TW201735987A - 純化奈米結構之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於純化奈米結構之方法。該奈米結構可為銀奈米線。

Description

純化奈米結構之方法
本發明係關於純化奈米結構的方法。更特別地，本發明係關於純化銀奈米線的方法。本發明亦關於奈米結構以及藉由該等方法純化的奈米線。
透明導體係指塗覆在高穿透率(high transmittance)表面或基板上的薄導電膜。透明導體可經製造成為具有表面導電性且同時保有合理的光學透明度(optical transparency)。此等表面導電透明導體廣泛被使用作為平面液晶顯示器、觸控面板、電致發光裝置(electroluminescent device)與薄膜光伏打電池(thin film photovoltaic cell)中的透明電極；作為抗靜電層以及作為電磁波遮蔽層。
真空沉積金屬氧化物(例如ITO(銦錫氧化物(Indium Tin Oxide)))常被用以對於介電表面(例如玻璃與聚合物膜)提供光學透明度與電傳導性。例如，平面液晶顯示器上的ITO通常提供>90%的在輸值(transmission value)以及約10Ω/□的片電阻(sheet resistance)。金屬氧化物膜易碎且 在彎曲過程中容易損壞。它們易需要相當高的沉積溫度與/或高退火溫度，以達到高導電性程度。當基板吸水時，例如聚碳酸酯(polycarbonate)，金屬氧化物膜可能失去附著力(adhesion)。因此，金屬氧化物膜在可撓基板上無法良好運作。再者，真空沉積成本相當高，並且需要專業設備。
由於產業尋求更可撓且可彎曲的基板材料用於包含可穿戴技術、打印燈(printed light)、太陽能電池、有機發光二極體與許多其他的光電裝置的應用，金屬奈米結構(例如銀奈米線)成為替代ITO的透明導體。此外，目前，金屬奈米結構(例如銀奈米線)取代ITO膜，被使用於平面面板顯示器中。
作為透明導體的銀奈米線通常包含各種長度的奈米線，以形成奈米線的強導電網路。
可使用Y.Sun,B.Gates,B.Mayers與Y.Xia所著之“Crystalline silver nanowires by soft solution processing”,Nanoletters,2002,2(2)165-168描述之「多元醇方法(polyol method)」，藉由在聚(乙烯吡咯啶酮)(poly(vinyl pyrrolidone)(PVP))存在下溶解的硝酸銀之還原而合成銀奈米線。該多元醇方法包含在PVP存在下藉由多元醇(例如乙二醇(ethylene glycol))還原金屬奈米結構的前驅物(例如金屬鹽)。通常，在不高於200℃進行該還原。乙二醇具有溶劑與還原劑之雙重功能。通常，所形成的奈米結構之形狀與大小受到參數影響，該參數包含PVP與金屬鹽的 相對量、反應時間、以及反應溫度。此反應形成的銀奈米線被認為係藉由以下反應形成：2HOCH2CH2OH → 2CH3CHO+2H2O
2Ag++2CH3CHO → CH3CHO-OHCCH3+2Ag+2H+。
藉由多元醇方法形成奈米結構(例如銀奈米線)的已知方法係使用沉降作用(sedimentation)與/或「終端(dead-end)」過濾以純化奈米線，並且規模無法超過約1公升批量。沉降作用(sedimentation)與/或「終端(dead-end)」過濾僅能用於相對小量，且無法生產具有較佳長度與/或較佳長度範圍之特別純的奈米線。
需要純化與形成奈米結構(例如銀奈米線)的大量化方法(upscale method)。
