TW201829178A - 電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔 - Google Patents

電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔 Download PDF

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Abstract

本發明公開一種電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔。抗氧化複合式電極箔包括一基底材料結構、一第一低活性金屬結構以及一第一含碳材料結構。第一低活性金屬結構設置在基底材料結構上。第一含碳材料結構設置在第一低活性金屬結構上。由於穿過第一含碳材料結構的外界氧氣會被阻擋在第一低活性金屬結構的外部，所以本發明的抗氧化複合式電極箔能夠通過第一低活性金屬結構的使用而提升抗氧化功能。

Description

電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔
本發明涉及一種封裝結構及其電極箔，特別是涉及一種電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔。
電容器已廣泛被使用於消費性家電用品、電腦主機板、電源供應器、通訊產品以及汽車等的基本元件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等等，是電子產品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質以及用途，有不同的型態，包括有鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、捲繞型或堆疊型固態電解電容器以及薄膜電容等等。現有技術中，捲繞型固態電解電容器包括有電容器元件、收容構件以及封口構件。電容器元件隔著絕緣件將一連接陽極端子的陽極箔與一連接陰極端子的陰極箔進行捲繞。收容構件具有開口部且可收容電容器元件。封口構件具有一可供陽極端子及陰極端子貫穿的貫穿孔以及一可密封收容構件的封口部。然而，現有的捲繞型固態電解電容器的電容器元件的陽極箔與陰極箔的抗氧化功能較差。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種抗氧化複合式電極箔，其包括：一基底材料結構、 一第一低活性金屬結構以及一第一含碳材料結構。所述基底材料結構具有一上表面以及一下表面。所述第一低活性金屬結構設置在所述基底材料結構的上表面。所述第一含碳材料結構設置在所述第一低活性金屬結構上，其中，穿過所述第一含碳材料結構的外界氧氣被阻擋在所述第一低活性金屬結構的外部。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種抗氧化複合式電極箔，其包括：一基底材料結構、一第一低活性金屬結構以及一第一含碳材料結構。所述第一低活性金屬結構設置在所述基底材料結構上。所述第一含碳材料結構設置在所述第一低活性金屬結構上。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種電容器封裝結構，其包括：一捲繞型電容器、一封裝殼體、一第一導電接腳以及一第二導電接腳。所述捲繞型電容器包括兩個抗氧化複合式電極箔以及兩個隔離紙。兩個所述隔離紙的其中之一設置於兩個所述抗氧化複合式電極箔之間，且兩個所述抗氧化複合式電極箔分別為一正箔與一負箔。所述捲繞型電容器被封裝在所述封裝殼體內。所述第一導電接腳具有電性接觸其中一所述抗氧化複合式電極箔且被封裝在所述封裝殼體內的一第一內埋部以及穿過所述封裝殼體而裸露在所述封裝殼體的外部的一第一裸露部。所述第二導電接腳具有電性接觸另外一所述抗氧化複合式電極箔且被封裝在所述封裝殼體內的一第二內埋部以及穿過所述封裝殼體而裸露在所述封裝殼體的外部的一第二裸露部。更進一步來說，每一個所述抗氧化複合式電極箔包括：一基底材料結構、一第一低活性金屬結構以及一第一含碳材料結構。所述基底材料結構具有一上表面以及一下表面。所述第一低活性金屬結構設置在所述基底材料結構的上表面。所述第一含碳材料結構設置在所述第一低活性金屬結構上，其中，穿過所述第一含碳材料結構的外界氧氣被阻擋在所述第一低活性金屬結構的 外部。
