TW201734236A - 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法及有機半導體元件之製造方法 - Google Patents

蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法及有機半導體元件之製造方法 Download PDF

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岸本克彥
矢野耕三
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鴻海精密工業股份有限公司
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Abstract

蒸鍍遮罩(100A)具有：基底膜(10A)，其具有數個第1開口部(13A)且包含高分子；複合磁體層(20A)，其形成於基底膜(10A)上，且具有實心部(22A)及非實心部(23A)；及框架(40A)，其接合於基底膜(10A)之周緣部；數個第1開口部(13A)形成於對應非實心部(23A)之區域，複合磁體層(20A)包含平均粒徑未滿500nm之軟肥粒鐵之粉末及樹脂。

Description

蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法及有機半導體元件之製造方法
本發明係關於一種蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法，尤其係關於一種具有積層有樹脂層及金屬層之結構之蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法、及使用蒸鍍遮罩之有機半導體元件之製造方法。
近年來，作為下一代顯示器，有機電致發光(EL，Electro Luminescence)顯示裝置受到關注。目前量產之有機EL顯示裝置中，主要使用真空蒸鍍法形成有機EL層。
作為蒸鍍遮罩，一般而言為金屬製之遮罩(金屬遮罩)。然而，隨著有機EL顯示裝置之高清晰化發展，愈發難以使用金屬遮罩精度良好地形成蒸鍍圖案。其原因在於：於目前之金屬加工技術中，於成為金屬遮罩之金屬板(例如厚度100μm左右)上，難以以較高精度形成對應於短像素間距(例如10~20μm左右)之較小之開口部。
因此，作為用以形成清晰度較高之蒸鍍圖案之蒸鍍遮罩，提出有具有積層有樹脂層及金屬層之結構之蒸鍍遮罩(以下，亦稱為「積層型遮罩」)。
例如，專利文獻1揭示了具有積層有樹脂膜、作為金屬磁體之保持構件(厚度：30μm~50μm)之結構的蒸鍍遮罩。於樹脂膜，形成有對應於所需蒸鍍圖案之數個開口部。於保持構件，以使樹脂膜之開口部露出之方式形成有數個尺寸大於樹脂膜開口部之開口部。因此，於使用專利文獻1之蒸鍍遮罩之情況下，蒸鍍圖案係對應於樹脂膜之數個開口部形成。於薄於一般金屬遮罩用之金屬製的保持構件之樹脂膜，即便為較小之開口部亦可以高精度形成。根據專利文獻1，蒸鍍遮罩之保持構件係藉由熱膨脹係數未滿6ppm/℃之金屬磁體，例如藉由鎳鋼形成。
使用藉由鎳鋼等金屬磁體形成之保持構件之遮罩難以大型化。例如，難以製造一邊超過1m之遮罩。其原因在於用以製作金屬磁體片材之輥軋加工之成本增多。
因此，專利文獻2揭示了具備包含磁性粉末之磁性層代替金屬磁體片材之蒸鍍遮罩。磁性層係藉由將包含軟磁體之粉末、黏合劑、溶劑及分散劑等添加劑之磁性分散塗佈材塗佈於基底膜，並進行乾燥而形成。作為軟磁體粉末，可列舉：Fe、Ni、Fe-Ni合金、Fe-Co合金或Fe-Ni-Co合金。記載有軟磁體粉末之粒徑為3μm以下，較佳為1μm以下。作為黏合劑，可例示矽氧烷聚合物及聚醯亞胺。未記載軟磁體粉末與黏合劑之調配比率。又，蒸鍍遮罩之開口部係於基底膜上形成磁性層之後形成。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2013-124372號公報
專利文獻2：日本專利特開2014-201819號公報
然而，根據專利文獻2所記載之技術，難以穩定地製造用於製造例如250ppi以上之高清晰度之有機EL顯示裝置的高清晰度之蒸鍍遮罩。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種可較佳地用於形成高清晰度之蒸鍍圖案之大型積層型蒸鍍遮罩、及其製造方法。又，本發明之另一目的在於提供一種使用此種蒸鍍遮罩之有機半導體元件之製造方法。