根據本發明之第一態樣，提供一種純化奈米結構的方法，該方法包括：提供複數種奈米結構於溶液中；及以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構。
較佳地，其中該奈米結構為奈米線。
更佳地，其中該奈米線為金屬或半導電。
有利地，其中該奈米線為金屬，並且包含Ag、Au、Pt、Cu、Co、Fe及/或Ni。
較佳地，其中該奈米線為銀奈米線。
更佳地，其中該奈米線具有從30微米至90微米之長度(最長的尺寸)。
有利地，其中該奈米線具有從80奈米至150奈米之寬度(最短的尺寸)。
較佳地，其中該奈米線具有從200至900之長寬比(長度除以寬度)。
更佳地，其中提供複數種奈米結構於溶液中的該步驟包括形成該奈米結構。
有利地，其中形成該奈米結構包括以多元醇方法形成該奈米結構。
較佳地，其中該奈米結構為銀奈米線，並且該多元醇方法係由下列反應進行：2HOCH2CH2OH → 2CH3CHO+2H2O
2Ag++2CH3CHO → CH3CHO-OHCCH3+2Ag+2H+。
更佳地，其中形成該奈米結構的該步驟係以大於1公升批量的規模發生。
有利地，其中以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構的該步驟包含將包括奈米結構的該溶液通過交叉流過濾器的步驟。
較佳地，其中將包括奈米結構的該溶液通過交叉流過濾器的步驟包含將該溶液通過具有20至40微米之平均網 篩大小的交叉流過濾器。
更佳地，其中將包括奈米結構的該溶液通過交叉流過濾器的步驟包含將該溶液通過具有30微米加或減10%之平均網篩大小的交叉流過濾器。
有利地，其中以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構的該步驟包含將包括奈米結構的該溶液以400毫升/分鐘至2公升/分鐘之速度通過交叉流過濾器的步驟。
較佳地，其中以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構的該步驟包含將包含奈米結構的該溶液以500毫升/分鐘至1公升/分鐘之速度通過交叉流過濾器的步驟。
更佳地，其中以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構的該步驟包括將包含奈米結構的該溶液通過交叉流過濾器的步驟，該交叉流過濾器包含用於振動網篩且減少膜堵塞之振動系統。
根據本發明的另一態樣，提供一種形成透明導體的方法，該方法包括：根據上述方法，純化奈米結構；以及製造併入該奈米結構之透明導體。
根據本發明的另一態樣，提供藉由上述方法可獲得之奈米結構。
根據本發明的另一態樣，提供藉由上述方法獲得之奈米結構。
根據本發明的另一態樣，提供藉由上述方法可獲得之透明導體。
根據本發明的另一態樣，提供藉由上述方法獲得之透明導體。
根據本發明的另一態樣，提供交叉流過濾器之用途，以過濾包括奈米結構的溶液。
較佳地，其中該交叉流過濾器具有20至40微米之平均網篩大小。
更佳地，其中該交叉流過濾器具有30微米加或減10%之平均網篩大小。
有利地，其中該方法以大於1公升批量的規模發生。
較佳地，其中該奈米結構為銀奈米線。
更佳地，其中形成該奈米結構包含以該多元醇方法形成該奈米結構。
有利地，其中該奈米結構為銀奈米線且該多元醇方法係由下列反應進行：2HOCH2CH2OH → 2CH3CHO+2H2O
2Ag++2CH3CHO → CH3CHO-OHCCH3+2Ag+2H+。
2、3、4、5‧‧‧閥
10‧‧‧反應產物混合物
20‧‧‧進料槽
30‧‧‧預過濾器
40‧‧‧蠕動幫浦
50‧‧‧肺槽
