TWI748921B - 電子裝置及其電容器組件封裝結構 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種電子裝置及其電容器組件封裝結構。電容器組件封裝結構包括承載基板、電容器單元、絕緣封裝體以及電極單元。承載基板包括一散熱絕緣體以及設置在散熱絕緣體上的一導電層。電容器單元包括多個電容器。多個電容器依序堆疊在散熱絕緣體上且電性連接於導電層。絕緣封裝體包覆多個電容器。每一電容器的正極部的一側面從絕緣封裝體的一側面裸露。電極單元包括第一電極結構以及第二電極結構。第一電極結構包覆絕緣封裝體的第一部分與散熱絕緣體的第一部分。第二電極結構包覆絕緣封裝體的第二部分與散熱絕緣體的第二部分。藉此，第一電極結構電性能接觸每一電容器的第一正極部的側面，且第二電極結構能電性接觸導電層。

Description

電子裝置及其電容器組件封裝結構

本發明涉及一種電子裝置及其封裝結構，特別是涉及一種電子裝置及其電容器組件封裝結構。

電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等，以成為電子產品中不可缺少的元件之一。依照不同的材質及用途，電容器包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先前技術中，固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可被應用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。一般而言，可利用多個電容器單元的堆疊，而形成高電容量的固態電解電容器，現前技術中的堆疊式固態電解電容器包括多個電容器單元與導線架，每一電容器單元包括陽極部、陰極部與絕緣部，並且絕緣部會使陽極部與陰極部彼此電性絕緣。特別的是，電容器單元的陰極部會彼此堆疊，並且藉由在相鄰的兩個電容器單元之間設置導電體層，以使多個電容器單元之間能夠彼此電性連接。然而，現有技術中的堆疊式電容器仍然具有可改善空間。

本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電子裝置及其電容器組件封裝結構。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種電容器組件封裝結構，其包括：一第一承載基板、一第一電容器單元、一絕緣封裝體以及一電極單元。第一承載基板包括一第一散熱絕緣體以及設置在第一散熱絕緣體上的一第一導電層。第一電容器單元包括多個第一電容器，多個第一電容器依序堆疊在第一散熱絕緣體上且電性連接於第一導電層，每一第一電容器具有一第一正極部以及電性連接於第一導電層的一第一負極部。絕緣封裝體設置在第一散熱絕緣體上且覆蓋多個第一電容器，每一第一電容器的第一正極部的一側面從絕緣封裝體的一第一側面裸露。電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，第一電極結構包覆絕緣封裝體的一第一部分與第一散熱絕緣體的一第一部分，第二電極結構包覆絕緣封裝體的一第二部分與第一散熱絕緣體的一第二部分。其中，第一電極結構電性接觸每一第一電容器的第一正極部的側面，且第二電極結構電性接觸第一導電層。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種電子裝置，其包括：一電路基板結構、一電容器組件封裝結構以及兩個焊接材料。電路基板結構具有一正極焊墊以及一負極焊墊。電容器組件封裝結構設置在電路基板結構上，並且電容器組件封裝結構包括：一第一承載基板、一第一電容器單元、一絕緣封裝體以及一電極單元。第一承載基板包括一第一散熱絕緣體以及設置在第一散熱絕緣體上的一第一導電層。第一電容器單元包括多個第一電容器，多個第一電容器依序堆疊在第一散熱絕緣體上且電性連接於第一導電層，每一第一電容器具有一第一正極部以及電性連接於第一導電層的一第一負極部。絕緣封裝體設置在第一散熱絕緣體上且覆蓋多個第一電容器，每一第一電容器的第一正極部的一側面從絕緣封裝體的一第一側面裸露。電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，第一電極結構包覆絕緣封裝體的一第一部分與第一散熱絕緣體的一第一部分，第二電極結構包覆絕緣封裝體的一第二部分與第一散熱絕緣體的一第二部分。其中，第一電極結構電性接觸每一第一電容器的第一正極部的側面，且第二電極結構電性接觸第一導電層。兩個焊接材料設置在電路基板結構上，其中一焊接材料電性連接於正極焊墊與第一電極結構之間，另外一焊接材料電性連接於負極焊墊與第二電極結構之間。

為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種電容器組件封裝結構，其包括：一承載基板、一電容器單元、一絕緣封裝體以及一電極單元。承載基板包括一散熱絕緣體以及設置在散熱絕緣體上的一導電層。電容器單元包括多個電容器，多個電容器依序堆疊在散熱絕緣體上且電性連接於導電層，每一電容器具有一正極部以及電性連接於導電層的一負極部。絕緣封裝體包覆散熱絕緣體與多個電容器，每一電容器的正極部的一側面從絕緣封裝體的一側面裸露。電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，第一電極結構包覆絕緣封裝體的一第一部分與散熱絕緣體的一第一部分，第二電極結構包覆絕緣封裝體的一第二部分與散熱絕緣體的一第二部分。其中，第一電極結構電性接觸每一電容器的第一正極部的側面，且第二電極結構電性接觸導電層。

