TW201834232A - 可撓性顯示裝置及可撓性顯示裝置之密封方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係於可撓性基板上層積有有機EL顯示層與密封膜層之有機EL顯示裝置,具備有:在可撓性基板上為了驅動有機EL顯示層而設置於有機EL顯示層的周邊區域之周邊電路部;沿著周邊電路部的周緣部所設置,來將可撓性基板與密封膜層加以接合之低熔點金屬密封膜;以及,對應於低熔點金屬密封膜而設置於密封膜層上之加熱片。
Description
本發明關於一種於可撓性基板上層積有顯示層與密封膜層之可撓性顯示裝置,特別是可抑制密封膜層的周緣區域處之裂縫或龜裂的產生,並修復所產生的裂縫或龜裂之可撓性顯示裝置及可撓性顯示裝置之密封方法。
傳統的這種可撓性顯示裝置係覆蓋可撓性基板上所設置之有機EL顯示層來配置氣體阻絕性片體(密封膜層),且透過接著劑膜來將氣體阻絕性片體的周緣區域與基板加以接著(參閱例如日本特開2009-038003號公報)。
但上述般傳統的可撓性顯示裝置中,雖係使用環氧樹脂或壓克力樹脂等熱硬化性樹脂來作為接著劑膜,但由於該等樹脂不具塑性變形性,故若應用於例如折疊式或捲筒式可撓性有機EL顯示裝置的情況便會有裂縫或龜裂產生之問題。然後,一旦所產生之裂縫或龜裂無法修復,便會有有機EL顯示裝置的壽命縮短等可靠度的問題。
因此,本發明有鑑於上述般的問題點,其目的為提供一種可抑制密封膜層的周緣區域處之裂縫或龜裂的產生,並修復所產生的裂縫或龜裂之可撓性顯示裝置及可撓性顯示裝置之密封方法。
為達成上述目的,本發明之可撓性顯示裝置係於可撓性基板上層積有顯示層與密封膜層之可撓性顯示裝置,具備有:周邊電路部,係在該基板上為了驅動該顯示層而設置於該顯示層的周邊區域;低熔點金屬密封膜,係沿著該周邊電路部的周緣部所設置,來將該基板與該密封膜層加以接合; 以及加熱片,係對應於該低熔點金屬密封膜所設置。
又,本發明之可撓性顯示裝置的密封方法係於可撓性基板上層積有顯示層與密封膜層之可撓性顯示裝置的密封方法,會實行以下步驟;第1步驟,係在該基板上沿著為了驅動該顯示層而設置於該顯示層的周邊區域之周邊電路部的周緣部,來形成低熔點金屬密封膜;第2步驟,係覆蓋該顯示層、該周邊電路部及該低熔點金屬密封膜來配置該密封膜層;以及第3步驟,係使該低熔點金屬密封膜加熱熔融,來將該基板與該密封膜層加以接合。
依據本發明,由於所使用之低熔點金屬密封膜係具有塑性變形性,故可抑制密封膜層的周緣區域處之裂縫的產生。又,縱使產生例如裂縫或龜裂,藉由加熱對應於低熔點金屬密封膜所設置的加熱片來使低熔點金屬密封膜熔融或退火,便可修復上述裂縫或龜裂。從而,便可提高可撓性顯示裝置的可靠度。
1‧‧‧可撓性基板
2‧‧‧有機EL顯示層
3‧‧‧周邊電路部
4‧‧‧低熔點金屬密封膜
5、5’‧‧‧密封膜層
6‧‧‧加熱片
7‧‧‧樹脂層
8‧‧‧金屬配線
9‧‧‧金屬膜
10‧‧‧發熱電阻體
11‧‧‧絕緣材
12‧‧‧水分吸附膜
圖1係以剖面來顯示本發明之可撓性顯示裝置的第1實施型態之主要部分擴大前視圖。
圖2係顯示上述第1實施型態變形例之主要部分擴大前視圖。
圖3係說明本發明之可撓性顯示裝置的密封方法之工序圖。
圖4係說明本發明之可撓性顯示裝置的密封方法變形例之工序圖。
圖5係顯示折疊式可撓性顯示裝置之俯視圖。
圖6係以剖面來顯示本發明之可撓性顯示裝置的第2實施型態之主要部分擴大前視圖。
圖7係以剖面來顯示本發明之可撓性顯示裝置的第3實施型態之主要部分擴大前視圖。
圖8係以剖面來顯示本發明之可撓性顯示裝置的第4實施型態之主要部分擴大前視圖。
以下,依據添附圖式來詳細地說明本發明之實施型態。圖1係以剖面來顯示本發明之可撓性顯示裝置的第1實施型態之主要部分擴大前視圖。該可撓性顯示裝置係於可撓性基板上層積有顯示層與密封膜層,且具備有可撓性基板1、有機EL顯示層2、周邊電路部3、低熔點金屬密封膜4、密封膜層5及加熱片6所構成。此處係針對可撓性顯示裝置為有機EL顯示裝置的情況來加以說明。
