TW201814852A - 用於高頻寬記憶體應用之中介層加熱器 - Google Patents
用於高頻寬記憶體應用之中介層加熱器 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201814852A TW201814852A TW106116105A TW106116105A TW201814852A TW 201814852 A TW201814852 A TW 201814852A TW 106116105 A TW106116105 A TW 106116105A TW 106116105 A TW106116105 A TW 106116105A TW 201814852 A TW201814852 A TW 201814852A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- bandwidth memory
- integrated circuit
- silicon
- memory
- item
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000036413 temperature sense Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/345—Arrangements for heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/147—Semiconductor insulating substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本發明提供一種用於整合加熱器於高頻寬記憶體(HBM)應用中之方法及該相關的裝置。實施例包含形成矽(Si)中介層於基板的上方、形成高頻寬記憶體及積體電路(IC)於該矽中介層之上方、形成加熱器在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之空間中d該矽中介層上、以及使用於該高頻寬記憶體中之一個或一個以上之溫度感測器以偵測該高頻寬記憶體之溫度。
Description
本發明揭露係關於半導體製造。尤其，本發明揭露係關於整合至應用內的中介層加熱器，該應用包含具有邏輯晶片於該14奈米技術節點及超越之高頻寬記憶體(HBM,High Bandwidth Memory)模組。
先前的半導體封裝裝置具有整合的加熱器及中介層。然而，既存的加熱器使用於一般的加熱。例如，使用於晶圓針測及電性測試應用晶粒重工之矽載板包含加熱器，以利於電子組件之移除、連結及測試。
目前，仍未有基於外在環境的及組件溫度使用控制加熱之裝置。下一代網路及無線電型系統在該處理器及記憶體之間需要龐大的頻寛(例如，每秒數兆位元組)。高頻寬記憶體現今在工業上為前端解決方案，該方案滿足這個頻寬效能需求。第1A圖以上視圖說明作為載板之基板101，用於額外的裝置組件形成於該基板101之上表面上。第1B圖為說明於第1A圖中之該裝置之分解側視圖。該基板101為典型的封裝基板，諸如有機合成或陶瓷， 並且可以形成各種尺寸，諸如40x40毫米(mm,millimeter)。中介層103是放置在該基板101之上方並且可以由矽基材料形成及具有26x20毫米的尺寸。積體電路105及高頻寛記憶體107是放置在該中介層103之上方。該積體電路105可以包含特殊應用積體電路及具有20x20毫米尺寸並且運作在-40℃至125℃之寬廣的溫度範圍。該高頻寛記憶體可以包含堆疊式動態隨機存取記憶體(DRAM,Dynamic Random-Access Memory)晶片。該高頻寬記憶體107具有相當小的輸入/輸出(I/O,Input/Output)面積及8x12毫米之非常大的本體尺寸。雖然並未作說明，但複數個高頻寬記憶體107可以放置在該積體電路105之任一側或兩側。因為在這兩個組件之間之高數量的訊號，該積體電路105是使用該中介層103連接至該高頻寬記憶體。第2圖為第1A圖中的裝置之部分上視圖。第2圖包含在該高頻寬記憶體107及該積體電路105之間之複數個訊號線/線路201。
雖然特殊應用積體電路技術可以運作在-40℃至125℃之溫度範圍，但高頻寬記憶體卻僅在0℃至95℃之間正常工作。對於特定環境的條件該溫度是不足夠的範圍，諸如在位於較冷氣候中之手機基地塔內的外部運作。在該較低的溫度限制(例如，0℃)下，該環境條件可能使得該高頻寬記憶體107在關閉及休眠條件下更冷。再者，在該高頻寬記憶體107之較高的溫度限制(例如，95℃)下，由於該高頻寬記憶體107是靠近非常燙、高功率的積體電路105，因此冷卻該高頻寬記憶體是非常困難的。
因此，對於在特定位置提供目標加熱使得加熱器能夠整合之方法存在著需求，以確保在不利的環境氣候下及該最終裝置中之功能性。
本發明揭露之目的是在非常特定的位置處依據外在環境及組件溫度提供控制加熱之用於高頻寬記憶體應用之整合加熱器以確保功能性。本發明揭露於該中介層中提供預熱功能，使該高頻寬記憶體在啟動時能夠適當地操作。本發明揭露透過具有針對性觸發之動態電源復提供用於該高頻寬記憶體之預熱功能。
本發明揭露之額外的目的及其它特徵將於下文之描述中提出並且部分對於熟習該項技藝之人士在檢視該下文後將是顯而易見的或由本發明揭露之該實施而知悉。本發明揭露之優點可以如同在該附加的申請專利範圍中所特別提出而實現及獲得。