本發明的有益效果在於，本發明技術方案所提供的電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔可通過“所述第一低活性金屬結構設置在所述基底材料結構上”以及“所述第一含碳材料結構設置在所述第一低活性金屬結構上”的技術特徵，以使得穿過所述第一含碳材料結構的外界氧氣能被阻擋在所述第一低活性金屬結構的外部，藉此以提升抗氧化複合式電極箔的抗氧化功能。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z‧‧‧固態電解電容器封裝結構
F‧‧‧抗氧化複合式電極箔
1‧‧‧基底材料結構
101‧‧‧上表面
102‧‧‧下表面
10‧‧‧金屬層
2‧‧‧第一導電材料結構
200‧‧‧第一含氧金屬化合物層
20‧‧‧第一導電材料層
3‧‧‧第一含碳材料結構
30‧‧‧第一含碳材料層
4‧‧‧第二導電材料結構
400‧‧‧第二含氧金屬化合物層
40‧‧‧第二導電材料層
5‧‧‧第二含碳材料結構
50‧‧‧第二含碳材料層
6‧‧‧第一低活性金屬結構
60‧‧‧第一低活性金屬層
7‧‧‧第二低活性金屬結構
70‧‧‧第二低活性金屬層
P‧‧‧隔離紙
W‧‧‧捲繞型電容器
C‧‧‧封裝殼體
L1‧‧‧第一導電接腳
L11‧‧‧第一內埋部
L12‧‧‧第一裸露部
L2‧‧‧第二導電接腳
L21‧‧‧第二內埋部
L22‧‧‧第二裸露部
圖1為本發明第一實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖2為圖1的II區域的基底材料結構改用多個金屬層的放大示意圖。
圖3為圖1的III區域的第一導電材料結構改用多個第一導電材料層的放大示意圖。
圖4為圖1的IV區域的第一含碳材料結構改用多個第一含碳材料層的放大示意圖。
圖5為本發明第二實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖6為圖5的VI區域的第二導電材料結構改用多個第二導電材料層的放大示意圖。
圖7為圖5的VII區域的第二含碳材料結構改用多個第二含碳材料層的放大示意圖。
圖8為本發明第三實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖9為本發明第四實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意 圖。
圖10為圖9的X區域的基底材料結構改用多個金屬層的放大示意圖。
圖11為圖9的XI區域的第一低活性金屬結構改用多個第一低活性金屬層的放大示意圖。
圖12為圖9的XII區域的第一含碳材料結構改用多個第一含碳材料層的放大示意圖。
圖13為本發明第五實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖14為圖13的XIV區域的第二低活性金屬結構改用多個第二低活性金屬層的放大示意圖。
圖15為圖13的XV區域的第二含碳材料結構改用多個第二含碳材料層的放大示意圖。
圖16為本發明第六實施例的抗氧化複合式電極箔的剖面示意圖。
圖17為本發明第七實施例的電容器封裝結構的兩個抗氧化複合式電極箔、兩個隔離紙、第一導電接腳以及第二導電接腳相互配合的立體示意圖。
圖18為本發明第七實施例的電容器封裝結構的側視示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電容器封裝結構及其抗氧化複合式電極箔”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，予以聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本 發明的技術範圍。
