TW201835375A - 含Ｓｉ膜之成膜方法 - Google Patents

含Ｓｉ膜之成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201835375A
TW201835375A TW107103827A TW107103827A TW201835375A TW 201835375 A TW201835375 A TW 201835375A TW 107103827 A TW107103827 A TW 107103827A TW 107103827 A TW107103827 A TW 107103827A TW 201835375 A TW201835375 A TW 201835375A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
containing film
film
forming
vapor deposition
chemical vapor
Prior art date
Application number
TW107103827A
Other languages
English (en)
Inventor
野田直人
珍 馬克 吉拉德
伊旺 奧賽普科娃
久姆 德琉
Original Assignee
法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 filed Critical 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司
Publication of TW201835375A publication Critical patent/TW201835375A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4488—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by in situ generation of reactive gas by chemical or electrochemical reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本發明提供一種成膜製程，其用以於更低溫下於具有微細溝槽之基板上成膜空隙少之無縫之含Si膜。
本發明之含Si膜之成膜方法係藉由化學氣相沈積將含Si膜成膜於基板上之方法，其特徵在於：上述化學氣相沈積包含於化學氣相沈積腔室內使具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體於路易斯鹼觸媒存在下反應之步驟(a)。

Description

含Si膜之成膜方法
本發明係關於一種含Si膜之成膜方法。
以往，利用化學氣相蒸鍍(CVD)法所進行之含Si膜之成膜通常只能以超過400℃之類的高溫進行。因此，隨著近年來半導體製造製程之多樣化，經常看到含Si膜成膜製程中由於熱而對具有微細構造之半導體裝置造成損傷之情形。
作為一面抑制由熱引起之對半導體裝置之損傷，一面於低溫下於具有微細溝槽之基板上成膜空隙少之無縫膜之技術，已知有於具有流動性之狀態下成膜之由下而上(bottom-up)成膜(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平11-26449號公報
然而，如上述專利文獻1所揭示，以往之由下而上成膜限於Si氧化膜之成膜，尚未知進行其他含Si膜(例如，Si膜或SiC膜)之由下而上成膜之方法。因此，期望一種於更低溫下於具有微細溝槽之基板上成膜空隙少之無 縫之含Si膜的成膜製程。
本發明係為了解決上述課題之至少一部分而成者，可以下述態樣或應用例之形態實現。
[應用例1]
本發明之含Si膜之成膜方法之一態樣係藉由化學氣相沈積(以下，亦僅稱為「CVD」)將含Si膜成膜於基板上之方法，其特徵在於：上述化學氣相沈積包含於化學氣相沈積腔室內使具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體於路易斯鹼觸媒存在下反應之步驟(a)。
根據該應用例，具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體(例如，低聚矽烷類)於路易斯鹼存在下將路易斯鹼作為觸媒進行縮合反應，藉由該獲得之縮合物形成含Si膜。
[應用例2]
於應用例1之含Si膜之成膜方法中，於上述步驟(a)中，於上述化學氣相沈積腔室內可形成矽烯(silylene)作為反應中間物。
根據該應用例，具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體可將路易斯鹼作為觸媒形成作為具化學活性之反應中間物之矽烯。由於該矽烯反應性高，故而即便於先前無法實現之低溫度範圍內亦可藉由第1原料氣體之聚合反應形成含Si膜。
[應用例3]
於應用例1或應用例2之含Si膜之成膜方法中，上述含Si膜可將來自路易斯鹼之氮原子、碳原子、硼原子、硫原子及磷原子於含Si膜中之存在比合計設為0%以上5%以下。
根據該應用例，於上述反應中，由於路易斯鹼作為觸媒發揮作用，故而構成路易斯鹼之元素(氮原子、碳原子、硼原子、硫原子及磷原子)很少被引入所成膜之含Si膜中。因此，可獲得來自路易斯鹼之元素之含量低之含Si膜。
[應用例4]
於應用例1至應用例4中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述化學氣相沈積可於0℃以上400℃以下進行。
根據該應用例，可於含矽膜成膜製程中在不會因熱而對具有微細構造之半導體裝置造成損傷下形成含Si膜。
[應用例5]
於應用例1至應用例4中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述化學氣相沈積係藉由在具有凹部之基板上成膜含Si膜而填埋上述凹部之至少一部分之成膜步驟，可於使上述第1原料氣體縮合所獲得之聚合物具有流動性之狀態下填埋上述凹部。所謂凹部之至少一部分係指業者考慮到基板特性或含Si膜之膜厚等所能夠識別之範圍，例如指藉由含Si膜被覆凹部內之表面積之1%以上100%以下、較佳為5%以上100%以下之狀態。
先前未知利用未使用電漿之流動性CVD所進行之由下而上成膜。然而，根據該應用例，將矽烯作為反應中間物之第1原料氣體之縮合物於具有流動性之狀態下流入具有凹部之基板上，其後經過進一步之縮合反應進行沈積，藉此可於低溫下形成含Si膜。藉由此種流動性CVD可獲得空隙少之無縫之含Si膜。
[應用例6]
於應用例1至應用例5中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述第1原料氣體可使用下述通式(1)所表示之化合物。
SiaHbXc (1)
(通式(1)中，X為鹵素原子，a為2以上6以下，b為0以上13以下，c為1以上14以下)
根據該應用例，於第1原料氣體為具有至少1個以上Si-Si鍵及鹵素原子之低聚矽烷之情形時，藉由使路易斯鹼作為觸媒發揮作用而可於低溫下產生矽烯，獲得含Si膜。