上述可撓性基板1係用以支撐後述的有機EL顯示層2,相對於水分或氧具有高阻絕性,且具有彎曲性、耐熱性、蝕刻耐受性等發光元件所需的光學特性,可使用例如,為聚醯亞胺與聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之層積構造等,公知的阻絕膜。
上述可撓性基板1的上面係設置有有機EL顯示層2。該有機EL顯示層2係從可撓性基板1側陣列狀地配置有將陽極、正孔輸送層、發光層、電子輸送層、陰極加以層積形成的複數畫素,而為會對應於從外部透過後述周邊電路部3所供應的映像訊號而發光之顯示層。
上述可撓性基板1上,在上述有機EL顯示層2的周邊區域係設置有周邊電路部3。該周邊電路部3會將從外部具備的驅動電路部所供應之映像訊號傳達至上述有機EL顯示層2的各畫素,係於聚醯亞胺膜等樹脂層7的內部形成有銅或鋁等良導體的金屬配線8。
沿著上述周邊電路部3的周緣部而設置有低熔點金屬密封膜4。該低熔點金屬密封膜4係用以將可撓性基板1與後述密封膜層5加以接合,而為具有塑性變形性之低熔點金屬或低熔點合金的膜。然後,低熔點金屬密封膜4的熔點最好低於有機EL顯示層2的耐熱溫度。
一般來說,有機EL材料的耐熱溫度據說為1百幾十度。又,高分子有機EL材料係具有超過200℃的高耐熱溫度。因此,便選擇熔點為200℃以下的低熔點金屬或低熔點合金來作為低熔點金屬密封膜4。例如,Sn-Bi-Cu合金的熔點為170℃左右,Sn-Bi-Ag合金的熔點為130℃左右。特別是,在折疊式可撓性有機EL顯示裝置中,最好是選擇塑性變形性特別大的 Sn-Bi-Cu系合金等來作為低熔點金屬密封膜4。
此情況下,最好是從可撓性基板1側及密封膜層5側來將上述低熔點金屬密封膜4挾置其中,而配置有與低熔點金屬密封膜4之親和性高的金屬膜9(例如Ni或Cu等)。詳細來說,上述金屬膜9可對應於上述低熔點金屬密封膜4來成膜或鍍覆而設置在上述可撓性基板1及密封膜層5。藉此,便可提高低熔點金屬密封膜4與可撓性基板1及密封膜層5的密著性。此外,可將低熔點金屬密封膜4直接接合在可撓性基板1及密封膜層5的情況,則亦可無上述金屬膜9。
上述有機EL顯示層2上係層積形成有密封膜層5。該密封膜層5係具有阻絕層的功能,會防止水分及氧從外部侵入來保護有機EL顯示層2,而為層積有例如可讓可見光穿透的透明樹脂膜與矽氮化膜等無機膜所形成者,可使用公知的密封膜層。詳細來說,密封膜層5係覆蓋有機EL顯示層2、周邊電路部3及低熔點金屬密封膜4上所加以設置。
對應於上述低熔點金屬密封膜4,上述密封膜層5上係設置有加熱片6。該加熱片6係即便是因重複彎折所致之應力而導致低熔點金屬密封膜4產生裂縫或龜裂等缺陷,仍可藉由加熱低熔點金屬密封膜4來使其熔融或退火以修復上述缺陷者,係以聚醯亞胺片體等絕緣材11來將鎳合金等發熱電阻體10挾置其中。對上述加熱片6的通電係從使用開始每經過一定時間後或達到特定的彎折次數再進行即可。
此外,圖1中,符號12為會將通過密封膜層5而侵入的水分加以吸附之水分吸附膜(例如,會使塗佈型乾燥劑或氧化鈣粉末吸附之片型乾燥劑),係覆蓋有機EL顯示層2所加以設置。
圖2係顯示本發明之可撓性顯示裝置的第1實施型態變形例之主要部分擴大前視圖。
作為該可撓性顯示裝置之有機EL顯示裝置係基板為相對於水分或氧不具阻絕性(非阻絕性)之可撓性基板1。此情況下,為了防止水分或氧通過可撓性基板1而侵入,可撓性基板1之有機EL顯示層2的形成面係設置有其他的密封膜層5’。此外,上述密封膜層5’可為與上述密封膜層5具有相同的層積構成者,或是完全相異者。
接下來,針對上述方式構成之可撓性顯示裝置(有機EL顯示裝置)的密封方法,參閱圖3來加以說明。
此外,此處係針對為本發明特徵之利用低熔點金屬密封膜4的密封方法來加以說明,該低熔點金屬密封膜4係沿著有機EL顯示層2之驅動用周邊電路部3的周緣部所設置,而針對於可撓性基板1上形成有機EL顯示層2及周邊電路部3之公知技術則省略說明。
首先,作為第1步驟,如圖3(a)所示,係在相對於水分及氧具有阻絕性之可撓性基板1上,沿著為了驅動該有機EL顯示層2而設置於上述有機EL顯示層2的周邊區域之周邊電路部3的周緣部,來形成低熔點金屬密封膜4。低熔點金屬密封膜4的形成係使用分配器,或是藉由噴射法或網版印刷等來將例如Sn-Bi-Cu系合金等低熔點合金的膏體塗佈在可撓性基板1之上述周邊電路部3的周緣部。此情況下,可對應於上述周邊電路部3的周緣部,而於可撓性基板1上來預先成膜形成出與低熔點金屬密封膜4的親和性高之Ni或Cu等金屬膜9。
接下來,作為第2步驟,如圖3(b)所示,係覆蓋有機EL顯示層2、周邊電路部3及低熔點金屬密封膜4來配置會防止水分及氧從外部侵入以保護有機EL顯示層2之作為阻絕層的密封膜層5。此情況下,可在密封膜層5對應於低熔點金屬密封膜4之周緣區域預先成膜形成出有與低熔點金屬密封膜4之親和性高的Ni或Cu等金屬膜9。
接著,作為第3步驟,如圖3(c)所示,係從密封膜層5側來在對應於低熔點金屬密封膜4之部分照射例如雷射光L以將低熔點金屬密封膜4加熱熔融,而藉由該低熔點金屬密封膜4來將可撓性基板1與密封膜層5加以接合。
之後,作為第4步驟,如圖3(d)所示,係在密封膜層5之與低熔點金屬密封膜4的接合面為相反側之面,對應於低熔點金屬密封膜4而貼附有加熱片6。藉此,便結束本發明之有機EL顯示裝置的密封工序。
圖4為本發明之可撓性顯示裝置(有機EL顯示裝置)的密封方法變形例。在此變形例中,加熱片6係在密封膜層5之與低熔點金屬密封膜4的接合面為相反側之面,對應於低熔點金屬密封膜4而預先設置。
首先,第1步驟中,如圖4(a)所示,與圖3(a)相同地,係在具有阻絕性之可撓性基板1上沿著為了驅動該有機EL顯示層2而設置於有機EL顯示層2的周邊區域之周邊電路部3的周緣部,來形成低熔點金屬密封膜4。
第2步驟中,如圖4(b)所示,係將對應於低熔點金屬密封膜4而於其相反側的面預先貼附有加熱片6之密封膜層5覆蓋在有機EL顯示層2、周邊電路部3及低熔點金屬密封膜4來加以配置。
第3步驟中,如圖4(c)所示,係對加熱片6通電來加熱,以使低熔點金屬密封膜4熔融,而藉由該低熔點金屬密封膜4來將可撓性基板1與密封膜層5加以接合。
如此般地,依據本發明之有機EL顯示裝置的密封方法,由於係透過低熔點金屬密封膜4來將密封膜層5的周緣區域與可撓性基板1加以接合,故相較於習知技術般使用熱硬化性樹脂來加以接著之情況,可實現更高的阻絕性,從而確保更高的可靠度。
又,由於作為低熔點金屬密封膜4之低熔點金屬或低熔點合金係具有塑性變形性,故可抑制可撓性有機EL顯示裝置之密封膜層的周緣區域處之裂縫的產生。
此情況下,若選擇塑性變形性特別大的Sn-Bi-Cu系合金等來作為低熔點金屬密封膜4,則縱使是相對於圖5所示般之折疊式可撓性有機EL顯示裝置中的重複彎折,仍可更加抑制同圖中以虛線所示之彎折部處產生於低熔點金屬密封膜4的裂縫或龜裂。此外,圖5中,密封膜層5及水分吸收膜12係省略圖示。又,有機EL顯示層2係相當於顯示部。
另一方面,即便是因折疊式可撓性有機EL顯示裝置中的重複彎折而導致例如裂縫或龜裂產生於低熔點金屬密封膜4,藉由加熱對應於低熔點金屬密封膜4而設置於密封膜層5之加熱片6來使低熔點金屬密封膜4熔融或退火,便可修復上述裂縫或龜裂。
此情況下,若從使用開始每當經過一定時間後或彎折次數達到特定次數便自動進行上述修復動作,則可更加提高可撓性有機EL顯示裝置的可靠度。
圖6係以剖面來顯示本發明之可撓性顯示裝置(有機EL顯示裝置)的第 2實施型態之主要部分擴大前視圖。
該第2實施型態與上述第1實施型態的相異點為加熱片6係對應於低熔點金屬密封膜4而設置在可撓性基板1上這一點。
