TWI704354B

TWI704354B - 探針卡、具有其的晶圓檢測設備及使用其的裸晶測試流程

Info

Publication number: TWI704354B
Application number: TW108109827A
Authority: TW
Inventors: 廖致傑; 孫育民; 程志豐
Original assignee: 創意電子股份有限公司; 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2019-03-21
Filing date: 2019-03-21
Publication date: 2020-09-11
Also published as: TW202035992A; CN111736052B; CN111736052A

Abstract

一種探針卡，其包括多個探針、電路板以及至少一溫度感測裝置。電路板電性連接於多個探針。溫度感測裝置，熱耦接於多個探針的至少其中之一。一種具有此探針卡的晶圓檢測設備亦被提出。一種使用此晶圓檢測設備的裸晶測試流程亦被提出。

Description

探針卡、具有其的晶圓檢測設備及使用其的裸晶測試流程

本發明是有關於一種電子設備及測試流程，且特別是有關於一種探針卡、具有其的晶圓檢測設備及使用其的裸晶測試流程

裸晶測試（Chip Probe，CP）為半導體晶圓製造完成後對晶圓上的裸晶（封裝前）進行產品良率驗證的重要測試。在裸晶測試的過程中，若要針對環境溫度進行調整，一般是將測試晶圓及檢測設備置於恆溫的腔體內進行測試，且對晶圓夾盤（wafer chuck）上對應晶圓的上、下、左、右、中的五個點進行溫度量測。

本發明提供一種探針卡，其可以提升溫度感測的響應。

本發明提供一種晶圓檢測設備以及裸晶測試流程，其針對正在進行電路測試的晶片區的溫度量測及調整可以較為迅速且準確。

本發明的探針卡包括多個探針、電路板以及至少一溫度感測裝置。電路板電性連接於多個探針。溫度感測裝置，熱耦接於多個探針的至少其中之一。

在本發明的一實施例中，電路板包括至少一熱接點及測試元件。至少一溫度感測裝置經由至少一熱接點熱耦接於多個探針的至少其中之一；且多個探針的至少其中之一經由至少一熱接點電性連接於測試元件。

在本發明的一實施例中，溫度感測裝置包括導熱絕緣體以及熱電偶。導熱絕緣體耦接於電路板上的至少一熱接點。熱電偶耦接於導熱絕緣體，且熱電偶電性分離於電路板上的至少一熱接點。

在本發明的一實施例中，探針卡更包括絕熱膠。絕熱膠至少包覆導熱絕緣體。

在本發明的一實施例中，至少一溫度感測裝置為多個溫度感測裝置，至少一熱接點為多個熱接點。多個溫度感測裝置的經由對應的多個熱接點的熱耦接於對應的多個探針，且多個熱接點彼此電性分離。

基於上述，本發明的探針卡可以具有溫度感測裝置。因此，可以藉由探針卡進行電路測試及溫度感測。並且，可以提升溫度感測的響應。

本發明的晶圓檢測設備適用對晶圓進行裸晶測試。晶圓檢測設備包括晶圓夾盤、溫控裝置、溫度傳感器、前述的探針卡以及控制單元。晶圓夾盤具有支持表面，以適於支持晶圓。溫控裝置熱耦接於晶圓夾盤。溫度傳感器熱耦接於晶圓夾盤。控制單元電性連接於溫控裝置、溫度傳感器及探針卡。

在本發明的一實施例中，溫控裝置包括加熱單元及冷卻單元。

在本發明的一實施例中，冷卻單元包括冷卻管及冷卻器，冷卻管埋設於晶圓夾盤內且與冷卻器連通。

本發明的裸晶測試流程包括以下步驟。提供前述的晶圓檢測設備。放置晶圓於晶圓夾盤的支持表面上，其中晶圓包括多個測試墊。使探針卡的多個探針接觸對應的多個測試墊，以對晶圓夾盤上的晶圓進行電路檢測。

在本發明的一實施例中，裸晶測試流程更包括以下步驟。藉由溫控裝置對晶圓夾盤上的晶圓進行溫度控制。

在本發明的一實施例中，對晶圓夾盤上的晶圓進行溫度控制的步驟包括：藉由探針卡的至少一溫度感測裝置或溫度傳感器量測晶圓夾盤上的晶圓的溫度，以使控制單元藉由溫控裝置對晶圓夾盤上的晶圓進行溫度控制。

