TW201827947A - 顯影液管理裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種能夠實現可維持所期望的顯影性能，並可維持基板上之配線圖案之所期望的線寬及殘膜厚度之顯影處理的顯影液管理裝置。
顯影液管理裝置D具備控制手段21及顯示手段22，該控制手段21具備：數據記憶部23，係儲存有導電率數據，該導電率數據係按以重複使用之呈鹼性的顯影液之溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的每個濃度區域，具有已預先確認會成為預定的顯影性能之前述顯影液的導電率值；及控制部31，以藉由顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值，使顯影液的導電率成為控制目標值的方式對設置在輸送補給至顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示手段22係顯示從顯影液所獲得之導電率值、鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少導電率值及鹼成分濃度值的任一者。

Description

顯影液管理裝置
本發明係關於顯影液管理裝置，尤其係關於在半導體或液晶面板之電路基板的顯影製程等中為了將光阻劑膜(photoresist film)顯影而重複使用之呈鹼性的顯影液管理裝置。
在實現半導體或液晶面板等的微細配線加工之光微影(photolithography)的顯影製程中，係使用呈現鹼性的顯影液(以下，稱為「鹼性顯影液」。)作為將成膜於基板上的光阻劑溶解之藥液。
在半導體或液晶面板基板的製造製程中，近年來，晶圓或玻璃基板的大型化與配線加工的微細化及高積體化已有長足進展。在這種狀況下，為了實現大型基板之配線加工的微細化及高積體化，便需要更加高精確地測定鹼性顯影液之主要成分的濃度來維持管理顯影液。
習知之鹼性顯影液的成分濃度之測定，係利用在鹼性顯影液之鹼成分的濃度(以下，稱為「鹼成分濃度」。)與導電率之間可獲得良好的線性關係這點(例如 專利文獻1)。
然而，近年來，鹼性顯影液接觸空氣的機會因顯影處理而增加，因鹼性顯影液會吸收空氣中的二氧化碳，所以鹼性顯影液之二氧化碳的吸收量會增加。當吸收的二氧化碳濃度變高，習知的顯影液管理方法，便發生無法維持預定的線寬加工等的問題。
造成上述問題的原因，係由於因二氧化碳的吸收而生成碳酸鹽的反應消耗了鹼性顯影液中具顯影活性的鹼性成分。此外，還由於因光阻劑的溶解而生成光阻劑鹽的反應消耗了鹼性顯影液中具顯影活性的鹼性成分。
針對上述問題點，已有嘗試各種欲將因消耗而減少的鹼性成分補充的顯影液管理。關於該些嘗試的做法，係藉由測定碳酸鹽濃度，以補充液補充被生成碳酸鹽的反應所消耗掉的鹼性成分使具顯影活性的鹼性成分的濃度維持一定。針對因光阻劑的溶解而消耗掉的鹼性成分也是相同的作法。該些嘗試係從形成碳酸鹽和光阻劑鹽的鹼性成分係失去顯影活性而處於失去活性的觀點出發(例如，專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第2561578號公報
[專利文獻2]日本特開2008-283162號公報
然而，上述各種的顯影液管理的嘗試依然難以實現令人滿意的顯影液管理。
本案的發明人在針對顯影液管理致力研究後，獲得了以下發現。亦即，藉由管理顯影液的導電率值，能夠實現一併考慮到碳酸鹽和阻劑鹽亦有一部分在顯影液中游離而幫助顯影作用、及該些原本被認為是失去活性的成分對顯影作用之幫助的顯影液管理，還有，此方式的導電率的管理值係依吸收二氧化碳濃度及溶解光阻劑濃度而有各種不同的值。
這是基於形成碳酸鹽和光阻劑鹽的鹼性成分並非失去活性，有一部分游離而幫助顯影作用這點、以及從具顯影活性的鹼性成分和碳酸鹽及阻劑鹽游離出而幫助顯影作用的成分皆對導電率有作用這點。亦即，本案的發明人發現利用顯影液的導電率值進行管理，來將具有顯影作用的成分總體進行最佳化管理，而發想出本發明。
本發明係為解決上述課題而研創者，目的在提供一種可對光阻劑達成預定的顯影性能之顯影液管理裝置。
為了達成前述目的，本發明的顯影液管理裝置具備控制手段及顯示手段，該控制手段具備：數據記憶部，係儲存有導電率數據，該導電率數據係按以重複使用之呈鹼性的顯影液之溶解光阻劑濃度及吸收二氧化 碳濃度為指標而特定的每個濃度區域，具有已預先確認會成為預定的顯影性能之前述顯影液的導電率值；及控制部，以藉由前述顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定的濃度區域之儲存於前述數據記憶部之前述導電率值作為控制目標值，以使前述顯影液的導電率會成為前述控制目標值的方式對設置在輸送補給至前述顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示手段係顯示從前述顯影液所獲得之導電率值、鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少導電率值及鹼成分濃度值的任一者。
本發明的顯影液管理裝置較佳為進一步具備對由前述顯示手段所顯示的顯示對象進行切換之顯示切換手段。
本發明的顯影液管理裝置具備控制手段及顯示手段，該控制手段具備：數據記憶部，係儲存有導電率數據，該導電率數據係按以重複使用之呈鹼性的顯影液之溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的每個濃度區域具有已經預先確認會成為預定的顯影性能的前述顯影液的導電率值；及控制部，以藉由前述顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定的濃度區域之儲存於前述數據記憶部的前述導電率值作為控制目標值，以使前述顯影液的導電率會成為前述控制目標值的方式對設置在輸送補給至前述顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示 手段係將從前述顯影液所獲得之導電率值、鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少導電率值及鹼成分濃度值的任一者，以測定時刻或自測定開始起的經過時間作為指標進行圖表顯示。
本發明的顯影液管理裝置較佳為進一步具備對由前述顯示手段所顯示的顯示對象進行切換之顯示切換手段。
根據本發明的顯影液管理裝置，因不論顯影液成為怎樣的溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度，顯影液中對顯影作用具有活性的成分都可維持一定，故可維持所期望的顯影性能，可維持基板上之配線圖案之所期望的線寬及殘膜厚度之顯影處理得以實現。又，可顯示各種數據及圖表。
根據本發明的顯影液管理裝置之較佳的態樣，其進一步具備複數個測定裝置，該等測定裝置係測定包含與前述顯影液的溶解光阻劑濃度有相關之前述顯影液的特性值、以及與前述顯影液的吸收二氧化碳濃度有相關之前述顯影液的特性值之前述顯影液的複數個特性值；前述控制手段進一步具備：運算部，係從藉前述複數個測定裝置所測得的前述顯影液的複數個特性值，藉由多變量分析法，算出前述顯影液之溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值。
根據本發明的顯影液管理裝置之較佳的態樣，其進一步具備：複數個測定裝置，係測定包含與前述顯影液的溶解光阻劑濃度有相關之前述顯影液的特性 值、以及與前述顯影液的吸收二氧化碳濃度有相關之前述顯影液的特性值之前述顯影液的複數個特性值；及運算手段，係從藉由前述複數個測定裝置所測得的前述顯影液的複數個特性值，使用多變量分析法，算出前述顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值。
根據本發明的顯影液管理裝置的較佳態樣，其具備密度計；前述控制手段進一步具備：運算部，其係根據前述顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度之間的對應關係，從藉由前述密度計所測得之前述顯影液的密度值，算出前述顯影液的吸收二氧化碳濃度值。