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩具有：基底膜，其具有數個第1開口部且包含高分子；複合磁體層，其形成於上述基底膜上，且具有實心部及非實心部；及框架，其接合於上述基底膜之周緣部；上述數個第1開口部係形成於對應上述非實心部之區域，上述複合磁體層包含平均粒徑未滿500nm之軟肥粒鐵之粉末及樹脂。
於某實施形態中，上述實心部包含離散地配置之數個島狀部。
於某實施形態中，上述數個島狀部包含島狀部對，該島狀部對係配置於以上述數個第1開口部中任意1個第1開口部為中心點而對稱之位置。
於某實施形態中，上述軟肥粒鐵之保磁力為100A/m以下。
於某實施形態中，上述軟肥粒鐵之居里溫度未滿250 ℃。
於某實施形態中，上述複合磁體層中之上述軟肥粒鐵之粉末之體積分率為15體積%以上且80體積%以下。
於某實施形態中，上述樹脂包含熱硬化性樹脂。
於某實施形態中，上述基底膜包含聚醯亞胺，上述樹脂包含與上述基底膜所含聚醯亞胺相同種類之聚醯亞胺。
於某實施形態中，上述框架係由非磁性材料形成。例如，上述框架係由高分子材料形成。
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法係如上述任一項之蒸鍍遮罩之製造方法，其包括：步驟A，其準備包含高分子之基底膜及框架；步驟B，其將上述基底膜固定於上述框架；步驟C，其於上述基底膜形成數個第1開口部；及步驟D，於上述步驟C之後，在上述基底膜上形成包含平均粒徑未滿500nm之軟肥粒鐵之粉末及樹脂之複合磁體層。上述步驟B例如包括使用接黏劑將上述基底膜接黏於上述框架之步驟。
於某實施形態中，上述步驟B包含拉緊上述基底膜之步驟。
於某實施形態中，於上述步驟C與上述步驟D之間，進而包含將上述基底膜洗淨之步驟。
於某實施形態中，上述步驟D係藉由噴墨法進行。
本發明之有機半導體元件之製造方法包括使用上述任一項之蒸鍍遮罩，於工件上蒸鍍有機半導體材料之步驟。有機半導體元件例如為有機EL元件。
根據本發明之實施形態，可提供一種能夠較佳地用於形成高清晰度之蒸鍍圖案之大型積層型蒸鍍遮罩、及其製造方法。又，根據本發明之實施形態，可提供一種使用此種蒸鍍遮罩之有機半導體元件之製造方法。
10A‧‧‧基底膜
10B‧‧‧基底膜
10C‧‧‧基底膜
10D‧‧‧基底膜
10E‧‧‧基底膜
12A‧‧‧實心部
12B‧‧‧實心部
12C‧‧‧實心部
12D‧‧‧實心部
12E‧‧‧實心部
12F‧‧‧實心部
12G‧‧‧實心部
13A‧‧‧第1開口部(非實心部)
13B‧‧‧第1開口部(非實心部)
13C‧‧‧第1開口部(非實心部)
13D‧‧‧第1開口部(非實心部)
13E‧‧‧第1開口部(非實心部)
13F‧‧‧第1開口部(非實心部)
13G‧‧‧第1開口部(非實心部)
20A‧‧‧複合磁體層
20B‧‧‧複合磁體層
20C‧‧‧複合磁體層
20D‧‧‧複合磁體層
20E‧‧‧複合磁體層
20F‧‧‧複合磁體層
20G‧‧‧複合磁體層
22A‧‧‧實心部
22B‧‧‧實心部
22C‧‧‧實心部
22D‧‧‧實心部
22E‧‧‧實心部
22F‧‧‧實心部
22G‧‧‧實心部
23A‧‧‧非實心部(第2開口部)
23B‧‧‧非實心部(第2開口部)
23C‧‧‧非實心部(第2開口部)
23D‧‧‧非實心部(第2開口部)
23E‧‧‧非實心部(第2開口部)
23F‧‧‧非實心部(第2開口部)
23G‧‧‧非實心部(第2開口部)
30A‧‧‧積層體
30B‧‧‧積層體
30C‧‧‧積層體
30D‧‧‧積層體
30E‧‧‧積層體
30F‧‧‧積層體
30G‧‧‧積層體
40A‧‧‧框架
40B‧‧‧框架
40C‧‧‧框架
40D‧‧‧框架
40E‧‧‧框架
40F‧‧‧框架
40G‧‧‧框架
100A‧‧‧蒸鍍遮罩
100B‧‧‧蒸鍍遮罩
100C‧‧‧蒸鍍遮罩
100D‧‧‧蒸鍍遮罩
100E‧‧‧蒸鍍遮罩
100F‧‧‧蒸鍍遮罩
100G‧‧‧蒸鍍遮罩
300A‧‧‧蒸鍍遮罩
300B‧‧‧蒸鍍遮罩
300C‧‧‧蒸鍍遮罩
300D‧‧‧蒸鍍遮罩
UA‧‧‧單位區域
UB‧‧‧單位區域
