TW201818393A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示裝置，其利用半導體圖案在像素內形成多條導線，以減少像素驅動電路面積、增加像素開口率。半導體圖案可形成薄膜電晶體陣列的通道。發光顯示裝置包含排成矩陣形式的多個像素以及多條導線。這些導線提供用來驅動像素的訊號，每個像素包含一薄膜電晶體，薄膜電晶體包含一主動層和一閘極。主動層具有可設置成導體的第一區域和第二區域。第一、第二區域中的至少其中之一可直接連接其中一個對應的導線。

Description

有機發光顯示裝置
本發明係關於一種有機發光顯示裝置，特別是一種可利用薄膜電晶體陣列的半導體圖案作為導線，進而增加像素開口率的有機發光顯示裝置。
可將各種不同的資訊實現在螢幕上的影像顯示裝置為資訊通訊時代的核心技術，並且正朝著變更薄、更輕、更方便攜帶以及具有更高的效能的方向發展。作為回應，作為比陰極射線管(CRT)更薄、更輕的平板顯示裝置，例如控制有機發光層的出光量以顯示影像的一有機發光顯示裝置就是眾所矚目的焦點。
在一有機發光顯示裝置中，多個像素會被排列成一矩陣形式，以顯示影像。此時，每一個像素包含一發光元件和一像素驅動電路。像素驅動電路例如包含多個電晶體和多個儲存電容，以個別地驅動發光元件。
近來，由於各別像素所占的區域會隨著有機發光顯示裝置的解析度的改善而縮減，因此為了使像素區域縮減所導致每一個像素的開口率(aperture ratio)變小的情形降到最低，每一個像素驅動電路的區域也需要縮減。然而，當像素驅動電路的區域變小時，個別的導線、電晶體和儲存電容之間的距離會縮短，導致像素驅動電路的元件之間寄生電容的生成，進而造成多種訊號之間的耦合或造成這些導線彼此連接的短路現象。因而，像素驅動電路的區域可縮減的程度將受到限制。
尤其是在現有技術的有機發光顯示裝置中，每一個像素驅動電路的儲存電容和薄膜電晶體的個別電極會透過接觸孔連接至一遮蔽層(一基板上的下層)以及作為基板上的上層的多條金屬導線。這些金屬導線是製作在同一層，作為薄膜電晶體的源極和汲極。因此，由於現有技術的有機發光顯示裝置根據像素驅動電路的結構而需要預設數量或更多的接觸孔，並且為了防止上述的寄生電容和短路，每一個接觸孔的區域可以縮減的程度會受到限制，使得像素驅動電路的區域可縮減的程度必然會因這些接觸孔的存在而受到限制。
由於上述的問題，在高解析度的有機發光顯示裝置中，當像素驅動電路的區域縮減程度未與像素區域縮減的程度相稱時，每一個像素的開口率可能會下降，進而導致有機發光顯示裝置的亮度與發光效力下降。
相應地，本發明是針對一有機發光顯示裝置，其實質地消除現有技術的限制與缺陷所導致的一或多個問題。
本發明的其中一個目的在於提供一有機發光顯示裝置，其藉由在像素內利用可形成每一個薄膜電晶體陣列的通道的一半導體圖案製作導線的方式，可在減縮像素驅動電路的區域的同時，也增加像素的開口率。
本發明附加的優點、目的和特徵的一部分將在隨後的描述中被闡述，且其中一部分將在本領域具有通常知識者透過以下的檢視而變得顯而易見，或者可經由實踐本發明而得知。本發明的目的和其它優點可藉由在書面描述和其申請專利範圍以及附圖中具體指出的結構而得以實現和達成。
為了達到這些目的和其他優點，並且依據本發明目，如本文所實施、廣泛地描述的一有機發光顯示裝置包含多個像素和用以驅動像素的多條導線，其中每一個像素包含一薄膜電晶體，薄膜電晶體包含一主動層和一閘極，主動層具有可設置為導體的一第一區域和一第二區域。在此，薄膜電晶體的第一和第二區域中的至少其中一個區域直接連接至上述導線的其中一個對應的導線。
第一和第二區域中連接至導線的包含一電極部和一延伸部，電極部與薄膜電晶體的一通道區域一體成形，延伸部從電極部延伸至導線的上方，以便於直接連接導線。
應當理解的是，本發明中前述的一般性描述以及後續的詳細描述皆是作為示例性和解釋性說明，用意在於對請求保護的發明內容作進一步解釋。
以下將參照附圖，詳細說明本發明示範性的實施例。在整個說明書中，藉由相同的參考標號來表示相同或相似的元件，即使它們是在不同的附圖中所描繪的。在本發明的下列說明中，包含在其中的已知功能及配置的詳細說明在可能使本發明的主題模糊不清時將予以省略。並且，以下描述中所使用的術語是考慮根據本發明獲得的功能而定義的術語，並且可能與實際產品的部件的名稱不同。