根據本發明的顯影液管理裝置的較佳態樣，其進一步具備：密度計；及運算手段，係根據前述顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度之間的對應關係，從藉由前述密度計所測得的前述顯影液的密度值算出前述顯影液的吸收二氧化碳濃度值。
根據本發明的顯影液管理裝置，其具備控制手段及顯示手段，該控制手段具備：數據記憶部，係儲存有鹼成分濃度數據，該鹼成分濃度數據係按以與重複使用之呈鹼性的顯影液的溶解光阻劑濃度有相關的吸光度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定之每個濃度區域，具有已預先確認會成為預定的顯影性能之前述顯影液的鹼成分濃度值；及控制部，以藉由前述顯影液的吸光度及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定的濃度區域之儲存於前述數據記憶部的前述鹼成分濃度值作為控制目標 值，以使前述顯影液的鹼成分濃度會成為前述控制目標值的方式對設置在輸送補給至前述顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示手段係顯示與從前述顯影液所獲得之鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度有相關之吸光度值及吸收二氧化碳濃度值中的至少前述鹼成分濃度值。
根據本發明的顯影液管理裝置，具備控制手段及顯示手段，該控制手段具備：數據記憶部，係儲存有鹼成分濃度數據，該鹼成分濃度數據係按以與重複使用之呈鹼性的顯影液的溶解光阻劑濃度有相關的吸光度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定之每個濃度區域，具有已預先確認會成為預定的顯影性能之前述顯影液的鹼成分濃度值；及控制部，以藉由前述顯影液的吸光度及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定的濃度區域之儲存於前述數據記憶部的前述鹼成分濃度值作為控制目標值，以使前述顯影液的鹼成分濃度會成為前述控制目標值的方式對設置在輸送補給至前述顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示手段係將與從前述顯影液所獲得之鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度有相關之吸光度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少前述鹼成分濃度值，以測定時刻或自測定開始的經過時間作為指標進行圖表顯示。
根據本發明的顯影液管理裝置，其進一步具備對由前述顯示手段所顯示的顯示對象進行切換之顯示切換手段。
根據本發明，因不論顯影液變成了怎樣的溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度，顯影液中對顯影作用具活性的成分仍可維持一定，所以能夠實現可維持所期望的顯影性能，且可維持基板上之配線圖案的所期望線寬及殘膜厚度之顯影處理。又，可顯示各種數據及圖表。
A‧‧‧顯影製程設備
B‧‧‧補充液貯留部
C‧‧‧循環攪拌機構
D‧‧‧顯影液管理裝置
1‧‧‧測定部
11‧‧‧導電率計
12‧‧‧第1濃度測定手段
12A‧‧‧第1特性值測定手段
13‧‧‧第2濃度測定手段
13A‧‧‧第2特性值測定手段
13B‧‧‧密度計
14‧‧‧取樣泵
15‧‧‧取樣配管
16‧‧‧出口側配管
21‧‧‧控制手段(例如電腦)
22‧‧‧顯示手段
23‧‧‧數據記憶部
31‧‧‧控制部
32、33‧‧‧運算部
36、37‧‧‧運算手段
41~43‧‧‧控制閥
44、45、 46、47‧‧‧閥
61‧‧‧顯影液貯留槽
62‧‧‧溢流槽
63‧‧‧液面計
64‧‧‧顯影室罩
65‧‧‧滾輪式輸送機
66‧‧‧基板
67‧‧‧顯影液噴灑頭
71‧‧‧廢液泵
72、74‧‧‧循環泵
73、75‧‧‧過濾器
80‧‧‧顯影液管路
81、82‧‧‧補充液(顯影原液及/或新液)用管路
83‧‧‧純水用管路
84‧‧‧合流管路
85‧‧‧循環管路
86‧‧‧氮氣用管路
91、92‧‧‧補充液(顯影原液及/或新液)貯留槽
圖1係用以說明第一實施形態的顯影液管理裝置之顯影製程的示意圖。
圖2係用以說明第二實施形態的顯影液管理裝置之顯影製程的示意圖。
圖3係用以說明第三實施形態的顯影液管理裝置之顯影製程的示意圖。
圖4係用以說明第四實施形態的顯影液管理裝置之顯影製程的示意圖。
圖5係表示顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度的關係之圖表(graph)。
圖6係用以說明第五實施形態的顯影液管理裝置之顯影製程的示意圖。
圖7係用以說明第六實施形態的顯影液管理裝置之顯影製程的示意圖。
[實施發明之形態]
以下，適當參照圖式，詳細說明本發明較佳的實施形態。然而，此等實施形態所記載之裝置等的形狀、大小、尺寸比、其相對配置等，只要無特定的記載，則不僅限定於圖示本發明範圍之構成。僅單純作為說明例而示意性圖示而已。
又，以下的說明中，就顯影液的具體例而言，係適當使用在半導體或液晶面板基板的製造製程中主要使用之2.38wt%的氫氧化四甲銨(tetramethyl ammoniumhydroxide)水溶液(以下，將氫氧化四甲銨稱為TMAH。)，來進行說明。然而，本發明適用的顯影液不限於此。就本發明之顯影液的管理方法和裝置所能適用的其他顯影液的例子而言，可舉出：氫氧化鉀、氫氧化鈉、磷酸鈉、矽酸鈉等的無機化合物之水溶液和氫氧化三甲基單乙醇銨(trimethyl monoethanol ammonium hydroxide)(choline：膽鹼)等的有機化合物水溶液。
以下說明中，鹼成分濃度、溶解光阻劑濃度、吸收二氧化碳濃度等的成分濃度係採用重量百分比濃度(wt%)計算的濃度。所謂的「溶解光阻劑濃度」係指將溶解的光阻劑換算為光阻劑的量時的濃度，所謂的「吸收二氧化碳濃度」係指將所吸收的二氧化碳換算為二氧化碳的量時的濃度。
在顯影處理製程中，係藉由以顯影液將曝光處理後之光阻劑膜的不要部分溶解來進行顯影。溶解於顯影液的光阻劑會與顯影液的鹼成分之間生成光阻劑鹽。因此，若沒有適當地管理顯影液，則隨著顯影處理 進行，顯影液就會因具有顯影活性的鹼成分被消耗而劣化，使得顯影性能愈發惡化。同時，在顯影液中，溶解的光阻劑係以與鹼成分生成光阻劑鹽的形式而逐漸累積。
溶解於顯影液的光阻劑係在顯影液中顯現界面活性作用。因此，溶解於顯影液的光阻劑，可提高供顯影處理用之光阻劑膜對顯影液的浸潤性(wettability)，並改善顯影液與光阻劑膜的親和度。因此，在適度含有光阻劑的顯影液中，顯影液亦遍佈光阻劑膜的微細凹部內，而可對具有微細凹凸之光阻劑膜良好地實施顯影處理。
此外，在近年來的顯影處理中，伴隨基板大型化，大量的顯影液被重複使用，所以顯影液曝露於空氣的機會也增加。可是，鹼性顯影液一旦曝露於空氣中就會吸收空氣中的二氧化碳。所吸收的二氧化碳會與顯影液的鹼成分之間產生碳酸鹽。因此，若沒有適當地管理顯影液，顯影液中具有顯影活性的鹼成分便會被所吸收的二氧化碳消耗而減少。同時，在顯影液中，所吸收的二氧化碳係以與鹼性成分生成的碳酸鹽之形式而逐漸累積。
然而，因顯影液中的碳酸鹽在顯影液中係呈鹼性，故具有顯影作用。
如上述，不同於會使顯影處理的顯影活性失去活性的過往認知，顯影液中所溶解的光阻劑和所吸收的二氧化碳實際上是有助於顯影液的顯影性能的。因 此，所必須進行的乃係在容許顯影液中溶存有溶解光阻劑和吸收二氧化碳下，將溶解光阻劑和吸收二氧化碳維持管理在最佳濃度的顯影液管理，而非將溶解光阻劑和吸收二氧化碳完全移除的顯影液管理。
又，關於生成於顯影液中的光阻劑鹽或碳酸鹽，其有一部分解離而生成光阻劑離子、碳酸離子或碳酸氫離子等各種自由離子。此外，這些自由離子會以各種貢獻率(contributing rate)影響著顯影液的導電率。
關於上述各點，本案的發明人在針對顯影液管理致力研究後，獲得了以下發現。亦即，藉由管理顯影液的導電率值，能夠實現一併考慮到碳酸鹽和阻劑鹽亦有一部分在顯影液中游離而幫助顯影作用、及該些原本被認為是失去活性的成分對顯影作用之幫助的顯影液管理，還有，此方式的導電率的管理值係依吸收二氧化碳濃度及溶解光阻劑濃度而有各種不同的值。
