TW201731002A - 用於在溫度變化期間自動維持探針與待測裝置間對齊之探針系統與方法 - Google Patents

Abstract

用於在一溫度變化期間自動維持一探針與一待測裝置(DUT)之間的對齊之探針系統與方法。該方法係包含收集一平面的偏移基準的一初始的影像、以及判斷一高度的偏移基準的一初始的高度參考。該方法進一步包含改變該DUT的一溫度、在該改變期間自動維持一探針與該DUT之間的一平面的對齊、以及在該改變期間自動維持該探針與該DUT之間的一高度的對齊。該些探針系統包含一夾盤，其係界定一被配置以支撐一包含該DUT的基板之支撐表面、以及一探針頭組件，其係包含一被配置以接觸該DUT的一對應的接觸墊的探針。該探針系統進一步包含一被配置以調節該DUT的一溫度之基板熱模組、以及一被程式化以執行該些方法的控制器。

Description

用於在溫度變化期間自動維持探針與待測裝置間對齊之探針系統與方法

本揭露內容係大致有關用於在一溫度變化期間自動維持一探針與一待測裝置間的對齊之探針系統與方法。

探針系統可被利用來測試積體電路裝置在一範圍的不同的測試條件的操作。此可包含在低溫下執行的測試、在高溫下執行的測試、及/或在受控制的大氣條件下執行的測試。舉例而言，晶圓級的可靠度量測可能是在數百攝氏度的一溫度範圍上加以執行的。

晶圓一般是包含複數個間隔開的積體電路裝置，該些積體電路裝置可被配置在個別的晶粒上。當晶圓級的量測係在一積體電路裝置上加以執行時，在一溫度範圍上持續地在該積體電路裝置上執行測試可能是所期望的。這些測試可能會需要一被利用來測試該積體電路裝置的探針系統在該溫度範圍上被組態設定以維持一和該探針系統相關的探針與一和該積體電路裝置相關的接觸墊之間的對齊。

當測試條件被改變時，該探針與該接觸墊的相對方位可能會改變。舉例而言，該探針系統及/或該晶圓所遭受到的熱膨脹及/或收縮可能 會造成此種方位改變。傳統上，接觸墊已經被做成是足夠大到容納這些方位改變，且/或容許該相對的方位的連續的人工的調整；然而，這些較大的接觸墊係增加製造積體電路裝置的成本，且/或減低積體電路裝置在晶圓上的封裝密度。此外，人工的調整可能是耗時、昂貴且/或不準確的。因此，對於用在一溫度變化期間自動維持一探針以及一待測裝置之間的對齊之探針系統與方法係存在著需求。

用於在一溫度變化期間自動維持一探針與一待測裝置(DUT)之間的對齊之探針系統與方法係在此被揭示。該些方法係包含收集一平面的偏移基準的一初始的影像以及決定一高度的偏移基準的一初始的高度參考。該些方法進一步包含將該DUT的一溫度從一第一DUT溫度改變至一第二DUT溫度。該些方法亦包含在該改變期間自動維持一探針與該DUT之間的一平面的對齊、以及在該改變期間自動維持該探針與該DUT之間的一高度的對齊。該自動維持該平面的對齊係包含自動且反覆地收集該平面的偏移基準的一後續的影像、比較該初始的影像以及該後續的影像以判斷該平面的偏移基準的一平面的偏移、以及調整該探針及/或該DUT的一平面的位置以維持該平面的對齊。該自動維持該高度的對齊係包含自動且反覆地判斷該高度的偏移基準的一後續的高度參考、比較該初始的高度參考以及該後續的高度參考以判斷該高度的偏移基準的一高度的偏移、以及調整該探針及/或該DUT的一高度位置以維持該高度的對齊。

該探針系統係包含一夾盤(chuck)，其係界定一被配置以支撐一包含該DUT的基板的支撐表面、以及一探針頭組件，其係包含一被配置 以接觸該DUT的一對應的接觸墊的探針。該探針系統進一步包含一被配置以調節該DUT的一溫度之基板熱模組、以及一被程式化以執行該些方法的控制器。

