TW201830149A - 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

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Abstract

依本發明一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，具備：孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及平台，供描繪對象的基板載置，可於XY方向移動；及檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及偏向器，將前述多射束偏向；及電流檢測器，將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而檢測通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及控制計算機，基於檢測出的射束電流作成射束圖像，基於前述射束圖像，檢測前述遮沒孔徑陣列或前述孔徑構件中的缺陷。

Description

多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
本發明有關多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法。
隨著LSI的高度積體化，半導體元件之電路線寬更加持續地微細化。作為形成用來將電路圖樣形成至該些半導體元件之曝光用光罩(用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)的方法，會使用具有優良分析性之電子束描繪技術。 　　作為電子束描繪裝置，使用了多射束之描繪裝置的開發正在進行，以取代過往將1道射束偏向而將射束照射至基板上的必要處之單射束描繪裝置。藉由使用多射束，相較於以1道電子束描繪的情形，能夠照射較多的射束，故能使產出大幅提升。多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之孔徑構件而形成多射束，然後藉由遮沒孔徑陣列進行各射束的遮沒控制，未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小，並照射至被載置於可移動的平台上之基板。 　　多射束描繪裝置中，要求針對每1道的射束，檢查其射束電流或對焦是否為期望的值、是否可藉由遮沒孔徑陣列進行ON/OFF控制等。習知，是一面藉由遮沒孔徑陣列1道1道地切換設為ON的射束，一面掃描法拉第杯(Faraday cup)來檢查射束。但，多射束是由多數(例如約26萬道)的射束所構成，若以射束道數份反覆進行這樣的檢查，則會有檢查需要長時間之問題。
本發明，提供一種能夠短時間且高精度地進行多射束的各射束的檢查之多帶電粒子束描繪檢查裝置及多帶電粒子束描繪方法。 　　依本發明一態樣之多帶電粒子束描繪裝置，係具備：孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及平台，供描繪對象的基板載置，可於XY方向移動；及檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及偏向器，將前述多射束偏向；及電流檢測器，將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而檢測通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及控制計算機，基於檢測出的射束電流作成射束圖像，基於前述射束圖像，檢測前述遮沒孔徑陣列或前述孔徑構件中的缺陷。
