JPS58139388A - 低温度コントロ−ラ付バブルメモリ装置 - Google Patents
低温度コントロ−ラ付バブルメモリ装置Info
- Publication number
- JPS58139388A JPS58139388A JP57020594A JP2059482A JPS58139388A JP S58139388 A JPS58139388 A JP S58139388A JP 57020594 A JP57020594 A JP 57020594A JP 2059482 A JP2059482 A JP 2059482A JP S58139388 A JPS58139388 A JP S58139388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- bubble memory
- memory device
- bubble
- operating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/085—Generating magnetic fields therefor, e.g. uniform magnetic field for magnetic domain stabilisation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、低温度の使用範囲を広くするようにし九低
温度コントローラ付バブルメモリ装置に関する。
温度コントローラ付バブルメモリ装置に関する。
範囲が制約されていた。バブルメモリデバイスの使用温
度範囲は、低温側は非動作時すなわち自己発熱がなしで
規定され、高温側は１００Ｘ動作時すなわち自己発熱が
最高で規定されている。
度範囲は、低温側は非動作時すなわち自己発熱がなしで
規定され、高温側は１００Ｘ動作時すなわち自己発熱が
最高で規定されている。
従来のバブルメモリ装置は、バブルメモリデバイスの温
度を検知しないで、フントロールしていたため、バブル
メモリデバイスの発熱分を利用できないと言う欠点があ
った。
度を検知しないで、フントロールしていたため、バブル
メモリデバイスの発熱分を利用できないと言う欠点があ
った。
この発明紘、上記従来の欠点を除去するためＫなされた
もので、所定温度以下になるとバブルメモリデバイスを
動作させ、自己発熱により自動的に動作温度をコントロ
ールすることＫより、所定の周囲温度よ〕低いときで４
動作でき、低温度の使用範囲を広くできる低温度コント
筒−ル付バブルメモリ装置を提供することを目的とする
。
もので、所定温度以下になるとバブルメモリデバイスを
動作させ、自己発熱により自動的に動作温度をコントロ
ールすることＫより、所定の周囲温度よ〕低いときで４
動作でき、低温度の使用範囲を広くできる低温度コント
筒−ル付バブルメモリ装置を提供することを目的とする
。
以下この発明の低温度コントロール付バブルメモリ装置
の実施例を図について説明する。第１図はその一実施例
の構成を示すブロック図である。
の実施例を図について説明する。第１図はその一実施例
の構成を示すブロック図である。
この第１図において、ｌはバブルメモリデバイス、２は
バブルメモリデバイス１に電流を流すコイルドライバ、
３は装置を制御するシステムコントロ−ラ、４は温度を
検知するサーミスタ、５は検知した電圧と所定の値とを
比較する電圧コンパレータである。
バブルメモリデバイス１に電流を流すコイルドライバ、
３は装置を制御するシステムコントロ−ラ、４は温度を
検知するサーミスタ、５は検知した電圧と所定の値とを
比較する電圧コンパレータである。
サーミスタ４で検出した検出温度に相当する電圧と所定
の設定温度に相当する電圧は電圧コンパレータ５で比較
され、その出力に応じてシステムコントローラ３はコイ
ルドライバ２を制御するようになっているうすなわち、
検出温度が所定以下の場合にはシステムコントローラ３
はコイルドライバ２に対して、コイル電流だけを流すよ
うに制御し、検出温度が所定以上になると、バブルメモ
リデバイスｌにバブルメモリ動作を行わせるようにシス
テムコントローラ３はコイルドライバ２を制御するよう
になっている。
の設定温度に相当する電圧は電圧コンパレータ５で比較
され、その出力に応じてシステムコントローラ３はコイ
ルドライバ２を制御するようになっているうすなわち、
検出温度が所定以下の場合にはシステムコントローラ３
はコイルドライバ２に対して、コイル電流だけを流すよ
うに制御し、検出温度が所定以上になると、バブルメモ
リデバイスｌにバブルメモリ動作を行わせるようにシス
テムコントローラ３はコイルドライバ２を制御するよう
になっている。
なお、上記サーミスタ４はバブルメモリデバイス１の表
面温度を測定している。パズルメモリデバイスｌを動作
率１００％で動作させた場合のデバイス温度上昇の具合
を第２図に示す。この第２図は横軸に時間をとシ、縦軸
にデバイス温度上昇管とって示したものである。
面温度を測定している。パズルメモリデバイスｌを動作
率１００％で動作させた場合のデバイス温度上昇の具合
を第２図に示す。この第２図は横軸に時間をとシ、縦軸
にデバイス温度上昇管とって示したものである。
また、第３図はこの発明の低温度コントローラ付バブル
メモリ装置の動作状態図であシ、横軸にバブルメモリデ
バイスｌのアイドル区間と動作駆動をと夛、縦軸にデバ
イス表面温度をとって示したものである。なお、図中の
６はバブルメモリデバイスｌの動作温度範囲の下限を示
している。
メモリ装置の動作状態図であシ、横軸にバブルメモリデ
バイスｌのアイドル区間と動作駆動をと夛、縦軸にデバ
イス表面温度をとって示したものである。なお、図中の
６はバブルメモリデバイスｌの動作温度範囲の下限を示
している。
いま、周囲温度がバブルメモリデバイスｌの動作温度範
囲より低い場合、バブルメモリデバイスｌを動作させず
、アイドリンクのためにコイル電流だけを動作率１００
％で流す。コイル電流を流すとパブ〉メモリデバイス１
は自己発熱してくる。
囲より低い場合、バブルメモリデバイスｌを動作させず
、アイドリンクのためにコイル電流だけを動作率１００
％で流す。コイル電流を流すとパブ〉メモリデバイス１
は自己発熱してくる。
このバブルメモリデバイスｌの温度はサーミスタ４で検
知し、バブルメモリデバイス１が動作温度範囲になると
、バブルメモリ動作を実行する。
知し、バブルメモリデバイス１が動作温度範囲になると
、バブルメモリ動作を実行する。
また、バブルメモリ動作しているときは動作率は一定で
ないので、再びバブルメモリデバイス１の温度が下降し
