JP2017168487A

JP2017168487A - 半導体装置

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Publication number: JP2017168487A
Application number: JP2016049352A
Authority: JP
Inventors: 真司川田; Shinji Kawada
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2016-03-14
Filing date: 2016-03-14
Publication date: 2017-09-21
Anticipated expiration: 2036-03-14
Also published as: JP6698388B2

Abstract

【課題】外部装置を用いることなく実装不良を検出することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、自己発熱素子（Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２）と、温度に応じて変化する所定の物理量を有する複数の温度検出素子（バイポーラトランジスタ）と、前記複数の温度検出素子それぞれの前記所定の物理量に基づいて実装不良の有無を判定する判定部１４とを備える。前記複数の温度検出素子には、前記自己発熱素子からの距離が互いに異なる第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子が含まれる。【選択図】図１

Description

本発明は、自己発熱素子を備える半導体装置に関する。

自己発熱素子を備える半導体装置には過熱保護回路が通常設けられている。過熱保護回路による保護の一形態として、半導体装置の実装不良が原因となって異常発熱が生じた際に過熱保護回路が保護をかけることがある。

特開平２−１２０４６号公報

しかしながら、半導体装置の実装不良がかなり進行しなければ過熱保護回路が保護をかける迄に至らない。すなわち、自己発熱素子を備える半導体装置に単に過熱保護回路を設けるだけでは、半導体装置の実装不良を早期に検出することができなかった。

また、過熱保護回路によって保護がかかったときに、半導体装置の実装不良が原因で保護がかかったのか、それとも他の原因で保護がかかったのかを判別することもできなかった。

なお、特許文献１で開示されている温度分布検査方法は、過熱保護回路によって保護がかかったか否かを判定基準とするのではなく、プリント基板の各部の発熱量を判定基準として、部品が実装されたプリント基板の良否判定を行っている。しかしながら、特許文献１で開示されている温度分布検査方法では、部品が実装されたプリント基板にとって外部装置となる赤外線ランプが必要であり、部品が実装されたプリント基板が電子機器等に組み込まれた後は検査を実施することができなかった。すなわち、特許文献１で開示されている温度分布検査方法は、部品が実装されたプリント基板の初期不良しか検出することができなかった。

本発明は、上記の状況に鑑み、外部装置を用いることなく実装不良を検出することができる半導体装置を提供することを目的とする。

本明細書中に開示されている半導体装置は、自己発熱素子と、温度に応じて変化する所定の物理量を有する複数の温度検出素子と、前記複数の温度検出素子それぞれの前記所定の物理量に基づいて実装不良の有無を判定する判定部とを備え、前記複数の温度検出素子には、前記自己発熱素子からの距離が互いに異なる第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子が含まれる構成（第１の構成）である。

また上記第１の構成の半導体装置において、前記判定部は、前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第２の温度検出素子の前記所定の物理量との差に少なくとも基づいて実装不良の有無を判定する構成（第２の構成）にしてもよい。

また上記第２の構成の半導体装置において、前記複数の温度検出素子には、前記自己発熱素子からの距離が前記第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子よりも長い第３の温度検出素子が含まれ、前記判定部は、前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第２の温度検出素子の前記所定の物理量との差及び前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第３の温度検出素子の前記所定の物理量との差に少なくとも基づいて実装不良の有無を判定する構成（第３の構成）にしてもよい。

また上記第１〜第３いずれかの構成の半導体装置において、前記第１の温度検出素子は前記自己発熱素子の近傍に配置される構成（第４の構成）にしてもよい。

また上記第１〜第４いずれかの構成の半導体装置において、前記自己発熱素子、前記複数の温度検出素子、及び前記判定部が集積化されている半導体集積回路装置である構成（第５の構成）にしてもよい。

また上記第第５の構成の半導体装置において、前記自己発熱素子、前記複数の温度検出素子、及び前記判定部が同一の半導体チップに集積化されている構成（第６の構成）にしてもよい。

また上記第第５または第６の構成の半導体装置において、プリント回路基板に実装されて使用される構成（第７の構成）にしてもよい。

また上記第１〜第７いずれかの構成の半導体装置において、前記複数の温度検出素子それぞれはバイポーラトランジスタであり、前記所定の物理量は前記バイポーラトランジスタの順方向電圧である構成（第８の構成）にしてもよい。

また上記第１〜第８いずれかの構成の半導体装置において、電源装置の一部又は全部を搭載し、前記自己発熱素子が前記電源装置のパワー素子である構成（第９の構成）にしてもよい。