依據本發明揭露，某些技術效果可以藉由包含形成矽中介層於基板上方、形成高頻寬記憶體及積體電路(IC,Integrated Circuit)於該矽中介層之上方、形成加熱器在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之空間中的該矽中介層上、以及使用溫度感測器於該高頻寬記憶體中以偵測該高頻寬記憶體之溫度而部分實現。
本發明揭露之態樣包含藉由形成電阻線路在該高頻寬記憶體及矽中間層之間之空間中的該矽中介層上而形成該加熱器。其它態樣包含在該高頻寬記憶體中直 接造成該加熱器觸發之該一個或一個以上之溫度感測器之輸出。另外的態樣包含於該高頻寬記憶體中形成使用者操作暫存器，用於設定及調整該高頻寬記憶體之溫度。額外的態樣包含形成一個或一個以上之溫度感測器於該積體電路中。又另外的態樣包含直接造成該加熱器之觸發之該一個或一個以上之溫度感測器於該積體電路中之輸出。其它態樣包含在該高頻寬記憶體及積體電路之間形成佈線。而另外的態樣包含連接該加熱器至電源及接地連接。
本發明揭露之另一個態樣為一種方法，其形成矽中介層於基板上方、形成高頻寬記憶體及積體電路於該矽中介層上方、於該高頻寬記憶體中使用一個或一個以上之溫度感測器以偵測該高頻寬記憶體之溫度、以及產生虛設讀取以空轉該高頻寬記憶體之區域或該高頻寬記憶體之未使用到的頻寬區域以於該空轉區域或未使用到的頻寬區域產生熱能至預定的溫度。
本發明之態樣包含藉由該一個或一個以上之溫度感測器提供最新溫度讀值以允許該空轉區域或未使用到的頻寬區域之智能加熱。
本發明揭露之另一個態樣為形成在基板上方之矽中介層、形成在該矽中介層上方之高頻寬記憶體及積體電路、放置在該高頻寬記體中之一個或一個以上之溫度感測器以偵測該高頻寬記體之溫度，其中，該高頻寬記憶體之介面是經由配置以產生虛設讀取以空轉該高頻寬記憶體之區域或該高頻寬記憶體之未使用到的頻寬區域以於 該空轉區域或未使用到的頻寬區域中產生熱能至預定的溫度。
本發明揭露之又另一個態樣包含裝置，該裝置包含形成在基板上方之矽中介層、形成在該矽中介層上方之高頻寬記憶體及積體電路、形成在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之空間中的該矽中介層上之加熱器、以及在該高頻寬記憶體中之一個或一個以上之溫度感測器以偵測該高頻寬記憶體之溫度。
本發明之態樣包含具有電阻線路形成在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之該空間中的該矽中介層上之該加熱器。其它態樣包含在該高頻寬記憶體中直接造成該加熱器之觸發之該一個或一個以上之溫度感測器之輸出。額外的態樣包含形成於該高頻寬記憶體中用於設定及調整該高頻寬記憶體之溫度之使用者操作暫存器。另外的態樣包含形成於該積體電路中之一個或一個以上之溫度感測器。又其它態樣包含於該積體電路中直接造成該加熱器之觸發之該一個或一個以上之溫度感測器之輸出。更進一步的態樣包含形成在該高頻寬記憶體及積體電路之間之佈線。其它態樣包含連接至加熱器之電源及接地連接。額外的態樣包含該積體電路，該積體電路包含特殊應用積體電路(ASIC,Application Specific Integrated Circuit)。
本發明揭露之額外的態樣及技術功效對於熟習該項技藝之人士由該下文詳細說明將變得顯而易見，其中本發明揭露之實施例僅藉由所考量之最佳模式之說明 而作描述以實施本發明揭露。將會瞭解到，本發明揭露能夠是其它及不同的實施例，並且本身的幾項細節能夠以各種顯而易見的方面而修正，所有修正皆不違背本發明揭露。因此，該圖式及描述在本質上應視為說明性的，而非限制性的。
101‧‧‧基板
103‧‧‧中介層
105‧‧‧積體電路
107‧‧‧高頻寛記憶體
201‧‧‧訊號線/線路
301‧‧‧加熱器
303‧‧‧溫度感測器
305‧‧‧使用者操作暫存器
401‧‧‧虛設讀取
403‧‧‧讀取/寫入/空轉請求
405‧‧‧最新的資訊
本發明揭露是藉由在該附加的圖式中之例子作說明，而非在於限定，並且其中類似的圖式標號意指類似的元件以及其中：第1A圖概要地說明具有高頻寬記憶體之習知的裝置之上視圖；第1B圖概要地說明該裝置於第1A圖中之分解視圖；第2圖概要地說明具有高頻寬記憶體連接至積體電路之習知的裝置之上視圖；第3圖依據例示性的實施例概要地說明具有整合加熱器之裝置之上視圖；以及第4圖依據另一個例示性的實施例概要地說明用於動態功率加熱之流程圖。
在下文的描述中，為了說明之目的，各種特定的細節將提出以提供例示性的實施例之完全的瞭解。然而，顯而易見的是例示性的實施例可以在不具有這些特定的細節或具有等同的配置下實行。在其它例子中，眾所 周知的結構及裝置是以方塊圖形式顯示以避免不必要地模糊例示性的實施例。此外，除非另外指示，否則所有表示數量、比例及成分的數值性質、反應條件及在該說明書及申請專利範圍中所使用等等之數字應當理解為在所有情況下由該語詞“大約”所修正。
本發明揭露提出及解決在較冷的環境條件下高頻寬記憶體功能性失效之該當前的問題。依據本發明揭露之實施例，控制加熱是提供在特定的裝置位置以確保在較冷的環境條件期間之適當的功能性。