UC‧‧‧單位區域
UD‧‧‧單位區域
圖1(a)係模式性地表示本發明之實施形態之蒸鍍遮罩100A之俯視圖，(b)係沿著(a)中之1B-1B'線之剖面圖。
圖2係本發明之實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法之流程圖。
圖3(a)及(b)分別係例示蒸鍍遮罩100A之製造方法之步驟俯視圖及步驟剖面圖，(b)係沿著(a)中3B-3B'線之剖面圖。
圖4(a)及(b)分別係例示蒸鍍遮罩100A之製造方法之步驟俯視圖及步驟剖面圖，(b)係沿著(a)中之4B-4B'線之剖面圖。
圖5(a)係模式性地表示本發明之實施形態之另一蒸鍍遮罩100B之俯視圖，(b)係沿著(a)中之5B-5B'線之剖面圖。
圖6(a)係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸鍍遮罩100C之俯視圖，(b)係沿(a)中之6B-6B'線之剖面圖。
圖7(a)係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸鍍遮罩100D之俯視圖，(b)係沿著(a)中之7B-7B'線之剖面圖。
圖8(a)係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸鍍遮罩100E之俯視圖，(b)係沿(a)中之8B-8B'線之剖面圖。
圖9(a)及(b)分別係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸鍍遮罩100F及100G之俯視圖。
圖10(a)及(b)分別係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸 鍍遮罩300A及300B之俯視圖。
圖11(a)及(b)分別係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸鍍遮罩300C及300D之俯視圖。
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩具有：基底膜，其具有界定蒸鍍區域之數個第1開口部，且包含高分子；複合磁體層，其形成於基底膜上；及框架，其接合於基底膜之周緣部。
複合磁體層具有實心部及非實心部。所謂實心部係實際上存在複合磁體之部分，所謂非實心部係不存在複合磁體之部分，即除了實心部以外之部分。基底膜所具有之數個第1開口部形成於對應複合磁體層之非實心部之區域。
非實心部例如具有數個第2開口部，基底膜所具有之數個第1開口部之各者形成於對應數個第2開口部之任一個之區域。數個第1開口部亦可與數個第2開口部一對一地對應。
實心部例如包含離散地配置之數個島狀部。此時，較佳為，數個島狀部包含配置於以數個第1開口部內之任意1個第1開口部為中心點對稱之位置之島狀部對。較佳為，作用於複合磁體層之島狀部之磁鐵之吸引力相對於各第1開口部對稱地發揮作用。其原因在於，若吸引力不對稱，則有第1開口部變形之虞。為了使作用於各第1開口部之吸引力對稱，例如，配置有配置於相對於第1開口部之中心水平方向點對稱之位置之1對島狀部(2個島狀部)、及配置於相對於第1開口部之中心垂直方向點對稱之位置之1對島狀部(2個島狀部)。第1開口部例如為於垂直方向較長之長方形時，配置於水平方向之1對島狀部間之距離大於配置於垂直方向之1對 島狀部間之距離。亦可代替該等，或與該等一同，於第1開口部對角線方向，配置2對島狀部。
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩所具有之複合磁體層包含平均粒徑未滿500nm之軟肥粒鐵之粉末及樹脂。
為了形成例如250ppi以上之高清晰度之有機EL顯示裝置之像素，需要具有例如40μm左右之開口部之蒸鍍遮罩。為了以較高之尺寸精度形成此種開口部，如專利文獻2所記載般，粒徑為1μm以下之限制並不充分，較佳為使用平均粒徑未滿500nm、進而較佳為平均粒徑為300nm以下之軟肥粒鐵之粉末，且較佳為構成粉末之粒子之最大粒徑未滿500nm。軟肥粒鐵之粉末之平均粒徑較佳為10nm以上。構成軟肥粒鐵之粉末之粒子之最小粒徑並無特別限定，較佳為1nm以上。若軟肥粒鐵之粉末之粒徑較小，則有產生粒子之分散性降低，或者，用以形成複合磁體層之分散液之流動性降低等問題之情況。再者，平均粒徑未滿500nm之粉末亦取決於製造方法，但粒度分佈相對較窄。