就針對位置關係的描述來說，當元素被稱為例如在另一元件“上”、“上方”、“下方”和“旁邊”時，可以是直接位於在另一個元件上，或者也可以存在中間元件。
儘管使用諸如“第一”和“第二”的術語來描述各種組件，但是這些組件不受這些術語的限制。這些術語僅用於區分任何一個組件與另一個組件。因此，下述“第一組件”可以是本發明的技術精神中的“第二成分”。
在附圖中，示出的每個部件的厚度和尺寸是為了便於描述，而本發明不限於所示部件的尺寸和厚度。
以下，將參考附圖詳細地描述本發明的不同的實施例。
圖1為根據本發明一實施例所繪示用以解釋有機發光顯示裝置的像素結構的平面圖，以及圖2為用來解釋圖1的部分剖面I-I’的剖面圖圖2。此外，圖3為用來解釋圖1的部分II-II’的剖面圖。
有機發光顯示裝置包含被排列成一矩陣形式的多個像素SP1～SP4。像素SP1～SP4中的每一個像素包含具有一發光層的一發光區域A/A。此外，像素SP1～SP4包含個別的像素驅動電路以及包含多條導線，導線將訊號傳送至像素驅動電路。舉例來說，本發明一實施例的有機發光顯示裝置可不一定限於包含：一閘極線GL，用以供應一閘極訊號至個別的像素SP1～SP4；一資料線DL，用以供應一資料訊號至個別的像素SP1～SP4；一供電導線VDD，用以對像素驅動電路施加一電力電壓VDD；以及一參考導線RL，用以供應一參考電壓至個別的像素SP1～SP4，並感測個別的像素SP1～SP4內的電壓改變。
像素驅動電路包含多個薄膜電晶體。這裡的每一個薄膜電晶體包含一主動層200和一閘極，主動層200具有一通道區域以及可設置成導體的第一和第二區域。在此實施例中，為了方便，將第一區域定義為一源極區域，第二區域定義為一汲極區域。然而，第一區域和第二區域並不一定限於此；根據薄膜電晶體的結構，第一區域也可為汲極區域，第二區域也可為源極區域。
在至少其中一個薄膜電晶體中，第一區域和第二區域中的至少一個區域可直接連接至任何一個導線。換句話說，薄膜電晶體的主動層200可設置成導體，並且可使用作為電極及導線，以取代在第一區域和第二區域上形成源極和汲極，因此主動層200直接連接其餘導線的任一個。所述的其餘導線包含供電導線VDD、參考導線RL和一遮蔽層251。
下面將針對上述的特徵參考圖1~3所示的實施例作詳細的說明。圖1~3的實施例所示的有機發光顯示裝置的像素驅動電路具有一3TIC結構，其包含一開關電晶體220、一驅動電晶體210、一感測電晶體230和一儲存電容Cst，這些元件皆設置在一基板100上。然而，本發明的像素驅動電路並不必然限於上述的結構，根據像素驅動電路的設計，也可應用其他不同的結構。
開關電晶體220的閘極可構成閘極線GL的一部分，並且可與閘極線GL一同設置。開關電晶體220的一輸入電極222可連接至資料線DL，一輸出電極223可連接至儲存電容Cst的一中間電極252。這裡的輸入電極可藉由延伸自資料線DL的方式形成，輸出電極可藉由延伸自儲存電容Cst的中間電極的方式形成。然而，本發明的開關電晶體220並不必然限於上述的結構。
開關電晶體220包含一主動層221，主動層221配置成重疊於閘極。主動層的配置使得一通道區域會在重疊於閘極的區域內形成，以及使得第一和第二區域會在此通道區域的相對兩側形成，進而分別接觸輸入電極222和輸出電極223。
在一N型的電晶體中，第一區域222可為一源極區域，第二區域223可為一汲極區域。在一P型的電晶體中，第一區域222可為一汲極區域，第二區域223可為一源極區域。
參考圖2、3，驅動電晶體210包含一閘極211和一主動層200。更詳細地說明主動層200，有一通道區域216形成在閘極211下方，有一閘極絕緣層110位於閘極211和通道區域216之間。此外，設置成導體的一第一區域213和一第二區域218分別位於通道區域216的相對兩側。這裡的第二區域218可為從一供電導線VDD接收一驅動電壓的輸入區域，第一區域213可為輸出驅動電壓的輸出區域。
