TW201830505A - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本申請發明係一種半導體裝置之製造方法，其特徵為具備：於加以形成有複數的凸塊(22)的附有凸塊構件(2)之凸塊形成面(2A)，形成樹脂層(13)的工程，和對於樹脂層(13)施以電漿處理，而除去被覆凸塊(22)表面之樹脂層(13)之工程，和於除去樹脂層(13)之凸塊(22)表面，經由液體而施以洗淨處理之工程者。
Description
本發明係有關半導體裝置之製造方法。
近年來，伴隨著電子機器之小型化或薄型化，而對於半導體封裝之薄型化或小型化而言之要求亦升高。因此，作為半導體元件之安裝方式，取代於使用金屬導線而連接之以往的打線接合方式，而加以提案有於晶片的電極上形成稱為凸塊之突起電極，藉由凸塊而直接連接基板的電極與晶片之電極之覆晶連接方式的安裝方法。 在如此之覆晶連接方式之安裝方法中，因應各種目的，呈被覆附有凸塊之晶圓或附有凸塊之晶片等之凸塊地，加以設置樹脂層。作為如此之樹脂層，係例如，可舉出為了接著附有凸塊晶片與基板之接著劑層，為了補強附有凸塊晶片與基板之連接的下填充層，為了保護附有凸塊晶圓或附有凸塊晶片之保護層等。 但對於樹脂層則被覆凸塊之情況，係必須機械性地排除凸塊上的樹脂層，而確保凸塊與基板之電極的電性連接。因此，在附有凸塊晶片與基板之連接信賴性的點而有著問題。另外，對於經由迴焊處理，而連接附有凸塊晶片與基板之情況，來自凸塊之熔融焊錫則由樹脂層所被覆之故，而有無法得到自動對準效果(晶片及基板之電極彼此的位置調整精確度差，而即使產生偏差，在迴焊時亦自動地加以補正為正常的位置之現象)之問題。 為了解決如上述的問題，加以提案有例如，在研削附有凸塊晶圓的表面之工程中，使用具備：與電路面接觸之熱硬化性樹脂層，和加以層積於此層的上方，為了埋入凸塊之有柔軟性之熱可塑性樹脂層，和加以層積於此層上的最外層之層積薄片的方法(文獻1：參照日本特開2005-28734號公報)。 對於使用文獻1所記載之層積薄片的情況，係在使熱硬化性樹脂層貫通於凸塊之後，剝離此熱硬化性樹脂層以外的層。因此，有必要將附有凸塊晶圓的凸塊形狀作為針狀等。另外，對於凸塊的剖面形狀為半圓形或台形的情況，係容易殘留有樹脂層於凸塊上，而在連接信賴性的點有著問題。 為了解決如此之課題，本發明者係提案：具備：於加以形成有複數的凸塊的附有凸塊構件之凸塊形成面，形成樹脂層的工程，和對於前述樹脂層施以電漿處理，而除去被覆前述凸塊表面之前述樹脂層之工程之半導體裝置之製造方法(參照國際公開第2016/194431號)。 但在如此之半導體裝置之製造方法中，係知道即使在施以電漿處理於樹脂層之後，凸塊之接合性亦有成為不充分之情況者。對於有關之問題的原因，本發明者進行銳意檢討的結果，發現經由電漿處理時之飛散物的一部分則在電漿處理後而附著於凸塊的表面之時，成為凸塊之接合性下降的原因者。並且，本發明者係為了更提升凸塊的接合性，對於將附著於凸塊表面之飛散物，可有效率且簡便地加以除去之方法，進行銳意檢討。
