TW201806196A - 在組裝模組中填充有機或無機液體的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明描述了一種將可流動材料填充到半導體組件模組之間隙區域中的方法。在一個實施例中，在基板上形成複數半導體單元以產生陣列模組；陣列模組附接到一背板，該背板具有形成半導體組件模組的電路，其中在半導體組件模組內部形成複數個間隙區域，並且間隙區域邊緣形成環繞在組件模組的邊緣；藉由執行高作用壓力環境讓可流動材料強制在間隙區域內，然後固化成穩定的固體以形成牢固結構。通過使用一基板去除程序去除基板來形成半導體轉換模組。通過利用半導體轉換模組上的連接層形成半導體驅動模組。在一個實施例中，形成垂直發光二極體半導體驅動模組來點亮垂直LED陣列。在另一個實施例中，形成複數個顏色發射二極體半導體驅動模組以顯示彩色圖像。在另一個實施例中，形成具有複數個功能半導體驅動模組的複數個圖案的半導體單元，以提供多種功能用於期望應用。

Description

在組裝模組中填充有機或無機液體的方法
本申請案的請求項權力是2016年5月25日在35U.S.C §119(e)下提交的美國臨時申請No.62/341,296。其全部內容通過引用併入本文。
本發明係關於一種組裝模組中的間隙區域填充有機或無機液體的方法。
目前市面上存在許多已知的半導體基板去除技術。這些技術包括機械研磨去除(mechanical grinding removal)、刨床去除(planer removal)、化學濕蝕刻去除(chemical wet etching removal)以及雷射照射界面層去除(laser irradiation the interfacial layer for removal)。為了將半導體晶片陣列從其生長基板移除到另一個背板，保護半導體晶片陣列的方法是獲得高產量晶片陣列傳輸的關鍵。更具體地，對於微型LED顯示器，高效微型LED基板去除和轉移是獲得用於其應用的強健的微型LED陣列的關鍵。需要增強微型LED結構，並且可以被用以承受LED基板的物理力量的去除之增強結構。此外，微型LED應足夠堅固，以便轉移到任何其他任意背板或背板。更具體地，對於諸如有機發光二極體顯示器，譬如微型LED顯示器的微顯示技術。近來，用於可戴式電子設備的高分辨率的小尺寸顯示器越來越受歡迎，例如在頭戴顯示器、虛擬實境、增強實境、微型投影儀中的顯示器。 目前，大多數小尺寸高分辨率顯示器是由有機發光二極體製造的。有機發光二極體顯示器可用於許多可佩戴的電子顯示器，頭戴顯示器(HMD)，頭戴顯示器(HUD)、智能手錶顯示器、智能帶顯示器、虛擬實境(VR)，增強實境(AR)，微型投影機(pico-projector)和智能環顯示器。
本發明關於一種將有機或無機液體填充到半導體組件模組中的間隙區域中的方法。更具體地，半導體組件模組結構包含複數個半導體單元形成一陣列於一基板，並被組裝到具有電路的一背板。一有機或無機的液體材料被分配在組件模組的一邊緣上。本發明揭露了一種填充有機或無機的液體材料至半導體組件模組中的方法。本發明進一步揭露了一種形成半導體驅動模組的方法、一種形成VLED驅動模組的方法、一種形成全彩發光驅動模組的方法。本發明揭露了一種具有填充有機或無機的液體材料的半導體組件模組的結構，可以改善堅固性(robustness)。本發明進一步揭露一種半導體驅動模組的結構，一種全彩發光驅動模組的結構。
本發明的方法和結構可以用於不同應用領域中的任何合適的程序，例如半導體發光單元顯示器、半導體照明面板、半導體薄膜照明、觸控面板、發光二極體、固態照明、光通訊(lighting communication)、微機械系統、高功率元件、高壓元件、光連結(optical interconnection)、太陽能電池、電池、生物陣列感應器(bio array sensor)、智能顯示面板、智能光通訊、智能LED封裝、以及其他合適的半導體裝置。
在一個實施例中，一種填充有機或無機可流動材料的方法，其可以是液體材料進入半導體組件模組的間隙區域，包括：在基板12上形 成半導體單元11以形成陣列模組15；將陣列模組附接到具有電路的背板14形成半導體組件模組10，其中在半導體組件模組內部形成複數個間隙區域，並且間隙區域邊緣形成圍繞半導體組件模組的邊緣；在半導體組件模組的邊緣上分配有機或無機可流動材料16；將半導體組件模組加載到一壓縮室中；將一氣體引入壓縮室以在壓縮室內產生高壓環境；使用高內作用氣體壓力Pacting(氣體壓力Pacting是當可流動的材料被分配在半導體組件模組的邊緣上時，由壓縮室壓力Pchamber和間隙區域壓力Pgap的壓差產生)，以推進有機或無機可流動材料進入半導體組件模組的間隙區域；將壓縮室排氣到低於壓縮室壓力Pchamber的壓力，使半導體組件模組的間隙區域中產生空隙或氣隙17；通過施加熱或光子能量將有機或無機可流動材料交錯連結成部分固化(半固化)有機或無機材料；使用機械或化學方法去除基板側壁邊緣上的部分固化的有機或無機材料；藉由向半導體組件模組施加熱和時間，來使部分固化的有機或無機材料固化成穩定的固體來進行最終固化步驟。
在另一個實施例中，一種形成半導體驅動模組的方法包括：利用如雷射照射剝離(laser irradiation lift-off)、化學或電漿蝕刻(plasma etching)、或機械程序的基板去除程序，從半導體組件模組中去除基板來形成半導體轉換模組；在半導體轉換模組上製造電路連結以形成半導體驅動模組。
在另一個實施例中，一種形成垂直發光二極體(VLED)驅動模組的方法，包含複數個VLED單元形成在基板上以產生VLED陣列模組；將VLED陣列模組附接到背板以形成VLED半導體組件模組，其中VLED半導體組件模組內形成複數個間隙區域，間隙區域邊緣圍繞形成於VLED半 導體組件模組的邊緣；在VLED半導體組件模組的邊緣上分配有機或無機可流動材料；將VLED半導體組件模組裝載到壓縮室中；將氣體引入壓縮室使壓縮室內產生高壓環境；使用高內部作用氣體壓力Pacting，以推進有機或無機可流動材料進入VLED半導體組件模組的間隙區域；將壓縮室進行排氣至大氣壓力環境，使在VLED半導體組件模組的間隙區域中產生空隙或氣隙；通過施加熱或光子能量將有機或無機可流動材料交錯連結成部分固化(半固化)有機或無機材料；使用機械或化學方法去除基板側壁邊緣上的部分固化的有機或無機材料；通過向VLED半導體組件模組施加熱和時間來進行最終固化步驟，使部分固化的有機或無機材料固化成穩定的固體；通過使用如雷射照射剝離程序的基板去除程序，使VLED半導體組件模組中去除基板來形成VLED半導體轉換模組；在VLED半導體轉換模組的VLED單元上形成N型接觸金屬層和隔離層；在背板的陰極層和VLED半導體轉換模組的N型接觸金屬層上製造共陰極導電層，以連接以形成VLED半導體驅動模組。
在另一個實施例中，一種形成彩色發射二極體驅動模組的方法包括：複數個第一顏色LED單元形成在基板上以產生第一顏色LED陣列模組；複數個第二顏色LED單元形成在基板上以產生第二顏色LED陣列模組；複數個第三顏色LED單元形成在基板上以產生第三顏色LED陣列模組；將第一顏色LED陣列模組安裝在具有電路的背板上，以形成其中在第一顏色LED半導體組件模組，其中第一顏色LED半導體組件模組內部形成複數個間隙區域；分配有機或無機可流動材料並引入內部作用氣體壓力Pacting，推進有機或無機可流動材料進入複數個間隙區域；進行固化步驟係通過施加熱和時間來固化有機或無機材料以形成穩定的固體；利用基板去除程序去除第 一顏色LED陣列模組所屬的基板；去除有機或無機材料以形成第一顏色的LED半導體轉換模組；將第二顏色LED陣列模組安裝在第一顏色LED半導體轉換模組上，以形成第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組，且第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組內部形成複數個間隙區域；分配有機或無機可流動材料並引入內部作用氣體壓力Pacting，推進有機或無機可流動材料進入複數個間隙區域；通過施加熱和時間來固化有機或無機材料以形成穩定的固體來進行固化步驟；利用基板去除程序去除第二顏色LED陣列模組或所屬的基板；去除有機或無機材料以形成第二顏色-第一顏色的LED半導體轉換模組；將第三顏色LED陣列模組安裝在第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組上以形成第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組，其中在第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組內部形成複數個間隙區域；分配有機或無機可流動材料並引入內部作用氣體壓力Pacting，推進有機或無機可流動材料進入複數個間隙區域；通過施加熱和時間來固化有機或無機材料以形成穩定的固體來進行固化步驟；利用基板除去程序去除第三顏色LED陣列模組或所屬的基板；去除有機或無機材料以形成第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組；通過重複形成彩色LED半導體組件模組的程序步驟，可以使半導體轉換模組添加額外的顏色，如同一個選項可以獲得額外的一個或多個顏色LED以達到光輸出需求水準；利用絕緣層置於間隙區域；在第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組的複數個顏色LED單元上形成N型接觸金屬層和隔離層；在背板的陰極上製造共陰極導電層，並連接到第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組的N型接觸金屬層，以形成彩色發射二極體半導體驅動模組。
在另一個實施例中，半導體單元如LED、VSCEL具有磁性的金屬基層，使得可以從臨時基板處理或拾取整個連續陣列層，並將連續陣列層放置在具有電路的背板上，然後通過加熱或光子能量進行接合程序，將連續陣列層的接合層連接到背板的第二接合層，以形成半導體轉換模組；電磁力可以在接合發生之前或之後釋放。
在另一個實施例中，一種在複數個圖案半導體組件模組的複數個間隙區域內形成有機或無機材料的方法，包括：在基板上形成多功能的複數圖案的半導體單元，以形成複數圖案半導體陣列模組；將複數個圖案半導體陣列模組藉由接合層連結到具有電路的背板以形成複數個圖案半導體組件模組，其中在複數個圖案半導體組件模組內形成複數個間隙區域，複數個間隙區域包含間隙和複數個間隙通道；分配有機或無機可流動材料並引入內部作用氣體壓力Pacting，推進有機或無機可流動材料進入複數個間隙區域以通過複數個間隙通道；進行固化步驟係通過施加熱和時間來固化有機或無機材料以形成穩定的固體；其中，空隙或氣隙在組裝複數個圖案模組之間隙區域和複數間隙通到中的穩定的固體有機或無機材料中。
11‧‧‧半導體單元
12‧‧‧基板
13‧‧‧接合層
14‧‧‧背板
15‧‧‧矩陣模組
16‧‧‧有機或無機可流動材料
17‧‧‧空隙或氣隙
18‧‧‧連接層
19‧‧‧隔離層
20‧‧‧導電層
21‧‧‧阻擋光罩
d‧‧‧晶粒間距
31‧‧‧連續陣列層
401‧‧‧腔室
402‧‧‧氣體入口
403‧‧‧可程式化控制閥
404‧‧‧載物台
圖1A是TYPE A半導體組件模組的橫截面圖。
圖1B是TYPE B半導體組件模組的橫截面圖。
圖2是3×4半導體組件模組的俯視圖。
圖3A是分配在圖1A結構中基板的邊緣上之有機或無機可流動材料橫截面圖。
圖3B是分配在圖1B結構中基板的邊緣上之有機或無機可流 動材料橫截面圖。
圖3C是分配在基板的邊緣上和背板的一部分上的有機或無機可流動材料俯視圖。
圖4是壓縮室之示意圖。
圖5A是填充在TYPE A半導體組件模組中的所有間隙A區域中的有機或無機可流動材料的橫截面圖。
圖5B是填充在TYPE B半導體組件模組中的所有間隙A區域中的有機或無機可流動材料的橫截面圖。
圖6是填充到半導體組件模組的所有間隙區域中的有機或無機可流動材料俯視圖。
圖7A是有機或無機材料在TYPE A半導體組件模組的所有間隙A區域中。
圖7B是有機或無機材料在TYPE B半導體組件模組的所有間隙A區域中。
圖8是有機或無機材料被填充在半導體組件模組間隙區域中的俯視圖。
圖9A是在邊緣間隙區域中去除基板側壁邊緣上的部分有機或無機材料。
圖9B是在邊緣間隙區域中去除基板側壁邊緣上的部分有機或無機材料。
圖10是填充在半導體組件模組間隙區域中的有機或無機材料的俯視圖。
圖11A是TYPE A半導體轉換模組。
圖11B是TYPE B半導體轉換模組。
圖12是填充半導體轉換模組的間隙區域邊緣和間隙區域中的有機或無機材料的俯視圖。
圖13是去除TYPE A半導體轉換模組的間隙區域邊緣和間隙A區域中的有機或無機材料。
圖14是在半導體單元上形成的連接層和半導體轉換模組的間隙區域。
圖15是製造半導體驅動模組的於一實施方式的程序示意圖。
圖16A是覆晶(flip-chip)TYPE-A LED單元結構。
圖16B是垂直晶片(vertical-chip)Type-A1 LED單元結構。
圖16C是垂直晶片Type-A2型LED單元結構。
圖16D是垂直晶片Type-A3 LED單元結構。
圖16E是垂直晶片Type-A4 LED單元結構。
圖16F是一種覆晶TYPE-B LED單元結構。
圖16G是垂直晶片Type-B1 LED單元結構。
圖16H是垂直晶片B2型LED單元結構。
圖16I是垂直晶片B3型LED單元結構。
圖17是VLED陣列模組。
圖18繪示製造單獨的原始發光採色LED單元陣列模組和背板的側視圖和俯視圖的示意圖。
圖18A是用於形成藍色LED陣列模組的藍寶石基板上的N×3 個藍色LED單元的示意圖。
