CN108428552A - 电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔。抗氧化复合式电极箔包括一基底材料结构、一第一导电材料结构以及一第一含碳材料结构。第一导电材料结构设置在基底材料结构上。第一含碳材料结构设置在第一导电材料结构上。第一导电材料结构的其中一部分为接触第一含碳材料结构的一第一含氧金属化合物层。第一含氧金属化合物层设置在第一导电材料结构的其余部分与第一含碳材料结构之间,以阻挡穿过第一含碳材料结构的外界氧气去接触第一导电材料结构的其余部分,借此以提升抗氧化复合式电极箔的抗氧化功能。
Description
技术领域
本发明涉及一种封装结构及其电极箔,特别是涉及一种电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔。
背景技术
电容器已广泛被使用于消费性家电用品、计算机主板、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本组件,其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等等,是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质以及用途,有不同的型态,包括有铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、卷绕型或堆栈型固态电解电容器以及薄膜电容等等。现有技术中,卷绕型固态电解电容器包括有电容器组件、收容构件以及封口构件。电容器组件隔着绝缘件将一连接阳极端子的阳极箔与一连接阴极端子的阴极箔进行卷绕。收容构件具有开口部且可收容电容器组件。封口构件具有一可供阳极端子及阴极端子贯穿的贯穿孔以及一可密封收容构件的封口部。然而,现有的卷绕型固态电解电容器的电容器组件的阳极箔与阴极箔的抗氧化功能较差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔。
为了解决上述的技术问题,本发明所采用的其中一技术方案是,提供一种抗氧化复合式电极箔,其包括:一基底材料结构、一第一导电材料结构以及一第一含碳材料结构。所述基底材料结构具有一上表面以及一下表面。所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构的上表面。所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上。其中,所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一最外层,所述第一导电材料结构的所述第一最外层为通过氧化作用而形成的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第一含碳材料结构的外界氧气去接触所述第一导电材料结构的其余部分。
更进一步地,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:一第二导电材料结构以及一第二含碳材料结构。所述第二导电材料结构设置在所述基底材料结构的下表面。所述第二含碳材料结构设置在所述第二导电材料结构上。其中,所述第二导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一第二最外层,所述第二导电材料结构的所述第二最外层为通过氧化作用而形成的一第二含氧金属化合物层,且所述第二含氧金属化合物层设置在所述第二导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气去接触所述第二导电材料结构的其余部分。
更进一步地,所述基底材料结构为一单一的金属层或者一由多个金属层依序堆栈所形成,其中,所述第一导电材料结构为一单一的第一导电材料层或者一由多个第一导电材料层依序堆栈所形成,且所述第一含碳材料结构为一单一的第一含碳材料层或者一由多个第一含碳材料层依序堆栈所形成,其中,所述第二导电材料结构为一单一的第二导电材料层或者一由多个第二导电材料层依序堆栈所形成,且所述第二含碳材料结构为一单一的第二含碳材料层或者一由多个第二含碳材料层依序堆栈所形成,其中,所述第一导电材料层为一第一金属层、一第一金属合金层以及一第一金属化合物层三者其中之一,且所述第二导电材料层为一第二金属层、一第二金属合金层以及一第二金属化合物层三者其中之一。
更进一步地,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:一低活性金属结构以及一第二含碳材料结构。所述低活性金属结构设置在所述基底材料结构的下表面。所述第二含碳材料结构设置在所述低活性金属结构上,其中,穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述低活性金属结构的外部。