60‧‧‧壓力感測器
70‧‧‧交叉流過濾器
80‧‧‧流量計
90‧‧‧滲透物槽
100‧‧‧壓力感測器
110‧‧‧流量計
本發明的具體實施例描述如下，並請參照附隨之圖式，其中：圖1為根據本發明方法之一態樣的示意圖。
圖2為顯微鏡照片，顯示在過濾之前由多元醇方法形成的銀奈米線。
圖3為顯微鏡照片，顯示根據本發明之態樣在過濾步驟之後的銀奈米線。
圖4為顯微鏡照片，顯示根據本發明之態樣在超過一個過濾步驟之後的銀奈米線。
圖5為顯微鏡照片，顯示根據本發明之態樣在過濾步驟之後收集的廢料(waste material)。
圖6為圖4所示之銀奈米線的掃描式電子顯微鏡照片。
圖7顯示根據本發明之態樣，亦即如圖2圖示所示，在過濾步驟之前的奈米線長度分佈。
圖8顯示根據本發明之態樣，亦即如圖4圖示所示，在過濾步驟之後的奈米線長度分佈。
用於描述本發明的一些語詞如下所述。
「交叉流過濾(cross-flow filtration)」係指過濾，其中過濾器具有用於進料的入口、滯留物(retentate)的出口以及滲透物(permeate)通過的過濾器。通常，進料被導入至該入口中，該進料通過該過濾器，以及該進料的某些組份通過離開該過濾器成為滲透物，而其他成為滯留物留下。在交叉流過濾中，與「終端(dead-end)」過濾相反，濾餅在過濾方法中實質上被洗去，並且不阻擋過濾器；這增加過濾可發生的時間並且允許連續的交叉流過濾。
「奈米結構」係尺寸為至少一個1至90微米的尺寸 ，任選地20奈米至300奈米，任選地自1奈米至100奈米。奈米結構的例子包含但不限於奈米線(例如銀奈米線)、奈米管(例如奈米碳管)、富勒烯(buckminsterfullerene)、奈米顆粒、奈米粉末、奈米帶以及奈米晶體。相較於較大規模材料，奈米結構只有表面積與體積的高比例；這造成奈米結構具有不同於較大規模材料之性質。
「奈米線」為具有長度(最長尺寸)為自20奈米至300微米的奈米結構，該長度任選地自20奈米至90微米、任選地自1微米至15微米、或是30微米至90微米、或是20微米至80微米，以及具有寬度(最短尺寸)為自1奈米至300奈米、任選地自1奈米至150奈米、100奈米、50奈米或10奈米、任選地自80奈米至150奈米，以及長寬比(aspect ratio)(長度除以寬度)為自20至300,000、任選地自20至90,000、任選地自200至900或20至50，任選地至40或30。雖然較佳的奈米線可具有不同的幾何形狀(例如矩形)，但它們通常為圓筒形。若該奈米線非圓筒形，則長寬比經計算為長度除以穿過該奈米線剖面的最大尺寸。
奈米線可為金屬(例如Ag、Au、Pt、Cu、Co、Fe與Ni)或是半導體(例如Si、SnO2、WO3、ZnO、TiO2、InP、CuO、Cu2O、NiO、MnO2、V2O5與GaN)，但不是絕緣性。
「奈米顆粒」為具有至少一個自1奈米至100奈米之尺寸的顆粒，任選地自1奈米至10奈米，以及長寬比(長 度除以寬度)為自1至4，較佳為自1至2。奈米顆粒可為金屬(例如Au、Pt、Ag、Fe、Pd、Rh、ZnS與CdSe)或半導體(例如Si、SnO2、WO3、ZnO、TiO2、InP、CuO、Cu2O、NiO、MnO2、V2O5與GaN)，但不是絕緣性。
銀奈米線製備
可在多元醇與PVP存在下，藉由金屬鹽的溶液相還原而製備金屬奈米線。此反應稱為「多元醇方法(polyol method)」。用以形成銀奈米線的多元醇方法實施例為在乙二醇(ethylene glycol)與PVP存在下之硝酸銀的溶液相還原。
可藉由以下一般步驟描述銀奈米線的合成：