100‧‧‧探針系統

101‧‧‧平面的偏移調整結構

102‧‧‧高度的偏移調整結構

110‧‧‧夾盤平移結構(基板平移結構)

120‧‧‧夾盤

125‧‧‧支撐表面

130‧‧‧基板

132‧‧‧(基板的)表面

135‧‧‧基板熱模組

140‧‧‧待測裝置(DUT)

142‧‧‧接觸墊

150‧‧‧探針頭組件

155‧‧‧光學通透的區域

160‧‧‧探針頭

162‧‧‧探針

170‧‧‧光學組件

172‧‧‧光學組件信號

180‧‧‧控制器

182‧‧‧平面的偏移校正信號

184‧‧‧高度的偏移校正信號

186‧‧‧通訊鏈路

190‧‧‧探針頭組件平移結構

200‧‧‧接觸軸

300‧‧‧表平面

301‧‧‧最初的平面的參考點

302‧‧‧偏移的平面的參考點

410‧‧‧探針沿著接觸軸的相對的平移

420‧‧‧最初的垂直的參考點

430‧‧‧偏移的垂直的參考點

440‧‧‧高度基準點

510‧‧‧探針在平行於表平面的方向上的相對的平移

610‧‧‧人工的接觸墊磨損態樣

620‧‧‧自動化的接觸墊磨損態樣

700‧‧‧偏移

701‧‧‧最初的參考點

702‧‧‧偏移參考點

710‧‧‧平面的偏移成分

720‧‧‧x偏移成分

730‧‧‧y偏移成分

740‧‧‧高度的偏移成分

1000‧‧‧方法

1005、1010、1015、1020、1030、1040、1042、1044、1046、1048、1050、1060、1062、1064、1066、1068、1070、1080、1090‧‧‧步驟

圖1是根據本揭露內容的一種探針系統的例子的示意圖。

圖2是根據本揭露內容的一種探針系統的一部分的概要的側視圖。

圖3是根據本揭露內容的一種探針系統的一部分的概要的俯視圖。

圖4是根據本揭露內容的一種探針系統的一部分的概要的側視圖。

圖5是根據本揭露內容的一種探針系統的一部分的概要的俯視圖。

圖6是根據本揭露內容的一種探針系統的一部分的概要的俯視圖。

圖7是根據本揭露內容的一種探針系統的一部分的概要的立體圖。

圖8是根據本揭露內容的一種探針系統的一部分的概要的俯視圖。

圖9是根據本揭露內容的一種探針系統的一部分的概要的側視圖。

圖10是描繪根據本揭露內容的維持一探針頭組件的一探針與一待測裝置的一接觸墊之間的對齊之方法的流程圖。

圖1-10係提供根據本揭露內容的探針系統100、及/或操作及/或利用該探針系統之方法1000的例子。作用為一類似或是至少實質類似的目的之元件係在圖1-10的每一個圖中都被標示類似的元件符號，因而這些元件可能並未在此參考圖1-10的每一個圖都加以論述。類似地，在圖1-10的每一個圖中可能並未標示所有的元件，但是與其相關的元件符號可能會 為了一致性而在此被利用。在此參考圖1-10中的一或多個圖所論述的元件、構件、及/或特點可以內含及/或被利用在圖1-10的任一圖中，而不脫離本揭露內容的範疇。

一般而言，很可能內含在一給定的(亦即，一特定的)實施例中的元件係用實線來加以描繪，而對於一給定的實施例而言為選配的元件則用虛線來加以描繪。然而，用實線所展示的元件並非對於所有的實施例而言都是重要的，因而一用實線所展示的元件可以從一給定的實施例加以省略，而不脫離本揭露內容的範疇。