本明細書中に開示されている車両は、上記第９の構成の半導体装置を有する電源装置と、前記電源装置から供給される電力を消費する負荷とを備える構成（第１０の構成）である。

本明細書中に開示されている半導体装置によれば、外部装置を用いることなく実装不良を検出することができる。

スイッチング電源装置の一構成例を示す図判定回路の一構成例を示す図電源ＩＣ及びディスクリート素子の実装例を示す図複数のバイポーラトランジスタの配置例を示す図実装が良好である場合における半導体チップの温度分布を示す図実装が不良である場合における半導体チップの温度分布を示す図複数のバイポーラトランジスタの他の配置例を示す図車載機器を搭載した車両の一構成例を示す外観図

＜スイッチング電源装置＞
図１は、半導体装置の一例であるスイッチング電源装置の一構成例を示す図である。本構成例のスイッチング電源装置１００は、電源ＩＣ１０１と、その外部に各々ディスクリート素子として設けられるコンデンサＣ_IN、発振周波数設定用の抵抗Ｒ_RT、発振周波数設定用のコンデンサＣ_RT、ショットキーバリアダイオードであるダイオードＤ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ_OUT、抵抗Ｒ１、及び抵抗Ｒ２を備える。

また、電源ＩＣ１０１は外部端子Ｔ１〜Ｔ７を有する。外部端子Ｔ１及びＴ２にはコンデンサＣ_INの一端が接続される。コンデンサＣ_INの他端は接地される。外部端子Ｔ３からは判定回路１４によって生成される実装不良検出信号が出力される。外部端子Ｔ４には抵抗Ｒ_RT及びコンデンサＣ_RTの各一端が接続される。抵抗Ｒ_RT及びコンデンサＣ_RTの各他端が接続される。外部端子Ｔ５にはダイオードＤ１のカソード及びインダクタＬ１の一端が接続される。ダイオードＤ１のアノードは接地される。インダクタＬ１の他端はコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ１の各一端に接続される。コンデンサＣ１の他端は接地され、抵抗Ｒ１の他端は抵抗Ｒ２を介して接地される。外部端子Ｔ６には、出力電圧Ｖ_OUTが抵抗Ｒ１及びＲ２によって分圧されて生成される帰還電圧Ｖ_FBが印加される。外部端子Ｔ７は接地される。

続いて、電源ＩＣ１０１の内部構成について説明する。電源ＩＣ１０１は、基準電圧生成回路１と、定電圧生成回路２と、エラーアンプ３と、発振回路４と、スロープ電圧生成回路５と、合成部６と、電流検出部７と、コンパレータ８と、ＲＳフリップフロップ９と、ドライバ１０と、過熱保護回路１１と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２と、複数のバイポーラトランジスタ１３と、判定回路１４とを集積化したシリコンモノリシック半導体集積回路である。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２は、パワー素子であるため自己発熱素子である。また、バイポーラトランジスタ１３のベース−エミッタ間順方向電圧Ｖｆは負の温度特性を有している。

基準電圧生成回路１は外部端子Ｔ１に印加される入力電圧Ｖ_INから基準電圧Ｖ_REFを生成し、定電圧生成回路２は外部端子Ｔ１に印加される入力電圧Ｖ_INから定電圧Ｖ_REGを生成する。基準電圧Ｖ_REFはエラーアンプ３等で用いられる。定電圧Ｖ_REGは電源ＩＣ１０１の内部電源電圧として電源ＩＣ１０１内の各回路で用いられる。また、電源ＩＣ１０１内の各回路は外部端子Ｔ７に接続される。

エラーアンプ３は、帰還電圧Ｖ_FBと基準電圧Ｖ_REFとの差分に応じた誤差信号を生成する。発振器４は抵抗Ｒ_RTの抵抗値及びコンデンサＣ_RTの容量から定まる所定周波数のクロック信号を生成する。スロープ電圧生成回路５は、発振器４から出力されるクロック信号に基づいて鋸波信号であるスロープ電圧を生成する。合成部６は、スロープ電圧と、電流検出部７によって検出されたインダクタＬ１の電流情報とを合成した合成鋸波信号を生成する。

コンパレータ８は、誤差信号と合成鋸波信号とを比較して比較信号であるリセット信号を生成する。スロープ電圧生成回路５によって生成されるスロープ電圧が固定周期であるため、リセット信号はＰＷＭ(Pulse Width Modulation)信号となる。