1.導入硝酸銀(例如99.0%，由英國Sigma AldrichTM銷售)、乙二醇(例如99.8%、無水的，由英國Sigma AldrichTM銷售)以及PVP(例如英國Sigma AldrichTM銷售的粉末；任選地具有平均分子量為55,000)之溶液於乾淨的反應容器中。在一實施例中，乙二醇中的硝酸銀與PVP之相對莫耳量為1：12.5加或減10%。在此相對莫耳比例中，乙二醇中的PVP量為0.0015M加或減10%。
2.任選地，包含鹵化物離子的來源，例如NaCl，與/或金屬離子的來源，例如Cu、Fe與Pt中任何一或多個。在一些實施例中，提供金屬離子於來自Cu、Fe與/或Pt氯化物或硝酸鹽的溶液中。任選地添加這些組份至溶液中作為摻質(dopant)。
3.於120-140℃，較佳為130℃，攪拌反應混合物40-60分鐘，較佳為50分鐘。在形成銀奈米線之後，該溶液的顏色由灰色變成透明黃色。
依循上述一般流程導致形成包含銀奈米線的反應產物混合物。該等銀奈米線在含有多元醇與PVP的溶液中，伴隨著含有所不欲的小奈米結構之所不欲的反應產物。
清理銀奈米線的先前方法包含以IPA(異丙醇；例如70%於H2O中，由英國Sigma AldrichTM銷售)稀釋反應產物混合物。此方法允許銀奈米線的沉降藉由較長的線相較於較短的線下沉更多。相較於較長/較重的線，該較小/較短的線漂浮並且被倒出(decanted off)，並且添加新的IPA批次。此方法通常進行七次或更多次，以得到相對乾淨的奈米線於IPA中。由於每一個下沉步驟(sinking step)需要時間，因而此沉降方法需要時間(直到完成約一週)。
奈米線越長，則該奈米線形成的薄導電膜之品質越佳。在銀奈米線代替ITO作為透明導體的領域中，所使用的銀奈米線長度範圍自20微米上達且包含200微米。短於20微米的銀奈米線通常不形成有用的薄導電膜。很難一致地形成長度超過200微米的銀奈米線。
清理或過濾銀奈米線的先前方法或者包含藉由「終端(dead-end)」過濾的過濾。在「終端(dead-end)」過濾中，實質部分所欲之銀奈米線被捕獲在濾餅(filter cake)中，並且對於過濾的銀奈米線長度很少或無控制。
當考慮放大奈米結構的生產時，特別是銀奈米線，沉 降處理與/或「終端(dead-end)」過濾在大約1公升批量以上是不可行的。
根據本發明，使用交叉流過濾方法，過濾包含銀奈米線的反應產物混合物。圖1示意性顯示用於進行此方法的設備。
先以IPA(異丙醇；例如70%於H2O中，由英國Sigma AldrichTM銷售)稀釋反應產物混合物，以降低黏性並且允許流經過濾系統1。經稀釋的反應產物混合物為圖1中的反應產物混合物10。在一些具體實施例中，經稀釋的反應產物係以足夠的IPA稀釋，因而經稀釋的反應產物之密度在純IPA的密度之10%內(亦即786kg/m3的10%以內)。
經稀釋的反應產物混合物10被導入至進料槽20中。蠕動幫浦40以每分鐘7-9公升運轉，迫使稀釋的反應產物混合物10移動通過預過濾器30。預過濾器30具有約120微米孔洞的線網篩過濾器。預過濾器30用以除去任何大的顆粒物質。
在蠕動幫浦40之後，有兩個閥2、3；一個閥2任選地允許混合物返回至進料槽20；另一閥3允許混合物流至交叉流過濾器70。在一般的在線方法(in-line method)中，閥2關閉且閥3開啟，因而允許混合物流至交叉流過濾器70。
若需要，肺槽(lung tank)50為有效的壓力閥，並且允許在過濾系統1中釋放壓力。壓力感測器60提供壓力讀 數，因而可監視過濾系統1內的壓力。