[第一實施例]
請參閱圖1至圖4所示，本發明第一實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底材料結構1、一第一導電材料結構2以及一第一含碳材料結構3。
首先，如圖1所示，基底材料結構1具有一上表面101以及一下表面102，第一導電材料結構2設置在基底材料結構1的上表面101，並且第一含碳材料結構3設置在第一導電材料結構2上。也就是說，抗氧化複合式電極箔F可由基底材料結構1、第一導電材料結構2以及第一含碳材料結構3依序堆疊所形成。
承上所述，第一導電材料結構2的其中一部分為接觸第一含碳材料結構3的一第一最外層，並且第一導電材料結構2的第一最外層為通過氧化作用而形成的一第一含氧金屬化合物層200。也就是說，當外界氧氣穿過第一含碳材料結構3以接觸到第一導電材料結構2的第一最外層時，第一導電材料結構2的第一最外層就會被外界氧氣所氧化而形成第一含氧金屬化合物層200。藉此，第一含氧金屬化合物層200就會被設置在第一導電材料結構2的其餘部分(未被氧化的部分)與第一含碳材料結構3之間，以阻擋穿過第一含碳材料結構3的外界氧氣去接觸到第一導電材料結構2的其餘部分。因此，本發明的抗氧化複合式電極箔F能夠通過第一導電材料結構2的第一含氧金屬化合物層200的使用而提升抗氧化功能。
舉其中一例來說，配合圖1以及圖2所示，基底材料結構1可為一單一的金屬層10(如圖1所示)或者一由多個金屬層10依序堆疊所形成(如圖2所示)。更進一步來說，基底材料結構1所使用的金屬層10可由鋁(Al)、銅(Cu)或者其它金屬材料所製成。當然，基底材料結構1所使用的金屬層10也可替換成金屬合金 層，並且基底材料結構1所使用的金屬合金層可由鋁合金、銅合金或者其它金屬合金材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉另外一例來說，配合圖1以及圖3所示，第一導電材料結構2可為一單一的第一導電材料層20(如圖1所示)或者一由多個第一導電材料層20依序堆疊所形成(如圖3所示)。值得一提的是，如圖3所示，當第一導電材料結構2是由多個第一導電材料層20依序堆疊所形成時，第一含氧金屬化合物層200就會形成在最外側的第一導電材料層20上，以接觸第一含碳材料結構3。更進一步來說，第一導電材料層20可為一第一金屬層、一第一金屬合金層以及一第一金屬化合物層三者其中之一。第一導電材料層20所使用的第一金屬層可由鈦(Ti)、鎳、鉻或者其它金屬材料所製成。第一導電材料層20所使用的第一金屬合金層可由鎳鉻合金或者其它金屬合金材料所製成。第一導電材料層20所使用的第一金屬化合物層可由氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(Ti(O,N)x)、碳氧化鈦(Ti(O,C)x)、氮碳化鈦(Ti(C,N)x)、氮氧碳化鈦(Ti(O,N,C)x)或者其它金屬化合物材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉另外再一例來說，配合圖1以及圖4所示，第一含碳材料結構3可為一單一的第一含碳材料層30(如圖1所示)或者一由多個第一含碳材料層30依序堆疊所形成(如圖4所示)。值得一提的是，如圖4所示，當第一含碳材料結構3是由多個第一含碳材料層30依序堆疊所形成時，最內側的第一含碳材料層30會接觸第一含氧金屬化合物層200。更進一步來說，第一含碳材料結構3所使用的第一含碳材料層30可由碳、石墨、石墨烯、奈米碳管、金屬碳化物、金屬氮碳化物、金屬氮碳氧化物、金屬碳氧化物或者其它的含碳材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
值得一提的是，第一導電材料結構2可由Ti層與TiNx層依序堆疊所形成，然後在TiNx層上再形成一TiNxCy層(其中，x可為零)，最後將具有Ti層、TiNx層以及TiNxCy層的抗氧化複合式電極箔F放置在溫度大約為300℃的加熱室中，以使得TiNxCy層轉變成TiNxCyOz層。當加熱室的溫度提高至大約500℃時，TiNxCyOz層的成份分佈呈現梯度變化。