[應用例7]
於應用例1至應用例6中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述第1原料氣體可為選自由六氯二矽烷、五氯二矽烷、四氯二矽烷、三氯二矽烷、二氯二矽烷、單氯二矽烷、八氯三矽烷、七氯三矽烷、六氯三矽烷、五氯三矽烷、四氯三矽烷、三氯三矽烷、二氯三矽烷及單氯三矽烷所組成之群中之至少一種氣體。
[應用例8]
於應用例1至應用例7中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述路易斯鹼可為選自由三級胺及雜環胺所組成之群中之至少一種化合物。
根據該應用例，由於三級胺或雜環胺容易作為觸媒發揮功能，故而變得容易獲得含氮量低並且純度高之含Si膜。
[應用例9]
於應用例8之含Si膜之成膜方法中，上述三級胺及上述雜環胺可為碳原子數為3以上24以下之烷基胺。
[應用例10]
於應用例1至應用例9中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述路易斯鹼可為選自由三甲胺、三乙胺、吡啶、嘧啶、吡及該等之衍 生物所組成之群中之至少一種化合物。
作為上述衍生物，例如可列舉：二甲基吡啶、二甲基嘧啶、甲基吡等。
於化學氣相沈積腔室中，需要供給路易斯鹼之蒸氣。因此，常溫下為氣體之三甲胺由於藉由質量流量控制器等流量控制手段容易控制流量，故而適合用於本應用例之含Si膜之成膜方法。
三乙胺及吡啶雖於常溫下為液體，但蒸氣壓力相對較高，故藉由起泡法可容易地供給蒸氣。
進而，與碳數多之烷基胺相比，三甲胺、三乙胺及吡啶由於蒸氣壓力高，故而藉由吹拂(purge)及/或減壓可容易地自成膜後之膜上去除，因此較為有利。
[應用例11]
於應用例1至應用例10中任一例之含Si膜之成膜方法中，可於化學氣相沈積腔室內壓力為0.1torr以上且大氣壓以下進行。
根據該應用例，藉由將化學氣相沈積腔室內壓力設為0.1torr以上而可維持所需之成膜速度，藉由設為大氣壓以下而可成膜污染少之無縫膜。
[應用例12]
於應用例1至應用例11中任一例之含Si膜之成膜方法中，進而包含添加第2原料氣體之步驟(b)，上述第2原料氣體可為選自由具有至少1個以上碳-碳不飽和鍵之化合物、非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體、及上述路易斯鹼所組成之群中之至少一種化合物。
根據該應用例，藉由使具有至少1個以上碳-碳雙鍵之化合物伴隨於CVD中而可於低溫下成膜不含N或P等來自路易斯鹼之原子之SiC膜。
[應用例13]
於應用例12之含Si膜之成膜方法中，上述第2原料氣體可為碳數為2以上10以下之化合物。
根據該應用例，由於第2原料氣體之蒸氣壓力高，故而可不降低成膜速度而成膜SiC膜。
[應用例14]
於應用例12或應用例13之含Si膜之成膜方法中，上述第2原料氣體可為鹵代烴。
根據該應用例，藉由使鹵代烴伴隨於CVD中而可於低溫下成膜不含鹵素原子或碳原子等來自路易斯鹼之原子之SiC膜。
[應用例15]
於應用例12至應用例14中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述第2原料氣體可為下述通式(2)所表示之化合物。
CaHbXc‧‧‧‧‧(2)
(上述通式(2)中，X表示鹵素原子，a表示2以上9以下之數，b表示0以上19以下之數，c表示1以上20以下之數)
[應用例16]
於應用例1至應用例15中任一例之含Si膜之成膜方法中，於上述化學氣相沈積中，可進而包含於選自由非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體、氮化性氣體及上述路易斯鹼所組成之群中之至少一種化合物之存在下進行處理之步驟(c)及/或進行能量束照射之步驟(d)。作為上述能量束照射，可設為離子束、電子束、或中子束之粒子射線及紫外線中任一種。
[應用例17]
於應用例16之含Si膜之成膜方法中，上述步驟(c)可於0℃以上800℃以下之溫度進行。
藉由步驟(c)中之利用非活性氣體、路易斯鹼及還原性氣體中任一種所進行之處理，形成Si膜或富Si氧化膜。若為利用氧化性氣體所進行之處理則獲得SiO2膜，若為利用氮化性氣體所進行之處理則獲得SiN膜。進而藉由設為進行加熱之退火處理而可製成耐氧化性高之膜。又，若為步驟(d)中之能量束照射則可進行所獲得之膜之改質。再者，可實施步驟(c)及步驟(d)兩者，亦可實施任一者。
[應用例18]
於應用例1至應用例17中任一例之含Si膜之成膜方法中，關於成膜於具有凹部之基板上之含Si膜之膜厚，較佳為上述凹部底面之膜厚厚於上述凹部側面之膜厚。
成膜後之含矽膜中底面之膜厚厚於側面之膜厚表示所成之膜為於具有流動性之狀態下成膜(以下，亦稱為「流動性CVD」)之流動性膜。藉由利用流動性CVD進行成膜，可獲得空隙少之無縫膜。
[應用例19]
於應用例1至應用例18中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述路易斯鹼中之含氧雜質可為0重量%以上1重量%以下。
根據該應用例，藉由使用含氧雜質為1重量%以下之路易斯鹼而可獲得含氧量少且具有流動性之均勻之膜。
[應用例20]
於應用例1至應用例19中任一例之含Si膜之成膜方法中，上述基板可具備具有1：1~20：1之深比寬(depth versus width)之深寬比的凹部。
具備具有上述範圍之深寬比的凹部之基板若利用無流動性之CVD則容易產生空隙，難以形成無縫膜，但根據該應用例，由於為利用流動性 CVD所進行之成膜方法，故而即便於具備具有上述範圍之深寬比的凹部之基板中亦可形成無縫膜。
根據本發明之含Si膜之成膜方法，具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體(例如，低聚矽烷類)將路易斯鹼作為觸媒進行縮合反應，形成作為具化學活性之反應中間物之矽烯。將該矽烯作為反應中間物之第1原料氣體之縮合物於具有流動性之狀態下流入基板上，其後經過進一步之縮合反應進行沈積，藉此可於低溫下形成含Si膜。藉由此種流動性CVD可獲得空隙少之無縫之含Si膜。
101‧‧‧CVD裝置
102‧‧‧化學氣相沈積腔室
103‧‧‧基板
200、201、202、203‧‧‧氣體配管
204、205、206‧‧‧質量流量控制器
301、302‧‧‧氮氣容器
303‧‧‧第2原料氣體容器
304‧‧‧第1原料氣體容器
305‧‧‧路易斯鹼容器
401、402、403、404‧‧‧閥
405‧‧‧APC閥
圖1係本實施形態中適用之CVD裝置之概略構成圖。
圖2係表示本實施形態之化學氣相沈積法之流程之圖。
圖3係表示本實施形態之化學氣相沈積法之另一流程之圖。
圖4係實施例1中之含矽膜之XPS分析結果。
圖5係實施例2中之含矽膜之XPS分析結果。
圖6係實施例3中之含矽膜之SEM照片。
圖7係實施例3中之含矽膜之XPS分析結果。
圖8係實施例5中之含矽膜之XPS分析結果。
以下，對本發明之較佳之實施形態進行詳細說明。再者，應理解為：本發明並不僅限定於以下所記載之實施形態，亦包含於不變更本發明主旨之範圍內所實施之各種變形例。