參考圖2，第二區域218延伸至供電導線VDD的上方。這裡的第二區域218包含一第一電極部212與一第一延伸部214，第一電極部212配置成導體且與通道區域216一體成形，第一延伸部214延伸自第一電極部212且與供電導線VDD接觸。這裡的第一延伸部214可同時接觸兩相鄰的像素SP的第一電極部212。藉此，第一延伸部214可將由供電導線VDD輸入的驅動電壓同時供應至兩相鄰的像素SP的第一電極部212。
一緩衝層261位於供電導線與第一延伸部214之間。緩衝層261具有防止濕氣或雜質透過基板100滲透的特徵。
部分的供電導線VDD暴露於一第四接觸孔704。第一延伸部214透過第四接觸孔704接觸供電導線VDD。
第一區域213可延伸自通道區域216，以便於與通道區域216一體成形。第一區域213內的主動層可作為儲存電容Cst的一下電極。
以下將說明儲存電容Cst的結構。上述的閘極絕緣層110是位於構成一下電極237的主動層200上，主動層200構成一下電極237。一界層絕緣層120是位於閘極絕緣層110上，以便於覆蓋閘極211。一中間電極252形成在中間電極252重疊於下電極237的區域內的界層絕緣層120上。一平坦化層130是位於界層絕緣層120上，以便於覆蓋中間電極252。一上電極253是位於平坦化層130上。如此一來，可在下電極237與中間電極252之間以及中間電極252與上電極253之間提供包含雙電容C1和C2的儲存電容Cst。在此情況下，利用與供電導線VDD相同的材料，例如金屬材料，使一遮蔽層251位於與供電導線VDD同一層的下電極237下方的基板110上。如上所述，緩衝層261位於供電導線VDD和遮蔽層251上。緩衝層261更包含一第一接觸孔701，第一接觸孔701暴露部分的遮蔽層251。下電極237透過第一接觸孔710連接遮蔽層251，使得下電極237和遮蔽層251會在兩者之間形成一等效電位。
遮蔽層251可防止光被引進一半導體層200內並可減少寄生電容在下電極237和資料線DL之間形成，因而減少資料線DL與驅動電晶體210的閘極211之間的耦合現象。遮蔽層251是透過緩衝層261的第一接觸孔直接連接主動層200，因此第一接觸孔701的區域會減少，進而導致像素的開口率額外的增加。
移除在對應下電極237的區域(亦即主動層200的第一區域213的邊界)內部分的界層絕緣層120和部分的閘極絕緣層110，以便於形成一第二接觸孔702，第二接觸孔702暴露出部分的第一區域213。形成一連接電極217，以便於透過第二接觸孔702接觸第一區域213。這裡的連接電極217可為驅動電晶體210的一輸出電極，例如源極，但連接電極217並不必然受限於此。利用與儲存電容Cst的中間電極252相同的材料，在與中間電極252同一層上形成連接電極217。平坦化層130形成在連接電極217和中間電極252上。移除部分的平坦化層130，以形成一第三接觸孔703，第三接觸孔703會暴露出連接電極217。上電極253透過第三接觸孔703連接至連接電極217。藉此，經由連接電極217而相互連接的上電極253和下電極237會在兩者之間形成一等效電位。
同時，請參考圖3，中間電極252透過一第六接觸孔706連接至驅動電晶體210的閘極211。藉此，中間電極252可連接至驅動電晶體210的閘極211以及開關電晶體220的輸出電極，因而在功用上作為使驅動電晶體210的閘極211、開關電晶體220的輸出電極和儲存電容Cst的中間電極相互連接的一節點。
這裡的主動層200或221可由矽、非晶矽、多晶矽或低溫多晶矽(LTPS)來形成。此外，在主動層200上或在沒有形成閘極線GL的區域上的閘極211可摻雜例如N型或P型的摻雜物，因而配置成導體。
此外，主動層200或211也可由半導體氧化物製成。半導體氧化物可例如由氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，InGaZnO)、氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide，InSnZnO)、氧化銦錫(indium zinc oxide，InZnO)和氧化錫鋅(tin zinc oxide，SnZnO)中選出。此外，主動層200或221可經由，例如利用閘極211和閘極線GL作為一遮罩(mask)來進行電漿處理，而配置成導體。