以下，依據圖面說明本發明之實施形態。 　　圖1為本發明實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。本實施形態中，作為帶電粒子束的一例，係以使用了電子束之構成來做說明。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等其他帶電粒子束。 　　此描繪裝置，具備對描繪對象的基板24照射電子束而描繪期望的圖樣之描繪部W、及控制描繪部W的動作之控制部C。 　　描繪部W，具備電子束鏡筒2與描繪室20。在電子束鏡筒2內，配置有電子槍4、照明透鏡6、孔徑構件8、遮沒孔徑陣列10、縮小透鏡12、校準線圈13、限制孔徑構件14、對物透鏡16、及偏向器18。 　　在描繪室20內配置XY平台22。在XY平台22上，載置有描繪對象的基板24。作為描繪對象的基板24，例如包含晶圓、或包含利用以準分子雷射為光源之步進機或掃描機等縮小投影型曝光裝置或極紫外線曝光裝置(EUV)來將圖樣轉印至晶圓之曝光用光罩。 　　此外，在XY平台22，在和供基板24載置的位置相異之位置，配置有具有多射束檢查用孔徑40(以下記載為「檢查孔徑40」)及電流檢測器50之多射束用射束檢查裝置。檢查孔徑40，藉由調整機構(圖示略)而高度可調整。檢查孔徑40較佳是設置於和基板24同一高度位置。 　　從電子槍4放出之電子束30，會藉由照明透鏡6而近乎垂直地對孔徑構件8全體做照明。圖2為孔徑構件8的構成示意概念圖。在孔徑構件8，有縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的孔(開口部)80以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。例如，形成512列×512列的孔80。各孔80均形成為相同尺寸形狀的矩形。各孔80亦可是相同直徑的圓形。 　　電子束30，對包含孔徑構件8的所有孔80之區域做照明。電子束30的一部分分別通過該些複數個孔80，藉此會形成如圖1所示般的多射束30a～30e。 　　圖2中，雖然示例於縱橫(x，y方向)均配置了2列以上的孔80，但並不限於此。例如，亦可為在縱橫(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。 　　在遮沒孔徑陣列10，係配合孔徑構件8的各孔80的配置位置而形成貫通孔，在各貫通孔，各自配置有由成對的2個電極所構成之遮沒器。通過各貫通孔的電子束30a～30e，會各自獨立地藉由遮沒器施加之電壓而被偏向。藉由此偏向，各射束受到遮沒控制。藉由遮沒孔徑陣列10，對通過了孔徑構件8的複數個孔80之多射束的各射束進行遮沒偏向。 　　通過了遮沒孔徑陣列10的多射束30a～30e，藉由縮小透鏡12，各者的射束尺寸及排列間距會被縮小，朝向形成於限制孔徑構件14的中心的孔行進。在後述的通常模式中，藉由遮沒孔徑陣列10的遮沒器而被偏向的電子束，其位置會位移而偏離限制孔徑構件14的中心的孔，而被限制孔徑構件14遮蔽。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列10的遮沒器偏向的電子束，會通過限制孔徑構件14的中心的孔。 　　限制孔徑構件14，是將藉由遮沒孔徑陣列10的遮沒器而被偏向成為射束OFF狀態之各電子束加以遮蔽。然後，從成為射束ON開始至成為射束OFF為止通過了限制孔徑構件14的射束，便成為1次份的擊發的電子束。 　　通過了限制孔徑構件14的多射束30a～30e，藉由對物透鏡16而被合焦，在基板24上成為期望的縮小率的圖樣像。通過了限制孔徑構件14的各電子束(多射束全體)，會藉由偏向器18朝同方向被一齊偏向，照射至基板24。 　　在縮小透鏡12的下方(或遮沒孔徑陣列10與縮小透鏡12之間)，設有校準線圈13。 　　藉由控制校準線圈13所造成的電子束的偏向量，能夠切換如圖3(a)所示，未因遮沒孔徑陣列10的遮沒器而被偏向之電子束會通過限制孔徑構件14的中心的孔之「通常模式」、以及如圖3(b)所示，因遮沒孔徑陣列10的遮沒器而被偏向之電子束會通過限制孔徑構件14的中心的孔之「反轉模式」。 　　「通常模式」中，未受到遮沒孔徑陣列10的遮沒器施加電壓而未被偏向之電子束會照射至基板24，被施加規定的電壓(例如5V)而被偏向之電子束則會藉由限制孔徑構件14而被遮蔽。 　　另一方面，「反轉模式」中，藉由遮沒孔徑陣列10的遮沒器被施加規定的電壓(例如5V)而被偏向之電子束會照射至基板24，未被施加電壓(施加電壓0V)而未被偏向之電子束則會藉由限制孔徑構件14而被遮蔽。 　　一次所照射之多射束，理想上會成為以孔徑構件8的複數個孔80的排列間距乘上上述期望的縮小率而得之間距而並排。