所謂「含Si膜」之用語係以如下含義而使用，即不僅包括含有矽以外之其他元素之膜，亦包括僅由矽構成之膜(矽膜)。
1.含Si膜之成膜方法
本實施形態之含Si膜之成膜方法，係藉由化學氣相沈積將含Si膜成膜於基板上之方法，其特徵在於：上述化學氣相沈積包含於化學氣相沈積腔室內使具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體於路易斯鹼觸媒存在下反應之步驟(a)。又，本實施形態之含Si膜之成膜方法中，亦可根據需要進而包含：添加第2原料氣體之步驟(b)；於選自由非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體、氮化性氣體及上述路易斯鹼所組成之群中之至少一種化合物之存在下進行處理之步驟(c)；及進行能量束照射之步驟(d)。
本實施形態之含Si膜之成膜方法可用於Si膜、SiC膜及其他各種含Si膜於基板上之成膜，可適用於半導體、電晶體、混合積體電路、電極材料、以及色素增感太陽電池等電子裝置領域中。
以下，對本實施形態之含Si膜之成膜方法中之各步驟逐個進行說明。
1.1.步驟(a)
步驟(a)係於化學氣相沈積腔室內使具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體於路易斯鹼觸媒存在下反應之步驟。於步驟(a)中為了於基板上形成含Si膜，可使用業者已知之任意之化學氣相沈積法。上述第1原料氣體及上述路易斯鹼觸媒可同時導入上述化學氣相沈積腔室內。導入時間可設為直至形成想要之厚度之流動性之含Si膜所需的時間。根據該方法，無需如ALD法般向腔室內導入材料氣體，進行吹拂自腔室去除材料氣體，其次向腔室內導入氧化劑，重複該等步驟而實施。可藉由電漿CVD法形成含Si膜，亦可藉由不使用電漿之CVD法形成。
又，步驟(a)中，較佳為不向化學氣相沈積腔室內導入氧化劑而使第1原料氣體於路易斯鹼觸媒存在下反應。若為不存在氧化劑之環境(較佳為0%~1%)，則可於路易斯鹼觸媒存在下以低溫形成矽烯(為具化學活性之反應中間物)，藉由流動性CVD形成含Si膜。另一方面，若為如ALD法般之存在氧化劑之環境，則難以產生矽烯之形成，容易形成無流動性之SiO2膜。即，藉由在不存在氧化劑之環境下進行步驟(a)，即便為具有凹部之基板，亦可藉由將第1原料氣體持續導入化學氣相沈積腔室內之CVD法成膜直至以填埋該凹部之一部分或全部之方式形成含Si膜。
以下，一面參照圖式，一面對步驟(a)中實施之化學氣相沈積法進行說明。圖1係本實施形態中較佳地使用之CVD裝置之概略構成圖。圖2係表示本實施形態之化學氣相沈積法之流程之圖。
首先，如圖1及圖2所示，將基板103收容於搭載於CVD裝置101內之化學氣相沈積腔室102內。於化學氣相沈積腔室102內，可收容用以堆積含矽膜之基板1~200個左右。供堆積含矽膜之基板103根據用途而不同。作為基板103之具體例，可列舉：金屬基板等固體基板(例如Au、Pd、Rh、Ru、W、Al、Ni、Ti、Co、Pt、以及TiSi2、CoSi2及NiSi2等金屬矽化物)、含金屬氮化物之基板(例如TaN、TiN、TiAlN、WN、TaCN、TiCN、TaSiN及TiSiN)、及包含半導體材料(例如Si、SiGe、GaAs、InP、金剛石、GaN及SiC)、絕緣體(例如SiO2、Si3N4、SiON、HfO2、Ta2O5、ZrO2、TiO2、Al2O3及鈦酸鋇鍶)、或該等材料之所有組合之其他基板，但不限定於該等。
此時，適當地調整APC閥405，將化學氣相沈積腔室102內之壓力設為特定之壓力，藉由溫度調節機構(未圖示)將化學氣相沈積腔室102內之溫度設為特定之溫度。
繼而，將具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體、及作為觸媒之 路易斯鹼之蒸氣導入化學氣相沈積腔室102內。此時，亦可根據需要將第2原料氣體導入化學氣相沈積腔室102內(步驟(b))。關於該步驟(b)，以下將進行說明。化學氣相沈積腔室102只要可於內部進行化學氣相沈積法，則並不特別限定，例如可為低溫壁型反應器、高溫壁型反應器、單一晶圓反應器、多晶圓反應器及其他類型之堆積系統。
導入化學氣相沈積腔室102內之第1原料氣體之流量藉由質量流量控制器(以下亦稱為「MFC」)204設為例如0.1SCCM~2000SCCM之範圍內之流量。導入化學氣相沈積腔室102內之路易斯鹼之流量藉由MFC205設為例如換算成第1原料氣體之流量(SCCM)/路易斯鹼之流量(SCCM)之比時為0.01~100，更佳為0.05~10之範圍內之流量。
第1原料氣體及路易斯鹼之蒸氣自第1原料氣體容器304及路易斯鹼容器305分別向化學氣相沈積腔室102供給。於第1原料氣體或路易斯鹼為液體狀態之情形時，可不伴隨載氣而僅供給第1原料氣體或路易斯鹼之蒸氣，亦可將載氣導入第1原料氣體容器304或路易斯鹼容器305內，伴隨載氣而導入。亦可進行直接注射方式之導入，即，將第1原料氣體或路易斯鹼之液滴滴加於加熱器上，導入所產生之蒸氣。於第1原料氣體或路易斯鹼為固體之情形時，導入昇華氣體。
藉由第1原料氣體於路易斯鹼觸媒存在下於基板103上形成含Si膜。其後，將第1原料氣體及路易斯鹼藉由吹拂自化學氣相沈積腔室102去除。進而將化學氣相沈積腔室102內之壓力藉由APC閥405恢復至大氣壓，藉由溫度調節機構將化學氣相沈積腔室102內之溫度恢復至室溫，取出基板103。
<第1原料氣體>
作為第1原料氣體，只要為具有1個以上Si-Si鍵之氣體，則無特別限定，較佳為具有Si-Si鍵之低聚矽烷類。具有Si-Si鍵之低聚矽烷類若不存在路易斯 鹼則反應性低，若於路易斯鹼存在下則將路易斯鹼作為觸媒進行縮合反應，藉由所得之縮合物形成含Si膜。又，由於該縮合物具有流動性，故而例如於基板上形成有凹部之情形時，流入至該基板上之凹部，其後一面緩緩地高分子化，一面於凹部之壁面及底面形成含Si膜。
作為第1原料氣體，更佳為下述通式(1)所表示之化合物。
SiaHbXc (1)
(通式(1)中，X為鹵素原子，a為2以上6以下，b為0以上13以下，c為1以上14以下)
上述通式(1)中，作為X之鹵素原子，可列舉：F、Cl、Br、I等，較佳為Cl。再者，於a、b、c間，存在2a+2=b+c之關係。a為2以上6以下，較佳為2以上5以下，更佳為2以上4以下，特佳為2以上3以下。b為0以上13以下，較佳為0以上10以下，更佳為0以上8以下，特佳為1以上6以下。c為1以上14以下，較佳為1以上10以下，更佳為1以上8以下，特佳為1以上6以下。
一般而言，為了藉由具有Si-Si鍵之化合物之分解於液相中產生矽烯，需要400℃以上之高溫。又，未知氣相中之矽烯之產生。然而，上述通式(1)所表示之化合物藉由使路易斯鹼作為觸媒發揮作用，可於低溫下形成作為具化學活性之反應中間物之矽烯。由於該矽烯反應性高，故而即便於先前無法實現之低溫度範圍內亦可藉由第1原料氣體之聚合反應形成含Si膜。
再者，作為上述通式(1)所表示之化合物，亦可為不具有氫原子之鹵化矽(b=0)，但更佳為具有1個以上氫原子之鹵化矽。