於是，發明人係設想以TMAH水溶液作為顯影液進行管理之情況，使溶解光阻劑濃度、吸收二氧化碳濃度作各種變化，而求取了對光阻劑的所期望顯影性能與顯影液的導電率值之關係。
調製了使吸收二氧化碳濃度在0.0~1.3(wt%)之間變化，使溶解光阻劑濃度在0.0~0.40(wt%)(相當於波長560nm的吸光度0.0~1.3(abs))(以下有同樣將濃度與吸光度並行陳述的情形)之間變化之TMAH水溶液的顯影液試樣(sample)。本案的發明人係進行了如下的實驗：針對這些試樣，測定顯影液的導電率、吸收二氧化 碳濃度及溶解光阻劑濃度，確認顯影性能、導電率、吸收二氧化碳濃度、及與溶解光阻劑濃度成分之關係。建立了以吸收二氧化碳濃度作為一個項目排列在縱向或橫向，並以溶解光阻劑濃度作為另一項目排列在橫向或縱向之矩陣(組合表)。就吸收二氧化碳濃度與溶解光阻劑濃度的每個組合，求得滿足對光阻劑的所期望顯影性能之顯影液的導電率，填入各欄而完成了矩陣(matrix)。
此處，所謂預定的顯影性能，係指實現欲以在顯影製程實現之基板上的配線圖案的線寬和殘膜厚度時的顯影液之顯影性能。
例舉具代表性的各試樣的吸收二氧化碳濃度、溶解光阻劑濃度及導電率的測定結果。在吸收二氧化碳濃度為0.0(wt%)且溶解光阻劑濃度為0.0(wt%)(相當於0.0(abs))時(所謂的新液)，可發揮預定的顯影性能之顯影液的導電率為54.58(mS/cm)。
在吸收二氧化碳濃度為0.0(wt%)且溶解光阻劑濃度為0.25(wt%)(相當於0.8abs)時，可發揮預定的顯影性能之顯影液的導電率為54.55(mS/cm)，在溶解光阻劑濃度為0.40(wt%)(相當於1.3abs)時，顯影液的導電率為54.53(mS/cm)。
又，在溶解光阻劑濃度為0.0(wt%)(相當於0.0(abs))且吸收二氧化碳濃度為0.6(wt%)時，顯影液的導電率為54.60(mS/cm)，在吸收二氧化碳濃度為1.3(wt%)時，顯影液的導電率為54.75(mS/cm)。
又，在吸收二氧化碳濃度為0.6(wt%)且溶解 光阻劑濃度為0.22(wt%)(相當於0.7abs)時，顯影液的導電率為54.60(mS/cm)，在溶解光阻劑濃度為0.40(wt%)(相當於1.3abs)時，顯影液的導電率為54.58(mS/cm)。
又，在吸收二氧化碳濃度為1.3(wt%)且溶解光阻劑濃度為0.22(wt%)(相當於0.7abs)時，顯影液的導電率為54.75(mS/cm)，在溶解光阻劑濃度為0.40(wt%)(相當於1.3abs)時，顯影液的導電率為54.75(mS/cm)。
此外，在上述的實驗中，在某濃度區域中，可觀察到當吸收二氧化碳濃度變大時，導電率的管理值有變大的傾向，當溶解光阻劑濃度變大時，導電率的管理值有變小的傾向。
上述的實驗中，各試樣的顯影液的導電率係使用藉導電率計所測得的值。吸收二氧化碳濃度係使用藉由滴定分析法所測得的值。溶解光阻劑濃度係採用重量調製值。滴定係以鹽酸作為滴定試藥的中和滴定。關於滴定裝置，係使用三菱化學Analytech(Mitsubishi Chemical Analytech)公司製的自動滴定裝置GT-200。
另外，上述的導電率、吸收二氧化碳濃度、及溶解光阻劑濃度乃係用於找出導電率、吸收二氧化碳濃度及溶解光阻劑濃度與顯影性能間的關係性的數值，故不以各該數值為限。
如上所述，能夠理解到可發揮顯影性能的導電率係依吸收二氧化碳濃度及溶解光阻劑濃度而有各種 不同的值。如此，在顯影液的管理中，在含有吸收二氧化碳及溶解光阻劑的顯影液中，係以導電率作為管理值，再測定吸收二氧化碳濃度及溶解光阻劑濃度，藉由根據各測定結果使導電率的管理值不同，即可使預定的顯影性能發揮。
亦即，將按以顯影液的溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的每個濃度區域具有已預先確認會成為預定顯影性能的顯影液導電率值的導電率數據(矩陣)加以記憶，藉由利用導電率數據(矩陣)，便可進行能夠令預定之顯影性能發揮出來的顯影液管理。
又，發明人針對顯影液管理致力研究後，獲得了以下的見解：藉由管理顯影液的鹼成分濃度值，可實現一併考量到碳酸鹽或阻劑鹽也有一部分在顯影液中游離而幫助顯影作用、以及被認為會失去活性的這些成分對顯影作用的幫助之顯影液管理；又，這樣的鹼成分濃度的管理值係依吸收二氧化碳濃度及與溶解光阻劑濃度有相關關係的吸光度而有各種不同的值。
於是，發明人係設想以TMAH水溶液作為顯影液進行管理之情況，使根據呈鹼性的顯影液導電率所測定的鹼成分濃度、與顯影液的溶解光阻劑濃度具有相關關係的吸光度、及顯影液的吸收二氧化碳濃度作多種變化，求取了對於光阻劑之所期望的顯影性能與顯影液的鹼成分濃度之關係。
調製了使吸收二氧化碳濃度在0.0~1.3(wt%)之間變化，使與溶解光阻劑濃度有相關關係的吸光度在 0.0~1.3(abs)之間變化之TMAH水溶液的顯影液試樣。本案發明人係進行了以下的實驗：針對這些試樣測定顯影液的鹼成分濃度、吸收二氧化碳濃度及吸光度，確認顯影性能、鹼成分濃度、吸收二氧化碳濃度及與吸光度之關係。作成以吸收二氧化碳濃度為一個項目排列在縱向或橫向，並以吸光度為另一項目排列在橫向或縱向之矩陣(組合表)。就吸收二氧化碳濃度與吸光度的每個組合，求得滿足對光阻劑之所期望的顯影性能之顯影液的鹼成分濃度，填入各欄而完成矩陣。
此處，所謂預定的顯影性能，係指實現欲以顯影製程實現之基板上的配線圖案的線寬或殘膜厚度時之顯影液的顯影性能。
例舉具代表性之各試樣的吸收二氧化碳濃度、吸光度及鹼成分濃度的測定結果。在吸收二氧化碳濃度為0.0(wt%)且吸光度為0.0(abs)的情況(所謂新液)，可發揮預定的顯影性能之顯影液的鹼成分濃度為2.380(wt%)。
在吸收二氧化碳濃度為0.0(wt%)，而吸光度為0.8abs時，可發揮預定的顯影性能之顯影液的鹼成分濃度為2.379(wt%)；在吸光度為1.3abs時，顯影液的鹼成分濃度為2.378(wt%)。
又，在吸光度為0.0(abs)，而吸收二氧化碳濃度為0.6(wt%)時，顯影液的鹼成分濃度為2.381(wt%)，在吸收二氧化碳濃度為1.3(wt%)時，顯影液的鹼成分濃度為2.388(wt%)。
又，在吸收二氧化碳濃度為0.6(wt%)，而吸光度為0.7abs時，顯影液的鹼成分濃度為2.381(wt%)，在吸光度為1.3abs時，顯影液的鹼成分濃度為2.380(wt%)。
又，在吸收二氧化碳濃度為1.3(wt%)，而吸光度為0.7abs時，顯影液的鹼成分濃度為2.388(wt%)，在吸光度為1.3abs時，顯影液的鹼成分濃度為2.388(wt%)。
此外，在上述實驗中，在某濃度區域中，可觀察到當吸收二氧化碳濃度變大時，鹼成分濃度的管理值有變大的傾向，當吸光度變大時，鹼成分濃度的管理值有變小的傾向。
上述的實驗中，各試樣之顯影液的鹼成分濃度，係可藉由以導電率計測定導電率來求得。具體而言，係將TMAH水溶液的新液(顯影前的TMAH水溶液)的鹼成分濃度與導電率值的相關關係(例如線性關係)預先以校準曲線(calibration curve)作成。依據此校準曲線，可從導電率值求得鹼成分濃度。
吸收二氧化碳濃度係使用藉由滴定分析法所測得的值。滴定係以鹽酸作為滴定試藥之中和滴定。滴定裝置係使用三菱化學Analytech公司製的自動滴定裝置GT-200。吸光度的測定是使用吸光光度計。
此外，上述的鹼成分濃度、吸收二氧化碳濃度及吸光度係用於找出鹼成分濃度、吸收二氧化碳濃度及吸光度與顯影性能的關係性，故不限定於各數值。
如上所述，能夠理解到可發揮顯影性能的鹼成分濃度係依吸收二氧化碳濃度及吸光度而有種種差異。如此，在顯影液的管理中，在包含有吸收二氧化碳及溶解光阻劑的顯影液中，以鹼成分濃度作為顯影液的管理值，再測定吸收二氧化碳濃度及吸光度，根據各測定結果使鹼成分濃度的管理值不同，藉此便可使預定的顯影性能發揮。
亦即，按以顯影液的吸光度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的濃度區域，將具有已預先確認會成為預定顯影性能的顯影液的鹼成分濃度值之鹼成分濃度數據(矩陣)加以記憶，藉由利用鹼成分濃度數據(矩陣)，便可使預定的顯影性能發揮。
接著，針對具體的實施例，參照圖式進行說明。
〔第一實施形態〕