[第二實施例]
請參閱圖5至圖7所示，本發明第二實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底材料結構1、一第一導電材料結構2以及一第一含碳材料結構3。由圖5與圖1的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的不同在於：第二實施例的抗氧化複合式電極箔F還進一步包括：一第二導電材料結構4以及一第二含碳材料結構5。另外，第二導電材料結構4設置在基底材料結構1的下表面102，並且第二含碳材料結構5設置在第二導電材料結構4上。
更進一步來說，如圖5所示，第二導電材料結構4的其中一部分為接觸第二含碳材料結構5的一第二最外層，並且第二導電材料結構4的第二最外層為通過氧化作用而形成的一第二含氧金屬化合物層400。也就是說，當外界氧氣穿過第二含碳材料結構5以接觸到第二導電材料結構4的第二最外層時，第二導電材料結構4的第二最外層就會被外界氧氣所氧化而形成第二含氧金屬化合物層400。藉此，第二含氧金屬化合物層400就會被設置在第二導電材料結構4的其餘部分(未被氧化的部分)與第二含碳材料結構5之間，以阻擋穿過第二含碳材料結構5的外界氧氣去接觸到第二導電材料結構4的其餘部分。因此，本發明的抗氧化複合式電極箔F除了能夠通過第一導電材料結構2的第一含氧金屬化合物層200的使用而提升抗氧化功能，也能夠通過第二導電材料 結構4的第二含氧金屬化合物層400的使用而提升抗氧化功能。
舉其中一例來說，配合圖5以及圖6所示，第二導電材料結構4可為一單一的第二導電材料層40(如圖5所示)或者一由多個第二導電材料層40依序堆疊所形成(如圖6所示)。值得一提的是，如圖6所示，當第二導電材料結構4是由多個第二導電材料層40依序堆疊所形成時，第二含氧金屬化合物層400就會形成在最外側的第二導電材料層40上，以接觸第二含碳材料結構5。更進一步來說，第一導電材料層20可為一第一金屬層、一第一金屬合金層以及一第一金屬化合物層三者其中之一。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉另外一例來說，配合圖5以及圖7所示，第二含碳材料結構5可為一單一的第二含碳材料層50(如圖5所示)或者一由多個第二含碳材料層50依序堆疊所形成(如圖7所示)。值得一提的是，如圖7所示，當第二含碳材料結構5是由多個第二含碳材料層50依序堆疊所形成時，最內側的第二含碳材料層50會接觸第二含氧金屬化合物層400。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[第三實施例]
請參閱圖8所示，本發明第三實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底材料結構1、一第一導電材料結構2以及一第一含碳材料結構3。由圖8與圖1的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的不同在於：第三實施例的抗氧化複合式電極箔F還進一步包括：一低活性金屬結構(也就是，第二低活性金屬結構7)以及一第二含碳材料結構5。另外，第二低活性金屬結構7設置在基底材料結構1的下表面102，並且第二含碳材料結構5設置在第二低活性金屬結構7上。更進一步來說，穿過第二含碳材料結構5的外界氧氣會被阻擋在第二低活性金屬結構 7的外部，而不會進到第二低活性金屬結構7的內部。
舉其中一例來說，第二低活性金屬結構7可為一單一的第二低活性金屬層70(如圖8所示)或者一由多個第二低活性金屬層70依序堆疊所形成。更進一步來說，第二低活性金屬結構7所使用的第二低活性金屬層70可由對氧氣的活性較低的銅、汞、銀、鉑以及金等低活性金屬材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉另外一例來說，第二含碳材料結構5可為一單一的第二含碳材料層50(如圖8所示)或者一由多個第二含碳材料層50依序堆疊所形成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[第四實施例]