本發明之目的係提供：可效率佳地製造對於連接信賴性優越之半導體裝置之半導體裝置的製造方法者。 有關本發明之一形態的半導體裝置之製造方法，係其特徵為具備：於加以形成有複數的凸塊的附有凸塊構件之凸塊形成面，形成樹脂層的工程，和對於前述樹脂層施以電漿處理，而除去被覆前述凸塊表面之前述樹脂層之工程，和於除去前述樹脂層之前述凸塊的表面，經由液體而施以洗淨處理之工程者之方法。 如根據此構成，可於附有凸塊構件之凸塊形成面，因應各種目的而設置樹脂層者。作為此樹脂層，係例如，可舉出為了接著附有凸塊晶片與基板之接著劑層，為了補強附有凸塊晶片與基板之連接的下填充層，為了保護附有凸塊晶圓或附有凸塊晶片之保護層等。 並且，由對於此樹脂層而言施以電漿處理者，可除去被覆凸塊表面之樹脂層。另外，此電漿處理係可均一地對於凸塊形成面上之樹脂層之全面進行處理。因此，可將被覆凸塊的表面之樹脂層，較機械性地除去，以簡便且效率佳地除去。更且，即使有電漿處理時之飛散物的一部分則在電漿處理後而附著於凸塊的表面情況，由經由液體而對於凸塊的表面施以洗淨處理者，亦可除去附著於凸塊表面之飛散物。並且，由電性連接表面所露出之凸塊，和基板的電極者，經由表面所露出之凸塊，而可以焊錫接合而連接附有凸塊構件及基板的電極彼此。由如此作為，可有效率製造對於連接信賴性優越之半導體裝置。 在有關本發明之一形態的半導體裝置之製造方法中，前述附有凸塊構件為附有凸塊晶圓，而前述洗淨處理則為經由切割刀而切割前述附有凸塊晶圓時之洗淨處理者為佳。 如根據此構成，可將洗淨處理，兼具在以在半導體裝置之製造方法中所進行之切割工程的洗淨處理者。因此，無須另外設置經由液體而對於凸塊表面施以洗淨處理之工程亦可。 在有關本發明之一形態的半導體裝置之製造方法中，在前述洗淨處理的液體則為水，而在前述洗淨處理之水的流量則為0.5L/min以上者為佳。 如此構成，如將在洗淨處理的液體作為水，而將在洗淨處理之水的流量作為前述下限以上時，可有效率地除去附著於凸塊表面之飛散物。 在有關本發明之一形態的半導體裝置之製造方法中，在前述洗淨處理的液體則為水，而在前述洗淨處理之水壓則為0.1MPa以上者為佳。 如此構成，如將在洗淨處理的液體作為水，而將在洗淨處理之水壓作為前述下限以上時，可有效率地除去附著於凸塊表面之飛散物。 在有關本發明之一形態的半導體裝置之製造方法中，係更具備：電性連接施以前述洗淨處理的前述凸塊，和基板的電極之工程者為佳。 如根據此構成，加以除去被覆凸塊表面之樹脂層，更且，亦加以除去在電漿處理後而附著於凸塊的表面之飛散物。並且，由電性連接表面所露出之凸塊，和基板的電極者，經由表面所露出之凸塊，而可以焊錫接合而連接附有凸塊構件及基板的電極彼此。由如此作為，可得到對於連接信賴性優越之半導體裝置。
以下，對於本發明將實施形態舉例，依據圖面加以說明。本發明係未加以限定於實施形態的內容。然而，在圖面中，為了容易進行說明，而有擴大或縮小而圖示之部分。 首先，對於使用於本實施形態之接著薄片及附有凸塊晶圓加以說明。 (接著薄片) 使用於本實施形態之接著薄片1係如圖1所示，具備支持體層11，和黏著劑層12，和含有接著劑之樹脂層13。然而，樹脂層13之表面係至加以貼著於晶圓之間，經由剝離薄膜等而加以保護亦可。 作為支持體層11係可作為接著薄片之支持體而使用公知的支持體，例如，可使用塑料薄膜等者。如此之支持體層11係在加工被著體之間，支持被著體。 作為塑料薄膜係例如，可舉出聚乙烯薄膜，聚丙烯薄膜，聚丁烯薄膜，聚丁二烯橡膠薄膜，聚甲基戊烯薄膜，聚氯乙烯薄膜，氯乙烯共聚物薄膜，聚對苯二甲酸乙二酯薄膜，聚萘二酸乙二醇酯薄膜，聚對苯二甲酸丁二酯薄膜，聚氨酯薄膜，乙烯/醋酸乙烯酯共聚物薄膜，離子聚合物樹脂薄膜，乙烯･甲基丙烯酸甲酯共聚物薄膜，乙烯･甲基丙烯酸酯共聚物薄膜，聚苯乙烯薄膜，聚碳酸酯薄膜，聚醯亞胺薄膜，及氟樹脂薄膜等。