粒子的粒徑較佳為15nm~4μm。在此，粒徑是指根據掃描電子顯微鏡(SEM)照片等測得的平均粒徑(最大粒徑與最小粒徑的平均值)。藉由表面粗化粒子的粒徑為所述範圍，而容易調整樹脂塗膜的表面的凹凸量，結果容易調整樹脂基板或銅箔的表面的凹凸量。具體來說，樹脂基板或銅箔的表面的凹凸量以JIS規定的最大高度粗糙度Ry計成為4.0μm左右。
在此，對積層體的製造方法進行說明。
所述附脫模層的銅箔經由具有如下步驟的程式而獲得：在樹脂基板或銅箔的至少一表面塗布所述樹脂塗膜的步驟；和使所述塗布的樹脂塗膜硬化的烘烤步驟。以下，對各步驟進行說明。
(塗布步驟)
塗布步驟是在樹脂基板的單面或兩面塗布樹脂塗料而形成樹脂塗膜的步驟，所述樹脂塗料由作為主劑的聚矽氧、作為硬化劑的環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂、及視需要的作為剝離劑的氟樹脂所構成。樹脂塗料是在醇等有機溶劑中溶解環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂、氟樹脂及聚矽氧而成。另外，樹脂塗料中的摻合量(添加量)較佳為相對於聚矽氧100質量份，環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂的合計為10~1500質量份。另外，氟樹脂較佳為相對於聚矽氧100質量份，為0~50質量份。
作為塗布步驟中的塗布方法，只要可形成樹脂塗膜，則沒有特別限定，使用凹版塗布法、棒式塗布法、輥式塗布法、淋幕式平面塗布法、利用靜電塗裝機的方法等，就樹脂塗膜的均勻性及作業便利性的觀點來說，較佳為凹版塗布法。另外，關於塗布量，作為樹脂量，較佳為1.0~2.0g/m2，以使樹脂塗膜3成為較佳的膜厚：0.5~5μm的方式。
凹版塗布法是藉由使設置在輥表面的凹部(槽)中填滿的樹脂塗料轉印到樹脂基板，而在樹脂基板的表面形成樹脂塗膜的方法。具體來說， 將在表面設置了槽的下側輥的下部浸漬在樹脂塗料中，藉由下側輥的旋轉將樹脂塗料上吸到槽內。而且，在下側輥與配置在下側輥的上側的上側輥之間配置樹脂基板，一邊利用上側輥將樹脂基板壓抵於下側輥，一邊使下側輥及上側輥旋轉，藉此搬送樹脂基板，並且將上吸到槽內的樹脂塗料轉印(塗布)到樹脂基板的單面。
另外，藉由在樹脂基板的搬入側，以與下側輥的表面接觸的方式配置刮刀，而將上吸到槽以外的輥表面的多餘的樹脂塗料除掉，從而在樹脂基板的表面塗布特定量的樹脂塗料。此外，在槽的號數(大小及深度)大的情況下或在樹脂塗料的黏度高的情況下，形成於樹脂基板的單面的樹脂塗膜不易變得平滑。因此，也可在樹脂基板的搬出側配置平滑輥，以維持樹脂塗膜的平滑度。
此外，在樹脂基板的兩面形成樹脂塗膜的情況下，在樹脂基板的單面形成樹脂塗膜後，將樹脂基板翻轉，並再次配置在下側輥與上側輥之間。而且，與所述同樣地，將下側輥的槽內的樹脂塗料轉印(塗布)到樹脂基板的背面。
(烘烤步驟)
烘烤步驟是對塗布步驟中形成的樹脂塗膜實施125~320℃(烘烤溫度)且0.5~60秒鐘(烘烤時間)的烘烤處理的步驟。如上所述，藉由對由特定摻合量的樹脂塗料形成的樹脂塗膜實施特定條件的烘烤處理，而將由樹脂塗膜賦予的樹脂基板與銅箔之間的剝離強度控制在特定範圍。在本發明中，烘烤溫度是樹脂基板的極限溫度。另外，作為用於烘烤處理的加熱手段，使用以往公知的裝置。
在烘烤變得不充分的條件、例如烘烤溫度未達125℃或烘烤時間未達0.5秒的情況下，樹脂塗膜變得硬化不足，所述剝離強度超過200gf/cm，而 剝離性降低。另外，在烘烤過度的條件、例如烘烤溫度超過320℃的情況下，樹脂塗膜劣化，所述剝離強度超過200gf/cm，而剝離時的作業性變差。或者，有樹脂基板因高溫而變質的情況。另外，在烘烤時間超過60秒的情況下，生產性變差。
在積層體的製造方法中，所述塗布步驟的樹脂塗料也可為由作為主劑的聚矽氧、作為硬化劑的環氧樹脂、三聚氰胺系樹脂、作為剝離劑的氟樹脂、和選自SiO2、MgO、Al2O3、BaSO4及Mg(OH)2中的一種以上的表面粗化粒子所構成的樹脂塗料。
具體來說，樹脂塗料是在所述聚矽氧添加樹脂溶液中進而添加表面粗化粒子而成。藉由將這種表面粗化粒子進而添加到樹脂塗料中，而使樹脂塗膜的表面變得凹凸，藉由所述凹凸使樹脂基板或銅箔變得凹凸，而成為消光表面。而且，為了獲得這種具有消光表面的樹脂基板或銅箔，較佳為樹脂塗料中的表面粗化粒子的摻合量(添加量)相對於聚矽氧100質量份為1~10質量份。另外，進而較佳為表面粗化粒子的粒徑為15nm~4μm。
本發明的製造方法如以上所說明的那樣，但當進行本發明時，在不會對所述各步驟造成不良影響的範圍內，也可在所述各步驟之間或前後，包括其他步驟。例如，也可在塗布步驟之前進行對樹脂基板的表面進行清洗的清洗步驟。
此外，本發明的脫模層也可為具有選自由合金、金屬、有機物及無機物所組成的群中的一種以上的層。作為所述合金、金屬、有機物、無機物，也可使用本申請的說明書中記載的合金、金屬、有機物或無機物。
‧可積層於附脫模層的銅箔的脫模層側的支持體或樹脂(後述絕緣基板1)