作為上述通式(1)所表示之化合物之具體例，可列舉：六氯二矽烷、五氯二矽烷、四氯二矽烷、三氯二矽烷、二氯二矽烷、單氯二矽烷、八氯三矽烷、七氯三矽烷、六氯三矽烷、五氯三矽烷、四氯三矽烷、三氯三矽烷、二氯三矽烷、單氯三矽烷等。該等之中，自反應性優異之觀點而言，較佳 為六氯二矽烷(以下，亦稱為「HCDS」)及五氯二矽烷(以下，亦稱為「PCDS」)，更佳為五氯二矽烷。該等可單獨使用1種，亦可混合使用2種以上。
六氯二矽烷於液相中在為路易斯鹼之三甲胺存在下將矽烯作為反應中間物生成全氯新戊矽烷(Si(SiCl3)4)，但不會由全氯新戊矽烷進而進行縮合，而無法獲得作為縮合物之含Si膜。然而，根據本實施形態之含Si膜之成膜方法，由於在氣相中使六氯二矽烷於路易斯鹼觸媒存在下進行縮合，故而可獲得含Si膜。
又，五氯二矽烷由於反應速度較六氯二矽烷更快，故而可以更高之成膜速度成膜含Si膜。推測其原因在於，產生自五氯二矽烷之矽烯具有高於產生自六氯二矽烷之矽烯之反應性。認為其原因在於：產生自六氯二矽烷之矽烯僅為Cl3Si：，產生自五氯二矽烷之矽烯為Cl2Si：及HClSi：之2種，而HClSi：之反應性高。
<矽烯形成之確認>
矽烯之反應性高，難以直接確認作為反應中間物之矽烯之存在。因此，一般而言，若為利用六氯二矽烷及三甲胺所進行之液相反應(下述之反應式)，則藉由所得之產物為全氯新戊矽烷而推測形成有矽烯(Cl2Si：)作為反應中間物。
Cl3Si-SiCl3((CH3)3N存在下)→(SiCl3)4Si
因此，使用29Si之NMR(核磁共振裝置)，對將五氯二矽烷及3種三級胺於室溫下於二乙醚中攪拌3小時所獲得之化合物進行分析。所得之化合物為不溶於二乙醚之縮合物及可溶於二乙醚之物質。分析該可溶於二乙醚之物質，結果如下表1所示，使用任一種三級胺之情形時皆以1：3之比率生成SiCl4與SiHCl3。自該結果證實：2種矽烯(Cl2Si：及HClSi：)作為反應中間物 而存在。
又，由於矽烯於化學氣相沈積腔室內瞬時發生聚合反應，故而難以於向化學氣相沈積腔室外取出基板之後確認其之形成。但，若向化學氣相沈積腔室內導入具有碳-碳雙鍵之化合物，則獲得具有SiC結構之反應產物，因此藉由檢測該反應產物而可驗證矽烯之存在。
具體而言，將相對於第1原料氣體例如為等倍~10倍之範圍內之莫耳數之具有碳-碳雙鍵的化合物(例如二甲基二乙烯基矽烷)之蒸氣導入化學氣相沈積腔室內，利用分析儀(例如氣相層析法)對化學氣相沈積腔室內之氣相進行分析，藉此可檢測具有SiC結構之化合物。
又，以下方法亦有效：將相對於第1原料氣體例如為等倍~10倍之範圍內之莫耳數之具有碳-碳雙鍵的化合物(例如二甲基二乙烯基矽烷)之蒸氣導入化學氣相沈積腔室內，藉由XPS對基板上所獲得之膜進行分析。相比不導入具有碳-碳雙鍵之化合物之情形，導入之情形時藉由膜中之碳原子量增加而可驗證矽烯之存在。
<路易斯鹼>
路易斯鹼作為觸媒發揮作用。作為路易斯鹼，只要為具有不共有之至少一個電子對之化合物，則無特別限定，較佳為選自由三級胺及雜環胺所組成之群中之至少一種化合物。藉由使用三級胺或雜環胺作為路易斯鹼而可儘量抑制第1原料氣體與路易斯鹼之反應，由於大致全部之路易斯鹼作為觸媒發揮作用，故而可獲得含氮量低並且純度高之含Si膜。
上述三級胺及上述雜環胺較佳為碳原子數為3以上24以下，更佳為碳原子數為3以上15以下。具有上述範圍內之碳原子數之三級胺或雜環胺由於蒸氣壓力相對較高，故而藉由吹拂及/或減壓可容易地自成膜後之膜上去除。因此，可抑制所得之含Si膜之碳污染等。
作為三級胺之具體例，可列舉：三甲胺、三乙胺、三乙醇胺、N,N-二異丙基乙胺、N,N,N',N'-四甲基乙二胺、N,N,N',N'-四甲基丙二胺、N,N,N',N",N"-五甲基二伸乙基三胺、N,N,N',N",N"-五甲基-(3-胺基丙基)乙二胺、N,N,N',N",N"-五甲基二伸丙基三胺、N,N,N',N'-四甲基胍等。作為雜環胺之具體例，可列舉：吡咯啶、哌啶、哌、啉、啶、1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷、吡咯、吡唑、咪唑、吡啶、嗒、嘧啶、吡、唑、噻唑、4-二甲胺基吡啶及該等之衍生物。作為上述衍生物之具體例，可列舉：二甲基吡啶、二甲基嘧啶、甲基吡等。
該等之中，路易斯鹼較佳為選自由三甲胺、三乙胺、吡啶、嘧啶及該等之衍生物所組成之群中之至少一種化合物。
於化學氣相沈積腔室中，需要供給路易斯鹼之蒸氣。因此，常溫下為氣體之三甲胺由於藉由質量流量控制器等流量控制手段容易控制流量，故而適合用於本實施形態之含Si膜之成膜方法。三乙胺及吡啶雖於常溫下為液體，但蒸氣壓力相對較高，故藉由起泡法可容易地供給蒸氣。進而，三甲胺、三乙胺及吡啶與碳數多之烷基胺相比，蒸氣壓力高，故藉由吹拂及/或減壓可容易地自成膜後之膜上去除。
本實施形態所使用之路易斯鹼較佳為該路易斯鹼中之含氧雜質為1重量%以下。藉由使用含氧雜質為1重量%以下之路易斯鹼而可降低成膜中之氧之污染，因此可獲得含氧量少之含Si膜。又，藉由使用含氧雜質為1重量%以下之路易斯鹼而可無損流動性地成膜，因此可獲得均勻之膜。
<化學氣相沈積之溫度>
步驟(a)中之化學氣相沈積可於上述第1原料氣體及上述路易斯鹼之熔點中任一較高者之溫度以上且上述路易斯鹼之分解溫度以下進行。
若步驟(a)中之化學氣相沈積之溫度為第1原料氣體及路易斯鹼之熔點以上，則於化學氣相沈積腔室內該等化合物不會凝固而以氣相狀態進行均勻混合。藉此，化學氣相沈積變得均勻，所得之含Si膜亦變為均勻者。例如，於使用五氯二矽烷作為第1原料氣體且使用吡啶作為路易斯鹼之情形時，由於五氯二矽烷之熔點為-5℃以下，吡啶之熔點為-42℃，故而可於0℃以上之溫度實施化學氣相沈積。
又，若為路易斯鹼之分解溫度以下，則可在不會因路易斯鹼之分解而使得路易斯鹼所含之原子引入至含Si膜中下，獲得純度高之含Si膜。例如，於使用吡啶作為路易斯鹼之情形時，可於吡啶之分解溫度以下之溫度實施化學氣相沈積。藉此，抑制由於作為路易斯鹼之吡啶之分解而將吡啶中之氮原子引入至含Si膜中形成SiN膜，可獲得純度高之含Si膜。
若考慮以上，則化學氣相沈積溫度之下限值較佳為0℃以上，更佳為5℃以上，進而較佳為20℃以上，特佳為50℃以上。另一方面，化學氣相沈積溫度之上限值較佳為400℃以下，更佳為300℃以下，進而較佳為250℃以下，特佳為200℃以下。再者，本說明書中，所謂「低溫」之用語具體指400℃以下之溫度。
以往，利用化學氣相沈積所進行之含Si膜之成膜係於超過400℃之高溫度區域實施，若於胺所代表之路易斯鹼存在下則形成SiN膜。根據本實施形態之含Si膜之成膜方法，可於迄今為此無法成膜含Si膜之400℃以下之低溫度區域內成膜含Si膜。作為可實現低溫度之含Si膜之成膜之主要原因，認為由於路易斯酸作為觸媒發揮作用，故而形成作為反應性高之中間物之矽烯。
於本實施形態之含Si膜之成膜方法中，所得之含Si膜較佳為來自路易斯鹼之氮原子、碳原子、硼原子、硫原子及磷原子於該含Si膜中之存在比合計為0%以上5%以下。於本實施形態中，若為路易斯鹼之分解溫度以下之溫度，則路易斯鹼作為觸媒發揮作用，故構成路易斯鹼之元素(氮原子、碳原子、硼原子、硫原子及磷原子等)很少被引入至所成膜之含Si膜中。因此，可獲得來自路易斯鹼之元素之含量低之含Si膜。