圖18B是用於形成綠色LED陣列模組的藍寶石基板上的N×3個綠色LED單元的示意圖。
圖18C是用於形成紅色LED陣列模組的藍寶石基板上的N×3個紅色LED單元的示意圖。
圖18D是在具有電路的背板上形成多個陽極層以形成一陽極陣列模組。
圖18E是在藍寶石基板上形成的N(行)×3(列)藍色LED單元的俯視圖，以形成藍色LED陣列模組。
圖18F是在藍寶石基板上形成的N(行)×3(列)綠色LED單元的俯視圖，以形成綠色LED陣列模組。
圖18E是在GaAs基板上一起形成的N(行)×3(列)藍色LED單元的俯視圖，以形成紅色LED陣列模組。
圖19是製造全彩RGB LED驅動模組的過程和步驟。
圖19A是紅色LED半導體組件模組。
圖19B是紅色LED半導體轉換模組。
圖19C是綠色-紅色LED半導體組件模組。
圖19D將有機或無機材料填充到綠色-紅色LED半導體組件模組間隙區域中。
圖19E是在藍寶石基板的頂部圖案化的相對紅色LED單元區域中繪製阻擋光罩(stop mask)。
圖19F是綠色-紅色LED半導體轉換模組。
圖19G是去除綠色-紅色LED半導體轉換模組中的有機或無機材料。
圖19H是藍色-綠色-紅色LED半導體組件模組。
圖19I是將有機或無機材料填充到藍色-綠色-紅色LED半導體組件模組間隙區域中。
圖19J是在藍寶石基板頂部的相對紅色LED單元和綠色LED單元區域中繪製阻擋光罩。
圖19K是藍色-綠色-紅色LED半導體轉換模組。
圖19L是藍色-綠色-紅色LED半導體轉換模組的俯視圖。
圖20是在一實施例之彩色發射藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的佈局。
圖20A是全彩發射藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的俯視圖。
圖20B是彩色發射藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的橫截面結構。
圖21是用於彩色發射藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組於另一個實施例結構。
圖21A是彩色發射藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的俯視圖。
圖21B是彩色發射藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的橫截面結構。
圖22A是形成在圖19K的頂部上的微透鏡結構。
圖22B是在圖19K的頂部上形成的微透鏡之另一個實施例結構。
圖22C是形成於背板下方的散熱模組。
圖23顯示以圖11A結構為例，可以將頂部電磁頭放置靠近頂部。
圖24是電磁頭接觸到連續陣列層。
圖25是由電磁頭拾取的連續陣列層。
圖26是由電磁頭放置/壓向背板的連續陣列層。
圖27是另一個半導體轉換模組。
圖28是去除半導體轉換模組的間隙區域邊緣和間隙區域中的有機材料或無機材料。
圖29是表示具有複數功能半導體組裝模組的半導體單元的複數圖案的剖面圖。
圖30是具有複數功能半導體組件模組的複數模式半導體單元的俯視圖。
圖31是具有複數功能的半導體組件模組的另一複數模式半導體單元的俯視圖。
圖32是具有複數功能半導體組件模組的另一複數模式半導體單元的俯視圖。
圖33是具有複數功能半導體組件模組的另一複數模式半導體單元的俯視圖。
請注意，當元件被表示為“在另一元件上”時，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在中間元件。然而，“直接”一詞意味著沒有任何干預因素。另外，儘管術語“第一”、“第二”和“第三”用於描述各種要素，但是這些內容不應該受到術語的限制。此外，除非另有定義，所有術語旨在具有與本領域普通技術入員通常理解的相同的含義。
本發明公開了一種將有機或無機可流動材料填充到半導體組件模組中的間隙區域中的方法。更具體地，半導體組件模組包括複術個半導體單元11一起在基板上形成陣列並組裝到具有電路的背板。有機或無機可流動材料分配在半導體組件模組(10a或10b)的邊緣上。本發明公開了一種填充半導體組件模組(10a或10b)的有機或無機可流動材料的方法。本發明還公開了形成半導體驅動模組的方法、全彩發光驅動模組的方法。本發明公開了具有填充的有機或無機液體材料的半導體組件模組(10a或10b)的結構，以改善堅固性。本發明進一步公開半導體驅動模組的結構、全彩發光驅動模組的結構。
在一個實施例中，圖1A示出了TYPE A半導體組件模組10a的橫截面示意圖。TYPE A半導體組件模組包括多個半導體單元11且一起在基板12上形成陣列以形成陣列模組15；陣列模組15藉由接合層13組裝連接到具有電路的背板。在TYPE A半導體組件模組10a內部形成多個間隙A區域，間隙區域邊緣形成環繞在TYPE A半導體組件模組10a的邊緣；圖1B顯示TYPE B半導體組件模組10b的橫截面示意圖。TYPE B半導體組件模組結構包含多個半導體單元11且一起在基板12上形成陣列以形成陣列模組15； 陣列模組15藉由接合層13組裝到背板上。在TYPE B半導體組件模組10b內部形成多個間隙B區域，間隙區域邊緣形成環繞在TYPE B半導體組件模組10b的邊緣；請注意，部分半導體層不被蝕刻並保留在間隙B區域中。半導體單元經由用於TYPE B半導體組件模組10a的剩餘半導體層連接，且TPYE A半導體組件模組10a與半導體單元11電性分隔(electrically separated)。
複數個半導體單元11(N×M)一起在基板上形成N×M陣列模組；N×M陣列模組附接到背板14以形成N×M半導體組件模組；其中，N或M為整數。N是一列中的半導體單元的數量，M是一行中的半導體單元的數量。
圖2顯示3×4半導體組件模組的俯視圖。如圖2所示，背板14的尺寸大於基板12的尺寸。基板12在頂部，半導體單元11位於基板12的下方。接合層13(圖2中未繪示)在半導體單元11的下面，如圖1A和圖1B所示。圖1A與圖1B中描述的間隙A區域、間隙B區域、間隙區域邊緣，可以形成在如圖2所示的相關位置。
請參考圖1A和圖3A，圖3A是在圖1A中結構之半導體組件模組(10a或10b)分配有機或無機材料16(液體，可流動材料)在基板12的邊緣上橫截面圖。圖3B是在圖1B中結構之半導體組件模組(10a或10b)分配有機或無機材料16(液體，可流動材料)在基板12的邊緣上橫截面圖。對於圖3A與圖3C的俯視圖，圖3C是有機或無機材料16(液體，可流動材料)分配在基板12的邊緣與分配在背板14的一部分上的的俯視圖。
一種填充方法將有機或無機可流動材料16填充到Type-A半導體組件模組10a內的間隙A區域、或Type-B半導體組件模組10b內的間隙B 區域內。間隙區域包含半導體單元11和接合層13的側壁且可以用有機或無機可流動材料16填充。填充方法可以藉由使用不同的方法來進行：超音波振動(ultrasonic wave vibration)方法將可流動材料從半導體組件模組的邊緣輸送到內部間隙區域中；提供液體壓力的液壓方法，將可流動材料從半導體組件模組的邊緣壓入內部間隙區域；或產生高的內部作用氣體壓力Pacting，以推進來自半導體組件模組的邊緣的可流動材料進入內部間隙區域。
對於超音波振動法，半導體組件模組可以浸入有機或無機可流動材料容器中，並放入超音波產器(例如：DELTA-D150)至水中。超音波可以向水提供高振動頻率波，以產生高頻波，並傳送高頻波振動容器內的有機或無機可流動材料。有機或無機可流動材料可以被振動並擴散到半導體組件模組的內部間隙區域中。請注意，由於高頻波能量輸送需要液體材料作為傳輸高頻波的介質，如果決定使用超音波振動法，所選擇的有機或無機液體可流動材料需要具有相對低粘度特性。
對於高液壓方法，將半導體組件模組放入具有足夠的深度h之有機或無機可流動材料的槽中，產生足夠的液體壓力P以推進有機或無機可流動材料進入半導體組件模組間隙區域；液壓方程式：P=h‧d‧g；其中，P是壓力，h是液體的高度(深度)，d是液體密度，g是重力加速度。
在一個實施例中，壓縮室400填充方法可用於將有機或無機材料(液體，可流動材料)從半導體組件模組的邊緣填充到內部間隙區域 中。在半導體組件模組的邊緣上分配有機或無機可流動材料16；可流動材料的分配可以在大氣或減壓環境Pgap中的空氣或其它氣體環境中進行；將半導體組件模組加載到壓縮室中；將氣體引入壓縮室以在壓縮室內部產生高壓環境，此壓力稱為Pchamber；一般來說，壓縮室壓力Pchamber高於Pgap並產生壓力梯度效應；利用內部作用氣體壓力Pacting來推進有機或無機可流動材料進入半導體組件模組間隙區域；將壓縮室氣體排放至大氣壓力環境，在半導體組件模組間隙區域中產生空隙或氣隙17；從壓縮室400移除半導體組件模組(10a或10b)；通過施加熱或光子能量將有機或無機可流動材料16交錯連結成為部分固化的(半固化的)有機或無機材料16；使用機械或化學方法去除基板12側壁邊緣上的部分固化的有機或無機材料16；進行最終固化步驟，對半導體組件模組(10a或10b)施加熱量和時間以使部分固化的有機或無機材料16固化成穩定的固體。
氣體可以填充到腔室中，使腔室內部產生高內作用氣體壓力Pacting條件。。如圖4所示，圖4示出了壓縮室的示意圖。壓縮室400包括具有加熱功能的腔室401、氣體入口402、可程式化控制閥403、腔室401中的載物台404。內部作用氣體壓力Pacting可由可程式化控制閥403控制。內部作用氣體壓力Pacting可以通過填充氣體來增加；內部作用氣體壓力Pacting可以通過排放氣體來減少；圖3A和3B所分配的有機或無機材料的結構可以裝載在載物台404上。通過將氣體填充到腔室401中，可以在腔室401內部形成壓縮壓力。由於壓縮壓力可以提供內部高壓氣體作為力量直接作用在有機或無機可流動材料16的邊緣上。藉由內部作用氣體壓力Pacting，基板12邊緣上的有機或無機可流動材料16可以被推進入半導體組件模組內部的間隙區域中。 填充到壓縮室400中的較高的氣體壓力，可以產生更多的內部作用氣體壓力Pacting，以推進有機或無機材料填充到半導體組件模組(10a或10b)內的更深的間隙區域中。
在將氣體引入壓縮室後，壓縮室內部產生高壓環境並使用內部作用氣體壓力Pacting以推進有機或無機可流動材料進入半導體組件模組間隙區域；請參考圖1A與圖5A，圖5A是填充在Type-A半導體組件模組中的所有間隙A區域中的有機或無機可流動材料16的橫截面圖。有機或無機可流動材料16也被覆蓋至半導體組件模組的間隙區域邊緣中的基板側壁的一部分；請參考圖1B與圖5B，圖5B是在Type-B半導體組件模組中填充到所有間隙B區域中的有機或無機可流動材料的橫截面圖。有機或無機可流動材料16也被覆蓋至半導體組件模組的間隙區域邊緣中的基板側壁的一部分。
請參考圖5A和圖5B，圖6是填充到半導體組件模組的所有間隙區域中的有機或無機可流動材料的俯視圖。請注意，有機或無機可流動材料16也可以形成在半導體組件模組的背板14周圍，並被覆蓋到半導體組件模組的基板側壁的一部分。
有機或無機材料16是可流動材料，例如：液體且可以是感光或非感光性質。有機或無機可流動材料16可以通過彩色化學溶液染色。有機或無機可流動材料16可以通過使用熱固化方法，UV固化(光子能量固化)方法或IR固化方法來半固化或固化為固體。可以選擇有機或無機可流動材料16，以在固化之後形成堅硬特性，例如：凝膠、黏膠、溶膠、環氧樹脂、矽氧樹脂、苯基聚矽氧、光敏電阻、UV固化膠和熱固化膠。還可以選擇有機或無機可流動材料16，以在固化之後形成伸展特性，例如凝膠、黏膠、 環氧樹脂、聚醯亞胺(Polyimide)、矽氧樹脂、甲基矽氧烷(methyl-silicone)，內聚性凝膠(cohesive gels)、矽氧烷凝膠、PMMA、光敏電阻、UV或熱固化膠水。有機或無機可流動材料16可以與微米或亞微米絕緣體混合，例如TiO2、Al2O3、SiO2、溶膠-凝膠或任何合適的粉末。有機或無機液體可以與Ni、Cu、Ag、Al和Au等奈米金屬混合。
請參考圖4，壓縮室400藉由將氣體填充到壓縮室中使壓縮室內產生高壓環境以提供高內作用氣體壓力Pacting環境；使用內部作用氣體壓力Pacting，推進有機或無機可流動材料從基板12的邊緣到半導體組件模組的間隙區域。腔室壓力可以通過腔室控制閥排放而釋放到相對較低的壓力或大氣環境；在某些特定條件下，可以將有機或無機可流動材料16的粘度稀釋成較低的粘度特性，以推進可流動材料進入較長距離的半導體組件模組的間隙區域。室內氣體的填充可以選自空氣(大氣)、氮氣、氧氣、氬氣、氨氣、二氧化碳、氯氣或成形氣體(N2+H2)。在一些特定條件下，可以在腔室401中選擇高熱導率的氣體，如：氦氣和氫氣之類，以將熱量快速傳遞到半導體組件模組。半導體組件模組的間隙區域內的有機或無機可流動材料可以通過施加熱量或光子能量而部分固化(半固化)；此外，半導體組件模組的間隙區域內的有機或無機可流動材料，可通過加熱至固化溫度和固化程序時間而完全固化成穩定的固體。
