TW201833685A - 調整總成及包含此種調整總成之基板曝光系統 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種基板曝光系統,其包含一框架、用於承載一基板之一基板支撐模組、用於曝光該基板之一曝光裝置,及用於調整該曝光裝置相對於該基板支撐模組之位置的調整總成。該調整總成包含一液壓致動器、一液壓產生器及一導管,其中該導管將該液壓致動器與該液壓產生器互連以用於形成一液壓系統。該曝光裝置、該框架、該調整總成及該基板支撐模組經配置為一系列以機械方式連結之組件的部分。該系列以機械方式連結之組件的一第一部分包含該曝光裝置,且一第二部分包含該基板支撐模組。該液壓致動器配置於該第一部分與該第二部分之間。較佳地,該液壓致動器包含一第一波紋管且該液壓產生器包含一第二波紋管。
Description
本發明係關於一種機械調整總成及藉此調整之系統。具體而言,供用於系統之機械調整總成包含一系列以機械方式互連之組件,具體而言,系統具有難以接近環境之組件(諸如但不限於曝光系統),更具體而言,系統或機械配置包含框架、連接至該框架之第一模組、藉由該框架承載或連接至該框架的第二模組。本發明進一步係關於一種用於調整第一模組相對於第二模組之位置及/或定向的方法。
微影系統經配置用於將圖案投影至目標(諸如矽晶圓)上。目前先進技術微影系統借助於電磁輻射(具體而言,光,更具體而言,UV光)或借助於帶電粒子(具體而言,電子)曝光目標,以用於將該圖案投影於目標上。
檢測系統經配置用於借助於電磁輻射(諸如在光學顯微鏡中),或借助於帶電粒子(具體而言在電子顯微鏡中之電子)曝光目標或樣本,並分析由曝光輻射與目標之相互作用引起的輻射或帶電粒子以便自目標獲取資訊。
WO 2013/034753描述微影系統或檢測裝置,具體而言帶電粒子多射束微影系統。用於產生及投影射束之微影或檢測系統的組件通常配置成一行,且本文中將稱為「曝光裝置」。WO 2013/034753中描述之系統包含支撐框架及支撐元件以用於固持曝光裝置。支撐元件借助於至少一個彈簧元件連接至支撐框架,該至少一個彈簧元件用於至少部分地將該支撐元件與振動隔離。
此已知系統之缺點為在使用中及隨著時間推移,蠕變可(尤其)在彈簧元件中發生,此導致支撐元件相對於支撐框架之位置與設定位置發生偏離。因此,相對於待曝光及/或檢測的目標,支撐元件之位置及藉由該支撐元件固持的曝光裝置之位置亦可偏離系統中之最佳位置。此對系統之效能(尤其對目標之曝光)有不良影響。
自US2009/0086178知曉另一曝光裝置。此系統包含光源及照明光罩之照明光學系統。圓筒狀投影光學系統將光罩之影像投影至晶圓載物台上之基板上。投影光學系統借助於三個懸掛支撐機構連接至框架。另外三個驅動機構經提供於框架與投影光學系統之間。每一驅動機構包括在圓筒之徑向上驅動投影光學系統的音圈馬達,及在光軸之方向(Z軸方向)上驅動投影光學系統的音圈馬達。運用三個驅動機構,投影光學系統可在六個自由度方向上移動。
此已知系統之缺點為使曝光裝置移動之致動器係作為無觸點馬達而包括且因此在可承載之負載方面受限制。
與基板曝光系統相關聯之又一問題為振動對基板曝光有負面影響。藉由主動阻尼解決此等問題之系統係(例如)自2008/0218720 A1及US 2008/0013058 A1而知曉。
US 2008/0218720 A1描述經組態以將來自源之光投影至基板的曝光裝置。曝光裝置包括一投影光學系統,該投影光學系統包括光學元件及經組態以移動該光學元件之驅動單元。該裝置經配置以減少歸因於伴隨著驅動光學元件以用於校正影像平面之像差或放大率變化而產生的反作用力引起的振動。投影光學系統進一步包括經組態以經由氣體彈簧支撐投影光學系統的支撐機構、經組態以產生用於驅動單元之驅動信號的控制單元,及經組態以根據驅動信號在與伴隨著自驅動單元至光學元件之作用力的反作用力方向相反之方向上施加力至投影光學系統之致動器。
US 2008/0013058 A1描述具有氣體腔室並具有用於調整歸因於氣體腔室之容量變化引起的溫度變化之調整裝置的氣壓彈簧裝置,該等氣體腔室係以規定壓力下之氣體填充。氣壓彈簧裝置可包括於用於運用氣體壓力支撐物件(例如支撐曝光裝置中之基板載物台)的抗振動裝置中。
基板曝光系統(一般而言)及微影或顯微鏡系統(具體而言)之又一缺點係其為其中大量組件經配置於緊湊型及/或圍封組態中的高度複雜系統。在此等系統中,難以調整組件之位置,尤其在組件並不易於自系統外部可接觸到時。
本發明之目標為克服或至少最小化此等缺點中之一或多者的影響,或至少提供包含替代調整總成之基板曝光器件及/或用於調整該基板曝光器件之組件之位置的方法。
根據第一態樣,本發明提供用於調整一系列以機械方式連結之組件的第一部分相對於一系列以機械方式連結之組件的第二部分之位置的機械調整總成,其中該機械調整總成包含第一波紋管、第二波紋管及導管,其中導管將該第一波紋管與該第二波紋管互連以用於形成液壓系統,其中該第一波紋管經配置於該系列以機械方式連結之組件的該第一部分與該第二部分之間,其中第二波紋管與該第一波紋管隔開配置,且其中第一波紋管經配置以由該第二波紋管致動。
第一波紋管可藉由第二波紋管致動及/或驅動以用於調整第一模組與第二模組相對於彼此的位置。因為第一波紋管與第二波紋管彼此隔開而配置,所以第一波紋管可(例如)在難以自外部系統進入之位置處配置於系統中,從而使得能夠使用可定位於系統外部之第二波紋管在難以進入之位置處進行位 置調整。
在具體實例中,第二波紋管具有經配置以壓縮或膨脹第二波紋管以用於致動第一波紋管的驅動單元。驅動單元較佳包含馬達,諸如步進馬達。替代地,第二波紋管可經由人工操作之配置而壓縮及/或膨脹。
在一具體實例中,系統包含至少一個感測器,其用於量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分之位置或該系列以機械方式連結之組件的第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分的位置之變化。此使得能夠驗證該系列以機械方式連結之組件的第一部件與第二部件之相對位置。藉由傳輸感測器信號至連接至驅動單元之控制單元,第一部分與第二部分之相對位置可經自動地調整。
機械調整總成可用於基板曝光系統中。因此,在一具體實例中,該系列以機械方式連結之組件包含曝光裝置、框架、機械調整總成及基板支撐模組。較佳地,該系列以機械方式連結之組件的該第一部分至少包含曝光裝置,且該系列以機械方式連結之組件的第二部分至少包含基板支撐模組。
根據第二態樣,提供一種用於調整一系列以機械方式連結之組件的第一部分相對於一系列以機械方式連結之組件的第二部分的位置之方法,該方法包含:提供一種機械調整總成,該機械調整總成包含第一波紋管、第二波紋管及導管,其中該導管將該第一波紋管與該第二波紋管互連以用於形成液壓系統,將該第一波紋管配置於該系列以機械方式連結之組件的該第一部分與該第二部分之間,將第二波紋管與該第一波紋管隔開配置,及致動第二波紋管,藉此引起第一波紋管之致動,以便調整以機械方式連結之組件的第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分的位置。
可使用根據第一態樣之機械調整總成執行第二態樣之方法。
在一具體實例中,該方法包含基於來自至少一個感測器之信號控制第二波紋管的致動,該至少一個感測器量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的位置或該系列以機械方式連結之組件的第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分之位置的變化。