交叉流過濾器70包含膜(membrane)。在此實施例中，過濾器的網篩(mesh)為具有30微米網篩間隔的金屬網篩，任選為不鏽鋼。在其他的實施例中，當較佳為不同長度的奈米線或不同尺寸的奈米結構，據以改變網篩間隔。在此實施例中，進料至交叉流過濾器70的速度為750ml/min。在其他的具體實施例中，進料至交叉流過濾器70的流動可自400ml/min至2 1/min。在一些具體實施例中，交叉流過濾器70合併振動系統(未顯示)，其振動網篩且防止膜堵塞。
相對小的顆粒在流量計80之前經由閥4流過交叉流過濾器70的網篩並進入滲透物槽(permeate tank)90。包括閥4以提供關閉到滲透物槽90的流動之選項。包含流量計80以提供至滲透物槽90的流速資訊。
相對大的奈米線流經交叉流過濾器70並且離開成為滯留物(retentate)。壓力感測器100提供壓力讀數，因而可監視過濾系統1內的壓力。而後滯留物流經閥5，而後流量計110。包含閥5用以提供關閉滯留物流動的選項。包含流量計110用以提供滯留物之流速資訊。
而後，任選地將滯留物返回至進料槽20並且返回至交叉流動過濾方法之開始。滯留物通常包含乾淨的銀奈米線，雜質從交叉流過濾器中被移除成為滲透物。在該方法中可進行交叉流過濾步驟一次，或是可進行交叉流過濾步驟數次，包含2、3、4、5、6、7、8、9、10或更多次。 可在120自滯留物取出經清洗/過濾的溶液之等分試樣(aliquot)。可測試該等分試樣之銀奈米線的純度。
在一些具體實施例中，當需要時，例如當實質乾淨的銀奈米線自系統被移除時，導入額外之經稀釋的反應產物混合物10至過濾系統1中。在一些具體實施例中，由於持續損失滲透物至滲透物槽90中，因而持續導入額外之經稀釋的反應產物混合物10至過濾系統1中。
進行上述實施例所述之方法通常形成長度為自30微米至90微米、寬度為自80奈米至150奈米以及長寬比為自200至900的銀奈米線；產率為40%或更高。發現所生產的銀奈米線產生透明導電膜或基板；該導電膜或基板具有有益霧度(haze)(小於3%)與傳輸讀數(transmission reading)(大於85%)以及有益的片電阻讀數(sheet resistance reading)。
在銀奈米線形成之後，在真空下乾燥與包裝該銀奈米線以防止氧化。或是，銀奈米線分散在高純度的酒精溶液中。
在例示具體實施例中：
1.溶解於500mL乙二醇的46克PVP在反應器中與1.0mL在乙二醇中的0.1M CuCl2以及1.75mL在乙二醇中的0.2M CuNO3一起攪拌。
2.於150℃加熱該反應器1小時。
3.在1小時之後，將2.95mL在乙二醇中的2m AgNO3加至反應混合物並且攪拌30分鐘。
4.另將35mL在乙二醇中的2M AgNO3加至反應混合物並且攪拌40分鐘。
5.取出反應混合物的樣品，並且以顯微鏡檢查所形成銀奈米線之長度。
6.當反應完成時，溶液冷卻至室溫(20℃)。
7.以足夠的IPA稀釋溶液，因而經稀釋的反應產物之密度在純IPA之密度的10%內。
8.而後經稀釋的反應產物循環通過過濾系統1三次，以產生一般純的銀奈米線溶液。銀奈米線的產率為40%。
圖2為顯微鏡照片，顯示來自例示具體實施例步驟7之經稀釋的反應產物，亦即根據本發明在過濾步驟之前的銀奈米線。該銀奈米線為各種長度且通常為無序的(disordered)。圖2的影像係使用光學顯微鏡以50X放大而得。用以拍攝該影像的顯微鏡為Olympus BX60M，以及照相機為Olympus SC30。
圖3為顯微鏡照片，顯示根據例示具體實施例之步驟8在僅一過濾步驟之後的銀奈米線(例如來自圖1的滯留物(retentate))。相較於圖2所示的銀奈米線，亦即在清洗之前，該銀奈米線更為均勻且更純。圖3的影像係使用光學顯微鏡以50X放大而得。用以拍攝該影像的顯微鏡為Olympus BX60M，以及照相機為Olympus SC30。