參考圖1和3，上電極253延伸至顯示區域A/A，以形成一像素電極301。此時，藉由驅動電晶體210的連接電極217與上電極253，由供電導線PL輸入的驅動電壓會被供應至像素電極301。換句話說，上電極253可作為可與儲存電容Cst、像素電極301和驅動電晶體210的第一區域213相互連接的一節點。
此時，在除了顯示區域A/A以外的其餘區域中提供一堤層140，顯示區域A/A是藉由堤層140定義。
堤層140可由有機絕緣材料製成，例如聚丙烯(poly acryl)或聚醯亞胺(polyimide)，但並不必然受限於此。
在堤層140和像素電極301上形成一有機層302。有機層302可包含在對應顯示區域A/A的區域內的一發光層，並可位於堤層140和顯示區域A/A的整個表面上。
這裡的有機層302可分割成一電子注入層(EIL)、一電子傳輸層(ETL)、一發光層、一電洞傳輸層(HTL)和一電洞注入層(HIL)。經來自負電極的電子與來自正電極的電洞在發光層中合流所產生的激子會回到基態(ground state)，從而發出特定波長範圍的光線。
有一第二電極303形成在有機層302上。也可在基板100的整個表面上形成第二電極303。
此時，當第一電極301為正電極時，第二電極303可為負電極。或者，當第二電極303為正電極時，第一電極301則可為負電極。
遮蔽層251和中間電極252可由選自銀(Ag)、鎳(Ni)、金(Au)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)和釹(Nd)的單一種金屬或其合金所製成，但並不必然受限於此。
此外，第一電極301和第二電極303可由透明導電材料所製成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)或氧化銦鎵鋅(IGZO)所製成，或者由可形成遮蔽層251和中間電極252的該些金屬中的單一種金屬或其合金所製成，但並不必然受限於此。
感測電晶體230包含一通道區域235、一第一區域238和一第二區域232。感測電晶體230的閘極可製作成部分的閘極線GL，第一區域可為一源極區域，第二區域可為汲極區域，但並不必然受限於此。
第一區域238包含一第二電極部233和一第二延伸部234。第二電極部233接觸感測電晶體203的通道區域235，以便於與通道區域235一體成形。第二延伸部234延伸自第二電極部233並接觸參考導線RL。參考導線RL可利用與遮蔽層251和供電導線VDD相同的材料，製作在與遮蔽層251和供電導線VDD同一層中，但並不必然受限於此。第二延伸部234透過製作在緩衝層261中的一第五接觸孔705直接連接參考導線RL。
第二區域232延伸自驅動電晶體的第一區域213，亦即儲存電容Cst的下電極237，以便於與下電極237一體成形。這裡的感測電晶體230的第一區域232作為一輸入電極，而感測電晶體230不包含一獨立的輸入電極。
遮蔽層251、供電導線VDD和參考導線RL以相同的金屬材料製成。此時，當這些元件的邊緣部是垂直地形成，位於其上方的主動層200有可能會被斷開。因此，為了防止主動層200斷開，遮蔽層251、供電導線VDD和參考導線RL的各個邊緣部的形狀可為錐狀，換句話說，這些元件可做成具有斜面。
如上所述，本發明的驅動電晶體220和感測電晶體230皆具有以下特徵：可省略輸入和輸出電極，亦即源極和汲極，中的至少其中一個，並且配置成導體的主動層200會接觸各自的導線。為此，配置成導體的主動層200會延伸成一線型，以接觸各自的導線並透過接觸孔連接各自的導線。
因此，本發明的有機發光顯示裝置可達到減少不同層的金屬之間產生寄生電容的可能的一簡化的像素結構，因為傳統上利用遮蔽層或源極/汲極的金屬所形成的導線是改利用主動層來形成。此外，當像素中的導線是利用如上所述的主動層來形成時，可大幅地減少為了使位於不同層的一些導線與主動層相互連接所需的接觸孔數量。因此，雖然傳統上即使縮減了每一個像素的區域，像素驅動電路的區域可縮減的程度仍因大量的接觸孔而受到限制，但本發明的像素驅動電路因著接觸孔數量的大幅減少而可製作得更密集。如此一來，本發明的像素驅動電路的區域縮減程度可與像素的區域縮減的幅度相稱，以確保像素能有高的開口率。