具體而言，於使用胺類(例如三乙胺)作為路易斯鹼之情形時，亦藉由在胺類之分解溫度以下之溫度成膜，使所得之含Si膜中之氮原子及碳原子存在比變為5%以下。
另一方面，於使用三甲基膦作為路易斯鹼之情形時，若於三甲基膦之分解溫度以上之溫度成膜則形成SiP膜。又，於使用三甲基硼作為路易斯鹼之情形時，若於三甲基硼之分解溫度以上之溫度成膜則形成SiB膜。
<化學氣相沈積腔室內之壓力>
步驟(a)中之化學氣相沈積腔室內之壓力之下限值較佳為0.1torr以上，更佳為1torr以上，特佳為10torr以上。另一方面，步驟(a)中之化學氣相沈積腔室內之壓力之上限值較佳為大氣壓以下，更佳為300torr以下，進而較佳為200torr以下，特佳為100torr以下。
藉由將步驟(a)中之化學氣相沈積腔室內之壓力設為0.1torr以上而可將化學氣相沈積腔室內之氣體濃度維持於特定濃度以上，進行成膜反應。又，藉由設為1torr以上而可更加提高成膜速度，若為10torr以上則可進一步加快成膜速度。
另一方面，藉由將步驟(a)中之化學氣相沈積腔室內之壓力設為大氣壓以下，容易藉由吹拂及/或減壓自化學氣相沈積腔室內去除路易斯鹼，可降低污染。又，藉由設為300torr以下，可更加提高路易斯鹼之去除效 率，若為200torr以下，則路易斯鹼之去除效率進一步提高，可降低污染。
1.2.步驟(b)
於本實施形態之含Si膜之成膜方法中，可進而包含添加第2原料氣體之步驟(b)。步驟(b)較佳於完成步驟(a)之後實施，但可於實施步驟(a)之階段將第2原料氣體導入化學氣相沈積腔室內，亦可於實施步驟(a)之前將第2原料氣體導入化學氣相沈積腔室內。但，於選擇下述氧化性氣體作為第2原料氣體之情形時，若於步驟(a)中共存氧化性氣體，則有不形成矽烯而形成無流動性之SiO2膜之虞，因此於完成步驟(a)之後實施步驟(b)，即，將氧化性氣體導入化學氣相沈積腔室內。
作為第2原料氣體，可列舉選自由具有至少1個以上碳-碳不飽和鍵之化合物、非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體、及上述路易斯鹼所組成之群中之至少一種化合物。
若使具有至少1個以上碳-碳不飽和鍵之化合物作為第2原料氣體伴隨於化學氣相沈積腔室內，則可於低溫下成膜不含N或P等來自路易斯鹼之原子之SiC膜。
具有至少1個以上碳-碳不飽和鍵之化合物較佳為碳數為2以上10以下之化合物。若使用碳數為2以上10以下之化合物，則有由於蒸氣壓力高故而成膜速度變快之傾向。
又，具有至少1個以上碳-碳不飽和鍵之化合物亦較佳為鹵代烴。若使此種鹵代烴伴隨於化學氣相沈積腔室內，則可於低溫下成膜不含鹵素原子或碳原子等來自路易斯鹼之原子之SiC膜。
又，作為鹵代烴，更佳為下述通式(2)所表示之化合物。
CaHbXc (2)
(通式(2)中，X為鹵素原子，a表示2以上9以下，b表示0以上19以下，c 表示1以上20以下之數)
上述通式(2)中，作為X之鹵素原子可列舉：F、Cl、Br、I等，較佳為Cl。再者，於a、b、c間，存在2a≧b+c之關係。a為2以上9以下，較佳為2以上8以下，更佳為2以上7以下，特佳為2以上6以下。b為0以上19以下，較佳為0以上16以下，更佳為0以上12以下，特佳為1以上10以下。c為1以上20以下，較佳為1以上10以下，更佳為1以上8以下，特佳為1以上6以下。
作為第2原料氣體，此種化合物之中較佳為乙烯基矽烷(vinylsilane)類。作為乙烯基矽烷類，例如可列舉：乙烯基矽烷、氯乙烯基矽烷、二氯乙烯基矽烷、三氯乙烯基矽烷、二甲基二乙烯基矽烷、三甲基乙烯基矽烷、氯二甲基乙烯基矽烷、二乙基二乙烯基矽烷、三乙基乙烯基矽烷、氯二乙基乙烯基矽烷。
於將非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體及路易斯鹼中至少任一者作為第2原料氣體導入化學氣相沈積腔室102內進行處理之情形時，形成Si膜、SiO2膜或富Si氧化膜。
作為非活性氣體，例如可列舉：He、Ar、Ne及N2。作為還原性氣體，例如可列舉H2。作為氧化性氣體，例如可列舉：O2、O3、H2O。作為路易斯鹼，可列舉與上述步驟(a)所使用之路易斯鹼相同者。
1.3.步驟(c)及步驟(d)
於本實施形態之含Si膜之成膜方法中，可進而包含於選自由非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體、氮化性氣體及上述路易斯鹼所組成之群中之至少一種化合物存在下進行處理之步驟(c)及/或進行能量束照射之步驟(d)。該步驟(c)及步驟(d)係於完成步驟(a)及/或步驟(b)之後實施。
以下，一面參照圖1及圖3所示之流程一面對步驟(c)及步驟(d)進行說明。
<步驟(c)>
如圖3所示，完成步驟(a)及/或步驟(b)之後，對化學氣相沈積腔室102內進行吹拂，適當地調整APC閥405，將化學氣相沈積腔室102內之壓力設為特定之壓力，藉由溫度調節機構(未圖示)將化學氣相沈積腔室102內之溫度設為特定之溫度。其後，將選自由非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體、氮化性氣體及上述路易斯鹼所組成之群中之至少一種化合物導入化學氣相沈積腔室102內進行處理。
此時之化學氣相沈積腔室102內之溫度之下限值較佳為0℃以上，更佳為100℃以上，特佳為200℃以上。另一方面，化學氣相沈積腔室102內之溫度之上限值較佳為800℃以下，更佳為700℃以下，進而較佳為600℃以下，特佳為400℃以下。
於將非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體及路易斯鹼中至少任一者導入化學氣相沈積腔室102內進行處理之情形時，可形成Si膜、SiO2膜或富Si氧化膜，而製成耐氧化性優異之膜。另一方面，於將氮化性氣體導入化學氣相沈積腔室內進行處理之情形時，可形成SiN膜而製成耐氧化性優異之膜。
作為非活性氣體之具體例，可列舉：Ar、N2、He、Kr、Ne等。作為還原性氣體之具體例，可列舉：H2、環己二烯、下述式(3)所表示之化合物、下述式(4)所表示之化合物。
(於上述式(3)及上述式(4)中，TMS表示三甲基矽基)
作為氧化性氣體之具體例，可列舉：O2、O3、N2O、NO2、H2O、H2O2、NH4OH/H2O2溶液、HCl/H2O2溶液。再者，於步驟(c)中，氧化性氣體與還原性氣體不同時使用。
作為氮化性氣體之具體例，可列舉：氨等一級胺、二乙胺等二級胺、環狀胺(但，相當於路易斯鹼者除外)。作為路易斯鹼，可列舉與上述步驟(a)所使用之路易斯鹼相同者。
<步驟(d)>
如圖3所示，完成步驟(a)及/或步驟(b)之後，亦可對化學氣相沈積腔室內102進行吹拂，進而進行對所得之含Si膜之表面進行能量束照射之步驟(d)。藉由步驟(d)可進行所得之含Si膜之改質。上述能量束照射可設為離子束、電子束、中子束之粒子射線及紫外線中任一種。
步驟(c)及步驟(d)可任意選擇，可實施兩者，亦可實施任一者。
1.4.實施態樣