作為可積層於附脫模層的銅箔的脫模層側的樹脂，可使用公知的樹脂。另 外，所述樹脂可使用後述樹脂層。另外，作為可積層於附脫模層的銅箔的脫模層側的樹脂，沒有特別限制，可使用所有樹脂。另外，作為可積層於附脫模層的銅箔的脫模層側的樹脂，例如可使用酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、氟樹脂、液晶聚合物樹脂、環烯烴聚合物樹脂、聚乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、氯乙烯樹脂、天然橡膠、松脂等。另外，可積層於附脫模層的銅箔的脫模層側的樹脂較佳為熱硬化性樹脂。另外，作為可積層於附脫模層的銅箔的脫模層側的樹脂，也可使用預浸體。與銅箔貼合前的預浸體較佳為處於B階段的狀態的預浸體。如果預浸體(C階段)的線膨脹係數為12~18(×10-6/℃)，則與作為基板的構成材料的銅箔的16.5(×10-6/℃)、或SUS壓製板的17.3(×10-6/℃)幾乎相等，因此在不易產生因壓製前後的基板尺寸與設計時的基板尺寸不同的現象(尺度變化)引起的電路的位置偏移的方面有利。進而，作為這些優點的協同效應，也可生產多層的極薄無芯基板。此處使用的預浸體可與構成電路基板的預浸體相同也可不同。
關於所述預浸體，就將加熱後的剝離強度維持在最佳範圍的觀點來說，較佳為具有高玻璃轉移溫度Tg，例如為120~320℃、較佳為170~240℃的玻璃轉移溫度Tg。此外，玻璃轉移溫度Tg設為利用DSC(示差掃描熱測量法)測量的值。
另外，理想的是樹脂或預浸體或支持體的熱膨脹率為銅箔的熱膨脹率的+10%且-30%以內。藉此，可有效地防止起因於銅箔與樹脂的熱膨脹差的電路的位置偏移，而可使不良品產生減少，使良率提升。作為支持體，也可使用金屬板或金屬箔。
樹脂或支持體的厚度沒有特別限制。另外，樹脂或支持體可為剛性也可為撓性。此外，如果樹脂或支持體的厚度過厚，則會對熱壓中的熱分佈造成不良影響，另一方面，如果過薄，則有時會彎曲而使印刷配線板的製造 步驟無法進行，因此樹脂或支持體的厚度通常較佳為5μm以上且1000μm以下。另外，樹脂或支持體的厚度更佳為50μm以上且900μm以下，進而更佳為100μm以上且400μm以下。
<積層體>
可使用本發明的附脫模層的銅箔製作積層體(覆銅積層體等)。
作為使用本發明的附脫模層的銅箔的積層體，例如也可為依序積層「支持體或樹脂或預浸體/脫模層/銅箔/阻隔層」的構成。
所述支持體或樹脂或預浸體可為後述樹脂層，也可包含用於後述樹脂層的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。此外，附脫模層的銅箔也可在俯視時小於支持體或樹脂或預浸體。
<粗化處理及其他表面處理>
在附脫模層的銅箔的阻隔層的與銅箔為相反側的表面或附脫模層的銅箔的銅箔與阻隔層之間，例如也可藉由實施粗化處理而設置粗化處理層，以使與絕緣基板或樹脂的密接性良好。粗化處理例如可藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理也可為微細的粗化處理。粗化處理層也可為由選自由Cu(銅)、Ni(鎳)、P(磷)、W(鎢)、As(砷)、Mo(鉬)、Cr(鉻)、Ti(鈦)、Fe(鐵)、V(釩)、Co(鈷)及Zn(鋅)所組成的群中的任一種單質或含有任一種以上所述單質的合金所構成的層等。另外，也可在利用銅或銅合金形成粗化粒子後，進而進行利用鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。之後，也可利用鎳、鈷、銅、鋅、錫、鉬、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的單質及/或合金及/或氧化物及/或氮化物及/或矽化物等形成耐熱層或防銹層，也可進而對所述耐熱層或防銹層的表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者，也可不進 行粗化處理，而利用鎳、鈷、銅、鋅、錫、鉬、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的單質及/或合金及/或氧化物及/或氮化物及/或矽化物等形成耐熱層或防銹層，進而對所述耐熱層或防銹層的表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，也可在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層，也可在附脫模層的銅箔的阻隔層的與銅箔為相反側的表面或附脫模層的銅箔的銅箔與阻隔層之間，形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。另外，也可在附脫模層的銅箔的阻隔層的與銅箔為相反側的表面或附脫模層的銅箔的銅箔與阻隔層之間，形成選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。另外，也可在附脫模層的銅箔的銅箔與脫模層之間，形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。所述耐熱層也可為銅層。所述防銹層也可為銅層。此外，所述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層也可分別由多個層形成(例如2層以上、3層以上等)。