此描繪裝置，係以連續依序逐漸照射擊發射束之逐線掃瞄(raster scan)方式來進行描繪動作，當描繪期望的圖樣時，因應圖樣不同，必要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON。當XY平台22在連續移動時，射束的照射位置會受到偏向器18控制，以便追隨XY平台22的移動。 　　控制部C，具有控制計算機32及控制電路34。控制計算機32，射束陣列辨識部60、缺陷種類判定部62、缺陷對映作成部64及擊發資料生成部66。控制計算機32的各部，可以由電子電路等硬體來構成，亦可由執行該些功能的程式等軟體來構成。當由軟體構成的情形下，亦可將實現該些功能之程式存放於記錄媒體，並令其讀入至含有電子電路等的電腦以執行。 　　擊發資料生成部66，對描繪資料進行複數段的資料變換處理，生成裝置固有的擊發資料，輸出至控制電路34。擊發資料中，定義著各擊發的照射量及照射位置座標等。控制電路34，將各擊發的照射量除以電流密度以求出照射時間t，當進行相對應的擊發時，對遮沒孔徑陣列10的相對應的遮沒器施加偏向電壓，使得僅於照射時間t設為射束ON。 　　控制電路34，演算偏向量使得各射束被偏向至擊發資料所示之位置(座標)，並對偏向器18施加偏向電壓。藉此，該次被擊發之多射束會受到一齊偏向。此外，控制電路34，控制校準線圈13所造成的射束偏向量，來切換通常模式及反轉模式。 　　這樣的描繪裝置中，針對構成多射束之多數個電子束的每1道，會進行遮沒孔徑陣列10的遮沒器是否有施加期望的電壓而進行ON/OFF控制等之檢查。此檢查，是使用具有檢查孔徑40及電流檢測器50之多射束用射束檢查裝置來進行。 　　利用圖4～圖6說明多射束用射束檢查裝置的構成。圖4為多射束用射束檢查裝置的概略構成圖。圖5為從下面側觀看檢查孔徑40時之立體圖。圖6為從上面側觀看檢查孔徑40時之立體圖。另，圖4所示之檢查孔徑40，為圖6的IV-IV線下之剖斷端面圖。 　　檢查孔徑40，為限制使得電子束僅通過一道之物，例如能夠使用具備散射層41與吸收層43之物。散射層41設於吸收層43上。檢查孔徑40例如呈圓形的平面形狀，沿著中心軸形成有貫通孔。此貫通孔，是由形成於吸收層43的中心部之開口部44、及形成於散射層41的中心部而和開口部44相連之貫通孔42所構成。 　　當製作檢查孔徑40的情形下，例如準備Pt或W等阻止能力(stopping power)高的重金屬的薄膜，藉由運用了FIB(聚焦離子束)之蝕刻，在下面側形成開口部44。接著，藉由運用了FIB之蝕刻，在開口部44的底部，形成直徑比開口部44還小的貫通孔42。重金屬薄膜當中，形成有開口部44之部分相當於吸收層43，形成有貫通孔42之部分相當於散射層41。另，加工的順序不限於此。 　　當將基板24上的多射束的射束間距訂為P、(1道的)射束的尺寸訂為S的情形下，貫通孔42的直徑φ1較佳是訂為S＜φ1＜P-S。若徑φ1比射束尺寸S還大，則1道的電子束能夠通過(無散射穿透)所有貫通孔42，能夠提高S/N比。為使徑φ1容易找到射束，此外，為免孔被異物堵塞，較佳是儘可能做成較大。 　　另一方面，若徑φ1比P-S還小，則當掃描多射束時，相鄰2道的射束(的一部分)不會同時通過貫通孔42。是故，貫通孔42，能使多射束當中僅1道的電子束通過。例如，如圖7所示，當電子束B1通過貫通孔42時，電子束B1的相鄰的電子束B2不會重疊於貫通孔42。 　　例如，如圖7所示，當電子束B1通過貫通孔42時，電子束B1的第1相鄰的電子束B2(電子束B1的周邊的8道電子束B2)，會照射至散射層41，一部分在散射層41的表面反射，但其近乎全部會如虛線所示侵入至散射層41而被散射。散射的電子，會貫通散射層41，其一部分直接在真空中直進，一部分在吸收層43的表面被反射而一部分入射至吸收層43，(幾乎)不會到達電流檢測器50。電子束B1的第2以上相鄰的電子束B3，在散射層41被散射。散射的電子侵入至吸收層43，被吸收。 　　另，檢查孔徑40的構造並不限定於上述之物，能夠運用能限制使得電子束僅通過一道之物。 　　通過了貫通孔42及開口部44的電子束(圖4的電子束B、圖7的電子束B1)，會入射至電流檢測器50，射束電流受到檢測。在電流檢測器50，例如能夠使用SSD(半導體檢測器(solid-state detector))。電流檢測器50所做的檢測結果會通知至控制計算機32。 　　