此等薄膜係亦可為單層薄膜，而亦可為層積薄膜。另外，對於層積薄膜之情況，係層積1種的薄膜亦可，而亦可層積2種類上的薄膜。 黏著劑層12係作為接著薄片之黏著劑而可使用公知的黏著劑而形成者。經由如此之黏著劑層12，而加工被著體之間係堅固地固定支持體層11與樹脂層13之間，之後，使樹脂層13固著殘存於被著體而自支持體層11剝離者則成為容易。然而，於黏著劑層12，由照射紫外線等之能量線者而使其硬化，作為與樹脂層13之剝離呈成為容易亦可。 作為黏著劑層，係例如，可舉出丙烯酸系黏著劑，橡膠系黏著劑，聚矽氧系黏著劑及胺甲酸乙酯系黏著劑等。 樹脂層13係作為接著薄片之接著劑而可使用公知的接著劑而形成者。經由含有如此之接著劑之樹脂層13之時，可接著後述之附有凸塊晶片2a與基板4者。 作為接著劑係例如，可舉出含有環氧樹脂等之熱硬化性樹脂，和熱硬化劑的構成。另外，接著劑係從調整硬化物的熱膨脹係數之觀點，更含有無機充填材亦可。作為無機充填材，係可舉出二氧化矽，氧化鋁，滑石，碳酸鈣，鈦白，赭色赤鐵礦，碳化矽，及氮化硼等。另外，此等係可單獨使用1種，或併用2種以上均可。 (附有凸塊晶圓) 使用於本實施形態之附有凸塊晶圓2(附有凸塊構件)係如圖2所示，具備半導體晶圓21，和凸塊22。然而，凸塊22係加以形成於有半導體晶圓21之電路側。 作為半導體晶圓21係可使用公知的半導體晶圓者，例如，可使用矽晶圓等。 半導體晶圓21之厚度係通常，10μm以上1000μm以下，而理想為50μm以上750μm以下。 作為凸塊22之材料係可使用公知的導電性材料者，例如，可使用焊錫等。作為焊錫係可使用公知的焊錫材料者，例如，可使用含有錫，銀及銅之無鉛銲錫者。 凸塊22之高度係通常，5μm以上1000μm以下，而理想為50μm以上500μm以下。 自凸塊22側而視之剖面形狀係並無特別加以限定，但亦可為半圓形，半橢圓形，圓形，長方形或台形等。 作為凸塊22的種類係並無特別加以限定，但可舉出焊球凸塊，蕈狀凸塊，柱狀凸塊，椎狀凸塊，圓柱凸塊，點狀凸塊，及方體凸塊等。另外，此等係可單獨使用1種，或併用2種以上均可。 (半導體裝置之製造方法) 接著，對於有關本實施形態之半導體裝置之製造方法加以說明。 圖3A~圖3F係顯示有關第一實施形態的半導體裝置之製造方法之說明圖。 在有關本實施形態之半導體裝置之製造方法中，首先，於形成有複數的凸塊22之附有凸塊晶圓2之凸塊形成面2A，形成樹脂層13。具體而言，如圖3A~圖3C所示地，經由具備：將接著薄片1之樹脂層13貼合於附有凸塊晶圓2之凸塊形成面2A的工程(接著薄片貼著工程)，和將切割膠帶3貼合附有凸塊晶圓2之背面的工程(切割膠帶貼著工程)，和將接著薄片1之支持體層11及黏著劑層12，自樹脂層13剝離的工程(支持體剝離工程)之方法之時，於形成有複數的凸塊22之附有凸塊晶圓2之凸塊形成面2A，形成樹脂層13。 在有關本實施形態之半導體裝置之製造方法中，接著，如圖3D所示，於樹脂層13施以電漿處理，除去被覆凸塊22表面之樹脂層13(電漿處理工程)。 並且，如圖3E所示，經由切割刀而切割附有凸塊晶圓2(切割工程)。然而，在此切割工程中之洗淨處理係兼具於除去樹脂層13之凸塊22的表面，經由液體而施以洗淨處理之工程(洗淨工程)。之後，如圖3F所示，經由具備：拾取經由切割而作個片化之附有凸塊晶片2a，接著固定於被著體之基板4之工程(接合工程)之方法之時，而電性連接加以除去樹脂層13，露出有表面之凸塊22，和基板4之電極42。 