为了解决上述的技术问题,本发明所采用的另外一技术方案是,提供一种抗氧化复合式电极箔,其包括:一基底材料结构、一第一导电材料结构以及一第一含碳材料结构。所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构上。所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上。其中,所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间。
更进一步地,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:一第二导电材料结构以及一第二含碳材料结构。所述第二导电材料结构设置在所述基底材料结构上。所述第二含碳材料结构设置在所述第二导电材料结构上。其中,所述第二导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一第二含氧金属化合物层,且所述第二含氧金属化合物层设置在所述第二导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间。
更进一步地,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:一低活性金属结构以及一第二含碳材料结构。所述低活性金属结构设置在所述基底材料结构上。所述第二含碳材料结构设置在所述低活性金属结构上,其中,穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述低活性金属结构的外部。
为了解决上述的技术问题,本发明所采用的另外再一技术方案是,提供一种电容器封装结构,其包括:一卷绕型电容器、一封装壳体、一第一导电接脚以及一第二导电接脚。所述卷绕型电容器包括两个抗氧化复合式电极箔以及两个隔离纸。两个所述隔离纸的其中之一设置于两个所述抗氧化复合式电极箔之间,且两个所述抗氧化复合式电极箔分别为一正箔与一负箔。所述卷绕型电容器被封装在所述封装壳体内。所述第一导电接脚具有电性接触其中一所述抗氧化复合式电极箔且被封装在所述封装壳体内的一第一内埋部以及穿过所述封装壳体而裸露在所述封装壳体的外部的一第一裸露部。所述第二导电接脚具有电性接触另外一所述抗氧化复合式电极箔且被封装在所述封装壳体内的一第二内埋部以及穿过所述封装壳体而裸露在所述封装壳体的外部的一第二裸露部。更进一步来说,每一个所述抗氧化复合式电极箔包括:一基底材料结构、一第一导电材料结构以及一第一含碳材料结构。所述基底材料结构具有一上表面以及一下表面。所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构的上表面。所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上。其中,所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一最外层,所述第一导电材料结构的所述第一最外层为通过氧化作用而形成的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第一含碳材料结构的外界氧气去接触所述第一导电材料结构的其余部分。
更进一步地,每一个所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:一第二导电材料结构以及一第二含碳材料结构。所述第二导电材料结构设置在所述基底材料结构的下表面。所述第二含碳材料结构设置在所述第二导电材料结构上。其中,所述第二导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一第二最外层,所述第二导电材料结构的所述第二最外层为通过氧化作用而形成的一第二含氧金属化合物层,且所述第二含氧金属化合物层设置在所述第二导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气去接触所述第二导电材料结构的其余部分。
更进一步地,每一个所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:一低活性金属结构以及一第二含碳材料结构。所述低活性金属结构设置在所述基底材料结构的下表面。所述第二含碳材料结构设置在所述低活性金属结构上,其中,穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述低活性金属结构的外部。
本发明的有益效果在于,本发明技术方案所提供的电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔可通过“所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构上,且所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上”以及“所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间”的技术特征,以使得所述第一含氧金属化合物层能被用于阻挡穿过所述第一含碳材料结构的外界氧气去接触所述第一导电材料结构的其余部分,借此以提升抗氧化复合式电极箔的抗氧化功能。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而所提供的附图仅用于提供参考与说明,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例的抗氧化复合式电极箔的剖面示意图。