請參閱圖9至圖12所示，本發明第四實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底材料結構1、一第一低活性金屬結構6以及一第一含碳材料結構3。
首先，如圖9所示，基底材料結構1具有一上表面101以及一下表面102，第一低活性金屬結構6設置在基底材料結構1的上表面101，並且第一含碳材料結構3設置在第一低活性金屬結構6上。藉此，由於穿過第一含碳材料結構3的外界氧氣會被阻擋在第一低活性金屬結構6的外部，所以本發明的抗氧化複合式電極箔F能夠通過第一低活性金屬結構6的使用而提升抗氧化功能。
舉其中一例來說，配合圖9以及圖10所示，基底材料結構1可為一單一的金屬層10(如圖9所示)或者一由多個金屬層10依序堆疊所形成(如圖10所示)。更進一步來說，基底材料結構1所使用的金屬層10可由鋁(Al)、銅(Cu)或者其它金屬材料所製成。當然，基底材料結構1所使用的金屬層10也可替換成金屬合金層，並且基底材料結構1所使用的金屬合金層可由鋁合金、銅合金或者其它金屬合金材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的 例子為限。
舉另外一例來說，配合圖9以及圖11所示，第一低活性金屬結構6為一單一的第一低活性金屬層60(如圖9所示)或者一由多個第一低活性金屬層60依序堆疊所形成(如圖11所示)。更進一步來說，第一低活性金屬結構6所使用的第一低活性金屬層60可由對氧氣的活性較低的銅、汞、銀、鉑以及金等低活性金屬材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉另外再一例來說，配合圖9以及圖12所示，第一含碳材料結構3可為一單一的第一含碳材料層30(如圖9所示)或者一由多個第一含碳材料層30依序堆疊所形成(如圖12所示)。更進一步來說，第一含碳材料結構3所使用的第一含碳材料層30可由碳、石墨、石墨烯、奈米碳管、金屬碳化物、金屬氮碳化物、金屬氮碳氧化物、金屬碳氧化物或者其它的含碳材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[第五實施例]
請參閱圖13至圖15所示，本發明第五實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底材料結構1、一第一低活性金屬結構6以及一第一含碳材料結構3。由圖13與圖9的比較可知，本發明第五實施例與第四實施例最大的不同在於：第五實施例的抗氧化複合式電極箔F還進一步包括：一第二低活性金屬結構7以及一第二含碳材料結構5。另外，第二低活性金屬結構7設置在基底材料結構1的下表面102，並且第二含碳材料結構5設置在第二低活性金屬結構7上。藉此，由於穿過第二含碳材料結構5的外界氧氣會被阻擋在第二低活性金屬結構7的外部，所以本發明的抗氧化複合式電極箔F除了能夠通過第一低活性金屬結構6的使用而提升抗氧化功能，也能夠通過第二低活性金屬結構7的使用而提升抗氧化功能。
舉另外一例來說，配合圖13以及圖14所示，第二低活性金屬結構7為一單一的第二低活性金屬層70(如圖13所示)或者一由多個第二低活性金屬層70依序堆疊所形成(如圖14所示)。更進一步來說，第二低活性金屬結構7所使用的第二低活性金屬層70可由對氧氣的活性較低的銅、汞、銀、鉑以及金等低活性金屬材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
舉另外再一例來說，配合圖13以及圖15所示，第二含碳材料結構5可為一單一的第二含碳材料層50(如圖13所示)或者一由多個第二含碳材料層50依序堆疊所形成(如圖15所示)。更進一步來說，第二含碳材料結構5所使用的第二含碳材料層50可由碳、石墨、石墨烯、奈米碳管、金屬碳化物、金屬氮碳化物、金屬氮碳氧化物、金屬碳氧化物或者其它的含碳材料所製成。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