以下，對於接著薄片貼著工程，切割膠帶貼著工程，支持體剝離工程，電漿處理工程，切割工程，洗淨工程及接合工程，更詳細地加以說明。 在接著薄片貼著工程中，如圖3A所示，將接著薄片1之樹脂層13，貼合於附有凸塊晶圓2之凸塊22的所形成的面(凸塊形成面2A)。 在此，作為貼著方法係可採用公知的方法，並無特別加以限定，但經由壓著之方法為佳。壓著係通成，經由壓著滾輪等而按壓同時進行。壓著的條件係無特別加以限定，但壓著溫度係40℃以上120℃以下者為佳。滾軸壓力係0.1MPa以上20MPa以下者為佳。壓著速度係1mm/sec以上20mm/sec以下者為佳。 另外，接著薄片1之樹脂層13之厚度係作為較凸塊22之高度尺寸為小者為佳，而凸塊22之高度尺寸之0.8倍以下者為更佳，而凸塊22之高度尺寸之0.1倍以上0.7倍以下者則特別理想。樹脂層13之厚度則如為前述上限以下時，可將被覆凸塊22表面之樹脂層13，作為更薄者，而可在後述之電漿處理工程容易地除去。 在切割膠帶貼著工程中，如圖3B所示，將貼合膠帶3，貼合於附有凸塊晶圓2之凸塊22之未形成的面(背面2B)。 在此，作為貼著方法係可採用公知的方法，並無特別加以限定，但經由壓著之方法為佳。壓著係通成，經由壓著滾輪等而按壓同時進行。壓著條件係無特別加以限定，而可作適宜設定。另外，對於貼合膠帶3，亦可使用公知的切割膠帶。 在支持體剝離工程中，如圖3C所示，將接著薄片1之支持體層11及黏著劑層12，自樹脂層13剝離。 對於黏著劑層12為具有紫外線硬化性的情況，係因應必要而自支持體層11側照射紫外線。經由此，黏著劑層12則硬化，黏著劑層12與樹脂層13之界面的接著力則下降，而成為容易自樹脂層13剝離黏著劑層12。 在電漿處理工程中，如圖3D所示，於樹脂層13施以電漿處理，除去被覆凸塊22表面的樹脂層13。在此樹脂層13係可因應其目的而除去。例如，如為露出有表面之凸塊22，和基板4之電極42的電性連接為目的時，如可做為電性連接之程度而除去即可。具體而言，從連接信賴性與樹脂層13之機能的確保的平衡觀點，可調整樹脂層13之除去量。 進行電漿處理之電漿處理裝置係無特別加以限定，可使用公知的電漿處理裝置者。另外，電漿處理的條件係因應樹脂層13之種類等而有所差異，並無特別加以限定，例如，可採用如以下的條件。 作為在電漿處理之電漿氣體，係從樹脂層之除去性的觀點，可舉出氧，氬，三氟化甲烷，四氟化甲烷及六氟化硫等。此等之中，從對於樹脂層則含有二氧化矽等之無機充填材之情況，除去性亦為優越之觀點，選自三氟化甲烷，四氟化甲烷及六氟化硫的群之至少1種為佳，而六氟化硫則更佳。另外，此等之處理氣體係可單獨使用1種，或併用2種以上均可。 在電漿處理之處理氣體的流量係從效率佳地除去樹脂層之觀點，1cm3
/min以上1000cm3
/min以下者為佳，而10cm3
/min以上100cm3
/min以下者為更佳。 在電漿處理之處理壓力係從效率佳地除去樹脂層之觀點，1Pa以上3000Pa以下者為佳，而10Pa以上200Pa以下者則為更佳。 在電漿處理之輸出係從效率佳地除去樹脂層之觀點，10W以上600W以下者為佳。 在電漿處理之處理時間係從效率佳地除去樹脂層之觀點，30秒以上60分鐘以下者為佳。 在切割工程中，如圖3E所示，經由切割刀而切割附有凸塊晶圓2。由如此作為，可將附有凸塊晶圓2個片化為附有凸塊晶片2a。 切割裝置係無特別加以限定，而可使用公知的切割裝置者。