軟肥粒鐵係於肥粒鐵內顯示軟磁性者，包含氧化鐵(Fe2O3及/或Fe3O4)作為主成分。目前，軟肥粒鐵廣泛地用於各種用途。主要之軟肥粒鐵例如為Mn-Zn系、Cu-Zn系、Ni-Zn系、Cu-Zn-Mg系。例如，於晶片電感器用方面使用有粒徑為0.5μm(500nm)左右之Mn-Zn系肥粒鐵。
於本發明之實施形態之蒸鍍遮罩中，相對於專利文獻2所記載之蒸鍍遮罩使用金屬粉末，係使用軟肥粒鐵之粉末。由於軟肥粒鐵為氧化物，故而即便為平均粒徑未滿500nm之粒子，相比於金屬粒子化學上亦較穩定，可安全地操作。又，氧化物與樹脂 (例如，聚醯亞胺或環氧樹脂等)之親和性較高，穩定地分散，樹脂硬化或固化後軟肥粒鐵之粒子與樹脂之界面之接黏性亦優異。再者，藉由將軟肥粒鐵之粉末與樹脂分散至溶劑中，將該分散液賦予至基底膜上，去除溶劑並將樹脂硬化(或固化)，而形成複合磁體層。為了提高分散液中之軟肥粒鐵之粉末之分散性，亦可混合界面活性劑或分散劑。又，為了改善複合磁體層中之軟肥粒鐵之粒子與樹脂之界面之接黏性，亦可混合矽烷偶合劑等。或者，亦可利用界面活性劑或矽烷偶合劑對軟肥粒鐵之粒子之表面預先進行處理(被覆)。
較佳為使用保磁力為100A/m以下之軟肥粒鐵之粉末，進而較佳為40A/m以下。再者，目前用於複合磁體層之鎳鋼之保磁力約為32A/m。再者，由於複合磁體層與鎳鋼相比剛度較低，故而容易變形。即，若複合磁體層磁化，且具有剩餘磁化，則有因磁力而使複合磁體層及基底膜變形之虞。因此，為了防止因複合磁體層之剩餘磁化而產生之變形，較佳為去除複合磁體層之剩餘磁化(進行脫磁)。脫磁可藉由各種方法進行。例如，可使用交變衰減磁場進行脫磁。又，亦可藉由將軟肥粒鐵之粉末加熱至居里溫度而進行脫磁。藉由加熱而進行之脫磁方法係簡便。若考慮到基底膜及複合磁體層所含之樹脂之耐熱性，較佳為軟肥粒鐵之居里溫度未滿250℃。
由於難以對軟肥粒鐵之粉末測定保磁力及居里溫度等物性值，故而以具有相同組成之軟肥粒鐵之塊材(塊)之物性值，對粉末之物性值進行評價。
作為複合磁體層所含之樹脂，亦可使用熱塑性樹脂，較佳為熱硬化性樹脂。熱硬化性樹脂與基底膜之接黏性優異。熱硬 化性樹脂於耐熱性及/或化學穩定性方面亦較熱塑性樹脂優異。作為熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、聚醯亞胺、聚對二甲苯、雙馬來醯亞胺、二氧化矽混合聚醯亞胺、酚系樹脂、聚酯樹脂、及聚矽氧樹脂。尤其是，就接黏性之觀點而言，較佳為環氧樹脂及聚醯亞胺。
再者，作為聚醯亞胺，不僅可較佳地利用熱硬化性聚醯亞胺(藉由塗佈作為聚醯亞胺之前驅物之聚醯胺酸之溶液，將溶劑加熱去除並進行加熱硬化而獲得者)，亦可較佳地利用可溶性聚醯亞胺(藉由塗佈溶解於溶劑之聚醯亞胺，將溶劑加熱去除而獲得者)。於利用聚醯亞胺形成基底膜時，複合磁體層所含之樹脂較佳為包含與基底膜所含之聚醯亞胺相同種類之聚醯亞胺。此時，聚醯亞胺既可為熱硬化性亦可為可溶性。藉由將複合磁體層所含之樹脂、與基底膜所含之聚醯亞胺設為相同種類之聚醯亞胺，可提高複合磁體層與基底膜之接黏性。又，作為聚醯亞胺，藉由使用較小之熱膨脹係數(例如6ppm/℃左右)，可縮小與工件(蒸鍍對象物，例如玻璃)之熱膨脹係數之差。若縮小與工件之熱膨脹係數之差，則即便於蒸鍍時溫度上升，亦可減小所產生之熱應力，抑制蒸鍍遮罩之變形。又，作為複合磁體層，藉由使用實心部包含離散之島狀部之複合磁體層，可減小熱應力。再者，近年來，亦開發有抑制溫度上升之蒸鍍裝置，但為了以高清晰度之圖案進行蒸鍍，進行預備性之實驗，考慮到因蒸鍍時之熱所產生之變形，較佳為形成有開口部。
複合磁體層所含之軟肥粒鐵之粉末之體積分率例如為15體積%以上且80體積%以下。複合磁性層係用以表現磁鐵之吸附力者，只要能夠表現充分之吸附力即可。由於藉由計算難以求 出磁鐵之吸附力，故而最終，進行預備性之實驗，確定由磁鐵產生之磁場之強度、及蒸鍍遮罩之構成。吸附力受磁場之強度、軟肥粒鐵之磁導率、及與複合磁體層之厚度相關之反磁場之強度影響。因此，作為最佳化之蒸鍍遮罩之構成，有蒸鍍遮罩(框架內之區域)之複合磁體層(實際上複合磁體存在之實心部)之厚度、面積率、及體積率以及複合磁體層所含之軟肥粒鐵之粉末之體積分率。再者，為了使蒸鍍遮罩密接於工件而施加於複合磁體層之磁場例如為10mT(毫特斯拉)以上且100mT以下。若小於10mT則有無法獲得充分之吸附力之情況，若大於100mT則有吸附灰塵之情況。作為磁鐵，可使用稀土類磁鐵等永久磁鐵或電磁鐵。於使用永久磁鐵之情況下，較佳為以均勻之吸附力作用於複合磁體層之方式，對應實心部之配置，配置數個永久磁鐵。