例如，作為粗化處理的銅-鈷-鎳合金鍍覆可以藉由電解鍍覆形成像附著量為15~40mg/dm2的銅-100~3000μg/dm2的鈷-100~1500μg/dm2的鎳這樣的3元系合金層的方式實施。如果Co附著量未達100μg/dm2，則有耐熱性變差而蝕刻性變差的情況。如果Co附著量超過3000μg/dm2，則在必須考慮磁性影響的情況下不佳，有產生蝕刻斑點以及耐酸性及耐化學品性變差的情況。如果Ni附著量未達100μg/dm2，則有耐熱性變差的情況。另一方面，如果Ni附著量超過1500μg/dm2，則有蝕刻殘留變多的情況。較佳的Co附著量為1000~2500μg/dm2，較佳的鎳附著量為500~1200μg/dm2。在此，所謂蝕刻斑點，是指在利用氯化銅進行蝕刻的情況下，Co不溶解而殘留，而且，所謂蝕 刻殘留，是指在利用氯化銨進行鹼蝕刻的情況下，Ni不溶解而殘留。
用以形成這種3元系銅-鈷-鎳合金鍍覆的一般浴及鍍覆條件的一個例子如下所述：鍍覆浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
鍍覆時間：1~5秒
所述鉻酸鹽處理層是指利用包含鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體處理過的層。鉻酸鹽處理層也可包含Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Sn、As及Ti等元素(也可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可列舉利用鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理過的鉻酸鹽處理層或利用包含鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液處理過的鉻酸鹽處理層等。
所述矽烷偶合處理層可使用公知的矽烷偶合劑而形成，也可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。此外，這種矽烷偶合劑也可將兩種以上混合而使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑而形成的矽烷偶合處理層。
另外，可對附脫模層的銅箔的阻隔層側的表面或粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或鉻酸鹽處理層的表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815 號、日本特開2013-19056號中記載的表面處理。
另外，可在附脫模層的銅箔的阻隔層側的表面或附脫模層的銅箔的銅箔與阻隔層之間具備粗化處理層，也可在所述粗化處理層上具備一個以上的選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的層。
另外，可在附脫模層的銅箔的阻隔層側的表面或附脫模層的銅箔的銅箔與阻隔層之間具備粗化處理層，可在所述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，可在所述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，也可在所述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
另外，也可在附脫模層的銅箔的阻隔層側的表面或附脫模層的銅箔的銅箔與阻隔層之間或所述粗化處理層上、或所述耐熱層、或所述防銹層、或所述鉻酸鹽處理層、或所述矽烷偶合處理層上具備樹脂層。所述樹脂層也可為絕緣樹脂層。
所述樹脂層可為接著劑，也可為接著用的半硬化狀態(B階段)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，是指即使用手指觸摸該樹脂層的表面也沒有黏著感，而可將所述絕緣樹脂層重疊進行保管，進而包含如果受到加熱處理則會發生硬化反應的狀態。
另外，所述樹脂層可包含熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，所述樹脂層也可包含熱塑性樹脂。熱塑性樹脂的種類沒有特別限定，例如，作為較佳的熱塑性樹脂，可列舉包含選自以下的樹脂的群中的一種以上的樹脂：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮醛樹脂、胺酯樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯 醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸的酸酐、多元羧酸的酸酐、具有可交聯的官能基的線性聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、磷腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧樹脂、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂。