根據本實施形態之含Si膜之成膜方法，將矽烯設為反應中間物之第1原料氣體之縮合物於具有流動性之狀態下流入基板上。因此，步驟(a)中之化學氣相沈積適合於藉由在具有凹部之基板上成膜含Si膜而填埋上述凹部之成膜步驟。於該情形時，由於第1原料氣體之縮合物於具有流動性之狀態下以填埋該凹部之至少一部分之方式流入基板上之凹部，故而其後藉由經過進一步之縮合反應進行沈積而容易於低溫下獲得空隙少之無縫之含Si膜。
於將本實施形態之含Si膜之成膜方法應用於具有凹部之基板之情形時，有上述凹部底面之膜厚相比上述凹部側面之膜厚而變厚之傾向。例如，凹部底面之膜厚相比上述凹部側面之自中央至上方之平均膜厚而厚50%以上。其表示所成之膜為第1原料氣體之縮合物於具有流動性之狀態下成膜(流 動性CVD)之流動性膜。如此，藉由利用流動性CVD進行成膜，可獲得空隙少之無縫之含Si膜。
又，本實施形態之含Si膜之成膜方法可應用於具有1：1~20：1之深比寬之深寬比的凹部之基板。於具有此種深度方向長於寬度方向之凹部之基板中，若藉由無流動性之化學氣相沈積進行成膜，則容易產生空隙，難以成膜無縫膜。然而，根據本實施形態之含Si膜之成膜方法，由於藉由流動性CVD進行成膜，故而即便為具有深度方向長於寬度方向之凹部之基板，亦由於第1原料氣體之縮合物於具有流動性之狀態下以填埋該凹部之至少一部分之方式流入，因此可獲得空隙少之無縫之含Si膜。
2.實施例
以下，基於實施例對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該等實施例。
2.1.實施例1
使用PCDS作為第1原料氣體，使用吡啶作為路易斯鹼，使用二甲基二乙烯基矽烷作為第2原料氣體(具有碳-碳雙鍵之化合物)，利用下述條件藉由化學氣相沈積法成膜於基板上。將如此獲得之膜利用XPS所得之分析結果示於圖4。
<成膜條件>
˙使用裝置：使用具有圖1所示之構成之裝置。圖1中之化學氣相沈積腔室(102)使用橫長圓筒型(直徑(內徑)48mm，長度1200mm，石英製)。
˙基板：SiO2及Si(經HF清潔過)
˙化學氣相沈積腔室內溫度：100℃
˙化學氣相沈積腔室內壓力：100Torr
˙氣體流量：PCDS(2.95sccm)、吡啶(5sccm)、二甲基二乙烯基矽烷 (10sccm)
˙堆積時間：30分鐘
如圖4所示，於所得之膜中檢測出約30%之存在比之碳原子，可知形成有SiC膜。再者，於化學氣相沈積腔室內為100℃時，由於PCDS自身之反應性低，故而若不存在路易斯鹼，則不會與二甲基二乙烯基矽烷反應而形成SiC膜。即，於路易斯鹼存在下獲得SiC膜可明確：產生作為活性種之矽烯作為反應中間物，矽烯與二甲基二乙烯基矽烷反應形成SiC膜，可以說藉由本實施例可確認矽烯之存在。
2.2.實施例2
使用PCDS作為第1原料氣體，使用吡啶作為路易斯鹼，利用下述條件藉由化學氣相沈積法成膜於基板上。將如此獲得之膜之利用XPS所得之分析結果示於圖5。
<成膜條件>
˙使用裝置：使用具有圖1所示之構成之裝置。化學氣相沈積腔室(102)使用橫長圓筒型(直徑(內徑)48mm，長度1200mm，石英製)。
˙基板：SiO2及Si(經HF清潔過)
˙化學氣相沈積腔室內溫度：25℃
˙化學氣相沈積腔室內壓力：100Torr
˙氣體流量：PCDS(2.95sccm)、吡啶(5sccm)
˙堆積時間：30分鐘
如圖5所示，所得之膜為純度高之Si膜，路易斯鹼所含之碳及氮原子於Si膜中之存在比合計為5%以下。
又，除了使用三甲基硼作為路易斯鹼以外，與實施例2同樣地成膜，結果所得之膜為Si膜，路易斯鹼之硼原子於Si膜中之存在比合計為5%以 下。
又，除了使用三甲基膦作為路易斯鹼以外，與實施例2同樣地成膜，結果所得之膜為Si膜，路易斯鹼所含之磷原子於Si膜中之存在比合計為5%以下。
進而，於上述實施例2之條件下，對相同堆積時間下，將步驟(a)中之化學氣相沈積腔室內壓力設為1torr之情形與設為10torr之情形進行比較。藉由SEM觀察所得之膜，結果皆可獲得來自路易斯鹼之污染少之無縫膜，但設為10torr之情形時膜厚變厚。藉此，可確認將化學氣相沈積腔室內壓力設為10torr之情形時成膜速度相比設為1torr之情形時得到提高。自以上可知：將步驟(a)中之化學氣相沈積內壓力設為1~100torr之情形時，可以良好之成膜速度獲得來自路易斯鹼之污染少之無縫膜。
2.3.實施例3
使用PCDS作為第1原料氣體，使用吡啶作為路易斯鹼，利用下述條件藉由化學氣相沈積法成膜於具有凹部之基板上。其後，於氧氣存在下以400℃對所得之膜進行加熱處理(退火)(步驟(c))。將如此獲得之膜之SEM照片示於圖6。又，將如此獲得之膜之利用XPS所得之分析結果示於圖7。再者，吡啶中之含氧雜質量為0.01重量%。
<成膜條件>
˙使用裝置：使用具有圖1所示之構成之裝置。化學氣相沈積腔室(102)使用橫長圓筒型(直徑(內徑)48mm，長度1200mm，石英製)。
˙基板：SiO2及Si(經HF清潔過)，凹部之深寬比深寬比(深比寬=5：1)
˙化學氣相沈積腔室內溫度：25℃
˙化學氣相沈積腔室內壓力：100Torr
˙氣體流量：PCDS(2.95sccm)、吡啶(5sccm)
˙堆積時間：30分鐘
圖6中，左上之照片表示成膜於凹部整體之含Si膜，將凹部之開口部上部(由圖中之A區域所示)之放大照片示於右上，將凹部側面(由圖中之B區域所示)之放大照片示於左下，將凹部底面(由圖中之C區域所示)之放大照片示於右下。可自圖6之SEM照片確認以下情形。
˙於A區域之放大圖中，邊緣部分膜厚較薄，以沿著側面流動之方式膜厚變厚，故而可確認形成流動性膜。
˙於B區域之放大圖中，可確認空隙少之無縫膜成膜為均勻之厚度。
˙於C區域之放大圖中，底面之膜厚厚於側面之膜厚，可確認形成於具有流動性之狀態下成膜之流動性膜。
如圖7所示，可確認：藉由氧氣存在下之加熱處理(退火)形成雜質少之SiO2膜。認為由於路易斯鹼所含之含氧雜質量為0.01重量%，故而於步驟(a)中形成流動性Si膜，並藉由其後之氧氣存在下之處理形成SiO2膜。
2.4.實施例4
除了使用三乙胺作為路易斯鹼以外，與實施例3同樣地成膜，結果亦與圖6及圖7相同。即，於圖6之SEM照片中可確認成膜流動性膜，將實施步驟(c)之後所獲得之膜藉由XPS進行分析，結果確認到雜質少之SiO2膜。三乙胺中之含氧雜質量為0.01重量%。
2.5.實施例5
使用PCDS作為第1原料氣體，使用吡啶作為路易斯鹼，使用異戊二烯作為第2原料氣體，利用下述條件藉由化學氣相沈積法成膜於基板上。將如此獲得之膜之利用XPS所得之分析結果示於圖8。
<成膜條件>
˙使用裝置：使用具有圖1所示之構成之裝置。化學氣相沈積腔室(102)使 用橫長圓筒型(直徑(內徑)48mm，長度1200mm，石英製)。
˙基板：SiO2及Si(經HF清潔過)
˙化學氣相沈積腔室內溫度：90℃
˙化學氣相沈積腔室內壓力：100Torr
˙氣體流量：PCDS(2.95sccm)、吡啶(5sccm)、異戊二烯(12sccm)
˙堆積時間：30分鐘
如圖8所示，於該情形時形成SiC膜(為含Si膜)。認為其原因在於，於100℃產生來自PCDS之矽烯，藉由矽烯與異戊二烯之聚合形成SiC膜。