圖1係用以說明本實施形態的顯影液管理裝置D之顯影製程的示意圖。本發明的顯影液管理裝置D係連同顯影製程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構C等一起圖示。
首先，就顯影製程設備A簡單說明。
顯影製程設備A主要係包含：顯影液貯留槽61、溢流槽62、顯影室罩64、滾輪式輸送機(roller conveyor)65、顯影液噴灑頭(shower nozzle)67等。在顯影液貯留槽61中貯留有顯影液。顯影液係接收補充液的 補充而進行組成管理。顯影液貯留槽61具有液面計63及溢流槽62，藉以管理因補給補充液所導致的液量增加。顯影液貯留槽61與顯影液噴灑頭67係藉顯影液管路80連接。貯留在顯影液貯留槽61內的顯影液係藉由設在顯影液管路80的循環泵72經由過濾器73輸送到顯影液噴灑頭67。滾輪式輸送機65係裝設在顯影液貯留槽61的上方，用來搬送成膜有光阻劑膜的基板66。顯影液係從顯影液噴灑頭67滴下。藉滾輪式輸送機65搬送的基板66則藉由通過滴下的顯影液中而浸於顯影液。然後，顯影液被回收至顯影液貯留槽61，再度被貯留。依此方式，顯影液在顯影製程中循環並重複使用。另外，也有透過使小型玻璃基板的顯影室內充滿氮氣等，而施以不吸收空氣中的二氧化碳之處理的情況。此外，劣化的顯影液則透過使廢液泵71作動而以廢液處理(排放：(drain))。
就循環攪拌機構C進行說明。循環攪拌機構C主要係用於將貯留於顯影液貯留槽61內的顯影液加以循環攪拌。
顯影液貯留槽61的底部與顯影液貯留槽61的側部，係藉由中途設有循環泵74和過濾器75的循環管路85連接。一旦使循環泵74作動，貯留於顯影液貯留槽61的顯影液則經由循環管路85循環。顯影液經由循環管路85從顯影液貯留槽61的側部返回顯影液貯留槽61，並攪拌所貯留的顯影液。
又，當補充液經由合流管路84流入循環管路 85時，此流入的補充液會一邊與在循環管路85內循環的顯影液混合，一邊被供給至顯影液貯留槽61內。
其次，就本實施形態的顯影液管理裝置D進行說明。本實施形態的顯影液管理裝置D乃係如下方式的顯影液管理裝置：利用就以呈鹼性的顯影液之溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的每個濃度區域具有已預先確認會成為預定顯影性能之顯影液的導電率值之導電率數據(data)，以藉由顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值所特定之濃度區域的導電率作為控制目標值，對顯影液補給補充液以使顯影液的導電率成為控制目標值。
顯影液管理裝置D具備有測定部1和控制手段21。顯影液管理裝置D係藉由取樣配管15及出口側配管16而與顯影液貯留槽61連接。
測定部1具備有：取樣泵14、導電率計11、用於測定溶解光阻劑濃度的第1濃度測定手段12、及用於測定吸收二氧化碳濃度的第2濃度測定手段13。導電率計11、第1濃度測定手段12及第2濃度測定手段13係以串列方式連接於取樣泵14的後段。為了提高測定精度，測定部1係以復具備有使所取樣的顯影液穩定在預定溫度之溫度調節手段(未圖示)較佳。此時，溫度調節手段係以設在測定手段前較佳。取樣配管15係連接於顯影液管理裝置D之測定部1的取樣泵14，出口側配管16係與測定手段末端的配管連接。
又，圖1中雖係圖示導電率計11、第1濃度 測定手段12及第2濃度測定手段13以串列方式連接的態樣，但導電率計11、第1濃度測定手段12及第2濃度測定手段13的連接並未限定於此。亦可為以並列方式連接，亦可分別獨立地具備輸送路徑來進行測定。關於導電率計11、第1濃度測定手段12及第2濃度測定手段13的順序，不特別問其先後。只要配合各測定手段的特徵適當以最佳順序來進行測定即可。
控制手段21具備有數據記憶部23和控制部31。在數據記憶部23中，儲存了導電率數據，該導電率數據係就以呈現鹼性之顯影液的溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度作為指標而特定的每個濃度區域。具有已預先確認會成為預定的顯影性能之所使用的顯影液之導電率值。
控制手段21係藉信號線而與測定部1的導電率計11、第1濃度測定手段12、及第2濃度測定手段13連接。以測定部1測定的導電率值、溶解光阻劑濃度值、及吸收二氧化碳濃度值係朝控制手段21傳送。
控制手段21的控制部31係藉信號線而與設置在將補充液輸送到顯影液的管路之控制閥41~43連接。圖1中，控制閥41~43係以顯影液管理裝置D的內部零件的形式被顯示，但控制閥41~43並不是本實施形態之顯影液管理裝置D的必要零件。控制部31係控制控制閥41~43的作動，以可補給補充液至顯影液的方式與控制閥41~43聯絡即可。控制閥41~43亦可存在於顯影液管理裝置D外。
實施形態的顯影液管理裝置D進一步具備有顯示手段22。顯示手段22係可顯示顯影液的導電率值、鹼成分濃度值；溶解光阻劑濃度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少導電率值及鹼成分濃度值中的任一者。
顯示手段22亦可為與顯影液管理裝置D電性連接之顯示監視器，亦可為組裝於顯影液管理裝置D的觸控面板型電腦。在觸控面板型電腦的情況，控制手段與顯示手段(控制部及數據記憶部)係一體構成。
接著，就本實施形態的顯影液管理裝置D的動作進行說明。
取樣自顯影液貯留槽61的顯影液係輸送到測定部1內，施以溫度調節。然後，顯影液被輸送到導電率計11、第1濃度測定手段12及第2濃度測定手段13，以測定導電率、溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度。各測定數據被傳送到控制手段21。
控制部31中設定有導電率的管理值，該導電率的管理值係與以顯影液的溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的每個濃度區域具有已預先確認會成為預定的顯影性能之顯影液的導電率值對應。控制部31係藉由接收自測定部1的測定數據，依以下的方式執行控制。
控制部31係根據接受自測定部1的溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度，求取記憶於數據記憶部23的導電率數據中之藉由所測定的溶解光阻劑濃度及所測定的吸收二氧化碳濃度而特定的濃度區域之導電率值。 並且，將所求出的導電率值設定作為顯影液導電率的控制目標值。
控制部31係將自測定部1接收之測得的導電率、與設定作為控制目標值的導電率加以比較，並按照比較結果進行如下的管理。亦即，當設定為控制目標值的導電率與所測得的導電率相同時，基本上不對顯影液添加補充液。再者，設定作為控制目標值的導電率大於所測定的導電率時，只要補給產生使導電率提高之作用的補充液至顯影液即可。此外，設定作為控制目標值的導電率小於所測定的導電率時，只要補給產生使導電率下降之作用的補充液至顯影液即可。
此處，就補給至顯影液的補充液而言，例如有顯影液之原液或新液、純水等。
補充液係貯留在補充液貯留部B的補充液貯留槽91、92。補充液貯留槽91、92係連接有具備閥46、47的氮氣用管路86，受到經由該管路所供給的氮氣加壓。又，補充液貯留槽91、92分別連接有補充液用管路81、82，並經由通常呈開啟狀態的閥44、45被輸送補充液。補充液用管路81、82及純水用管路83裝設有控制閥41~43，控制閥41~43係藉控制部31施行開閉控制。藉由控制閥動作，壓送貯留於補充液貯留槽91、92的補充液，並輸送純水。然後，補充液係經由合流管路84而與循環攪拌機構C合流，補給到顯影液貯留槽61進行攪拌。
當因補給使得貯留於補充液貯留槽91、92內的補充液減少，其內壓便會下降，導致供給量變得不 穩定，故會因應補充液的減少適當地開啟閥46、47來供給氮氣，以使補充液貯留槽91、92的內壓得以保持的方式來加以維持。當補充液貯留槽91、92空了的時候，將閥44、45關閉，且和充滿補充液之新的補充液貯留槽交換、或將另外準備的補充液再填充到空掉的補充液貯留槽。
控制閥41~43的控制係以例如下述方式進行。只要控制閥打開時流通的流量有受到調整，則藉由管理打開控制閥的時間，即可補給應補給之液量的補充液。控制部31係根據從測定部1所接收到的所測得的導電率與設定為控制目標值的導電率，對控制閥發出使控制閥打開預定時間的控制信號，以使應補給的液量的補充液流動。