图2为图1的II区域的基底材料结构改用多个金属层的放大示意图。
图3为图1的III区域的第一导电材料结构改用多个第一导电材料层的放大示意图。
图4为图1的IV区域的第一含碳材料结构改用多个第一含碳材料层的放大示意图。
图5为本发明第二实施例的抗氧化复合式电极箔的剖面示意图。
图6为图5的VI区域的第二导电材料结构改用多个第二导电材料层的放大示意图。
图7为图5的VII区域的第二含碳材料结构改用多个第二含碳材料层的放大示意图。
图8为本发明第三实施例的抗氧化复合式电极箔的剖面示意图。
图9为本发明第四实施例的抗氧化复合式电极箔的剖面示意图。
图10为图9的X区域的基底材料结构改用多个金属层的放大示意图。
图11为图9的XI区域的第一低活性金属结构改用多个第一低活性金属层的放大示意图。
图12为图9的XII区域的第一含碳材料结构改用多个第一含碳材料层的放大示意图。
图13为本发明第五实施例的抗氧化复合式电极箔的剖面示意图。
图14为图13的XIV区域的第二低活性金属结构改用多个第二低活性金属层的放大示意图。
图15为图13的XV区域的第二含碳材料结构改用多个第二含碳材料层的放大示意图。
图16为本发明第六实施例的抗氧化复合式电极箔的剖面示意图。
图17为本发明第七实施例的电容器封装结构的两个抗氧化复合式电极箔、两个隔离纸、第一导电接脚以及第二导电接脚相互配合的立体示意图。
图18为本发明第七实施例的电容器封装结构的侧视示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“电容器封装结构及其抗氧化复合式电极箔”的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。另外,本发明的附图仅为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘,予以声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容,但所公开的内容并非用以限制本发明的技术范围。
第一实施例
请参阅图1至图4所示,本发明第一实施例提供一种抗氧化复合式电极箔F,其包括:一基底材料结构1、一第一导电材料结构2以及一第一含碳材料结构3。
首先,如图1所示,基底材料结构1具有一上表面101以及一下表面102,第一导电材料结构2设置在基底材料结构1的上表面101,并且第一含碳材料结构3设置在第一导电材料结构2上。也就是说,抗氧化复合式电极箔F可由基底材料结构1、第一导电材料结构2以及第一含碳材料结构3依序堆栈所形成。
承上所述,第一导电材料结构2的其中一部分为接触第一含碳材料结构3的一第一最外层,并且第一导电材料结构2的第一最外层为通过氧化作用而形成的一第一含氧金属化合物层200。也就是说,当外界氧气穿过第一含碳材料结构3以接触到第一导电材料结构2的第一最外层时,第一导电材料结构2的第一最外层就会被外界氧气所氧化而形成第一含氧金属化合物层200。借此,第一含氧金属化合物层200就会被设置在第一导电材料结构2的其余部分(未被氧化的部分)与第一含碳材料结构3之间,以阻挡穿过第一含碳材料结构3的外界氧气去接触到第一导电材料结构2的其余部分。因此,本发明的抗氧化复合式电极箔F能够通过第一导电材料结构2的第一含氧金属化合物层200的使用而提升抗氧化功能。
举其中一例来说,配合图1以及图2所示,基底材料结构1可为一单一的金属层10(如图1所示)或者一由多个金属层10依序堆栈所形成(如图2所示)。更进一步来说,基底材料结构1所使用的金属层10可由铝(Al)、铜(Cu)或者其它金属材料所制成。当然,基底材料结构1所使用的金属层10也可替换成金属合金层,并且基底材料结构1所使用的金属合金层可由铝合金、铜合金或者其它金属合金材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
举另外一例来说,配合图1以及图3所示,第一导电材料结构2可为一单一的第一导电材料层20(如图1所示)或者一由多个第一导电材料层20依序堆栈所形成(如图3所示)。值得一提的是,如图3所示,当第一导电材料结构2是由多个第一导电材料层20依序堆栈所形成时,第一含氧金属化合物层200就会形成在最外侧的第一导电材料层20上,以接触第一含碳材料结构3。更进一步来说,第一导电材料层20可为一第一金属层、一第一金属合金层以及一第一金属化合物层三者其中之一。第一导电材料层20所使用的第一金属层可由钛(Ti)、镍、铬或者其它金属材料所制成。第一导电材料层20所使用的第一金属合金层可由镍铬合金或者其它金属合金材料所制成。第一导电材料层20所使用的第一金属化合物层可由氮化钛(TiNx)、碳化钛(TiC)、氧化钛(TiOx)、氮氧化钛(Ti(O,N)x)、碳氧化钛(Ti(O,C)x)、氮碳化钛(Ti(C,N)x)、氮氧碳化钛(Ti(O,N,C)x)或者其它金属化合物材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