本發明並不限定於上述實施形態，可進行各種變形。例如，本發明包含與實施形態所說明之構成實質上相同之構成(例如，功能、方法及結果相同之構成，或目的及效果相同之構成)。又，本發明包含將實施形態所說明之構成之非本質部分置換後的構成。又，本發明包含與實施形態所說明之構成起相同作用效果之構成或可達到相同目的之構成。又，本發明包含對實施形態所說明之構成附加公知技術而成之構成。

Claims (20)

  1. 一種含Si膜之成膜方法，其係藉由化學氣相沈積將含Si膜成膜於基板上之方法，其特徵在於：該化學氣相沈積包含於化學氣相沈積腔室內使具有1個以上Si-Si鍵之第1原料氣體於路易斯鹼觸媒存在下反應之步驟(a)。
  2. 如請求項1所述之含Si膜之成膜方法，其中，於該步驟(a)中，於該化學氣相沈積腔室內形成矽烯(silylene)作為反應中間物。
  3. 如請求項1或2所述之含Si膜之成膜方法，其中，該含Si膜係來自路易斯鹼之氮原子、碳原子、硼原子、硫原子及磷原子於含Si膜中之存在比合計為0%以上5%以下者。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該化學氣相沈積係於0℃以上400℃以下進行。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該化學氣相沈積係藉由在具有凹部之基板上成膜含Si膜而填埋該凹部之至少一部分之成膜步驟，於使該第1原料氣體縮合所獲得之聚合物具有流動性之狀態下填埋該凹部。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該第1原料氣體係下述通式(1)所表示之化合物：Si aH bX c (1)(通式(1)中，X為鹵素原子，a為2以上6以下，b為0以上13以下，c為1以上14以下)。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該第1原料氣體係選自由六氯二矽烷、五氯二矽烷、四氯二矽烷、三氯二矽烷、二氯二矽烷、單氯二矽烷、八氯三矽烷、七氯三矽烷、六氯三矽烷、五氯三矽烷、 四氯三矽烷、三氯三矽烷、二氯三矽烷及單氯三矽烷所組成之群中之至少一種氣體。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該路易斯鹼係選自由三級胺及雜環胺所組成之群中之至少一種化合物。
  9. 如請求項8所述之含Si膜之成膜方法，其中，該三級胺及該雜環胺係碳原子數為3以上24以下之烷基胺。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該路易斯鹼係選自由三甲胺、三乙胺、吡啶、嘧啶、吡 及該等之衍生物所組成之群中之至少一種化合物。
  11. 如請求項1至10中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該化學氣相沈積係於該化學氣相沈積腔室內壓力為0.1torr以上且大氣壓以下進行。
  12. 如請求項1至12中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，於該化學氣相沈積中進而包含添加第2原料氣體之步驟(b)，該第2原料氣體係選自由具有至少1個以上碳一碳不飽和鍵之化合物、非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體、及該路易斯鹼所組成之群中之至少一種化合物。
  13. 如請求項12所述之含Si膜之成膜方法，其中，該第2原料氣體係碳數為2以上10以下之化合物。
  14. 如請求項12或13所述之含Si膜之成膜方法，其中，該第2原料氣體係鹵代烴。
  15. 如請求項12至14中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該第2原料氣體係下述通式(2)所表示之化合物：C aH bX c‧‧‧‧‧(2)(該通式(2)中，X表示鹵素原子，a表示2以上9以下之數，b表示0以上 19以下之數，c表示1以上20以下之數)。
  16. 如請求項1至15中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，於該化學氣相沈積中進而包含於選自由非活性氣體、還原性氣體、氧化性氣體、氮化性氣體及該路易斯鹼所組成之群中之至少一種化合物之存在下進行處理之步驟(c)及/或進行能量束照射之步驟(d)，該能量束照射係包含離子束、電子束、中子束之粒子射線及紫外線中任一種之能量束照射。
  17. 如請求項16所述之含Si膜之成膜方法，其中，該步驟(c)係於0℃以上800℃以下之溫度進行。
  18. 如請求項1至17中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，關於成膜於具有凹部之基板上之含Si膜之膜厚，該凹部底面之膜厚厚於該凹部側面之膜厚。
  19. 如請求項1至18中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該路易斯鹼中之含氧雜質為0重量%以上1重量%以下。
  20. 如請求項1至19中任一項所述之含Si膜之成膜方法，其中，該基板具備具有1：1~20：1之深比寬(depth versus width)之深寬比的凹部。
TW107103827A 2017-02-16 2018-02-02 含Ｓｉ膜之成膜方法 TW201835375A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP2017-026860 2017-02-16
JP2017026860A JP7061432B2 (ja) 2017-02-16 2017-02-16 Ｓｉ含有膜の成膜方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201835375A true TW201835375A (zh) 2018-10-01

Family

ID=61231251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107103827A TW201835375A (zh) 2017-02-16 2018-02-02 含Ｓｉ膜之成膜方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20190376187A1 (zh)
JP (1) JP7061432B2 (zh)
KR (1) KR20190118599A (zh)
CN (1) CN110291223A (zh)
SG (1) SG11201906685UA (zh)
TW (1) TW201835375A (zh)
WO (1) WO2018149830A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102393833B1 (ko) 2015-06-16 2022-05-02 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 할라이도실란 화합물 및 조성물 및 이를 사용하여 규소-함유 막을 증착시키기 위한 공정