另外，所述環氧樹脂只要在分子內具有2個以上的環氧基且可用於電氣、電子材料用途，則可沒有特別問題地使用。另外，所述環氧樹脂較佳為使用分子內具有2個以上的縮水甘油基的化合物進行環氧化而成的環氧樹脂。另外，所述環氧樹脂可將選自以下的樹脂的群中的一種或兩種以上混合而使用：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷的環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，或者可使用所述環氧樹脂的氫化體或鹵化體。
作為所述含磷的環氧樹脂，可使用公知的含有磷的環氧樹脂。另外，所述含磷的環氧樹脂例如較佳為作為來自分子內具備2個以上的環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物的衍生物而獲得的環氧樹脂。
所述樹脂層可包含公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促 進劑、介電體(也可使用包含無機化合物及/或有機化合物的介電體、包含金屬氧化物的介電體等任何介電體)、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。另外，所述樹脂層也可使用以下的文獻中所記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成：例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號。
將這些樹脂溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑而製成樹脂溶液，並藉由例如輥式塗布機法等將所述樹脂溶液塗布在附脫模層的銅箔的阻隔層側的表面、或所述粗化處理層、所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸 鹽皮膜層、或所述矽烷偶合劑層上，接著視需要進行加熱乾燥將溶劑去除，而成為B階段狀態。乾燥可使用例如熱風乾燥爐，乾燥溫度可為100~250℃、較佳為130~200℃。
具備所述樹脂層的附脫模層的銅箔(附有樹脂的附脫模層的銅箔)是以如下的態樣使用：將所述樹脂層重疊於基材後，對整體進行熱壓接而使所述樹脂層熱硬化，從而在銅箔的阻隔層側表面形成特定的配線圖案。
如果使用所述附有樹脂的附脫模層的銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時的預浸體材的使用片數。而且，可使樹脂層的厚度成為像可確保層間絕緣那樣的厚度，或者即使完全不使用預浸體材也可製造覆銅積層板。另外，此時，也可在基材的表面將絕緣樹脂進行底漆塗布而進一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用預浸體材的情況下，具有如下優點：節約了預浸體材的材料成本，另外，積層步驟也變得簡略，因此經濟上變得有利，而且，與預浸體材的厚度相應地，製造的多層印刷配線基板的厚度變薄，可製造1層的厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板。
所述樹脂層的厚度較佳為0.1~80μm。如果樹脂層的厚度薄於0.1μm，則接著力降低，在不介置預浸體材而將所述附有樹脂的附脫模層的銅箔積層於具備內層材的基材時，存在難以確保與內層材的電路之間的層間絕緣的情況。
另一方面，如果使樹脂層的厚度厚於80μm，則難以藉由1次塗布步驟形成目標厚度的樹脂層，而要花費額外的材料費和工時，因此經濟上變得不利。進而，所形成的樹脂層的可撓性變差，因此有時在操作時容易產生裂痕等，另外，在與內層材的熱壓接時引起多餘的樹脂流動而難以進行順暢的積層。
作為附有樹脂的附脫模層的銅箔的另一個製品形態，也可在附脫模層的銅箔的阻隔層側的表面、或所述粗化處理層、所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽處理層、或所述矽烷偶合處理層上，利用樹脂層進行被覆，成為半硬化狀態後，以附有樹脂的銅箔的形式進行製造。
進而，藉由在印刷配線板搭載電子零件類，而完成印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」也包含像所述那樣搭載了電子零件類的印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
另外，可使用所述印刷配線板製作電子機器，也可使用所述搭載了電子零件類的印刷電路板製作電子機器，還可使用所述搭載了電子零件類的印刷基板製作電子機器。以下，表示若干使用本發明的附脫模層的銅箔的印刷配線板的製造步驟的例子。
以下，對印刷配線板的製造方法的例子進行說明，所述印刷配線板的製造方法包括使用本發明的附脫模層的銅箔形成埋入電路的步驟。此外，在本說明書中，「電路」的概念包括配線。