[第六實施例]
請參閱圖16所示，本發明第六實施例提供一種抗氧化複合式電極箔F，其包括：一基底材料結構1、一第一低活性金屬結構6以及一第一含碳材料結構3。由圖16與圖9的比較可知，本發明第六實施例與第四實施例最大的不同在於：第六實施例的抗氧化複合式電極箔F還進一步包括：一導電材料結構(也就是，第通導電材料結構4)以及一第二含碳材料結構5。另外，第二導電材料結構4設置在基底材料結構1的下表面102，並且第二含碳材料結構5設置在第二導電材料結構4上。更進一步來說，第二導電材料結構4的其中一部分為接觸第二含碳材料結構5的一最外層，並且第二導電材料結構4的最外層為通過氧化作用而形成的一第二含氧金屬化合物層400。藉此，第二含氧金屬化合物層400設置在第二導電材料結構4的其餘部分與第二含碳材料結構5之間，以阻擋穿過第二含碳材料結構5的外界氧氣去接觸第二導電 材料結構4的其餘部分。
[第七實施例]
請參閱圖17以及圖18所示，本發明第七實施例提供一種電容器封裝結構Z，其包括：一捲繞型電容器W、一封裝殼體C、一第一導電接腳L1以及一第二導電接腳L2。舉例來說，電容器封裝結構Z可為一種捲繞型固態電解電容器封裝結構。
首先，如圖17所示，捲繞型電容器W包括兩個抗氧化複合式電極箔F以及兩個隔離紙P，其中，兩個隔離紙P的其中之一設置於兩個抗氧化複合式電極箔F之間，並且兩個抗氧化複合式電極箔F分別可為一正箔與一負箔。
再者，如圖18所示，捲繞型電容器W會被封裝在封裝殼體C內，以避免捲繞型電容器W裸露在外。另外，第一導電接腳L1具有一電性接觸其中一抗氧化複合式電極箔F且被封裝在封裝殼體C內的第一內埋部L11以及一穿過封裝殼體C而裸露在封裝殼體C的外部的第一裸露部L12。此外，第二導電接腳L2具有一電性接觸另外一抗氧化複合式電極箔F且被封裝在封裝殼體C內的第二內埋部L21以及一穿過封裝殼體C而裸露在封裝殼體C的外部的第二裸露部L22。
值得一提的是，每一個抗氧化複合式電極箔F可以採用第一實施例至第六實施例之中的任何一種抗氧化複合式電極箔F。
[實施例的有益效果]
本發明的有益效果在於，本發明的有益效果在於，本發明技術方案所提供的電容器封裝結構Z及其抗氧化複合式電極箔F可通過“第一低活性金屬結構6設置在基底材料結構1上”以及“第一含碳材料結構3設置在第一低活性金屬結構6上”的技術特徵，以使得穿過第一含碳材料結構3的外界氧氣能被阻擋在第 一低活性金屬結構6的外部，藉此以提升抗氧化複合式電極箔F的抗氧化功能。
也就是說，由於穿過第一含碳材料結構3的外界氧氣會被阻擋在第一低活性金屬結構6的外部，所以本發明的抗氧化複合式電極箔F能夠通過第一低活性金屬結構6的使用而提升抗氧化功能。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Claims (10)

  1. 一種抗氧化複合式電極箔，其包括：一基底材料結構，所述基底材料結構具有一上表面以及一下表面；一第一低活性金屬結構，所述第一低活性金屬結構設置在所述基底材料結構的上表面；以及一第一含碳材料結構，所述第一含碳材料結構設置在所述第一低活性金屬結構上，其中，穿過所述第一含碳材料結構的外界氧氣被阻擋在所述第一低活性金屬結構的外部。
  2. 如請求項1所述的抗氧化複合式電極箔，還進一步包括：一第二低活性金屬結構，所述第二低活性金屬結構設置在所述基底材料結構的下表面；以及一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述第二低活性金屬結構上，其中，穿過所述第二含碳材料結構的外界氧氣被阻擋在所述第二低活性金屬結構的外部。
  3. 如請求項2所述的抗氧化複合式電極箔，其中，所述基底材料結構為一單一的金屬層或者一由多個金屬層依序堆疊所形成，其中，所述第一低活性金屬結構為一單一的第一低活性金屬層或者一由多個第一低活性金屬層依序堆疊所形成，且所述第一含碳材料結構為一單一的第一含碳材料層或者一由多個第一含碳材料層依序堆疊所形成，其中，所述第二低活性金屬結構為一單一的第二低活性金屬層或者一由多個第二低活性金屬層依序堆疊所形成，且所述第二含碳材料結構為一單一的第二含碳材料層或者一由多個第二含碳材料層依序堆疊所形成。