圖4為用來說明由圖1中用點構成的方形所指出部位的結構與現有技術之間差異的示意圖。
在現有技術中，利用與驅動電晶體210的汲極區域上的上電極253相同的材料，將汲極219製作在與上電極253相同的層中，延伸自汲極219的導線2191則透過一接觸孔連接至供電導線VDD的上方。
此外，中間電極252延伸至形成連接電極217的區域以及透過一接觸孔2192連接至連接電極217下方的遮蔽層251。上電極253延伸而形成感測電晶體230的汲極2321。同時，源極2311是位於感測電晶體的第一區域231上，亦即源極區域。
另一方面，根據本發明一實施例，由於沒有導線延伸自上電極252，並且主動層200會形成一線型，因此可省略驅動電晶體210的汲極219，也可省略感測電晶體230的源極2311和汲極2321。因而，不用製作形成源極和汲極所需要的接觸孔，並且只要在緩衝層261中製作一接觸孔701，即可使主動層200和遮蔽層251相互連接。相較於使源極和汲極的金屬與遮蔽層251相互連接的傳統接觸孔，在此示例中的接觸孔的區域大幅地縮減。
如上所述，依據本發明一實施例的有機發光顯示裝置可達到減少接觸孔數量以及大幅縮減一些接觸孔區域的目的，藉此確保額外的可用空間來縮減像素驅動電路的區域。也就是說，當像素驅動電路的區域縮減時，像素的顯示區域會增加，進而增加像素的開口率。
由上述說明可知，在本發明一實施例的一有機發光顯示裝置中，由於過去利用遮蔽層或源極和汲極的金屬材料製作的一些導線改利用一主動層來製作，因此可實現一簡化的像素結構，並且可降低在不同層的金屬之間產生寄生電容的可能性。
此外，當一像素中的導線是利用主動層來形成時，可大幅地減少為了使一些位於不同層的導線與主動層相互連接所需的接觸孔的數量。因此，雖然在傳統上即使縮減了每一個像素的區域，像素驅動電路的區域縮減程度仍因大量的接觸孔而受到限制，但是本發明的像素驅動電路卻因著大幅減少接觸孔數量而可被製作得更密集。如此一來，本發明的像素驅動電路的區域縮減程度可像素的區域縮減程度相稱或成正比，進而確保像素能有高的開口率。
雖然上面已經參考附圖詳細描述了本發明的實施例，但是對於本領域技術人員顯而易見的是，上述本發明不限於上述實施例，並且可以在本發明的精神和範圍內設計各種替代、修改和變更。因此，本發明公開的各種實施方式並不旨在限定本發明的技術精神，並且本發明的技術精神的範圍不受實施方式的限制。因此，所提供的公開實施例是為說明的目的，且不旨在限制本公開的技術範圍，並且本公開的技術範圍不限於這些實施例。本公開的範圍應根據以下權利要求來解釋，並且落入與權利要求相當的範圍內的所有技術構思應理解為屬於本公開的範圍。
100‧‧‧基板
110‧‧‧閘極絕緣層
120‧‧‧界層絕緣層
130‧‧‧平坦化層
140‧‧‧堤層
200、221‧‧‧主動層
210‧‧‧驅動電晶體
211‧‧‧閘極
212‧‧‧第一電極部
213、222、231、238‧‧‧第一區域
214‧‧‧第一延伸部
216‧‧‧通道區域
217‧‧‧連接電極
218、223、232‧‧‧第二區域
219‧‧‧汲極
220‧‧‧開關電晶體
230‧‧‧感測電晶體
233‧‧‧第二電極部
234‧‧‧第二延伸部
235‧‧‧通道區域
237‧‧‧下電極
251‧‧‧遮蔽層
252‧‧‧中間電極
253‧‧‧上電極
261‧‧‧緩衝層
301‧‧‧像素電極
302‧‧‧有機層
303‧‧‧第二電極
701‧‧‧第一接觸孔
702‧‧‧第二接觸孔
703‧‧‧第三接觸孔
704‧‧‧第四接觸孔
705‧‧‧第五接觸孔
706‧‧‧第六接觸孔
2191‧‧‧導線
2192‧‧‧接觸孔
2311‧‧‧源極
2321‧‧‧汲極
A/A‧‧‧顯示區域
C1、C2‧‧‧電容
DL‧‧‧資料線
GL‧‧‧閘極線
RL‧‧‧參考導線
VDD‧‧‧供電導線
SP1~SP4‧‧‧像素