根據第三態樣,本發明提供基板曝光系統,該基板曝光系統包含:一框架,一基板支撐模組,其用於承載一基板,其中基板支撐模組連接至該框架,一曝光裝置,其中該曝光裝置連接至該框架且經配置以曝光由基板支撐模組承載的基板,及一調整總成,其用於調整曝光裝置相對於基板支撐模組之位置,其中該調整總成包含液壓致動器、液壓產生器及導管,其中導管將該液壓致動器與該液壓產生器互連以用於形成液壓系統,其中該曝光裝置、該框架、該調整總成及該基板支撐模組經配置為一系列以機械方式連結之組件的部分,其中該系列以機械方式連結之組件包含至少包含該曝光裝置之第一部分,及至少包含基板支撐模組之第二部分,且其中該液壓致動器經配置於該系列以機械方式連結之組件的該第一部分與該第二部分之間。
第一態樣之機械調整總成可用於第三態樣之基板曝光系統中。第一態樣之技術效應及優點相應地適用於第三態樣,且反之亦然。
以下描述之具體實例亦可適用於第一及/或第二態樣。
在本發明之基板曝光系統中,曝光裝置、框架、調整總成及基板支撐模組經配置為一系列以機械方式連結之組件的部分。在此互連配置中,液壓致動器經配置於曝光裝置與基板支撐模組之間。液壓致動器經配置以藉由液 壓產生器致動以用於調整曝光裝置及基板支撐模組相對於彼此的位置。至少在使用中,液壓致動器、導管及液壓產生器係以液壓液體(較佳地,水)填充以形成液壓系統。
本發明之基板曝光系統包含允許借助於液壓致動器調整系統中之組件之位置的液壓系統,其中液壓致動器係藉由液壓產生器遠端地控制及/或致動。液壓產生器較佳經配置以易於自系統外部可接達。因此,本發明之調整總成使得調整在基板曝光系統內部之組件(例如,曝光裝置及/或基板支撐模組)之位置更容易,且允許在不需要進入該系統中的情況下調整基板曝光系統內部之組件的位置。
迄今為止,液壓系統尚未用於諸如微影或顯微鏡系統之基板曝光系統中,以用於調整組件(具體而言配置於系統內的組件)之位置。然而,本發明者意識到本發明之基板曝光系統中的液壓系統高度適合於調整(例如)歸因於蠕變引起的位置偏離或偏移及/或未對準,蠕變通常係相當緩慢之過程。
另外,根據本發明之調整總成提供使得調整總成能夠承載高負載的液壓系統並向曝光裝置及/或基板支撐模組提供剛性支撐。
另外,本發明之機械調整總成及基板曝光系統中之液壓系統提供對調整總成之遠端控制及/或致動而不需在其應用之系統(諸如基板曝光系統)內部引入電信號及/或電場。此對於包含帶電粒子曝光裝置(諸如電子束微影系統或電子顯微鏡)之基板曝光系統係高度有利的,此係由於由攜載電信號之引線產生的電場或磁場可干擾此基板曝光系統中之帶電粒子的軌跡。此干擾對包含帶電粒子曝光裝置之此基板曝光系統的效能有不良影響,尤其對目標之曝光有不良影響。在根據本發明之基板曝光系統中,此不良影響藉由使用用於調整曝光裝置相對於基板支撐模組之位置的液壓系統而至少部分地規避。
在一具體實例中,該液壓致動器包含第一波紋管。儘管該液壓致 動器亦可包含(例如)液壓缸,但第一波紋管之使用係有利的,此係因為液壓流體較好受限制於波紋管內,且液壓液體之洩漏的機率由於波紋管不具有如液壓缸中向外疊縮之部分而減少。
在一具體實例中,該液壓產生器包含第二波紋管。儘管該液壓產生器亦可包含(例如)液壓泵,但第二波紋管之使用係有利的,此係因為液壓流體較好受限制於波紋管內,且洩漏的機率減少。
使用第一及/或第二波紋管作為液壓致動器及/或液壓產生器分別提供簡單液壓系統,其中液壓流體受限於如藉由第一及第二波紋管及導管的內部容積所提供之實質上恆定容積內。當第二波紋管壓縮時,此誘發具有膨脹第一波紋管之效應的導管中之流動。同樣,膨脹第二波紋管誘發導管中之相反流動,因此壓縮第一波紋管。
在具體實例中,第二波紋管具有一驅動單元(較佳地,機械線性驅動單元),其中該驅動單元經配置以壓縮或膨脹第二波紋管以用於致動第一波紋管。機械線性致動器經配置以壓縮及膨脹第二波紋管,及因此遠端地控制第一波紋管之膨脹及壓縮。
在一具體實例中,機械線性致動器包含可手動操作之致動器,諸如調整螺桿。在一替代具體實例中,驅動單元包含馬達,較佳地步進馬達。馬達經配置以壓縮及/或膨脹第二波紋管以用於致動第一波紋管。此使得能夠例如使用控制系統自動調整曝光裝置相對於基板支撐模組之位置。較佳地,該控制系統連接至用於量測曝光裝置或支撐元件相對於該框架之位置的感測器。此允許量測曝光裝置之位置偏離,且基於所量測偏離控制曝光裝置相對於基板支撐模組之位置的調整。
在一具體實例中,系統包含至少一個感測器,其用於量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分之位置,或用於量測該 系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分的位置之變化。此應視為涵蓋感測器經配置以量測以機械方式連結組件之第一部分相對於以機械方式連結組件的第二部分的相對位置或位置之變化,及/或經配置以量測以機械方式連結組件之第二部分相對於以機械方式連結組件之第一部分的相對位置或位置之變化。
在一具體實例中,感測器經配置以量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的垂直位置,或量測曝光裝置相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分的垂直位置之變化。此具體實例尤其適合於其中彈簧元件提供在該系列以機械方式連結之組件的第一部分(包括例如曝光裝置)與該系列以機械方式連結之組件的第二部分之間的可撓性連接的系統。此可撓性連接提供在曝光裝置相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分(具體而言相對於為該系列以機械方式連結組件之第二部分的部分之框架段)之實質上垂直方向上的可撓性。實質性垂直可撓性經較佳配置以抑制自曝光系統置放於其上之地板傳輸的振動。曝光裝置相對於基板支撐模組之位置歸因於此等振動而發生的相對快速變化可藉由基板支撐模組中之致動器抵消。除了可能出現之振動之外,彈簧元件不斷地經受歸因於至少曝光裝置之重量引起的實質上垂直力。此垂直力可誘發彈簧元件中之蠕變,蠕變通常係緩慢過程。歸因於蠕變引起的曝光裝置與基板支撐模組之間距離偏離(具體而言位置之垂直偏離)係藉由感測器來量測。當量測位置之某一偏離時,配置於框架與該彈簧元件之間的液壓致動器可經致動用於相對於框架移動曝光裝置以適當地抵消位置偏離。相應地,本發明之調整總成(具體而言其液壓系統)通常適合於補償歸因於緩慢過程(諸如蠕變)引起的曝光裝置相對於基板支撐模組的位置偏離。
在一具體實例中,感測器為電容式感測器。電容式感測器允許準 確地量測支撐元件相對於框架及因此相對於系統之托架(具體而言相對於基板支撐模組)的位置,同時提供緊湊且經濟的選項。電容式感測器允許準確地量測支撐元件與框架之間的距離。在一具體實例中,系統包含多個電容感測器,多個電容感測器經定位於一配置中以量測支撐元件與框架之間的距離,及支撐元件相對於框架之傾斜及/或傾角。
在一具體實例中,曝光裝置借助於至少一個彈簧元件可移動地連接至框架。在一具體實例中,該系列以機械方式連結之組件的第一部分包含該彈簧元件。
在較佳具體實例中,液壓致動器經配置於框架與該彈簧元件之間,且經較佳地配置以相對於框架移動曝光裝置。相應地,液壓致動器經配置以抵消曝光裝置相對於框架與設定及/或預先判定之位置的偏離,其中偏離通常藉由彈簧元件之蠕變而誘發。