举另外再一例来说,配合图1以及图4所示,第一含碳材料结构3可为一单一的第一含碳材料层30(如图1所示)或者一由多个第一含碳材料层30依序堆栈所形成(如图4所示)。值得一提的是,如图4所示,当第一含碳材料结构3是由多个第一含碳材料层30依序堆栈所形成时,最内侧的第一含碳材料层30会接触第一含氧金属化合物层200。更进一步来说,第一含碳材料结构3所使用的第一含碳材料层30可由碳、石墨、石墨烯、奈米碳管、金属碳化物、金属氮碳化物、金属氮碳氧化物、金属碳氧化物或者其它的含碳材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
值得一提的是,第一导电材料结构2可由Ti层与TiNx层依序堆栈所形成,然后在TiNx层上再形成一TiNxCy层(其中,x可为零),最后将具有Ti层、TiNx层以及TiNxCy层的抗氧化复合式电极箔F放置在温度大约为300℃的加热室中,以使得TiNxCy层转变成TiNxCyOz层。当加热室的温度提高至大约500℃时,TiNxCyOz层的成份分布呈现梯度变化。
第二实施例
请参阅图5至图7所示,本发明第二实施例提供一种抗氧化复合式电极箔F,其包括:一基底材料结构1、一第一导电材料结构2以及一第一含碳材料结构3。由图5与图1的比较可知,本发明第二实施例与第一实施例最大的不同在于:第二实施例的抗氧化复合式电极箔F进一步包括:一第二导电材料结构4以及一第二含碳材料结构5。另外,第二导电材料结构4设置在基底材料结构1的下表面102,并且第二含碳材料结构5设置在第二导电材料结构4上。
更进一步来说,如图5所示,第二导电材料结构4的其中一部分为接触第二含碳材料结构5的一第二最外层,并且第二导电材料结构4的第二最外层为通过氧化作用而形成的一第二含氧金属化合物层400。也就是说,当外界氧气穿过第二含碳材料结构5以接触到第二导电材料结构4的第二最外层时,第二导电材料结构4的第二最外层就会被外界氧气所氧化而形成第二含氧金属化合物层400。借此,第二含氧金属化合物层400就会被设置在第二导电材料结构4的其余部分(未被氧化的部分)与第二含碳材料结构5之间,以阻挡穿过第二含碳材料结构5的外界氧气去接触到第二导电材料结构4的其余部分。因此,本发明的抗氧化复合式电极箔F除了能够通过第一导电材料结构2的第一含氧金属化合物层200的使用而提升抗氧化功能,也能够通过第二导电材料结构4的第二含氧金属化合物层400的使用而提升抗氧化功能。
举其中一例来说,配合图5以及图6所示,第二导电材料结构4可为一单一的第二导电材料层40(如图5所示)或者一由多个第二导电材料层40依序堆栈所形成(如图6所示)。值得一提的是,如图6所示,当第二导电材料结构4是由多个第二导电材料层40依序堆栈所形成时,第二含氧金属化合物层400就会形成在最外侧的第二导电材料层40上,以接触第二含碳材料结构5。更进一步来说,第一导电材料层20可为一第一金属层、一第一金属合金层以及一第一金属化合物层三者其中之一。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
举另外一例来说,配合图5以及图7所示,第二含碳材料结构5可为一单一的第二含碳材料层50(如图5所示)或者一由多个第二含碳材料层50依序堆栈所形成(如图7所示)。值得一提的是,如图7所示,当第二含碳材料结构5是由多个第二含碳材料层50依序堆栈所形成时,最内侧的第二含碳材料层50会接触第二含氧金属化合物层400。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
第三实施例
请参阅图8所示,本发明第三实施例提供一种抗氧化复合式电极箔F,其包括:一基底材料结构1、一第一导电材料结构2以及一第一含碳材料结构3。由图8与图1的比较可知,本发明第三实施例与第一实施例最大的不同在于:第三实施例的抗氧化复合式电极箔F进一步包括:一低活性金属结构(也就是,第二低活性金属结构7)以及一第二含碳材料结构5。另外,第二低活性金属结构7设置在基底材料结构1的下表面102,并且第二含碳材料结构5设置在第二低活性金属结构7上。更进一步来说,穿过第二含碳材料结构5的外界氧气会被阻挡在第二低活性金属结构7的外部,而不会进到第二低活性金属结构7的内部。
举其中一例来说,第二低活性金属结构7可为一单一的第二低活性金属层70(如图8所示)或者一由多个第二低活性金属层70依序堆栈所形成。更进一步来说,第二低活性金属结构7所使用的第二低活性金属层70可由对氧气的活性较低的铜、汞、银、铂以及金等低活性金属材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
举另外一例来说,第二含碳材料结构5可为一单一的第二含碳材料层50(如图8所示)或者一由多个第二含碳材料层50依序堆栈所形成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