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩具有接合於基底膜之周緣部之框架。框架不介隔複合磁體層，接合於基底膜上。基底膜與框架例如藉由接黏劑而接合。較佳為，接黏劑包含熱硬化性樹脂，較佳為具有250℃左右之耐熱性。
框架無需利用磁性材料形成，利用非磁性材料形成即可。框架例如亦可由丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS，acrylonitrile-butadiene-styrene)、聚醚醚酮(PEEK，Polyetheretherketone)、聚醯亞胺等樹脂形成。為了提高框架之機械特性(例如剛度)，例如亦可使用纖維強化複合材料(例如碳纖維增強複合材料(CFRP，Carbon Fiber Reinforced Polymer))。較佳為將聚醯亞胺作為基質樹脂之CFRP。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說 明。再者，本發明並不限定於以下實施形態。
參照圖1(a)及(b)，對本發明之實施形態之蒸鍍遮罩100A進行說明。圖1(a)及(b)分別係模式性地表示蒸鍍遮罩100A之俯視圖及剖面圖。圖1(b)表示沿著圖1(a)中之1B-1B'線之剖面。再者，圖1係模式性地表示蒸鍍遮罩100A之一例者，當然各構成要素之尺寸、個數、配置關係、長度之比率等並不限定於圖示之例。於下述其他圖式中亦相同。
如圖1(a)及(b)所示，蒸鍍遮罩100A具有基底膜10A、及形成於基底膜10A上之複合磁體層20A。即，蒸鍍遮罩100A具有積層有基底膜10A及複合磁體層20A之結構，將其稱為積層體30A。
基底膜10A包含高分子，典型而言，由高分子形成。作為高分子，較佳為聚醯亞胺。基底膜10A亦可包含高分子及填充材。基底膜10A具有數個第1開口部13A。將除了基底膜10A之第1開口部13A以外之部分，即膜實際上存在之部分稱為實心部12A。
蒸鍍遮罩100A於將基底膜10A密接於工件(蒸鍍對象物)進行配置時，於以數個第1開口部13A界定之區域內，例如，蒸鍍有機半導體材料。數個第1開口部13A例如排列為具有列及行之矩陣狀。此處，將列方向設為水平方向，將行方向設為垂直方向，但不限定於此。數個第1開口部13A形成為對應於應形成於工件之蒸鍍圖案之尺寸、形狀及位置。第1開口部13A典型而言為四邊形，例如為長方形，但並不限定於此，可為任意形狀。
複合磁體層20A於框架40A之內側之區域形成於基 底膜10A上。複合磁體層20A具有實心部22A及非實心部23A。此處，非實心部23A為數個第2開口部23A。複合磁體層20A之數個第2開口部23A與基底膜10A所具有之第1開口部13A一對一地對應。複合磁體層20A之第2開口部23A與基底膜10A之第1開口部13A自行對準地形成。
基底膜10A之厚度並無特別限定。但是，若基底膜10A過厚，則有蒸鍍膜之一部分薄於所需厚度地形成之情況(稱為「遮蔽」)。就抑制遮蔽之產生之觀點而言，基底膜10A之厚度較佳為25μm以下。又，就基底膜10A本身之強度及耐洗淨性之觀點而言，基底膜10A之厚度較佳為3μm以上。
關於複合磁體層20A之構成，如上所述，以可藉由磁場獲得充分之吸附力之方式，與由磁鐵產生之磁場之強度一同進行最佳化。由於複合磁體層20A之第2開口部23A以對準基底膜10A之第1開口部13A之方式形成，故而就抑制遮蔽之產生之觀點而言，較佳為以基底膜10A之厚度與複合磁體層20A之厚度之合計不超過25μm之方式進行設定。
框架40A不介隔複合磁體層20A，接合於基底膜10A之周緣部。基底膜10A與框架40A例如藉由接黏劑(未圖示)接合。框架40A可由非磁性材料，例如樹脂形成。
繼而，參照圖2，對本發明之實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法進行說明。圖2係本發明之實施形態之蒸鍍遮罩之製造方法的流程圖。
首先，準備基底膜及框架(步驟Sa)。