控制的方式係可採用使控制量符合目標值的控制所能使用的各種控制方法。特別是以比例控制(P控制)(Proportional Control)、積分控制(I控制)(Integral Control)、微分控制(D控制)(Differential Control)、及組合這些的控制(PI控制等)(Proportional-Integral Control)較佳。PID控制(Proportional-Integral-Differential Control)很適合，為更佳。
如以上所述，根據本實施形態的顯影液管理裝置D，因不論顯影液會成為何種溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度，都可藉由以顯影液中之導電率來管理顯影液，來維持對顯影作用具有活性的成分，故可維持期望的顯影性能，能夠實現可維持基板上之配線圖案之 所期望的線寬及殘膜厚度的顯影處理。
此外，依據本實施形態之顯影液管理裝置D，係使用預先確認過顯影性能的顯影液之導電率值之導電率數據作為控制目標管理值，藉此即使顯影液之溶解光阻劑濃度為0.0至0.40(wt%)(相當於0.0至1.3(abs))，且吸收二氧化碳濃度為0.0至1.3(wt%)，仍可作為具有所期望之顯影活性的顯影液來使用。亦即，依據本實施形態之顯影液管理裝置D，即使顯影液之溶解光阻劑濃度為0.25(wt%)以上(相當於0.8(abs))，且吸收二氧化碳濃度為0.6(wt%)以上，顯影液也可使用而不需以廢液處理，顯影液的廢液量可減少。
以上，說明了使用顯影液的導電率、吸收二氧化碳濃度、及溶解光阻劑濃度與導電率數據的例子。但並不以此為限，可使用與顯影液的鹼成分濃度、吸收二氧化碳濃度和溶解光阻劑濃度具有相關性的吸光度、以及鹼成分濃度數據，來管理顯影液。於此情況，顯示手段22係顯示與鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度具有相關性的吸光度值、及吸收二氧化碳濃度值中之至少鹼成分濃度值。
〔第二實施形態〕
圖2係用以說明本實施形態的顯影液管理裝置D之顯影製程的示意圖。本發明的顯影液管理裝置D係連同顯影製程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構C等一起圖示。此外，有在與第一實施形態的構成同樣之構成附上相同符號以省略說明之情況。
顯影液管理裝置D的測定部1具備有：導電率計11；及複數個測定裝置，係測定與顯影液的溶解光阻劑濃度有相關之顯影液的特性值及與顯影液的吸收二氧化碳濃度有相關之顯影液的特性值。例如，作為測定與溶解光阻劑濃度有相關之顯影液的特性值之第1特性值測定手段12A，例如具備有測定λ=560nm中的吸光度之吸光光度計。作為測定與吸收二氧化碳濃度有相關之顯影液的特性值之第2特性值測定手段13A，係具備有測定顯影液的密度之密度計。
此處，所謂的「有相關」之顯影液的特性值係指：該特性值與該成分濃度有關，特性值會因應其成分濃度的變化而改變的關係。例如，顯影液的成分濃度中至少與成分濃度A有相關之顯影液的特性值a係指：當藉由以成分濃度為變數的函數來求取特性值a時，其中一變數至少要包含成分濃度A。特性值a可僅為成分濃度A的函數，但通常除了成分濃度A之外，還形成為以成分濃度B或C等為變數的多變數函數時，使用多變量分析法(例如，多元回歸分析法)的意義較大。
控制手段21具備有：數據記憶部23、控制部31及運算部32。運算部32係從藉測定部1所測得的顯影液的複數個特性值，藉由多變量分析，算出顯影液之溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值。
本實施形態中，自顯影液貯留槽61取樣的顯影液被輸送到測定部1內，進行溫度調節。顯影液之後 會被輸送到導電率計11、第1特性值測定手段12A及第2特性值測定手段13A，來測定導電率、吸光度及密度。各測定數據被傳送到控制手段21。
運算部32係從藉測定部1所測得的吸光度、及密度，藉由多變量分析，算出顯影液之溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值。此時，從導電率、吸光度及密度，藉由多變量分析，也可算出溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值。
控制部31係根據藉運算部32所算出之溶解光阻劑濃度和吸收二氧化碳濃度，求取數據記憶部23所記憶的導電率數據中之藉由所測得的溶解光阻劑濃度及所測得的吸收二氧化碳濃度而特定之濃度區域的導電率值。將所求得的導電率值設定作為顯影液導電率的控制目標值。
由於其他的構成、動作等係與第一實施形態同樣，故加以省略。
其次，針對從顯影液的複數個特性值，藉由多變量分析算出溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度之手法進行說明。
本案發明人發現只要運算手法是使用多變量分析法(例如，多元回歸分析法)，便可比使用習知方法的情況更高精確度地算出顯影液各成分的濃度，以及能夠測定以往難以測定的吸收二氧化碳濃度。只要使用藉由多變量分析法(例如，多元回歸分析法)所算出的顯影液的成分濃度(溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度)， 便可從具有已預先確認過顯影性之溶解光阻劑濃度、及吸收二氧化碳濃度與導電率值的導電率數據，容易地獲得目標的導電率值。
本案發明人設想一進行2.38%TMAH水溶液的管理的情況，調製出使鹼成分濃度、溶解光阻劑濃度、吸收二氧化碳濃度有多種變化而得的TMAH水溶液作為模擬顯影液試樣。本案發明人進行如下的實驗：從針對這些模擬顯影液試樣所測得的各種特性值，藉由多元回歸分析法求取其成分濃度。以下，先說明採用多元回歸分析法之一般的運算手法，然後再說明根據發明人所進行的實驗，使用多元回歸分析法之顯影液成分濃度的運算手法。
多元回歸分析係由校正與預測等二階段組成。n成分系的多元回歸分析中，係假設準備m個校正標準溶液。將存在於第i個溶液中之第j個成分的濃度表示為Cij。此處，i=1至m，j=1至n。針對m個標準溶液，分別測定p個特性值(例如，某波長的吸光度或導電率等的特性值)Aik(k=1至p)。濃度數據與特性數據可分別彙整表示成矩陣的形式(C,A)。
將賦予該等矩陣關聯的矩陣係稱為校正矩陣，此處係以記號S(Skj；k=1至p，j=1至n)表示。
C=A．S
藉由矩陣運算從已知的C與A(A的內容係即使非純為同質的測定值而混有異質的測定值亦無妨。例如，導電率與吸光度與密度。)算出S的情況係為校正階段。此時，必須為p≧n，且m≧np。因S的各要素皆為未知數，故以m>np較佳，在此情況中，係以下述方式進行最小平方運算。
此處，上標的T意指轉置矩陣，上標的-1則為逆矩陣。
針對未知濃度的試料液測定p個特性值，若設這些特性值為Au(Auk；k=1至p)，對這些特性值乘以S即可獲得應求取的濃度Cu(Cuj；j=1至n)。
Cu=Au．S
這是預測階段。
發明人係進行了如下的實驗：將已使用的鹼性顯影液(2.38%TMAH水溶液)視為由鹼成分、溶解光阻劑、吸收二氧化碳等3成分所組成的多成分系(n=3)，從作為該顯影液的特性值之三個特性值(p=3)、亦即從顯影液的導電率值、特定波長的吸光度值及密度值，藉由上述多元回歸分析法算出各成分濃度。發明人係以2.38%TMAH水溶液作為顯影液的基本組成，調製出使鹼 成分濃度(TMAH濃度)、溶解光阻劑濃度、吸收二氧化碳濃度有多種變化的11個校正標準溶液(m=11，滿足p≧n且m>np)。
實驗係針對11個校正標準溶液，測定導電率值、波長λ=560nm的吸光度值、及密度值作為顯影液的特性值，藉由線形多元回歸分析(Multiple Linear Regression-Inverse Least Squares；MLR-ILS)運算各成分濃度。