圖1是根據本揭露內容的一種探針系統100的例子的示意圖。探針系統100係包含一夾盤120以及一探針頭組件150。夾盤120係包含一被配置以支撐一基板130的支撐表面125。夾盤120額外可包含一夾盤平移結構110，其係被配置以相對於探針頭組件150來平移該夾盤的至少一部分。夾盤平移結構110額外或替代的是可被稱為一基板平移結構110。基板130額外或替代地可被稱為一晶圓130、一半導體基板130、及/或一半導體晶圓130。基板130係包含至少一積體電路裝置140，其在此亦可被稱為一裝置140及/或一待測裝置(DUT)140。如同所論述的，基板130通常包含複數個DUT 140。每一個DUT 140可包含一或多個接觸墊142。

探針頭組件150係包含至少一探針頭160，其可被配置以接觸一對應的DUT 140。更明確地說，每一個探針頭160可包含至少一探針162，其可被配置以接觸在該對應的DUT 140上的至少一對應的接觸墊142。

探針頭組件150可包含一探針頭組件平移結構190，其係被配置以相對於夾盤120、支撐表面125、及/或一藉由支撐表面125所支撐的 基板130來平移該探針頭組件的至少一部分。探針系統100亦包含一被配置以調節基板130的一溫度之基板熱模組135、以及一被程式化以執行一或多種在此所述的方法之控制器180。例如，控制器180可被程式化以產生一平面的偏移校正信號182及/或一高度的偏移校正信號184。控制器180亦可被程式化以例如經由及/或利用任何適當的通訊鏈路186，來發送平面的偏移校正信號182及/或高度的偏移校正信號184至夾盤平移結構110及/或探針頭組件平移結構190。

控制器180可包含且/或可以是任何可被調適、配置、設計、建構、及/或程式化以執行在此論述的功能之適當的結構、一裝置、及/或多個裝置。舉例而言，控制器180可包含一電子控制器、一專用的控制器、一特殊用途的控制器、一個人電腦、一特殊用途的電腦、一顯示裝置、一邏輯裝置、一記憶體裝置、及/或一具有電腦可讀取的儲存媒體之記憶體裝置中的一或多個。

該電腦可讀取的儲存媒體當存在時，其在此亦可被稱為非暫態的電腦可讀取的儲存媒體。此非暫態的電腦可讀取的儲存媒體可包含、定義、容置、及/或儲存電腦可執行的指令、程式、及/或碼；並且這些電腦可執行的指令可以指示探針系統100及/或其之控制器180以執行方法1000的任何適當的部分或是子集合。此種非暫態的電腦可讀取的儲存媒體的例子係包含CD-ROM、碟片、硬碟機、快閃記憶體、等等。如同在此所用的，具有根據本揭露內容的電腦可執行的指令、以及電腦實施的方法及其它方法之儲存或記憶體裝置及/或媒體係根據美國法典第35章第101節而被視為是在被認為可授予專利的標的之範疇內。

探針系統100可被配置以在DUT 140上執行晶圓級的可靠度測試。此種晶圓級的可靠度測試可包含一例如是偏壓溫度應力(BTS)量測及/或負偏壓溫度不穩定性(NBTI)量測的量測，其中當DUT的一溫度被調變或是改變時，維持在一探針162與一對應的DUT 140的一對應的接觸墊142之間的電性接觸可能是必要的。如同在圖2-3中所繪的，此溫度調變可能會導致DUT 140以及探針162相對於彼此及/或沿著一接觸軸200的一熱位移，該接觸軸200係至少實質垂直於該基板的一表面132(如同在圖2中所繪)。額外或替代的是，此溫度調變亦可能會導致DUT 140以及探針162相對於彼此及/或在一平行於一表平面300的方向上的一熱位移，該表平面300係至少實質平行於表面132(如同在圖3中所繪)。

