JP2006140304A - ウエハの研削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
近年のウエハレベルチップサイズパッケージなどの大きなハンダボールが高密度で配列したような、高いバンプが高密度で配列したウエハを裏面研磨するときに、バンプ面を保護する層を平坦に形成することを課題とする。
【解決手段】
半導体ウエハの研削方法であって、片面に電気的接続のためのバンプ（２）が形成された半導体ウエハ（１）のバンプがある面に接着テープ（Ａ）を貼り付ける工程(工程１)、接着テープ（A）に樹脂（Ｂ）を全面に成型する工程（工程２）、半導体ウエハ裏面を基準に前記樹脂（Ｂ）面を平坦に研削する工程（工程３）、ウエハ裏面を研削する工程（工程４）、接着テープ（Ａ）および樹脂（Ｂ）を剥離する工程（工程５）を具備することを特徴とする半導体ウエハの研削方法。
【選択図】図１
近年のウエハレベルチップサイズパッケージなどの大きなハンダボールが高密度で配列したような、高いバンプが高密度で配列したウエハを裏面研磨するときに、バンプ面を保護する層を平坦に形成することを課題とする。
【解決手段】
半導体ウエハの研削方法であって、片面に電気的接続のためのバンプ（２）が形成された半導体ウエハ（１）のバンプがある面に接着テープ（Ａ）を貼り付ける工程(工程１)、接着テープ（A）に樹脂（Ｂ）を全面に成型する工程（工程２）、半導体ウエハ裏面を基準に前記樹脂（Ｂ）面を平坦に研削する工程（工程３）、ウエハ裏面を研削する工程（工程４）、接着テープ（Ａ）および樹脂（Ｂ）を剥離する工程（工程５）を具備することを特徴とする半導体ウエハの研削方法。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体ウエハの裏面研磨方法に関し、特に回路面にフリップチップ接続用の金バンプやウエハレベルチップサイズパッケージ用のハンダボールが形成されたウエハの裏面研磨方法に関する。
半導体ウエハを裏面研磨する時には、通常回路面を保護するために、表面保護テープをつけた状態で研磨する。表面保護テープを用いた半導体ウエハの裏面研磨については、例えば特許文献１の方法が開示されている。しかし、上記のようなバンプが形成されたウエハにおいては、バンプの凹凸が表面保護テープに転写されてしまい、そのまま裏面研磨しようとすると真空チャックできない、さらにはバンプ部分にのみ圧力がかかり、研磨面のバンプ部のみが深く削れてしまうなどの問題が生じる。
これらの問題を解決するために、柔らかく厚い粘着層をもつテープなどが考案されているが、近年のウエハレベルチップサイズパッケージなどの大きなハンダボールが高密度で配列したようなウエハでは限界があった。
特開２００４−２１４５２１号公報
これらの問題を解決するために、柔らかく厚い粘着層をもつテープなどが考案されているが、近年のウエハレベルチップサイズパッケージなどの大きなハンダボールが高密度で配列したようなウエハでは限界があった。
本発明の解決課題は、上記のような高いバンプが高密度で配列したウエハを裏面研磨するときに、バンプ面を保護する層を平坦に形成することにある。
２００μｍ程度の高さのハンダボールを０．５ｍｍピッチで搭載したウエハレベルチップサイズパッケージが登場しており、この凹凸を粘着層の厚みと塑性変形でカバーして平坦な保護面を形成するのは困難である。平坦な保護面が形成できないと、前記のような研削時の問題が生じる。
そこで、鋭意検討した結果、本発明者は、例えばウエハレベルチップサイズパッケージの樹脂封止などで適用されている技術を転用して、かつ、樹脂封止時の加熱、加圧の履歴を受けても糊残りなく剥離できる粘着テープを介在させて、バンプ面に平坦な保護層を形成する方法を見出した。
そこで、鋭意検討した結果、本発明者は、例えばウエハレベルチップサイズパッケージの樹脂封止などで適用されている技術を転用して、かつ、樹脂封止時の加熱、加圧の履歴を受けても糊残りなく剥離できる粘着テープを介在させて、バンプ面に平坦な保護層を形成する方法を見出した。
即ち本発明は、
片面に電気的接続のためのバンプ（２）が形成された半導体ウエハ（１）のバンプがある面に接着テープ（Ａ）を貼り付ける工程(工程１)、接着テープ（A）に樹脂（Ｂ）を全面に成型する工程（工程２）、半導体ウエハ裏面を基準に前記樹脂（Ｂ）面を平坦に研削する工程（工程３）、ウエハ裏面を研削する工程（工程４）、接着テープ（Ａ）および樹脂（Ｂ）を剥離する工程（工程５）を具備することを特徴とする。
片面に電気的接続のためのバンプ（２）が形成された半導体ウエハ（１）のバンプがある面に接着テープ（Ａ）を貼り付ける工程(工程１)、接着テープ（A）に樹脂（Ｂ）を全面に成型する工程（工程２）、半導体ウエハ裏面を基準に前記樹脂（Ｂ）面を平坦に研削する工程（工程３）、ウエハ裏面を研削する工程（工程４）、接着テープ（Ａ）および樹脂（Ｂ）を剥離する工程（工程５）を具備することを特徴とする。
本発明の方法により、表面に突起の形成されたウエハの裏面を突起の影響なく平坦に研削できる。
本発明で用いられる接着テープ（Ａ）としては、樹脂（Ｂ）の成型温度の履歴を経ても剥離できる特性、研磨時の応力緩和能、樹脂（Ｂ）と接する表面が樹脂（Ｂ）の接着に対して親和性を有することなどの特性が要求されるが、例えば、電気化学製ＵＨＰ−１００５等を用いることができる。
本発明で用いられる樹脂（Ｂ）としては、溶融成型できること、研削して平坦に加工できるものであれば特に限定されないが、例えば、半導体パッケージの封止に用いられる固形や液状の封止樹脂、などが挙げられる。研削可能な半導体パッケージ用封止樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂を好適に用いることができる。
本発明で用いられる樹脂（Ｂ）としては、溶融成型できること、研削して平坦に加工できるものであれば特に限定されないが、例えば、半導体パッケージの封止に用いられる固形や液状の封止樹脂、などが挙げられる。研削可能な半導体パッケージ用封止樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂を好適に用いることができる。
接着テープ（Ａ）の貼り付けは、空気を巻き込まないという面では、真空貼り付けが好ましい。しかし、高圧で成型するときに空気を接着樹脂中に溶解できることもあるので、そのような場合は、通常の常圧下の貼り付けが適用できる。
樹脂（Ｂ）の成型は、樹脂（Ｂ）を金型内で行うのが好ましく、溶融成型が好適に用いられる。このとき、ウエハ裏面に汚染防止のために保護フィルムを貼っても構わない。
樹脂（Ｂ）の成型が、十分ウエハの裏面に対して平行で、鏡面仕上げにできれば続く樹脂（Ｂ）の研削は不要であるが、これが困難であるため、ウエハ裏面を基準に研削する必要が生じる。ウエハ裏面に、成型時、保護フィルムをはった場合は、この研削前にはがすとよい。研削は通常のウエハ研削装置を用いればよい。
樹脂（Ｂ）の成型は、樹脂（Ｂ）を金型内で行うのが好ましく、溶融成型が好適に用いられる。このとき、ウエハ裏面に汚染防止のために保護フィルムを貼っても構わない。
樹脂（Ｂ）の成型が、十分ウエハの裏面に対して平行で、鏡面仕上げにできれば続く樹脂（Ｂ）の研削は不要であるが、これが困難であるため、ウエハ裏面を基準に研削する必要が生じる。ウエハ裏面に、成型時、保護フィルムをはった場合は、この研削前にはがすとよい。研削は通常のウエハ研削装置を用いればよい。
研削が終了したウエハより、樹脂（Ｂ）層および接着テープ（Ａ）を剥離する工程では、通常のテープ剥離装置が使用できる。接着層（Ａ）の剥離が加温により容易になるような場合は、剥離装置のステージを加温してもよい。
以下本発明の実施例につき説明するが、本発明は実施例に限定されない。
（実施例１）
片面に金属突起が形成された半導体ウエハの突起がある面に接着テープ（電気化学製ＵＨＰ−１００５）を貼り付け、その面にエポキシ系樹脂をトランスファモールドにより全面に薄く成型する。半導体ウエハ裏面を基準に前記樹脂面をディスコ製ＤＦＧ−８６０で平坦に研削し、その後、同じくディスコ製ＤＦＧ−８６０を使用してウエハ裏面を所定厚みまで研削する。接着テープとともに成型した樹脂を金属突起のある面より剥離する。
（実施例１）
片面に金属突起が形成された半導体ウエハの突起がある面に接着テープ（電気化学製ＵＨＰ−１００５）を貼り付け、その面にエポキシ系樹脂をトランスファモールドにより全面に薄く成型する。半導体ウエハ裏面を基準に前記樹脂面をディスコ製ＤＦＧ−８６０で平坦に研削し、その後、同じくディスコ製ＤＦＧ−８６０を使用してウエハ裏面を所定厚みまで研削する。接着テープとともに成型した樹脂を金属突起のある面より剥離する。
本発明の半導体ウエハの裏面研磨方法により、高いバンプが高密度で配列したウエハを裏面研磨するときに、バンプ面を保護する層を平坦に形成することが可能となり、ウエハレベルチップサイズパッケージなどの大きなハンダボールが高密度で配列したようなウエハの裏面研磨が容易となる。
１ ウエハ
２ バンプ
３ 接着テープ（Ａ）
４ 樹脂（Ｂ）
５ 樹脂（Ｂ）層上の平坦面
２ バンプ
３ 接着テープ（Ａ）
４ 樹脂（Ｂ）
５ 樹脂（Ｂ）層上の平坦面
Claims (1)
- 半導体ウエハの研削方法であって、片面に電気的接続のためのバンプ（２）が形成された半導体ウエハ（１）のバンプがある面に接着テープ（Ａ）を貼り付ける工程(工程１)、接着テープ（A）に樹脂（Ｂ）を全面に成型する工程（工程２）、半導体ウエハ裏面を基準に前記樹脂（Ｂ）面を平坦に研削する工程（工程３）、ウエハ裏面を研削する工程（工程４）、接着テープ（Ａ）および樹脂（Ｂ）を剥離する工程（工程５）を具備することを特徴とする半導体ウエハの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004328310A JP2006140304A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | ウエハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004328310A JP2006140304A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | ウエハの研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006140304A true JP2006140304A (ja) | 2006-06-01 |
Family
ID=36620923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004328310A Pending JP2006140304A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | ウエハの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006140304A (ja) |
-
2004
- 2004-11-12 JP JP2004328310A patent/JP2006140304A/ja active Pending
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