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電子裝置及其電容器組件封裝結構，其能通過“第一承載基板包括一第一散熱絕緣體以及設置在第一散熱絕緣體上的一第一導電層”、“多個第一電容器依序堆疊在第一散熱絕緣體上且電性連接於第一導電層，每一第一電容器具有一第一正極部以及電性連接於第一導電層的一第一負極部”、“絕緣封裝體設置在第一散熱絕緣體上且覆蓋多個第一電容器，每一第一電容器的第一正極部的一側面從絕緣封裝體的一第一側面裸露”以及“第一電極結構包覆絕緣封裝體的一第一部分與第一散熱絕緣體的一第一部分，第二電極結構包覆絕緣封裝體的一第二部分與第一散熱絕緣體的一第二部分”的技術方案，以使得第一電極結構能電性接觸每一第一電容器的第一正極部的側面，並且使得第二電極結構能電性接觸第一導電層的一導電側面。

為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電子裝置及其電容器組件封裝結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的圖式僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[第一實施例]

參閱圖1至圖7所示，本發明第一實施例提供一種電容器組件封裝結構S的製作方法，其包括下列步驟：首先，如圖1所示，將多個第一電容器20依序堆疊在一第一散熱絕緣體11上且電性連接於一第一導電層12；接著，如圖4所示，在第一散熱絕緣體11上形成一絕緣封裝體3，以覆蓋多個第一電容器20；然後，如圖5所示，形成一第一電極結構41以及一第二電極結構42，以分別部分地包覆絕緣封裝體3與第一散熱絕緣體11。

藉此，如圖5所示，本發明第一實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括：一第一承載基板1、一第一電容器單元2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。更進一步來說，第一承載基板1包括一第一散熱絕緣體11以及設置在第一散熱絕緣體11上的一第一導電層12。第一電容器單元2包括多個第一電容器20，並且多個第一電容器20依序堆疊在第一散熱絕緣體11上且電性連接於第一導電層12。每一第一電容器20具有一第一正極部20P以及電性連接於第一導電層12的一第一負極部20N。絕緣封裝體3設置在第一散熱絕緣體11上且覆蓋多個第一電容器20，並且每一第一電容器20的第一正極部20P的一側面2000從絕緣封裝體3的一第一側面3001裸露。電極單元4包括一第一電極結構41以及一第二電極結構42。第一電極結構41包覆絕緣封裝體3的一第一部分301與第一散熱絕緣體11的一第一部分111，並且第二電極結構42包覆絕緣封裝體3的一第二部分302與第一散熱絕緣體11的一第二部分112。藉此，第一電極結構41能電性接觸每一第一電容器20的第一正極部20P的側面2000，並且第二電極結構42能電性接觸第一導電層12的一導電側面1200。

舉例來說，配合圖2與圖3所示，每一第一電容器20包括一金屬箔片201、完全包覆金屬箔片201的一氧化層202、包覆氧化層202的一部分的一導電高分子層203、完全包覆導電高分子層203的一碳膠層204以及完全包覆碳膠層204的一銀膠層205，並且金屬箔片201的表面具有一多孔性腐蝕層2010。再者，如圖5所示，絕緣封裝體3的第一側面3001、第一電容器20的第一正極部20P的側面2000以及第一散熱絕緣體11的一第一側面1101可以是實質上相互齊平，並且絕緣封裝體3的一第二側面3002、第一導電層12的一導電側面1200以及第一散熱絕緣體11的一第二側面1102可以是實質上相互齊平。值得注意的是，第一散熱絕緣體11可為一陶瓷基板，陶瓷基板的導熱係數可約為24~170W/mK，陶瓷基板的孔隙率(porosity)可約小於5vol%（體積相對總體積的百分比）、陶瓷基板的厚度可介於100與400μm之間，陶瓷基板的吸水率可約為0.01%，藉此陶瓷基板能夠提供較佳的散熱效果、較高的剛性特質以及較高的防水性能。另外，絕緣封裝體3可為一矽膠封裝體，矽膠封裝體經過回焊後（例如370度回焊後）的裂痕(crack)為0%，藉此矽膠封裝體能夠提供不易老化的特性。另外，第一散熱絕緣體11具有一外表面1100，並且第一散熱絕緣體11的外表面1100的一部分裸露在絕緣封裝體3與電極單元4的外部。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