但在切割工程中，使用可施以洗淨處理之切割裝置者為佳。如此之切割裝置係具備洗淨噴嘴等之洗淨手段者為佳。另外，作為洗淨手段係可舉出：在經由切割刀之切削時，可噴射水(切削水)於切削處之洗淨噴嘴，及在經由切割刀之切削後，可噴射水(洗淨水)於被處理物之洗淨噴嘴等。 在此切割工程中之洗淨處理係兼具於除去樹脂層13之凸塊22的表面，經由液體而施以洗淨處理之工程(洗淨工程)。作為在切割工程中之洗淨處理係可舉出：經由切割刀之切削時之洗淨處理(經由切削水的洗淨處理)，及經由切割刀之切削後之洗淨處理(經由洗淨水的洗淨處理)等。此等之洗淨處理係進行雙方亦可，而亦可僅進行任一方。 使用於洗淨處理之液體係未特別加以限定，而可使用水及有機溶劑等。在此等之中，從安全性的觀點，使用水者為佳。 在洗淨處理中的水之流量係從有效率地除去附著於凸塊表面之飛散物的觀點，0.5L/min以上者為佳，而1L/min以上10L/min以下者為更佳，1.2L/min以上5L/min以下者特別理想。 在洗淨處理中的水壓係從有效率地除去附著於凸塊表面之飛散物的觀點，0.1MPa以上者為佳，而0.1MPa以上1MPa以下者更佳，0.2MPa以上0.5MPa以下者特別理想。 在洗淨處理中之處理時間係未特別加以限制，但5秒以上100秒以下者為佳，而10秒以上50秒以下者更佳。 經由切割刀之切削後的洗淨處理係從有效率地除去附著於凸塊表面之飛散物的觀點，使附有凸塊晶圓2旋轉之同時進行亦可。如此之情況，附有凸塊晶圓2之旋轉數係100rpm以上2000rpm以下者為佳，而500rpm以上1000rpm以下者更佳。 在接合工程中，如圖3F所示，拾取經由切割而個片化之附有凸塊晶片2a，接著固定於具備基材41與電極42之基板4。附有凸塊晶片2a之凸塊22係加以除去樹脂層13，而露出表面之故，可電性連接凸塊22，和基板4之電極42者。 作為基板4係無特別加以限定，但可使用引線架，配線基板，以及形成有電路於表面之矽晶圓及矽晶片等。作為基材41之材質係無特別加以限定，但可舉出陶瓷及塑料等。另外，作為塑料係可舉出環氧，雙馬來酸酐縮亞胺三嗪，及聚醯亞胺等。 在接合工程中係亦可因應必要而施以加熱處理，使接著劑硬化。 加熱處理的條件係可因應接著劑之種類等而作適宜設定。 在接合工程中係亦可因應必要而施以迴焊處理，使附有凸塊晶片2a的凸塊22熔融，而使附有凸塊晶片2a與基板4焊錫接合。 迴焊處理的條件係可因應焊錫之種類等而作適宜設定。 由如以上作為，可製造半導體裝置100者。 (第一實施形態之作用效果) 如根據本實施形態，可得到如以下的作用效果者。 (1) 由對於此樹脂層13而言施以電漿處理者，可除去被覆凸塊22表面之樹脂層13。電漿處理係可均一地對於凸塊形成面2A上之樹脂層全面進行處理。因此，可將被覆凸塊22的表面之樹脂層13，較機械性地除去，以簡便且效率佳地除去。另外，自凸塊22之側方而視之剖面形狀則即使為半圓形，半橢圓形，圓形，長方形或台形之情況，亦可除去被覆凸塊22表面之樹脂層13。更且，在電漿處理中，未削去凸塊22而可容易地僅除去被覆凸塊22表面的樹脂層13。 (2) 即使有電漿處理時之飛散物的一部分則在電漿處理後而附著於凸塊22的表面情況，由經由水而對於凸塊22的表面施以洗淨處理者，亦可除去附著於凸塊22表面之飛散物。並且，由電性連接表面所露出之凸塊22，和基板4的電極42者，經由表面所露出之凸塊22，而可以焊錫接合而連接附有凸塊晶片2a及基板4的電極彼此。