繼而，將基底膜固定於框架(步驟Sb)。基底膜例如使 用接黏劑接合於框架。此時視需要，亦可拉緊基底膜。拉緊例如於水平方向及垂直方向進行。於本發明之實施形態中，由於僅拉緊基底膜，故而無需如習知之大型拉緊裝置，框架之機械強度之剛度亦可較習知低。因此，無需利用磁性金屬材料形成框架，例如可使用以高分子形成之框架。
繼而，於基底膜形成數個第1開口部(步驟Sc)。此時，將基底膜介置液體而密接於玻璃基板之表面。於該狀態下，藉由照射雷射光，於既定之位置形成既定形狀及大小之數個第1開口部。為了將藉由雷射剝蝕法產生之殘渣去除，較佳為將基底膜洗淨。若於形成複合磁體層之前進行洗淨，則無於複合磁體層與基底膜之間產生剝離之虞，可更確實地將殘渣去除。尤其是為了將接合於稱為毛邊之第1開口部之周緣的膜殘渣去除而機械地擦(擦拭)基底膜之表面時，有將複合磁體層剝離之情況。
繼而，於基底膜上，形成包含平均粒徑未滿500nm之軟肥粒鐵之粉末及樹脂之複合磁體層(步驟Sd)。如上所述，準備包含軟肥粒鐵之粉末及樹脂(包含前驅物)及溶劑之分散液，將其賦予至基底膜上，進行溶劑之去除及樹脂之硬化(或固化)，藉此形成複合磁體層。分散液之賦予例如可藉由網版印刷法、狹縫印刷法、噴墨法進行。例如，圖1所示之蒸鍍遮罩100A之複合磁體層20A若調整分散液之濃度等，則可利用分散液之表面張力防止分散液滲入至基底膜10A之第1開口部13A，可形成具有與第1開口部13A自行對準地形成之第2開口部23A之複合磁體層。
如下所述，於形成具有以各種圖案配置之數個島狀部之複合磁體層之情況下，較佳為使用噴墨法。
參照圖3及圖4，對蒸鍍遮罩100A之製造方法進行說明。圖3(a)及(b)分別係例示蒸鍍遮罩100A之製造方法之步驟俯視圖及步驟剖面圖(步驟Sb)。圖4(a)及(b)分別係例示蒸鍍遮罩100A之製造方法之步驟俯視圖及步驟剖面圖(步驟Sc)。
如圖3(a)及(b)所示，將基底膜10A固定於框架40A。基底膜10A例如使用接黏劑(未圖示)接合於框架40。此處，僅框架40A之一部分與基底膜10A重疊，亦可為框架40A整體與基底膜10A重疊。此時視需要，亦可拉緊基底膜10A。為了於拉緊之狀態下對接黏劑進行加熱使之硬化，較佳為框架40A之高分子材料亦為具有耐熱性之材料。又，較佳為於真空中使用蒸鍍遮罩100A時，以有機物不自接黏劑揮發之方式，於加熱硬化時設為減壓狀態。亦取決於加熱溫度，為了加熱時亦可拉緊，框架40較佳為例如由聚醯亞胺形成，於需要剛度之情況下，可較佳地使用聚醯亞胺之CFRP。
根據本發明之實施形態，於形成複合磁體層20A之前，僅拉緊基底膜10A，因此可避免產生於拉緊時將複合磁體層20A剝離之問題。
繼而，如圖4(a)及(b)所示，於基底膜10A形成數個第1開口部13A(步驟Sc)。
此時，於基底膜10A之下側(與配置有框架40A側相反之側)，例如配置玻璃基板(未圖示)，於玻璃基板與基底膜10A之間介置液體(例如乙醇)，利用液體之表面張力，使基底膜10A密接於玻璃基板之表面。於該狀態下，藉由自基底膜10A之上側照射雷射光，於既定之位置形成既定形狀及大小之數個第1開口部13A。
其後，為了將藉由雷射剝蝕法產生之殘渣去除，較佳為將基底膜10A之表面洗淨。尤其是在基底膜10A之下側之面產生接合於第1開口部13A之周緣部的毛邊之情況下，為了將毛邊去除，較佳為擦拭基底膜10A之下側之面。
其後，對基底膜10A之上側之面，賦予包含軟肥粒鐵之粉末及樹脂(包含前驅物)及溶劑之分散液，進行溶劑之去除及樹脂之硬化(或固化)，藉此可獲得複合磁體層20A。溶劑之去除、加熱硬化之步驟可使用電爐進行。
繼而，參照圖5至圖9，對本發明之實施形態之其他蒸鍍遮罩100B至100G之結構進行說明。該等蒸鍍遮罩100B至100G亦可藉由上述說明之製造方法製造。但是，蒸鍍遮罩100B至100G之複合磁體層20B至20G所具有之非實心部23B至23G大於基底膜10B至10G所具有之第1開口部13B至13G，故而即便增厚複合磁體層20B至20G之厚度亦不易產生遮蔽。因此，複合磁體層20B至20G之厚度可大於蒸鍍遮罩100A之複合磁體層20A之厚度。
圖5(a)係模式性地表示本發明之實施形態之另一蒸鍍遮罩100B之俯視圖，圖5(b)係沿著圖5(a)中之5B-5B'線之剖面圖。
蒸鍍遮罩100B具有基底膜10B及形成於基底膜10B上之複合磁體層20B(積層體30B)、及接合於基底膜10B之周緣部之框架40B。