圖1~圖4表示用以說明使用本發明的一實施形態的附脫模層的銅箔的埋入電路的形成方法的示意圖。使用本發明的一實施形態的附脫模層的銅箔的埋入電路的形成方法是首先在本發明的附脫模層的銅箔(圖1a)的所述脫模層30側積層絕緣基板1(圖1b)。其次，在積層了絕緣基板1的附脫模層的銅箔的阻隔層10側設置經圖案化的抗鍍覆層40(圖1c)。其次，在設置了經圖案化的抗鍍覆層40的阻隔層10上設置鍍銅層50(圖2d)。其次，藉由將抗鍍覆層40去除而形成鍍銅電路51(圖2e)。其次，藉由利用絕緣基板2覆蓋鍍銅電路51而將鍍銅電路51埋入(圖2f)。另外，此時，可進而在絕緣基板2上設置銅箔60(圖3g)，也可接著對所述銅箔60進行蝕刻，藉此形成鍍銅電路61(圖3h)。其次，藉由將脫模層30側的表面的絕緣基板1去除而使附脫模層的銅箔 的脫模層30側的表面露出(圖3i)。其次，利用蝕刻將銅箔20自露出的脫模層30側的表面去除而使阻隔層10的表面露出(圖4j)。其次，利用蝕刻將露出的阻隔層10去除，藉此使埋入絕緣基板2中的電路露出(圖4k)。以所述方式獲得埋入電路，從而可製造使用所述埋入電路的印刷配線板。
另外，在圖1b的步驟後，也可在絕緣基板1的未積層附脫模層的銅箔一側的表面，如圖5所示，積層另一附脫模層的銅箔，即，製作依序積層阻隔層10/銅箔20/脫模層30/絕緣基板1/脫模層31/銅箔21/阻隔層11而成的積層體。在所述情況下，也可在絕緣基板1的一表面的附脫模層的銅箔，以圖1c~圖4k的方式形成埋入電路，另一方面，在絕緣基板1的另一表面的附脫模層的銅箔，也以同樣的程序形成埋入電路。此外，在所述印刷配線板的製造方法中，也可將所述絕緣基板1改稱為所述支持體。
此外，絕緣基板1及2可使用埋入樹脂(RESIN)。所述埋入樹脂可使用公知的樹脂、預浸體。例如可使用BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或作為含浸有BT樹脂的玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，所述絕緣基板1及2及所述埋入樹脂(RESIN)可使用公知的樹脂或本說明書中記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
本發明的印刷配線板的製造方法也可為包含如下步驟的印刷配線板的製造方法(無芯法(coreless method))：將本發明的附脫模層的銅箔的所述阻隔層側表面或所述脫模層側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在與和所述樹脂基板積層的阻隔層側表面或所述脫模層側表面為相反側的附脫模層的銅箔的表面，至少設置1次樹脂層和電路這兩層的步驟；及形成所述樹脂層及電路這兩層後，自所述附脫模層的銅箔使所述樹脂層及電路這兩層剝離的步驟。此外，樹脂層及電路這兩層可依序設置樹脂層、電路，也可依序設置電路、樹脂層。關於所述無芯法，作為具體的例子，首先，將本發明的附脫模層 的銅箔的阻隔層側表面或脫模層側表面與樹脂基板積層而製造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。之後，在與和樹脂基板積層的阻隔層側表面或所述脫模層側表面為相反側的附脫模層的銅箔的表面形成樹脂層。也可在形成於脫模層側表面或銅箔側表面的樹脂層，進而自脫模層側或阻隔層側積層另一附脫模層的銅箔。另外，也可將具有如下構成的積層體用於所述印刷配線板的製造方法(無芯法)：以樹脂基板或樹脂或預浸體為中心，在所述樹脂基板或樹脂或預浸體的兩個表面側，以脫模層/銅箔/阻隔層的順序或阻隔層/銅箔/脫模層的順序積層附脫模層的銅箔的構成；或依序積層「脫模層/銅箔/阻隔層/樹脂基板或樹脂或預浸體/脫模層/銅箔/阻隔層」的構成；或依序積層「脫模層/銅箔/阻隔層/樹脂基板或樹脂或預浸體/阻隔層/銅箔/脫模層」的構成；或依序積層「阻隔層/銅箔/脫模層/樹脂基板或樹脂或預浸體/脫模層/銅箔/阻隔層」的構成。而且，也可在所述積層體兩端的阻隔層或脫模層所露出的表面，設置另一樹脂層，進而在設置銅層或金屬層後，對所述銅層或金屬層進行加工，藉此形成電路或配線。進而，也可以將所述電路或配線埋入的方式(將所述電路或配線掩埋的方式)，將另一樹脂層設置於所述電路或配線上。另外，也可在所述積層體兩端的阻隔層或脫模層所露出的表面，設置銅或金屬的配線或電路，在所述配線或電路上設置另一樹脂層，利用所述另一樹脂將所述配線或電路埋入(將所述配線或電路掩埋)。之後，也可在另一樹脂層上進行電路或配線和樹脂層的形成。另外，這種電路或配線及樹脂層的形成也可進行1次以上(增層法)。而且，關於以所述方式形成的積層體(以下，也稱為積層體B)，可將各個附脫模層的銅箔自所述積層體剝離而製作無芯基板。此外，所述無芯基板的製作也可使用兩個附脫模層的銅箔，製作後述的具有阻隔層/銅箔/脫模層/脫模層/銅箔/阻隔層的構成的積層體或具有脫模層/銅箔/阻隔層/阻隔層/銅箔/脫模層的構成的積層體或具有脫模層/銅箔/阻隔層/脫模層/銅箔/阻隔層的構成的積層 體，將所述積層體用於中心。可在這些積層體(以下，也稱為積層體A)兩側的阻隔層或脫模層的表面，將樹脂層及電路這兩層設置1次以上，在將樹脂層及電路這兩層設置1次以上後，自各個附脫模層的銅箔將設置了一次以上的所述樹脂層及電路這兩層的層剝離，而製作無芯基板。此外，樹脂層及電路這兩層可依序設置樹脂層、電路，也可依序設置電路、樹脂層。