在另一較佳具體實例中,液壓致動器經配置於框架與基板支撐模組之間。在此具體實例中,液壓致動器經配置以相對於框架移動基板支撐模組以抵消曝光裝置相對於基板支撐模組之相對位置的偏離。
在一具體實例中,液壓致動器包含末端擋板,較佳地內部末端擋板。在一具體實例中,第一波紋管包含該末端擋板。此末端擋板限制液壓致動器之移動,具體而言第一波紋管之移動。較佳地,末端擋板經配置以實質上防止曝光裝置與基板支撐模組之間的接觸。相應地,末端擋板經配置以限制曝光裝置朝向基板支撐模組的移動,或反之亦然。當液壓致動器到達該末端擋板時,曝光裝置及基板支撐模組仍隔開及因此並不彼此接觸。另外或替代地,末端擋板經配置以在調整總成之液壓系統排放時提供固定支撐。在此狀況下,當液壓系統清空時,末端擋板將支撐元件置放於維護位置中,從而防止(例如)在輸送期間損害支撐框架、曝光裝置及/或第一波紋管。
在一具體實例中,該基板曝光系統進一步包含一殼體,其中該曝光裝置及該基板支撐模組至少部分地配置於該殼體內部,其中該液壓致動器經配置於該殼體內部且該液壓產生器經配置於該殼體外部。
在一具體實例中,殼體包含壁,且導管通過該壁。此允許液壓致動器置放於腔室內部,液壓產生器置放於腔室外部。連接液壓致動器及液壓產生器之導管延伸穿過壁,以用於形成液壓系統。
在一具體實例中,該殼體經配置以充當真空腔室,其中殼體耦接至真空泵,以用於在使用時在該殼體內部建立真空壓力,較佳地其中至少該液壓致動器為真空相容的。真空腔室允許至少為配置於腔室內部的曝光裝置之部分建立真空環境,且亦可提供對外部影響(諸如電場及/或磁場)的屏蔽。在基板曝光系統包含帶電粒子微影系統或EUV微影系統的情況下,真空腔室為基板之曝光提供合適之環境。在一具體實例中,液壓致動器(較佳地,第一波紋管)為真空相容的。
為增加產出量(亦即,微影系統中每小時曝光之晶圓的數目),需要有效使用殼體中可用的空間,例如以便降低系統之大小以使得更多系統可配置於工業環境中之某一區域中。殼體中可用的空間之此高效使用導致圍封於殼體中的曝光裝置之減少及有限之入口。根據本發明之調整總成允許藉由殼體內部之液壓致動器調整曝光裝置相對於基板支撐模組的位置,同時調整總成之致動係借助於殼體外部之液壓產生器而執行。
在具體實例中,框架包含底壁、側壁及上壁,其中基板支撐模組配置於該底壁頂部,且其中曝光裝置連接至側壁中之一或多者或連接至上壁。較佳地,框架之側壁至少部分地環繞曝光裝置而配置。較佳地,該框架之底壁、側壁及上壁經配置以形成箱或箱之部分。包含底壁、側壁及上壁之框架(具體而言當經配置以形成箱或箱之部分時)可提供實質上剛性配置。當壁經配置以 形成實質上矩形箱時,框架之硬度具體而言歸因於箱之各種壁與該壁之互連件的有角度之配置而增強,該有角度之配置可用作用於支撐曝光裝置及/或基板支撐模組的框架之至少部分。相應地,箱之至少部分為該系列以機械方式連結之組件的部分。
較佳地,彈簧元件經配置於該箱或該箱狀框架內部,具體而言配置於曝光裝置與箱之壁之間。曝光裝置及基板支撐模組較佳配置於該箱內部。
在一具體實例中,導管通過該箱或該箱狀框架之該底壁、側壁及上壁中之一者。此允許將液壓致動器置放於箱內部及將液壓產生器置放於箱外部。
在一具體實例中,箱或箱狀框架經配置於該殼體內部,且其中該箱之該底壁、側壁及上壁中的至少一者可具有通孔開口之陣列。當殼體經配置以充當真空腔室時通孔開口尤其合適。通孔開口經配置以提供自箱之內部至箱之外部的流徑。當殼體耦接至真空泵且真空泵經啟動用於在該殼體內部建立真空壓力時,自箱之內部至箱之外部的流徑使得能夠在該箱內部建立真空壓力。
在一具體實例中,該底壁、側壁及上壁中之至少一者具有屏蔽層,其中該屏蔽層較佳包含μ金屬層。屏蔽層經配置以使該框架內部之空間至少部分屏蔽於外部磁場,靜態及動態兩者。此具體實例特別適用於使用帶電粒子以曝光基板的曝光裝置。
在一具體實例中,曝光裝置經配置於外殼內部,其中該外殼以可移動方式連接至該框架。該外殼較佳地實質上環繞該曝光裝置。在一具體實例中,外殼連接至該彈簧元件。
在一具體實例中,外殼經配置於該殼體內部,其中該外殼包含具有通孔開口之陣列的至少一個壁。在另一具體實例中,外殼經配置於該箱內部。類似於上文描述,通孔開口經配置以提供自外殼之內部至外殼之外部的流徑。
在一具體實例中,該外殼具有屏蔽層,其中該屏蔽層較佳包含μ金屬層,且類似於上文所描述之屏蔽層而起作用。
在一具體實例中,該基板曝光系統包含三個調整總成。此使得能夠調整以機械方式連結之組件的第一及第二部分之相對位置及/或相對定向。在一具體實例中,該三個調整總成經配置以形成環繞該曝光裝置及/或該基板支撐模組之三角形或三角形組態。在一具體實例中,三個調整總成連接至及/或(部分)支撐該曝光裝置及/或該基板支撐模組。此提供用於調整曝光裝置及基板支撐模組相對於彼此之位置及/或定向的三個自由度。在三個調整總成中之每一者經配置以使得第一波紋管提供在實質上垂直方向上之移位的情況下,三個調整總成提供在垂直Z方向上之調整、及環繞水平X軸及Y軸之傾斜,從而提供3個自由度。
在一具體實例中,系統為微影系統,其中曝光裝置包含該微影系統之光學圓柱。
在一具體實例中,曝光裝置包含帶電粒子束光學圓柱。在一具體實例中,曝光裝置包含多射束帶電粒子光學圓柱。在一具體實例中,曝光裝置包含多射束帶電粒子微影裝置或檢測裝置。
根據第四態樣,本發明提供一種用於調整如上文所描述的基板曝光系統中曝光裝置相對於基板支撐模組之位置的方法,其中該方法包含以下步驟:驅動該液壓產生器以用於致動該液壓致動器,該液壓致動器提供該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的相對位置之變化。
在一具體實例中,該方法進一步包含以下步驟:量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的位置,或量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的位置之變化。
在一具體實例中,該方法進一步包含以下步驟:根據該量測位置或位置變化產生一控制信號,及根據該控制信號驅動該液壓產生器。
可組合各種態樣、各種態樣之具體實例及上文所描述之特徵。
在任何可能情況下,可個別地應用本說明書中所描述及展示之各種態樣及特徵。此等個別態樣(具體而言,所附相關申請專利範圍中所描述之態樣及特徵)可為分案專利申請案的主題。
將基於所附圖式中展示之例示性具體實例而闡明本發明,其中:圖1示意性地展示根據本發明之基板曝光系統的第一實例;圖2示意性地展示根據本發明之基板曝光系統的第二實例;圖3示意性地展示根據本發明之液壓系統的實例;圖4A示意性地展示供用於圖1或圖2之基板曝光系統以提供多射束帶電粒子束微影系統的曝光裝置之實例;圖4B示意性地展示供用於圖1或圖2之基板曝光系統以提供光學微影系統的曝光裝置之實例;且圖4C示意性地展示以供用於圖1或圖2之基板曝光系統以提供帶電粒子束顯微鏡系統的曝光裝置之實例。
圖1示意性地展示根據本發明之基板曝光系統1的第一實例。垂直方向對應於Z方向,而水平方向對應於Y方向。X方向垂直於Y方向及Z方向兩者且延伸穿入紙中及穿出紙外。
基板曝光系統1包含框架2、用於承載基板5之基板支撐模組3,及用於將電磁輻射或帶電粒子之一射束或多個射束投影至基板5(諸如半導體晶 圓)上的曝光裝置4。
基板曝光系統1包含實質上圍封曝光裝置4及基板支撐模組3之殼體11。當曝光裝置4經配置以使用UV、深UV(DUV)、極端UV(EUV)、X射線束或帶電粒子束時,殼體11經配置以充當真空腔室,其中在使用時,殼體11耦接至真空泵6以用於在該殼體11內部建立真空或減壓。