、動作温度範囲よシ低くなると、／（７’ ／Ｉ／メそ
り動作を中止して、アイドリングのた ′めにコイル電
流だけを動作率１００％で流す。このようＫすることに
よル、所定以下の低温でもバブルメモリデバイス１を動
作させることができ、低温度の使用範囲を広くすること
ができる。
ないので、再びバブルメモリデバイス１の温度が下降し
、動作温度範囲よシ低くなると、／（７’ ／Ｉ／メそ
り動作を中止して、アイドリングのた ′めにコイル電
流だけを動作率１００％で流す。このようＫすることに
よル、所定以下の低温でもバブルメモリデバイス１を動
作させることができ、低温度の使用範囲を広くすること
ができる。
なお、上記実施例では温度検知にサーミスタ４と電圧コ
ンパレータ５を使用したが、サーモスタットなど他の方
式を用いてもよい。
ンパレータ５を使用したが、サーモスタットなど他の方
式を用いてもよい。
以上のように１この発明の低温度コントローラ付バブル
メモリ装置によれば、バブルメモリデバイスの表面温度
を検知して、所定動作範囲以下のときアイドリンクの自
己発熱によシ温度を上昇させ、動作温度範囲になってか
らバブルメモリ動作をするように構成したので、低温度
に耐えうるバブルメモリ装置を安価にできる効果がある
。
メモリ装置によれば、バブルメモリデバイスの表面温度
を検知して、所定動作範囲以下のときアイドリンクの自
己発熱によシ温度を上昇させ、動作温度範囲になってか
らバブルメモリ動作をするように構成したので、低温度
に耐えうるバブルメモリ装置を安価にできる効果がある
。
第１図はこの発明の低温度コン）０−ル付バブルメモリ
装置の一実施例の構成を示すブロック図、第２図は同上
低温度コントローラ付バブルメモリ装置におけるバブル
メモリデバイス温度上昇図、第３図は同上低温度コント
ローラ付バブルメモリ装置の動作状態図である。 ｌ°°°バブルメモリデバイス、２・・・コイルドライ
バ、３・・・システムコントローラ、４川サーミスタ。 ５・・・電圧コンパレータ。 代理人 葛 野 信 −
装置の一実施例の構成を示すブロック図、第２図は同上
低温度コントローラ付バブルメモリ装置におけるバブル
メモリデバイス温度上昇図、第３図は同上低温度コント
ローラ付バブルメモリ装置の動作状態図である。 ｌ°°°バブルメモリデバイス、２・・・コイルドライ
バ、３・・・システムコントローラ、４川サーミスタ。 ５・・・電圧コンパレータ。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- パズルメモリデバイス、このバブルメモリデバイスの温
度を検知する手段、この手段で検知されたバブルメモリ
デバイスの温度が所定以下のとき上記バブルメモリを動
作させないでアイドリンクのためにコイル電流だけを流
してバブルメモリデバイスを自己発熱させバブルメモリ
デバイスが所定温度に達する′とこのバブルメモリデバ
イスにバブルメモリ動作をさせる手段を備えてなる低温
度コントローラ付バブルメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020594A JPS58139388A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 低温度コントロ−ラ付バブルメモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57020594A JPS58139388A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 低温度コントロ−ラ付バブルメモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139388A true JPS58139388A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12031578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57020594A Pending JPS58139388A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 低温度コントロ−ラ付バブルメモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139388A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6157094A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
| JPS6229700U (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-23 | ||
| JPS62243192A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Nec Corp | ヒ−タつき磁気バブルメモリの実装構造 |
| CN107946290A (zh) * | 2016-10-13 | 2018-04-20 | 格芯公司 | 用于高带宽内存应用的中介层加热器 |
-
1982
- 1982-02-10 JP JP57020594A patent/JPS58139388A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6157094A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ装置 |
| JPS6229700U (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-23 | ||
| JPS62243192A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Nec Corp | ヒ−タつき磁気バブルメモリの実装構造 |
| CN107946290A (zh) * | 2016-10-13 | 2018-04-20 | 格芯公司 | 用于高带宽内存应用的中介层加热器 |
| CN107946290B (zh) * | 2016-10-13 | 2021-07-09 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 | 用于高带宽内存应用的中介层加热器 |
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