ＲＳフリップフロップ９のセット端子（Ｓ）には、発振回路４から出力されるクロック信号が供給される。ＲＳフリップフロップ９のリセット端子（Ｒ）には、コンパレータ８から出力されるリセット信号が供給される。ＲＳフリップフロップ９は、リセット端子とセット端子への入力に応じてＱ端子からＰＷＭ信号を出力する。

ドライバ１０は、ＲＳフリップフロップ９から出力されるＰＷＭ信号に応じてゲート信号を生成し、これをＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２に供給することで、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２をスイッチング制御する。

過熱保護回路１１は、電源ＩＣ１０１の過熱保護用温度検出位置の温度が閾値（例えば１７５℃）以上になると、ドライバ１０の動作を停止させ、ＲＳフリップフロップ９から出力されるＰＷＭ信号にかかわらずＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２をオフ状態にする。

複数のバイポーラトランジスタ１３はそれぞれ判定回路１４に接続される。判定回路１４は、図２に示す通り、複数のバイポーラトランジスタ１３それぞれを駆動させる駆動部１４１と、複数のバイポーラトランジスタ１３それぞれの順方向電圧Ｖｆを検出する検出部１４２と、検出部１４２によって検出された複数のバイポーラトランジスタ１３それぞれの順方向電圧Ｖｆ（アナログデータ）をデジタルデータに変換して出力するＡ／Ｄ変換器１４３と、Ａ／Ｄ変換器１４３に基づいて実装不良検出信号を生成する信号生成部１４４とを備える。

図３は、電源ＩＣ１０１及びディスクリート素子のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装例を示す概略上面図である。なお、図３においてプリント回路基板ＰＣＢ１のプリント配線の図示は省略している。電源ＩＣ１０１は例えばＳＯＰ（Small Outline Package）の形態で半導体パッケージ１０２に収容される。半導体パッケージ１０２の外部ピン端子Ｐ１〜Ｐ７はそれぞれ半導体パッケージ１０２内で電源ＩＣ１０１の外部端子Ｔ１〜Ｔ７に接続される。

外部ピンＰ４、Ｐ５、及びＰ７は半導体パッケージ１０２の底部の第１辺ＳＤ１に設けられ、外部ピンＰ１〜Ｐ３及びＰ６は半導体パッケージ１０２の底部の第２辺ＳＤ２に設けられる。第１辺ＳＤ１と第２辺ＳＤ２とは互いに対向している。コンデンサＣ_RT、抵抗Ｒ_RT、ダイオードＤ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ_OUT、抵抗Ｒ１、及び抵抗Ｒ２は、第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２の線対称の中心線ＬＮ１よりも第１辺ＳＤ１側に配置される。コンデンサＣ_INは、第１辺ＳＤ１及び第２辺ＳＤ２の線対称の中心線ＬＮ１よりも第２辺ＳＤ２側に配置される。

スイッチング電源装置１００では、製造時の作業不良のみならず使用開始後の経時劣化によっても電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良になることがある。なお、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である形態としては、電源ＩＣ１０１と外部ピン端子Ｐ１〜Ｐ７とのワイヤを介した接続が不良になる形態、外部ピン端子Ｐ１〜Ｐ７とプリント回路基板ＰＣＢ１との半田を介した接続が不良になる形態などがある。

図４に示すように本構成例では、電源ＩＣ１０１が形成されている半導体チップＣＰ１に、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１である２個のバイポーラトランジスタ１３と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ２（＞Ｌ２）である３個のバイポーラトランジスタ１３と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ３（＞Ｌ２）である４個のバイポーラトランジスタ１３とが形成されている。このようなバイポーラトランジスタ１３の配置により、判定回路１４は、複数のバイポーラトランジスタ１３それぞれの順方向電圧Ｖｆに基づいて、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であるか否かを判定することができる。

電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が良好である場合、スイッチング電源装置が正常な出力電流状態で動作している最中の半導体チップＣＰ１は図５に示す温度分布となる。図５中の領域ＲＧ１は１４７℃以上１５０℃未満の領域であり、図５中の領域ＲＧ２は１４４℃以上１４７℃未満の領域であり、図５中の領域ＲＧ３は１４１℃以上１４４℃未満の領域である。電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が良好である場合は、半導体チップＣＰ１における熱伝達がスムーズであるため、図５のように半導体チップＣＰ１内の温度勾配が小さくなる。