如同進一步在圖2-3中所描繪的，該DUT相對該探針的此種熱位移可能會在該探針維持與接觸墊142接觸時造成該探針彎曲及/或變形，例如是從一如同用實線所繪的第一構形變成一如同用虛線所繪的第二構形。額外或替代的是，該DUT相對於該探針的熱位移可能會使得該探針橫過而刮傷該接觸墊的表面，此係可能會損壞該接觸墊、損壞該探針、造成該探針的磨損、中斷在該探針與該DUT之間的電性接觸、及/或改變在兩者之間的一接觸電阻。

然而，而且如同在圖4-5中所繪的，在此揭露的系統及方法可被利用以維持在該探針與該DUT之間的電性接觸，其係藉由在該DUT的溫度被調變時，調整該探針相對於該DUT的一位置。尤其，而且參考圖4-5，在此揭露的系統及方法可以選擇性地產生、產出、及/或調節在探針162與DUT 140之間沿著接觸軸200的一相對的平移，即如同在圖4中的410 之處所指出的、及/或在探針162與DUT 140之間在平行於表平面300的方向上的一相對的平移，即如同在圖5中的510之處所指出的。此種相對的平移可以是自動的，且/或可被利用以維持在該探針與該接觸墊之間的相對的方位及/或減少在兩者之間的相對的運動。

例如，該些方法可包含監測基板130的至少一部分的一位置、以及至少部分的響應於該監測來平移該基板及/或探針頭組件150。該些方法額外或替代地可包含監測探針頭組件150的至少一部分的一位置、以及至少部分的響應於該監測來平移該探針頭組件的至少一部分及/或平移該基板。換言之，該維持接觸可包含監測基板130的至少一部分及/或探針頭組件150的至少一部分的一位置、以及至少部分的響應於該監測來平移該基板及/或該探針頭組件的至少一部分。

儘管本揭露內容主要係描述用於在該探針接觸該DUT時維持探針162與DUT 140之間的對齊之系統及方法，但此並非必須的。舉例而言，亦在本揭露內容的範疇之內的是，在此揭露的系統及方法可被利用以在該探針以及該DUT並未彼此接觸時，維持探針162與DUT 140之間的一相對的方位。

在此揭露的系統及方法可以用探針162及/或接觸墊142遭受到比起典型的當該相對的方位係經由人工的調整而被維持所將會是的磨損顯著較少磨損的此種方式，來允許且/或使得DUT 140利用探針162的測試變得容易。換言之，在此揭露的系統及方法係允許在該DUT的熱調變期間，在無人工的使用者輸入下維持該探針與該DUT之間的對齊、及/或使得該對齊可被維持在一比起典型的人工的調整所將會是的容限更嚴格的容 限。

舉例而言，圖6是用虛線描繪一人工的接觸墊磨損態樣610之一代表性的例子，並且用實線描繪一自動化的接觸墊磨損態樣620之一代表性的例子。人工的接觸墊磨損態樣610係描繪當該探針與該接觸墊之間的對齊例如是藉由一探針系統的一操作者來人工地調整時，接觸墊142的一個在DUT 140的熱調變期間可能被一探針所接觸到的區域。相對地，自動化的接觸墊磨損態樣620係描繪當該探針與該接觸墊之間的對齊係利用在此揭露的系統及/或方法而被維持時，該接觸墊的一個在DUT 140的一等同的熱調變期間可能被該探針所接觸到的區域。如同在圖6中所繪，相對於人工及/或使用者控制的對齊調整，在此揭露的自動化的系統及方法可以允許維持該探針與該接觸墊之間的對齊至一更緊密的容限且/或具有一在該接觸墊上降低的接觸面積。

