TWI768875B

TWI768875B - 電子裝置及其電容器組件封裝結構

Info

Publication number: TWI768875B
Application number: TW110116487A
Authority: TW
Inventors: 莊弘毅
Original assignee: 旭積科技股份有限公司
Priority date: 2021-05-07
Filing date: 2021-05-07
Publication date: 2022-06-21
Also published as: TW202244965A

Abstract

本發明公開一種電子裝置及其電容器組件封裝結構。電容器組件封裝結構包括電容器組件、絕緣封裝體以及電極單元。電容器組件包括多個第一電容器。電極單元包括第一電極結構以及第二電極結構。每一第一電容器的第一正極部的一側端上具有多個第一凸出部與多個第一凹陷部。第一凸出部具有一第一接觸表面，且第一凸出部的第一接觸表面從絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸第一電極結構。第一凹陷部具有一第一凹陷表面，且第一凹陷部的第一凹陷表面被絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到第一電極結構。藉此，本發明能透過多個第一凸出部與多個第一凹陷部的使用，以降低第一正極部與第一電極結構的接觸面積與水氣路徑，進而提升電容器組件封裝結構與電子裝置的防水氣效果。

Description

電子裝置及其電容器組件封裝結構

本發明涉及一種封裝結構，特別是涉及一種電容器組件封裝結構以及使用電容器組件封裝結構的電子裝置。

電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等，以成為電子產品中不可缺少的元件之一。依照不同的材質及用途，電容器包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先前技術中，固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可被應用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。一般而言，可利用多個電容器單元的堆疊，而形成高電容量的固態電解電容器，現前技術中的堆疊式固態電解電容器包括多個電容器單元與導線架，每一電容器單元包括陽極部、陰極部與絕緣部，並且絕緣部會使陽極部與陰極部彼此電性絕緣。特別的是，電容器單元的陰極部會彼此堆疊，並且藉由在相鄰的兩個電容器單元之間設置導電體層，以使多個電容器單元之間能夠彼此電性連接。然而，現有技術中的堆疊式電容器仍然具有可改善空間。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電子裝置及其電容器組件封裝結構。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種電容器組件封裝結構，其包括：一承載基板、一電容器組件、一絕緣封裝體以及一電極單元。承載基板包括一絕緣本體以及設置在絕緣本體的一表面上的一第一導電層。電容器組件包括多個第一電容器，多個第一電容器依序堆疊在絕緣本體上且電性連接於第一導電層，每一第一電容器具有一第一正極部以及電性連接於第一導電層的一第一負極部。絕緣封裝體設置在絕緣本體上且包覆多個第一電容器。電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，第一電極結構包覆絕緣封裝體的一第一部分與絕緣本體的一第一部分，且第二電極結構包覆絕緣封裝體的一第二部分與絕緣本體的一第二部分。其中，每一第一電容器的第一正極部的一側端上具有多個第一凸出部與多個第一凹陷部。其中，每一第一凸出部具有一第一接觸表面，且每一第一凸出部的第一接觸表面從絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸第一電極結構。其中，每一第一凹陷部具有一第一凹陷表面，且每一第一凹陷部的第一凹陷表面被絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到第一電極結構。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種電容器組件封裝結構，其包括：一電容器組件、一絕緣封裝體以及一電極單元。電容器組件包括多個第一電容器，每一第一電容器具有一第一正極部以及一第一負極部。絕緣封裝體包覆多個第一電容器。電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，第一電極結構包覆絕緣封裝體的一第一部分，且第二電極結構包覆絕緣封裝體的一第二部分。其中，每一第一電容器的第一正極部的一側端上具有多個第一凸出部與多個第一凹陷部。其中，每一第一凸出部具有一第一接觸表面，且每一第一凸出部的第一接觸表面從絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸第一電極結構。其中，每一第一凹陷部具有一第一凹陷表面，且每一第一凹陷部的第一凹陷表面被絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到第一電極結構。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種電子裝置，其包括：一電路基板結構、一電容器組件封裝結構以及兩個焊接材料。電路基板結構具有一正極焊墊以及一負極焊墊。電容器組件封裝結構設置在電路基板結構上。兩個焊接材料設置在電路基板結構上且電性連接於電路基板結構與電容器組件封裝結構之間。電容器組件封裝結構包括：一電容器組件、一絕緣封裝體以及一電極單元。電容器組件包括多個第一電容器，每一第一電容器具有一第一正極部以及一第一負極部。絕緣封裝體包覆多個第一電容器。電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，第一電極結構包覆絕緣封裝體的一第一部分，且第二電極結構包覆絕緣封裝體的一第二部分。其中，每一第一電容器的第一正極部的一側端上具有多個第一凸出部與多個第一凹陷部。其中，每一第一凸出部具有一第一接觸表面，且每一第一凸出部的第一接觸表面從絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸第一電極結構。其中，每一第一凹陷部具有一第一凹陷表面，且每一第一凹陷部的第一凹陷表面被絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到第一電極結構。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種電子裝置及其電容器組件封裝結構，其能通過“每一第一電容器的第一正極部的一側端上具有多個第一凸出部與多個第一凹陷部（或者每一第二電容器的第二正極部的一側端上具有多個第二凸出部與多個第二凹陷部）”、“每一第一凸出部具有一第一接觸表面，且每一第一凸出部的第一接觸表面從絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸第一電極結構（或者每一第二凸出部具有一第二接觸表面，且每一第二凸出部的第二接觸表面從絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸第一電極結構）”以及“每一第一凹陷部具有一第一凹陷表面，且每一第一凹陷部的第一凹陷表面被絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到第一電極結構（或者每一第二凹陷部具有一第二凹陷表面，且每一第二凹陷部的第二凹陷表面被絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到第一電極結構）”的技術方案，以降低每一第一電容器的第一正極部與電極單元的第一電極結構的接觸面積與水氣路徑（或者降低每一第二電容器的第二正極部與電極單元的第一電極結構的接觸面積與水氣路徑），進而提升電容器組件封裝結構與電子裝置的防水氣效果。