在該殼體11內部,配置框架2。在所說明之具體實例中,框架2及殼體11共用一共同底壁12。框架2進一步包含側壁22、後壁22b及上壁23。框架2包含兩個側壁22及一後壁22b,該等壁在下側處連接至共同底壁12及在上側處連接至上壁23。共同底壁、兩個側壁22、後壁22b及上壁23彼此連接以提供箱狀框架2,較佳為矩形箱狀框架2。替代地,側壁22可彼此間隔開而配置,及/或框架可藉由一藉由棒及/或樑而非壁形成之結構來提供。
側壁22及上壁23可具有通孔開口24以實現箱狀框架2之內部與外部之間的流徑,以在該殼體11之整個內部中建立並維持真空或減壓內部。
基板支撐模組3配置於共同底壁12上。基板支撐模組3包含一包含兩個X載物台基底31之XY載物台。每一X載物台基底31承載X載物台托架32,其連接至各別致動器A1、A2以用於沿著X載物台基底31驅動各別X載物台托架32。在該X載物台托架32之頂部,配置Y橫樑33,其橋接X載物台托架32之間的空間。在該Y橫樑33之頂部,配置Y橫樑托架34,其包括用於沿著Y橫樑驅動Y橫樑托架34之致動器(未展示)。在該Y橫樑托架34之頂部,定位器件35經配置以使承載基板5之卡盤36在X、Y及/或Z方向上及在一或多個旋轉方向Rz、Rx、Ry上移動。定位器件35通常包含電馬達。
如圖1中所示,箱狀框架2之側壁22及後壁22b具有支架25,其剛性地連接至其各別壁22、22b。如自如圖1中所描繪之前側所觀看,箱狀框架2具有三個支架25,如圖1中所描繪每一左側壁及右側壁22上一個支架且後壁22b上 一個支架。
在該支架25中之每一者之頂部,第一波紋管71經配置用於支撐第一支撐構件26。第一支撐構件26經由彈簧元件81連接至第二支撐構件27。另外,抑制元件82經配置於第一支撐構件與第二支撐構件之間。彈簧元件81及抑制元件82經配置用於至少部分地將第二支撐件元件27與振動隔離。
如圖1中所示,曝光裝置4配置於曝光裝置框架41上,其中曝光裝置框架41借助於複數個擺棒28連接至第二支撐構件27。舉例而言,曝光裝置4可為如參看圖4A至圖4C所描述之曝光裝置。
曝光裝置4經配置於外殼42內部,該外殼實質上環繞該曝光裝置4且其可連接至曝光裝置框架41。
如圖1中所示,外殼42配置於箱狀框架2內部。另外,外殼42可包含至少一個壁,該至少一個壁具有通孔開口43之陣列,該等通孔開口經配置以提供自外殼42之內部至外殼42之外部的流徑,使得亦能夠在該外殼42內部建立真空。
在圖1之具體實例中,箱狀框架2及外殼42兩者皆具有用於使曝光裝置4屏蔽於磁場的屏蔽層51、52,其中屏蔽層51、52較佳包含μ金屬層。
如上文所描述,基板支撐模組3經由一系列以機械方式連結之組件連接至曝光裝置4。此系列以機械方式連結之組件包含箱狀框架2之共同底壁12,箱狀框架2之側壁22及後壁22b、支架25、第一波紋管71、第一支撐構件26、彈簧元件81及抑制元件82、第二支撐構件27、擺棒28及曝光裝置框架41。
如此描述之介紹性部分所論述,在彈簧元件81中可發生蠕變,蠕變會導致曝光裝置4相對於基板支撐模組3之位置與設定位置發生偏離。
為了補償該蠕變,基板曝光系統1包含用於調整曝光裝置4相對於基板支撐模組3之相對位置的機械調整總成。如圖1中所示之機械調整總成包含 第一波紋管71及第二波紋管72,下文所描述,第二波紋管72藉由導管73連接至第一波紋管71以用於形成液壓系統。第一波紋管71經配置用於使該系列以機械方式連結之組件的第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分移動。該系列以機械方式連結之組件的第一部分包含第一支撐構件26、彈簧元件81及抑制元件82、第二支撐構件27、擺棒28、曝光裝置框架41及曝光裝置4。該系列以機械方式連結之組件的第二部分包含支架25、箱狀框架2之側壁22及後壁22b、箱狀框架2之底壁12及基板支撐模組3。藉由致動第一波紋管71,該系列以機械方式連結之組件的第一部分可相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分移動。
如圖1中所示,第一波紋管71借助於導管73連接至第二波紋管72。第一波紋管71經配置以充當可藉由經配置以充當液壓產生器之該第二波紋管72致動的液壓致動器。藉由導管73互連的第一波紋管71及第二波紋管72之組合(其中第一波紋管71、第二波紋管72及導管73至少在使用中係以液壓流體填充)提供簡單液壓系統,其中液壓流體受限制於藉由第一波紋管71、第二波紋管72及導管73中之內部容積提供的實質上恆定容積內。當第二波紋管72壓縮時,此誘發具有膨脹第一波紋管71之效應的在導管73中之流動。同樣,膨脹第二波紋管72誘發具有壓縮第一波紋管71之效應的在導管73中之相反流動。
如圖1中示意性地指示,導管73經配置以橫穿通過殼體11之壁及框架2,以用於將在殼體11內部之第一波紋管71連接至在該殼體11外部之第二波紋管72。第二波紋管72易於在殼體11之外部可接達且可在殼體11之外部被致動以便啟動該殼體11內部之第一波紋管71以移動及/或再調整曝光裝置4相對於基板支撐模組3之位置。由於環繞(具體而言在)曝光裝置4(上方)呈三角形組態配置的三個第一波紋管71之配置,三個第一波紋管71可移動第一支撐構件26以在Z方向上平移、以環繞X方向及/或環繞Y方向而傾斜。
系統1具有感測器53,其經配置以量測外殼42相對於箱狀框架2之側壁22之位置或位置的變化,且因此量測曝光裝置4相對於箱狀框架2之側壁22的位置。感測器53連接至外殼42之外側並量測其至箱狀框架2之側壁22的距離,具體而言其至配置於箱狀框架2之側壁2上的固定位置處之目標(未展示)的距離。替代地,感測器53可連接至框架之側壁22的內側並量測其至外殼42之外側的距離。外殼42屬於該系列以機械方式連結之組件的第一部分,且箱狀框架2之側壁22屬於該系列以機械方式連結之組件的第二部分。
感測器53經配置以量測曝光裝置4相對於沿著箱狀框架2之側壁22的固定位置的至少一垂直位置或垂直位置之變化。彈簧元件81提供曝光裝置4與框架2之間的彈性連接,其中彈性連接提供實質性在垂直或Z方向上之可撓性。彈簧元件81不斷地經受歸因於第二支撐構件27、擺棒28、曝光裝置框架41、外殼42及曝光裝置4之重量引起的實質上垂直力。此垂直力可誘發彈簧元件81中之蠕變,其導致曝光裝置4與基板支撐模組3(具體而言承載基板5之卡盤36)之間的距離之偏離,其中偏離係藉由感測器53來量測。當量測位置之某一偏離時,配置於框架2與該彈簧元件81之間的該第一波紋管71中之一或多者係藉由致動在曝光系統1外部的對應一或多個第二波紋管72而致動以用於將曝光裝置4相對於框架2而移動以適當地抵消歸因於該蠕變引起的位置偏離。
較佳地,如圖1中示意性地展示,系統1具有三個感測器53,一者在外殼42之左側,一者在外殼42之右側,且一者在外殼42之背側(未展示)。該感測器53中之每一者經較佳地配置以使得該感測器53量測沿著Z軸之至少一垂直位置。感測器53可包含又一配置以便亦量測沿著X軸之水平位置及/或沿著Y軸之水平位置。舉例而言,該感測器53中之每一者可包含實質上垂直於彼此而配置的兩個偵測器。在圖1中之外殼42之左手側展示的感測器53包含用於量測沿著X軸及Z軸之位置的兩個偵測器。在圖1中之外殼42之右手側展示的感測器53包含 用於量測沿著X軸及Z軸之位置的兩個偵測器。在外殼42之後側的感測器(未展示)包含用於量測沿著Y軸及Z軸之位置的兩個偵測器。該感測器53中之每一者經配置以量測該感測器相對於固定至箱狀框架2之側壁22及後壁22b之目標的位置。然而,對於本發明之調整總成,具體而言用於量測沿著Z軸之位置的三個感測器53具有重要性。
