TW201806017A - 晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]形成可以將晶圓分割成在元件晶片之角上不產生缺損。 [解決手段]是從晶圓的背面側照射對晶圓具有穿透性之波長的雷射光束，並且沿著第1切割道及第2切割道在晶圓的內部形成2層以上的改質層。藉由於改質層的形成之後，從晶圓的背面進行磨削之磨削動作，以將改質層作為起點來沿著第1切割道及第2切割道將晶圓分割成元件晶片。在改質層的形成中，將第1切割道中的晶圓正面側的最下層的改質層，按每個相鄰之元件在該第1切割道內朝正交於第1切割道的方向錯開來形成。藉此，形成為不使相鄰的元件晶片的角彼此於分割時在對角線上相摩擦。

Description

晶圓的加工方法
發明領域 本發明是有關於一種將晶圓分割成複數個元件晶片之晶圓的加工方法。
發明背景 以切削刀來切割具有例如300[μm]以上之較厚的厚度之晶圓時，會有背面破裂(chipping)變大的問題。因此，已有一種使用將雷射加工與磨削加工組合之SDBG(隱形切割後研磨，Stealth Dicing Before Grinding)的方法被提出(參照例如專利文獻1)。在SDBG中，是沿著晶圓之分割預定線照射對晶圓具有穿透性之波長的雷射光束，以在晶圓的預定深度的位置上形成強度已降低的改質層。之後，藉由磨削晶圓的背面，以將晶圓薄化至成品厚度，並且藉由磨削壓力以將晶圓以改質層作為分割起點而分割成一個個的元件晶片。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2003/077295號公報
發明概要 發明欲解決之課題 然而，以SDBG在晶圓的內部形成改質層後，要分割成一個個的晶片的時候，由於會有在晶片的對角線方向上相鄰的角落間並無間隔，因而導致晶片的角落彼此相摩擦而容易在角落處產生缺損的問題。
本發明是有鑒於所述之點而作成的發明，其目的在於提供一種晶圓的加工方法，其可將晶圓分割成在一個個元件晶片之角上不產生缺損。 用以解決課題之手段
本發明的晶圓的加工方法，為分割於晶圓正面藉由在第一方向上伸長的複數條第1切割道、及在與第一方向正交的第二方向上伸長的複數條第2切割道所區劃出之各區域中具備有複數個元件的晶圓之晶圓的加工方法，其特徵在於具備： 改質層形成步驟，從晶圓背面側照射對晶圓具有穿透性之波長的雷射光束，並且沿著第1切割道及第2切割道在晶圓的內部形成2層以上的改質層；及 分割步驟，已實施改質層形成步驟後，從晶圓的背面藉由磨削設備來磨削以薄化至成品厚度，並且以改質層作為起點來沿著第1切割道及第2切割道分割晶圓， 在改質層形成步驟中，將至少第1切割道中的晶圓正面側的最下層的改質層，按每個相鄰之元件在第1切割道內朝第二方向錯開而形成，以免相鄰的元件晶片的角彼此於分割時在對角線上相摩擦。
根據此構成，由於是在改質層形成步驟中將晶圓正面側的最下層的改質層，按每個相鄰之元件在切割道內錯開而非連續地形成，所以能夠在元件晶片的晶片之對角線方向上相鄰的角之間形成間隔。藉此，就能夠在分割步驟中減少元件晶片的角彼此相摩擦的情形，並且能夠減少在角上的缺損。 發明效果
根據本發明，可以將晶圓分割成在元件晶片之角上不產生缺損。
用以實施發明之形態 以下，參照附加圖式，說明本實施形態之晶圓的加工方法。首先，參照圖1，說明本實施形態之藉由晶圓的加工方法所加工的晶圓。圖1是本實施形態之晶圓的概要立體圖。
如圖1所示，晶圓W是形成為大致圓板狀，並且在正面W1上設有元件層WA。於晶圓W的正面W1形成有在一個方向上延伸的第1切割道L1、及在與第1切割道L1正交的方向上延伸的複數條第2切割道L2。在被這些第1、第2切割道L1、L2所區劃出的區域中形成有複數個元件D。又，於晶圓W的正面貼附有用於保護元件D的保護膠帶T。晶圓W是如圖2所示，將下表面側貼附在已張設於環狀的環形框架F之黏著片S上，而被保持在環形框架F上。