一方、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である場合、スイッチング電源装置が正常な出力電流状態で動作している最中の半導体チップＣＰ１は図６に示す温度分布となる。図６中の領域ＲＧ４は１４１℃以上１５０℃未満の領域であり、図６中の領域ＲＧ５は１３２℃以上１４１℃未満の領域であり、図６中の領域ＲＧ６は１２９℃以上１３２℃未満の領域であり、図６中の領域ＲＧ７は１２６℃以上１２９℃未満の領域である。電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である場合は、半導体チップＣＰ１における熱伝達がスムーズでないため、図６のように半導体チップＣＰ１内の温度勾配が大きくなる。

そのため、判定回路１４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧Ｖｆの代表値と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ２であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧Ｖｆの代表値との差が第１の所定値よりも大きい場合に、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であると判定する。また、判定回路１４は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧Ｖｆの代表値と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ３であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧Ｖｆの代表値との差が第２の所定値よりも大きい場合に、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であると判定する。第１の所定値と第２の所定値は同一の値であってもよく互いに異なる値であってもよい。また、各代表値は、対応する複数の順方向電圧Ｖｆの例えば平均値、最大値、最小値などのいずれであってもよい。

なお、図４に示すように本構成例では、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１である２個のバイポーラトランジスタ１３は、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の近傍に配置されている。これにより、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である場合、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧の代表値と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ２であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧の代表値との差が大きくなる。Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ１であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧の代表値と、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離がＬ３であるバイポーラトランジスタ１３の順方向電圧の代表値との差も同様に大きくなる。したがって、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良である場合に、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であることを検出し易くなる。

また、９個のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の順方向電圧Ｖｆによって大まかに把握することができる半導体チップＣＰ１の温度分布パターンにより、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装がどのような不良のモードであるかを判定回路１４が判定するようにしてもよい。この場合、判定回路１４は、半導体チップＣＰ１の温度分布パターンと実装不良のモードとの対応関係を予め記憶しておくとよい。

また、例えば図７に示すように、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ１２の中心からの距離が互いに異なる２個のバイポーラトランジスタ１３を設けるだけでも、判定回路１４は、２個のバイポーラトランジスタ１３それぞれの順方向電圧Ｖｆに基づいて、電源ＩＣ１０１のプリント回路基板ＰＣＢ１への実装が不良であるか否かを判定することができる。

半導体装置である電源ＩＣ１０１は、上記のようなバイポーラトランジスタ１３及び判定回路１４を備えるので、外部装置を用いることなく実装不良を検出することができる。また、判定回路１４は、熱保護回路１１による保護がかからないような程度の実装不良であっても検出が可能であり、外部端子Ｔ３から実装不良検出信号を出力することで実装不良を早期に外部に知らせることができる。これにより、過熱に至らない実装不良の初期段階で半導体装置の実装に関する点検或いは修理を使用者等に促すことができ、半導体装置の安全性が向上する。

＜用途＞
次に、先に説明したスイッチング電源装置の用途例について説明する。図８は、車載機器を搭載した車両の一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Ｘは、バッテリ（不図示）と、バッテリから供給される直流電圧Ｖ_INを入力するスイッチング電源装置（不図示）と、車載機器Ｘ１１〜Ｘ１７と、を搭載している。

車載機器Ｘ１１〜Ｘ１７はそれぞれスイッチング電源装置の出力電圧及び当該スイッチング電源装置の出力電圧を更に電圧変換して得られる電圧のいずれかを電源電圧として用いる。

車載機器Ｘ１１は、エンジンに関連する制御（インジェクション制御、電子スロットル制御、アイドリング制御、酸素センサヒータ制御、及び、オートクルーズ制御など）を行うエンジンコントロールユニットである。

車載機器Ｘ１２は、ＨＩＤ［high intensity discharged lamp］やＤＲＬ［daytime running lamp］などの点消灯制御を行うランプコントロールユニットである。

車載機器Ｘ１３は、トランスミッションに関連する制御を行うトランスミッションコントロールユニットである。

車載機器Ｘ１４は、車両Ｘの運動に関連する制御（ＡＢＳ［anti-lock brake system］制御、ＥＰＳ［electric power Steering］制御、電子サスペンション制御など）を行うボディコントロールユニットである。

車載機器Ｘ１５は、ドアロックや防犯アラームなどの駆動制御を行うセキュリティコントロールユニットである。

車載機器Ｘ１６は、ワイパー、電動ドアミラー、パワーウィンドウ、電動サンルーフ、電動シート、及び、エアコンなど、標準装備品やメーカーオプション品として、工場出荷段階で車両Ｘに組み込まれている電子機器である。