為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電子裝置及其電容器組件封裝結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

參閱圖1至圖13所示，本發明提供一種電容器組件封裝結構，其包括：一電容器組件2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。電容器組件2包括多個第一電容器21，並且每一第一電容器21具有一第一正極部21P以及一第一負極部21N。絕緣封裝體3用於包覆多個第一電容器21。電極單元4包括一第一電極結構41以及一第二電極結構42。第一電極結構41用於包覆絕緣封裝體3的一第一部分301，並且第二電極結構42用於包覆絕緣封裝體3的一第二部分302。更進一步來說，每一第一電容器21的第一正極部21P的一側端上具有多個第一凸出部2111與多個第一凹陷部2112。每一第一凸出部2111具有一第一接觸表面21110，並且每一第一凸出部2111的第一接觸表面21110從絕緣封裝體3的一第一側面3001裸露且電性接觸第一電極結構41。每一第一凹陷部2112具有一第一凹陷表面21120，並且每一第一凹陷部2112的第一凹陷表面21120被絕緣封裝體3所覆蓋而不會接觸到第一電極結構41。

[第一實施例]

參閱圖1至圖6所示，本發明第一實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括：一承載基板1、一電容器組件2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。

更進一步來說，如圖6所示，承載基板1包括一絕緣本體10以及設置在絕緣本體10的一表面上的一第一導電層11。舉例來說，絕緣本體10可由任何的絕緣材料所製成（例如epoxy或者silicon），並且第一導電層11可由任何的導電材料所製成。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

更進一步來說，配合圖3、圖4與圖6所示，電容器組件2包括多個第一電容器21。多個第一電容器21會依序堆疊在絕緣本體10上且電性連接於第一導電層11，並且每一第一電容器21具有一第一正極部21P以及電性連接於第一導電層11的一第一負極部21N。再者，每一第一電容器21的第一正極部21P的一側端上具有多個第一凸出部2111與多個第一凹陷部2112。此外，每一第一凸出部2111具有一第一接觸表面21110，並且每一第一凸出部2111的第一接觸表面21110會從絕緣封裝體3的一第一側面3001裸露且電性接觸第一電極結構41。另外，每一第一凹陷部2112具有一第一凹陷表面21120，並且每一第一凹陷部2112的第一凹陷表面21120會被絕緣封裝體3所覆蓋而不會接觸到第一電極結構41。舉例來說，多個第一凸出部2111與多個第一凹陷部2112能夠交替設置在第一電容器21的第一正極部21P的側端上，第一凸出部2111的外形類似一火山形狀，並且第一凹陷部2112可為一半圓形穿孔。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

舉例來說，如圖4所示，每一第一電容器21包括一金屬箔片211、一絕緣環繞層212、一導電高分子層213、一碳膠層214以及一銀膠層215。更進一步來說，絕緣環繞層212環繞地設置在金屬箔片211的一第一部分211A上，並且導電高分子層213包覆金屬箔片211的第一部分211A且接觸絕緣環繞層212。另外，碳膠層214完全包覆導電高分子層213且接觸絕緣環繞層212，並且銀膠層215完全包覆碳膠層214且接觸絕緣環繞層212。此外，金屬箔片211的一第二部分211B未被絕緣環繞層212所環繞且未被導電高分子層213所包覆，並且金屬箔片211的第二部分211B的厚度T2可以等於金屬箔片211的第一部分211A的厚度T1。值得注意的是，配合圖1與圖2所示，多個第一凸出部2111（包括多個第一接觸表面21110）與多個第一凹陷部2112（包括多個第一凹陷表面21120）都會預先形成在金屬箔片211上，並且金屬箔片211的外表面上具有被氧化的一多孔性腐蝕層（圖未示）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

更進一步來說，配合圖5與圖6所示，絕緣封裝體3設置在絕緣本體10上且包覆多個第一電容器21，並且電極單元4包括一第一電極結構41以及一第二電極結構42。再者，第一電極結構41包覆絕緣封裝體3的一第一部分301與絕緣本體10的一第一部分101，並且第二電極結構42包覆絕緣封裝體3的一第二部分302與絕緣本體10的一第二部分102。值得注意的是，絕緣封裝體3的第一側面3001、每一第一凸出部2111的第一接觸表面21110以及絕緣本體10的一第一側面1001相互齊平，並且絕緣封裝體3的一第二側面3002、第一導電層11的一導電側面1100以及絕緣本體10的一第二側面1002相互齊平。

舉例來說，配合圖5與圖6所示，第一電極結構41包括電性接觸每一第一電容器21的第一正極部21P的多個第一凸出部2111的一第一內部導電層411、包覆第一內部導電層411的一第一中間導電層412以及包覆第一中間導電層412的一第一外部導電層413，並且第一內部導電層411包覆絕緣封裝體3的第一部分301與絕緣本體10的第一部分101。再者，第二電極結構42包括電性接觸第一導電層11的一第二內部導電層421、包覆第二內部導電層421的一第二中間導電層422以及包覆第二中間導電層422的一第二外部導電層423，並且第二內部導電層421包覆絕緣封裝體3的第二部分302與絕緣本體10的第二部分102。值得一提的是，第一內部導電層411與第二內部導電層421都可以為Ag層與Cu層兩者之中的至少一層（例如Ag層、Cu層或者包括Ag層與Cu層的一複合材料層）或者是其它的導電材料，第一中間導電層412與第二中間導電層422都可以為Ni層或者是其它的導電材料，並且第一外部導電層413與第二外部導電層423都可以為Sn層或者是其它的導電材料。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

更進一步來說，配合圖6與圖7所示，本發明第一實施例提供一種電子裝置Z，其包括：一電路基板結構P、一電容器組件封裝結構S以及兩個焊接材料M（例如錫球、錫膏或者任何的導電材料）。更進一步來說，電路基板結構P具有一正極焊墊P1以及一負極焊墊P2，電容器組件封裝結構S設置在電路基板結構P上，並且電容器組件封裝結構S包括一承載基板1、一電容器組件2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。再者，兩個焊接材料M設置在電路基板結構P上且電性連接於電路基板結構P與電容器組件封裝結構S之間。其中一焊接材料M能做為一底部填充劑(underfill)而電性連接於正極焊墊P1與第一電極結構41之間，並且另外一焊接材料M能做為另外一底部填充劑而電性連接於負極焊墊P2與第二電極結構42之間。

藉此，由於每一第一凸出部2111的第一接觸表面21110會從絕緣封裝體3的一第一側面3001裸露且電性接觸第一電極結構41，並且每一第一凹陷部2112的第一凹陷表面21120會被絕緣封裝體3所覆蓋而不會接觸到第一電極結構41，所以每一第一電容器21的第一正極部21P與電極單元4的第一電極結構41之間的接觸面積就能夠被降低，進而有效減少每一第一電容器21的第一正極部21P與第一電極結構41之間的水氣路徑，以提升電容器組件封裝結構S與電子裝置Z的防水氣效果。

值得注意的是，每一第一電容器21的第一正極部21P的多個第一凸出部2111與第一電極結構41的第一內部導電層411之間還可以進一步形成至少一第一阻氣導電層。舉例來說，第一阻氣導電層可為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn，或者也可以是合金（例如NiCr, TiW, TiN, TiC）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

[第二實施例]

參閱圖8與圖9所示，本發明第二實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括一承載基板1、一電容器組件2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。由圖8與圖3的比較，以及圖9與圖5的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，第一凸出部2111的外形為類似正方形或者長方形的一凸塊，並且第一凹陷部2112的外形為類似正方形或者長方形的一凹槽。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。舉例來說，第一凸出部2111的外形可為任意形狀的一凸塊，並且第一凹陷部2112的外形可為任意形狀的一凹槽。

[第三實施例]

參閱圖10與圖11所示，本發明第三實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括一承載基板1、一電容器組件2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。由圖10與圖4的比較，以及圖11與圖6的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的差別在於：在第三實施例中，金屬箔片211的第二部分211B的厚度T2會小於金屬箔片211的第一部分211A的厚度T1。

藉此，由於金屬箔片211的第二部分211B的厚度T2會小於金屬箔片211的第一部分211A的厚度T1，所以每一第一電容器21的第一正極部21P與電極單元4的第一電極結構41之間的接觸面積就能夠被降低，進而有效減少每一第一電容器21的第一正極部21P與第一電極結構41之間的水氣路徑，以提升電容器組件封裝結構S與電子裝置Z的防水氣效果。

[第四實施例]

參閱圖12與圖13所示，本發明第四實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括一承載基板1、一電容器組件2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。由圖12與圖4的比較，以及圖13與圖6的比較可知，本發明第四實施例與第一實施例最大的差別在於：在第四實施例中，承載基板1包括設置在絕緣本體10的另外一表面上的一第二導電層12，電容器組件2包括多個第二電容器22，並且絕緣封裝體3設置在絕緣本體10上且包覆多個第二電容器22。

更進一步來說，配合圖12與圖13所示，多個第二電容器22會依序堆疊在絕緣本體10上且電性連接於第一導電層12，並且每一第二電容器22具有一第二正極部22P以及電性連接於第一導電層12的一第二負極部22N。再者，每一第二電容器22的第二正極部22P的一側端上具有多個第二凸出部2211與多個第二凹陷部2212。每一第二凸出部2211具有一第二接觸表面22110，並且每一第二凸出部2211的第二接觸表面22110會從絕緣封裝體3的第一側面3001裸露且電性接觸第一電極結構41。此外，每一第二凹陷部2212具有一第二凹陷表面22120，並且每一第二凹陷部2212的第二凹陷表面22120會被絕緣封裝體3所覆蓋而不會接觸到第一電極結構41。值得注意的是，多個第二凸出部2211（包括多個第二接觸表面22110）與多個第二凹陷部2212（包括多個第二凹陷表面22120）能夠交替設置在第二電容器22的第二正極部22P的側端上。

藉此，由於每一第二凸出部2211的第二接觸表面22110會從絕緣封裝體3的第一側面3001裸露且電性接觸第一電極結構41，並且每一第二凹陷部2212的第二凹陷表面22120會被絕緣封裝體3所覆蓋而不會接觸到第一電極結構41，所以每一第二電容器22的第二正極部22P與電極單元4的第一電極結構41之間的接觸面積就能夠被降低，進而有效減少每一第二電容器22的第二正極部22P與第一電極結構41之間的水氣路徑，以提升電容器組件封裝結構S與電子裝置Z的防水氣效果。

值得注意的是，每一第二電容器22的第二正極部22P的多個第二凸出部2211與第一電極結構41的第一內部導電層411之間還可以進一步形成至少一第二阻氣導電層。舉例來說，第二阻氣導電層可為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn，或者也可以是合金（例如NiCr, TiW, TiN, TiC）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種電子裝置Z及其電容器組件封裝結構S，其能通過“每一第一電容器21的第一正極部21P的一側端上具有多個第一凸出部2111與多個第一凹陷部2112（或者每一第二電容器22的第二正極部22P的一側端上具有多個第二凸出部2211與多個第二凹陷部2212）”、“每一第一凸出部2111具有一第一接觸表面21110，且每一第一凸出部2111的第一接觸表面21110從絕緣封裝體3的一第一側面3001裸露且電性接觸第一電極結構41（或者每一第二凸出部2211具有一第二接觸表面22110，且每一第二凸出部2211的第二接觸表面22110從絕緣封裝體3的一第一側面3001裸露且電性接觸第一電極結構41）”以及“每一第一凹陷部2112具有一第一凹陷表面21120，且每一第一凹陷部2112的第一凹陷表面21120被絕緣封裝體3所覆蓋而不會接觸到第一電極結構41（或者每一第二凹陷部2212具有一第二凹陷表面22120，且每一第二凹陷部2212的第二凹陷表面22120被絕緣封裝體3所覆蓋而不會接觸到第一電極結構41）”的技術方案，以降低每一第一電容器21的第一正極部21P與電極單元4的第一電極結構41的接觸面積與水氣路徑（或者降低每一第二電容器22的第二正極部22P與電極單元4的第一電極結構41的接觸面積與水氣路徑），進而提升電容器組件封裝結構S與電子裝置Z的防水氣效果。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

Z:電子裝置 P:電路基板結構 P1:正極焊墊 P2:負極焊墊 M:焊接材料 S:電容器組件封裝結構 1:承載基板 10:絕緣本體 101:第一部分 102:第二部分 1001:第一側面 1002:第二側面 11:第一導電層 1100:導電側面 12:第二導電層 2:電容器組件 21:第一電容器 21P:第一正極部 21N:第一負極部 2111:第一凸出部 21110:第一接觸表面 2112:第一凹陷部 21120:第一凹陷表面 211:金屬箔片 211A:第一部分 211B:第二部分 212:絕緣環繞層 213:導電高分子層 214:碳膠層 215:銀膠層 22:第二電容器 22P:第二正極部 22N:第二負極部 2211:第二凸出部 22110:第二接觸表面 2212:第二凹陷部 22120:第二凹陷表面 3:絕緣封裝體 301:第一部分 302:第二部分 3001:第一側面 3002:第二側面 4:電極單元 41:第一電極結構 411:第一內部導電層 412:第一中間導電層 413:第一外部導電層 42:第二電極結構 421:第二內部導電層 422:第二中間導電層 423:第二外部導電層 T1:厚度 T2:厚度

圖1為本發明第一實施例的金屬箔片的俯視示意圖。

圖2為本發明第一實施例的金屬箔片的剖面示意圖。

圖3為本發明第一實施例的第一電容器的俯視示意圖。

圖4為本發明第一實施例的第一電容器的剖面示意圖。

圖5為本發明第一實施例的電容器組件封裝結構的其中一剖面示意圖。

圖6為本發明第一實施例的電容器組件封裝結構的另外一剖面示意圖。

圖7為本發明第一實施例的電子裝置的剖面示意圖。

圖8為本發明第二實施例的第一電容器的俯視示意圖。

圖9為本發明第二實施例的電容器組件封裝結構的剖面示意圖。

圖10為本發明第三實施例的第一電容器的剖面示意圖。

圖11為本發明第三實施例的電容器組件封裝結構的剖面示意圖。

圖12為本發明第四實施例的第一電容器的剖面示意圖。

圖13為本發明第四實施例的電容器組件封裝結構的剖面示意圖。

S:電容器組件封裝結構

1:承載基板

10:絕緣本體

101:第一部分

102:第二部分

1001:第一側面

1002:第二側面

11:第一導電層

1100:導電側面

2:電容器組件

21:第一電容器

21P:第一正極部

21N:第一負極部

2111:第一凸出部

21110:第一接觸表面

2112:第一凹陷部

21120:第一凹陷表面

3:絕緣封裝體

301:第一部分

302:第二部分

3001:第一側面

3002:第二側面

4:電極單元

41:第一電極結構

411:第一內部導電層

412:第一中間導電層

413:第一外部導電層

42:第二電極結構

421:第二內部導電層

422:第二中間導電層

423:第二外部導電層

Claims

一種電容器組件封裝結構，其包括：一承載基板，所述承載基板包括一絕緣本體以及設置在所述絕緣本體的一表面上的一第一導電層；一電容器組件，所述電容器組件包括多個第一電容器，多個所述第一電容器依序堆疊在所述絕緣本體上且電性連接於所述第一導電層，每一所述第一電容器具有一第一正極部以及電性連接於所述第一導電層的一第一負極部；一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體設置在所述絕緣本體上且包覆多個所述第一電容器；以及一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分與所述絕緣本體的一第一部分，且所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分與所述絕緣本體的一第二部分；其中，每一所述第一電容器的所述第一正極部的一側端上具有多個第一凸出部與多個第一凹陷部；其中，每一所述第一凸出部具有一第一接觸表面，且每一所述第一凸出部的所述第一接觸表面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸所述第一電極結構；其中，每一所述第一凹陷部具有一第一凹陷表面，且每一所述第一凹陷部的所述第一凹陷表面被所述絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到所述第一電極結構。
如請求項1所述的電容器組件封裝結構，其中，每一所述第一電容器包括一金屬箔片、一絕緣環繞層、一導電高分子層、一碳膠層以及一銀膠層，所述絕緣環繞層環繞地設置在所述金屬箔片的一第一部分上，所述導電高分子層包覆所述金屬箔片的所述第一部分且接觸所述絕緣環繞層，所述碳膠層完全包覆所述導電高分子層且接觸所述絕緣環繞層，且所述銀膠層完全包覆所述碳膠層且接觸所述絕緣環繞層；其中，所述金屬箔片的一第二部分未被所述絕緣環繞層所環繞且未被所述導電高分子層所包覆，且所述金屬箔片的所述第二部分的厚度等於或者小於所述金屬箔片的所述第一部分的厚度；其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、每一所述第一凸出部的所述第一接觸表面以及所述絕緣本體的一第一側面相互齊平，且所述絕緣封裝體的一第二側面、所述第一導電層的一導電側面以及所述絕緣本體的一第二側面相互齊平。
如請求項1所述的電容器組件封裝結構，其中，所述第一電極結構包括電性接觸每一所述第一電容器的所述第一正極部的多個所述第一凸出部的一第一內部導電層、包覆所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及包覆所述第一中間導電層的一第一外部導電層，且所述第一內部導電層包覆所述絕緣封裝體的所述第一部分與所述絕緣本體的所述第一部分；其中，所述第二電極結構包括電性接觸所述第一導電層的一第二內部導電層、包覆所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及包覆所述第二中間導電層的一第二外部導電層，且所述第二內部導電層包覆所述絕緣封裝體的所述第二部分與所述絕緣本體的所述第二部分；其中，所述第一內部導電層與所述第二內部導電層都為Ag層與Cu層兩者之中的至少一層，所述第一中間導電層與所述第二中間導電層都為Ni層，且所述第一外部導電層與所述第二外部導電層都為Sn層。
如請求項1所述的電容器組件封裝結構，其中，所述承載基板包括設置在所述絕緣本體的另外一表面上的一第二導電層；其中，所述電容器組件包括多個第二電容器，多個所述第二電容器依序堆疊在所述絕緣本體上且電性連接於所述第二導電層，且每一所述第二電容器具有一第二正極部以及電性連接於所述第二導電層的一第二負極部；其中，所述絕緣封裝體設置在所述絕緣本體上且包覆多個所述第二電容器，且每一所述第二電容器的所述第二正極部的一側端上具有多個第二凸出部與多個第二凹陷部；其中，每一所述第二凸出部具有一第二接觸表面，且每一所述第二凸出部的所述第二接觸表面從所述絕緣封裝體的所述第一側面裸露且電性接觸所述第一電極結構；其中，每一所述第二凹陷部具有一第二凹陷表面，且每一所述第二凹陷部的所述第二凹陷表面被所述絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到所述第一電極結構；其中，多個所述第一凸出部與多個所述第一凹陷部交替設置在所述第一電容器的所述第一正極部的所述側端上，且多個所述第二凸出部與多個所述第二凹陷部交替設置在所述第二電容器的所述第二正極部的所述側端上。
一種電容器組件封裝結構，其包括：一電容器組件，所述電容器組件包括多個第一電容器，每一所述第一電容器具有一第一正極部以及一第一負極部；一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體包覆多個所述第一電容器；以及一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分，且所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分；其中，每一所述第一電容器的所述第一正極部的一側端上具有多個第一凸出部與多個第一凹陷部；其中，每一所述第一凸出部具有一第一接觸表面，且每一所述第一凸出部的所述第一接觸表面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸所述第一電極結構；其中，每一所述第一凹陷部具有一第一凹陷表面，且每一所述第一凹陷部的所述第一凹陷表面被所述絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到所述第一電極結構。
如請求項5所述的電容器組件封裝結構，其中，每一所述第一電容器包括一金屬箔片、一絕緣環繞層、一導電高分子層、一碳膠層以及一銀膠層，所述絕緣環繞層環繞地設置在所述金屬箔片的一第一部分上，所述導電高分子層包覆所述金屬箔片的所述第一部分且接觸所述絕緣環繞層，所述碳膠層完全包覆所述導電高分子層且接觸所述絕緣環繞層，且所述銀膠層完全包覆所述碳膠層且接觸所述絕緣環繞層；其中，所述金屬箔片的一第二部分未被所述絕緣環繞層所環繞且未被所述導電高分子層所包覆，且所述金屬箔片的所述第二部分的厚度等於或者小於所述金屬箔片的所述第一部分的厚度；其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面以及每一所述第一凸出部的所述第一接觸表面相互齊平。
如請求項5所述的電容器組件封裝結構，其中，所述第一電極結構包括電性接觸每一所述第一電容器的所述第一正極部的多個所述第一凸出部的一第一內部導電層、包覆所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及包覆所述第一中間導電層的一第一外部導電層，且所述第一內部導電層包覆所述絕緣封裝體的所述第一部分；其中，所述第二電極結構包括一第二內部導電層、包覆所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及包覆所述第二中間導電層的一第二外部導電層，且所述第二內部導電層包覆所述絕緣封裝體的所述第二部分；其中，所述第一內部導電層與所述第二內部導電層都為Ag層與Cu層兩者之中的至少一層，所述第一中間導電層與所述第二中間導電層都為Ni層，且所述第一外部導電層與所述第二外部導電層都為Sn層。
如請求項5所述的電容器組件封裝結構，其中，所述電容器組件包括多個第二電容器，且每一所述第二電容器具有一第二正極部以及一第二負極部；其中，所述絕緣封裝體包覆多個所述第二電容器，且每一所述第二電容器的所述第二正極部的一側端上具有多個第二凸出部與多個第二凹陷部；其中，每一所述第二凸出部具有一第二接觸表面，且每一所述第二凸出部的所述第二接觸表面從所述絕緣封裝體的所述第一側面裸露且電性接觸所述第一電極結構；其中，每一所述第二凹陷部具有一第二凹陷表面，且每一所述第二凹陷部的所述第二凹陷表面被所述絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到所述第一電極結構；其中，多個所述第一凸出部與多個所述第一凹陷部交替設置在所述第一電容器的所述第一正極部的所述側端上，且多個所述第二凸出部與多個所述第二凹陷部交替設置在所述第二電容器的所述第二正極部的所述側端上。
一種電子裝置，其包括：一電路基板結構，所述電路基板結構具有一正極焊墊以及一負極焊墊；一電容器組件封裝結構，所述電容器組件封裝結構設置在所述電路基板結構上；以及兩個焊接材料，兩個所述焊接材料設置在所述電路基板結構上且電性連接於所述電路基板結構與所述電容器組件封裝結構之間；其中，所述電容器組件封裝結構包括：一電容器組件，所述電容器組件包括多個第一電容器，每一所述第一電容器具有一第一正極部以及一第一負極部；一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體包覆多個所述第一電容器；以及一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分，且所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分；其中，每一所述第一電容器的所述第一正極部的一側端上具有多個第一凸出部與多個第一凹陷部；其中，每一所述第一凸出部具有一第一接觸表面，且每一所述第一凸出部的所述第一接觸表面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露且電性接觸所述第一電極結構；其中，每一所述第一凹陷部具有一第一凹陷表面，且每一所述第一凹陷部的所述第一凹陷表面被所述絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到所述第一電極結構。
如請求項9所述的電子裝置，其中，所述電容器組件包括多個第二電容器，且每一所述第二電容器具有一第二正極部以及一第二負極部；其中，所述絕緣封裝體包覆多個所述第二電容器，且每一所述第二電容器的所述第二正極部的一側端上具有多個第二凸出部與多個第二凹陷部；其中，每一所述第二凸出部具有一第二接觸表面，且每一所述第二凸出部的所述第二接觸表面從所述絕緣封裝體的所述第一側面裸露且電性接觸所述第一電極結構；其中，每一所述第二凹陷部具有一第二凹陷表面，且每一所述第二凹陷部的所述第二凹陷表面被所述絕緣封裝體所覆蓋而不會接觸到所述第一電極結構；其中，多個所述第一凸出部與多個所述第一凹陷部交替設置在所述第一電容器的所述第一正極部的所述側端上，且多個所述第二凸出部與多個所述第二凹陷部交替設置在所述第二電容器的所述第二正極部的所述側端上。