在本發明的一實施例中，若對晶圓夾盤上的晶圓進行電路檢測，則至少藉由探針卡的至少一溫度感測裝置量測晶圓夾盤上的晶圓的溫度；且若未對晶圓夾盤上的晶圓進行電路檢測，則至少藉由溫度傳感器量測晶圓夾盤上的晶圓的溫度。

基於上述，本發明的晶圓檢測設備所包括的探針卡可以具有溫度感測裝置。因此，在藉由本發明的晶圓檢測設備對晶圓進行電路檢測時，可以提升溫度感測的響應。另外，在對晶圓進行裸晶測試時，藉由本發明的探針卡可以針對同一個晶片區進行電路測試及溫度感測。因此，可以依據正在進行電路測試的晶片區的溫度來調整晶圓的溫度。如此一來，針對正在進行電路測試的晶片區的溫度量測及調整可以較為迅速且準確。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。

圖1A至圖1C繪示本發明的第一實施例的一種探針卡的部分製作方式的側視示意圖。另外，為求清楚表示，於圖1A至圖1C中省略繪示了部分的模層或構件。

請先參照圖1A，提供電路板120。電路板120可以包括熱接點121及測試元件122。在圖1A中，僅示例性地繪示了一個熱接點121及一個測試元件122，但本發明對於熱接點121的數量測試元件122的數量並不加以限制。

在本實施例中，熱接點121例如為焊墊，且作為熱接點121的焊墊可以電性連接至測試元件122。

在本實施例中，測試元件122可以包括主動元件（如：電晶體）、被動元件（如：電容、電阻或電感）或上述之組合。測試元件122的種類及配置方式可以依據設計上的需求加以調整，於本發明並不加以限制。

請繼續參照圖1A，提供導熱絕緣體131，且使導熱絕緣體131耦接於電路板120上的熱接點121。導熱絕緣體131的材質例如可以包括氮化硼（Boron Nitride，BN）（如：立方氮化硼（CubicBo-ron Nitride，cBN））、氧化鈹（beryllium oxide，BeO）、氧化鋁（aluminium oxide，Al ₂O ₃）或其他適宜的高導熱性絕緣材料。舉例而言，高導熱性絕緣材料的電阻率可以大於1.0×10 ⁸歐姆公尺（Ω·m），且高導熱性絕緣材料的熱導率可以大於100瓦米 ^-1開爾文 ^-1（W/mK），但本發明不限於此。

在本實施例中，導熱絕緣體131上可以鍍覆具有高導熱性的易焊層132或易焊層133，以使導熱絕緣體131可以藉由焊接的方式與其他元件熱耦接（包括直接連接或間接連接）。在一實施例中，導熱絕緣體131可以藉由導熱片（thermal conductive pad）、導熱膠帶（thermal tape）、導熱膠（thermal grease）或其他適宜的材料或方式，以使導熱絕緣體131可以藉由黏著的方式與其他元件熱耦接。

舉例而言，導熱絕緣體131可以具有彼此相對的第一側131a以及第二側131b。導熱絕緣體131的第一側131a上（於圖1A中為第一側131a標示處的下方）可以具有易焊層132，且導熱絕緣體131的第二側131b上可以具有易焊層133。並且，若導熱絕緣體131上具有易焊層132及易焊層133，則易焊層132及易焊層133可以彼此分離。

請參照圖1B，將熱電偶（thermocouple）135耦於導熱絕緣體131，且與導熱絕緣體131連接的熱接點121電性分離於熱電偶135。熱電偶135可以包括不同的導體135a、135b（標示於圖2A或圖2B）。在不同溫度下，前述不同的導體135a、135b之間可以具有不同的熱電位（即，席貝克效應（Seebeck Effect））。藉由電壓計135c（標示於圖2A或圖2B）量測前述不同導體135a、135b之間的熱電位差，則可以推算出對應的溫度。