所述積層體也可在阻隔層的表面、脫模層的表面、脫模層與脫模層之間、阻隔層與阻隔層之間、阻隔層與脫模層之間具有其他層。其他層也可為樹脂基板或樹脂層。此外，在本說明書中，「銅箔的表面」、「銅箔側表面」、「銅箔表面」、「脫模層的表面」、「脫模層側表面」、「脫模層表面」、「積層體的表面」、「積層體表面」、「阻隔層的表面」、「阻隔層側表面」、「阻隔層表面」的概念，在銅箔、脫模層、積層體、阻隔層在銅箔表面、脫模層表面、積層體表面、阻隔層表面具有其他層的情況下，包含所述其他層的表面(最表面)。另外，積層體較佳為具有阻隔層/銅箔/脫模層/一個或多個支持體/脫模層/銅箔/阻隔層的構成。原因在於，使用所述積層體製作無芯基板時，因為在無芯基板側配置阻隔層，所以在阻隔層上形成電路並將所述電路埋入的情況下，在去除阻隔層時可減少電路的侵蝕。
此外，在本說明書中，未特別記作「積層體A」或「積層體B」的「積層體」表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
此外，在所述無芯基板的製造方法中，藉由利用樹脂將附脫模層的銅箔或所述積層體(包含積層體A)的端面的一部分或全部覆蓋，在利用增層法製造印刷配線板時，可防止藥液滲入剝離層或構成積層體的一個附脫模層的銅箔與另一個附脫模層的銅箔之間，可防止因藥液滲入引起的附脫模層的銅箔的腐蝕，從而可使良率提升。作為此處所使用的「將附脫模層的銅箔的端面的一部分或全部覆蓋的樹脂」或「將積層體的端面的一部分或全部覆蓋的樹 脂」，可使用可用於樹脂層的樹脂或公知的樹脂。另外，在所述無芯基板的製造方法中，附脫模層的銅箔或積層體中俯視時附脫模層的銅箔或積層體的積層部分(脫模層與銅箔的積層部分或阻隔層與銅箔的積層部分或一個附脫模層的銅箔與另一個附脫模層的銅箔的積層部分)的外周的至少一部分也可由樹脂或預浸體覆蓋。另外，利用所述無芯基板的製造方法形成的積層體(積層體A)也可使一對附脫模層的銅箔可相互分離地接觸而構成。另外，也可遍及所述附脫模層的銅箔中俯視時附脫模層的銅箔或積層體的積層部分(脫模層與銅箔的積層部分或阻隔層與銅箔的積層部分或一個附脫模層的銅箔與另一個附脫模層的銅箔的積層部分)的外周的整體或積層部分的整個面由樹脂或預浸體覆蓋。另外，較佳為俯視時樹脂或預浸體大於附脫模層的銅箔或積層體或積層體的積層部分，較佳為製成具有如下構成的積層體：將所述樹脂或預浸體積層於附脫模層的銅箔或積層體的兩面，利用樹脂或預浸體將附脫模層的銅箔或積層體包裝(包裹)。藉由製成這種構成，在俯視附脫模層的銅箔或積層體時附脫模層的銅箔或積層體的積層部分由樹脂或預浸體覆蓋，可防止其他部件從所述部分的側方向、即相對於積層方向從橫側的方向碰撞，結果可減少操作中的脫模層與銅箔或附脫模層的銅箔彼此的剝落。另外，藉由以不使附脫模層的銅箔或積層體的積層部分的外周露出的方式由樹脂或預浸體覆蓋，可防止如上所述的藥液處理步驟中的藥液向所述積層部分的介面的滲入，從而可防止附脫模層的銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，在自積層體的一對附脫模層的銅箔將一個附脫模層的銅箔分離時，在由樹脂或預浸體覆蓋的附脫模層的銅箔或積層體的積層部分(脫模層與銅箔的積層部分或阻隔層與銅箔的積層部分或一個附脫模層的銅箔與另一個附脫模層的銅箔的積層部分)藉由樹脂或預浸體等牢固地密接的情況下，有時必須將所述積層部分等藉由切斷等去除。
也可將本發明的附脫模層的銅箔自脫模層側或阻隔層側積層於 另一個本發明的附脫模層的銅箔的脫模層側或阻隔層側而構成積層體。另外，也可為將所述一個附脫模層的銅箔的所述脫模層側表面或所述銅箔側表面與所述另一個附脫模層的銅箔的所述脫模層側表面或所述阻隔層側表面，視需要經由接著劑直接積層而獲得的積層體。另外，也可將所述一個附脫模層的銅箔的脫模層或阻隔層與所述另一個附脫模層的銅箔的脫模層或阻隔層相接合。在此，所述「接合」在脫模層或阻隔層具有表面處理層的情況下，也包含介隔所述表面處理層相互接合的態樣。另外，也可所述積層體的端面的一部分或全部由樹脂覆蓋。
脫模層彼此、阻隔層彼此、脫模層和阻隔層、附脫模層的銅箔彼此的積層除簡單地重疊以外，還可利用例如以下的方法進行。
(a)冶金接合方法：熔接(弧焊、TIG(鎢極惰性氣體)焊接、MIG(熔化極惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊、點焊)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、釺焊；(b)機械接合方法：鉚接、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚接的接合、利用鉚釘的接合)、縫合器；(c)物理接合方法：接著劑、(兩面)膠帶
藉由使用所述接合方法將一附脫模層的銅箔的一部分或全部與另一附脫模層的銅箔的一部分或全部接合，可製造以下的積層體，所述積層體是將一附脫模層的銅箔與另一附脫模層的銅箔積層，使附脫模層的銅箔彼此可分離地接觸而構成。在一附脫模層的銅箔與另一附脫模層的銅箔弱接合，而將一附脫模層的銅箔與另一附脫模層的銅箔積層的情況下，即使不將一附脫模層的銅箔與另一附脫模層的銅箔的接合部去除，一附脫模層的銅箔與另一附脫模層的銅箔也可分離。另外，在一附脫模層的銅箔與另一附脫模層的銅箔強接合的情況下，可藉由利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等將一附脫模層 的銅箔與另一附脫模層的銅箔相接合的部位去除，將一附脫模層的銅箔與另一附脫模層的銅箔分離。