車載機器Ｘ１７は、車載Ａ／Ｖ［audio/visual］機器、カーナビゲーションシステム、及び、ＥＴＣ［Electronic Toll Collection System］など、ユーザの任意で車両Ｘに装着される電子機器である。

＜その他の変形例＞
なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。

上述した実施形態では、半導体装置は電源ＩＣ１０１すなわち電源用の半導体集積回路装置であったが、半導体装置は半導体集積回路装置でなくてもよい。つまり半導体装置は、ダイオード、トランジスタ等のディスクリート半導体素子を備える装置であってもよい。しかしながら、半導体集積回路装置であれば、サイズが小さく且つパッケージされているので、半導体装置外部の熱源或いは冷却源が半導体装置の温度勾配に与える影響が小さくなる。したがって、半導体装置は半導体集積回路装置であることが好ましい。

また上述した実施形態では、スイッチング電源装置の一部を搭載した半導体装置を例に挙げて説明したが、スイッチング電源装置の全部を搭載した半導体装置、シリーズレギュレータの一部を搭載した半導体装置、シリーズレギュレータの全部を搭載した半導体装置であってもよい。また、電源用の半導体装置に限らず、自己発熱素子を備える半導体装置であればよい。

また上述した実施形態では、自己発熱素子を一つだけ有する半導体装置を例に挙げて説明したが、自己発熱素子を複数有する半導体装置であってもよい。

また上述した実施形態では、温度に応じて変化する所定の物理量を有する温度検出素子としてバイポーラトランジスタを用いたが、例えばバイポーラトランジスタの代わりに抵抗を用い、当該抵抗の正の温度特性を有する抵抗値に基づいて判定部が実装不良の有無を判定するようにしてもよい。

このように、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。

本発明は、あらゆる分野（家電分野、自動車分野、産業機械分野など）で用いられる半導体装置に利用することが可能である。

１基準電圧生成回路
２定電圧生成回路
３エラーアンプ
４発振回路
５スロープ電圧生成回路
６合成部
７電流検出部
８コンパレータ
９ＲＳフリップフロップ
１０ドライバ
１１過熱保護回路
１２Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ
１３バイポーラトランジスタ
１４判定回路
１００スイッチング電源装置
１０１電源ＩＣ
１０２半導体パッケージ
１４１駆動部
１４２検出部
１４３Ａ／Ｄ変換器
１４４信号生成部
Ｃ_IN、Ｃ_OUT、Ｃ_RT コンデンサ
ＣＰ１半導体チップ
Ｄ１ダイオード
Ｌ１インダクタ
Ｐ１〜Ｐ７外部ピン端子
ＰＣＢ１プリント回路基板
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ_RT 抵抗
Ｔ１〜Ｔ７外部端子
Ｘ車両
Ｘ１１〜Ｘ１７車載機器

Claims

自己発熱素子と、
温度に応じて変化する所定の物理量を有する複数の温度検出素子と、
前記複数の温度検出素子それぞれの前記所定の物理量に基づいて実装不良の有無を判定する判定部とを備え、
前記複数の温度検出素子には、前記自己発熱素子からの距離が互いに異なる第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子が含まれることを特徴とする半導体装置。
前記判定部は、前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第２の温度検出素子の前記所定の物理量との差に少なくとも基づいて実装不良の有無を判定する請求項１に記載の半導体装置。
前記複数の温度検出素子には、前記自己発熱素子からの距離が前記第１の温度検出素子及び第２の温度検出素子よりも長い第３の温度検出素子が含まれ、
前記判定部は、前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第２の温度検出素子の前記所定の物理量との差及び前記第１の温度検出素子の前記所定の物理量と前記第３の温度検出素子の前記所定の物理量との差に少なくとも基づいて実装不良の有無を判定する請求項２に記載の半導体装置。
前記第１の温度検出素子は前記自己発熱素子の近傍に配置される請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記自己発熱素子、前記複数の温度検出素子、及び前記判定部が集積化されている半導体集積回路装置である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記自己発熱素子、前記複数の温度検出素子、及び前記判定部が同一の半導体チップに集積化されている請求項５に記載の半導体装置。
プリント回路基板に実装されて使用される請求項５または請求項６に記載の半導体装置。
前記複数の温度検出素子それぞれはバイポーラトランジスタであり、
前記所定の物理量は前記バイポーラトランジスタの順方向電圧である請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
電源装置の一部又は全部を搭載し、
前記自己発熱素子が前記電源装置のパワー素子である請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
請求項９に記載の半導体装置を有する電源装置と、
前記電源装置から供給される電力を消費する負荷とを備えることを特徴とする車両。