由如此作為，可得到對於連接信賴性優越之半導體裝置100。 (3) 在半導體裝置之製造方法中所進行之切割工程的洗淨處理，則兼具洗淨工程。因此，無須另外設置洗淨工程亦可。 (4) 於附有凸塊晶片2a之凸塊形成面2A，可設置為了接著附有凸塊晶片2a與基板4之接著劑層(樹脂層13)者。 (5) 因設置樹脂層13於附有凸塊晶圓2，進行電漿處理之後，再個片化為附有凸塊晶片2a之故，可彙整設置樹脂層13於複數之附有凸塊晶片2a者。 [實施形態之變形] 本發明係未加以限定於前述之實施形態，而在可達成本發明之目的之範圍的變形，改良等係含於本發明。 例如，在前述之實施形態中，在切割工程中之洗淨處理則兼具洗淨工程，但並不限定於此。即，在本發明中，與切割工程另外進行洗淨工程即可。如此之情況，洗淨處理的條件係與在前述實施形態之切割工程的洗淨處理之條件同樣。 在前述的實施形態中，樹脂層13係作為為了接著附有凸塊晶片2a與基板4之接著劑層而加以設置，但並不限定於此。即，在本發明中，可將樹脂層，因應各種目的而設置者。例如，樹脂層13係亦可作為為了補強附有凸塊晶片2a與基板4之下填充材層而加以設置。另外，樹脂層13係亦可作為為了保護附有凸塊晶圓2或附有凸塊晶片2a之保護層而加以設置。然而，如此情況，作為樹脂層13之材料，係作為下填充材或保護層之材料而可使用公知的材料者。 在前述的實施形態中，樹脂層13係接觸於附有凸塊晶片2a與基板4之雙方，但並不限定於此。例如，對於樹脂層13則作為為了保護附有凸塊晶片2a之保護層而加以設置之情況，樹脂層13係如接觸於附有凸塊晶片2a即可，而未接觸於基板4亦可。 在前述的實施形態中，作為附有凸塊構件，使用附有凸塊晶圓2或附有凸塊晶片2a，但並不限定於此。例如，附有凸塊構件係為具有凸塊之封裝(例如，BGA(Ball grid array)、CSP(Chip size package)等)亦可。 在前述的實施形態，使用接著薄片1而將樹脂層13形成於凸塊形成面2A，而被覆凸塊22，但並不限定於此。例如，經由使樹脂組成物，塗佈於凸塊形成面2A而加以硬化之時，形成樹脂層13，被覆凸塊22亦可。 在前述的實施形態中，使用具備支持體層11，黏著劑層12及樹脂層13之接著薄片1，但並不限定於此。例如，接著薄片1係亦可為具備支持體層11及樹脂層13之層積薄片。此情況，在支持體剝離工程中，如自樹脂層13剝離支持體層11即可。 實施例 以下，舉出實施例而更詳細地說明本發明，但本發明係未任何限定於此等之實施例。 [實施例1] 準備附有凸塊晶圓(晶圓的直徑：8英寸、晶圓的厚度：200μm、凸塊的種類：球型凸塊，凸塊的高度：200μm、凸塊的直徑：250μm、凸塊的間距：400μm)。另外，準備支持體層，和設置於此之支持體層之黏著劑層，和設置於此黏著劑層之剝離薄片的研磨膠帶(日本LINTEC 公司製之「E-8510HR」)。更且，準備具備下述樹脂組成物所成之樹脂層，和設置於此樹脂層的兩面之剝離薄片的樹脂薄片。 (樹脂組成物) 丙烯酸聚合物：100質量份 環氧樹脂：30質量份 環氧樹脂硬化劑：1質量份 各剝離研磨膠帶及樹脂薄片的剝離薄片，將樹脂層貼合於研磨膠帶之黏著劑層，製作具備樹脂層，和黏著劑層，和支持體層之層積薄片。將此層積薄片之樹脂層貼合於附有凸塊晶圓之凸塊形成面之後(貼附溫度：70℃、貼附壓力：0.5MPa、貼附速度：2mm/sec)、將層積薄片的支持體層及黏著劑層，自樹脂層剝離，之後，施以熱處理(處理溫度：130℃、處理壓力：0.5MPa、處理時間：2時間)使樹脂層硬化。由如此作為，形成樹脂層於附有凸塊晶片之凸塊形成面。 並且，於此附有凸塊晶片之樹脂層，以下述的條件，施以電漿處理，除去被覆凸塊表面之樹脂層(電漿處理工程)。 (電漿處理的條件) 處理氣體：四氟甲烷 處理氣體的流量：40cm3