在將有機或無機可流動材料16固化為穩定的固體的之一實施例中，為了固化有機或無機可流動材料16以使其穩定固體，可以通過密封可程式化控制閥403來保持具有高腔室壓力的腔室401，然後腔室401可以加熱到有機或無機可流動材料16的固化溫度。由下式的理想氣體方程式所 示：PV=NKT；其中P=Pchamber是腔室的壓力，V是腔室401的體積，N是氣體的分子數，K是常數，T是腔室401的溫度。因此，當增加室溫(T)時，腔室壓力Pchamber可以增加。Pgap也與溫度(T)呈線性關係。因此，腔室401中的Pacting可以在加熱腔室401期間改變。較高Pacting應足以使有機或無機可流動的材料在固化期間保持在間隙區域內。例如，藉由在室溫下填充氣體，可以將腔室壓力設定為Pchamber=5atm；有機或無機可流動材料16的固化溫度為200℃。用於固化有機或無機可流動材料16的目標溫度是將腔室加熱至高於200℃的溫度。當腔室401從室溫升高到200℃以上時，腔室壓力Pchamber可以從5atm線性增加到約20atm或以上。為了將固化溫度保持在200℃，並保持腔室401內部之內部作用氣體壓力Pacting，使得有機或無機可流動材料在固化期間停留在間隙區域內；在一定的固化時間之後，有機或無機可流動材料16可以在半導體組件模組的所有間隙區域中實質上地固化為穩定的固體。然後，可以遵循自然冷卻或可程式化控制冷卻，以將腔室401從高溫(例如：200℃)冷卻至室溫。腔室壓力Pchamber在高溫(200℃)固化後可以完全釋放，或者腔室壓力Pchamber在冷卻至室溫後可以完全釋放。請注意，當固化有機或無機可流動材料時，可能產生有機或無機可流動材料16的排氣效應(out-gassing effect)，以在間隙區域中產生空隙或氣隙。然而，由於腔室401中內部作用氣體壓力Pacting條件，氣隙的排氣是被有機或無機可流動材料16困住而不會產生膨脹。
在將有機或無機可流動材料固化成為穩定固體之另一實施 例中，腔室401內的初始內部作用氣體壓力Pacting=P1acting可以通過腔室壓力(Pchamber=P1chamber)來控制，以推進有機或無機無機可流動材料進入半導體組件模組的間隙區域。然後可以通過腔室控制閥403將腔室壓力Pchamber還原成P2chamber(P2chamber<P1chamber)，以進行固化過程。例如，初始室壓力Pchamber可以是5atm(如：Pchamber=P1chamber=5atm)。在將腔室401加熱到有機或無機可流動材料的固化溫度之前，藉由腔室中排出氣體，使腔室壓力Pchamber可以降低到Pchamber=P2chamber，係為5atm以下(如：Pchamber=P2chamber<P1chamber)。在P2chamber條件下，內部作用氣體壓力Pacting=P2acting以保留住有機或無機可流動材料16；然後將室溫加熱至有機或無機可流動材料16目標固化溫度(如：200℃)，以使有機或無機可流動材料16固化成穩定的固體。當固化有機或無機可流動材料16時，由於P2acting<P1acting以在半導體組件模組的間隙區域中產生排氣效應而可能形成更多的空隙或氣隙，。
在固化有機或無機可流動材料為固體的另一個實施例中，初始內部作用氣體壓力Pacting在壓縮室401中可以被控制到壓力Pacting=P1acting以推進有機或無機可流動材料進入間隙區域的半導體組件模組。然後藉由腔室控制閥403將內部作用氣體壓力Pacting降低到Pacting=P2acting(P2acting<P1acting)以進行固化過程。在相對較低的內部作用氣體壓力P2acting環境中，藉由初始內部作用氣體壓力P1acting，組件模組的間隙區域內的有機或無機可流動材料16可以部分地流出並擴散到基板的邊緣外部；半導體組件模組的間隙區域中的空隙或氣隙的膨脹可以增加；腔室內溫度可以加熱到一定溫度，其為低於有機或無機可流動材料的固化溫度的以形成部分固化(半固化)有機或無機可流動材料。在加熱一定時間後，有機或無機可流動的材 料可以半固化成固體並保留在半導體組件模組的間隙區域內；半固化的有機或無機材料是覆蓋在半導體組件模組的間隙區域內的裸露表面層。
在將有機或無機可流動材料固化成為穩定固體之另一實施例中，壓縮室401可以被控制到Pchamber=P1chamber(如：P1chamber=5atm)以提供內作用氣體壓力P1acting，以推進有機或無機可流動材料進入半導體組件模組的間隙區域。然後可以將半導體組件模組從壓縮室401裝載至1atm的大氣環境。填充在半導體組件模組間隙區域中的有機或無機可流動材料16然後可以部分地流出並往外擴散到基板的邊緣；更多的膨脹的空隙或氣隙可以產生在半導體組件模組的間隙區域中；利用熱量將半導體組件模組加熱至固化溫度，有機或無機可流動材料可固化為穩定的固體，並保持在1atm的大氣環境下的半導體組件模組的間隙區域內；固化的有機或無機材料是覆蓋在半導體組件模組的間隙區域內的裸露表面層。
通常，高內作用氣體壓力作用Pacting可以推進有機或無機可流動材料16從基板12的邊緣進入半導體組件模組的間隙區域。在某些特定條件下，由於壓縮室壓力Pchamber不能提供足夠的內部作用氣體壓力Pacting，有機或無機可流動材料16不能被內部作用氣體壓力Pacting作用到半導體組件模組間隙區域內很遠的距離。因此，可以從基板的頂部觀察顯微鏡檢查有機或無機可流動材料的填充行為。如果有機或無機可流動材料16不能被推進到半導體組件模組間隙區域內很遠的距離，再次重複內部作用氣體壓入過程，可以將有機或無機可流動材料16再次分配到基板12的邊緣，並通過增加腔室壓力Pchamber再施加較高的內部作用氣體壓力Pacting條件。另一方面，有機或無機可流動材料16的粘度可以被稀釋到相對較低的粘度，以便 更容易地進入更長的距離以覆蓋半導體組件模組的所有間隙區域。由於相對較低的粘度特性，半導體組件模組間隙區域內的稀釋的有機或無機可流動材料16的覆蓋層可能不夠。因此，可以施加多次內部作用氣體壓力Pacting的作用力過程步驟，以實現足夠的覆蓋層目的來覆蓋所有半導體組件模組間隙區域。另一方面，對於多種內部作用氣體壓力作用力的程序步驟，可以逐漸增加有機或無機可流動材料16的粘度以在半導體組件模組的間隙區域內形成足夠的覆蓋層。
請參考圖5A和圖7A。圖7A顯示出有機或無機可流動材料可以形成一層覆蓋在Type-A半導體組件模組中的所有間隙A區域。請注意，基板12邊緣上的有機或無機材料16可以覆蓋基板側壁邊緣的一部分。形成在間隙區域邊緣上的有機或無機可流動材料16中的空隙或氣隙17可能是由於有機或無機材料16的排氣作用。請參考圖5B和圖7B。圖7B顯示出有機或無機可流動材料16可以形成一層覆蓋在Type-B半導體組件模組中的所有間隙B區域。請注意，基板邊緣上的有機或無機可流動材料16可以覆蓋基板側壁邊緣的一部分。形成在間隙區域邊緣上的有機或無機材料16中的空隙或氣隙17可能是由於有機或無機材料的排氣效應。圖8是在所有半導體組件模組間隙中覆蓋到半導體組件模組的有機或無機可流動材料的俯視圖。在間隙(間隙A或間隙B)區域中，可以在間隙區域中的有機或無機可流動材料內部形成空隙或氣隙17(俯視圖未示出)。請注意，基板12邊緣上的有機或無機可流動材料16可以覆蓋在基板12側壁邊緣的一部分和背板14的一部分上。
基板側壁邊緣上與部分背板的有機或無機可流動材料16，基 本上可以通過使用化學溶液或機械方法除去。例如，有機或無機可流動材料16可以是光阻(photo resist material)如AZ系列或NR系列等商業常用的光阻，光阻可以在一定溫度下固化，然後可以通過丙酮或去除光阻化學品去除。請注意，由於沒有內部作用氣體壓力施加，化學溶液不能進入間隙區域。在一個實施方案中，為了去除光阻邊緣，具有化學溶液的棉花棒可以多次稍微接觸基板側壁和背板的邊緣以去除光阻。特別地，光阻可以通過UV光照射以在穩定的固體固化之前產生交錯連結效應，以增強光阻的強度。
填充和固化有機或無機可流動材料於Type-A型半導體陣列模組的間隙區域和間隙區域邊緣之後，請參考圖5A、圖7A、圖9A，圖9A顯示可以通過機械或化學方法，去除在間隙區域邊緣中的基板側壁邊緣上部分的半固化或固化的有機或無機材料。在間隙區域邊緣中，部分的有機或無機可流動材料是在基板邊緣的下方，並能提供維持之特性用來夾持與連結陣列模組15邊緣上的半導體單元。請注意，覆蓋在基板的側壁上的有機或無機材料16可以實質上被去除。相同地，關於Type-B半導體陣列模組，請參考圖5B、7B、9B，圖9B顯示顯示可以通過機械或化學方法，去除在間隙區域邊緣中的基板側壁邊緣上部分的半固化或固化的有機或無機材料。在間隙區域邊緣中，部分的有機或無機可流動材料是在基板邊緣的下方，並能提供維持之特性用來夾持與連結陣列模組15邊緣上的半導體單元。請注意，覆蓋在基板的側壁上的有機或無機材料16可以實質上被去除。
圖10是有機或無機材料覆蓋到半導體組件模組的間隙區之俯視圖。在間隙(間隙A或間隙B)區域中，可以在所有組裝間隙區域中的 有機或無機材料16內形成空隙或氣隙17(從俯視圖未示出)。請注意，有機或無機材料16只能保留在基板邊緣的下方，而不能覆蓋在基板的側壁上。
對於有機或無機可流動材料16的特性，特別地，UV光照射後的有機或無機可流動材料16可為難去除材料，被稱為“硬化的有機或無機材料”。“硬化的有機或無機材料”可以是光敏基材料(photosensitive based material)，例如光敏環氧樹脂或光敏環氧化物或光敏矽氧樹脂。“硬化的有機或無機材料”可以通過UV光照射而交錯連結成相對硬的特性。現在參考上述方法將有機或無機可流動材料填充到半導體組件模組10內的間隙區域中，特殊材料“硬化的有機或無機材料”的固化步驟可以如下修改。“硬化的有機或無機材料”最初是可流動材料，並且可以分配在半導體組件模組10的基板12邊緣上；將半導體組件模組加載到壓縮室400中。壓縮室400提供高內作用氣體壓力Pacting，以將可流動的“硬化的有機或無機材料”推進入半導體組件模組間隙區域。在高內部作用氣體壓力Pacting推進過程後，半導體組件模組取出至1atm大氣中。空隙或氣隙17可以形成在間隙區域和間隙區域邊緣中。半導體組件模組可以在指定區域照射UV光。用於UV照射的指定區域是基板12下方的區域，其包括間隙區域邊緣和半導體組件模組內的間隙區域的一部分。指定區域之外的區域可以利用光罩進行圖案佈局以屏蔽UV光照射。UV光只能照亮以照射到可流動的“硬化的有機或無機材料”經過基板12且在指定區域中。指定區域中的可流動的“硬化的有機或無機材料”可以交錯連結成具有相對堅硬性質的固體，並且難以透過化學溶液去除。在指定區域外的區域中，由於無進行UV光照射進行交錯連結，所以可以通過化學溶液去除“硬的有機或無機材料”。然後可以將半 導體組件模組藉由加熱固化至一定溫度。可以選擇溫度超過“硬化的有機或無機材料”的固化溫度，以產生硬固化性能，或者選擇溫度低於“硬化的有機或無機材料”的固化溫度以產生半固化可撓曲性、拉伸性、柔軟性。
請參考圖9A和圖9B，半導體組件模組間隙區域中的有機或無機材料可撓曲性、拉伸性、柔軟特性來維持、夾持和連接半導體單元11和接合層13，以在背板上形成“連續陣列層31”。通過有機或無機材料連接的半導體單元11可以加強半導體組件模組以避免進一步的物理暴力過程，例如基板12去除過程。在另一方面，半導體組件模組間隙區域中的有機或無機材料可以提供硬性以保持、夾持和連接半導體單元11和接合層13，以在背板上形成“連續陣列層31”。藉由有機或無機材料連接半導體單元11和接合層13，可以增強導體組件模組結構來用於更進一步的程序，例如：基板12去除程序。
請參考圖9A和圖9B，可以去除半導體組件模組(10a或10b)的基板12以形成半導體轉換模組。此外，圖11A示出了Type-A半導體轉換模組，圖11B顯示Type-B半導體轉換模組。
基板可以通過不同的技術(例如雷射照射剝離技術、研磨基板技術、化學濕蝕刻技術、平面化技術和機械去除技術)被去除。請注意，當通過雷射照射技術進行基板去除時，半導體單元和有機或無機材料是一種雷射照射可分解材料。
對於研磨、平面化和機械去除技術，需要激烈的物理力量來去除基板。背板上的“連續陣列層31”是完全連接的緊湊結構。完全連接的緊湊結構可以提供足夠的強度以保持半導體組件模組的整個結構更加堅 固。半導體單元可以在激烈的物理力量去除過程(例如：研磨、平坦化和機械去除過程)之前和之後具有最小化的損傷
對於化學濕法蝕刻技術，將通過化學溶液去除或蝕刻基板。“連續陣列層31”是緊湊的連續層，以最小化化學溶液滲透。當利用化學溶液去除基板時，連續緊湊的“連續陣列層31”可以最小化化學損傷以保護半導體組件模組的整個結構。
對於雷射照射剝離技術，雷射可以照射通過基板並且在基板下面的材料的界面上相互作用。底物下面的界面層可以是可分解材料。在半導體組件模組中，連續緊湊的“連續陣列層31”是堅固層。換句話說，半導體組件模組間隙區域中的有機或無機材料是維持、夾持、連接半導體單元。當使用雷射照射剝離程序時，半導體組件模組間隙區域中包括空隙或氣隙中的有機或無機材料，可以作為阻尼器提供緩衝效果，以釋放作用在半導體單元上的應力。在執行雷射照射剝離處理之後，可以通過額外的物理力將基板分層以去除。“連續陣列層31”中的半導體單元在雷射照射剝離和物理力分層處理之前和之後，皆具有最小化損壞或幾乎沒有損壞。
在用於雷射照射剝離技術的一個具體實施例中，雷射束可被控制為圓形光束或方形光束。雷射束可以重疊掃描；可以將雷射束的重疊區域控制為小於90%的光束尺寸。雷射束的尺寸可以被控制得比半導體單元尺寸小。可以通過直線方向(line direction)掃描掃描雷射束。可以沿著半導體組件模組的邊緣掃描雷射束以提供從一個間隙區域邊緣到另一間隙區域邊緣的線性走向分解(linear alignment decomposition)。對準雷射掃描(along alignment laser scanning)的目的是提供界面層的溫和分解和對連接 結構的對稱性。半導體組件模組中的對稱陣列模組的界面層可以依次分解。因此，基板下方的連接結構藉由雷射照射從基板被線性分層而不產生損傷。在另一個實施例中，半導體單元的尺寸可以小於雷射束尺寸。在這種情況下，雷射束尺寸可以被選擇調整至光束尺寸僅覆蓋多個半導體單元的尺寸。
請參考圖9A和圖9B，對於雷射照射剝離基板程序，雷射束可以穿透基板，以分解基板下面的界面半導體層。雷射照射光束也可以分解基板12下面的界面有機或無機材料層。請注意，雷射照射束分解界面層可能會在局部區域產生劇烈的爆炸。例如，氮化物系半導體材料可以分解氮化物半導體以產生氮氣爆炸並噴射到局部微型區域。通過氮氣爆炸可以使局部微劇烈振動成為衝擊波。振動衝擊波可能會破壞半導體單元而有裂紋或微裂紋。半導體組件模組間隙A區域中的空隙或氣隙17可以提供阻尼效應以吸收或緩衝振動衝擊波。在另一個特別的優點中，填充或覆蓋半導體組件模組間隙區域的有機或無機材料16可以提供雷射束停止地區(STOP zone)(區域)，以保護背板14上的電路被潛在雷射束燒蝕損壞。
在去除基板之後，請參考圖11A，半導體單元11和有機或無機材料16可以處於實質上相同高度平面。可以在間隙A區域中形成連續層。實質上相同高度平面對於進一步程序步驟非常有用，特別是對於相同高度要求的結構製造。
請參考圖9B，對於雷射照射基板去除技術，雷射束可以穿透基板，以分解基板12下面的界面半導體層。請注意，圖9B結構在間隙B區域中具有連續的半導體層。用於分解半導體單元的半導體界面層的雷射 照射束可能在局部微型區域中產生劇烈的爆炸。例如，氮化物系半導體材料可以分解氮化物半導體以產生氮氣爆炸，以噴射到局部微型區域。通過氮氣爆炸可以使局部微劇烈振動成為衝擊波。振動衝擊波可能會破壞間隙B區域中尚存的半導體層和半導體單元而形成裂紋或微裂紋。具體地，如圖9B所示，Type-B半導體組件模組、不均勻結構組合半導體單元、以及尚存在間隙B區域中的較薄半導體層是薄弱結構。薄弱結構可能不會承受劇烈的震動衝擊波。半導體組件模組間隙B區域中的有機或無機材料的空隙或空氣間隙可以提供阻尼效應(氣隙作為緩衝區域)，以吸收和緩衝間隙B區域中的振動衝擊波。
去除基板後，請參考圖11B，剩餘的半導體層處於實質上相同高度平面。可以在間隙B區域中形成連續緊緻層(continue compact layer)。相同高度平面對於進一步程序步驟非常有用，特別是對於相同高度要求的結構製造。
在雷射照射剝離基板的特定情況下，在半導體組件模組間隙區域填充有機和無機材料以形成強化的半導體組件模組的方法，可用於任何合適的應用半導體裝置領域，例如：半導體發光陣列單元顯示器(微型LED顯示器)、觸控面板、發光二極體應用、液晶顯示器(LCD)背光單元(BLU)、矽基液晶(LCoS)、固態照明、微機械系統、大功率設備、垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)、太陽能電池、電池、生物陣列感應器等適用的半導體裝置應用。特別地，可撓性半導體裝置中的幾個實施例，例如：可撓性半導體發光陣列單元顯示器、可撓性太陽能電池、可撓性電池(可撓性電池)、可撓性發光二極體、可撓性紙照明、可撓性固態照明、可撓性 感應器、可撓性面板、可撓性電子設備、可撓性光學連結、可撓性大功率裝置，在半導體組件模組間隙區域中形成有機或無機材料，並利用雷射照射剝離程序形成具有可撓性背板的半導體轉換模組，能完全保護半導體單元非常有用的方法且可節省成本。
在一實施例中，請參閱圖11A與11B，額外的化學溶液處理或乾蝕刻程序被應用於圖11A中半導體單元的頂面，圖11B結構以去除部分半導體單元的半導體層。請注意，圖11A的頂面結構是連續平面，其包括半導體單元的半導體層和間隙A區域中的有機或無機材料，以形成連續陣列層31；連續平面可以在間隙A區域中提供良好的保護結構，當在施加附加的化學濕蝕刻或乾蝕刻程序時不被損壞，以保護間隙A區域中的半導體單元的側壁和間隙A的區域下方的背板。
圖12是填充半導體轉換模組的間隙區域邊緣和間隙區域中的有機或無機材料的俯視圖。在間隙區域中，可以在頂部有機或無機材料層和底部有機或無機材料層之間形成空隙或氣隙(從俯視圖未示出)。請注意，半導體組件模組的頂面處於相同高度平面以表現出實質上相同高度平面。
在去除基板之後，在一實施例中，圖13顯示了間隙區域邊緣中的有機或無機材料，並且間隙A區域可以被完全去除以形成另一種類型的半導體轉換模組。例如，有機或無機材料可以被選擇為一種光阻材料，如AZ系列或NR系列等等商用一般的光阻材料，商用一般光阻材料可以在一定溫度下填充和固化。在去除基板之後，間隙A區域中的有機或無機材料可以通過化學溶液去除。
此外，可以在圖13結構上形成另一連接層。圖14顯示在半導體單元11和間隙區域上形成連接層以形成半導體驅動模組。連接層18可以是複數層，且包含隔離層19和覆蓋到半導體單元的一部分和間隙區域的導電層20。隔離層19可以沉積在半導體單元11的頂面的一部分、半導體單元11的側壁和間隙A區域上；隔離層19是一種介電材料如SiOx、SixNy、Al2O3、TiO2等使用等離子體增強化學氣相沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積。隔離層19可以是具有高/低折射率的多個介電材料，例如分佈式布拉格反射器(DBR)結構，以在半導體單元11的側壁上提供介電反射層。隔離層19可以選自有機或無機材料如聚亞醯胺、矽氧烷、聚對二甲苯和環氧樹脂。隔離層19也可以選擇組合，如介電材料和有機或無機材料組合多層組合。隔離層19可以是包含介電層和有機或無機材料層的多個層。導電層20沉積在隔離層19和半導體的半導體層的一部分上以形成半導體驅動模組；導電層20可以是金屬層，並且提供接觸半導體單元11和與電極的電性連接以形成共陰極或共陽極的電路。導電層20可以是具有反射特性的金屬層，用以反射光、或者反射每個單個半導體單元11的區域內的電磁波。電磁波可以被限制在單個半導體單元11區域中，以最小化鄰接/相鄰半導體單元11的電磁波串擾(cross talk)。導電層20是一個或多個金屬層，並且可以直接從Ti、W、Ta、Cr、Al、Pt、Ag、Ni、Cu、Au或從這些金屬的混合中選擇以形成合金層或多個組合金屬層。多個組合金屬層可以是Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Ni/Cu、Ti/Ag/Ni/Au、Ti/Ag/Ni/Cu、Cr/Al/Ni/Au、Cr/Ag/Ni/Au。在另一個實施例中，導電層20可以是透明導電層(TCL)。TCL可以選自氧化銦錫(ITO)、摻雜鎵的ZnO(GZO)、銦鎵摻雜ZnO(IGZO)、 摻雜Al的氧化鋅(AZO)。TCL的厚度可以從匹配四分之一波長的光學長度中選出，以輸出最佳化的光功率。在利用TCL的一個實施例中，導電層20可以被覆蓋到半導體轉換模組(圖16A中未示出)以形成半導體驅動模組。導電層20可以是多層，包括：TCL層和一個或多個金屬層。在某些方面，連接層可以僅由特定導電層20形成；特定導電層20沉積在半導體單元11的一部分上以及間隙區域上。特定導電層20可以是金屬層形成在半導體單元11的一部分上，TCL層形成在半導體單元的一部分和金屬層上。
請同時參考圖1A~圖13、以及圖15。圖15示出了製造半導體驅動模組之一實施例的程序示意圖。1)形成半導體組件模組；2)在基板的邊緣分配有機或無機可流動材料。3)將半導體組件模組裝入壓縮壓力室。4)輸入一氣體以填充到壓縮室中，在腔室中產生一高壓P1chamber的腔室。P1chamber大於1atm(例如5atm)。5)有機或無機可流動材料可以通過內部作用氣體壓力P1acting推進半導體組件模組間隙區域。包括接合層的邊緣的鄰接/相鄰的半導體單元之間的間隙區域，可以由有機或無機可流動材料填充。6)將高壓P1chamber釋放到相對較低的壓力P2chamber。壓力P2chamber可以等於1atm或任意小於1atm。7)加熱腔室以使有機或無機可流動材料固化成固體。在選擇中，加熱溫度可以低於有機或無機可流動材料的固化溫度，以產生半固化可撓曲特性。在一些特定情況，步驟6和步驟7中的程序步驟中，半導體組件模組可以是任選的，以從腔室中加載以釋放壓力，以及固化腔室外的有機或無機可流動材料。8)加載樣品並檢查有機或無機材料可能是覆蓋半導體組件模組的間隙區域。如果有機或無機可流動材料的覆蓋層在半導體組件模組的間隙區域具有良好的覆蓋層，則進入下一 步驟。如果有機或無機可流動材料的覆蓋物在半導體組件模組的間隙區域中沒有良好的覆蓋層，則返回步驟5再次重複高內作用氣體壓力P1acting之推入過程，然後按照步驟5至第8步重複。9)在選擇中，半導體單元區域和半導體組件模組間隙區域(不照射基板側壁的邊緣)的UV光照射。10)除去塗覆在基板側壁邊緣上的有機或無機可流動材料的殘留物。11)雷射掃描到照射的基板，並移除半導體組件模組的基板以形成半導體轉換模組。12)在選擇中，半導體組件模組間隙區域中的有機或無機材料可以在去除基板之後藉由化學溶液去除。13)在半導體轉換模組上形成連接層，形成半導體驅動模組。
對於Type-A半導體組件模組，在一實施例中，半導體單元可以是發光二極體(LED)單元。圖16顯示Type-A半導體單元(LED單元)。LED單元結構包含n型層、主動層(active layer)和p型層。在p型層上形成導電層，且在基板上形成導電層。可以選擇在基板上形成金屬基層以增強LED單元結構。金屬基層由一個或多個金屬層沉積，可通過電子束沉積、等離子增強化學氣相沉積、濺鍍法(sputtering)形成。金屬基層可以通過電鑄或無電解電鑄成形，以進一步形成一個或多個金屬層。在一實施方案中，金屬基層具有磁性，並選自Fe、Ni和Co中的至少一種。在一具體實施方案中，可以通過電鑄形成磁性金屬基層。在電鑄的一實施例中，磁性金屬基層的電鑄可以選自鎳鈷電鍍化學溶液。鈷的重量百分比可以在10%~90%的範圍內以形成電鑄鎳鈷金屬層。較厚的電鑄金屬基層具有較高組成重量百分比的鈷，可以增強磁性且更強大。
圖16A是通過使用覆晶LED程序技術形成的覆晶Type-A型 LED單元結構。可以在覆晶LED單元結構的底部形成分離的n型接墊和金屬基層、p型接墊和金屬基板層。圖16B是由垂直LED程序技術形成的垂直晶片Type-A1 LED單元結構。圖16C是由垂直LED程序技術形成的垂直晶片Type-A2 LED單元結構。請注意，n型層的一部分大於p型層。圖16D是由垂直LED程序技術形成的垂直晶片Type-A3 LED單元結構。請注意，n型層的一部分逐漸大於p型層，並形成斜邊。斜角α可能大於10°。斜邊可以通過逐漸形成堅硬面膜和乾蝕刻程序形成。斜邊緣的目的是在邊緣上提供斜面以形成更好的保形保護隔離層19，以保護暴露的p-n接面；隔離層19可以是介電反射層。斜面被塗覆有介電反射層可有助於從垂直LED結構獲得更多的光輸出。圖16E是通過圖案化生長基板或圖案化預生長的n型塊狀層(n-type bulk layer)以提供高度結構形成的垂直Type-A4型LED單元結構。可以在圖案化的預生長n型塊狀層上生長繼續的n型層。連續主動層與連續的p型層可以繼續增長高度結構在預生長的n型塊狀層上，並且遵循垂直LED程序技術。高度結構可以是立方結構、半球結構、拋物線球結構、六方晶結構、圓柱結構、金字塔結構、柱體結構。
對於Type-B半導體組件模組，在一個實施例中，半導體單元可以是發光二極體(LED)單元。特別地，對於LED單元，邊緣側上的n型層的一部分可以保留並且與相鄰(neighbor/adjacent)的LED單元電性連接。圖16F是通過使用覆晶LED程序形成的覆晶Type-B LED單元結構。可以在覆晶Type-B LED單元結構的底部形成分離的n型接墊和金屬基層、p型接墊和金屬基層。圖16G是由垂直LED程序技術形成的垂直型Type-B1 LED單元結構。邊緣側上的n型層的一部分，對相鄰的垂直LED單元可以保持為電性連 續層。可以在暴露的p-n接面上形成隔離層19，以防止短路電流效應。圖16H是由垂直LED程序技術形成的垂直型Type-B2 LED單元結構。請注意，n型層的一部分逐漸大於p型層，並形成斜邊。斜角α可能大於10°。斜邊可以通過逐漸形成堅硬面膜和乾蝕刻程序形成。斜邊緣的目的是在邊緣上提供斜面以形成更好的保形保護隔離層19，以保護暴露的p-n接面；隔離層19可以是介電反射層。斜面被塗覆有介電反射層可有助於從垂直LED結構獲得更多的光輸出。圖16I是通過圖案化生長基板或圖案化預生長的n型塊狀層以提供高度結構形成的垂直Type-A4型LED單元結構。可以在圖案化的預生長n型塊狀層上生長繼續的n型層。連續主動層與連續的p型層可以繼續增長高度結構在預生長的n型塊狀層上，並且遵循垂直LED程序技術。高度結構可以是立方結構、半球結構、拋物線球結構、六方晶結構、圓柱結構、金字塔結構、柱體結構。請注意，連續的半導體層是連續的到相鄰的垂直LED單元。
圖16A、16B、16C、16D、16E、16F、16G、16H、16I中的隔離層19，可以是從介電材料中選擇的單層。隔離層19可以是單層，如有機或無機材料層。有機或無機材料可以選擇，如聚亞醯胺、矽氧烷、聚對二甲苯和環氧樹脂。隔離層19可以是多層包含介電層和有機或無機層。在某些特定的情況下，有機或無機層可以是非完全固化的(部分半固化的)以提供撓曲性、拉伸和柔軟的性質。導電層20可以是反射金屬層，以提供金屬接觸和反射片性質。圖16A、16B、16C、16D、16E、16F、16G、16H、16I的導電層20可以是透明導電層(TCL)。導電層20可以組合透明導電層和反射金屬層。
透明導電層(TCL)可以選自氧化銦錫(ITO)、摻雜鎵的ZnO(GZO)、銦鎵摻雜的ZnO(IGZO)、摻Al的氧化鋅(AZO)。TCL的厚度可以從匹配四分之一波長的光學長度中選出，以輸出最佳化的光功率。反射金屬層可以選自Ti、W、Ta、Cr、Al、Ag、Pt、Ni、Cu、Au或混合這些金屬，以形成合金層或多個組合金屬層。多組合金屬層可以是Ti/Al/Ni/Au，Ti/Al/Ni/Cu、Ti/Ag/Ni/Au、Ti/Ag/Ni/Cu、Cr/Al/Ni/Au、Cr/Ag/Ni/Au。
在一實施例中，形成垂直發光二極體(VLED)驅動模組的方法包含：複數個VLED單元形成在基板上的以產生VLED陣列模組；將VLED陣列模組附接到背板以形成VLED半導體組件模組，其中複數個間隙區域形成於VLED半導體組件模組內，且間隙區域邊緣圍繞著VLED半導體組件模組的邊緣形成；在VLED半導體組件模組的邊緣上分配有機或無機可流動材料；將VLED半導體組件模組裝載到壓縮室中；將氣體引入壓縮室以在壓縮室內產生高壓環境；使用高內部作用氣體壓力Pacting推進有機或無機可流動材料進入VLED半導體組件模組間隙區域；將壓縮室排氣到大氣壓力環境，在VLED半導體組件模組間隙區域中產生空隙或氣隙；將所述VLED半導體組件模組從壓縮室移去；通過施加熱或光子能量將有機或無機可流動材料交錯連結部分固化(半固化)有機或無機材料；使用機械或化學方法去除基板側壁邊緣上的部分固化的有機或無機材料；進行最終固化步驟，藉由向VLED半導體組件模組施加熱和時間來將部分固化的有機或無機材料固化成穩定的固體；VLED半導體組件模組藉由基板去除程序從VLED半導體組件模組中去除基板來形成VLED半導體轉換模組，基板去除程序通 過使用如：雷射照射剝離程序；在VLED單元上形成N型接觸金屬層，在VLED半導體轉換模組上形成隔離層；在背板的陰極和VLED半導體轉換模組的N型接觸金屬層上製造共陰極導電層，以連接以形成VLED半導體驅動模組。
圖17顯示出複數個VLED單元一起形成在藍寶石基板上的形成VLED陣列模組。LED磊晶層(epitaxial layer)由p-GaN、主動層組成，並且可以限定n-GaN以在藍寶石基板上形成多個LED單元。反射層可以被形成在頂部p-GaN表面的一部分上。可以在LED單元的邊緣側壁和頂部p-GaN的一部分上沉積和形成隔離層-1。然後可以形成p型金屬層以覆蓋反射層並覆蓋頂部p-GaN表面的一部分。p型金屬還可以選擇以覆蓋隔離層-1的一部分。p型金屬層厚度可以大於磊晶層厚度的20%。另一隔離層-2然後可以形成以覆蓋隔離層-1和頂部p-GaN表面的一部分以及p型金屬層的一部分。p型電極層可以形成然後以覆蓋隔離層-2的一部分和整個p型金屬層。接合層然後可以從p電極層的頂部上被選擇。p-GaN上的反射層可以是反射金屬層，例如TCL、Pt、Ti、Cr、Ni、Ag、Al、Au、Cu或它們的金屬組合成複數個金屬化層，例如Ni/Ag、Ni/Ag/Ni/Au、Ti/Ag/Ni/Au、Ti/Al/Ni/Au、Cr/Al/Ni/Au或其合金化金屬層。p型金屬層可以比LED磊晶層多20%厚度，並且從Pt、Ti、W、Ta、Cr、Ni、Ag、Al、Au、Cu或其金屬組合中選擇成複數金屬層，例如Ti/Ni/Cu/Ti、Ti/Ni/Au/Ti、Ti/Al/Ni/Au/Ti、Pt/Cu/Ti、Pt/Au/Ti。p型電極層可以選自Pt、Ti、W、Ta、Cr、Ni、Ag、Al、Au、Cu或其金屬組合成複數個金屬層，例如Cr/Ni/Au、Cr/Al/Ni/Au、Ti/Al/Ni/Au。
在另一個實施例中，反射層可以由多個介電層形成。介電層具有高/低折射率，例如分佈式布拉格反射器(DBR)結構，以提供介電反射層。對於反射層接觸p-GaN，特別是為了防止由晶體顆粒或缺陷引起的電流洩漏問題，一特定實施例可以利用來降低金屬接觸的可能性。隔離層-1可以被選擇以覆蓋p-GaN區域的主要部分。反射層可以覆蓋主隔離層-1，並覆蓋頂部p-GaN表面的一部分作為金屬接觸層。請注意，電流可以從金屬接觸層均勻分佈到垂直LED。通常，p-GaN中的電流可以很好地擴展到從亞微米到幾十微米的距離。然而，不足的金屬接觸面積對p-GaN而言可導致高的工作電壓。因此，設計區域用於隔離層-1的和形成在p-GaN上的反射層可以最佳化。請注意，覆蓋隔離層-1的反射層可以提供光反射效果。隔離層-1厚度的最佳化選擇可提供在反射層沉積之後具有全方向反射效應的特性。
形成在半導體單元上的接合層可以是選自如：Cu、Au、Pb、Sn、In、Al、Ag、Bi、Ga等金屬，或其合金AuSn、InAu、CuSn、CuAgSn、SnBi等；接合層可以被選擇從有機或無機液體材料中混合的納米金屬，例如Ni、Cu、Ag、Al、Au。混合的納米金屬的有機或無機液體材料可以自行組裝到LED單元的金屬基層。
VLED陣列模組結構可以對準並結合到電路背板的陽極層，以形成VLED半導體組件模組，其中多個間隙區域(在圖17中表示為街道(street)區域)形成在半導體組件模組內部，並且間隙區域邊緣(在圖17中表示為邊緣區域)圍繞半導體組件模組的邊緣(此處未示出)。現在參考在圖15中半導體組件模組間隙區域中填充有機和無機可流動材料的方法的步驟：在VLED半導體組件模組的邊緣上分配有機或無機可流動材料；將 VLED半導體組件模組裝載到壓縮室中；將氣體引入壓縮室以在壓縮室內產生高壓環境；使用高內部作用氣體壓力Pacting以推進有機或無機可流動材料進入VLED半導體組件模組間隙區域；將壓縮室排氣至到大氣壓力環境，並在VLED半導體組件模組間隙區域中產生空隙或氣隙；從壓縮室移去VLED半導體組件模組；通過施加熱或光子能量將有機或無機可流動材料交錯連結成部分固化(半固化)有機或無機材料；使用機械或化學方法去除基板側壁邊緣上的部分固化的有機或無機材料；藉由向VLED半導體組件模組施加熱和時間來將部分固化的有機或無機材料固化成穩定的固體來進行最終固化步驟。
可以使用雷射束照射從頂部藍寶石基板掃描並穿透通過藍寶石，且分解藍寶石基板下面的界面層。GaN的分解導致Ga殘餘物和N2氣體。由於介電材料在雷射照射波長處的透明效應，隔離層-1不能分解。隔離層-2可以分解為碳。在雷射束照射之後，Ga殘留物和燃燒的碳可能仍然提供粘結力以連接藍寶石基板。可以使用其他額外的物理力來抬起藍寶石基板。請注意，隔離層-1可以保持很好地在藍寶石基板上，然而，LED單元和街道上的隔離層2可以夾在隔離層1之間。當對藍寶石基板或LED陣列使用額外的物理力時，藍寶石上的隔離層-1可以被LED單元和隔離層-2夾住，然後從藍寶石基板剝離。當利用雷射照射和額外的物理力將其剝離時，隔離層-1可以被良好地保護而不會破裂或破壞。去除藍寶石基板以形成VLED半導體轉換模組。
在另一方面，VLED半導體轉換模組的暴露的n-GaN層的一部分，可以通過乾蝕刻去除以減少光吸收效應。在選擇中，暴露的n-GaN表 面可以藉由鹼性化學溶液或高密度等離子體處理選擇粗糙化。隔離層-3(這裡未示出)可以形成在邊緣區域、和街道區域、以及大部分暴露的n-GaN表面上。可以在暴露的n-GaN表面上沉積N型接觸金屬層以形成接點。N型接觸金屬層可以選自Ti、Cr、Al、Ag、Ni、Cu、Pt、Au、或混合這些金屬以形成金屬化層或合金層。組合金屬層可以是Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、Cr/Al/Ni/Au、Cr/Ag/Ni/Au等。在一些特定的情況下，暴露的n-GaN可以被等離子體處理或化學處理，以產生更多粗糙表面而有更好的光輸出，並在暴露的n-GaN表面上產生氮空位以獲得更好的電性接觸(N型接觸金屬)。例如，可以形成O2等離子體以處理暴露的n-GaN表面，然後沉積Ti/Al或TiAl/Ni/Au。等離子體處理的暴露的n-GaN上的Ti可以在n-GaN表面中形成Ti-N化合物作為施體(donor)，以形成良好的金屬-半導體接觸。
隔離層-1，隔離層-2和隔離層-3可以藉由介電材料沉積，像SiOx、SixNy、Al2O3、TiO2利用等離子體增強型化學氣相沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積。請注意，隔離層可以是具有高/低折射率的多個介電層，例如分佈式布拉格反射器(DBR)結構，以在微發光裝置的側壁上提供介電反射層。隔離層-1，隔離層-2和隔離層-3可以選自有機或無機液體，例如聚亞醯胺、矽氧烷和環氧樹脂。隔離層-1，隔離層-2和隔離層-3可以藉由多層選擇組合，例如介電材料和有機或無機材料。有機或無機材料可以在光刻印(photolithography)圖案化或填充後，利用熱固化、UV固化或IR固化來固化。有機或無機材料可以選自硬質材料，如凝膠、黏膠、溶膠凝膠、環氧樹脂、矽氧樹脂、聚亞醯胺、苯基矽氧；光敏電阻、紫外線固化膠和熱固化膠。有機或無機材料還可以選自如凝膠、黏膠、溶膠凝 膠、環氧樹脂、聚亞醯胺、矽氧樹脂、甲基矽氧烷、黏合膠、矽氧烷膠、PMMA、光敏光刻膠、UV或熱固化膠水的拉伸材料。另一方面，有機或無機材料可以用作黑矩陣陣列以吸收光。有機或無機材料可以選染色硬質材料，如凝膠、黏膠、溶膠凝膠、環氧樹脂、矽氧樹脂、聚亞醯胺、聚對二甲苯、苯基矽氧烷；光敏電阻，紫外線固化膠和熱固化膠。有機或無機材料還可以選染色拉伸材料，如凝膠、黏膠、環氧樹脂、聚亞醯胺、聚對二甲苯、矽氧烷、甲基矽氧烷、黏合膠、矽氧樹脂、PMMA、光敏光刻膠、UV或熱固化膠。
共陰極可以形成在VLED半導體轉換模組的頂部上，以形成VLED單元點亮的VLED半導體驅動模組。共陰極層可以與背板的陰極層接觸，與VLED半導體轉換模組的一個區域邊緣接觸，且接觸到街道區域上的主要部分區域並連接一部分N型接觸金屬層。共陰極層可以被組合成共陰極層陣列，作為壩陣列(dam array)用於進一步的程序應用。在一實施例中，VLED半導體驅動模組可用於提供一直接面板背光單元。附加的光擴散層和顏色轉換層可以在VLED半導體驅動模組上形成，係用於均勻表面照明。對於藍色VLED，可以在VLED半導體驅動模組上形成諸如螢光片(phosphor sheet)或量子點(QDs)層的顏色轉換層，以作為表面白光LED照明。對於一些特定的表面白色照明，背板可以是可撓性基板，以形成柔軟、可撓性的白色照明面板。在另一實施例中，附加的微透鏡陣列可以形成在壩陣列的頂部上，以從表面提供投射的光。在另一實施例中，VLED半導體驅動模組可用於微型LED顯示器。可以將附加的顏色轉換模組對準並形成在壩陣列的頂部上，以將原始的VLED光波長光譜(顏色)轉換為另一波長光譜(顏 色)以顯示彩色圖像。可以在壩陣列的壩中形成顏色轉換層。顏色轉換層可以是有機或無機材料混合顏色轉換顆粒，如螢光粉或量子點。對於藍色VLED半導體驅動模組，綠色轉換層可以形成在一個列的一個壩陣列中，並且紅色轉換層可以形成在一個列的另一個壩陣列中以顯示彩色圖像。對於UV光VLED半導體驅動模組，藍色轉換層可以形成在一個列中的一個壩陣列中，綠色轉換層可以在一個列中的另一個壩陣列中形成，並且紅色轉換層可以形成在一個列的其他個壩陣列中以顯示彩色圖像。
在另一實施例中，形成彩色發光二極體驅動模組(color emissive light emitting diode semiconductor driving module)的方法包括：複數個第一彩色LED單元形成在基板上，以產生第一顏色LED陣列模組；複數個第二顏色LED單元一起形成在基板上，以產生第二顏色LED陣列模組；複數個第三顏色LED單元一起形成在基板上，以產生第三顏色LED陣列模組；將第一顏色LED陣列模組安裝在具有電路的背板上，以形成第一彩色LED半導體組件模組，其中第一顏色LED半導體組件模組內部形成複數個間隙區域；分配有機或無機可流動材料並引入內部作用氣體壓力Pacting來推進有機或無機可流動材料進入複數個間隙區域；進行固化步驟，通過施加熱和時間來固化有機或無機材料，以形成穩定固體；利用基板去除程序去除第一顏色LED基板；去除有機或無機材料以形成第一顏色的LED半導體轉換模組；將第二顏色LED陣列模組安裝在第一顏色LED半導體轉換模組上，其中在第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組內部形成複數個間隙區域；分配有機或無機可流動材料並引入內部作用氣體壓力Pacting，來推進有機或無機可流動材料進入複數個間隙區域；進行固化步驟，通過施加熱和時間來固 化有機或無機材料，以形成穩定固體；利用基板去除程序去除第二顏色LED基板；去除有機或無機材料以形成第二顏色-第一顏色的LED半導體轉換模組；將第三顏色LED陣列模組安裝在第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組上以形成第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組，其中在第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組內部形成複數個間隙區域；分配有機或無機可流動材料並引入內部作用氣體壓力Pacting，來推進有機或無機可流動材料進入複數個間隙區域；進行固化步驟，通過施加熱和時間來固化有機或無機材料以形成穩定固體；利用基板除去程序除去第三顏色LED基板；去除有機或無機材料以形成第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組；利用絕緣層到間隙區域；在第三顏色-第二顏色-第一顏色LED轉換模組上形成N型接觸金屬層和隔離層；在背板的陰極上製造公陰極導電層，並連接到第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組的N型接觸金屬層，以形成彩色發射二極體半導體驅動模組。
請注意，形成每個彩色半導體組件模組的步驟可以重複；例如，在用於獲得足夠的第二顏色光輸出的特定選項中，形成第二顏色-第一顏色LED半導體半導體轉換模組的步驟可以重複以下步驟：另一個第二顏色LED陣列模組(其被稱為第二-2顏色LED陣列模組)可以附接到第二顏色-第一顏色的LED轉換模組以形成第二-2顏色-第二顏色-第一顏色的彩色LED半導體組件模組，其中在第二-2顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組的內部形成複數個間隙區域；分配有機或無機可流動材料並引入內部作用氣體壓力Pacting，以推進有機或無機可流動材料進入複數個間隙區域；進行固化步驟，通過施加熱和時間來固化有機或無機材料以形成穩定 固體來；利用基板去除程序去除第二-2顏色LED基板；去除有機或無機材料以形成第二-2顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組。
彩色發光LED半導體驅動模組可應用於顯示彩色圖像，彩色LED微型投影儀模組將彩色圖像投影到諸如HMD、VR、AR等頭部顯示器的螢幕上。在另一實施例中，彩色LED驅動模組可以形成為用於LCD的彩色LED直接型背光單元(BLU)模組，以執行所需的高流明和高色彩飽和度的工業監視器顯示應用。在另一實施例中，彩色LED半導體驅動模組可以形成為用於商業廣告的商場中的高分辨率全彩LED顯示器模組。在另一實施例中，彩色發射LED半導體驅動模組可以形成為與首飾、配件、錢包或任何元件組裝的彩色陣列LED光源，以實現更高的性價比。
更具體地說，用於形成彩色發射發光二極體半導體驅動模組；在一個實施例中，圖18顯示製造單獨的原始發光顏色LED單元陣列模組和背板的側視圖和俯視圖。側視圖是在基板上的每個單獨的原始發光顏色LED單元的截面圖。原始的發光彩色LED單元結構可以是覆晶型LED單元、垂直晶片型LED單元、多個LED單元的串聯電路連接在一起形成集成的LED單元。
圖18A是形成藍色LED陣列模組的藍寶石基板上的N(行)×3(列)藍色(例如氮化物)LED單元的示意圖。圖18E是在藍寶石基板上形成的N(行)×3(列)藍色LED單元的俯視圖，係一起形成藍色LED陣列模組。對於藍色LED陣列模組，可以在行上形成N個藍色LED的數量，並且可以在列上形成三個單位的藍色LED。對於側視圖，列中的三列藍色LED單元表示在藍寶石基板的下方。三列藍色LED單元的模具間距為3d。圖18B 是用於形成綠色LED陣列模組的藍寶石基板上的N(行)×3(列)綠色(例如氮化物)LED單元的示意圖。圖18F是在藍寶石基板上形成的N(行)×3(列)綠色LED單元的俯視圖，係一起形成綠色LED陣列模組。類似地，對於綠色LED陣列模組，可以在行上形成N個綠色LED的數量，並且可以在柱上形成三個單元的綠色LED。對於側視圖，列中的三列綠色LED單元表示在藍寶石基板的下方。三列綠色LED單元的晶粒間距為3d；圖18C是形成紅色LED陣列模組的GaAs基板上的N(行)×3(列)紅色(例如四元(AlGaInP))LED單元的示意圖。圖18G是GaAs基板上的N(行)×3(列)紅色LED單元的俯視圖，以形成紅色LED陣列模組。類似地，陣列模組中，可以在行上形成N個紅色LED的數量，並且可以在行上形成三個單元的紅色LED。對於側視圖，列中的三列紅色LED單元表示在GaAs基板的下方。三列紅色LED單元的晶粒間距為3d。在一些特別的情況下，紅色LED單元可以是氮化物化合物藉由通過增加主動層中InGaN的銦化合物而成為紅色LED。圖18D是在具有形成陽極陣列模組的電路背板上一起形成的複數個陽極層。背板的陽極層的晶粒間距為d。
圖19顯示製造全彩RGB LED半導體驅動模組的過程和步驟。圖19A示出了可以將紅色LED陣列模組組裝在背板的紅色用的陽極上，以形成紅色LED半導體組件模組。可以通過使用圖15步驟的方法將有機或無機可流動材料填充到紅色LED半導體組件模組間隙區域中。圖19B是顯示紅色LED半導體組件模組的GaAs基板的紅色LED半導體轉換模組，然後可以通過濕化學蝕刻溶液去除，以形成紅色LED半導體轉換模組。例如，去除GaAs基板可以是NH4OH和H2O2混合溶液。在濕化學蝕刻中，背板電路的 間隙區域可以被有機或無機材料的覆蓋層保護，以防止濕化學溶液的攻擊。在去除GaAs基板之後，間隙區域中的有機或無機材料可以通過使用另一種化學溶液，如丙酮或合適的化學溶液來除去。紅色LED半導體轉換模組被形成並包含複數個紅色LED單元在背板的紅色用的陽極上。接下來，圖19C顯示可以在背板的綠色用的陽極上組裝綠色LED陣列模組，以形成綠色-紅色LED半導體組件模組。綠色用的陽極與紅色用的陽極和藍色用的陽極相鄰。請注意，綠色LED單元的厚度可能會高於紅色LED單元的厚度。圖19D顯示有機或無機材料可以填充到綠色-紅色LED半導體組件模組間隙區域。請注意，綠色LED單元的厚度可能高於紅色LED單元的厚度。在形成綠紅色LED半導體組件模組之後，在紅色LED單元和綠色LED的藍寶石基板之間形成多個高度間隙區域。可以通過使用圖15步驟的方法，將有機或無機可流動材料填充到綠色-紅色LED半導體組件模組間隙區域和高度-間隙區域中。填充有機或無機液體材料的高度-間隙區域可以吸收雷射照射能量，以在雷射照射剝離過程中保護紅色LED單元不被損壞。在選項中，圖19E顯示相對紅色LED單元區域可以與阻擋光罩21被圖案化在藍寶石基板的頂部上，以在雷射照射剝離過程中保護紅色LED單元不被雷射照射能量破壞所損傷。圖19F是綠色-紅色LED半導體轉換模組，顯示綠色LED陣列模組的藍寶石基板然後可以通過雷射照射剝離工藝去除。在去除綠色LED藍寶石基板之後，圖19G是綠色-紅色半導體轉換模組，顯示間隙區域中的有機或無機材料，且高度-間隙區域可以藉由化學溶液，如丙酮或合適的化學溶液進一步除去。綠色-紅色LED半導體轉換模組被形成並包含：複數個紅色LED單元在紅色用的陽極的背板上；複數個綠色LED單元在綠色用的陽極的背 板上。
在獲得足夠的綠色LED光輸出功率級別的選項中，圖19C~19G可以被重複以形成另外一個或多個綠色LED單元在附加綠色使用的陽極的背板上。
接下來，圖19H顯示藍色LED陣列模組可以組裝在背板上以形成藍色-綠色-紅色LED半導體組件模組。藍色用的陽極與綠色用的陽極和紅色用的陽極相鄰。請注意，藍色LED單元的厚度可能高於綠色LED單元的厚度和紅色LED單元的厚度。在形成藍色-綠色-紅色LED組件之後，在綠色LED單元和藍色LED的藍寶石基底之間形成複數個高度-間隙區域，並且在紅色LED單元和藍色LED的藍寶石基底之間形成其他複數個高度-間隙區域。如圖19I所示，可以將有機或無機材料填充到藍色-綠色-紅色LED半導體組件模組間隙區域和所有高度-間隙區域中。背板的間隙區域和高度-間隙區域可以用有機或無機材料填充，以吸收雷射照射能量；填充有機或無機材料的高度-間隙區域可以在雷射照射剝離過程中保護紅色LED單元和綠色LED單元不被損壞。在選項中，如圖19J顯示相對紅色LED單元和綠色LED單元區域可以與硬遮罩21圖案化在藍色LED藍寶石基底頂部，以防止雷射照射損傷。
藍色LED的藍寶石基板可以通過雷射照射剝離工藝被去除，且間隙中的有機或無機材料可以被去除以形成藍色-綠色-紅色半導體轉換模組。間隙區域和高度-間隙區域中的有機或無機材料可以通過使用化學溶液，如丙酮或合適的化學溶液來除去。圖19K顯示藍色-綠色-紅色LED半導體轉換模組，包括：背板的紅色用的陽極上的複數個紅色LED單元、背 板的綠色使用的陽極上的複數個綠色LED單元、以及背板的藍色使用的陽極上的複數個藍色LED單元。圖19L是藍色-綠色-紅色LED半導體轉換模組的俯視圖。藍色-綠色-紅色LED半導體轉換模組，由背板上的N×3彩色LED單元組成。請注意，在藍色-綠色-紅色LED轉換模組的背板上可以設計陰極層(這裡未示出)，以進一步形成用於彩色發光二極體的藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組。
在一個具體實施例中，可以通過使用藍色-綠色-紅色LED半導體轉換模組來形成全彩顯示藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組。藍色-綠色-紅色LED半導體轉換模組中的LED單元之間的間隙區域，可以形成絕緣層。作為隔離層的絕緣層還可以覆蓋藍色LED單元的側壁的邊緣、綠色LED單元的側壁和紅色LED單元的側壁。絕緣層可以藉由介電材料被沉積，如：SiOx、SixNy、Al2O3、TiO2利用等離子體增強化學氣相沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積。請注意，隔離層可以是具有高/低折射率的多個電介質，例如分佈式布拉格反射器(DBR)結構，以在發光單元的側壁上提供介電反射層。絕緣層可以選自有機或無機材料，例如聚亞醯胺，矽氧烷和環氧樹脂。隔離層可以選擇性地由多層組合，例如介電材料和有機或無機材料。有機或無機材料可以在光刻圖案化或填充後通過熱固化、UV固化或IR固化來固化。有機或無機材料可以選自硬質材料，如凝膠、黏膠、溶膠凝膠、環氧樹脂、矽氧樹脂、聚亞醯胺、苯基矽氧；光敏光刻膠、紫外線固化膠和熱固化膠。有機或無機材料還可以選自拉伸材料，如凝膠、黏膠、環氧樹脂、聚亞醯胺、聚對二甲苯、矽氧烷、甲基矽氧烷、黏合膠、矽氧樹脂、PMMA、光敏光刻膠、UV或熱固化膠。在一些特定的 選擇中，有機或無機材料可以被染色而具有光吸收特性，作為顯示應用的黑矩陣。
圖20示出了全色顯示藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的佈局一實施例。圖20A是全色顯示藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的俯視圖。圖20B是全色顯示藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的橫截面圖。陰極層可以預先形成在背板的頂部上。N型接觸金屬可以在複數顏色(紅色，綠色，藍色)LED單元的一部分N型層的頂部上形成。請注意，N接觸金屬層的尺寸應優化為足夠小以允許更多的光輸出。用於氮化物化合物綠色或藍色LED的N型接觸金屬層，可以選自Ti、Al、Ni、Au、Pt、Cr中的至少一種，例如Ti/Al、Ti/Al/Ni/Au。用於紅色四元化合物(AlGaInP)LED的N型接觸金屬層可以由Ge、Au和Ni中的至少一種選擇，例如Ni/Ge/Au。
作為共陰極電性連接層的透明導電層(TCL)可以形成在整個藍色-綠色-紅色LED半導體轉換模組的頂部，並連續地接觸背板的陰極層。TCL可以選自銦錫氧化物(ITO)、摻雜鎵(Ga)的氧化鋅(GZO)、銦鎵(In、Ga)摻雜的氧化鋅(IGZO)、摻雜Al的氧化鋅(AZO)。TCL的厚度可以從四分之一波長(可見光波長範圍)匹配的光學長度中選擇，以輸出優化的光輸出功率。
圖21示出了全彩顯示藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的另一佈局實施例。圖21A是全彩顯示藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的俯視圖。圖21B是全彩顯示藍色-綠色-紅色LED半導體驅動模組的剖面圖。類似地，參見圖20所示，陰極層可以預先形成在背板的頂部上。N型 接觸金屬可以在LED(紅色，綠色，藍色)單元的一部分N型層的頂部上形成。可以在間隙區域的行線上形成來自背板陰極層的連續共陰極層，並與N接觸金屬層連接。
在投影顯示器的一具體實施例中，圖22A顯示另一個微透鏡陣列可以被形成在圖19K結構的頂部上。另外，圖22B顯示微透鏡可以被形成在圖19K結構的頂部上之另一實施例。在另一實施例中，投影機可以是將顯示圖像投影到目標螢幕的顯示光引擎。圖22C顯示可以在背板下方形成散熱模組。高電流可以被用於顯示引擎以產生足夠的光輸出，以在目標屏幕上獲得足夠的投影流明。散熱器可以通過圖案化和電鑄、或任何其它合適的技術形成。
在半導體組件模組間隙區域中填充有機或無機材料，以形成基板去除的方法，可以提供強健的半導體轉換模組結構用於進一步暴力物理過程。現在請參考圖如圖11A，可以選擇半導體轉換模組來拾取某些部件並轉移到任何其他目標位置。對於半導體單元，可以預先形成金屬基層的磁性特性到半導體單元。參考圖16，可以在半導體單元結構中形成如Fe、Ni、Co之類的金屬基層或它們的組合金屬層。在一具體實施例中，磁性金屬基層可以通過電鑄形成。在一個特定實施例中，電鑄磁性金屬基層可以選自鎳鈷電鍍化學溶液。鈷的重量百分比可以在10%至90%的範圍內以形成電鑄鎳鈷金屬層。較厚的電鑄金屬層並具有較高組成重量百分比的鈷，可以增強磁性以提供更強的磁力特性。可以選擇任何磁鐵或電磁體元件來觸摸具有磁性的半導體單元，並通過磁力將半導體單元拾起。圖23顯示可以將電磁頭頂部放置靠近圖11A結構的頂部來當作一個例子。(請注意，圖 11A的結構中的“背板”被替換為圖23的結構中的“臨時基板”)。電磁頭可以通過利用電流來充電一磁力。當電磁頭接觸或輕微觸摸圖13的頂部表面時，可以通過電流對電磁頭進行充電以產生磁力，從臨時基板拾取連續陣列層31；連續陣列層31包括在間隙區域中的多個半導體單元、接合層和有機或無機材料。圖24示出了電磁頭與連續陣列層31的接觸。在一實施例中，接合層可以是非具有強粘膠的有機或無機層。電磁頭的磁力可以足夠大以從臨時基板拾取連續陣列層31。在另一實施例中，接合層可以是熱釋放層、或可冷卻釋放層。通過加熱臨時基板或冷卻臨時基板，接合層可能容易失去其粘附效果。此外，也可以由電磁頭提供加熱或冷卻接合層。在另一個實施例中，接合層可以是低熔點金屬層，臨時基板或磁頭可以向上升溫，以熔化接合層的低熔點金屬層。
在另一方面，太高的溫度會因金屬固化點效應降低磁性能。用於電磁頭的磁性金屬、和形成在半導體單元中的磁性金屬基層、以及用於釋放接合層粘合的溫度特性可被優化以執行最佳的拾取動作。圖25顯示可以通過電磁頭從臨時基板拾取連續陣列層31。電磁頭可以容易地拾起連續陣列層31，然後通過放置和按下傳送到背板。請注意，連續陣列層31是用於電磁頭拾取和放置/壓下過程的堅固的連接層結構。連續陣列層31的堅固的連接層結構可以一起拾取，以便在施加任何不均勻的磁力時最小化半導體單元的損壞；當電磁頭將堅固的連續陣列層31按壓到背板時，作用在連續陣列層31上的按壓力可以對連續陣列層31和背板執行與平衡分佈按壓力；任何不均勻的按壓力突然產生都可以分配到連續陣列層31中，以平衡不均勻的按壓力，並最小化任何潛在的損害。突然產生的力可以擴展到整 個連續陣列層31，以減少局部突然的力作用。圖26示出了連續陣列層31可以由電磁頭對準和放置/按壓到背板。第二接合層可以預先形成在背板上。在一實施例中，電磁頭可以加熱到一定溫度以熔化接合層和第二接合層；然後施加按壓壓力以提供一定的壓力，以將連續陣列層31結合到背板。在另一實施例中，電磁頭的磁特性可以通過加熱電磁頭而降低和降級。在將連續陣列層31對準並放置到背板之後，可以去除電磁頭並施加另一個加熱頭以提供熱能來熔化接合層和第二接合層；然後將連續陣列層31向下按壓並結合到背板。接合層和第二接合層可以是選自Cu、Au，Pb、Sn、In、Al、Ag、Bi、Ga中的一種或多種金屬層的結合層，或者它們的合金如AuSn、InAu、CuSn、CuAgSn、SnBi等；接合層和第二接合層可以選自有機或無機液體混合的納米金屬，例如Ni、Cu、Ag、Al、Au。在施加固化溫度之後，有機或無機液體混合的納米金屬可以在半導體單元的金屬基底層上自組裝形成。
圖27顯示可以在按壓連續陣列層31並去除電磁頭之後形成另一個半導體轉換模組。由於採用堅固的連續陣列層31結構，拾取和壓制程序後半導體傳輸模組的產量可能更高。請注意，半導體轉換模組結構中可以形成實質上相同的高度平面。可以提供實質上相同的高度平面，如均勻平面，以簡化進一步需要的程序步驟，例如圖案化工藝。
圖28顯示有機或無機材料層在半導體轉換模組的邊緣間隙區域和間隙區域中，在磁性拾取和放置/壓制程序之後，可以通過濕式化學蝕刻或乾式蝕刻可以進一步去除用以任何合適的應用程序。半導體轉換模組可用於任何進一步需要的程序步驟，例如形成半導體驅動陣列模組用於 任何其它應用。
現在參考圖1A和圖2，陣列模組可以根據半導體單元的不同組合而變化，以提供不同的功能。在一些特定實施例中，圖29是表示具有多功能半導體組件模組的半導體單元的多圖案的剖面圖。具有多功能的半導體單元的多圖案一起形成在基板上，以形成多圖案半導體陣列模組。可以將基板上的半導體層圖案化為具有多功能的多圖案以形成多圖案半導體陣列模組。具有第一功能的第一半導體單元(I)可以被圖案化為與圖1A相同的尺寸和形狀。與第一半導體單元(I)相比，具有第二功能的第二半導體單元(II)可以被圖案化為不同的尺寸和不同的形狀。背板通過接合層連接到多圖案陣列模組，並形成半導體多圖案組裝模組。間隙包括和間隙通道的間隙區域可以在多圖案半導體組件模組中形成。請注意，間隙區域的所有間隙形成於多圖案半導體組件模組內部都需要間隙通道；間隙通道是連接到基板邊緣的暴露通道；可以通過暴露的間隙通道將有機或無機材料填充到多圖案半導體組件模組間隙區域中。
第一半導體單元(I)具有第一圖案陣列和第二半導體單元(II)具有第二圖案陣列，可以在基板上形成多圖案半導體陣列模組。請注意，可以將多圖案的半導體單元形成為多圖案半導體陣列模組，但不限於一個或兩個圖案。具有多功能的兩個或多個多圖案半導體陣列模組，一起組裝到具有形成多圖案半導體組件模組，以提供多個陣列功能的電路的背板。
在一個實施例中，圖30顯示多圖案半導體組件模組的俯視圖。具有第一功能的第一半導體單元(I)可以是正方形圖案，具有第二功 能的第二半導體單元(II)可以是矩形圖案。第二半導體單元(II)可以形成在半導體單元之間。請注意，間隙區域包括間隙通道，也可以在多圖案半導體組件模組內形成。間隙通道可以暴露並連接到基板的邊緣。可以通過間隙通道將有機或無機材料填充到所有多圖案半導體組件模組間隙區域中。
在另一個實施例中，圖31顯示了另一多圖案半導體組件模組的俯視圖。具有第一功能的第一半導體單元(I)可以是正方形圖案，具有第二功能的第二半導體單元(II)可以是的矩形圖案。作為長條形第二半導體單元(II)可以在第一半導體單元(I)之間的行或列中形成。請注意，間隙區域包括間隙通道和間隙區域可以在多圖案半導體組件模組內形成。間隙通道可以暴露並連接到基板的邊緣。有機或無機材料可以通過間隙通道將填充到所有多圖案半導體組件模組間隙區域中。
在另一實施例中，圖32顯示另一多圖案半導體組件模組的俯視圖。具有第一功能的第一半導體單元(I)可以是正方形圖案，具有第二功能的第二半導體單元(II)可以是非框架網格(non-frame mesh pattern)圖案。可以形成作為非框架網格圖案的第二半導體單元(II)以分離第一半導體單元(I)。請注意，可以在多圖案半導體組件模組內形成間隙區域包括間隙和間隙通道。間隙通道可以暴露並連接到基板的邊緣。有機或無機材料可以通過間隙通道將填充到所有多圖案半導體組件模組間隙區域中。
在另一個實施例中，圖33顯示另一多圖案半導體組件模組的俯視圖。具有第一功能的第一半導體單元(I)可以是正方形圖案，具有第二功能的第二半導體單元(II)可以是矩形圖案。具有第三功能的第三半 導體單元(III)可以是與第一半導體單元(I)相比之相對小的正方形圖案。第二半導體單元(II)可以形成在半導體單元(I)之間。第三半導體單元(III)可以形成在四個第二半導體單元(II)的交叉區域(cross region)中。請注意，可以在多圖案半導體組件模組內形成間隙區域包括間隙和間隙通道。間隙通道可以暴露並連接到基板的邊緣。有機或無機材料可以通過間隙通道將填充到所有多圖案半導體組件模組間隙區域中。
現在參考圖29~圖33，多圖案半導體組件模組可以用於形成不同的所需模組，例如形成多圖案半導體轉換模組，形成用於任何其它應用的多圖案半導體驅動模組。在一個實施例中，可以選擇第一半導體單元(I)以形成第一功能半導體驅動模組。可以選擇第二半導體單元(II)以形成第二功能半導體驅動模組或虛擬功能(dummy functional)半導體驅動模組。可以選擇第三半導體單元(III)以形成第三功能半導體驅動模組。在一個實施例中，第一半導體單元(I)可以是工作LED半導體驅動模組的功能，第二半導體單元(II)可以是虛擬LED半導體驅動模組。第二虛擬LED半導體驅動模組可以用於在半導體組件模組內，提供與LED電路連接相同的高度單元，其可以在移除基板之後在相同的高度水平面處形成。在另一實施例中，第一半導體單元(I)可以作為工作LED半導體驅動模組的功能，第二半導體單元(II)和第三半導體單元(III)可以作為半導體驅動模組壁內部的一功能，以提供防止光自第一LED單元發射到相鄰的第一LED單元。在另一方面，壁可以提供與半導體單元(I)相同的高度，以在去除基板之後形成基本相同的高度水平面，以簡化進一步光刻圖案化所需步驟。在另一實施例中，第一半導體單元(I)可以形成為功能LED或二極體單元。第 二半導體單元(II)可以形成為另一個反偏壓(reversed bias)功能LED或二極體單元，例如齊納二極體。在另一個特定實施例中，對於智能顯示螢幕應用，第一半導體單元(I)可以形成為如LED或OLED的功能性自發光光像素。第二半導體單元(II)可以是用於檢測手或手指移動運動的運動感測器。第三半導體單元(III)可以是紅外自發光IR LED或VCSEL(垂直共振腔面射型雷射)，並且向如面部或眼睛的物體發射光信號用於圖案識別。半導體單元的許多功能可以被選擇來形成，用於不同應用的多圖案半導體組件模組，而不限於上述描述實施例。
因此，本公開描述了將有機和無機材料填充到半導體組件模組中的方法，形成半導體轉換模組、形成半導體驅動模組，並形成多圖案的多功能半導體組件模組。雖然上面已經討論了許多示範的方面和實施例，但是本領域技術人員將識別其某些修改、排列、添加和子組合。因此意圖是，此後引入的以下附屬權利要求和權利要求被解釋為包括所有這樣的修改、置換、添加和子組合，如在它們的真實精神和範圍內。
雖然已經通過實施例和優選實施方案描述了本發明，但是應當理解，本發明不限於此。相反，它旨在涵蓋各種修改。因此，所附權利要求的範圍應被賦予最寬的解釋，以包含所有這類修改。
11‧‧‧半導體單元
16‧‧‧有機或無機可流動材料
31‧‧‧連續陣列層

Claims (20)

  1. 一種將一可流動材料填充到一半導體組件模組中的一間隙區域的方法，包含：在一基板上形成複數個半導體單元以產生一陣列模組；將該陣列模組附裝到具有電路的一背板，以形成內部具有複數個該間隙區域的該半導體組件模組，且該些間隙區域的邊緣圍繞該半導體組件模組的邊緣；分配該可流動材料於該半導體組件模組的邊緣；提供一高作用壓力環境以推進該可流動材料進入該半導體組件模組的該些間隙區域；透過減少該高作用壓力環境的壓力使該半導體組件模組的該些間隙區域中產生一空隙；以及施加熱或光子能量以硬化該可流動材料以將硬化的該可流動材料和該空隙保持在該些間隙區域中。
  2. 根據請求項1所述的方法，其中，該方法更包含：使用機械或化學方法去除該基板側壁之邊緣上的部分固化或半固化的該可流動材料。
  3. 根據請求項1所述的方法，其中，該方法更包含：施加一固化溫度到該半導體組件模組於一定時間中，以將部分固化或半固化的該可流動材料固化成一穩定固體。
  4. 根據請求項3所述的方法，其中，該方法更包含：使用一基板去除程序去除該導體組件模組上的該基板，以形成一半 導體轉換模組。
  5. 根據請求項4所述的方法，其中，該方法更包含：在該半導體轉換模組上製造一電性連結以形成一半導體驅動模組。
  6. 根據請求項4所述的方法，其中，該方法更包含：形成具有磁性的複數個金屬基層於該些半導體單元中，以處理或拾取自一臨時基板的一連續陣列層；以及使用一電磁力處理該連續陣列層。
  7. 根據請求項4所述的方法，其中，該方法更包含：使用一電磁頭將該連續陣列層放置在該背板上；以及透過一溫度或一光子能量使用一接合程序來連結該連續陣列層的第一接合層至該背板的一第二接合層，以形成該半導體轉換模組。
  8. 根據請求項4所述的方法，其中，該方法更包含：在該半導體單元上形成一N型接觸金屬層；在該半導體轉換模組上形成一隔離層；將一共陰極導電層連結在該背板的一陰極和該半導體轉換模組的該N型接觸金屬層上以形成一半導體驅動模組。
  9. 根據請求項8所述的方法，其中，該半導體轉換模組是一垂直發光二極體(VLED)半導體轉換模組，並且該半導體驅動模組是一VLED驅動模組。
  10. 根據請求項9所述的方法，其中，該半導體單元具有複數個磁性的金屬基板層，且該些金屬基層通過電鑄(electroforming)或無電解電鑄成型(electrical less forming)形成。
  11. 一種將一可流動材料填充到一個或複數個顏色LED半導體組件模組中的複數個間隙區域的方法，包含：複數個第一顏色LED單元一起形成於一基板上，以產生一第一顏色LED陣列模組；複數個第二顏色LED單元一起形成於該基板上，以產生一第二顏色LED陣列模組；複數個第三顏色LED單元一起形成於該基板上，以產生一第三顏色LED陣列模組；將該第一顏色LED陣列模組連結到具有電路的一背板上，以形成一第一顏色LED半導體組件模組，且複數個間隙區域被形成於該第一顏色LED半導體組件模組之內；分配該可流動材料並引入一內部作用氣體壓力以推進有機或無機的該流動材料進入複數個間隙區域；通過施加熱和時間進行固化步驟來固化該可流動材料以形成一穩定固體；使用一基板去除程序去除該第一顏色LED單元所屬的該基板；去除固化的該可流動材料以形成一第一顏色LED半導體轉換模組；將該第二顏色LED陣列模組連結到該第一顏色LED半導體轉換模組上，以形成一第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組，且複數個間隙區域被形成於該第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組之內； 分配該可流動材料並引入該內部作用氣體壓力以推進有機或無機的該可流動材料進入複數個間隙區域；通過施加熱和時間進行固化步驟來固化該可流動材料以形成該穩定固體；使用該基板去除程序去除該第二顏色LED單元所屬的該基板；去除固化的該可流動材料以形成一第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組；將該第三顏色LED陣列模組連結到該二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組上，以形成一第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組，且複數個間隙區域被形成於該第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體組件模組之內；分配該可流動材料並引入該內部作用氣體壓力以推進有機或無機的該可流動材料進入複數個間隙區域；通過施加熱和時間進行固化步驟來固化該可流動材料以形成該穩定固體；使用該基板去除程序去除該第三顏色LED單元所屬的該基板；去除有機或無機的該可流動材料以形成一第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組；在該第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組的複數個顏色LED單元上形成一N型接觸金屬層；使用一隔離層在該些間隙區域與部分的該第三顏色-第二顏色-第一 顏色LED半導體轉換模組的該些顏色LED單元；以及製造一陰極導電層在該背板的一陰極上並連結到該第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組的該N型接觸金屬層，以形成一彩色發光二極體半導體驅動模組。
  12. 根據請求項10所述的方法，其中，該方法更包含：重複形成該顏色LED半導體組件模組與一顏色LED半導體轉換模組的步驟，以獲得所需的一個或複數個彩色LED光輸出。
  13. 一種半導體組件模組的結構，包含：在一基板上形成複數個半導體單元以形成一陣列模組；該陣列模組被連結到具有電路的一背板上以形成內部具有複數個該間隙區域的該半導體組件模組，且該些間隙區域的邊緣圍繞該半導體組件模組的邊緣；以及一可流動材料流動於該些間隙區域。
  14. 根據請求項13所述的結構，其中，一空隙或一氣隙被形成於該半導體組件模組的該些間隙區域中。
  15. 根據請求項14所述的結構，其中，一半導體轉換模組是該半導體組件模組利用一基板去除程序移除該基板所形成。
  16. 根據請求項15所述的結構，其中，一隔離層被形成於該半導體轉換模組之上；以及一電路連結被製造於該半導體轉換模組之上，用以形成一半導體驅動模組。
  17. 根據請求項16所述的結構，其中，該半導體驅動模組為一彩色發光二極體半導體驅動模組，包含： 一第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組，在一第一顏色使用陽極的一背板上組成複數個第一顏色LED單元，在一第二顏色使用陽極的該背板上組成複數個第二顏色LED單元，在一第三顏色使用陽極的該背板上組成複數個第三顏色LED單元；一N型接觸金屬層被形成於在該第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組的該些顏色LED單元上；一隔離層被形成於在該第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組的該間隙區域與該些顏色LED單元的一部份上；以及一共陰極導電層被形成於陰極的一背板上，且該第三顏色-第二顏色-第一顏色LED半導體轉換模組的該N型接觸金屬層用以形成該彩色發光二極體半導體驅動模組。
  18. 根據請求項17所述的結構，其中，該第一顏色LED單元於該彩色發光二極體半導體驅動模組的厚度小於該第二顏色LED單元於該彩色發光二極體半導體驅動模組的厚度，並且小於該第三顏色LED單元於該彩色發光二極體半導體驅動模組的厚度。
  19. 根據請求項16所述的結構，其中，該半導體驅動模組是具有多功能的複數圖案半導體單元被組裝到形成具有複數圖案半導體驅動模組的電路的一背板。
  20. 根據請求項19所述的結構，其中，該半導體組件模組是複數多圖案半導體驅動模組，包括：一第一圖案半導體單元具有一顏色自發光功能；一第二圖案半導體單元具有一傳感器功能；以及 一第三圖案半導體單元具有發射一光學信號功能。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
US10418527B2 (en) * 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
KR101725783B1 (ko) * 2016-07-19 2017-04-11 고려대학교 산학협력단 광추출효율 향상을 위한 전극을 구비한 발광 다이오드 소자
WO2018117361A1 (ko) * 2016-12-23 2018-06-28 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 모듈 및 그 제조방법
US11705440B2 (en) * 2017-06-26 2023-07-18 PlayNitride Inc. Micro LED display panel
CN111316455A (zh) * 2017-11-10 2020-06-19 夏普株式会社 半导体模组、显示装置及半导体模组的制造方法
US10811401B1 (en) * 2017-12-08 2020-10-20 Facebook Technologies, Llc Maintaining alignment between a LED device and a backplane during bonding
US11355549B2 (en) 2017-12-29 2022-06-07 Lumileds Llc High density interconnect for segmented LEDs
CN108258577B (zh) * 2018-03-20 2019-08-23 福建中科光芯光电科技有限公司 一种用于提升激光器芯片可靠性及耦合效率的倒装封装
US10707190B2 (en) 2018-04-10 2020-07-07 Glo Ab LED backplane having planar bonding surfaces and method of making thereof
KR102162739B1 (ko) * 2018-04-19 2020-10-07 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자의 자가조립 장치 및 방법
KR102539444B1 (ko) * 2018-05-16 2023-06-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 램프 및 그 제조 방법
US10811575B2 (en) * 2018-07-30 2020-10-20 Facebook Technologies, Llc Laser lift-off masks
US10756162B2 (en) * 2018-08-31 2020-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Structure and formation method of semiconductor device with magnetic element
CN113924660A (zh) 2019-01-25 2022-01-11 亮锐有限责任公司 制造波长转换像素阵列结构的方法
CN209592083U (zh) * 2019-04-30 2019-11-05 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
US11404600B2 (en) 2019-06-11 2022-08-02 Meta Platforms Technologies, Llc Display device and its process for curing post-applied underfill material and bonding packaging contacts via pulsed lasers
US11557692B2 (en) 2019-06-11 2023-01-17 Meta Platforms Technologies, Llc Selectively bonding light-emitting devices via a pulsed laser
JP7463662B2 (ja) * 2019-07-10 2024-04-09 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法および画像表示装置
US11456328B2 (en) * 2019-10-09 2022-09-27 Omnivision Technologies, Inc. Stack chip air gap heat insulator
DE102019217865A1 (de) * 2019-11-20 2021-05-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement
CN111740310B (zh) * 2020-07-10 2021-10-22 西安立芯光电科技有限公司 一种实现半导体激光器芯片锁波中无跳模的方法
US20220140217A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-05 Raysolve Optoelectronics (Suzhou) Company Limited Light emitting diode structure and method for manufacturing the same
US11811000B2 (en) 2020-12-30 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Methods for forming light emitting diodes
CN112909038B (zh) * 2021-03-22 2023-08-01 厦门大学 超高分辨率MicroLED显示屏
CN113725336A (zh) * 2021-04-16 2021-11-30 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板
CN113738961B (zh) * 2021-07-22 2022-12-30 中道(重庆)管业有限公司 一种模块螺旋缠绕管道的微缝隙填充方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4066661B2 (ja) * 2002-01-23 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置の製造装置および液滴吐出装置
KR100856230B1 (ko) * 2007-03-21 2008-09-03 삼성전기주식회사 발광장치, 발광장치의 제조방법 및 모놀리식 발광다이오드어레이
US20090230409A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Underfill process for flip-chip leds
JP5123269B2 (ja) * 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
FR2943176B1 (fr) * 2009-03-10 2011-08-05 3D Plus Procede de positionnement des puces lors de la fabrication d'une plaque reconstituee
US8405228B2 (en) * 2009-03-25 2013-03-26 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with package underfill and method of manufacture thereof
US8334152B2 (en) * 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
KR20110098600A (ko) * 2010-02-26 2011-09-01 삼성엘이디 주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 및 이의 제조방법
US20120168714A1 (en) * 2011-01-03 2012-07-05 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (vled) die and method of fabrication
US8518204B2 (en) * 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
KR20130081515A (ko) * 2012-01-09 2013-07-17 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지용 기판 및 ｌｅｄ 패키지 제조방법
TW201330223A (zh) * 2012-01-13 2013-07-16 Phostek Inc 發光二極體陣列與其製造方法
TWI631697B (zh) * 2012-02-17 2018-08-01 財團法人工業技術研究院 發光元件及其製造方法
US9299887B2 (en) * 2013-03-15 2016-03-29 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Ultra-thin printed LED layer removed from substrate
JP6023660B2 (ja) * 2013-05-30 2016-11-09 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
SG11201601050PA (en) * 2013-09-10 2016-03-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
US9281298B2 (en) * 2014-02-10 2016-03-08 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Process for forming ultra-micro LEDS
US10910350B2 (en) * 2014-05-24 2021-02-02 Hiphoton Co., Ltd. Structure of a semiconductor array
US9847317B2 (en) * 2014-07-08 2017-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of packaging semiconductor devices and packaged semiconductor devices
KR101629268B1 (ko) * 2014-10-29 2016-06-10 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10134803B2 (en) * 2015-01-23 2018-11-20 Vuereal Inc. Micro device integration into system substrate

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