晶圓W，具有例如300[μm]以上之厚度，並且藉由組合雷射加工和磨削加工而成的SDBG而被分割成一個個的元件晶片。在此情形下，以雷射加工在晶圓W內形成改質層之後，以磨削加工將晶圓W磨削至成品厚度，並且將改質層作為分割起點來分割晶圓W。再者，晶圓W，也可以是在矽、砷化鎵等的半導體基板上形成有IC、LSI等之半導體元件的半導體晶圓，也可以是在藍寶石、碳化矽等的無機材料基板上形成有LED等之光元件的光元件晶圓。
接著，參照圖2，說明用於本實施形態之晶圓的加工方法的雷射加工裝置。圖2為本實施形態之雷射加工裝置的概要立體圖。再者，本實施形態之雷射加工裝置，不限定於圖2所示之構成。雷射加工裝置，只要可以對晶圓形成改質層，任何構成皆可。
如圖2所示，雷射加工裝置10是構成為使照射雷射光線的雷射加工單元12和已將晶圓W保持在上表面的保持台13相對移動，以加工晶圓W。
雷射加工裝置10具有長方體狀之基台11。基台11的上表面設有將保持台13朝X軸方向(第一方向)加工進給，並且朝Y軸方向(與第一方向正交的第二方向)分度進給的工作夾台移動機構14。在工作夾台移動機構14的後方，豎立設置有立壁部16。從立壁部16的前面有臂部17突出，並在臂部17上將雷射加工單元12支撐成與保持台13相向。
工作夾台移動機構14具備有使保持台13和雷射加工單元12在分度進給方向(Y軸方向)上相對移動的分度進給設備20、及在加工進給方向(X軸方向)上相對移動的加工進給設備21。
分度進給設備20包含有配置於基台11的上表面之平行於Y軸方向的一對導軌23、及可在一對導軌23上滑動地設置之馬達驅動的Y軸工作台24。在Y軸工作台24的下表面側形成有圖未示之螺帽部，且在這些螺帽部中螺合有滾珠螺桿25。並且，藉由將連結到滾珠螺桿25的其中一端部之驅動馬達26旋轉驅動，就可沿著導軌23在Y軸方向上移動Y軸工作台24、加工進給設備21及保持台13。
加工進給設備21具備有配置於Y軸工作台24的上表面之平行於X軸方向的一對導軌30、及透過導軌30而可在加工進給方向(X軸方向)上移動的可動部31。可動部31具有藉由導軌30導引X軸方向之滑動移動的X軸工作台32、及設於X軸工作台32之下部的線性馬達(馬達)33。線性馬達33具備有在導軌30之間與沿著X軸方向而配置之磁性板(magnet plate)35相向的電磁線圈(圖未示)。電磁線圈是例如讓三相交流電將移送錯開來依序進行通電，以形成使線性馬達33本身及X軸工作台32沿著成為X軸方向之往復移動方向移動的移動磁場。再者，加工進給設備21並非限定於上述之設備，也可以變更成例如利用了如分度進給設備20地被旋轉驅動的滾珠螺桿之構成。
X軸工作台32的上表面保持有保持台13。保持台13是形成為圓板狀，並透過θ工作台38可旋轉地設置於X軸工作台32的上表面。在保持台13的上表面，藉由多孔陶瓷材而形成有吸附面。在保持台13的周圍，透過支撐臂而設置有4個夾具部39。藉由以空氣致動器(圖未示)驅動4個夾具部39，就可從四方將晶圓W周圍的環形框架F挾持固定。
雷射加工單元12具有設置於臂部17的前端之作為雷射光束照射設備的加工頭40。在臂部17及加工頭40內設置有雷射加工單元12的光學系統。加工頭40是藉由聚光透鏡將由圖未示之振盪器所振盪產生的雷射光束聚光，並且對被保持在保持台13上的晶圓W照射雷射光束以進行雷射加工。在此情形下，雷射光束為對晶圓W具有穿透性之波長，並且在光學系統中調整成定位在晶圓W的內部。
藉由此雷射光束的照射而在晶圓W的內部形成成為分割起點的改質層R(參照圖4)。改質層R是指藉由雷射光束的照射而使得晶圓W內部的密度、折射率、機械性強度和其他物理上的特性變得與周圍不同的狀態，且導致強度也比周圍低的區域。改質層R可以是例如，熔融處理區域、裂痕(crack)區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域，也可以是混合了這些區域的區域。由加工頭40所照射的雷射光束，是形成為可控制形成改質層R之聚光位置的高度。
於雷射加工裝置10上設有整合控制裝置各構成要素的控制設備51。控制設備51是以執行各種處理的處理器所構成。對控制設備51可輸入來自圖示省略之各種檢測器的檢測結果。可從控制設備51對驅動馬達26、線性馬達33、加工頭40等輸出控制訊號。
以下，參照圖3至圖9，以說明晶圓的加工方法。各自所顯示的是，圖3是本實施形態之保持步驟的說明圖，圖4至圖7是本實施形態之改質層形成步驟的說明圖，圖8及圖9是分割步驟的說明圖。再者，在本實施形態中，雖然所說明的是將晶圓的加工方法適用於SDBG之一例，但是也能夠適用於在晶圓之內部以改質層為起點而分割之其他的工法上。
如圖3所示，首先實施保持步驟。在保持步驟中，是將貼附有保護膠帶T之晶圓W隔著保護膠帶T吸附保持在保持台13上。
如圖4所示，實施保持步驟後是實施改質層形成步驟。在改質層形成步驟中，首先藉由將保持台13移動、旋轉，以將晶圓W定位成例如第1切割道L1與X軸方向(第一方向)成為平行而伸長、第2切割道L2與Y軸方向(第二方向)成為平行而伸長。其次，相對於保持台13上的晶圓W，將加工頭40定位在與X軸方向成為平行的第1切割道L1上。之後，一邊朝晶圓W的背面W2側照射雷射光束，一邊將保持台13及加工頭40與X軸方向平行地相對移動(加工進給)。藉此，可沿著第1切割道L1照射雷射光束，並且在晶圓W的內部形成沿著第1切割道L1的改質層R。
沿著對象的第1切割道L1形成改質層R之後，停止雷射光束的照射，並且使保持台13和加工頭40在Y軸方向上對應於第1切割道L1的間隔而相對移動(分度進給)。藉此，能夠將加工頭40與相鄰於對象之第1切割道L1的第1切割道L1對齊。
接著，沿著相鄰之第1切割道L1形成同樣的改質層R。反覆此動作，沿著在X軸方向上延伸之全部的第1切割道L1皆形成改質層R，之後，使保持台13以繞著旋轉軸的方式旋轉90°，並沿著在Y軸方向上延伸之第2切割道L2(參照圖5)形成改質層R。
改質層R是按每個根據雷射光束的波長的脈衝間距(pulse pitch)進行改質，並且形成為在截面觀看下縱長的改質層在加工進給方向(X軸方向)連續且並列。藉由雷射光束進行之改質層R的形成，是如後述地反覆進行2次以上，以在晶圓W的內部形成2層以上的改質層R。
圖6是關於在改質層形成步驟中的第1層改質層之形成要點的說明圖，圖6A是圖5之a部分放大圖。在改質層形成步驟中，形成2層以上的改質層R之時，如圖6A所示，第1切割道L1中的第1層改質層R1，雖然是與X軸方向成為平行但並未位於一直線上而是以非連續方式形成。第1切割道L1中的改質層R1的形成，首先是在加工頭40(參照圖4)對第1切割道L1的定位中，將聚光點設定成例如將Y軸方向之位置定位在圖6B的位置Y1，並且使Z軸方向之位置成為圖6B的位置R1。並且，在晶圓W的加工進給中，在X軸方向上每隔1個元件D來反覆進行雷射光束的照射和照射停止。藉此，形成為在第1切割道L1內的Y軸方向位置Y1中，按每個在X軸方向上相鄰之元件D，交互地設置改質層R形成的區域與未形成之區域。
在Y軸方向位置Y1上形成改質層R1之後，將晶圓W分度進給成聚光點在第1切割道L1內於Y軸方向上移動間隔s1之量，而將聚光點設定在Y軸方向位置Y2。之後，一邊將晶圓W在X軸方向上加工進給，一邊於Y軸方向位置Y1上未形成有改質層R之第1切割道L1內的區域中，在Y軸方向位置Y2上照射雷射光束。因此，在此雷射光束的照射中，也可在X軸方向上每隔1個元件D反覆進行雷射光束的照射和照射停止。換而言之，在Y軸方向位置Y2中，也可形成為在X軸方向上按每個相鄰之元件D，將改質層R1形成的區域與未形成之區域交互地設置。藉此，可將形成於Y軸方向位置Y1的改質層R1和形成於Y軸方向位置Y2的改質層R1合併，在X軸方向上按每個相鄰之元件D，在第1切割道L1內於Y軸方向上錯開間隔s1之量而形成改質層R1。
又，在第1切割道L1的改質層R1的形成之中，在包夾形成於第2切割道L2之改質層R1的位置上，使改質層R1在成為間隔s2之區域中為非形成。換言之，並非在第1切割道L1的延伸方向上連續而形成，而是斷續地形成。在此，在間隔s1的情況，只要是可落在第1切割道L1的範圍中，以較寬為較理想。較理想的是，將成為改質層R1之形成位置的Y軸方向位置Y1、Y2設為離第1切割道L1的寬度方向中心相同距離，可以例示為：將間隔s1設為10~40[μm]，且將從第1切割道L1的寬度方向中心至Y軸方向位置Y1、Y2之距離設為5~20[μm]。又，在間隔s2的情況，以將第2切割道L2的寬度方向中心設為中心為較理想，且可以例示為設為20[μm]。
如上述地進行而將第1層的改質層R1沿著在X軸方向上延伸之全部的第1切割道L1形成之後，如上述地沿著在Y軸方向上延伸之第2切割道L2形成第1層的改質層R1。第2切割道L2的改質層R1是以如圖示地在第2切割道L2的寬度方向中心位置上連續的直線狀的方式形成。
圖6B是圖6A的b-b線截面圖，圖6C是圖6A的c-c線截面圖。如圖6B及圖6C所示，第1層的改質層R1是在晶圓W的正面W1側作為最下層而形成。
圖7是關於在改質層形成步驟中的第2層以後的改質層之形成要點的說明圖。圖7A是圖5的a部分放大圖，圖7B是圖7A的d-d線截面圖，圖7C是圖7A的e-e線截面圖。如圖7B及圖7C所示，第2層改質層R2的形成位置是設定在使其與第1層改質層R1的背面W2側(上側)間隔預定距離之位置上，且第3層的改質層R3的形成位置是設定在使其與第2層改質層R2的背面W2側間隔預定距離之位置上。因此，雖然在本實施形態中是形成3層的改質層R1~R3，但是在形成4層以上的改質層的情形下，是形成在使其由之前剛形成之改質層朝背面W2側間隔預定距離之位置上。
如圖7A所示，第1切割道L1中的第2層及第3層改質層R2、R3，是在第1切割道L1的寬度方向中心位置上，以於第1切割道L1之延伸方向上連續的直線狀之方式形成。又，在第2切割道L2中的第2層及第3層改質層R2、R3中，也是在第2切割道L2的寬度方向中心位置上，以在第2切割道L2之延伸方向上連續的直線狀之方式形成。藉此，從晶圓W的正面W1側涵蓋至背面W2側而形成3層的改質層R1~R3，並且藉由這些改質層R1~R3，在晶圓W的內部形成沿著各切割道L1、L2的分割起點。
如圖8及圖9所示，可於實施改質層形成步驟之後實施分割步驟。在分割步驟中，於磨削裝置60的工作夾台61上隔著保護膠帶T而保持晶圓W。藉由一邊旋轉磨削輪(磨削設備)62一邊使其接近工作夾台61，使磨削輪62和晶圓W的背面W1旋轉接觸，來將晶圓W磨削以薄化至成品厚度。藉由此磨削動作使磨削壓力從磨削輪62作用至改質層R1~R3，以使裂痕以改質層R1~R3作為起點在晶圓W的厚度方向上伸長。藉此，將晶圓W沿著第1切割道L1及第2切割道L2分割，以形成一個個的元件晶片DC(圖8中並未圖示)。
圖10是從正面側觀看分割步驟後之晶圓的局部放大圖。如圖10所示，將晶圓W在正面W1側，將於Y軸方向上相鄰的元件晶片DC的角(角落)C彼此配置在大致相同的位置上，另一方面，使於X軸方向上相鄰的元件晶片DC的角C彼此位在於Y軸方向上相離間隔s2的位置。元件晶片DC的對角線方向上相鄰的元件晶片DC的角C彼此會成為不在相同位置而是位在相分離的位置。由於像這樣使角C彼此位在相分離的位置，所以能夠在分割步驟中形成為使相鄰的元件晶片DC的角彼此在對角線上不相摩擦。在此，在使用例如特別將各切割道L1、L2於相對於晶圓W的劈開方位傾斜了45°的方向上形成之晶圓W的情況下，於藉由磨削壓力等分割時會變得容易在元件晶片DC的對角線方向產生缺損。本實施形態中，由於使在所述對角線方向上相鄰的元件晶片DC的角C彼此分離而不摩擦，所以即使結晶方向如上述地傾斜，仍然能夠防止發生角C的缺損或裂痕之情形。藉此，就能沿著各切割道L1、L2良好地將晶圓W分割成一個個的元件晶片DC。
此外，針對第1切割道L1的第1層改質層R1，由於設置有成為上述之間隔s2之改質層R1的非形成區域，所以能夠更加有效地防止相鄰的元件晶片DC的角彼此在對角線上相摩擦之情形。
又，在本實施形態中，由於形成在第2切割道L2的改質層R是形成在第2切割道L2的寬度方向中心位置，所以元件D之圖10中的上端及下端、與相鄰於這些的元件晶片DC之上端及下端之間的距離是形成為大致相同。因此，用於進行與元件D電連接的墊(pad)等可以設成：沿著元件晶片DC的上下兩端所形成的組裝可將在上端的組裝和在下端的組裝同樣地進行，而良好地保持作業性。
再者，本發明並不受限於上述實施之形態，且可進行各種變更而實施。在上述實施形態中，關於在附圖中所圖示之大小或形狀等，並不限定於此，且可在發揮本發明的效果的範圍內作適當的變更。另外，只要不脫離本發明的目的之範圍，均可以作適當的變更而實施。
例如，在上述實施形態中，雖然是形成為對於第1切割道L1的第1層改質層R1按每個相鄰的元件D成為非連續，但是對於第2切割道L2也可以同樣地非連續地形成。即使在此情形下，仍然能夠設成使在元件D的對角線方向上相鄰的角C彼此相分離。再者，在元件D中，只在沿著第1切割道L1及第2切割道L2其中一者之位置上形成接合墊(bonding pad)的情形下，在未形成有接合墊的切割道L1、L2上形成如上述地成為非連續的改質層R而分割。藉此，變得可在使接合墊和元件晶片的外緣之間的距離成為一定，而不對距離接合墊的接合位置等的處理條件加以改變的情形下進行接合。 産業上之可利用性
如以上所說明地，本發明具有可以在不會使其在分割後的元件晶片上產生裂痕或缺損的情形下良好地分割晶圓的效果，尤其在將半導體晶圓或光元件晶圓分割成一個個的晶片之晶圓的加工方法上特別有用。
10‧‧‧雷射加工裝置
11‧‧‧基台
12‧‧‧雷射加工單元
13‧‧‧保持台
14‧‧‧工作夾台移動機構
16‧‧‧立臂部
17‧‧‧臂部
20‧‧‧分度進給設備
21‧‧‧加工進給設備
23、30‧‧‧導軌
24‧‧‧Y軸工作台
25‧‧‧滾珠螺桿
26‧‧‧驅動馬達
31‧‧‧可動部
32‧‧‧X軸工作台
33‧‧‧線性馬達
35‧‧‧磁性板
38‧‧‧θ工作台
39‧‧‧夾具部
40‧‧‧加工頭
51‧‧‧控制設備
60‧‧‧磨削裝置
61‧‧‧工作夾台
62‧‧‧磨削輪
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧正面
W2‧‧‧背面
WA‧‧‧元件層
L1‧‧‧第1切割道
L2‧‧‧第2切割道
C‧‧‧角
D‧‧‧元件
DC‧‧‧元件晶片
T‧‧‧保護膠帶
F‧‧‧環形框架
S‧‧‧黏著片
R、R1、R2、R3‧‧‧改質層
Y1、Y2‧‧‧Y軸方向位置
s1、s2‧‧‧間隔
X、Y、Z‧‧‧方向
a‧‧‧部分
圖1為本實施形態之加工物的概要立體圖。 圖2為本實施形態之雷射加工裝置的概要立體圖。 圖3是顯示本實施形態的保持步驟的說明圖。 圖4是顯示本實施形態的改質層形成步驟的說明圖。 圖5是顯示本實施形態的改質層形成步驟的說明圖。 圖6A~6C是顯示本實施形態的改質層形成步驟的說明圖。 圖7A~7C是顯示本實施形態的改質層形成步驟的說明圖。 圖8是顯示本實施形態的分割步驟的說明圖。 圖9是顯示本實施形態的分割步驟的說明圖。 圖10是從正面側觀看分割步驟後之晶圓的局部放大圖。
Y1、Y2‧‧‧Y軸方向位置
L1‧‧‧第1切割道
L2‧‧‧第2切割道
D‧‧‧元件
R、R1‧‧‧改質層
s1、s2‧‧‧間隔
X、Y‧‧‧方向
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧正面
W2‧‧‧背面

Claims (1)

  1. 一種晶圓的加工方法，為分割於晶圓正面藉由在第一方向上伸長的複數條第1切割道、及在與該第一方向正交的第二方向上伸長的複數條第2切割道所區劃出之各區域中具備有複數個元件的晶圓之晶圓的加工方法，其特徵在於具備： 改質層形成步驟，從晶圓背面側照射對晶圓具有穿透性之波長的雷射光束，並且沿著該第1切割道及該第2切割道在晶圓的內部形成2層以上的改質層；及 分割步驟，實施該改質層形成步驟後，從晶圓的背面藉由磨削設備來磨削以薄化至成品厚度，並且以前述改質層作為起點來沿著該第1切割道及該第2切割道分割晶圓， 在該改質層形成步驟中，將至少該第1切割道中的晶圓正面側的最下層的改質層，按每個相鄰之元件在該第1切割道內朝該第二方向錯開而形成，以免相鄰的元件晶片的角彼此於分割時在對角線上相摩擦。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6627898B2 (ja) 2018-02-16 2020-01-08 株式会社タダノ クレーン
CN112775539A (zh) * 2019-11-07 2021-05-11 大族激光科技产业集团股份有限公司 激光加工方法及装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06275714A (ja) * 1993-03-22 1994-09-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法
CN100355031C (zh) 2002-03-12 2007-12-12 浜松光子学株式会社 基板的分割方法
JP4240362B2 (ja) * 2002-12-02 2009-03-18 住友電気工業株式会社 化合物半導体ウエハの劈開方法
JP4494728B2 (ja) * 2003-05-26 2010-06-30 株式会社ディスコ 非金属基板の分割方法
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5090897B2 (ja) * 2007-12-28 2012-12-05 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP5395411B2 (ja) * 2008-11-20 2014-01-22 株式会社ディスコ ウエーハのレーザー加工方法
JP2011035253A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2011108708A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5625521B2 (ja) * 2010-06-16 2014-11-19 豊田合成株式会社 レーザ加工方法
JP5770446B2 (ja) * 2010-09-30 2015-08-26 株式会社ディスコ 分割方法
JP2013089714A (ja) * 2011-10-17 2013-05-13 Disco Abrasive Syst Ltd チップ形成方法
JP6053381B2 (ja) * 2012-08-06 2016-12-27 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP6101468B2 (ja) * 2012-10-09 2017-03-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP5598801B2 (ja) * 2012-12-18 2014-10-01 株式会社レーザーシステム レーザーダイシング方法、チップの製造方法およびレーザー加工装置
JP6045361B2 (ja) * 2013-01-17 2016-12-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2015138815A (ja) * 2014-01-21 2015-07-30 株式会社ディスコ 光デバイス及び光デバイスの加工方法
JP6277017B2 (ja) * 2014-03-03 2018-02-07 株式会社ディスコ 光デバイス
JP2015201585A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6494334B2 (ja) * 2015-03-05 2019-04-03 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
JP6636384B2 (ja) * 2016-05-13 2020-01-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

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