接著，使用圖8所示流程圖，說明針對構成多射束的多數個電子束的各者，檢測是否有正常地進行ON/OFF控制，作成辨明出未進行ON/OFF控制的缺陷處之缺陷對映，並且判定缺陷種類之方法。 　　判定的缺陷種類，例如有無法藉由遮沒器施加電壓，於通常模式下射束會常時照射至基板24之「常時ON缺陷(常時0V缺陷)」、於通常模式下射束無法照射至基板24之「常時OFF缺陷」、孔徑構件8的孔80的開口不均一等。「常時OFF缺陷」，被分類成遮沒器的施加電壓固定在5V之「常時5V缺陷」、及在孔徑構件8沒有孔80開口之「孔堵塞缺陷」。 　　本實施形態中，將遮沒孔徑陣列10分割成複數個檢查區域，對每一區域進行檢查(檢查孔徑40的掃描)。這是因為射束掃描所使用的偏向器18的最大偏向量並未大到能夠覆蓋遮沒孔徑陣列10的全域之緣故。因此，首先，決定遮沒孔徑陣列10的區域分割數n(n為2以上的整數)(步驟S1)。 　　選擇尚未進行檢查之區域，決定檢查區域(步驟S2)。移動XY平台22，將檢查孔徑40配置於可照射檢查區域的射束之位置(步驟S3)。 　　通常模式下，將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為0V、其他區域(非檢查區域)的遮沒器的施加電壓設為5V，令藉由檢查區域的遮沒器而被設為射束ON之複數個射束藉由偏向器18朝XY方向偏向，掃描檢查孔徑40，依序切換通過貫通孔42的電子束(步驟S4)。電流檢測器50檢測射束電流。 　　控制計算機32，將藉由電流檢測器50檢測出的射束電流變換成亮度，基於偏向器18的偏向量來作成射束圖像，進行圖像分析，檢測射束缺損(步驟S5)。例如，作成如圖9(a)所示般的射束圖像。此為當將檢查區域設為左下(1，1)、4×4陣列的情形下之圖像的一例。 　　由此圖像，如圖9(b)所示，檢測到(1，1)及(3，3)的射束缺損(常時OFF缺陷)。然後，作成如圖9(c)所示般的遮沒器的常時OFF缺陷的缺陷清單。 　　當在檢查區域的鄰近存在有常時ON缺陷的射束的情形下，會得到如圖10(a)所示般的圖像。射束陣列辨識部60辨識和檢查區域相對應之射束陣列區域，區域外的缺陷則被忽視。例如，事先決定好檢查區域為4×4陣列，因此射束陣列辨識部60，是以4×4陣列的尺寸的區域內包含的射束數會成為最多之方式來辨識射束陣列。 　　接著，通常模式下，將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為5V、非檢查區域的遮沒器的施加電壓也設為5V，於將全部的射束設為OFF之狀態下掃描檢查孔徑40(步驟S6)。在此情形下，常時ON缺陷的射束的射束電流會被電流檢測器50檢測到。 　　控制計算機32，將藉由電流檢測器50檢測出的射束電流變換成亮度，基於偏向器18的偏向量，作成圖像，進行圖像分析，作成常時ON缺陷的缺陷清單(步驟S7)。例如，作成如圖10(b)所示般的圖像。由此圖像可知(3，2)的射束為常時ON缺陷的射束。 　　因步驟S5中射束陣列的位置被決定，圖10(b)所示區域外的缺陷會被忽視。 　　接著，控制校準線圈13的偏向量，切換成反轉模式，將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為0V、非檢查區域的遮沒器的施加電壓也設為0V，於將全部的射束設為OFF之狀態下掃描檢查孔徑40(步驟S8)。在此情形下，常時5V缺陷的射束的射束電流會被電流檢測器50檢測到。 　　控制計算機32，將藉由電流檢測器50檢測出的射束電流變換成亮度，基於偏向器18的偏向量，作成射束圖像，進行圖像分析，作成常時5V缺陷的缺陷清單(步驟S9)。 　　接著，反轉模式下，將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為5V、其他區域(非檢查區域)的遮沒器的施加電壓設為0V，令藉由檢查區域的遮沒器而被設為射束ON之複數個射束藉由偏向器18朝XY方向偏向，掃描檢查孔徑40(步驟S10)。電流檢測器50檢測射束電流。 　　控制計算機32，將藉由電流檢測器50檢測出的射束電流變換成亮度，基於偏向器18的偏向量，作成圖像，進行圖像分析，作成射束缺損(常時0V缺陷或孔堵塞)的缺陷清單(步驟S11)。 　　將這樣的檢查，對遮沒孔徑陣列10的n個檢查區域全部來進行(步驟S2～S12)。 　　