參考圖7，DUT 140(如同可能在圖1-2及4中最清楚描繪者)的接觸墊142相對於探針162(如同在圖1-5中所繪者)的一熱位移可以藉由在一最初的參考點701以及一偏移參考點702之間的一偏移700來描述特徵。最初的參考點701可以是指在該DUT相對於該探針頭組件的熱位移之前，DUT 140的至少一部分相對於探針頭組件150的至少一部分的一位置。偏移參考點702可以是指在該DUT相對於該探針頭組件的熱位移之後，該DUT的部分相對於該探針頭組件的部分的位置。偏移700可以是指在三個空間的維度中的一位移，並且因此可以藉由一平行於表平面300的平面的偏移成分710以及一平行於接觸軸200的高度的偏移成分740來描述特徵。該平面的偏移成分進一步可以藉由一x偏移成分720以及一至少實質垂直於 該x偏移成分的y偏移成分730來描述特徵，使得該x偏移成分以及y偏移成分係分別至少實質平行於表平面300。圖8是如同在圖7中所繪的探針頭組件100的一部分的俯視圖，並且其係進一步描繪平面的偏移成分710、x偏移成分720、以及y偏移成分730。類似地，圖9是如同在圖7中所繪的探針頭組件100的一部分的側視圖，並且其係進一步描繪高度的偏移成分740。

回到圖1，探針系統100可包含一平面的偏移調整結構101，其可被配置以在一至少實質平行於表平面300的方向上調整探針頭組件150以及基板130的一相對的位置。譬如，該平面的偏移調整結構可被配置以在至少實質平行於表平面300的該方向上平移該探針頭組件的至少一部分。額外或替代的是，該平面的偏移調整結構可被配置以在至少實質平行於表平面300的該方向上平移該基板的至少一部分。該平面的偏移調整結構可以構成基板平移結構110及/或探針頭組件平移結構190的一部分。

探針系統100額外或替代地可包含一高度的偏移調整結構102，其可被配置以沿著接觸軸200調整探針頭組件150以及基板130的一相對的位置。譬如，該高度的偏移調整結構可被配置以沿著接觸軸200來平移該探針頭組件的至少一部分。額外或替代的是，該高度的偏移調整結構可被配置以沿著接觸軸200來平移該基板的至少一部分。該平面的偏移調整結構可以構成基板平移結構110及/或探針頭組件平移結構190的一部分。

繼續參考到圖1，探針系統100額外或替代地可包含一光學組件170，其可被配置以執行探針頭組件150的至少一部分及/或基板130的 至少一部分的一光學量測、觀察、及/或對齊。舉例而言，光學組件170可包含一數位成像裝置、一電荷耦合裝置、一攝影機、及/或一光學顯微鏡。額外或替代的是，光學組件170可以包含(或者可以是)一雷射干涉儀模組，其係被配置以藉由量測一雷射所產生的一電磁干擾樣式，來量測一和該探針頭組件的至少一部分以及該基板的至少一部分中的至少一個相關的高度的偏移。光學組件170可被配置以經由一對應的通訊鏈路186來提供一光學組件信號172至控制器180。

光學組件170可被配置以結合一光學通透的區域155來運作，該光學通透的區域155係從探針頭組件150的一頂端側延伸至該探針頭組件的一底部側。光學通透的區域155可被配置以允許探針頭160的至少一部分(例如是一或多個探針162)及/或基板130的至少一部分是能夠從一位在探針頭組件150之上的位置可見的。換言之，光學通透的區域155可被配置以允許光學組件170執行位在探針頭組件150上的一點及/或位在基板130上的一點之一光學觀察及/或量測，該些點原本是會被該探針頭組件遮蔽而不被該光學組件看見的。

圖10是描繪根據本揭露內容的在該DUT的熱調變期間維持一探針與一DUT之間的對齊之方法1000的流程圖。方法1000可包含在1005之處使得一基板來到一初始的溫度、在1010之處初步對齊該探針以及該DUT、及/或在1015之處使得該DUT接觸該探針。方法1000係包含在1020之處開始一熱調變，以及在1030之處在該熱調變期間自動維持該探針與該DUT之間的對齊。在1030之處的維持該對齊係包含在1040之處維持一平面的對齊以及在1060之處維持一高度的對齊，並且在1040之處的維持該平 面的對齊以及在1060之處的維持該高度的對齊可以在方法1000內用任何適當的順序及/或序列來加以執行。舉例而言，在1040之處的維持以及在1060之處的維持可以同時或是至少實質同時來加以執行。作為另一例子的是，在1040之處的維持可以在1060之處的維持之前加以執行。作為又一例子的是，在1060之處的維持可以在1040之處的維持之前加以執行。