舉例來說，如圖5所示，第一電極結構41包括電性接觸每一第一電容器20的第一正極部20P的側面2000的一第一內部導電層411、包覆第一內部導電層411的一第一中間導電層412以及包覆第一中間導電層412的一第一外部導電層413，並且第一內部導電層411包覆絕緣封裝體3的第一部分301與第一散熱絕緣體11的第一部分111。另外，第二電極結構42包括電性接觸第一導電層12的一第二內部導電層421、包覆第二內部導電層421的一第二中間導電層422以及包覆第二中間導電層422的一第二外部導電層423，並且第二內部導電層421包覆絕緣封裝體3的第二部分302與第一散熱絕緣體11的第二部分112。此外，第一內部導電層411與第二內部導電層421都可為Ag層與Cu層兩者之中的至少一層（例如Ag層、Cu層或者包括Ag層與Cu層的一複合材料層）或者是其它的導電材料，第一中間導電層412與第二中間導電層422都可為Ni層或者是其它的導電材料，並且第一外部導電層413與第二外部導電層423都可為Sn層或者是其它的導電材料。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

再者，配合圖5至圖7所示，本發明第一實施例進一步提供一種電子裝置D，其包括：一電路基板結構P、一電容器組件封裝結構S以及兩個焊接材料M（例如錫球、錫膏或者任何的導電材料）。更進一步來說，電路基板結構P具有一正極焊墊P1以及一負極焊墊P2。電容器組件封裝結構S設置在電路基板結構P上，並且電容器組件封裝結構S包括一第一承載基板1、一第一電容器單元2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。兩個焊接材料M設置在電路基板結構P上。其中一焊接材料M能做為一底部填充劑(underfill)而電性連接於正極焊墊P1與第一電極結構41之間，並且另外一焊接材料M能做為另外一底部填充劑而電性連接於負極焊墊P2與第二電極結構42之間。

藉此，如圖6所示，當第一散熱絕緣體11的外表面1100面向電路基板結構P時，電容器組件封裝結構S所產生的熱會從“位於電容器組件封裝結構S的底部”的第一散熱絕緣體11散逸而出。也就是說，圖6所示的電容器組件封裝結構S所產生的熱會往下方進行散熱。再者，如圖7所示，當第一散熱絕緣體11的外表面1100背對電路基板結構P時，電容器組件封裝結構S所產生的熱會從“位於電容器組件封裝結構S的頂部”的第一散熱絕緣體11散逸而出。也就是說，圖7所示的電容器組件封裝結構S所產生的熱會往上方進行散熱。

值得注意的是，每一第一電容器20的第一正極部20P的側面2000與第一電極結構41的第一內部導電層411之間還可以進一步形成至少一第一阻氣導電層。舉例來說，第一阻氣導電層可為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn，或者也可以是合金（例如NiCr, TiW, TiN, TiC）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

[第二實施例]

參閱圖8所示，本發明第二實施例提供一種電容器組件封裝結構S。由圖8與圖5的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差異在於：第二實施例的電容器組件封裝結構S包括：一承載基板1、一電容器單元2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。承載基板1包括一散熱絕緣體11以及設置在散熱絕緣體11上的一導電層12。電容器單元2包括多個電容器20。多個電容器20依序堆疊在散熱絕緣體11上且電性連接於導電層12，並且每一電容器20具有一正極部20P以及電性連接於導電層12的一負極部20N。絕緣封裝體3包覆散熱絕緣體11與多個電容器20，並且每一電容器20的正極部20P的一側面2000從絕緣封裝體3的一第一側面3001裸露。電極單元4包括一第一電極結構41以及一第二電極結構42。第一電極結構41包覆絕緣封裝體3的一第一部分301與散熱絕緣體11的一第一部分111，並且第二電極結構42包覆絕緣封裝體3的一第二部分302與散熱絕緣體11的一第二部分112。藉此，第一電極結構41能電性接觸每一電容器20的第一正極部20P的側面2000，並且第二電極結構42能電性接觸導電層12的一導電側面1200。

舉例來說，如圖8所示，絕緣封裝體3的第一側面3001、電容器20的正極部20P的側面2000以及散熱絕緣體11的一第一側面1101可以是實質上相互齊平，並且絕緣封裝體3的一第二側面3002、導電層12的一導電側面1200以及散熱絕緣體11的一第二側面1102可以是實質上相互齊平。另外，散熱絕緣體11可為一陶瓷基板，陶瓷基板的導熱係數可約為24~170W/mK，陶瓷基板的孔隙率(porosity)可約小於5vol%（體積相對總體積的百分比）、陶瓷基板的厚度可介於100與400μm之間，陶瓷基板的吸水率可約為0.01%，藉此陶瓷基板能夠提供較佳的散熱效果、較高的剛性特質以及較高的防水性能。再者，絕緣封裝體3可為一矽膠封裝體，矽膠封裝體經過回焊後（例如370度回焊後）的裂痕(crack)為0%，藉此矽膠封裝體能夠提供不易老化的特性。此外，散熱絕緣體11具有一外表面1100，並且散熱絕緣體11的外表面1100完全被絕緣封裝體3所包覆。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