圖4為顯微鏡照片，顯示根據例示具體實施例之步驟8在三個過濾步驟之後的銀奈米線(例如來自圖1的滯留物(retentate))。銀奈米線的長度皆相似，並且比圖3所示之 銀奈米線更純。圖4的影像係使用光學顯微鏡以50X放大而得。用以拍攝該影像的顯微鏡為Olympus BX60M，以及照相機為Olympus SC30。
圖5為顯微鏡照片，顯示根據例示具體實施例之步驟8在三個過濾步驟過程中收集的廢料(例如來自圖1的滲透物(permeate))。廢料通常為短的奈米線、小的奈米結構與廢反應物，其否則會汙染銀奈米線。圖5的影像係使用光學顯微鏡以50X放大而得。用以拍攝該影像的顯微鏡為Olympus BX60M，以及照相機為Olympus SC30。
圖6為圖4所示之銀奈米線的掃描式電子顯微鏡照片。此照片顯示奈米線通常是均勻的，且沒有少量的雜質。圖6的影像係使用SEM以50K放大而得。用以拍攝該影像的SEM為Zeiss Ultra Plus FESEM。
圖7顯示根據本發明在過濾步驟之前(亦即如圖2所示)的奈米線長度分佈。奈米線長度分佈廣泛。使用光學顯微鏡以50X放大結合校正尺以量測奈米線長度。
圖8顯示根據本發明在過濾步驟之後(亦即如圖4所示)的奈米線長度分佈。本發明的方法移除相對較大的奈米線，剩餘的大部分奈米線長度範圍係20-80微米。奈米線的產率為40%或更高。
上述討論係關於銀奈米線製備的具體實施例。本發明同樣適用於製備其他金屬、金屬合金和半導體之相對純的奈米結構。
從上述結果可以看出，根據本發明之純化與形成奈米 結構的方法提供了有益的結果。
當在本說明書與申請專利範圍使用時，「包括」及其變化之用語係指包含指定的特徵、步驟或整數。該等用語並不解釋為排除其他特徵、步驟或組份之存在。
在前述說明、或以下申請專利範圍、或附隨圖式中所揭露的特徵，以其特定形式所表述的特徵或是用於進行所揭露功能的手段、或是達到所揭露結果的方法或製程，可適當地分別使用或以該等特徵的任何組合用於以各種形式實現本發明。
1‧‧‧過濾系統
2、3、4、5‧‧‧閥
10‧‧‧反應產物混合物
20‧‧‧進料槽
30‧‧‧預過濾器
40‧‧‧蠕動幫浦
50‧‧‧肺槽
60‧‧‧壓力感測器
70‧‧‧交叉流過濾器
80‧‧‧流量計
90‧‧‧滲透物槽
100‧‧‧壓力感測器
110‧‧‧流量計

Claims (32)

  1. 一種純化奈米結構之方法，該方法包含：提供複數種奈米結構於溶液中；及以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構。
  2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中該奈米結構為奈米線。
  3. 根據申請專利範圍第2項之方法，其中該奈米線為金屬或半導電。
  4. 根據申請專利範圍第3項之方法，其中該奈米線為金屬且包括Ag、Au、Pt、Cu、Co、Fe及/或Ni。
  5. 根據申請專利範圍第2至4項中任一項之方法，其中該奈米線為銀奈米線。
  6. 根據申請專利範圍第2至5項中任一項之方法，其中該奈米線具有從30微米至90微米之長度(最長的尺寸)。
  7. 根據申請專利範圍第2至6項中任一項之方法，其中該奈米線具有從80奈米至150奈米之寬度(最短的尺寸)。
  8. 根據申請專利範圍第2至7項中任一項之方法，其中該奈米線具有從200至900之長寬比(長度除以寬度)。
  9. 根據申請專利範圍第1至8項中任一項之方法，其中提供複數種奈米結構於溶液中的該步驟包括形成該奈米結構。