在1040之處的維持該平面的對齊係包含在1042之處收集一平面的偏移基準的一初始的影像或是一第一影像、在1044之處收集該平面的偏移基準的一後續的影像或是一第二影像、在1046之處比較該初始的影像以及該後續的影像、在1048之處調整一平面的位置、以及在1050之處重複維持該平面的對齊的至少一部分。在1060之處的維持該高度的對齊係包含在1062之處判斷一高度的偏移基準的一初始的高度參考或是一第一高度參考、在1064之處判斷該高度的偏移基準的一後續的高度參考或是一第二高度參考、在1066之處比較該初始的高度參考以及該後續的高度參考、在1068之處調整一高度位置、以及在1070之處重複維持該高度的對齊的至少一部分。方法1000進一步可包含在1080之處結束該熱調變、及/或在1090之處從該DUT脫離接觸該探針。

在1005之處的使得該基板來到該初始的溫度可包含經由一例如是圖1的基板熱模組135的基板熱模組，來改變一例如是圖1的基板130之基板的溫度至一預設的初始的溫度。在1005之處的促使可以額外或替代地包含將該基板浸熱(soaking)在該初始的溫度一段預設的浸熱時間，例如是允許該基板以及任何與該基板熱接觸的元件的熱平衡在該初始的溫度。如同在此所用的，將該基板浸熱在該初始的溫度可以額外或替代地被 稱為將該基板平衡在該初始的溫度及/或使得該基板適應至該初始的溫度。

在1010之處的初步對齊該探針以及該DUT可包含平移該探針及/或該DUT(例如是利用圖1的探針頭組件平移結構190及/或夾盤平移結構110)，以實質對齊一探針(例如是圖1-5的探針162)以及一DUT(例如是圖1-2及4的DUT 140)的一對應的接觸墊(例如是圖1-9的接觸墊142)。例如，在1010之處的初步對齊可包含對齊該探針以及該接觸墊，使得在該探針與該接觸墊之間的一平面的偏移成分(例如是圖7的平面的偏移成分710)並不大於一預設的臨界平面的偏移成分。該探針可以是一針型探針，且/或可以構成一探針卡的至少一部分。

在1015之處的使得該DUT接觸該探針可以是在1010之處的初步對齊該探針以及該DUT之後，而且是在1020之處的開始該熱調變之前來加以執行。例如，在1015之處的接觸可包含沿著一例如是圖2、4、7及9的接觸軸200的接觸軸來平移該探針及/或該基板，以促使該探針以及該DUT彼此電性及/或實體接觸。作為另一例子的是，在1015之處的接觸可包含使得該探針接觸該DUT的一接觸墊，例如是圖1-9的接觸墊142。

在1020之處的開始該熱調變係包含開始將該DUT的一溫度從一第一DUT溫度改變至一第二DUT溫度。該第一DUT溫度可以是大於該第二DUT溫度，且/或該第一DUT溫度可以是小於該第二DUT溫度。例如，該第一DUT溫度可以是小於-100℃、小於-75℃、小於-50℃、小於-25℃、小於0℃、小於10℃、小於20℃、小於30℃、小於40℃、小於50℃、小於60℃、超過300℃、超過250℃、超過200℃、超過150℃、超過100℃、超過75℃、及/或超過50℃。類似地，該第二DUT溫度可以是小於-100℃、小於 -75℃、小於-50℃、小於-25℃、小於0℃、小於10℃、小於20℃、小於30℃、小於40℃、小於50℃、小於60℃、超過300℃、超過250℃、超過200℃、超過150℃、超過100℃、超過75℃、及/或超過50℃。額外或替代的是，該第一DUT溫度以及該第二DUT溫度中的較大者可以超過該第一DUT溫度以及該第二DUT溫度中的較小者至少5℃、至少10℃、至少25℃、至少50℃、至少75℃、至少100℃、至少150℃、至少200℃、至少300℃、及/或至少500℃。