[第三實施例]

參閱圖9至圖15所示，本發明第三實施例提供一種電容器組件封裝結構S的製作方法，其包括下列步驟：首先，配合圖9與圖10所示，將多個第一電容器20依序堆疊在一第一散熱絕緣體11上且電性連接於一第一導電層12，並且將多個第二電容器60依序堆疊在一第二散熱絕緣體51上且電性連接於一第二導電層52；接著，如圖11所示，將多個第二電容器60堆疊在多個第一電容器20上；接下來，如圖12所示，在第一散熱絕緣體11與第二散熱絕緣體51之間形成一絕緣封裝體3，以覆蓋多個第一電容器20與多個第二電容器60；然後，如圖13所示，形成一第一電極結構41以及一第二電極結構42，以分別部分地包覆絕緣封裝體3、第一散熱絕緣體11與第二散熱絕緣體51。

藉此，如圖13所示，本發明第三實施例提供一種電容器組件封裝結構S，其包括：一第一承載基板1、一第一電容器單元2、一絕緣封裝體3以及一電極單元4。由圖13與圖5的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的差異在於：在第三實施例中，電容器組件封裝結構S進一步包括：一第二承載基板5以及一第二電容器單元6。更進一步來說，第二承載基板5包括一第二散熱絕緣體51以及設置在第二散熱絕緣體51上的一第二導電層52。第二電容器單元6包括多個第二電容器60。多個第二電容器60依序堆疊在第二散熱絕緣體51上且電性連接於第二導電層52，並且每一第二電容器60具有一第二正極部60P以及電性連接於第二導電層52的一第二負極部60N。絕緣封裝體3設置在第二散熱絕緣體51上且覆蓋多個第二電容器60，並且每一第二電容器60的第二正極部60P的一側面6000從絕緣封裝體3的第一側面3001裸露。第一電極結構41包覆第二散熱絕緣體51的一第一部分511，並且第二電極結構42包覆第二散熱絕緣體51的一第二部分512。藉此，第一電極結構41能電性接觸每一第二電容器60的第二正極部60P的側面6000，並且第二電極結構42能電性接觸第二導電層52的一導電側面5200。

舉例來說，第二電容器60的結構等同於第一電容器20（配合圖2與圖3所示）。另外，如圖13所示，絕緣封裝體3的第一側面3001、第二電容器60的第二正極部60P的側面6000以及第二散熱絕緣體51的一第一側面5101可以是實質上相互齊平，並且絕緣封裝體3的一第二側面3002、第二導電層52的一導電側面5200以及第二散熱絕緣體51的一第二側面5102可以是實質上相互齊平。再者，第二散熱絕緣體51可為一陶瓷基板，陶瓷基板的導熱係數可約為24~170W/mK，陶瓷基板的孔隙率(porosity)可約小於5vol%（體積相對總體積的百分比）、陶瓷基板的厚度可介於100與400μm之間，陶瓷基板的吸水率可約為0.01%，藉此陶瓷基板能夠提供較佳的散熱效果、較高的剛性特質以及較高的防水性能。此外，第二散熱絕緣體51的一外表面5100的一部分裸露在絕緣封裝體3與電極單元4的外部。值得注意的是，第一散熱絕緣體11與第二散熱絕緣體51可以都是不具有玻璃纖維(FR4)的散熱絕緣體，並且絕緣封裝體3可以是不具有環氧樹脂(epoxy)的絕緣封裝體。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

再者，配合圖14與圖15所示，本發明第三實施例進一步提供一種電子裝置D，其包括：一電路基板結構P、一電容器組件封裝結構S以及兩個焊接材料M（例如錫球、錫膏或者任何的導電材料）。更進一步來說，電路基板結構P具有一正極焊墊P1以及一負極焊墊P2。電容器組件封裝結構S設置在電路基板結構P上，並且電容器組件封裝結構S包括一第一承載基板1、一第一電容器單元2、一絕緣封裝體3、一電極單元4、一第二承載基板5以及一第二電容器單元6。兩個焊接材料M設置在電路基板結構P上。其中一焊接材料M能做為一底部填充劑而電性連接於正極焊墊P1與第一電極結構41之間，並且另外一焊接材料M能做為另一底部填充劑而電性連接於負極焊墊P2與第二電極結構42之間。