關於測定的方式，係將校正標準溶液的溫度調整至25.0℃，再進行。溫度調整方式如下：先將裝入有校正標準溶液的瓶子(bottle)長時間浸漬於溫度管理在25℃附近的恆溫水槽，由此取樣，在即將進行測定之前利用溫度控制器再度設為25.0℃。導電率計係採用本公司製的導電率計。使用施行過鉑黑處理之本公司製的導電率流通槽來進行測定。於導電率計輸入另外藉校正作業確認過之導電率流通槽的槽常數(cell constant)。吸光光度計亦採用本公司製的吸光光度計。吸光光度計係具備波長λ=560nm的光源部和測光部和玻璃流通槽(glass flow cell)。密度測定係使用密度計，該密度計係採用從將U字管流通槽激勵而測定之固有振動頻率求取密度之固有振動法。所測得的導電率值、吸光度值、密度值的單位分別為mS/cm、Abs.(Absorbance)、g/cm3。
關於運算所採用的手法(留一交叉驗證法；Leave-One-Out法)，係選擇11個校正標準溶液當中的一個作為未知試料，以其餘10個標準求取校正矩陣，算出 所假定之未知試料的濃度，再與既知的值(藉由其他的正確分析手法所測得的濃度值和重量調製值)進行比較。
將進行了MLR-ILS計算之結果顯示於表1。
有鑑於TMAH水溶液為強鹼性，容易因吸收二氧化碳而劣化，在進行MLR-ILS計算時，使用於運算的濃度矩陣，係使用另以能夠正確地分析鹼成分濃度和吸收二氧化碳濃度的滴定分析法測定校正標準溶液而得的值。惟，關於溶解光阻劑濃度，係採用重量調製值。
關於滴定方式，係以鹽酸作為滴定試藥的中和滴定。滴定裝置係使用三菱化學Analytech公司製的自動滴定裝置GT-200。
以下，將濃度矩陣顯示於表2。
將此時之校正標準溶液的特性值的測定結果顯示於表3。吸光度的欄為波長λ=560nm之吸光度值(光路長d=10mm)。
將校正矩陣顯示於表4。
表5係顯示表2的濃度測定值與表1的MLR-ILS計算值之比較。
如表5所示，藉由多元回歸分析法所求得的TMAH濃度、溶解光阻劑濃度、吸收二氧化碳濃度皆成為與藉由滴定分析所測定之TMAH濃度、吸收二氧化碳濃度、及從調製重量所求得的溶解光阻劑濃度相當近似的值。
如此，理解到藉由測定鹼性顯影液的導電率、特定波長的吸光度及密度，並使用多變量分析法(例 如，多元回歸分析法)，便可測定顯影液的鹼成分濃度、溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度。
多變量分析法(例如，多元回歸分析法)在運算並求出複數種成分的濃度有很好的效果。測定顯影液的複數個特性值a、b、c、...，可從該等測定值藉由多變量分析法(例如，多元回歸分析法)求取成分濃度A、B、C、...。此時，針對所要求取的成分濃度，至少與該成分濃度有關的特性值係必須有至少一個經測定並使用在運算。
再者，成分濃度係表示該成分相對於整體的相對量之程度。像重複使用的顯影液這種成分會隨時間而增減的混合液的成分濃度，無法由其成分單獨決定，通常係成為其他成分之濃度的函數。因此，顯影液之特性值和成分濃度的關係，常常難以以平面圖表(graph)表示。在這種情況下，以使用校準曲線的運算法等，並無法從顯影液的特性值算出成分濃度。
然而，若利用多變量分析法(例如，多元回歸分析法)，則只要收集到一組與欲算出的成分濃度有關的複數個特性值的測定值，將該些測定值使用於運算，便可算出一組成分濃度。即使是以習知見解中乍看之下難以測定的成分濃度，以多變量分析法(例如，多元回歸分析法)進行的成分濃度測定，亦能夠獲得藉由測定特性值可測定成分濃度之顯著效果。
如以上所述，根據本發明的運算手法，可根據顯影液的特性值(例如，導電率、特定波長的吸光度、 及密度)的測定值來算出顯影液的鹼成分濃度、溶解光阻劑濃度、及吸收二氧化碳濃度。根據本發明的運算手法，相較於習知法，能夠更高精確度地計算出各成分濃度。
此外，因本發明中使用了多變量分析法(例如，多元回歸分析法)，所以也可在算出顯影液之成分濃度的運算中，採用與顯影液的特定成分濃度無線性關係的顯影液特性值。
又，若根據本發明，即可不需專利文獻2的發明中所必要之用於實現高精度測定用之非常多的試樣的準備與預備測定。(如同前述的實驗例，若為成分數n=3的顯影液，則令進行測定之特性值的個數p=3，準備滿足m≧np的試樣數p(例如p=11個試樣)來進行測定即足夠。若為成分數n=2，則試樣數可更少。)
此外，本發明係使用多變量分析法(例如，多元回歸分析法)，所以能高精確度地算出習知難以測定之顯影液的吸收二氧化碳濃度。
本實施形態中，就與顯影液的溶解光阻劑濃度有相關之顯影液的特性值而言，係例示λ=560nm的吸光度，但不以此為限。亦可利用其他特定波長之吸光度作為特性值，亦即利用可視區域的特定波長的吸光度、更佳為360~600nm波長區域的特定波長的吸光度、更佳為波長λ=480nm的吸光度作為特性值。此乃因這些波長區域所含的特定波長的吸光度係與溶解阻劑濃度存在比較良好的對應關係之故。
又，就與顯影液的吸收二氧化碳濃度有相關 之顯影液的特性值而言，雖例示有密度，但不限定於此。就與顯影液的溶解光阻劑濃度和吸收二氧化碳濃度有相關之顯影液的特性值而言，配合顯影液的導電率而進行測定的特性值所能夠採用的特性值係例如除了前述特定波長之吸光度和密度之外，還可舉出超音波傳播速度、折射率、滴定終點、pH等。
〔第三實施形態〕
圖3係用以說明本實施形態的顯影液管理裝置D之顯影製程的示意圖。將本發明的顯影液管理裝置D連同顯影製程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構C等一起圖示。此外，有在與第一實施形態及第二實施形態的構成同樣的構成附上相同符號以省略說明之情況。
本實施形態的顯影液管理裝置D具備有測定部1、控制手段21、及運算手段36。不同於第二實施形態，本實施形態中，控制手段21與進行運算的運算手段36係以分開設置的裝置構成。
測定部1具備有導電率計11、第1特性值測定手段12A及第2特性值測定手段13A。運算手段36係從藉由第1特性值測定手段12A及第2特性值測定手段13A所測得的吸光度及密度，藉由多變量分析算出顯影液之溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度之測定值。此時，可從導電率、吸光度及密度，藉由多變量分析算出溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度。
控制部31係根據以運算手段所算出之溶解 光阻劑濃度與吸收二氧化碳濃度，求取記憶在數據記憶部23的導電率數據中之藉由所測得的溶解光阻劑濃度及所測得的吸收二氧化碳濃度而特定的濃度區域之導電率值。將所求得的導電率值設定為顯影液導電率的控制目標值。
其他的構成、動作等係與第二實施形態同樣，故加以省略。
〔第四實施形態〕
圖4係用以說明本實施形態的顯影液管理裝置D之顯影製程的示意圖。本發明的顯影液管理裝置D係連同顯影製程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構C等一起圖示。此外，有在與第一實施形態、第二實施形態及第三實施形態的構成同樣的構成附上同一符號以省略說明之情況。
本實施形態的測定部1具備導電率計11、第1濃度測定手段12及密度計13B。控制手段21具備數據記憶部23和運算部33。運算部33係依據顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度之間的對應關係，從藉由密度計13B所測得的顯影液的密度，算出顯影液的吸收二氧化碳濃度。
控制部31係依據藉測定部1所測得的溶解光阻劑濃度和藉運算部33所算出的吸收二氧化碳濃度，求出數據記憶部23所記憶的導電率數據之中藉由所測得的溶解光阻劑濃度及所測得的吸收二氧化碳濃度而特定之濃度區域的導電率值。將所求出的導電率值設定作為 顯影液導電率的控制目標值。
由於其他的構成、動作等係與第一實施形態同樣，故加以省略。
針對顯影液的密度值與吸收二氧化碳濃度值的關係進行說明。發明人持續致力研究的結果，獲得如下的見解。亦即，無關乎顯影液的鹼成分濃度和溶解光阻劑濃度，顯影液的密度值與吸收二氧化碳濃度值之間可獲得較良好的對應關係(線性關係)。此外，只要使用此對應關係(線性關係)，便能夠藉由以密度計測定顯影液的密度，而測定過往難以測定之吸收二氧化碳濃度。
發明人進行了如下的實驗：係以採用了多變量分析法之顯影液的成分濃度的運算所使用之11個校正標準溶液作為模擬顯影液試樣，針對該些試樣測定鹼成分濃度(TMAH濃度)、溶解光阻劑濃度、吸收二氧化碳濃度及密度，確認成分濃度與密度的相關性。
下表6係顯示各試樣的成分濃度與密度的測定結果。表6乃係表5的濃度測定值(wt%)與表3的密度(g/cm3)之對照表。