/min 處理壓力：100Pa 輸出：250W 處理時間：15分鐘 沖淨：1次 之後，使用切塊機，以下述的條件而切割(切割工程)除去被覆凸塊表面之樹脂層的附有凸塊晶片。然而，在切割工程中，以下述的條件而施以洗淨處理。由如此作為，得到樹脂層形成附有凸塊晶片(晶片的尺寸：6mm×6mm、凸塊的數量：15個×15個)。 (切塊機的條件) 切塊機：DFD6361、日本Disco公司製 切割刀：27HEEE、日本Disco公司製 切割刀之移動速度：30mm/sec 切割刀之旋轉數：30000rpm 切割刀之寬度尺寸(刻口寬度)：35~40μm (洗淨處理之條件) 切削水的流量：1.5L/min 切削水的水壓：0.2MPa~0.4MPa 洗淨水的流量：1.5L/min 洗淨水的水壓：0.2MPa~0.4MPa 經由洗淨水之洗淨處理的時間：20秒 經由洗淨水之洗淨處理時的附有凸塊晶片之旋轉數：800rpm 將所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的凸塊表面，以掃描型電子顯微鏡(SEM)，由下述的條件進行觀察，攝影SEM照片。將擴大SEM照片之一部分的照片，示於圖4。 (SEM觀察條件) 加速電壓：3kV 攝影方法：自晶片的頂面傾斜60°而攝影 攝影倍率：100倍 蒸鍍條件：Pd-Pt、30秒 另外，將所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的凸塊的接合性，如以下作為進行評估。即，於塗佈助熔劑之銅板上，將樹脂層形成附有凸塊晶片，呈凸塊形成面與助熔劑接觸地加以配置而作為試驗片。將此試驗片，在加熱板上，以溫度300℃進行2分鐘加熱，使樹脂層形成附有凸塊晶片與銅板接合。並且，依據下述基準，而加以評估凸塊之接合性。將所得到之結果，示於表1。 A：樹脂層形成附有凸塊晶片與銅板接合著，而不易剝離。 B：樹脂層形成附有凸塊晶片與銅板接合著，但容易剝離。 [比較例1] 改變電漿處理工程及切割工程之順序，在切割工程之後，進行電漿處理工程以外係與實施例1同樣作為，而得到樹脂層形成附有凸塊晶片。 將所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的凸塊表面，以掃描型電子顯微鏡(SEM)，由下述的條件進行觀察，攝影SEM照片。將SEM照片示於圖5，而將擴大SEM照片之一部分的照片示於圖6。 另外，將所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的凸塊之接合性，依據與實施例1同樣的方法及基準，進行評估。將所得到之結果，示於表1。 [表1]