系統1具有一控制單元,其經配置以接收來自感測器總成53之位置資料且經配置以基於來自感測器53之資料控制一組驅動單元(較佳地對於每一第二波紋管72,一個驅動單元)以用於致動該驅動單元以驅動第二波紋管72以用於致動第一波紋管71。圖2中示意性地展示此控制系統。
圖2展示根據本發明之基板曝光系統1'的第二具體實例。在此具體實例中,基板支撐模組3配置於第三支撐構件29之頂部。在第三支撐構件29下方配置若干第一波紋管71',其中第一波紋管71'經配置於框架2'之底壁21與第三支撐構件29之間。第一波紋管71'經由導管73'與第二波紋管72'連接以形成允許將第三支撐構件29相對於框架2'之底壁21移動的液壓系統。
第一支撐構件26經配置於三個支撐柱222之頂部。三個支撐柱222經配置於框架底壁21之頂部的三角形之拐角點處,且在實質上垂直於框架底壁21之Z方向上延伸。較佳地,曝光裝置4實質上配置在藉由三個支撐柱222形成的該三角形之中心點處。相應地,基板支撐模組3經由一系列以機械方式連結之組件連接至曝光裝置4。此系列以機械方式連結之組件包含第三支撐構件29、第一波紋管71'、框架2'之底壁21、框架2'之支撐柱222、第一支撐構件26、彈簧元件81及抑制元件82、第二支撐構件27、擺棒28及曝光裝置框架41。
為了補償可在彈簧元件81中發生的蠕變,基板曝光系統1包含用於調整曝光裝置4相對於基板支撐模組3之相對位置的機械調整總成。圖2中所示之調整總成包含第一波紋管71'、第二波紋管72'及導管73'。第一波紋管71'經配置 用於使該系列以機械方式連結之組件的第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的第二部分移動。該系列以機械方式連結之組件的第一部分包含框架2'之底壁21、框架2'之支撐柱222、第一支撐構件26、彈簧元件81及抑制元件82、第二支撐構件27、擺棒28、曝光裝置框架41及曝光裝置4。該系列以機械方式連結之組件的第二部分包含第三支撐構件29及基板支撐模組3。藉由致動第一波紋管71',該系列以機械方式連結之組件的第二部分可相對於該系列以機械方式連結之組件的第一部分移動。第一波紋管71'經配置以充當可藉由經配置以充當液壓產生器之該第二波紋管72'致動的液壓致動器。藉由導管73'互連的第一波紋管71'及第二波紋管72'之組合提供類似於如參看圖1所描述之液壓系統的液壓系統。
如圖2中示意性地指示,導管73'經配置以橫穿通過殼體11之壁以用於將殼體11內部之第一波紋管71'連接至該殼體11外部之第二波紋管72'。較佳地,導管73'經配置以在側向方向上橫穿通過框架2'之支撐柱222以用於將框架2'內部之第一波紋管71'連接至該框架2'外部之第二波紋管72'。第二波紋管72'易於在殼體11之外部可接達且可在殼體11之外部被致動以便啟動該殼體11內部之第一波紋管71'以移動及/或再調整基板支撐模組3相對於曝光裝置4之位置。在圖2中所示之實例中,實質上直接在X載物台基底31下方配置第一波紋管71'。
如圖2中所示,系統1'以與圖1之具體實例中相同之方式具有感測器53,該感測器經配置以量測外殼42相對於框架2'之支撐柱222的位置或位置之變化。圖2中之具體實例另外包含其他感測器54,該感測器連接至第三支撐構件29及/或X載物台基底31之外側並經配置以量測其至框架2'之支撐柱222的距離。替代地,其他感測器54可連接至框架的支撐柱222之內側並量測其至第三支撐構件29及/或X載物台基底31之外側的距離。具體而言,其他感測器54經配置以量測基板支撐模組3相對於框架2'之支撐柱222的位置或位置之變化。
其他感測器54經配置以量測基板支撐模組3相對於沿著框架2'的 支撐柱222之固定位置的至少一垂直位置或該垂直位置之變化。
如參看圖1所描述,彈簧元件81提供曝光裝置4與框架2'之間的彈性連接(其中彈性連接提供實質上在垂直或Z方向上的可撓性),且經受可誘發彈簧元件81中之蠕變的實質上垂直力,導致曝光裝置4沿著框架2'之支撐柱222的位置發生偏離,其中偏離係由感測器53來量測。當量測位置之某一偏離時,該第一波紋管71'中之一或多者係藉由致動在曝光系統1'外部的該第二波紋管72'中之對應一或多者而致動以用於使基板支撐模組3相對於框架2'移動以提供實質上類似於如藉由感測器53所量測的曝光裝置4沿著框架2'的位置偏離的如藉由其他感測器54所量測的支撐模組3沿著框架2'的位置偏離。
如圖2中示意性地展示,而且適用於圖1之具體實例,感測器53耦接至控制單元9以供應曝光裝置4相對於框架2'之支撐柱222的相對位置之位置資料。另外,其他感測器54耦接至控制單元9以供應基板支撐模組3相對於框架2'之支撐柱222的相對位置之位置資料。根據感測器53及其他感測器54之位置資料,控制單元9可判定曝光裝置4相對於基板支撐模組3(具體而言,在使用中承載基板5之卡盤36)之相對位置及/或定向。
控制單元9耦接至驅動單元91,具體而言一個驅動單元91針對第二波紋管72'中的每一者,其中每一驅動單元91經配置以壓縮或膨脹對應第二波紋管72'以用於致動對應第一波紋管71'。驅動單元91如同第二波紋管72'位於殼體11外部。
當控制單元9發現曝光裝置4相對於基板支撐模組3之相對位置及/或定向相較於設定位置發生偏離時,控制單元9發送控制信號至驅動單元91中之一或多者以用於致動該驅動單元91以壓縮或膨脹對應第二波紋管72'以用於致動第一波紋管71',以便移動第三支撐構件29及基板支撐模組3以便補償曝光裝置4相對於基板支撐模組3之相對位置及/或定向的該偏離。如圖2中示意性地展示, 驅動單元91包含線性致動器,其中驅動單元91包含用於移動線性致動器之馬達(較佳地,步進馬達)。
耦接至用於每一第二波紋管的驅動單元之控制單元的配置亦可在圖1所展示之第一具體實例中使用。
另外注意,本發明可用於框架2、2'之各種組態。在第一具體實例中,框架2為箱狀框架,其中曝光裝置4係藉由附接至側壁22、22b之支架25承載。第一波紋管71亦可或另外提供於基板支撐模組3下方,而非如第一具體實例中將第一波紋管定位於支架25之頂部。在第二具體實例中,框架2包含在三角形配置中之用於承載曝光裝置4的三個支撐柱222。第一波紋管71'亦可或另外提供於該三個支撐柱222之頂部,而非如在第二具體實例中將第一波紋管置於基板支撐模組3下方。
另外注意,在圖2中所展示的具體實例中,互連元件112經配置於殼體11與框架2之間。然而,替代地,框架2及殼體11可共用如圖1中之第一實例中所展示的共同底壁。
圖3示意性地展示根據本發明之包含液壓系統的機械調整總成中之一者的具體實例。通常,每一調整總成使用三個此類液壓系統。三個液壓系統使得支撐元件能夠在三個自由度(亦即,Z方向及圍繞X軸之旋轉(Rx)及圍繞Y軸之旋轉(Ry))中調整。調整總成包含第一波紋管403。此波紋管置放於以機械方式連結之組件的第一部分與第二部分之間,具體而言置放於曝光系統(例如圖1或圖2之曝光系統)內部,或置放於外殼或殼體內部(由虛線110示意性地表示),此取決於其中置放調整總成的系統需要什麼。