圖5係顯示表6所示之各試樣的吸收二氧化碳濃度與密度之圖表(graph)。此圖表係以吸收二氧化碳濃度(wt%)為橫軸，以密度(g/cm3)為縱軸，描繪(plot)出各試樣的值而成之圖表。從所描繪的各點，利用最小平方法求出迴歸線(regression line)。
從圖5可理解到儘管顯影液的鹼成分濃度、溶解光阻劑濃度有各種不同變化，吸收二氧化碳濃度與顯影液的密度之間仍有良好的線性關係。本發明人依據此實驗結果而發現到：只要使用此顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度之間的對應關係(線性關係)，便能夠藉由測定顯影液的密度，來算出顯影液的吸收二氧化碳濃度。
因此，可無關乎鹼成分濃度(TMAH濃度)、溶解阻劑濃度，藉由利用此對應關係(線性關係)，使用密度計即可測定顯影液的吸收二氧化碳濃度。
在運算部33中，利用顯影液的密度與吸收二氧化碳濃度的關係，便可容易地測定顯影液的吸收二氧化碳濃度。
〔第五實施形態〕
圖6係用以說明本實施形態的顯影液管理裝置D之顯影製程的示意圖。本發明的顯影液管理裝置D係連同顯影製程設備A、補充液貯留部B、循環攪拌機構C等一起圖示。此外，有在與第一實施形態及第二實施形態的構成同樣的構成附上相同符號以省略說明之情況。
本實施形態的顯影液管理裝置D具備有測定部1、控制手段21及運算手段37。本實施形態中，與第四實施形態不同，控制手段21與進行運算的運算手段37係以分開設置的裝置構成。本實施形態的測定部1具備導電率計11、第1濃度測定手段12及密度計13B。運算手段37係根據顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度之間的對應關係，從藉由密度計13B所測得的顯影液的密度，算出顯影液的吸收二氧化碳濃度。
控制部31係依據以測定部1所測得的溶解光阻劑濃度和以運算手段37所算出的吸收二氧化碳濃度，求出數據記憶部23所記憶的導電率數據中之藉由所測得的溶解光阻劑濃度及所測得的吸收二氧化碳濃度而特定之濃度區域的導電率值。將所求得的導電率值設定作為顯影液導電率的控制目標值。
其他的構成、動作等係與第四實施形態同樣，故加以省略。
如以上所述，根據本實施形態的顯影液管理裝置D，因不論顯影液會變成了怎樣的溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度，顯影液中對顯影作用具活性的成分仍可維持一定，所以能夠維持所期望的顯影性能，能夠實現可維持基板上之配線圖案的所期望之線寬及殘膜厚度的顯影處理。
其次，針對本實施形態的顯影液管理裝置D的變形例進行說明。
雖然在圖1~4、6中係描繪顯影液管理裝置D的測定部1與控制手段21和運算手段36、37一體構成的顯影液管理裝置D，但本實施形態的顯影液管理裝置D不限定於此。亦可將測定部1分開構成。
在測定部1中，具有因應於各自採用的測定原理之最佳設置方法，所以亦可設置成例如將測定部1以線內(inline)的方式連接於顯影液管路80、或將測定探針(measuring probe)浸漬於顯影液貯留槽61。導電率計11、第1濃度測定手段12、第1特性值測定手段12A、第2濃度測定手段13、第2特性值測定手段13A及密度計13B的各測定手段亦可個別地設置。本實施形態的顯影液管理裝置D只要構成為以使各測定手段可與控制手段21和運算手段36、37進行測定數據的收送之方式相互聯絡的態樣便能夠實現。
配合各測定手段所採用的測定原理，若需要進行試藥的添加，則各測定手段亦可具備供添加試藥用的配管，若一定會有廢液，各測定手段亦可具備供廢液 用的管路。即便各測定手段沒有以串列連接時，本實施形態的顯影液管理裝置D仍可實現。
雖然圖1~4、6中係描繪出以使設置在輸送補給至顯影液的補充液之管路的控制閥41~43成為顯影液管理裝置D的內部零件之方式，顯影液管理裝置D與補充液用管路81、82及純水用管路83連接之態樣，但本實施形態的顯影液管理裝置D並不限定於此。顯影液管理裝置亦可不以內部零件的形式具備控制閥41~43，亦可不與用於補給補充液至顯影液的管路81~83連接。
本實施形態的顯影液管理裝置D的控制手段21、與設置於用於補給補充液的管路之控制閥41~43只要構成為以使控制閥41~43接收到由顯影液管理裝置D的控制手段21所發出的控制信號而受到控制之方式可相互聯絡的態樣即可。即便控制閥不構成為顯影液管理裝置D的內部零件，本實施形態的顯影液管理裝置D仍可實現。
〔第六實施形態〕
圖7係用以說明本實施形態的顯影液管理裝置D的示意圖。本實施形態的顯影液管理裝置D係具有與第一實施形態同樣的構成。此外，有在與第一實施形態至第五實施形態的構成相同的構成係附上相同符號並省略說明的情況。
第六實施形態的顯示手段22係如圖7所示，可將顯影液的導電率值、鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃 度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少導電率值及鹼成分濃度值中的任一者，以測定時刻或自測定開始起的經過時間作為指標進行圖表顯示。
又，本實施形態中，顯示手段22係可藉由設定於顯示手段22的畫面上之作為顯示切換手段的切換鈕BT，來進行特性值及成分濃度的圖表顯示之切換。
在第一實施形態至第五實施形態中，也可適用第六實施形態的顯示手段22。本發明的顯影液管理裝置不論上述的各種變形例是否被容許，皆具備導電率數據，該導電率數係按以顯影液之溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的每個濃度區域具有已預先確認能成為預定顯影性能之前述顯影液的導電率值；並且，以藉由顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定之濃度區域的導電率數據的導電率值作為控制目標值，以顯影液的導電率成為前述控制目標值的方式輸送補給至前述顯影液的補充液。
如上所述，根據本發明的顯影液管理方法及顯影液管理裝置，不論顯影液成為了怎樣的溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度，顯影液中對顯影作用具有活性的成分都可維持一定，所以能夠維持所期望的顯影性能，而能夠實現可維持基板上之配線圖案之所期望的線寬及殘膜厚度的顯影處理。
以顯影液管理裝置的較佳態樣而言，由於係藉由多變量分析法算出溶解光阻劑濃度、吸收二氧化碳濃度，故可以良好精確度求取溶解光阻劑濃度、吸收二 氧化碳濃度。可根據這些溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度，從導電率數據求取作為目標的導電率值。
再者，以顯影液管理裝置的較佳態樣而言，係依據顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度之間的對應關係，從藉由密度計所測得的顯影液的密度算出顯影液的吸收二氧化碳濃度。藉此，可更簡單地求取顯影液的吸收二氧化碳濃度。可根據此吸收二氧化碳濃度及另外求取的溶解光阻劑濃度，從導電率數據求取作為目標的導電率值。

Claims (11)

  1. 一種顯影液管理裝置，具備控制手段及顯示手段，該控制手段具備：數據記憶部，係儲存有導電率數據，該導電率數據係按以重複使用之呈鹼性的顯影液之溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的每個濃度區域，具有已預先確認會成為預定的顯影性能之前述顯影液的導電率值；及控制部，以藉由前述顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定的濃度區域之儲存於前述數據記憶部之前述導電率值作為控制目標值，以使前述顯影液的導電率會成為前述控制目標值的方式對設置在輸送補給至前述顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示手段係顯示從前述顯影液所獲得之導電率值、鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少導電率值及鹼成分濃度值的任一者。
  2. 如請求項1之顯影液管理裝置，其中進一步具備對由前述顯示手段所顯示的顯示對象進行切換之顯示切換手段。