全部的檢查區域的檢查結束後，缺陷種類判定部62，比較各檢查區域的圖像分析結果，辨明缺陷的種類(步驟S13)。 　　如圖11所示，通常模式下，當將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為0V的情形下，會檢測到通過了正常動作的遮沒器之射束、及常時0V缺陷之射束。 　　通常模式下，當將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為5V的情形下，不會檢測到通過了正常動作的遮沒器之射束，而會檢測到常時0V缺陷(常時ON缺陷)之射束。 　　反轉模式下，當將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為0V的情形下，不會檢測到通過了正常動作的遮沒器之射束，而會檢測到常時5V缺陷之射束。 　　反轉模式下，當將檢查區域的遮沒器的施加電壓設為5V的情形下，會檢測到通過了正常動作的遮沒器之射束，及常時5V缺陷之射束。 　　若為在孔徑構件8沒有孔80開口之孔堵塞缺陷，則總是不會檢測到射束。 　　利用圖11所示般的關係，缺陷種類判定部62，基於遮沒器的施加電壓及動作模式(通常模式/反轉模式)、與有無檢測到射束，來檢測射束缺陷，判定缺陷種類。例如，缺陷種類判定部62，對於和通常模式下於遮沒器的施加電壓為0V、5V雙方皆檢測到的射束相對應之遮沒器，判定發生了常時ON缺陷(常時0V缺陷)。 　　當通常模式下於遮沒器施加電壓為0V、5V雙方皆未檢測到射束，反轉模式下於遮沒器施加電壓為0V、5V雙方皆檢測到射束的情形下，判定和此射束相對應之遮沒器發生了常時5V缺陷。 　　當通常模式及反轉模式雙方下，於遮沒器施加電壓為0V、5V雙方皆未檢測到射束的情形下，判定在孔徑構件8發生應形成此射束的孔80未開口之孔堵塞缺陷。 　　當僅判定常時ON缺陷及常時OFF缺陷即可的情形下，能夠省略反轉模式下的檢查(圖8的步驟S8～S11)。 　　缺陷種類判定部62，由射束像的階調(tone)(亮度)，能夠判定孔80的開口不均一。例如，當孔80的開口尺寸比規定值還小的情形下，射束像的階調會變小(變暗)。缺陷種類判定部62，計算圖像內的複數個射束像的階調的平均值，針對階調比平均值還小一定程度之射束像，判定孔80的開口尺寸變小。 　　缺陷對映作成部64，基於各檢查區域的缺陷判定結果，作成常時ON缺陷或常時OFF缺陷的對映(步驟S14)。擊發資料生成部66，參照缺陷對映，以修正缺陷或孔80的開口不均一之方式修正擊發資料。 　　像這樣，按照本實施形態，將遮沒孔徑陣列10分割成複數個檢查區域，掃描各檢查區域的複數個射束，依序切換通過貫通孔42之電子束，藉此在短時間內進行各電子束的檢查。改變遮沒器的施加電壓、或校準線圈13的偏向量，比較有無檢測到射束，藉此便能短時間且高精度地進行缺陷的檢測/分類。 　　另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由將上述實施形態中揭示之複數個構成要素予以適當組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
2‧‧‧電子束鏡筒
4‧‧‧電子槍
6‧‧‧照明透鏡
8‧‧‧孔徑構件
10‧‧‧遮沒孔徑陣列
12‧‧‧縮小透鏡
13‧‧‧校準線圈
14‧‧‧限制孔徑構件
16‧‧‧對物透鏡
18‧‧‧偏向器
20‧‧‧描繪室
22‧‧‧XY平台
24‧‧‧基板
30‧‧‧電子束
30a～30e‧‧‧多射束
32‧‧‧控制計算機
34‧‧‧控制電路
40‧‧‧檢查孔徑
41‧‧‧散射層
42‧‧‧貫通孔
43‧‧‧吸收層
44‧‧‧開口部
50‧‧‧電流檢測器
60‧‧‧射束孔徑辨識部
62‧‧‧缺陷種類判定部
64‧‧‧缺陷對映作成部
66‧‧‧擊發資料生成部
80‧‧‧孔(開口部)
C‧‧‧控制部
W‧‧‧描繪部
圖1為本發明實施形態之多帶電粒子束描繪裝置的概略圖。 　　圖2為孔徑構件的概略圖。 　　圖3(a)為通常模式說明圖，圖3(b)為反轉模式說明圖。 　　圖4為同實施形態之射束檢查部的概略圖。 　　圖5為同實施形態之多射束檢查用孔徑的立體圖。 　　圖6為同實施形態之多射束檢查用孔徑的平面圖。 　　圖7為照射至檢查用孔徑之多射束示意圖。 　　圖8為同實施形態之多射束檢查方法說明流程圖。 　　圖9(a)為藉由射束掃描得到的圖像的一例示意圖，圖9(b)為射束缺損的一例示意圖，圖9(c)為缺陷清單的一例示意圖。 　　圖10(a)、圖10(b)為射束陣列辨識處理的例子示意圖。 　　圖11為缺陷種類與有無檢測到射束之關係示意圖。