依據本發明揭露之實施例之方法包含形成矽中介層於基板之上方、形成高頻寬記憶體及積體電路於該矽中介層之上方、形成加熱器在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之空間中的該矽中介層之上、以及使用於該高頻寬記憶體中之一個或一個以上之溫度感測器以偵測該高頻寬記憶體之溫度。
本發明另有其它態樣、特徵及技術功效對於熟習該項技藝之人士由該下列詳細說明將是顯而易見的，其中較佳的實施例是僅藉由所考量之最佳模式之說明而顯示及描述。本發明揭露能夠是其它及不同的實施例，並且本身的數個細節是能夠以各種顯而易見的方面做修正。因此，該圖式及說明在本質上應當視為說明性的，而非限制性的。
第3圖依據例示性的實施例概要性說明具有整合加熱器之裝置之上視圖。中介層103是配置在該基 板101(第1A圖)之上表面上方。該積體電路105(例如，特殊應用積體電路)及高頻寬記憶體107是配置在該中介層103之上方並與訊號線路201連接。整合的加熱器301是合併於該中介層103內。本發明揭露使用在該高頻寬記憶體107下方該中介層103之表面上所空出的空間。第3圖中的該整合的加熱器是由形成在該高頻寬記憶體下方該中介層103上之該空出的空間上方之電阻線路所形成。該溫度感測器303是包含於該裝置中並且經使用以決定是否需要預熱。該高頻寬記憶體107可以具有一個或一個以上之溫度感測器303，並且該積體電路105可以具有一個或一個以上之溫度感測器303。該一個或一個以上之溫度感測器303之輸出直接造成該整合的加熱器301之觸發。使用者操作暫存器305可以形成於該高頻寬記憶體107中而用於由使用者設定及調整該高頻寬記憶體之溫度。電源及接地連接是連接至該整合的加熱器301以供給功率至該整合的加熱器301。
關於第4圖，該圖式說明藉由具有目標觸發之動態功率的加熱之例子。該積體電路105可以發出功能性讀取/寫入/空轉請求403至該高頻寛記憶體107以及虛設讀取401進入該高頻寬記憶體107之目標象限內。藉由以特定虛設模式發出虛設讀取401於該高頻寬記憶體107內，熱能可以產生於目標區域內。虛設讀取401可以發出至該高頻寬記憶體107之較冷區域。較冷區域可以包含其中該高頻寬記憶體107是閒置的或其中頻寬並未完全 使用之區域。這些較冷區域接著可以藉由該虛設讀取而加熱至該高頻寬記憶體107之預定的操作溫度。在該高頻寬記憶體107中之一個或一個以上之溫度感測器303可以提供最新的資訊405及允許該高頻寬記憶體107之特定區域之智能加熱。
本發明揭露之實施例可以實現數個技術功效，包含中介層加熱器整合以提供控制的及目標的加熱。本發明揭露在任何各種工業應用中享有產業利用性，例如，微處理器、智慧手機、行動電話、手機基地塔、行動手機、機上盒、數位影音光碟燒錄機及播放器、汽車導航、印表機及周邊、網絡及電信設備、遊戲系統及數位相機。因此，本發明揭露使用高頻寬記憶體於該先進的技術節點中於任何各種類型的半導體裝置內享有產業利用性。
在該先前的描述中，本發明揭露參考特定例示性的實施例作描述。然而，將顯而易見的是各種修正及改變在此可以達到而不會違反如同在該申請專利範圍中所提出之本發明揭露之該寬廣的精神及範疇。該說明書及圖式因此應當視為說明性的及非限制性的。應該瞭解的是本發明揭露能夠使用各種其它的組合及實施例並且能夠於在此所表示之該發明概念的該範疇內作任何改變或修正。
Claims (20)
- 一種方法，包括：形成矽(Si,Silicon)中介層於基板的上方；形成高頻寬記憶體(HBM,High Bandwidth Memory)及積體電路(IC,Integrated Circuit)於該矽中介層之上方；形成加熱器在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之空間中的該矽中介層上；以及使用於該高頻寬記憶體中之一個或一個以上之溫度感測器以偵測該高頻寬記憶體之溫度。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，形成該加熱器包括形成電阻線路在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之該空間中的該矽中介層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該高頻寬記憶體中之該一個或一個以上之溫度感測器之輸出直接造成該加熱器之觸發。
- 如申請專利範圍第3項所述之方法，復包括：形成使用者操作暫存器於該高頻寬記憶體中以用於設定及調整該高頻寬記憶體之溫度。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，復包括：形成一個或一個以上之溫度感測器於該積體電路中。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，該積體電路中之該一個或一個以上之溫度感測器之輸出直接造成 該加熱器之觸發。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，復包括：形成佈線在該高頻寬記憶體及積體電路之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，復包括：連接該加熱器至電源及接地連接。