另外，在像「阻隔層/銅箔/脫模層/樹脂基板或樹脂或預浸體/脫模層/銅箔/阻隔層」這樣構成的積層體，至少設置1次樹脂層和電路這兩層的步驟，及在使所述樹脂層及電路這兩層至少形成1次後，自所述積層體的附脫模層的銅箔剝離所述樹脂基板或樹脂或預浸體的步驟之後，藉由蝕刻將脫模層及銅箔去除。之後，使用可將阻隔層藉由蝕刻去除的蝕刻液將阻隔層去除，藉此可製作具有至少形成了1次所述樹脂層及電路這兩層的層且不具有芯的印刷配線板。此外，在所述積層體的一個或兩個表面，也可設置樹脂層和電路這兩層。此外，樹脂層及電路這兩層可依序設置樹脂層、電路，也可依序設置電路、樹脂層。
所述積層體所使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體可為本說明書中記載的樹脂層，也可包含本說明書中記載的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。
此外，所述附脫模層的銅箔或積層體也可在俯視時小於樹脂或預浸體或樹脂基板或樹脂層。
[實施例]
以下，藉由本發明的實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不受這些實施例的任何限定。
(實施例1：附脫模層的銅箔)
銅箔使用JX金屬股份有限公司製造的電解銅箔JTC箔(厚度35μm)，在所述電解銅箔的S面(光澤面)側，在以下的條件下，藉由電鍍形成厚度1μm的Ni層，作為阻隔層。
[鎳(Ni)鍍覆]
‧鍍覆液
鎳：20~200g/L
硼酸：5~60g/L
液溫：40~65℃
pH值：1.5~5.0
‧電流密度：0.5~20A/dm2
‧通電時間：1~20秒
‧攪拌(液體循環量)：100~1000L/分鐘
‧搬送速度：2~30m/分鐘
‧添加劑：一次光澤劑(糖精鈉：0.5~5g/L)、二次光澤劑(硫脲：0.05~1g/L)
之後，在以下的條件下，在電解銅箔的與阻隔層為相反側的表面形成脫模層。
‧矽烷偶合處理
處理液： 矽烷化合物：正丙基三甲氧基矽烷
矽烷濃度：0.4vol%
使用前的處理液攪拌時間：12小時
醇濃度：0vol%
pH值：4~7
處理時間：30秒(利用噴霧嘴的塗布)
(試驗結果)
使用實施例1的附脫模層的銅箔，使用預浸體FR-4作為積層於銅箔的脫模層側表面的樹脂(絕緣基板1)，使用環氧樹脂作為埋入樹脂(絕緣基板2)，如圖1~圖4所示，可製成埋入電路基板(印刷配線版)。

Claims (26)

  1. 一種附脫模層的銅箔，其依序具備脫模層、銅箔和阻隔層。
  2. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其中，所述阻隔層是C層、Ni層、Ti層、Cr層、V層、Zr層、Ta層、Au層、Pt層、Os層、Pd層、Ru層、Rh層、Ir層、W層，或者包含含有選自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si及Cr所組成的群中的任一種以上的合金的層，或者包含含有選自由Ni、Ti、V、Zr、Ta、Au、Pt、Os、Pd、Ru、Rh、Ir、W、Si及Cr所組成的群中的任一種以上的碳化物、氧化物或氮化物的層。
  3. 如申請專利範圍第1項之附脫模層的銅箔，其中，所述阻隔層由選自由Ni、Ti、Cr、氧化鈦、氧化鉻及碳所組成的群中的任一種或兩種或三種或四種或五種或六種所構成。
  4. 如申請專利範圍第2項之附脫模層的銅箔，其中，所述阻隔層由選自由Ni、Ti、Cr、氧化鈦、氧化鉻及碳所組成的群中的任一種或兩種或三種或四種或五種或六種所構成。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述阻隔層具有選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的一種以上的層。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述阻隔層是選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的任一種以上的層。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述阻隔層是選自由Ni層、Ti層及Cr層所組成的群中的任一種的層。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述阻隔層的厚度為0.001μm以上且10μm以下。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述銅箔的厚度為0.1μm以上且100μm以下。