第四实施例
请参阅图9至图12所示,本发明第四实施例提供一种抗氧化复合式电极箔F,其包括:一基底材料结构1、一第一低活性金属结构6以及一第一含碳材料结构3。
首先,如图9所示,基底材料结构1具有一上表面101以及一下表面102,第一低活性金属结构6设置在基底材料结构1的上表面101,并且第一含碳材料结构3设置在第一低活性金属结构6上。借此,由于穿过第一含碳材料结构3的外界氧气会被阻挡在第一低活性金属结构6的外部,所以本发明的抗氧化复合式电极箔F能够通过第一低活性金属结构6的使用而提升抗氧化功能。
举其中一例来说,配合图9以及图10所示,基底材料结构1可为一单一的金属层10(如图9所示)或者一由多个金属层10依序堆栈所形成(如图10所示)。更进一步来说,基底材料结构1所使用的金属层10可由铝(Al)、铜(Cu)或者其它金属材料所制成。当然,基底材料结构1所使用的金属层10也可替换成金属合金层,并且基底材料结构1所使用的金属合金层可由铝合金、铜合金或者其它金属合金材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
举另外一例来说,配合图9以及图11所示,第一低活性金属结构6为一单一的第一低活性金属层60(如图9所示)或者一由多个第一低活性金属层60依序堆栈所形成(如图11所示)。更进一步来说,第一低活性金属结构6所使用的第一低活性金属层60可由对氧气的活性较低的铜、汞、银、铂以及金等低活性金属材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
举另外再一例来说,配合图9以及图12所示,第一含碳材料结构3可为一单一的第一含碳材料层30(如图9所示)或者一由多个第一含碳材料层30依序堆栈所形成(如图12所示)。更进一步来说,第一含碳材料结构3所使用的第一含碳材料层30可由碳、石墨、石墨烯、奈米碳管、金属碳化物、金属氮碳化物、金属氮碳氧化物、金属碳氧化物或者其它的含碳材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
第五实施例
请参阅图13至图15所示,本发明第五实施例提供一种抗氧化复合式电极箔F,其包括:一基底材料结构1、一第一低活性金属结构6以及一第一含碳材料结构3。由图13与图9的比较可知,本发明第五实施例与第四实施例最大的不同在于:第五实施例的抗氧化复合式电极箔F进一步包括:一第二低活性金属结构7以及一第二含碳材料结构5。另外,第二低活性金属结构7设置在基底材料结构1的下表面102,并且第二含碳材料结构5设置在第二低活性金属结构7上。借此,由于穿过第二含碳材料结构5的外界氧气会被阻挡在第二低活性金属结构7的外部,所以本发明的抗氧化复合式电极箔F除了能够通过第一低活性金属结构6的使用而提升抗氧化功能,也能够通过第二低活性金属结构7的使用而提升抗氧化功能。
举另外一例来说,配合图13以及图14所示,第二低活性金属结构7为一单一的第二低活性金属层70(如图13所示)或者一由多个第二低活性金属层70依序堆栈所形成(如图14所示)。更进一步来说,第二低活性金属结构7所使用的第二低活性金属层70可由对氧气的活性较低的铜、汞、银、铂以及金等低活性金属材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
举另外再一例来说,配合图13以及图15所示,第二含碳材料结构5可为一单一的第二含碳材料层50(如图13所示)或者一由多个第二含碳材料层50依序堆栈所形成(如图15所示)。更进一步来说,第二含碳材料结构5所使用的第二含碳材料层50可由碳、石墨、石墨烯、奈米碳管、金属碳化物、金属氮碳化物、金属氮碳氧化物、金属碳氧化物或者其它的含碳材料所制成。然而,本发明不以上述所举的例子为限。
第六实施例
请参阅图16所示,本发明第六实施例提供一种抗氧化复合式电极箔F,其包括:一基底材料结构1、一第一低活性金属结构6以及一第一含碳材料结构3。由图16与图9的比较可知,本发明第六实施例与第四实施例最大的不同在于:第六实施例的抗氧化复合式电极箔F进一步包括:一导电材料结构(也就是,第通导电材料结构4)以及一第二含碳材料结构5。另外,第二导电材料结构4设置在基底材料结构1的下表面102,并且第二含碳材料结构5设置在第二导电材料结构4上。更进一步来说,第二导电材料结构4的其中一部分为接触第二含碳材料结构5的一最外层,并且第二导电材料结构4的最外层为通过氧化作用而形成的一第二含氧金属化合物层400。借此,第二含氧金属化合物层400设置在第二导电材料结构4的其余部分与第二含碳材料结构5之间,以阻挡穿过第二含碳材料结构5的外界氧气去接触第二导电材料结构4的其余部分。
第七实施例
请参阅图17以及图18所示,本发明第七实施例提供一种电容器封装结构Z,其包括:一卷绕型电容器W、一封装壳体C、一第一导电接脚L1以及一第二导电接脚L2。举例来说,电容器封装结构Z可为一种卷绕型固态电解电容器封装结构。