舉例而言，導熱絕緣體131可以與位於其第一側131a上的易焊層132直接連接，易焊層132可以與熱接點121直接連接。並且，導熱絕緣體131可以與位於其第二側131b上的易焊層133直接連接，易焊層133可以與熱電偶135直接連接。如此一來，熱電偶135、導熱絕緣體131及熱接點121可以熱耦接，且熱電偶135與熱接點121之間可以電性分離。

值得注意的是，本發明並未限定熱電偶135與熱接點121連接至導熱絕緣體131的順序。舉例而言，在一未繪示的實施例中，可以先將熱電偶135與導熱絕緣體131上的易焊層133連接，然後再將已與熱電偶135耦接的導熱絕緣體131藉由位於其上的易焊層132與熱接點121連接。

請參照圖1C，在將熱電偶135、導熱絕緣體131及熱接點121熱耦接之後，可以形成包覆導熱絕緣體131的絕熱膠140。絕熱膠140的材質例如可以包括二氧化矽或其他適宜的低導熱性絕緣材料。舉例而言，高導熱性絕緣材料的電阻率可以大於1.0×10 ¹¹歐姆公尺（Ω·m），且低導熱性絕緣材料的熱導率可以小於0.1瓦米 ^-1開爾文 ^-1（W/mK），但本發明不限於此。

在本實施例中，絕熱膠140可以進一步地包覆部分的熱電偶135及部分的熱接點121，但本發明不限於此。

經過上述的製作方式後大致上可以完成本實施例之探針卡100的製作。

請參照圖1C、圖2A及圖2B，其中圖2A繪示本發明的第一實施例的一種探針卡的使用方式的側視示意圖，圖2B繪示本發明的第一實施例的一種探針卡的使用狀態的電路及熱傳遞路徑示意圖。另外，為求清楚表示，於圖2A及圖2B中省略繪示了部分的模層或構件。並且，於圖2A及圖2B中，以點線（dot line）框來表示熱接點121可以配置的區域，且以虛線（dashed line）來表示熱接點121與溫度感測裝置130之間的熱耦接。

探針卡100包括多個探針110、電路板120以及溫度感測裝置130。電路板120電性連接於探針110。溫度感測裝置130熱耦接於對應的探針110。如圖2A及圖2B所示，在一示例性的使用方式上，探針卡100的探針110可以與測試點（如：晶圓或晶片300上的測試墊320）接觸，以使探針卡100或具有探針卡100的檢測設備可以適於進行電路檢測。

在本實施例中，電路板120包括熱接點121及測試元件122，溫度感測裝置130經由熱接點121熱耦接於對應的探針110，且探針110經由熱接點121電性連接於測試元件122。也就是說，就電流路徑（current path）來看，熱接點121位於測試元件122與探針110之間。

在本實施例中，溫度感測裝置130包括導熱絕緣體131以及熱電偶135。導熱絕緣體131耦接於電路板120上的熱接點121。熱電偶135耦接於導熱絕緣體131，且熱電偶135電性分離於電路板120上的熱接點121。也就是說，熱電偶135與熱接點121藉由導熱絕緣體131而彼此電性分離。並且，就熱傳導（heat conduction/ heat diffusion）的途徑來看，熱接點121位於溫度感測裝置130與探針110之間。如此一來，可以藉由探針卡100進行電路測試及溫度感測。並且，溫度感測的訊號及電路測試的訊號之間的干擾可以降低，且可以提升溫度感測的響應（response）。

在一實施例中，熱接點121與探針110之間除用於將彼此電性連接及熱耦接的導線150外，可以不具有其他用於測試的元件。如此一來，可以提升熱接點121與探針110之間的電傳導效率及熱傳導效率。

圖3繪示本發明的第二實施例的一種探針卡100的使用狀態的電路及熱傳遞路徑示意圖。本實施例的探針卡200與第一實施例的探針卡100相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能，並省略描述。

在本實施例中，探針卡200包括多個探針110、210、電路板120以及多個溫度感測裝置130、230。電路板120包括多個熱接點121、221及測試元件122、222。溫度感測裝置130經由對應的熱接點121熱耦接於對應的探針110，且溫度感測裝置230經由對應的熱接點221熱耦接於對應的探針210。熱接點121與熱接點221彼此電性分離。