第一波紋管403之內部容積與導管402流體連接以用於與第二波紋管401之內部容積互連。第一波紋管403、導管402及第二波紋管401係以液壓流體(較佳地,水)填充以用於形成液壓系統。當壓縮第二波紋管401時,液壓 流體自第二波紋管401通過導管402流至第一波紋管403中,此具有膨脹第一波紋管403之效應同樣,膨脹第二波紋管401誘發導管402中之相反流動,因此壓縮第一波紋管403。此配置使得藉由變化直徑能夠調整第一波紋管與第二波紋管之間之傳遞比及因此調整第二波紋管401及第一波紋管403兩者之內部容積。波紋管之容積之間的比將判定傳遞比。對於比I,當第二波紋管401經壓縮距離S1時,第一波紋管403將膨脹距離S1/I。相對而言,將第二波紋管401壓縮距離S1所需要的力F1將導致在第一波紋管403處施加的力F1×I。因此,與在第二波紋管401處施加之力相比,有可能在第一波紋管403處提供較大或大得多的力。
第二波紋管401可經致動以允許調整藉由第一波紋管403承載之支撐元件,如例如上文參看圖1及圖2所描述。在一具體實例中,第二波紋管401係運用致動器機構404來致動。致動器機構404包含(例如)將旋轉運動轉換成線性運動M1之機械線性致動器405。線性運動M1可用以將第二波紋管401膨脹或壓縮M2,第二波紋管又提供第一波紋管403之壓縮或膨脹M3。較佳地,使用自我鎖定機械線性致動器405,其包含接觸第二波紋管401且經配置以壓縮第二波紋管401的螺紋螺桿406。螺紋螺桿405較佳經配置以在處於關於第二波紋管401之固定位置的螺紋螺母中旋轉。螺紋螺桿405及螺母之螺距使得當螺桿405上之旋轉力移除時,機械線性致動器404將保持在設定位置中以維持第一波紋管403及其承載之支撐元件的位置。
在一個具體實例中,機械線性致動器404經人工地致動。替代地,機械線性致動器404係藉由馬達(未展示)(較佳地步進馬達)致動以用於驅動螺紋螺桿405之旋轉。步進馬達將調整之小且離散步進提供給機械線性致動器。此使得能夠(例如)使用控制系統以小增量自動調整支撐元件之位置。由於機械線性致動器中之螺桿機構充當力倍增器,所以獲得達至1:1000之大機械比。另外,由於第二波紋管401之膨脹或壓縮將導致第一波紋管403之小I倍的膨脹或壓 縮,所以可準確地控制第一波紋管403之移動。實際上,根據本發明之調整總成提供若干公釐之行程,同時能夠以微米準確度定位。在操作期間,調整總成在第一波紋管403處提供大力。
當第一波紋管403、導管402及第二波紋管401由鋼製成時,確保調整總成具有充足硬度。不充分剛性的調整總成之部分在使用期間充當彈簧,其對於調整總成係不合需要的,此係由於此可導致調整總成之不需要的移動,及使得系統諧振的固有頻率發生變化。另外,鋼導管及波紋管係真空相容的,其係在調整總成圍封於真空腔室中時所需要。
液壓系統包含用於填充及/或排空系統之排放閥門309。排放閥門309較佳包括於液壓系統中之最低點處,且較佳置放於系統之殼體110外部。
第一波紋管403較佳包含內部末端擋板308以在液壓系統清空時防止波紋管之完全壓縮。可替代地使用外部末端擋板。當液壓系統清空時末端擋板308將支撐元件置放於維護位置中,從而防止損害支撐框架、支撐元件及第一波紋管。模組進一步包含用於連接至泵305(較佳,真空泵)之閥門304a,及用於連接至液壓液體貯槽306之閥門304b。閥門304a及304b沿著導管302置放,或可聯合地連接於接合部304中。此配置允許藉由首先在需要時經由閥門309排空系統、使用真空泵305將系統泵吸至某一真空壓力及在泵送之後以來自貯槽306之液體填充系統而控制液壓系統之填充。發現小於50毫巴之真空壓力(較佳小於10毫巴)足以填充系統並確保無空氣在波紋管及導管中被捕獲。捕獲之氣泡充當彈簧,其在液壓系統中係不合需要的。在使用期間,系統中之壓力為大致6巴。系統中鋼導管及波紋管的組合、經加壓液體及空氣之缺少允許系統準確地承載及定位可稱重數百千克之曝光系統之組件。
發現根據本發明之調整總成可有利地應用於各種曝光系統中,諸如微影系統、電子顯微鏡、晶圓檢測工具或需要系統之部分置放於已知位置及/ 或定向中且系統可隨著時間推移經歷偏移的任一系統。即使在無彈性或可撓性元件應用於系統中時,此偏移仍發生在系統中。在此等系統中,系統之模組或部分需要經準確定位於具有有限入口之腔室、殼體或外殼中。根據本發明之調整總成的使用因此不限於微影系統。
圖4A至圖4C展示用於(例如)上文參看圖1及圖2描述的系統中之一者的曝光裝置之實例。
圖4A展示用於配置於曝光裝置框架41上之多射束帶電粒子微影系統440的曝光裝置之實例。多射束帶電粒子微影系統440配置於可個別地安裝並自曝光裝置框架41移除的模組441、442、443、444中。
上部模組441包含經配置以產生帶電粒子(具體而言電子)之膨脹射束446的帶電粒子源445。膨脹帶電粒子束446藉由準直透鏡447準直。準直帶電粒子束接著落在孔徑陣列448上,其產生多個細光束,具體而言實質上平行細光束449之陣列。
多個實質上平行細光束449之陣列經引導至後續模組442,包含偏轉器陣列450,亦稱作細光束消隱陣列。偏轉器陣列450包含用於該細光束449中的每一者之偏轉器。每一偏轉器經配置以使個別細光束449偏轉或讓該個別細光束449通過而不偏轉。在後續下部模組443中,射束擋板陣列451經配置,具有孔徑之陣列。在個別細光束449未藉由偏轉器陣列450之對應偏轉器偏轉的情況下,其將通過射束擋板陣列451之對應孔徑。在個別細光束449藉由偏轉器陣列450之對應偏轉器偏轉的情況下,其遠離射束擋板陣列451之孔徑而偏轉且照射於環繞該孔徑之射束擋板陣列451之部分上。偏轉陣列450及射束擋板陣列451之組合有效地允許個別細光束449接通或斷開。
通過孔徑陣列451之細光束449朝向在後續下部模組444中之透鏡陣列452而導引。透鏡陣列452包含用於將帶電粒子細光束449聚焦於基板5之表 面上的透鏡之陣列。此模組444亦可包含一或多個用於在基板5之表面上掃描細光束449之陣列的偏轉器。藉由適當地定址偏轉器陣列450及藉由在基板5之表面上掃描細光束449,圖案可經寫入於基板5之表面上。
圖4B展示用於配置於曝光裝置框架41上之光學微影系統540的曝光裝置之實例。
上部模組541包含經配置以產生經引導至光學系統547、548之光束546的光源545,該光學系統經配置以均勻化及準直光束549。準直及均勻化光束549經引導至包含遮罩550之後續模組542。遮罩550由光束549照明,且透射光經引導至後續下部模組543。遮罩550可為具有固定圖案之遮罩或具有可切換元件之遮罩,該等可切換元件可經切換至透明狀態或不透明狀態以便提供可變圖案。在模組543中,透鏡系統551、552經配置以將遮罩550成像至基板5之表面上。相應地,遮罩550之圖案經投影至基板5之表面上。
圖4C展示用於配置於曝光裝置框架41上之電子顯微鏡640的曝光裝置之實例。電子顯微鏡640包含經配置以產生經引導至光學系統647、648之電子束646的電子源645,該光學系統647、648經配置以朝向若干電子透鏡650、651引導電子束649。電子透鏡經配置以電子束549聚焦至基板5之表面上。電子顯微鏡640通常具有一或多個用於在基板5之表面上掃描電子束649的偏轉器。
當電子束649照射於基板5之表面上時,電子與基板5之表面材料的相互作用可致使例如電子之散射、二次電子之產生及/或光之產生。電子顯微鏡649具有可偵測經散射電子、二次電子及/或所產生光的感測器652。藉由在基板5之表面上掃描電子束649及偵測經散射電子、二次電子及/或所產生光,可映射及/或成像基板5之表面。
上述描述經包括以說明較佳具體實例之操作且並不意謂限制本發明之範疇。自上文論述,熟習此項技術者將顯而易見將由本發明之精神及範 疇涵蓋的許多變化。
Claims (24)