從表1所示之結果了解到，對於使用在實施例1所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的情況，確認到凸塊的接合性為優越者。因此，在電漿處理工程之後，經由施以洗淨處理之時，確認到凸塊的接合性為優越，可製造對於連接信賴性優越之半導體裝置者。 對於此，對於使用在比較例1所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的情況，了解到凸塊的接合性不佳者。即，在電漿處理工程後，對於未施以洗淨處理之情況(比較例1)，係了解到凸塊的接合性不佳者。 如圖5所示，在比較例1所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片中，亦加以除去被覆凸塊表面之樹脂層。但細查電漿處理工程後之凸塊的表面時，如圖6所示，了解到電漿處理時之飛散物的一部分則在電漿處理後，附著於凸塊表面者。對此，對於在電漿處理工程後加以施以洗淨處理之情況(實施例1)，係如圖4所示，確認到可有效率且簡便地除去附著於凸塊表面之飛散物者。
1‧‧‧接著薄片
2‧‧‧附有凸塊晶圓
2a‧‧‧附有凸塊晶片
4‧‧‧基板
11‧‧‧支持體層
12‧‧‧黏著劑層
13‧‧‧樹脂層
22‧‧‧凸塊
42‧‧‧電極
圖1係顯示為了形成有關本發明之實施形態之樹脂層的層積薄片之概略剖面圖。 圖2係顯示有關本發明之實施形態之附有凸塊構件(附有凸塊晶圓)之概略剖面圖。 圖3A係為了說明有關本發明之實施形態的半導體裝置之製造方法之說明圖。 圖3B係為了說明有關本發明之實施形態的半導體裝置之製造方法之說明圖。 圖3C係為了說明有關本發明之實施形態的半導體裝置之製造方法之說明圖。 圖3D係為了說明有關本發明之實施形態的半導體裝置之製造方法之說明圖。 圖3E係為了說明有關本發明之實施形態的半導體裝置之製造方法之說明圖。 圖3F係為了說明有關本發明之實施形態的半導體裝置之製造方法之說明圖。 圖4係擴大顯示在實施例1所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的SEM照片的一部分的照片。 圖5係顯示在比較例1所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的SEM照片。 圖6係擴大顯示在比較例1所得到之樹脂層形成附有凸塊晶片的SEM照片的一部分的照片。
Claims (5)
- 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為具備：於加以形成有複數的凸塊的附有凸塊構件之凸塊形成面，形成樹脂層的工程， 和對於前述樹脂層施以電漿處理，而除去被覆前述凸塊表面之前述樹脂層之工程， 和於除去前述樹脂層之前述凸塊的表面，經由液體而施以洗淨處理之工程者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置之製造方法，其中， 前述附有凸塊構件則為附有凸塊晶圓； 前述洗淨處理則將前述附有凸塊晶圓，經由切刻刀而切割時之洗淨處理者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述洗淨處理的液體為水； 在前述洗淨處理之水的流量為0.5L/min以上者。
- 如申請專利範圍第1項記載之半導體裝置之製造方法，其中， 在前述洗淨處理的液體為水； 在前述洗淨處理的水壓則為0.1MPa以上者。
- 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中，更具備： 電性連接施以前述洗淨處理之前述凸塊，和基板之電極的工程。
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