首先,如图17所示,卷绕型电容器W包括两个抗氧化复合式电极箔F以及两个隔离纸P,其中,两个隔离纸P的其中之一设置于两个抗氧化复合式电极箔F之间,并且两个抗氧化复合式电极箔F分别可为一正箔与一负箔。
再者,如图18所示,卷绕型电容器W会被封装在封装壳体C内,以避免卷绕型电容器W裸露在外。另外,第一导电接脚L1具有一电性接触其中一抗氧化复合式电极箔F且被封装在封装壳体C内的第一内埋部L11以及一穿过封装壳体C而裸露在封装壳体C的外部的第一裸露部L12。此外,第二导电接脚L2具有一电性接触另外一抗氧化复合式电极箔F且被封装在封装壳体C内的第二内埋部L21以及一穿过封装壳体C而裸露在封装壳体C的外部的第二裸露部L22。
值得一提的是,每一个抗氧化复合式电极箔F可以采用第一实施例至第六实施例之中的任何一种抗氧化复合式电极箔F。
实施例的有益效果
本发明的有益效果在于,本发明技术方案所提供的电容器封装结构Z及其抗氧化复合式电极箔F可通过“第一导电材料结构2设置在基底材料结构1上,且第一含碳材料结构3设置在第一导电材料结构2上”以及“第一导电材料结构2的其中一部分为接触第一含碳材料结构3的一第一含氧金属化合物层200,且第一含氧金属化合物层200设置在第一导电材料结构2的其余部分与第一含碳材料结构3之间”的技术特征,以使得第一含氧金属化合物层200能被用于阻挡穿过第一含碳材料结构3的外界氧气去接触第一导电材料结构2的其余部分,借此以提升抗氧化复合式电极箔F的抗氧化功能。
也就是说,当外界氧气穿过第一含碳材料结构3以接触到第一导电材料结构2的第一最外层时,第一导电材料结构2的第一最外层就会被外界氧气所氧化而形成第一含氧金属化合物层200。因此,本发明的抗氧化复合式电极箔F能够通过第一导电材料结构2的第一含氧金属化合物层200的使用而提升抗氧化功能。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例,并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围,所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化,均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (10)
1.一种抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔包括:
一基底材料结构,所述基底材料结构具有一上表面以及一下表面;
一第一导电材料结构,所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构的上表面;以及
一第一含碳材料结构,所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上;
其中,所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一最外层,所述第一导电材料结构的所述第一最外层为通过氧化作用而形成的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第一含碳材料结构的外界氧气去接触所述第一导电材料结构的其余部分。
2.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一第二导电材料结构,所述第二导电材料结构设置在所述基底材料结构的下表面;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述第二导电材料结构上;
其中,所述第二导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一第二最外层,所述第二导电材料结构的所述第二最外层为通过氧化作用而形成的一第二含氧金属化合物层,且所述第二含氧金属化合物层设置在所述第二导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气去接触所述第二导电材料结构的其余部分。
3.根据权利要求2所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述基底材料结构为一单一的金属层或者一由多个金属层依序堆栈所形成,其中,所述第一导电材料结构为一单一的第一导电材料层或者一由多个第一导电材料层依序堆栈所形成,且所述第一含碳材料结构为一单一的第一含碳材料层或者一由多个第一含碳材料层依序堆栈所形成,其中,所述第二导电材料结构为一单一的第二导电材料层或者一由多个第二导电材料层依序堆栈所形成,且所述第二含碳材料结构为一单一的第二含碳材料层或者一由多个第二含碳材料层依序堆栈所形成,其中,所述第一导电材料层为一第一金属层、一第一金属合金层以及一第一金属化合物层三者其中之一,且所述第二导电材料层为一第二金属层、一第二金属合金层以及一第二金属化合物层三者其中之一。