- 一種方法，包括：形成矽(Si,Silicon)中介層於基板的上方；形成高頻寬記憶體(HBM,High Bandwidth Memory)及積體電路(IC,Integrated Circuit)於該矽中介層之上方；使用於該高頻寬記憶體中之一個或一個以上之溫度感測器以偵測該高頻寬記憶體之溫度；以及產生虛設讀取以空轉該高頻寬記憶體之區域或該高頻寬記憶體之未使用到的頻寬區域，以於該空轉區域或未使用到的頻寬區域中產生熱能至預定的溫度。
- 如申請專利範圍第9項所述之方法，復包括：藉由該一個或一個以上之溫度感測器提供最新的溫度讀值，以允許該空轉區域或未使用到的頻寬區域之智能加熱。
- 一種裝置，包括：矽(Si,Silicon)中介層，形成於基板上方；高頻寬記憶體(HBM,High Bandwidth Memory)及積體電路(IC,Integrated Circuit)，形成於該矽中介層上方； 一個或一個以上之溫度感測器，配置於該高頻寬記憶體中以偵測該高頻寬記憶體之溫度，其中，該高頻寬記憶體之介面是經由配置以產生虛設讀取以空轉該高頻寬記憶體之區域或該高頻寬記憶體之未使用到的頻寬區域，以於該空轉區域或未使用到的頻寬區域中產生熱能至預定的溫度。
- 一種裝置，包括：矽(Si,Silicon)中介層，形成於基板上方；高頻寬記憶體(HBM,High Bandwidth Memory)及積體電路(IC,Integrated Circuit)，形成於該矽中介層上方；加熱器，形成在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之空間中的該矽中介層上；以及一個或一個以上之溫度感測器，於該高頻寬記憶體中以偵測該高頻寬記憶體之溫度。
- 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中，該加熱器包含形成在該高頻寬記憶體及矽中介層之間之該空間中的該矽中介層上之電阻線路。
- 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中，該高頻寬記憶體中之該一個或一個以上之溫度感測器之輸出直接造成該加熱器之觸發。
- 如申請專利範圍第14項所述之裝置，復包括：形成於該高頻寬記憶體中之使用者操作暫存器，以用於設定及調整該高頻寬記憶體之溫度。
- 如申請專利範圍第12項所述之裝置，復包括：形成於該積體電路中之一個或一個以上之溫度感測器。
- 如申請專利範圍第16項所述之裝置，其中，該積體電路中之該一個或一個以上之溫度感測器之輸出直接造成該加熱器之觸發。
- 如申請專利範圍第12項所述之裝置，復包括：形成在該高頻寬記憶體及積體電路之間之佈線。
- 如申請專利範圍第12項所述之裝置，復包括：連接至加熱器之電源及接地連接。
- 如申請專利範圍第12項所述之裝置，其中，該積體電路包括特殊應用積體電路(ASIC,Application Specific Integrated Circuit)。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/292,552 | 2016-10-13 | ||
| US15/292,552 US20180108642A1 (en) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | Interposer heater for high bandwidth memory applications |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201814852A true TW201814852A (zh) | 2018-04-16 |
| TWI641093B TWI641093B (zh) | 2018-11-11 |
Family
ID=61764991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106116105A TWI641093B (zh) | 2016-10-13 | 2017-05-16 | 用於高頻寬記憶體應用之中介層加熱器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180108642A1 (zh) |
| CN (1) | CN107946290B (zh) |
| DE (1) | DE102017218199A1 (zh) |
| TW (1) | TWI641093B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11047905B2 (en) * | 2019-05-31 | 2021-06-29 | Analog Devices International Unlimited Company | Contactor with integrated memory |
| US11886023B2 (en) * | 2019-08-15 | 2024-01-30 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Photonic optoelectronic module packaging |