藉此，如圖14所示，當第一散熱絕緣體11的外表面1100面向電路基板結構P時，第一承載基板1會比第二承載基板5更靠近電路基板結構P。因此，電容器組件封裝結構S所產生的熱除了會從“位於電容器組件封裝結構S的底部”的第一散熱絕緣體11散逸而出，電容器組件封裝結構S所產生的熱也會從“位於電容器組件封裝結構S的頂部”的第二散熱絕緣體51散逸而出。也就是說，圖14所示的電容器組件封裝結構S所產生的熱會同時往上方與下方進行散熱。再者，如圖15所示，當第二散熱絕緣體51的外表面5100面向電路基板結構P時，第二承載基板5會比第一承載基板1更靠近電路基板結構P。因此，電容器組件封裝結構S所產生的熱除了會從“位於電容器組件封裝結構S的底部”的第二散熱絕緣體51散逸而出，電容器組件封裝結構S所產生的熱也會從“位於電容器組件封裝結構S的頂部”的第一散熱絕緣體11散逸而出。也就是說，圖15所示的電容器組件封裝結構S所產生的熱會同時往上方與下方進行散熱。

值得注意的是，每一第二電容器60的第二正極部60P的側面6000與第一電極結構41的第一內部導電層411之間還可以進一步形成至少一第二阻氣導電層。舉例來說，第二阻氣導電層可為Zn, Au, Pt, Pd, Ti, Ni、Ag、Cu、Cr或者Sn，或者也可以是合金（例如NiCr, TiW, TiN, TiC）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例，其並非用以限定本發明。

[實施例的有益效果]

本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的電子裝置D及其電容器組件封裝結構S，其能通過“第一承載基板1包括一第一散熱絕緣體11以及設置在第一散熱絕緣體11上的一第一導電層12”、“多個第一電容器20依序堆疊在第一散熱絕緣體11上且電性連接於第一導電層12，每一第一電容器20具有一第一正極部20P以及電性連接於第一導電層12的一第一負極部20N”、“絕緣封裝體3設置在第一散熱絕緣體11上且覆蓋多個第一電容器20，每一第一電容器20的第一正極部20P的一側面2000從絕緣封裝體3的一第一側面3001裸露”以及“第一電極結構41包覆絕緣封裝體3的一第一部分301與第一散熱絕緣體11的一第一部分111，第二電極結構42包覆絕緣封裝體3的一第二部分302與第一散熱絕緣體11的一第二部分112”的技術方案，以使得第一電極結構41能電性接觸每一第一電容器20的第一正極部20P的側面2000，並且使得第二電極結構42能電性接觸第一導電層12的導電側面1200。

藉此，當第一散熱絕緣體11的外表面1100面向電路基板結構P時，電容器組件封裝結構S所產生的熱會從“位於電容器組件封裝結構S的底部”的第一散熱絕緣體11散逸而出。再者，當第一散熱絕緣體11的外表面1100背對電路基板結構P時，電容器組件封裝結構S所產生的熱會從“位於電容器組件封裝結構S的頂部”的第一散熱絕緣體11散逸而出。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。

D:電子裝置 P:電路基板結構 P1:正極焊墊 P2:負極焊墊 M:焊接材料 S:電容器組件封裝結構 1:第一承載基板 11:第一散熱絕緣體 1100:外表面 1101:第一側面 1102:第二側面 111:第一部分 112:第二部分 12:第一導電層 1200:導電側面 2:第一電容器單元 20:第一電容器 2000:側面 20P:第一正極部 20N:第一負極部 201:金屬箔片 2010:多孔性腐蝕層 202:氧化層 203:導電高分子層 204:碳膠層 205:銀膠層 3:絕緣封裝體 3001:第一側面 3002:第二側面 301:第一部分 302:第二部分 4:電極單元 41:第一電極結構 42:第二電極結構 411:第一內部導電層 412:第一中間導電層 413:第一外部導電層 421:第二內部導電層 422:第二中間導電層 423:第二外部導電層 5:第二承載基板 51:第二散熱絕緣體 5100:外表面 5101:第一側面 5102:第二側面 511:第一部分 512:第二部分 52:第二導電層 5200:導電側面 6:第二電容器單元 6000:側面 60:第二電容器 60P:第二正極部 60N:第二負極部