Claims (10)

  1. 一種多帶電粒子束描繪裝置，具備： 　　孔徑構件，形成有複數個孔，帶電粒子束通過前述複數個孔，藉此形成多射束；及 　　遮沒孔徑陣列，配置有複數個遮沒器，該遮沒器切換前述多射束當中各自相對應之射束的ON/OFF；及 　　平台，供描繪對象的基板載置，可於XY方向移動；及 　　檢查孔徑，設於前述平台，令前述多射束當中1道的射束通過；及 　　偏向器，將前述多射束偏向；及 　　電流檢測器，將前述多射束在前述檢查孔徑上於XY方向掃描而檢測通過了前述檢查孔徑之前述多射束的各射束的射束電流；及 　　控制計算機，基於檢測出的射束電流作成射束圖像，基於前述射束圖像，檢測前述遮沒孔徑陣列或前述孔徑構件中的缺陷。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，將前述遮沒孔徑陣列分割成複數個檢查區域，以檢查區域單位，進行前述檢查孔徑的掃描。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制計算機，進行前述射束圖像中，和前述檢查區域相對應之射束陣列區域的辨識。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，更具備：校準線圈，將動作模式切換成未因前述遮沒器而被偏向之射束會照射至前述基板之通常模式、或因前述遮沒器而被偏向之射束會照射至前述基板之反轉模式， 　　若對前述遮沒器施加第1規定電壓則射束不會被偏向，若對前述遮沒器施加第2規定電壓則射束會被偏向， 　　前述控制計算機，切換有無前述遮沒器所造成之偏向、及切換前述動作模式，來將前述檢查孔徑掃描複數次，比較基於各掃描中檢測出的射束電流而作成之射束圖像，來判定缺陷種類。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制計算機，當於前述通常模式，檢測出和控制成施加前述第2規定電壓的遮沒器相對應之射束電流的情形下，判定此遮沒器發生了前述第1規定電壓被常時施加之常時ON缺陷。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制計算機，當於前述通常模式，於控制成對前述遮沒器施加前述第1規定電壓時、及於控制成施加前述第2規定電壓時這雙方，皆未檢測出和該遮沒器相對應之射束的射束電流的情形下，判定此射束發生了無法在前述通常模式下照射至前述基板之常時OFF缺陷。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制計算機，當於前述反轉模式，檢測出已判定發生了前述常時OFF缺陷之射束的射束電流的情形下，判定和此射束相對應之此遮沒器發生了前述第2規定電壓被常時施加之缺陷。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制計算機，當於前述反轉模式，未檢測出已判定發生了前述常時OFF缺陷之射束的射束電流的情形下，判定和此射束相對應之前述孔徑構件的孔堵塞。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之多帶電粒子束描繪裝置，其中，前述控制計算機，基於前述射束圖像中的各射束的階調，判定形成於前述孔徑構件之孔的開口不均一。
  10. 一種多帶電粒子束描繪方法，具備： 　　放出帶電粒子束之工程；及 　　前述帶電粒子束通過孔徑構件的複數個孔，藉此形成多射束之工程；及 　　使用設於遮沒孔徑陣列之複數個遮沒器，進行各自相對應之射束的遮沒偏向之工程；及 　　在設於供載置描繪對象的基板之平台，而令前述多射束當中1道的射束通過之檢查孔徑上，將前述多射束於XY方向掃描之工程；及 　　檢測通過了前述檢查孔徑的前述多射束的各射束的射束電流之工程；及 　　基於檢測出的射束電流來作成射束圖像之工程；及 　　基於前述射束圖像，檢測前述遮沒孔徑陣列或前述孔徑構件中的缺陷之工程。
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