| US11323382B1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-05-03 | Juniper Networks, Inc. | Dynamic bandwidth throttling of a network device component for telecommunications standard compliance |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58139388A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | 低温度コントロ−ラ付バブルメモリ装置 |
| US5783854A (en) * | 1996-10-15 | 1998-07-21 | Honeywell Inc. | Thermally isolated integrated circuit |
| JP4475136B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2010-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム、前処理装置及び記憶媒体 |
| JP2010538497A (ja) * | 2007-09-05 | 2010-12-09 | ラムバス・インコーポレーテッド | 不揮発性半導体メモリ・デバイスにおける欠陥を修復するための方法および装置 |
| KR20090040716A (ko) * | 2007-10-22 | 2009-04-27 | 현대자동차주식회사 | 차량의 아이들시 난방제어방법 |
| US7474540B1 (en) * | 2008-01-10 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Silicon carrier including an integrated heater for die rework and wafer probe |
| JP2009230829A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドの特性試験方法および試験装置 |
| US8242876B2 (en) * | 2008-09-17 | 2012-08-14 | Stmicroelectronics, Inc. | Dual thin film precision resistance trimming |
| JP5367413B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2013-12-11 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
| JP5246084B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2013-07-24 | コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 | 画像形成装置 |
| JP5058285B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2012-10-24 | シャープ株式会社 | 画像形成装置 |
| US8927909B2 (en) * | 2010-10-11 | 2015-01-06 | Stmicroelectronics, Inc. | Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability |
| US8565047B2 (en) * | 2011-04-28 | 2013-10-22 | Lsi Corporation | Systems and methods for data write loopback based timing control |
| US8958242B2 (en) * | 2011-05-05 | 2015-02-17 | Micron Technology, Inc. | Thermal treatment of flash memories |
| DE112011105998T5 (de) * | 2011-12-23 | 2014-09-18 | Intel Corporation | Speicheroperationen unter Verwendung von Systemtemperatursensordaten |
| US8569808B1 (en) * | 2012-04-06 | 2013-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Temperature stabilitized MEMS |
-
2016
- 2016-10-13 US US15/292,552 patent/US20180108642A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-05-16 TW TW106116105A patent/TWI641093B/zh not_active IP Right Cessation