圖1為本發明第一實施例的多個第一電容器依序堆疊在一第一散熱絕緣體上且電性連接於一第一導電層的示意圖。

圖2為本發明第一實施例的第一電容器的示意圖。

圖3為圖2的III部分的放大示意圖。

圖4為本發明第一實施例的一絕緣封裝體形成在第一散熱絕緣體上以覆蓋多個第一電容器的示意圖。

圖5為本發明第一實施例的電容器組件封裝結構的示意圖。

圖6為本發明第一實施例的其中一種電子裝置的示意圖。

圖7為本發明第一實施例的另外一種電子裝置的示意圖。

圖8為本發明第二實施例的電容器組件封裝結構的示意圖。

圖9為本發明第三實施例的多個第一電容器依序堆疊在一第一散熱絕緣體上且電性連接於一第一導電層的示意圖。

圖10為本發明第三實施例的多個第二電容器依序堆疊在一第二散熱絕緣體上且電性連接於一第二導電層的示意圖。

圖11為本發明第三實施例的多個第二電容器堆疊在多個第一電容器上的示意圖。

圖12為本發明第三實施例的一絕緣封裝體形成在第一散熱絕緣體與第二散熱絕緣體之間以覆蓋多個第一電容器與多個第二電容器的示意圖。

圖13為本發明第三實施例的電容器組件封裝結構的示意圖。

圖14為本發明第三實施例的其中一種電子裝置的示意圖。

圖15為本發明第三實施例的另外一種電子裝置的示意圖。

S:電容器組件封裝結構

1:第一承載基板

11:第一散熱絕緣體

1100:外表面

1101:第一側面

1102:第二側面

111:第一部分

112:第二部分

12:第一導電層

1200:導電側面

2:第一電容器單元

20:第一電容器

2000:側面

20P:第一正極部

20N:第一負極部

3:絕緣封裝體

3001:第一側面

3002:第二側面

301:第一部分

302:第二部分

4:電極單元

41:第一電極結構

42:第二電極結構

411:第一內部導電層

412:第一中間導電層

413:第一外部導電層

421:第二內部導電層

422:第二中間導電層

423:第二外部導電層

Claims (10)