  10. 根據申請專利範圍第9項之方法，其中形成該奈 米結構包括以多元醇方法形成該奈米結構。
  11. 根據申請專利範圍第10項之方法，其中該奈米結構為銀奈米線且該多元醇方法係由下列反應進行：2HOCH2CH2OH → 2CH3CHO+2H2O 2Ag++2CH3CHO → CH3CHO-OHCCH3+2Ag+2H+。
  12. 根據申請專利範圍第9至11項中任一項之方法，其中形成該奈米結構的該步驟係以大於1公升批量的規模發生。
  13. 根據申請專利範圍第1至12項中任一項之方法，其中以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構的該步驟包括將包含奈米結構的該溶液通過交叉流過濾器的步驟。
  14. 根據申請專利範圍第13項之方法，其中將包含奈米結構的該溶液通過交叉流過濾器的步驟包括將該溶液通過具有20至40微米之平均網篩大小的交叉流過濾器。
  15. 根據申請專利範圍第14項之方法，其中將包含奈米結構的該溶液通過交叉流過濾器的步驟包括將該溶液通過具有30微米加或減10%之平均網篩大小的交叉流過濾器。
  16. 根據申請專利範圍第1至15項中任一項之方法，其中以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構的該步驟包括將包含奈米結構的該溶液以400毫升/分鐘至2公升/分鐘之速度通過交叉流過濾器的步驟。
  17. 根據申請專利範圍第16項之方法，其中以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構的該步驟包括將包含奈米結構的該溶液以500毫升/分鐘至1公升/分鐘之速度通過交叉流過濾器的步驟。
  18. 根據申請專利範圍第1至17項中任一項之方法，其中以交叉流過濾來過濾溶液中的該奈米結構的該步驟包括將包含奈米結構的該溶液通過交叉流過濾器的該步驟，該交叉流過濾器包含用於振動該網篩且減少膜堵塞之振動系統。
  19. 一種形成透明導體之方法，該方法包含：根據申請專利範圍第1至18項中任一項之方法純化奈米結構；及製造併入該奈米結構之透明導體。
  20. 一種藉由根據申請專利範圍第1至18項中任一項之方法可獲得的奈米結構。
  21. 一種藉由根據申請專利範圍第1至18項中任一項之方法獲得的奈米結構。
  22. 一種藉由根據申請專利範圍第19項之方法可獲得的透明導體。
  23. 一種藉由根據申請專利範圍第19項之方法獲得的透明導體。
  24. 一種交叉流過濾器之用途，其係用於過濾包含奈米結構之溶液。
  25. 根據申請專利範圍第24項之用途，其中該交叉流 過濾器具有20至40微米之平均網篩大小。
  26. 根據申請專利範圍第25項之用途，其中該交叉流過濾器具有30微米加或減10%之平均網篩大小。
  27. 一種形成奈米結構之方法，其中該方法係以大於1公升批量的規模發生。
  28. 根據申請專利範圍第27項之方法，其中該奈米結構為銀奈米線。
  29. 根據申請專利範圍第27項或申請專利範圍第28項之方法，其中形成該奈米結構包括以多元醇方法形成該奈米結構。
  30. 根據申請專利範圍第29項之方法，其中該奈米結構為銀奈米線且該多元醇方法係由下列反應進行：2HOCH2CH2OH → 2CH3CHO+2H2O 2Ag++2CH3CHO → CH3CHO-OHCCH3+2Ag+2H+。
  31. 一種如上文所述之方法，參考圖1。
  32. 一種本文所揭示之任何新穎特徵或特徵之組合。
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