- 2017-10-12 DE DE102017218199.0A patent/DE102017218199A1/de not_active Ceased
- 2017-10-13 CN CN201710951063.9A patent/CN107946290B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107946290A (zh) | 2018-04-20 |
| CN107946290B (zh) | 2021-07-09 |
| TWI641093B (zh) | 2018-11-11 |
| DE102017218199A1 (de) | 2018-04-19 |
| US20180108642A1 (en) | 2018-04-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10679921B2 (en) | Semiconductor device packages with direct electrical connections and related methods | |
| TWI641093B (zh) | 用於高頻寬記憶體應用之中介層加熱器 | |
| US9355931B2 (en) | Package-on-package devices and methods of manufacturing the same | |
| US11380665B2 (en) | Semiconductor dice assemblies, packages and systems, and methods of operation | |
| US10260961B2 (en) | Integrated circuit packages with temperature sensor traces | |
| US9391009B2 (en) | Semiconductor packages including heat exhaust part | |
| TW201023326A (en) | Signal delivery in stacked device | |
| KR102123991B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이를 구비하는 전자 시스템 | |
| CN102541120A (zh) | 半导体器件以及控制其温度的方法 | |
| CN103137577A (zh) | 热电冷却封装件及其热管理方法 | |
| US9013031B2 (en) | Semiconductor packages including heat diffusion vias and interconnection vias | |
| US9965003B2 (en) | Electronic assembly and electronic device | |
| US10424559B2 (en) | Thermal management of molded packages | |
| US9922846B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor package | |
| KR20100051020A (ko) | 개선된 열 절연을 위한 집적회로 코팅 | |
| US20170178994A1 (en) | Integrated circuit package support structures | |
| US11152333B2 (en) | Semiconductor device packages with enhanced heat management and related systems | |
| US9190338B2 (en) | Semiconductor package having a heat slug and a spacer | |
| CN105938805B (zh) | 测试板单元和包括其的用于测试半导体芯片的装置 | |
| US8884425B1 (en) | Thermal management in 2.5 D semiconductor packaging | |
| US10873145B2 (en) | Ground heat sink for dual inline memory module cooling | |
| TWI704354B (zh) | 探針卡、具有其的晶圓檢測設備及使用其的裸晶測試流程 | |
| US9335368B1 (en) | Method and apparatus for quantifying defects due to through silicon VIAs in integrated circuits | |
| Lee et al. | Thermal analysis of ball grid array non-volatile memory express solid-state drive in vacuum | |
| KR20140106997A (ko) | 반도체 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |