CN113924660A - 制造波长转换像素阵列结构的方法 - Google Patents

Abstract

本发明描述了一种制造波长转换像素阵列结构(1)的方法，该方法包括下列步骤：形成光刻胶块(10)阵列，其中光刻胶块（10）由间隙（G）隔开，并且其中光刻胶块（10）在光刻胶块（10）阵列中的位置对应于发光二极管（20）在发光二极管阵列（2）中的位置；用填料材料填充每个光刻胶块（10）周围的间隙（G）以形成栅格（11）；去除光刻胶块(10)以暴露栅格(G)中的空腔(C)阵列；以及用波长转换材料填充由栅格（G）的壁限定的每个空腔（C）以形成波长转换像素阵列结构（1）的波长转换像素（12），其中，波长转换像素阵列结构（1）制备于晶片（5）中形成的凹槽（50）中。本发明还描述了一种制造发光器件(3)的方法。

Description

制造波长转换像素阵列结构的方法

技术领域

本发明描述了一种制造波长转换像素阵列结构的方法，以及一种制造发光器件的方法。

背景技术

随着发光二极管 (LED) 技术和制造技术的进步，可以制造可单独寻址的高功率LED 阵列。这种阵列可用于诸如照相机闪光灯的应用中，以实现特定场景的精确照明“配方”。这种阵列中 LED 的像素尺寸可能在微米范围内，例如40µm–200µm。这种非常小的LED可以被称为微型LED。阵列可以包括任意数量的这种微型LED。数千个这种微型 LED 的阵列可用于诸如汽车照明单元的应用中。由于 LED 阵列应呈现紧凑的光源，因此希望在各个LED 之间仅具有最小间距，以便这些 LED 可以例如被宽度仅为几微米的“隔道（street）”隔开。通常，LED 的发射面或光出射面涂有可以充当波长转换层的磷光体。在本申请的上下文中，发光二极管应理解为具有将耦合到这种波长转换层中的发射面的直接发射LED。LED的发射面可称为“发光面”。在同时切换的紧密排列的 LED 阵列中，跨整个 LED 阵列应用单个磷光体层更便宜，因为 LED 阵列的像素之间的光学串扰无关紧要。然而，在可单独寻址的 LED 阵列中，这种串扰是不能容忍的。

克服 LED 阵列像素之间光学串扰问题的一种方法是使用合适的图案化技术仅在每个 LED 发射面上沉积磷光体层或涂层（避免 LED 之间的中间空间）。这种磷光体的主要目的是波长转换，并且层厚在很大程度上取决于磷光体颗粒的特性和所需的色点。对于闪光应用，大约50µm 的磷光体层厚度是合适的。在汽车照明应用中，约 10µm–20µm 的较薄磷光体层可能就足够了。磷光体层通常为正方形或矩形，对应于 LED 发射面的形状，并由对应于 LED 之间的间隙或隔道的窄间隙隔开（当然，其他多边形形状也是可能的，例如六边形 LED 发射面和相应的六边形磷光体层形状）。然后需要用反射材料填充这些间隙，以确保从覆盖一个 LED 的磷光体层的侧面射出的任何光不会进入相邻磷光体层的侧面。然而，相邻磷光体层之间的间隙非常窄。此外，磷光体层的高度明显大于间隙的宽度，即相邻磷光体层之间的空间具有高纵横比。为了最小化阵列像素之间的串扰，必须使该空间具有反射性。这可以通过在每个磷光体区域的侧面上沉积反射侧涂层（例如使用诸如银的金属）来实现。更经济的方法是用密封剂（例如带有光反射或散射颗粒悬浮液的聚合硅氧烷（也称为聚硅氧烷或简称为硅树脂））彻底填充间隙（即没有任何意外的空腔或不连续性）。但是，这种比较粘稠的材料很难完全填满窄并且深的间隙。因此，制造可单独寻址的磷光体涂层微型LED 阵列可能会非常昂贵。在可替代方法中，可以通过图案化具有对应于LED阵列的LED之间的空间的尺寸的光刻胶栅格来提供波长转换单元阵列（分段磷光体阵列）。然后可以将反射涂层施加到光刻胶栅格的侧壁上。然后可由合适的磷光体填充由栅格限定的空腔或单元。光刻胶栅格保留在结构中。然而，光刻胶材料通常既对光敏感又对热敏感，因此这种光刻胶栅格可能会很快劣化，从而缩短使用它的应用的寿命。

US2019/027662A1公开了制造封装发光器件的方法。WO 2015/135839 A1公开了包括至少一种烧结的波长转换材料的波长转换元件，其中栅格由烧结波长转换材料内的通道形成。US 2017/365755 A1公开了将可流动材料填充到半导体组装模块的间隙区域中的方法。

因此，本发明的目的是提供一种生产不受上述串扰问题影响的发光器件的方法。

发明内容

本发明的目的是通过权利要求1的制造波长转换像素阵列结构的方法，通过权利要求13的制造发光器件的方法，以及通过权利要求15的发光器件来实现的。

波长转换像素阵列结构应理解为包括将被布置在对应的LED阵列上方的波长转换像素阵列。波长转换像素阵列结构可以独立于LED阵列制造。优选地，制备与紧密排列的LED阵列一起使用的波长转换像素阵列结构。光刻胶块覆盖的区域优选对应于对应的发光二极管的区域，使得当完成的波长转换像素阵列结构位于LED阵列上方时，LED的发射面被波长转换像素的下表面覆盖，该波长转换像素的下表面通过填充去除光刻胶块后露出的空单元形成。

根据本发明，波长转换像素阵列结构的制造方法包括形成光刻胶块阵列的步骤，其中光刻胶块被间隙隔开。光刻胶块的位置对应于LED阵列中LED的位置，使得光刻胶块之间的间隙对应于LED阵列的LED之间的隔道，并且基本上限定了一个栅格负片。由于 LED 之间的隔道通常非常狭窄，光刻胶块之间的间隙基本上形成了狭窄的“峡谷”或沟槽的规则网络。这种包围光刻胶块的间隙或空白空间的网络在下文中可被称为“负空间”。在下一步中，填充负空间以形成相应的栅格或规则的窄壁网络。栅格壁由填充的间隙形成。该填充步骤的目的是形成一个栅格结构，该结构基本上对应于包围 LED 阵列的 LED 的隔道网络。在下一步中，从栅格结构中去除光刻胶块，以暴露由栅格壁定义的空腔或空单元阵列。通过去除光刻胶块形成每个空单元。在随后的步骤中，每个空单元被波长转换材料填充以形成波长转换像素阵列的像素。因此，波长转换像素阵列结构基本上包括波长转换像素阵列，以及通过填充负空间而形成且现在包围波长转换像素的栅格。

本发明方法的优点在于，可以以有利的低成本实现紧密排列的波长转换像素阵列，因为可以毫无困难地执行这些步骤并且可以使用经济上有利的材料。此外，通过为栅格选择合适的材料成分，可以最小化甚至消除波长转换像素之间的串扰。例如，用于形成栅格的材料可以是固有地反射性的。可替代地，在去除光刻胶块以露出栅格后，栅格的侧壁可以涂上一层薄的反射材料。本发明的优点在于，将反射层施加到栅格的暴露侧壁上比将反射材料引入磷光体像素之间的窄沟槽中容易得多。

根据本发明，制造发光器件的方法包括提供发光二极管阵列和利用上述方法制造波长转换像素阵列结构的步骤。波长转换像素阵列结构可以独立于发光二极管阵列制造并且可以安装在发光二极管阵列上。可替代地，波长转换像素阵列结构可以直接形成在发光二极管阵列上。通过这种方式，可以以有利的低成本实现像素之间串扰非常低或可忽略不计的发光器件。

从属权利要求和以下描述公开了本发明的特别有利的实施例和特征。可以适当地组合实施例的特征。在一个权利要求类别的上下文中描述的特征可以同样适用于另一个权利要求类别。

在下文中，但不以任何方式限制本发明，可以假设LED发射蓝光，并且可以假设LED的发射面或发光表面耦合到波长转换层中。离开 LED 的磷光体层的白光（可称为磷光体转换 LED 或“pcLED”）是由波长转换光和 LED 发射的未转换蓝光的混合物。可以通过选择特定的磷光体组合物来实现所需的色点。pcLED可被设计为使得仅由 LED 发射的一部分光被磷光体吸收，在这种情况下，来自 pcLED 的发射是由 LED 发射的光和由磷光体发射的光的混合物。通过合适的LED、磷光体和磷光体组合物的选择，这种PCLED可以设计成例如发射具有所需色温的白光。通过使用将蓝光转换为黄/绿光的磷光体可以实现冷白色。通过使用转换为黄/绿光的磷光体以及转换为红光的磷光体可以实现暖白色。可以通过将此类磷光体的合适组合物用于波长转换像素阵列来调整光的色点。优选地，发光二极管阵列以晶片形式提供，波长转换像素阵列结构直接制作在发光二极管阵列上。

在本发明的优选实施例中，相邻光刻胶块之间的间隙的宽度——因此还有通过填充负空间形成的栅格壁的宽度——包括至多20μm，更优选地至多15μm，最优选地至多 3μm。由于磷光像素阵列结构的目的是为每个发光二极管提供波长转换元件，因此沉积或形成光刻胶块，使得光刻胶块的高度对应于将要在去除光刻胶结构后剩余的空单元中沉积的波长转换层的高度。优选地，光刻胶块的高度——因此未来波长转换像素的高度——在10μm-50μm的数量级。

可以使用任何合适的技术图案化或形成光刻胶块。可以假设光刻胶块被形成为具有基本上矩形的形式，即具有矩形或正方形的下表面、对应的上表面以及形成为两对平行相对表面的四个侧面或侧壁。为了说明本发明的目的，光刻胶块的上下表面被认为是水平表面，侧面被认为是垂直表面。

一旦光刻胶块就位，则例如使用合适的液体形式的硅树脂填料填充负空间以形成栅格结构。在本发明的一个特别优选的实施例中，允许液体前体填料材料流入负空间。该步骤可称为填料流入过程。用于这种目的的硅树脂悬浮液通常以液体形式存在，并且可以在适当的固化温度下固化。在固化形成栅格正片并去除光刻胶块后，薄且相对较高的栅壁可以涂上反射材料。

可替代地，可以通过应用软光刻技术用合适的材料（例如硅树脂）填充每个光刻胶块周围的负空间来形成栅格。

在填料流入过程中，用于填充负空间的填料材料优选地包括带有反射和/或散射颗粒的悬浮液的液态硅树脂。可以使用任何合适的颗粒，例如二氧化钛、氧化锆、多孔二氧化硅、氟化镁、银、金属薄片等。合适的组合物可以是硅树脂中5％TiO₂ 悬浮液，其广泛用作LED密封剂。由于某些类型的光刻胶无法承受固化 LED 应用中使用的硅树脂所需的高温，因此可能优选可替代固化机制，例如紫外线固化或气相固化。这样的技术还可以确保去除光刻胶后栅格结构具有足够的刚度。

在本发明的优选实施例中，在填充负空间以形成栅格之后清洁光刻胶块的顶表面。为了便于清洁光刻胶块的上表面，这些表面的氟化可以使用合适的物质（例如氟化硅烷）来进行。可能需要清洁光刻胶块的上表面以避免在光刻胶块的上表面上形成固化填料材料的薄层（表皮）。如果这种固化填料材料的表皮或层在光刻胶块的大部分上延伸，它甚至可以阻碍该光刻胶块的去除（剥离）。因此，在本发明的优选实施例中，通过干擦、湿擦或用不影响光刻胶的溶剂冲洗来清洁光刻胶块的上表面。如果使用诸如刀片的工具来清洁光刻胶块的上表面，则刀片优选地由确保刀片边缘保持在光刻胶块阵列的上部水平的工具或装置引导。可替代地，可以进行研磨或抛光以从光刻胶块的顶表面去除多余的材料。

如上所述，用于填充光刻胶块所有侧面上的间隙的填料材料可以包括含有散射颗粒悬浮液的硅树脂。可替代地，填料材料可以基本上是透明的，并且该方法可以包括在栅格壁的垂直侧面上沉积反射涂层的步骤。例如，可以使用合适的技术将银或铝镜或布拉格反射器涂层施加到栅格侧壁，例如使用原子层沉积以形成布拉格反射器涂层。

如上所述，光刻胶块之间的间隙由必须允许硬化或固化的液体填料材料填充。然而，聚硅氧烷相对较高的固化温度可能导致光刻胶材料发生不希望的变化，从而难以或不可能从栅格上去除光刻胶块。因此，在本发明的优选实施例中，该方法包括在低于填料材料的推荐固化温度的温度下的第一固化步骤。选择第一固化条件（温度和持续时间）以确保光刻胶的化学成分不会改变。在该第一固化步骤中，填料材料仅部分固化，但足够稳定，以便随后可以例如使用合适的溶剂去除光刻胶块，如上所述。在去除光刻胶块之后，该方法包括在较高温度下的第二固化步骤，以完全固化填料材料并形成栅格。一旦栅格完全固化，去除光刻胶块后露出的空腔就可以用波长转换材料填充。可以使用替代固化机制，例如紫外线固化或气相固化，以在去除光刻胶后为栅格结构提供足够的刚度。

为了发光二极管阵列的最佳性能，波长转换像素阵列结构中的每个波长转换像素都应该被栅格的反射壁围绕。因此，为了确保液体填料材料也可用于在光刻胶块阵列的外边缘周围形成壁，光刻胶块优选地形成在合适的容器中。因此，（将由填料材料填充的）负空间包括相邻光刻胶块之间的狭窄间隙或峡谷，以及光刻胶块阵列和容器侧壁之间的空的空间。例如，光刻胶块可以形成在容器的水平底部或底板上，容器的侧壁优选不高于光刻胶块的预期高度(即未来波长转换层的期望厚度)。这可以通过使用具有大于 LED 阵列的开口的合适材料的箔或其他薄片来实现。该箔或片的厚度对应于所需波长转换层的厚度。将片在光刻胶块将被图案化的表面上就位。该片可以粘合就位，例如通过为其提供粘性背衬。然后图案化光刻胶块，然后将液体填料倒入由片中的开口形成的“容器”中。

在本发明的优选实施例中，发光二极管阵列设置在晶片中形成或(在反应离子蚀刻工艺中)蚀刻的凹槽的底部至对应于光刻胶块的高度的深度。该凹槽或“容器”可以促进液体填料材料的分布。例如，在本发明的优选实施例中，液体填料材料通过合适的溶剂稀释以降低其粘度，填充光刻胶块周围间隙的步骤可以通过将稀释的液体填料分配到凹槽中来进行，使得通过毛细作用填充光刻胶块之间非常狭窄的间隙。用来稀释填料材料的溶剂优选是不会使光刻胶溶胀的溶剂。这种方法的优点是，一旦液体填料达到所需的水平，就可以停止分配过程，即，一旦所有的沟槽或间隙都被填满，该过程就停止，使得液体填料因此不会散布到光刻胶的上表面。使用这种方法，由于液体填料不会覆盖光刻胶块的上表面，因此在从固化的栅格中去除光刻胶块之前无需清洁这些上表面。

在本发明的优选实施例中，然后通过使用合适的溶剂溶解光刻胶来去除光刻胶块。例如，可以使用标准的剥离溶剂，例如二甲基亚砜（DMSO）。可替代地，可以使用干蚀刻方法来去除光刻胶块。一旦去除了光刻胶以暴露空单元，就可以如上所述使栅格的侧壁具有反射性，例如通过将银或铝层施加到栅格的侧壁上，或通过进行原子层沉积形成布拉格反射器涂层。

如上所述，通过去除光刻胶块创建的空单元或空腔然后被波长转换材料或磷光体填充以形成波长转换像素阵列的波长转换像素。本领域技术人员将熟悉适当的技术，例如刮涂、喷涂、电泳沉积等。可以根据波长转换材料的预期功能来选择磷光体。（多个）磷光体可以与合适的密封剂树脂或硅树脂（优选具有良好温度稳定性的密封剂）混合。另一种方法是在空单元中布置磷光体颗粒沉积物，然后干燥并应用粘合颗粒的材料，例如使用溶胶-凝胶方法或原子层沉积方法。术语“波长转换材料”和“磷光体”在下文中可以互换使用。

本发明的其他目的和特征将从以下结合附图考虑的详细描述中变得清楚。然而，应当理解的是，附图仅用于说明的目的而不是作为对本发明的限制的定义。

附图说明

图1示出了 LED 阵列；

图2示出了制造波长转换像素阵列结构的本发明方法的实施例中的阶段；

图3示出了本发明的发光器件的实施例的简化示意图；

图4是示出本发明制造方法的实施例中的阶段的简化图；

图5示出了制造波长转换像素阵列结构的本发明方法的替代实施例中的阶段。

在附图中，相同的附图标记始终指代相同的对象。图中的对象不一定按比例绘制。

具体实施方式

图1示出了LED阵列2，其包括在晶片21中形成的49个微型LED 20的示例性7×7阵列。这里，每个LED 20具有基本上方形的发射表面，其中边长20W为40μm- 200μm量级。LED阵列2可以以每个LED 20可单独寻址的方式连接到驱动器(未示出)。LED 20之间的间隙20G可以具有小至8μm的宽度。更大的微型 LED 阵列是可能的，例如100 x 100的微型LED。

图2示出了制造与图1中描述的微型LED阵列一起使用的波长转换像素阵列结构1的本发明方法的阶段。

在第一阶段I，提供容器5。例如，这可以是其中蚀刻有浅凹槽50的晶片。容器5的深度50对应于波长转换像素的厚度。可替代地，容器5可通过将厚度50的切割的片或箔附接到合适的载体（例如光滑玻璃或金属）上而形成。然后，片或箔片中的切割口将形成凹槽 50的侧壁，并且载体的上表面将形成凹槽 50 的底板或底部。可替代地，凹槽可以通过下一个阶段沉积围绕物或包围物而形成。

在第二阶段II中，光刻胶块10被图案化在容器5的底板上，其高度对应于容器5的深度12H，使得光刻胶块10的高度12H或厚度也对应于厚度波长转换像素的厚度12H。光刻胶块10的宽度20W对应于LED阵列的LED 20的宽度20W。光刻胶块10被沉积或图案化以在相邻光刻胶块10之间留下狭窄的沟槽或间隙G (对应于LED阵列的LED之间的隔道)。间隙G的宽度GW对应于图1中描述的LED阵列2的LED 20之间的间距20W。边界B或“壕沟”围绕光刻胶块10阵列，并将在随后的填充步骤中使用。

在第三阶段III中，将液体填料11F倒入容器5中，并使其围绕边界区域的光刻胶块10，从边界区域可以进入光刻胶块10之间的间隙G，使得液体填料11F充满光刻胶块10周围的负空间。在该示例性实施例中，可以假设液体填料11F是带有散射颗粒悬浮液的硅树脂，并且可以使用不影响光刻胶材料的适当溶剂进行稀释。一旦液体填料11F的水平达到光刻胶块10的上水平，即液体充满容器5，液体填料11F的分配就停止。然后液体填料被固化。如果光刻胶无法承受硅树脂固化温度，液体填料11F仅在低于硅树脂推荐固化温度的温度下部分固化，或者使用合适的UV固化或气相固化技术完全固化，如上所述。液态填料材料11F在固化过程中发生交联，成为固化的栅格11，包括填充光刻胶块10之间的间隙G形成的窄栅格壁，以及填充光刻胶块10阵列周围的边界B形成的较宽边框。

在第四阶段IV中，例如使用合适的溶剂或通过等离子体蚀刻从气相中去除或剥离光刻胶块10。去除光刻胶块10后，空腔或空单元C露出来。部分固化填料的栅格11也露出来。然后在第二固化步骤中在重新组合的固化温度下完全固化栅格11。在该阶段，例如通过布拉格反射器的沉积，固化的栅格11的垂直侧面11S可以如上所述地涂覆有反射材料。在稍后阶段，可以使用合适的技术去除沉积在栅格水平表面上的任何此类涂层。

在第五阶段V，用合适的磷光体组合物（例如磷光体浆料）填充空单元C，以形成波长转换像素 12 阵列。使用合适的技术（例如刮涂、喷涂、电泳沉积等），磷光体组合物沉积到与栅格 11 相同的高度。完全固化的栅格11足够坚固以在腔填充过程中保持其形状。

在最后阶段VI中，完成的波长转换像素阵列结构1可以从容器5中移除。然后可以将其安装在LED阵列上方。如果需要，可以将栅格11的较宽的外部部分切割成一定尺寸。

图3示出了本发明的发光器件3的实施例的简化横截面。这里，如图2中解释的本发明的波长转换像素阵列结构1的实施例位于图1中描述的LED阵列2上方。以给出磷光体转换LED阵列。该图示出波长转换像素12的位置与LED 20的位置基本匹配，并且栅格11基本上是LED 20之间的空间20G的延续。每个LED 20及其波长转换像素12是一个pcLED。由于栅格11是反射性的，由LED 20之一发射并穿过其波长转换像素12的任何光(由示例性向上指的箭头指示)将不能进入任何相邻的波长转换像素12，使得不会出现波长转换像素12之间的串扰。

图4是示出本发明的制造方法中的阶段的简化图，当液体填料11F被分配到容器5角落处的储存器中时。例如，如果容器5由与LED相同的晶片形成，蚀刻凹部50以还包括储存器。如本领域技术人员所知，液体填料11F可以从合适的分配装置的喷嘴51分配。光刻胶块10 阵列先前已在容器 5 中的凹槽底部被图案化至高度与容器 5 相同的高度。该图用于说明液体填料 11F——特别是如果使用合适的溶剂稀释——是自由地流入容器5中的凹槽并从光刻胶块10阵列的所有侧面到达光刻胶块10之间的间隙G。一旦液体填料11F填充了凹槽50和所有间隙G，它固化形成实心栅格，之后可以去除光刻胶块10以暴露由栅格壁限定的空单元或空腔。

图 5 示出了可替代软光刻工艺中的步骤。在步骤I中，在合适的衬底上图案化块10阵列。在步骤II中，使用软光刻技术形成栅格11。在步骤III中，将栅格11从块10上提起。在步骤IV中，将栅格倒置并且用诸如磷光体的波长转换材料填充空单元C。在步骤V中，将波长转换像素阵列结构1倒置并放置在LED 20阵列(以晶片的形式提供)上方。在步骤VI中，去除多余的材料以暴露波长转换像素12。

尽管本发明已经以优选实施例及其变型的形式公开，但是应当理解，在不脱离本发明的范围的情况下可以对其进行许多附加的修改和变型。例如，可以通过在流入过程中使用TiO₂（二氧化钛）悬浮液和溶胶-凝胶粘合剂填充光刻胶块之间的间隙来形成栅格以获得多孔光散射材料。为了控制流入过程中使用的溶剂的蒸发，可能需要低蒸气压或控制蒸气压。

为清楚起见，应理解，贯穿本申请，使用“一”或“一个”不排除多个，并且“包括”不排除其他步骤或要素。提及“单元”或“模块”并不排除使用多个单元或模块。

附图标记

波长转换像素阵列结构 1

光刻胶块 10

液体填料 11F

栅格 11

垂直侧面 11S

波长转换像素 12

波长转换像素高度 12H

块之间的间隙 G

间隙宽度 GW

边界 B

空单元 C

LED阵列 2

LED 20

边长 20W

LED之间的间隙 20G

晶片 21

发光器件 3

容器 5

凹槽 50

分配喷嘴 51。

Claims (15)

1.一种制造波长转换像素阵列结构(1)的方法，所述方法包括下列步骤：

-形成光刻胶块（10）阵列，其中所述光刻胶块（10）由间隙（G）隔开，并且其中光刻胶块（10）的位置对应于发光二极管（20）在发光二极管阵列（2）中的位置；

-用填料材料填充每个光刻胶块（10）周围的间隙（G）以形成栅格（11）；

-去除光刻胶块 (10) 以暴露栅格 (G) 中的空腔 (C) 阵列；以及

-用波长转换材料填充由栅格（G）的壁限定的每个空腔（C）以形成波长转换像素阵列结构（1）的波长转换像素（12），

其中，波长转换像素阵列结构（1）制备于晶片（5）中形成的凹槽（50）中，并且

其中，填充光刻胶块(10)周围的间隙(G)的步骤包括将液态前体填料材料(11F)分配到凹槽(50)中的步骤。

2.根据权利要求1的方法，其中填料材料是反射性的。

3.根据权利要求2所述的填料材料，其中所述填料材料包括带有散射颗粒悬浮液的聚合硅氧烷(11F)。

4. 根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述用填料材料填充每个光刻胶块（10）周围的间隙（G）的步骤包括允许液体填料材料（11F）流入所述光刻胶块 (10)之间的间隙（G）中。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述用填料材料填充每个光刻胶块（10）周围的间隙（G）的步骤包括执行软光刻技术以用填料材料填充每个光刻胶块(10)周围的间隙（G）的步骤。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中相邻光刻胶块(10)之间的间隙(G)具有至多20μm、更优选至多15μm、最优选至多3μm的宽度。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中光刻胶块(10)形成到与波长转换像素(12)的期望高度(12H)对应的高度(12H)。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括在用所述填料材料填充所述间隙(G)之后清洁所述光刻胶块(10)的上表面的步骤。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括在移除所述光刻胶块以暴露所述栅格(G)中的空腔阵列(C)之后在所述栅格(11)的垂直侧面(11S)上沉积反射涂层的步骤。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中被光刻胶块(10)覆盖的区域对应于对应的发光二极管(20)的区域。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中用于形成所述栅格(11)的填料材料是UV可固化材料或气相可固化材料。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括从晶片(5、21)去除所述波长转换像素阵列结构(1)的步骤。

13.一种制造发光器件(3)的方法，该方法包括下列步骤：

-提供发光二极管（20）阵列（2）；

-使用根据权利要求1至12中任一项所述的方法制造波长转换像素阵列结构(1)；其中

-波长转换像素阵列结构（1）独立于发光二极管阵列（2）制作并安装于所述发光二极管阵列（2）上方；或者

-波长转换像素阵列结构（1）形成在发光二极管阵列（2）上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述发光二极管阵列(2)以晶片形式提供。

15.一种使用根据权利要求13至14中任一项所述的方法制造的发光器件(3)。

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