詳細來說,係在例如聚醯亞胺與聚對苯二甲酸乙二酯的層積構造,或聚對苯二甲酸乙二酯等可撓性基板1上,在對應於周邊電路部3及低熔點金屬密封膜4之區域而預先形成有以聚醯亞胺片體等絕緣材11來將鎳合金等發熱電阻體10挾置其中之加熱片6。
該第2實施型態之密封方法係與第1實施型態相同地實施下述步驟:第1步驟,係在上述可撓性基板1上沿著為了驅動該有機EL顯示層2而設置於有機EL顯示層2的周邊區域之周邊電路部3的周緣部,來形成低熔點金屬密封膜4;第2步驟,係覆蓋有機EL顯示層2、周邊電路部3及低熔點金屬密封膜4來配置密封膜層5;及第3步驟,係將低熔點金屬密封膜4加熱熔融來將可撓性基板1側與密封膜層5加以接合。
詳細來說,最好是從可撓性基板1側及密封膜層5側來將低熔點金屬密封膜4挾置其中,而配置有與低熔點金屬密封膜4之親和性高的例如Ni或Cu等金屬膜9。
此情況下,上述第3步驟係從密封膜層5側來照射雷射光或加熱上述加熱片6,藉此將低熔點金屬密封膜4加熱熔融而進行。又,會自動實施以下動作:從使用開始每當經過一定時間後或彎折次數達到特定次數便加熱加熱片6來使低熔點金屬密封膜4熔融或退火,藉此來修復例如低熔點金屬密封膜4的裂縫或龜裂。
圖7係以剖面來顯示本發明之可撓性顯示裝置(有機EL顯示裝置)的第3實施型態之主要部分擴大前視圖。
此第3實施型態與上述第1及第2實施型態的相異點為將低熔點金屬密封膜4挾置其中而上下地設置之金屬膜9係具有加熱片6的功能這一點。
該第3實施型態之密封方法係與第1及第2實施型態相同地實施下述步驟:第1步驟,係在上述可撓性基板1上沿著為了驅動該有機EL顯示層2而設置於有機EL顯示層2的周邊區域之周邊電路部3的周緣部,來形成低熔點金屬密封膜4;第2步驟,係覆蓋有機EL顯示層2、周邊電路部3 及低熔點金屬密封膜4來配置密封膜層5;及第3步驟,係將低熔點金屬密封膜4加熱熔融來將可撓性基板1側與密封膜層5加以接合。
詳細來說,係在例如聚醯亞胺與聚對苯二甲酸乙二酯之層積構造等可撓性基板1的有機EL顯示層2形成面側以及密封膜層5之有機EL顯示層2側的面,而於對應於低熔點金屬密封膜4之區域藉由成膜或鍍覆來預先形成有與低熔點金屬密封膜4的親和性高之例如Ni等發熱電阻體的金屬膜9(加熱片6)。
此情況下,上述第3步驟係從密封膜層5側來照射雷射光或加熱上述金屬膜9(加熱片6),藉此將低熔點金屬密封膜4加熱熔融而進行。又,會自動實施以下動作:從使用開始每當經過一定時間後或彎折次數達到特定次數便加熱上述金屬膜9(加熱片6)來使低熔點金屬密封膜4熔融或退火,藉此來修復例如低熔點金屬密封膜4的裂縫或龜裂。
圖8係以剖面來顯示本發明之可撓性顯示裝置的第4實施型態之主要部分擴大前視圖。
該第4實施型態係於可撓性基板1上層積有液晶顯示層13與密封膜層5之可撓性液晶顯示裝置,具備有:在可撓性基板1上為了驅動液晶顯示層13而設置於液晶顯示層13的周邊區域之周邊電路部3、沿著該周邊電路部3的周緣部所設置來將可撓性基板1與密封膜層5加以接合之低熔點金屬密封膜4、以及對應於低熔點金屬密封膜4所設置之加熱片6。
該第4實施型態與上述第1~第3實施型態的相異點為顯示層為液晶顯示層13這一點,有關於其他,則可應用與上述第1~第3實施型態相同的技術思想。
一般來說,在液晶顯示裝置的密封中,為了增強機械強度,會使用包含有碳纖等材料之密封劑。然而,由於上述般的密封劑不具塑性變形性,要應用於可撓性顯示裝置便為困難。
另一方面,由於本發明之可撓性顯示裝置的密封方法係使用具有塑性變形性之低熔點金屬密封膜4來作為密封劑,故如上所述,對於可撓性顯示裝置為有效的。於是,便可實現可撓性液晶顯示裝置。
此外,以上的說明中,雖已針對基板為可撓性基板1的情況加以說明, 但本發明不限於此,基板亦可為玻璃等硬質材料。
Claims (19)