  10. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述脫模層單獨或組合多種而具有下式所表示的矽烷化合物、所述矽烷化合物的水解產物、所述矽烷化合物的水解產物的縮合物， (式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的所述烴基，R 3及R 4分別獨立地為鹵素原子、或烷氧基、或選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子被鹵素原子取代的所述烴基)。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述脫模層具有分子內具有2個以下的巰基的化合物。
  12. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述脫模層單獨或組合多種而具有下式所表示的鋁酸鹽化合物、鈦酸鹽化合物、鋯酸鹽化合物、所述鋁酸鹽化合物的水解產物、所述鈦酸鹽化合物的水解產物、所述鋯酸鹽化合物的水解產物、所述鋁酸鹽化合物的水解產物的縮合物、所述鈦酸鹽化合物的水解產物的縮合物或所述鋯酸鹽化合物的水解產物的縮合物，(R 1) m-M-(R 2) n(式中，R 1為烷氧基或鹵素原子，R 2為選自由烷基、環烷基及芳基所組成的群中的烴基或一個以上的氫原子 被鹵素原子取代的所述烴基，M為Al、Ti或Zr，n為0、1或2，m為1以上且M的價數以下的整數，R 1中的至少一個為烷氧基；m+n為M的價數，即，當為Al時為3，當為Ti、Zr時為4)。
  13. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，所述脫模層具有樹脂塗膜，所述樹脂塗膜由聚矽氧，以及選自環氧系樹脂、三聚氰胺系樹脂及氟樹脂中的任一種或多種樹脂所構成。
  14. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，在所述銅箔與阻隔層之間，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
  15. 如申請專利範圍第14項之附脫模層的銅箔，其中，所述粗化處理層是由選自由Cu、Ni、P、W、As、Mo、Cr、Ti、Fe、V、Co及Zn所組成的群中的任一種單質或含有任一種以上所述單質的合金所構成的層。
  16. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，在所述阻隔層的與銅箔側為相反側的面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
  17. 如申請專利範圍第16項之附脫模層的銅箔，其中，所述粗化處理層是由選自由Cu、Ni、P、W、As、Mo、Cr、Ti、Fe、V、Co及Zn所組成的群中的任一種單質或含有任一種以上所述單質的合金所構成的層。
  18. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，在所述銅箔與脫模層之間，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
  19. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附脫模層的銅箔，其中，在所述脫模層側表面具備樹脂層。
  20. 一種積層體，其具有申請專利範圍第1至19項中任一項之附脫模層的銅箔。
  21. 一種積層體，其含有申請專利範圍第1至19項中任一項之附脫模層的銅箔和樹脂，且所述銅箔的端面的一部分或全部由所述樹脂覆蓋。
  22. 一種積層體，其具有兩個申請專利範圍第1至19項中任一項之附脫模層的銅箔、和樹脂，且其是將所述兩個附脫模層的銅箔中的一附脫模層的銅箔的所述脫模層側表面與所述樹脂的一面積層，將另一所述附脫模層的銅箔的所述脫模層側表面與所述樹脂的另一面積層而成。
  23. 一種印刷配線板的製造方法，其是使用申請專利範圍第1至19項中任一項之附脫模層的銅箔而製造印刷配線板。
  24. 一種印刷配線板的製造方法，其包括以下步驟：在申請專利範圍第1至19項中任一項之附脫模層的銅箔的所述脫模層側積層支持體或絕緣基板1的步驟；在積層了所述支持體或所述絕緣基板1的附脫模層的銅箔的所述阻隔層側設置經圖案化的抗鍍覆層的步驟；在設置了所述經圖案化的抗鍍覆層的所述阻隔層上設置鍍銅層後，將所述抗鍍覆層去除，藉此形成鍍銅電路的步驟；利用絕緣基板2覆蓋所述鍍銅電路，藉此將所述鍍銅電路埋入的步驟；將所述鍍銅電路埋入後，將所述脫模層側表面的所述支持體或所述絕緣基板1去除，藉此使所述附脫模層的銅箔的脫模層側表面露出的步驟；利用蝕刻將所述銅箔自所述露出的脫模層側表面去除而使所述阻隔層表面 露出的步驟；以及利用蝕刻將所述露出的阻隔層去除，藉此使埋入所述絕緣基板2中的電路露出的步驟。
  25. 一種印刷配線板的製造方法，其是使用申請專利範圍第20至22項中任一項之積層體而製造印刷配線板。
  26. 一種電子機器的製造方法，其是使用利用申請專利範圍第23至25項中任一項之印刷配線板的製造方法製造的印刷配線板而製造電子機器。
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