在一實施例中，熱接點121與熱接點221彼此熱分離，但本發明不限於此。

值得注意的是，本發明並不限定探針卡100、200的使用方式。舉例而言，本發明並不限定探針卡100、200必需構成後續的實施例的晶圓檢測設備400。也就是說，探針卡100、200的應用方式可依據需求而進行調整。

圖4A繪示本發明的一實施例的晶圓檢測設備的使用方式的側視示意圖。圖4B及圖4C繪示本發明的一實施例的裸晶測試流程圖。另外，為求清楚表示，於圖4A中省略繪示了部分的膜層或構件，且於圖4B及圖4C的流程中省略繪示了部分的步驟。

在本實施例中，晶圓檢測設備400所配置的探針卡是以第一實施例的探針卡100為例，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能或配置方式，故省略描述。但值得注意的是，在其他未繪示的實施例中，所配置的探針卡可以是相似於探針卡100的探針卡。舉例而言，在其他未繪示的實施例中，晶圓檢測設備400所使用的探針卡可以是相同或相似於探針卡200的探針卡100。以下的敘述中將以探針卡100為例。

晶圓檢測設備400包括晶圓夾盤（wafer chuck）410、溫控裝置420、溫度傳感器（temperature sensor）430、探針卡100以及控制單元440。晶圓夾盤410具有支持表面411，以適於支持晶圓500。溫控裝置420熱耦接於晶圓夾盤410。溫度傳感器430熱耦接於晶圓夾盤410。探針卡100配置於晶圓夾盤410的支持表面411上，且探針卡100與晶圓夾盤410的支持表面411之間具有間距，以適於使探針卡100的探針110可以與晶圓500上的測試墊520接觸，以適於對置於支持表面411上的晶圓500進行電路檢測。電路檢測的參數（recipe）及內容可以依據設計或使用上的需求而進行調整，於本發明並不加以限制。

在本實施例中，溫控裝置420可以包括加熱單元421以及冷卻單元422。舉例而言，加熱單元421可以包含加熱電阻，冷卻單元422可包含裝有冷卻液的冷卻管422b及冷卻器（chiller）422a，冷卻液例如為水、包括抗凍劑的水或冷媒，但本發明不限於此。也就是說，溫控裝置420可以藉由加熱單元421或冷卻單元422對應地升高或降低晶圓夾盤410的溫度，以使置於支持表面411上的晶圓500的溫度可以對應地升高或降低。加熱單元421或冷卻單元422的形態及配置方式可依據設計上的需求進行調整，於本發明並不加以限制。舉例而言，冷卻管422b可以埋設於晶圓夾盤410內，且冷卻管422b可以連通於晶圓夾盤410外的冷卻器422a。

請參照圖4A至圖4C，對晶圓500的裸晶測試流程（test flow）可以包括以下步驟。提供前述的晶圓檢測設備400。放置晶圓500於晶圓檢測設備400的晶圓夾盤410的支持表面411上。晶圓500可以包括多個晶片區（chip area）510，相鄰的晶片區510之間可以藉由切割道（scribe lane）（未繪示）而彼此分離。各個晶片區510內具有多個測試墊520，測試墊520可以電性連接於晶片區510內的元件。使晶圓檢測設備400的探針卡100的探針110接觸晶圓夾盤410上的晶圓500的對應的測試墊520，以對晶圓夾盤410上的晶圓500的晶片區510進行電路檢測。

在一實施例中，可以藉由晶圓夾盤410的上升，而使探針卡100的探針110接觸對應的測試墊520，但本發明不限於此。在另一實施例中，可以藉由探針卡100的下降，而使探針卡100的探針110接觸對應的測試墊520。

在本實施例中，在將晶圓500放置於晶圓夾盤410上之後，可以藉由溫控裝置420對晶圓夾盤410上的晶圓500進行溫度控制。

在本實施例中，當探針卡100的探針110尚未接觸到晶圓500的測試墊520時，或是，尚未對晶圓夾盤410上的晶圓500進行電路檢測時，可以藉由熱耦接於晶圓夾盤410的溫度傳感器430感測晶圓500的溫度，並藉由對應的訊號線450將數據傳送至控制單元440，以使控制單元440可以藉由熱耦接於晶圓夾盤410的溫控裝置420調整晶圓500的溫度。