- 一種可撓性顯示裝置,係於可撓性基板上層積有顯示層與密封膜層之可撓性顯示裝置,具備有:周邊電路部,係在該基板上為了驅動該顯示層而設置於該顯示層的周邊區域;低熔點金屬密封膜,係沿著該周邊電路部的周緣部所設置,來將該基板與該密封膜層加以接合;以及加熱片,係對應於該低熔點金屬密封膜所設置。
- 如申請專利範圍第1項之可撓性顯示裝置,其中該加熱片係對應於該低熔點金屬密封膜而設置於該密封膜層上。
- 如申請專利範圍第1項之可撓性顯示裝置,其中該加熱片係對應於該低熔點金屬密封膜而設置於該基板上。
- 如申請專利範圍第1項之可撓性顯示裝置,其中該加熱片為與該低熔點金屬密封膜之親和性高的金屬膜,並從該基板側及該密封膜層側來將該低熔點金屬密封膜挾置其中所設置。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之可撓性顯示裝置,其係從該基板側及該密封膜層側來將該低熔點金屬密封膜挾置其中,而配置有與該低熔點金屬密封膜之親和性高的金屬膜。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之可撓性顯示裝置,其中該基板與該顯示層之間另設置有其他的密封膜層。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之可撓性顯示裝置,其中該基板係相對於水分或氧而具有阻絕性之可撓性基板。
- 如申請專利範圍第6項之可撓性顯示裝置,其中該基板係相對於水分或氧而為非阻絕性之可撓性基板。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之可撓性顯示裝置,其中該低熔點金屬密封膜的熔點係低於該顯示層的耐熱溫度。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之可撓性顯示裝置,其中該顯示層為有機EL顯示層。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之可撓性顯示裝置,其中該顯示 層為液晶顯示層。
- 一種可撓性顯示裝置之密封方法,係於可撓性基板上層積有顯示層與密封膜層之可撓性顯示裝置的密封方法,會實行以下步驟;第1步驟,係在該基板上沿著為了驅動該顯示層而設置於該顯示層的周邊區域之周邊電路部的周緣部,來形成低熔點金屬密封膜;第2步驟,係覆蓋該顯示層、該周邊電路部及該低熔點金屬密封膜來配置該密封膜層;以及第3步驟,係使該低熔點金屬密封膜加熱熔融,來將該基板與該密封膜層加以接合。
- 如申請專利範圍第12項之可撓性顯示裝置之密封方法,其中在實行該第3步驟後會實行第4步驟,該第4步驟係於該密封膜層之與該低熔點金屬密封膜的接合面為相反側之面,對應於該低熔點金屬密封膜來設置加熱片。
- 如申請專利範圍第12項之可撓性顯示裝置之密封方法,其中該密封膜層之與該低熔點金屬密封膜的接合面為相反側之面,或該基板之該顯示層的形成面,係對應於該低熔點金屬密封膜而預先而設置有加熱片。
- 如申請專利範圍第12項之可撓性顯示裝置之密封方法,其係從該基板側及該密封膜層側來將該低熔點金屬密封膜挾置其中,而配置有與該低熔點金屬密封膜之親和性高之發熱電阻體的金屬膜。
- 如申請專利範圍第14或15項之可撓性顯示裝置之密封方法,其中該第3步驟係加熱該加熱片而加以實行。
- 如申請專利範圍第12至15項中任一項之可撓性顯示裝置之密封方法,其中該低熔點金屬密封膜的熔點係低於該顯示層的耐熱溫度。
- 如申請專利範圍第12至15項中任一項之可撓性顯示裝置之密封方法,其中該顯示層為有機EL顯示層。
- 如申請專利範圍第12至15項中任一項之可撓性顯示裝置之密封方法,其中該顯示層為液晶顯示層。
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