- 一種機械調整總成,其用於調整一系列以機械方式連結之組件的一第一部分相對於一系列以機械方式連結之組件的一第二部分之一位置,其中該機械調整總成包含一第一波紋管、一第二波紋管及一導管,其中該導管將該第一波紋管與該第二波紋管互連以用於形成一液壓系統,其中該第一波紋管配置於該系列以機械方式連結之組件的該第一部分與該第二部分之間,其中該第二波紋管與該第一波紋管隔開配置,且其中該第一波紋管經配置以由該第二波紋管致動。
- 如申請專利範圍第1項之機械調整總成,其中該第二波紋管具有一驅動單元,該驅動單元經配置以壓縮或膨脹該第二波紋管以用於致動該第一波紋管。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之機械調整總成,其中該系統包含至少一個感測器,所述至少一個感測器用於量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的一位置,或該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的該第二部分之一位置變化。
- 一種基板曝光系統,其包含如申請專利範圍第1項或第2項之一機械調整總成,該基板曝光系統進一步包含:一框架,一基板支撐模組,其用於支撐一基板,及一曝光裝置,其藉由該框架承載並經配置以將該基板曝光於曝光輻射,其中該系列以機械方式連結之組件的該第一部分包含該曝光裝置,且該系列以機械方式連結之組件的該第二部分包含該基板支撐模組。
- 用於調整一系列以機械方式連結之組件的一第一部分相對於一系列以機械方式連結之組件的一第二部分之一位置的方法,該方法包含: 提供一機械調整總成,該機械調整總成包含一第一波紋管、一第二波紋管及一導管,其中該導管將該第一波紋管與該第二波紋管互連以用於形成一液壓系統,將該第一波紋管配置於該系列以機械方式連結之組件的該第一部分與該第二部分之間,將該第二波紋管與該第一波紋管隔開配置,及致動該第二波紋管,藉此引起該第一波紋管之致動,藉此調整以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的該第二部分的該位置。
- 如申請專利範圍第5項之方法,其進一步包含基於來自至少一個感測器之信號控制該第二波紋管的該致動,所述至少一個感測器量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的一位置,或該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的該第二部分之一位置變化。
- 一種基板曝光系統,其包含:一框架,一基板支撐模組,其用於承載一基板,其中該基板支撐模組連接至該框架,一曝光裝置,其中該曝光裝置係藉由該框架承載且經配置以曝光由該基板支撐模組承載的該基板,及一調整總成,其用於調整該曝光裝置相對於該基板支撐模組之位置,其中該調整總成包含一液壓致動器、一液壓產生器及一導管,其中該導管將該液壓致動器與該液壓產生器互連以用於形成一液壓系統,其中該曝光裝置、該框架、該調整總成及該基板支撐模組經配置為一系列以機械方式連結之組件的部分,其中該系列以機械方式連結之組件包含一至少 包含該曝光裝置之第一部分及一至少包含該基板支撐模組之第二部分,且其中該液壓致動器配置於該系列以機械方式連結之組件的該第一部分與該第二部分之間。
- 如申請專利範圍第7項之基板曝光系統,其中該液壓致動器包含一第一波紋管。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之基板曝光系統,其中該液壓產生器包含一第二波紋管。
- 如申請專利範圍第9項之基板曝光系統,其中該第二波紋管具有一驅動單元,其中該驅動單元經配置以壓縮或膨脹該第二波紋管以用於致動該第一波紋管。
- 如申請專利範圍第10項之基板曝光系統,其中該驅動單元包含一馬達。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之系統,其中該系統包含至少一個感測器,所述至少一個感測器用於量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的一位置,或該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該系列以機械方式連結之組件的該第二部分之一位置變化。
- 如申請專利範圍第12項之系統,其中所述感測器經配置以量測該曝光裝置相對於為該系列以機械方式連結之組件的該第二部分的部分的一框架段之一位置,或該曝光裝置相對於為該系列以機械方式連結之組件的該第二部分的部分的一框架段之一位置變化。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之基板曝光系統,其中該曝光裝置借助於至少一個彈簧元件可移動地連接至該框架,其中該系列以機械方式連結之組件的該第一部分包含該彈簧元件,且其中該液壓致動器配置於該框架與該彈簧元件之間。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之基板曝光系統,其中該液壓致動器配置於該框架與該基板支撐模組之間。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之基板曝光系統,其中該液壓致動器經配置以使該曝光裝置相對於該基板支撐模組移動。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之基板曝光系統,其進一步包含一殼體,其中該曝光裝置及該基板支撐模組至少部分地配置於該殼體之內部,其中該液壓致動器配置於該殼體之內部且該液壓產生器配置於該殼體之外部。
- 如申請專利範圍第17項之基板曝光系統,其中該殼體經配置以充當一真空腔室,其中該殼體耦接至一真空泵,該真空泵在使用時在該殼體之內部建立一真空或一減壓,其中該液壓致動器係真空相容的。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之基板曝光系統,其包含三個調整總成。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之基板曝光系統,其中該系統為一微影系統且其中該曝光裝置包含該微影系統之一光學圓柱。
- 如申請專利範圍第7項或第8項之基板曝光系統,其中該曝光裝置包含一帶電粒子束光學圓柱。
- 一種用於在如申請專利範圍第7項或第8項之一基板曝光系統中調整該曝光裝置相對於該基板支撐模組之該位置的方法,其中該方法包含以下步驟:驅動該液壓產生器以用於致動該液壓致動器,該液壓致動器提供該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分的一位置變化。
- 如申請專利範圍第22項之方法,其中該方法進一步包含以下步驟:量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分之一位 置,或量測該系列以機械方式連結之組件的該第一部分相對於該第二部分之一位置變化。
- 如申請專利範圍第23項之方法,其中該方法進一步包含以下步驟:根據所量測之該位置或該位置變化產生一控制信號,及根據該控制信號驅動該液壓產生器。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11828344B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-11-28 | Asml Netherlands B.V. | Support, vibration isolation system, lithographic apparatus, object measurement apparatus, device manufacturing method |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113424291B (zh) * | 2018-12-20 | 2024-03-22 | Asml荷兰有限公司 | 平台装置 |