US11117807B2 (en) * 2017-06-23 2021-09-14 Jiangsu Nata Opto-Electronic Materials Co. Ltd. Method of making aluminum-free neopentasilane
US11643724B2 (en) * 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
FR3147295A1 (fr) * 2023-03-31 2024-10-04 Safran Ceramics Procédé de formation d'un revêtement par dépôt chimique en phase vapeur

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2822970B2 (ja) 1996-01-31 1998-11-11 日本電気株式会社 炭化硅素薄膜の形成方法
US7205187B2 (en) * 2005-01-18 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Micro-feature fill process and apparatus using hexachlorodisilane or other chlorine-containing silicon precursor
FR2887252A1 (fr) * 2005-06-21 2006-12-22 Air Liquide Procede de formation d'un film dielectrique et nouveaux precurseurs pour la mise en oeuvre de ce procede
US20080179715A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Micron Technology, Inc. Shallow trench isolation using atomic layer deposition during fabrication of a semiconductor device
US7867923B2 (en) * 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US7943531B2 (en) 2007-10-22 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate
JP2012031012A (ja) 2010-07-30 2012-02-16 Seiko Epson Corp 立方晶炭化珪素膜の製造方法
US9443736B2 (en) * 2012-05-25 2016-09-13 Entegris, Inc. Silylene compositions and methods of use thereof
EP2875166B1 (en) * 2012-07-20 2018-04-11 L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications
JP2013179332A (ja) 2013-04-26 2013-09-09 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP6456764B2 (ja) * 2015-04-28 2019-01-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201906685UA (en) 2019-08-27
WO2018149830A1 (en) 2018-08-23
KR20190118599A (ko) 2019-10-18
JP2018131661A (ja) 2018-08-23
JP7061432B2 (ja) 2022-04-28
CN110291223A (zh) 2019-09-27
US20190376187A1 (en) 2019-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10186420B2 (en) Formation of silicon-containing thin films
JP7320544B2 (ja) Ｓｉ含有膜形成組成物およびその使用方法
US11996284B2 (en) Formation of SiOCN thin films
US11515149B2 (en) Deposition of flowable silicon-containing films
JP2021061414A (ja) 低温でのＳｉＮの蒸着用Ｓｉ前駆体
US7297641B2 (en) Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers
KR101427142B1 (ko) 금속 규산염 막의 원자층 증착
CN110731003A (zh) 含钼的低电阻率的膜
KR20180077093A (ko) 기판 상에 구조물을 형성하는 방법
TW201835375A (zh) 含Ｓｉ膜之成膜方法
KR20090068179A (ko) 실리콘 이산화물을 포함하는 박막의 제조 방법
JP2007526399A (ja) 絶縁膜または金属膜を形成する方法
JP2020133002A (ja) 反応チャンバーにおいて循環堆積プロセスにより基材上に酸化ハフニウムランタン膜を堆積させるための方法
KR20240008929A (ko) 안정한 비스(알킬-아렌) 전이 금속 착물 및 이를 사용한 필름 증착 방법
JP7164789B2 (ja) ５５０℃以上の温度でＡＬＤを使用してＳｉ含有膜を堆積させるための前駆体及びプロセス
KR20240090860A (ko) 실리콘-함유 필름의 고온 원자 층 증착
WO2019209289A1 (en) Low temperature molybdenum film depositon utilizing boron nucleation layers
JP7425744B2 (ja) ホウ素核形成層を利用した低温モリブデン膜堆積
US20060198958A1 (en) Methods for producing silicon nitride films by vapor-phase growth
JP2024508907A (ja) シリコン及びホウ素を含む膜用の組成物及びそれを用いる方法
KR20190078536A (ko) 박막 형성용 조성물, 이를 이용한 박막 및 그 제조방법
KR20200058288A (ko) 반응 챔버 내의 기판 상에 금속 실리케이트 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조