4.根据权利要求1所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一低活性金属结构,所述低活性金属结构设置在所述基底材料结构的下表面;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述低活性金属结构上,其中,穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述低活性金属结构的外部。
5.一种抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔包括:
一基底材料结构;
一第一导电材料结构,所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构上;以及
一第一含碳材料结构,所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上;
其中,所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间。
6.根据权利要求5所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一第二导电材料结构,所述第二导电材料结构设置在所述基底材料结构上;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述第二导电材料结构上;
其中,所述第二导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一第二含氧金属化合物层,且所述第二含氧金属化合物层设置在所述第二导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间。
7.根据权利要求5所述的抗氧化复合式电极箔,其特征在于,所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一低活性金属结构,所述低活性金属结构设置在所述基底材料结构上;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述低活性金属结构上,其中,穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述低活性金属结构的外部。
8.一种电容器封装结构,其特征在于,所述电容器封装结构包括:
一卷绕型电容器,所述卷绕型电容器包括两个抗氧化复合式电极箔以及两个隔离纸,其中,两个所述隔离纸的其中之一设置于两个所述抗氧化复合式电极箔之间,且两个所述抗氧化复合式电极箔分别为一正箔与一负箔;
一封装壳体,所述卷绕型电容器被封装在所述封装壳体内;
一第一导电接脚,所述第一导电接脚具有电性接触其中一所述抗氧化复合式电极箔且被封装在所述封装壳体内的一第一内埋部以及穿过所述封装壳体而裸露在所述封装壳体的外部的一第一裸露部;以及
一第二导电接脚,所述第二导电接脚具有电性接触另外一所述抗氧化复合式电极箔且被封装在所述封装壳体内的一第二内埋部以及穿过所述封装壳体而裸露在所述封装壳体的外部的一第二裸露部;
其中,每一个所述抗氧化复合式电极箔包括:
一基底材料结构,所述基底材料结构具有一上表面以及一下表面;
一第一导电材料结构,所述第一导电材料结构设置在所述基底材料结构的上表面;以及
一第一含碳材料结构,所述第一含碳材料结构设置在所述第一导电材料结构上;
其中,所述第一导电材料结构的其中一部分为接触所述第一含碳材料结构的一第一最外层,所述第一导电材料结构的所述第一最外层为通过氧化作用而形成的一第一含氧金属化合物层,且所述第一含氧金属化合物层设置在所述第一导电材料结构的其余部分与所述第一含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第一含碳材料结构的外界氧气去接触所述第一导电材料结构的其余部分。
9.根据权利要求8所述的电容器封装结构,其特征在于,每一个所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一第二导电材料结构,所述第二导电材料结构设置在所述基底材料结构的下表面;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述第二导电材料结构上;
其中,所述第二导电材料结构的其中一部分为接触所述第二含碳材料结构的一第二最外层,所述第二导电材料结构的所述第二最外层为通过氧化作用而形成的一第二含氧金属化合物层,且所述第二含氧金属化合物层设置在所述第二导电材料结构的其余部分与所述第二含碳材料结构之间,以阻挡穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气去接触所述第二导电材料结构的其余部分。
10.根据权利要求8所述的电容器封装结构,其特征在于,每一个所述抗氧化复合式电极箔进一步包括:
一低活性金属结构,所述低活性金属结构设置在所述基底材料结构的下表面;以及
一第二含碳材料结构,所述第二含碳材料结构设置在所述低活性金属结构上,其中,穿过所述第二含碳材料结构的外界氧气被阻挡在所述低活性金属结构的外部。
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