在本實施例中，當探針卡100的探針110接觸到晶圓500的測試墊520時，或是，對晶圓夾盤410上的晶圓500進行電路檢測時，可以藉由熱耦接於探針110的溫度感測裝置130感測晶圓500的溫度，並藉由對應的訊號線450將數據傳送至控制單元440，以使控制單元440可以藉由熱耦接於晶圓夾盤410的溫控裝置420調整晶圓500的溫度。相較於以熱耦接於晶圓夾盤410的溫度傳感器430感測晶圓500的溫度，藉由熱耦接於探針110的溫度感測裝置130感測晶圓500的溫度的方式較為迅速（或接近即時），且可以較為接近被量測的晶片區510，因此可以較適宜用於高功率晶圓產品。前述的高功率晶圓產品例如是運作時所產生的功率為大於或等於100瓦（W）的晶片，或是運作時所產生的熱密度（heat density）為大於或等於25瓦/平方公分（W/cm ²）的晶片。

舉例而言，請參照圖5，其中圖5可以是對一高功率晶圓產品進行裸晶測試時的晶圓溫度分佈模擬圖。並且，在圖5中，位於晶圓中心附近的方框處是被測試的裸晶（即，晶片區）位置。如圖5所示，在對前述的高功率晶圓產品進行裸晶測試時，晶圓的溫差可能在80℃以上。因此，藉由本發明一實施例的晶圓檢測設備以及裸晶測試流程，可以針對正在進行電路測試的裸晶處進行溫度量測，且可以較為迅速及準確。也就是說，相較於僅針對晶圓的上、下、左、右、中的五個點進行溫度量測，或依據前述五個點的溫度量測結果進行平均，藉由本發明一實施例的晶圓檢測設備以及裸晶測試流程，可以較接近被測試的裸晶處的實際溫度。

在一實施例中，當探針卡100的探針110接觸到晶圓500的測試墊520時，或是，對晶圓夾盤410上的晶圓500進行電路檢測時，可以藉由熱耦接於晶圓夾盤410的溫度傳感器430及熱耦接於探針110的溫度感測裝置130感測晶圓500的溫度，並藉由對應的訊號線450將數據傳送至控制單元440，以使控制單元440可以藉由熱耦接於晶圓夾盤410的溫控裝置420調整晶圓500的溫度。

在一實施例中，若探針卡包括多個溫度感測裝置（如：第二實施例探針卡200包括多個溫度感測裝置130、230），則這些溫度感測裝置（如：多個溫度感測裝置130、230）藉由對應的訊號線450將數據傳送至控制單元440之後，控制單元440也可以藉由對應的運算（如：取平均值或加權平均），以依據運算後的數值藉由熱耦接於晶圓夾盤410的溫控裝置420調整晶圓500的溫度。

綜上所述，本發明的探針卡可以具有溫度感測裝置。因此，在藉由本發明探針卡或本發明的晶圓檢測設備對晶圓進行電路檢測時，可以提升溫度感測的響應。另外，在對晶圓進行裸晶測試時，藉由本發明的探針卡可以針對同一個晶片區進行電路測試及溫度感測。因此，可以依據正在進行電路測試的晶片區的溫度來調整晶圓的溫度。如此一來，針對正在進行電路測試的晶片區的溫度量測及調整可以較為迅速且準確。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200:探針卡 110、210:探針 120:電路板 121、221:熱接點 122:測試元件 130、230:溫度感測裝置 131:導熱絕緣體 131a:第一側 131b:第二側 132、133:易焊層 135:熱電偶 135a、135b:導體 135c:電壓計 140:絕熱膠 150:導線 300:晶圓或晶片 310:測試墊 400:晶圓檢測設備 410:晶圓夾盤 411:支持表面 420:溫控裝置 421:加熱單元 422:冷卻單元 422a:冷卻器 422b:冷卻管 430:溫度傳感器 440:控制單元 450:訊號線 500:晶圓 510:晶片區 520:測試墊