US11067899B1 (en) * | 2020-02-03 | 2021-07-20 | Vathys, Inc. | Scattering lithography |
JP7482760B2 (ja) | 2020-11-20 | 2024-05-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム照射装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3606103A1 (de) * | 1986-02-26 | 1987-08-27 | Festo Kg | Vorrichtung zur fluidischen uebertragung einer kraft oder einer vorschubbewegung |
JPH04291311A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 副鏡駆動機構 |
JPH04331834A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-19 | Nissan Motor Co Ltd | 制御型エンジンマウント |
US5287700A (en) * | 1992-10-14 | 1994-02-22 | Mcdonnell Douglas Helicopter Company | Flexible bellows actuation system |
US6538719B1 (en) | 1998-09-03 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device and method for producing the same |
KR100522885B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2005-10-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
JP2004085778A (ja) | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 密着露光方法および密着露光装置 |
JP4458322B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US20080013058A1 (en) | 2004-03-01 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Pneumatic Spring Apparatus, Vibration-Proof Apparatus, Stage Apparatus and Exposure Apparatus |
EP1811526A4 (en) | 2004-07-23 | 2008-04-16 | Nikon Corp | HOLDING DEVICE, STAGE DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
EP1886191A2 (en) * | 2005-06-02 | 2008-02-13 | Carl Zeiss SMT AG | Optical imaging arrangement |
JP2008227015A (ja) | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Canon Inc | 露光装置並びにデバイス製造方法 |
US8421994B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JP5319154B2 (ja) * | 2008-04-18 | 2013-10-16 | 住友重機械工業株式会社 | ステージ装置 |
US8473167B2 (en) | 2008-07-03 | 2013-06-25 | Rs Drawings, Llc | Lift gate control system |
HUE056076T2 (hu) | 2008-10-10 | 2022-01-28 | Medicaltree Patent Ltd | Szívsegítõ készülék és rendszer |
TW201115047A (en) * | 2009-05-07 | 2011-05-01 | Nikon Corp | Vibration control apparatus, vibration control method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL2005374C2 (en) | 2010-09-20 | 2012-03-22 | Mapper Lithography Ip Bv | Method for arranging a lithography system on a foundation, and lithography system arranged on said foundation. |
JP2014530478A (ja) | 2011-09-09 | 2014-11-17 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 除振モジュール及び基板処理システム |
US9530612B2 (en) * | 2013-07-08 | 2016-12-27 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Charged particle beam system and method of operating a charged particle beam system |
EP3056329B1 (en) * | 2015-02-12 | 2018-04-04 | TCTech Sweden AB | Pressing/embossing device and method |
US10048599B2 (en) * | 2016-12-30 | 2018-08-14 | Mapper Lithography Ip B.V. | Adjustment assembly and substrate exposure system comprising such an adjustment assembly |
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-
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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