  3. 一種顯影液管理裝置，具備控制手段及顯示手段，該控制手段具備：數據記憶部，係儲存有導電率數據，該導電率數據係按以重複使用之呈鹼性的顯影液之溶解光阻劑濃度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定的每個濃度區域具有已經預先確認會成為預定的顯影性能的前述顯影液的導電率值；及控制部，以藉由 前述顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定的濃度區域之儲存於前述數據記憶部的前述導電率值作為控制目標值，以使前述顯影液的導電率會成為前述控制目標值的方式對設置在輸送補給至前述顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示手段係將從前述顯影液所獲得之導電率值、鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少導電率值及鹼成分濃度值的任一者，以測定時刻或自測定開始起的經過時間作為指標進行圖表顯示。
  4. 如請求項3之顯影液管理裝置，其進一步具備對由前述顯示手段所顯示的顯示對象進行切換之顯示切換手段。
  5. 如請求項1至4項中任一項之顯影液管理裝置，其進一步具備複數個測定裝置，該等測定裝置係測定包含與前述顯影液的溶解光阻劑濃度有相關之前述顯影液的特性值、以及與前述顯影液的吸收二氧化碳濃度有相關之前述顯影液的特性值之前述顯影液的複數個特性值；前述控制手段進一步具備運算部，其係從藉前述複數個測定裝置所測得的前述顯影液的複數個特性值，藉由多變量分析法，算出前述顯影液之溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值。
  6. 如請求項1至4項中任一項之顯影液管理裝置，其進 一步具備：複數個測定裝置，係測定包含與前述顯影液的溶解光阻劑濃度有相關之前述顯影液的特性值、以及與前述顯影液的吸收二氧化碳濃度有相關之前述顯影液的特性值之前述顯影液的複數個特性值；及運算手段，係從藉由前述複數個測定裝置所測得的前述顯影液的複數個特性值，使用多變量分析法，算出前述顯影液的溶解光阻劑濃度的測定值及吸收二氧化碳濃度的測定值。
  7. 如請求項1至4項中任一項之顯影液管理裝置，其具備密度計，前述控制手段進一步具備：運算部，其係根據前述顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度之間的對應關係，從藉由前述密度計所測得之前述顯影液的密度值，算出前述顯影液的吸收二氧化碳濃度值。
  8. 如請求項1至4項中任一項之顯影液管理裝置，其進一步具備：密度計；及運算手段，係根據前述顯影液的吸收二氧化碳濃度與密度之間的對應關係，從藉由前述密度計所測得的前述顯影液的密度值算出前述顯影液的吸收二氧化碳濃度值。
  9. 一種顯影液管理裝置，具備控制手段及顯示手段，該控制手段具備：數據記憶部，係儲存有鹼成分濃度數據，該鹼成分濃度數據係按以與重複使用之呈 鹼性的顯影液的溶解光阻劑濃度有相關的吸光度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定之每個濃度區域，具有已預先確認會成為預定的顯影性能之前述顯影液的鹼成分濃度值；及控制部，以藉由前述顯影液的吸光度及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定的濃度區域之儲存於前述數據記憶部的前述鹼成分濃度值作為控制目標值，以使前述顯影液的鹼成分濃度會成為前述控制目標值的方式對設置在輸送補給至前述顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示手段係顯示與從前述顯影液所獲得之鹼成分濃度值、溶解光阻劑濃度有相關之吸光度值及吸收二氧化碳濃度值中的至少前述鹼成分濃度值。
  10. 一種顯影液管理裝置，具備控制手段及顯示手段，該控制手段具備：數據記憶部，係儲存有鹼成分濃度數據，該鹼成分濃度數據係按以與重複使用之呈鹼性的顯影液的溶解光阻劑濃度有相關的吸光度及吸收二氧化碳濃度為指標而特定之每個濃度區域，具有已預先確認會成為預定的顯影性能之前述顯影液的鹼成分濃度值；及控制部，以藉由前述顯影液的吸光度及吸收二氧化碳濃度的測定值而特定的濃度區域之儲存於前述數據記憶部的前述鹼成分濃度值作為控制目標值，以使前述顯影液的鹼成分濃度會成為前述控制目標值的方式對設置在輸送補給至前述顯影液的補充液的管路之控制閥發出控制信號；該顯示手段係將與從前述顯影液所獲得之鹼成分 濃度值、溶解光阻劑濃度有相關之吸光度值及吸收二氧化碳濃度值中之至少前述鹼成分濃度值，以測定時刻或自測定開始的經過時間作為指標進行圖表顯示。
  11. 如請求項9或10之顯影液管理裝置，其進一步具備對由前述顯示手段所顯示的顯示對象進行切換之顯示切換手段。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018120897A (ja) * 2017-01-23 2018-08-02 株式会社平間理化研究所 現像液の濃度監視装置、及び現像液管理装置
KR102262358B1 (ko) * 2020-04-08 2021-06-08 주식회사 에이치에스테크놀로지 다중 농도 측정 장치 및 가스 공급 장치를 구비한 현상액 농도 관리 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5890708A (ja) * 1981-11-25 1983-05-30 Tdk Corp チョークコイル
JPS6228128A (ja) * 1985-07-31 1987-02-06 Shimano & Co Ltd 楕円ギヤの製造法
JPS62186265A (ja) * 1986-02-12 1987-08-14 Canon Inc 現像装置
JPH067910B2 (ja) * 1987-02-10 1994-02-02 日立プラント建設株式会社 現像原液の希釈装置
JP2561578B2 (ja) 1991-08-07 1996-12-11 株式会社平間理化研究所 現像液管理装置
JP3686822B2 (ja) * 2000-05-19 2005-08-24 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置および現像処理方法
JP2004271974A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版の現像液疲労度検出方法および現像液管理方法
JP4281439B2 (ja) * 2003-07-30 2009-06-17 三菱化学エンジニアリング株式会社 現像液の供給装置
JP4366490B2 (ja) * 2003-08-22 2009-11-18 長瀬産業株式会社 現像液供給方法及び装置
JP2005249818A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Nishimura Yasuji フォトレジスト用現像液管理方法、管理装置
JP4839820B2 (ja) * 2005-12-19 2011-12-21 三菱化学エンジニアリング株式会社 現像液の供給装置
CN101563654A (zh) * 2006-11-30 2009-10-21 三菱化学工程株式会社 显影液的浓度调节方法、调制装置和显影液
JP2011128455A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 Nagase & Co Ltd 炭酸系塩類濃度測定装置、アルカリ現像液管理システム、及び、炭酸系塩類濃度測定方法
KR20160010259A (ko) * 2014-07-17 2016-01-27 가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼 고체입자 회수 제거장치, 액체 관리장치 및 에칭액 관리장치

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