基底膜10B具有實心部12B及數個第1開口部13B。複合磁體層20B具有實心部22B及非實心部23B。實心部22B包 含離散地配置之數個島狀部22B。數個島狀部22B具有配置於第1開口部13B對角線方向之2對島狀部22B。即，於各第1開口部13B之對角線方向配置有4個島狀部22B。因此，作用於複合磁體層20B之島狀部22B之磁鐵之吸引力相對於各第1開口部13B對稱地發揮作用。
此處，島狀部22B例示了圓柱狀之例，但亦可為角柱，又可具有錐形形狀，例如又可為圓錐台。
圖6(a)係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸鍍遮罩100C之俯視圖，圖6(b)係沿著圖6(a)中之6B-6B'線之剖面圖。
蒸鍍遮罩100C具有基底膜10C及形成於基底膜10C上之複合磁體層20C(積層體30C)、及接合於基底膜10C之周緣部之框架40C。
基底膜10C具有實心部12C及數個第1開口部13C。複合磁體層20C具有實心部22C及非實心部23C。非實心部23C為數個第2開口部(狹縫)23C，數個沿行方向延伸之狹縫23C排列於列方向。實心部22C連續地形成於除了非實心部23C以外之區域。自蒸鍍遮罩100C之法線方向觀察時，各狹縫23C具有大於基底膜10C之各第1開口部13C之尺寸，於各狹縫23C內存在2個以上之第1開口部13C(當然不限定於圖6中所例示之個數)。
圖7(a)係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸鍍遮罩100D之俯視圖，圖7(b)係沿著圖7(a)中之7B-7B'線之剖面圖。
蒸鍍遮罩100D具有基底膜10D及形成於基底膜10D 上之複合磁體層20D(積層體30D)、及接合於基底膜10D之周緣部之框架40D。基底膜10D具有實心部12D及數個第1開口部13D。複合磁體層20D具有實心部22D及非實心部23D。非實心部23D係一個內包所有第1開口部13D之第2開口部23D。實心部22D連續地形成於除了非實心部23D以外之區域。
圖8(a)係模式性地表示本發明之實施形態之又一蒸鍍遮罩100E之俯視圖，圖8(b)係沿著圖8(a)中之8B-8B'線之剖面圖。
蒸鍍遮罩100E具有基底膜10E及形成於基底膜10E上之複合磁體層20E(積層體30E)、及接合於基底膜10E之周緣部之框架40E。基底膜10E具有實心部12E及數個第1開口部13E。複合磁體層20E具有實心部22E及非實心部23E。非實心部23E為數個第2開口部23E，於各第2開口部23E內配置有1個第1開口部13E。第2開口部23E具有大於第1開口部13E之尺寸。實心部22E連續地形成於除了非實心部23E以外之區域。
圖9(a)及圖9(b)分別係模式性地表示本發明之實施形態之其它蒸鍍遮罩100F及100G之俯視圖。
圖9(a)所示之蒸鍍遮罩100F具有基底膜10F及形成於基底膜10F上之複合磁體層20F(積層體30F)、及接合於基底膜10F之周緣部之框架40F。基底膜10F具有實心部12F及數個第1開口部13F。複合磁體層20F具有實心部22F及非實心部23F。非實心部23F為2個第2開口部23F。實心部22F包含連續地形成於第2開口部23F之周圍之周邊部分、及離散地配置於第2開口部23F內之島狀部22F。
圖9(b)所示之蒸鍍遮罩100G具有基底膜10G及形成於基底膜10G上之複合磁體層20G(積層體30G)、及接合於基底膜10G之周緣部之框架40G。基底膜10G具有實心部12G及數個第1開口部13G。複合磁體層20G具有實心部22G及非實心部23G。非實心部23G係一個內包所有第1開口部13G之第2開口部23G。實心部22G包含連續地形成於第2開口部23G之周圍之周邊部分、及離散地配置於第2開口部23G內之島狀部22G。
本實施形態之蒸鍍遮罩亦可對應於1個元件(例如有機EL顯示器)之單位區域具有二維地排列之結構。具有此種結構之蒸鍍遮罩可較佳地用以於1塊蒸鍍對象基板上形成數個元件。