1. 一種電容器組件封裝結構，其包括： 一第一承載基板，所述第一承載基板包括一第一散熱絕緣體以及設置在所述第一散熱絕緣體上的一第一導電層； 一第一電容器單元，所述第一電容器單元包括多個第一電容器，多個所述第一電容器依序堆疊在所述第一散熱絕緣體上且電性連接於所述第一導電層，每一所述第一電容器具有一第一正極部以及電性連接於所述第一導電層的一第一負極部； 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體設置在所述第一散熱絕緣體上且覆蓋多個所述第一電容器，每一所述第一電容器的所述第一正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露；以及 一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分與所述第一散熱絕緣體的一第一部分，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分與所述第一散熱絕緣體的一第二部分； 其中，所述第一電極結構電性接觸每一所述第一電容器的所述第一正極部的所述側面，且所述第二電極結構電性接觸所述第一導電層。
2. 如請求項1所述的電容器組件封裝結構，其中，每一所述第一電容器包括一金屬箔片、完全包覆所述金屬箔片的一氧化層、包覆所述氧化層的一部分的一導電高分子層、完全包覆所述導電高分子層的一碳膠層以及完全包覆所述碳膠層的一銀膠層，且所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層；其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述第一電容器的所述第一正極部的所述側面以及所述第一散熱絕緣體的一第一側面相互齊平，且所述絕緣封裝體的一第二側面、所述第一導電層的一導電側面以及所述第一散熱絕緣體的一第二側面相互齊平；其中，所述第一散熱絕緣體為一陶瓷基板，且所述第一散熱絕緣體具有24~170W/mK的導熱係數、小於5vol%的孔隙率、介於100與400μm之間的厚度以及0.01%的吸水率；其中，所述絕緣封裝體為一矽膠封裝體，且所述絕緣封裝體經過370度回焊後的裂痕為0%；其中，所述第一散熱絕緣體具有一外表面，且所述第一散熱絕緣體的所述外表面的一部分裸露在所述絕緣封裝體與所述電極單元的外部。
3. 如請求項1所述的電容器組件封裝結構，其中，所述第一電極結構包括電性接觸每一所述第一電容器的所述第一正極部的所述側面的一第一內部導電層、包覆所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及包覆所述第一中間導電層的一第一外部導電層，且所述第一內部導電層包覆所述絕緣封裝體的所述第一部分與所述第一散熱絕緣體的所述第一部分；其中，所述第二電極結構包括電性接觸所述第一導電層的一第二內部導電層、包覆所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及包覆所述第二中間導電層的一第二外部導電層，且所述第二內部導電層包覆所述絕緣封裝體的所述第二部分與所述第一散熱絕緣體的所述第二部分；其中，所述第一內部導電層與所述第二內部導電層都為Ag層與Cu層兩者之中的至少一層，所述第一中間導電層與所述第二中間導電層都為Ni層，且所述第一外部導電層與所述第二外部導電層都為Sn層。
4. 如請求項1所述的電容器組件封裝結構，進一步包括： 一第二承載基板，所述第二承載基板包括一第二散熱絕緣體以及設置在所述第二散熱絕緣體上的一第二導電層；以及 一第二電容器單元，所述第二電容器單元包括多個第二電容器，多個所述第二電容器依序堆疊在所述第二散熱絕緣體上且電性連接於所述第二導電層，每一所述第二電容器具有一第二正極部以及電性連接於所述第二導電層的一第二負極部； 其中，所述絕緣封裝體設置在所述第二散熱絕緣體上且覆蓋多個所述第二電容器，且每一所述第二電容器的所述第二正極部的一側面從所述絕緣封裝體的所述第一側面裸露； 其中，所述第一電極結構包覆所述第二散熱絕緣體的一第一部分，且所述第二電極結構包覆所述第二散熱絕緣體的一第二部分； 其中，所述第一電極結構電性接觸每一所述第二電容器的所述第二正極部的所述側面，且所述第二電極結構電性接觸所述第二導電層； 其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述第二電容器的所述第二正極部的所述側面以及所述第二散熱絕緣體的一第一側面相互齊平，且所述絕緣封裝體的一第二側面、所述第二導電層的一導電側面以及所述第二散熱絕緣體的一第二側面相互齊平；其中，所述第二散熱絕緣體為一陶瓷基板，且所述第二散熱絕緣體具有24~170W/mK的導熱係數、小於5vol%的孔隙率、介於100與400μm之間的厚度以及0.01%的吸水率；其中，所述第二散熱絕緣體的一外表面的一部分裸露在所述絕緣封裝體與所述電極單元的外部； 其中，所述第一散熱絕緣體與所述第二散熱絕緣體都是不具有玻璃纖維的散熱絕緣體，且所述絕緣封裝體是不具有環氧樹脂的絕緣封裝體。
5. 一種電子裝置，其包括： 一電路基板結構，所述電路基板結構具有一正極焊墊以及一負極焊墊； 一電容器組件封裝結構，所述電容器組件封裝結構設置在所述電路基板結構上，所述電容器組件封裝結構包括： 一第一承載基板，所述第一承載基板包括一第一散熱絕緣體以及設置在所述第一散熱絕緣體上的一第一導電層； 一第一電容器單元，所述第一電容器單元包括多個第一電容器，多個所述第一電容器依序堆疊在所述第一散熱絕緣體上且電性連接於所述第一導電層，每一所述第一電容器具有一第一正極部以及電性連接於所述第一導電層的一第一負極部； 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體設置在所述第一散熱絕緣體上且覆蓋多個所述第一電容器，每一所述第一電容器的所述第一正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一第一側面裸露；以及 一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分與所述第一散熱絕緣體的一第一部分，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分與所述第一散熱絕緣體的一第二部分，所述第一電極結構電性接觸每一所述第一電容器的所述第一正極部的所述側面，所述第二電極結構電性接觸所述第一導電層；以及 兩個焊接材料，兩個所述焊接材料設置在所述電路基板結構上，其中一所述焊接材料電性連接於所述正極焊墊與所述第一電極結構之間，另外一所述焊接材料電性連接於所述負極焊墊與所述第二電極結構之間。