所包括的附圖提供對本發明的進一步理解，並且被納入和構成了本申請的一部分，以圖解方式說明本發明的實施例，並搭配說明來解釋本發明的原理。 圖1為根據本發明一實施例所繪示用以解釋有機發光顯示裝置的像素結構的平面圖。 圖2為用來解釋圖1的部分剖面I-I’的剖面圖。 圖3為用來解釋圖1的部分剖面II-II’的剖面圖；以及 圖4為用來說明由圖1中用點構成的方形所指出部位的結構與現有技術之間差異的示意圖。

Claims (12)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含以一矩陣形式排列的多個像素以及用以供應訊號來驅動每一該像素的多條導線，其中每一該像素包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含一主動層及一閘極，該薄膜電晶體的該主動層具有配置成導體的一第一區域和一第二區域；以及其中該第一區域與該第二區域中的至少其中之一直接連接該些導線中對應的一導線。
  2. 如請求項1所述的裝置，其中該第一區域和該第二區域中直接連接該導線的包含一電極部和一延伸部，該電極部與該薄膜電晶體的一通道區域一體成形，該延伸部延伸自該電極部，以便於直接連接該導線。
  3. 如請求項1所述的裝置，其中每一該像素更包含一電容，其中該電容包含：一遮蔽層，位於一基板上；一下電極，重疊於該遮蔽層，並且有一緩衝層安插在該下電極與該遮蔽層之間，該下電極透過一第一接觸孔連接該遮蔽層，該下電極是由被配置為一導體的該主動層形成；一中間電極，重疊於該主動層，並且有一閘極絕緣層和一界層絕緣層安插在該中間電極與該主動層之間；以及一上電極，重疊於該中間電極，並且有一鈍化層安插在該上電極與該中間電極之間。
  4. 如請求項1所述的裝置，其中該些薄膜電晶體的其中一個為一驅動電晶體，其中該驅動電晶體更包含一連接電極，該連接電極透過一第二接觸孔接觸該第一區域並且透過一第三接觸孔連接一像素電極，該第二區域透過一第四接觸孔直接連接該些導線中的一供電導線，該供電導線供應一驅動電壓給該像素並以一垂直方向排列。
  5. 如請求項4所述的裝置，其中該驅動電晶體的該第二區域包含與該驅動電晶體的一通道區域一體成形的一第一電極部以及延伸自該第一電極部的一第一延伸部，以便於連接該供電導線。
  6. 如請求項5所述的裝置，其中該第一電極部延伸自該通道區域，並且連接另一相鄰的像素的該驅動電晶體的一第一電極部，該第一延伸部延伸自兩相鄰的像素的該些第一電極部彼此相接的地方，並且該第一延伸部連接該供電導線。
  7. 如請求項5所述的裝置，其中該些薄膜電晶體的其中一個為一感測電晶體；以及其中該感測電晶體的該第一區域透過一第五接觸孔直接連接該些導線中的一參考導線，該參考導線供應一參考電壓給該像素並感測在該像素內所充的電壓；以及其中該感測電晶體的該第二區域延伸自該驅動電晶體的該第一區域，並且與該第一區域一體成形。
  8. 如請求項7所述的裝置，其中該感測電晶體的該第一區域包含一第二電極部和一第二延伸部，該感測電晶體的該第一區域的該第二電極部接觸該感測電晶體的一通道區域，以便於與該通道區域一體成形地製作，該感測電晶體的該第一區域的該第二延伸部延伸自該些第二電極部，以便於透過該第五接觸孔連接至以一垂直方向排列的該參考導線。
  9. 如請求項8所述的裝置，其中該第二電極部接觸一相鄰的像素內提供的該感測電晶體的該第二電極部；以及其中該第二延伸部延伸自兩相鄰的感測電晶體的該些第二電極部的相接處，並且該第二延伸部直接透過該第五接觸孔連接該參考導線。
  10. 如請求項3所述的裝置，其中利用與該供電導線和該參考導線相同的材料，將該遮蔽層與該些導線中的一供電導線和一參考導線製作在同一層，該供電導線供應一驅動電壓給每一該像素，該參考導線供應一參考電壓給該像素並感測在該像素中所充的一電壓。
  11. 如請求項7所述的裝置，其中該感測電晶體的該閘極連接該些導線中的一閘極線，該閘極線供應一閘極訊號給每一該像素。
  12. 如請求項10所述的裝置，其中該遮蔽層、該參考導線和該供電導線包含多個邊緣部，每一該邊緣部的形狀為錐狀。
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