  4. 如請求項1所述的抗氧化複合式電極箔，還進一步包括：一導電材料結構，所述導電材料結構設置在所述基底材料結構 的下表面；以及一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述導電材料結構上；其中，所述導電材料結構的其中一部分為接觸所述第二含碳材料結構的一最外層，所述導電材料結構的所述最外層為通過氧化作用而形成的一含氧金屬化合物層，且所述含氧金屬化合物層設置於所述導電材料結構的其餘部分與所述第二含碳材料結構之間，以阻擋穿過所述第二含碳材料結構的外界氧氣去接觸所述導電材料結構的其餘部分。
  5. 一種抗氧化複合式電極箔，其包括：一基底材料結構；一第一低活性金屬結構，所述第一低活性金屬結構設置在所述基底材料結構上；以及一第一含碳材料結構，所述第一含碳材料結構設置在所述第一低活性金屬結構上。
  6. 如請求項5所述的抗氧化複合式電極箔，還進一步包括：一第二低活性金屬結構，所述第二低活性金屬結構設置在所述基底材料結構上；以及一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述第二低活性金屬結構上。
  7. 如請求項5所述的抗氧化複合式電極箔，還進一步包括：一導電材料結構，所述導電材料結構設置在所述基底材料結構上；以及一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述導電材料結構上；其中，所述導電材料結構的其中一部分為接觸所述第二含碳材料結構的一含氧金屬化合物層，且所述含氧金屬化合物層設置於所述導電材料結構的其餘部分與所述第二含碳材料結 構之間。
  8. 一種電容器封裝結構，其包括：一捲繞型電容器，所述捲繞型電容器包括兩個抗氧化複合式電極箔以及兩個隔離紙，其中，兩個所述隔離紙的其中之一設置於兩個所述抗氧化複合式電極箔之間，且兩個所述抗氧化複合式電極箔分別為一正箔與一負箔；一封裝殼體，所述捲繞型電容器被封裝在所述封裝殼體內；一第一導電接腳，所述第一導電接腳具有電性接觸其中一所述抗氧化複合式電極箔且被封裝在所述封裝殼體內的一第一內埋部以及穿過所述封裝殼體而裸露在所述封裝殼體的外部的一第一裸露部；以及一第二導電接腳，所述第二導電接腳具有電性接觸另外一所述抗氧化複合式電極箔且被封裝在所述封裝殼體內的一第二內埋部以及穿過所述封裝殼體而裸露在所述封裝殼體的外部的一第二裸露部；其中，每一個所述抗氧化複合式電極箔包括：一基底材料結構，所述基底材料結構具有一上表面以及一下表面；一第一低活性金屬結構，所述第一低活性金屬結構設置在所述基底材料結構的上表面；以及一第一含碳材料結構，所述第一含碳材料結構設置在所述第一低活性金屬結構上，其中，穿過所述第一含碳材料結構的外界氧氣被阻擋在所述第一低活性金屬結構的外部。
  9. 如請求項8所述的電容器封裝結構，其中，每一個所述抗氧化複合式電極箔還進一步包括：一第二低活性金屬結構，所述第二低活性金屬結構設置在所述基底材料結構的下表面；以及一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述第二 低活性金屬結構上，其中，穿過所述第二含碳材料結構的外界氧氣被阻擋在所述第二低活性金屬結構的外部。
  10. 如請求項8所述的電容器封裝結構，其中，每一個所述抗氧化複合式電極箔還進一步包括：一導電材料結構，所述導電材料結構設置在所述基底材料結構的下表面；以及一第二含碳材料結構，所述第二含碳材料結構設置在所述導電材料結構上；其中，所述導電材料結構的其中一部分為接觸所述第二含碳材料結構的一最外層，所述導電材料結構的所述最外層為通過氧化作用而形成的一含氧金屬化合物層，且所述含氧金屬化合物層設置於所述導電材料結構的其餘部分與所述第二含碳材料結構之間，以阻擋穿過所述第二含碳材料結構的外界氧氣去接觸所述導電材料結構的其餘部分。
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