JPS5853730A - 熱検知回路 - Google Patents

熱検知回路

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Publication number
JPS5853730A
JPS5853730A JP15165581A JP15165581A JPS5853730A JP S5853730 A JPS5853730 A JP S5853730A JP 15165581 A JP15165581 A JP 15165581A JP 15165581 A JP15165581 A JP 15165581A JP S5853730 A JPS5853730 A JP S5853730A
Authority
JP
Japan
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temperature
transistor
heat
heating part
power
Prior art date
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Pending
Application number
JP15165581A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Hizaki
桧崎 浩
Tetsuo Nishio
西尾 哲郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5853730A publication Critical patent/JPS5853730A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K3/00Thermometers giving results other than momentary value of temperature
    • G01K3/005Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K3/00Thermometers giving results other than momentary value of temperature
    • G01K3/08Thermometers giving results other than momentary value of temperature giving differences of values; giving differentiated values
    • G01K3/14Thermometers giving results other than momentary value of temperature giving differences of values; giving differentiated values in respect of space

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に半導体素子の接合温度を検知する熱検知
回路に関するものである。
この種の熱検知回路は、例えば電力増幅用集積回路(以
下、パワーICという)に使用されて、最も発熱するパ
ワートランジスタの熱による接合破壊を防止するために
利用されている。この場合、パワートランジスタ自身を
熱検出素子として使用するなら問題ないが、通常、パワ
ートランジスタの近くに熱検出素子を設置てパワートラ
yジスタO接合温度を検知している。この場合、以下に
示すような不部会が生じる。すなわち5発熱部はパワー
トランジスタであ如、熱検出素子は近接して設けられた
トランジスタとし、そして熱検出素子0111141性
としてトランジスタのペース・工々ツI間電圧1冨を使
用すゐと、発熱部のパワートランジスタの近くに熱検出
素子のトランジスタを設置し%このトランジスタが設定
温度に遣した時に熱検知回路が動作するような構造をと
石0例えば、第1IIOように、熱検出トランジスタ9
0ベースKI/II準電圧10を印加しておくと、その
=レクタ電流はベース・エミッタ間電圧の温度変化に応
じて変化すゐ、その変化を熱検知出力8として取9出す
、ペースーエζツタ間電圧Vmmは負の温度係数をもっ
ているOで温度上昇により−レクタ電流は減少する。こ
れを利用して、パワートランジスタのある接合温1[K
対応するトランジスタ5oya舎温度での;レタタ電流
により、飼えばパワートランジスタへの供給信号を層断
して保−するものである、ところが、熱検知トランジス
タ9が定められ大温度に達した時KBsパワートランジ
スタの温度がかなシの高温になりてしまうことがある。
さらに、瞬時的身過大入力による過渡電力の大きさKよ
りて、検出時間及び熱検出素子のトランジスタ9の出力
反転温度が変化する。さらに又、熱検出素子のトランジ
スタ9の位置によってもその出力反転温度が変化する。
このように1従来OwA内の温度勾配を検出することK
よ〕、上記の欠点を解消し、発熱部の温度が設定温度に
達した時に確実に検知回路を動作させる仁とのできる熱
検知回路を提供するものである。
以下、本発明を図面に基lいて詳細に説明する。
前記と同じくパワーICを例とすると、1例として発熱
部は最も発熱するパワートランジスタ、熱検出素子をト
ランジスタ、熱検出素子の温度特性としてVmmを使用
すると、第1図に示すように、発熱部であるパワートラ
ンジスタ近くの温度を検出するトランジスタ3と発熱部
であるパワートランジスタから離れた点の温度を検出す
るトランジスタ4とで各々のその位置における温度を検
知する。トランジスタ3% 4の工電ツタは共通接続さ
れて定電流源7に接続されている。夫々のベースには基
準電圧5.6が供給され、夫々の=レクタには負荷抵抗
が接続されている。それらの電圧差は比較器1で比較さ
れ、その比較結果が熱検知出力2として取〕出される。
この構成は、トランジスタ3.4のVu tD差を検出
するものであLすなわち、2箇所の温度勾配(温度差)
が得られる。ある温度勾配を発熱部であるパワートラン
ジスタの規定ジャンクシ冒ン温度として対応させて熱検
知回路を動作させるように設定されている。
従って、負荷短絡や故障等による発熱時に発熱部である
パワートランジスタのジャンクシーン温度が設定温度以
上に上昇したことを検知する。又、熱検出出力2は温度
勾配を検出している為、過渡電力O大きさに左右されず
、熱検出部の位置にも影響を受は表い。又、半導体装置
内の素子なので特性がそろう為動作温度が安定である等
の効果がある。尚1本実施例ではトランジスタにより熱
検知素子を用い九が、温度係数を有する他の素子、例え
ば抵抗子定電圧ダイオードを用いてもよく、パワーIC
E限られるものでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従来
例を示す回路図である。 l・・・・・・コンパレータ 2111111 @11
−熱検出出力、3゜4・・・・・・熱検出トランジスタ
、ト・・・・・基準電源Vr*。 6・・・・・・基準電源Vrm、?−・・・・・定電流
源、8・・・−・熱検出出力、9・・・・・・熱検出ト
ランジスタ、10−−−−−基準電源Vr。 茅l圀 峯2面

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 検知すべき部分の温度を、その近辺の少なくとも2個所
    の温度勾配に対応させて検知することを特徴とする熱検
    知回路。
JP15165581A 1981-09-25 1981-09-25 熱検知回路 Pending JPS5853730A (ja)

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