圖1A至圖1C繪示本發明的第一實施例的一種探針卡的部分製作方式的側視示意圖。圖2A繪示本發明的第一實施例的一種探針卡的使用方式的側視示意圖。圖2B繪示本發明的第一實施例的一種探針卡的使用狀態的電路及熱傳遞路徑示意圖。圖3繪示本發明的第二實施例的一種探針卡的使用狀態的電路及熱傳遞路徑示意圖。圖4A繪示本發明的一實施例的晶圓檢測設備的使用方式的側視示意圖。圖4B及圖4C繪示本發明的一實施例的裸晶測試流程圖。圖5繪示對一高功率晶圓產品進行裸晶測試時的晶圓溫度分佈模擬圖

100:探針卡

110:探針

120:電路板

121:熱接點

122:測試元件

130:溫度感測裝置

400:晶圓檢測設備

410:晶圓夾盤

411:支持表面

420:溫控裝置

421:加熱單元

422:冷卻單元

422a:冷卻器

422b:冷卻管

430:溫度傳感器

440:控制單元

450:訊號線

500:晶圓

510:晶片區

520:測試墊

Claims

一種探針卡，包括：多個探針；電路板，電性連接於所述多個探針，且所述電路板包括至少一熱接點及測試元件；以及至少一溫度感測裝置，包括導熱絕緣體及熱電偶，其中：所述熱電偶耦接於所述導熱絕緣體，且所述導熱絕緣體耦接於所述電路板上的所述至少一熱接點，以使所述至少一溫度感測裝置經由所述至少一熱接點熱耦接於所述多個探針的至少其中之一；所述多個探針的至少其中之一經由所述至少一熱接點電性連接於所述測試元件；且所述熱電偶電性分離於所述電路板上的所述至少一熱接點。
如申請專利範圍第1項所述的探針卡，更包括：絕熱膠，至少包覆所述導熱絕緣體。
如申請專利範圍第1項所述的探針卡，其中：所述至少一溫度感測裝置為多個溫度感測裝置；所述至少一熱接點為多個熱接點；所述多個溫度感測裝置的經由對應的所述多個熱接點的熱耦接於對應的所述多個探針；且所述多個熱接點彼此電性分離。
一種晶圓檢測設備，適用對晶圓進行裸晶測試，所述晶圓檢測設備包括：晶圓夾盤，具有支持表面，以適於支持所述晶圓；溫控裝置，熱耦接於所述晶圓夾盤；溫度傳感器，熱耦接於所述晶圓夾盤；如申請專利範圍第1項所述的探針卡；以及控制單元，電性連接於所述溫控裝置、所述溫度傳感器及所述探針卡。
如申請專利範圍第4項所述的晶圓檢測設備，其中所述溫控裝置包括加熱單元及冷卻單元。
如申請專利範圍第5項所述的晶圓檢測設備，其中所述冷卻單元包括冷卻管及冷卻器，所述冷卻管埋設於所述晶圓夾盤內且與所述冷卻器連通。
一種裸晶測試流程，包括：提供如申請專利範圍第4項所述的晶圓檢測設備；放置所述晶圓於所述晶圓夾盤的所述支持表面上，其中所述晶圓包括多個測試墊；以及使所述探針卡的所述多個探針接觸對應的所述多個測試墊，以對所述晶圓夾盤上的所述晶圓進行電路檢測。
如申請專利範圍第7項所述的裸晶測試流程，更包括：藉由所述溫控裝置對所述晶圓夾盤上的所述晶圓進行溫度控制。
如申請專利範圍第8項所述的裸晶測試流程，其中對所述晶圓夾盤上的所述晶圓進行溫度控制的步驟包括：藉由所述探針卡的所述至少一溫度感測裝置或所述溫度傳感器量測所述晶圓夾盤上的所述晶圓的溫度，以使所述控制單元藉由所述溫控裝置對所述晶圓夾盤上的所述晶圓進行溫度控制。
如申請專利範圍第9項所述的裸晶測試流程，其中：若對所述晶圓夾盤上的所述晶圓進行電路檢測，則至少藉由所述探針卡的所述至少一溫度感測裝置量測所述晶圓夾盤上的所述晶圓的溫度；且若未對所述晶圓夾盤上的所述晶圓進行電路檢測，則至少藉由所述溫度傳感器量測所述晶圓夾盤上的所述晶圓的溫度。