圖10(a)、(b)及圖11(a)、(b)分別係例示本實施形態之又一蒸鍍遮罩300A、300B、300C、及300D之俯視圖。自法線方向觀察時，該等蒸鍍遮罩具有隔開間隔排列之數個(此處為6個)單位區域UA~UD。蒸鍍遮罩300A之單位區域UA具有與蒸鍍遮罩100A相同之圖案，蒸鍍遮罩300B之單位區域UB、蒸鍍遮罩300C之單位區域UC、及蒸鍍遮罩300D之單位區域UD具有與蒸鍍遮罩100B相同之圖案。蒸鍍遮罩300B之實心部22B不具有形成於單位區域UB之間之部分。相對於此，蒸鍍遮罩300C之複合磁體層20C之實心部22C具有連續地形成於單位區域UC之間之部分。蒸鍍遮罩300D之複合磁體層20D之實心部22D具有配置於單位區域UD之間之島狀部22D。
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩由於具有如上所述之複合磁體層，故而容易大型化，且，可形成高清晰度之圖案。因此，例如可較佳地用於高清晰度之有機EL顯示裝置之量產。
(產業上之可利用性)
本發明之實施形態之蒸鍍遮罩可較佳地用於以有機EL顯示裝置為代表之有機半導體元件之製造，可尤佳地用於需形成高清晰度之蒸鍍圖案之有機半導體元件之製造。
10A‧‧‧基底膜
12A‧‧‧實心部
13A‧‧‧第1開口部(非實心部)
20A‧‧‧複合磁體層
22A‧‧‧實心部
23A‧‧‧非實心部(第2開口部)
30A‧‧‧積層體
40A‧‧‧框架
100A‧‧‧蒸鍍遮罩

Claims (15)

  1. 一種蒸鍍遮罩，其具有：基底膜，其具有數個第1開口部且包含高分子；複合磁體層，其形成於上述基底膜上，且具有實心部及非實心部；及框架，其接合於上述基底膜之周緣部；上述數個第1開口部係形成於對應上述非實心部之區域，上述複合磁體層包含平均粒徑未滿500nm之軟肥粒鐵之粉末及樹脂。
  2. 如請求項1之蒸鍍遮罩，其中，上述非實心部包含數個第2開口部。
  3. 如請求項1或2之蒸鍍遮罩，其中，上述實心部包含離散地配置之數個島狀部。
  4. 如請求項3之蒸鍍遮罩，其中，上述數個島狀部包含島狀部對，該島狀部對係配置於以上述數個第1開口部中任意1個第1開口部為中心點而對稱之位置。
  5. 如請求項1至4中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述軟肥粒鐵之保磁力為100A/m以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述軟肥粒鐵之居里溫度未滿250℃。
  7. 如請求項1至6中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述複合磁體層中之上述軟肥粒鐵之粉末之體積分率為15體積%以上且80體積%以下。
  8. 如請求項1至7中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述樹脂包含熱硬化性樹脂。
  9. 如請求項1至8中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述基底膜包含聚醯亞胺，上述樹脂包含與上述基底膜所含聚醯亞胺相同種類之聚醯亞胺。
  10. 如請求項1至9中任一項之蒸鍍遮罩，其中，上述框架係由非磁性材料形成。
  11. 一種蒸鍍遮罩之製造方法，其係請求項1至10中任一項之蒸鍍遮罩之製造方法，其包括：步驟A，其準備包含高分子之基底膜及框架；步驟B，其將上述基底膜固定於上述框架；步驟C，其於上述基底膜形成數個第1開口部；及步驟D，於上述步驟C之後，在上述基底膜上形成包含平均粒徑未滿500nm之軟肥粒鐵之粉末及樹脂之複合磁體層。
  12. 如請求項11之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，上述步驟B包含拉緊上述基底膜之步驟。
  13. 如請求項11或12之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，於上述步驟C與上述步驟D之間，進而包含將上述基底膜洗淨之步驟。
  14. 如請求項11至13中任一項之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，上述步驟D係藉由噴墨法進行。
  15. 一種有機半導體元件之製造方法，其包括使用請求項1至10中任一項之蒸鍍遮罩，於工件上蒸鍍有機半導體材料之步驟。
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