6. 如請求項5所述的電子裝置，其中，每一所述第一電容器包括一金屬箔片、完全包覆所述金屬箔片的一氧化層、包覆所述氧化層的一部分的一導電高分子層、完全包覆所述導電高分子層的一碳膠層以及完全包覆所述碳膠層的一銀膠層，且所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層；其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述第一電容器的所述第一正極部的所述側面以及所述第一散熱絕緣體的一第一側面相互齊平，且所述絕緣封裝體的一第二側面、所述第一導電層的一導電側面以及所述第一散熱絕緣體的一第二側面相互齊平；其中，所述第一散熱絕緣體為一陶瓷基板，且所述第一散熱絕緣體具有24~170W/mK的導熱係數、小於5vol%的孔隙率、介於100與400μm之間的厚度以及0.01%的吸水率；其中，所述絕緣封裝體為一矽膠封裝體，且所述絕緣封裝體經過370度回焊後的裂痕為0%；其中，所述第一散熱絕緣體具有一外表面，且所述第一散熱絕緣體的所述外表面的一部分裸露在所述絕緣封裝體與所述電極單元的外部。
7. 如請求項5所述的電子裝置，其中，所述第一電極結構包括電性接觸每一所述第一電容器的所述第一正極部的所述側面的一第一內部導電層、包覆所述第一內部導電層的一第一中間導電層以及包覆所述第一中間導電層的一第一外部導電層，且所述第一內部導電層包覆所述絕緣封裝體的所述第一部分與所述第一散熱絕緣體的所述第一部分；其中，所述第二電極結構包括電性接觸所述第一導電層的一第二內部導電層、包覆所述第二內部導電層的一第二中間導電層以及包覆所述第二中間導電層的一第二外部導電層，且所述第二內部導電層包覆所述絕緣封裝體的所述第二部分與所述第一散熱絕緣體的所述第二部分；其中，所述第一內部導電層與所述第二內部導電層都為Ag層與Cu層兩者之中的至少一層，所述第一中間導電層與所述第二中間導電層都為Ni層，且所述第一外部導電層與所述第二外部導電層都為Sn層。
8. 如請求項5所述的電子裝置，其中，所述電容器組件封裝結構進一步包括： 一第二承載基板，所述第二承載基板包括一第二散熱絕緣體以及設置在所述第二散熱絕緣體上的一第二導電層；以及 一第二電容器單元，所述第二電容器單元包括多個第二電容器，多個所述第二電容器依序堆疊在所述第二散熱絕緣體上且電性連接於所述第二導電層，每一所述第二電容器具有一第二正極部以及電性連接於所述第二導電層的一第二負極部； 其中，所述絕緣封裝體設置在所述第二散熱絕緣體上且覆蓋多個所述第二電容器，且每一所述第二電容器的所述第二正極部的一側面從所述絕緣封裝體的所述第一側面裸露； 其中，所述第一電極結構包覆所述第二散熱絕緣體的一第一部分，且所述第二電極結構包覆所述第二散熱絕緣體的一第二部分； 其中，所述第一電極結構電性接觸每一所述第二電容器的所述第二正極部的所述側面，且所述第二電極結構電性接觸所述第二導電層； 其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述第二電容器的所述第二正極部的所述側面以及所述第二散熱絕緣體的一第一側面相互齊平，且所述絕緣封裝體的一第二側面、所述第二導電層的一導電側面以及所述第二散熱絕緣體的一第二側面相互齊平；其中，所述第二散熱絕緣體為一陶瓷基板，且所述第二散熱絕緣體具有24~170W/mK的導熱係數、小於5vol%的孔隙率、介於100與400μm之間的厚度以及0.01%的吸水率；其中，所述第二散熱絕緣體的一外表面的一部分裸露在所述絕緣封裝體與所述電極單元的外部； 其中，當所述第一散熱絕緣體的所述外表面面向所述電路基板結構時，所述第一承載基板比所述第二承載基板更靠近所述電路基板結構； 其中，當所述第二散熱絕緣體的所述外表面面向所述電路基板結構時，所述第二承載基板比所述第一承載基板更靠近所述電路基板結構； 其中，所述第一散熱絕緣體與所述第二散熱絕緣體都是不具有玻璃纖維的散熱絕緣體，且所述絕緣封裝體是不具有環氧樹脂的絕緣封裝體。
9. 一種電容器組件封裝結構，其包括： 一承載基板，所述承載基板包括一散熱絕緣體以及設置在所述散熱絕緣體上的一導電層； 一電容器單元，所述電容器單元包括多個電容器，多個所述電容器依序堆疊在所述散熱絕緣體上且電性連接於所述導電層，每一所述電容器具有一正極部以及電性連接於所述導電層的一負極部； 一絕緣封裝體，所述絕緣封裝體包覆所述散熱絕緣體與多個所述電容器，每一所述電容器的所述正極部的一側面從所述絕緣封裝體的一側面裸露；以及 一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構，所述第一電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第一部分與所述散熱絕緣體的一第一部分，所述第二電極結構包覆所述絕緣封裝體的一第二部分與所述散熱絕緣體的一第二部分； 其中，所述第一電極結構電性接觸每一所述電容器的所述第一正極部的所述側面，且所述第二電極結構電性接觸所述導電層。
10. 如請求項9所述的電容器組件封裝結構，其中，每一所述電容器包括一金屬箔片、完全包覆所述金屬箔片的一氧化層、包覆所述氧化層的一部分的一導電高分子層、完全包覆所述導電高分子層的一碳膠層以及完全包覆所述碳膠層的一銀膠層，且所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層；其中，所述絕緣封裝體的所述第一側面、所述電容器的所述正極部的所述側面以及所述散熱絕緣體的一第一側面相互齊平，且所述絕緣封裝體的一第二側面、所述導電層的一側面以及所述散熱絕緣體的一第二側面相互齊平；其中，所述第一散熱絕緣體為一陶瓷基板，且所述第一散熱絕緣體具有24~170W/mK的導熱係數、小於5vol%的孔隙率、介於100與400μm之間的厚度以及0.01%的吸水率；其中，所述絕緣封裝體為一矽膠封裝體，且所述絕緣封裝體經過370度回焊後的裂痕為0%；其中，所述散熱絕緣體具有一外表面，且所述散熱絕緣體的所述外表面的一部分裸露在所述絕緣封裝體與所述電極單元的外部。

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