如同所論述的，在1040之處的維持該平面的對齊係包含收集該平面的偏移基準的初始的影像(在1042之處)以及後續的影像(在1044之處)。該平面的偏移基準可包含藉由該探針頭組件所界定的一探針頭組件的平面的偏移基準。例如，該探針頭組件的平面的偏移基準可包含該探針頭組件的至少一部分、該探針頭組件的一探針卡的至少一部分、該探針頭組件的一探針頭的至少一部分、該探針頭的一探針尖端的至少一部分、該探針的至少一部分、及/或一探針頭組件參考結構的至少一部分。額外或替代的是，該平面的偏移基準可包含藉由該基板所界定的一基板的平面的偏移基準。例如，該基板的平面的偏移基準可包含該基板的至少一部分、該DUT的至少一部分、該DUT的一接觸墊的至少一部分、及/或一基板參考結構的至少一部分。

在1042之處的收集該初始的影像以及在1044之處的收集該後續的影像可包含收集提供有關於該平面的偏移基準在一例如是圖3、5及7-8的表平面300之表平面上的運動之空間的資訊的影像。在1042之處的收集該初始的影像以及在1044之處的收集該後續的影像可以利用一例如是圖1的光學組件170之光學組件來加以執行。在1042之處的收集該初始的影 像以及在1044之處的收集該後續的影像可包含利用該光學組件來收集可見光及/或收集電磁輻射。

在1042之處的收集該初始的影像以及在1044之處的收集該後續的影像可以利用在方法1000內的任何適當的時序及/或序列來加以執行。舉例而言，在1042之處的收集可以在1005之處的促使之後、在1010之處的初步對齊之後、在1015之處的接觸之後、及/或在1020之處的開始該熱調變之前來加以執行。作為額外及/或替代的例子的是，在1044之處的收集可以在1005之處的促使之後、在1010之處的初步對齊之後、在1015之處的接觸之後、在1042之處的收集之後、及/或在1020之處的開始該熱調變的起始之後或是至少部分同時地來加以執行。

換言之，在1042之處的收集可以在改變或是刻意地改變該DUT的溫度之前加以執行，例如可以是在1020之處的開始該熱調變的期間及/或之後來加以達成。相對地，在1044之處的收集可以在該DUT的溫度正被改變時加以執行或是反覆地加以執行，例如是在1020之處的開始該熱調變之後及/或同時。然而，此並非必須的，並且該初始的影像可以在任何適當的時間來加以收集的(經由在1042之處的收集)。

在1046之處的比較該初始的影像以及該後續的影像可能會導致判斷出一平面的偏移，例如是圖7-8的平面的偏移710，其可能是該平面的偏移基準在該初始的影像中的一如同在該表平面上或是在一平行於該表平面的方向上所量測的位置、以及該平面的偏移基準在該後續的影像中的一如同在該表平面上或是在該平行於該表平面的方向上所量測的位置之間的一差異。例如，在1046之處的比較可以利用一圖案識別常式來判斷該 平面的偏移。作為另一例子的是，在1046之處的比較可包含判斷該平面的偏移基準在該初始的影像中的如同在該表平面上所量測的位置、以及該平面的偏移基準在該後續的影像中的一如同在該表平面上所量測的位置之間的一平面的位移距離、且/或可包含判斷該平面的位移距離的一x成分及/或該平面的位移距離的一y成分。該平面的位移距離的y成分可以是垂直或至少實質垂直於該平面的位移距離的x成分。

如同所論述的，在1060之處的維持該高度的對齊係包含判斷該高度的偏移基準的初始的高度參考(在1062之處)以及後續的高度參考(在1064之處)。該高度的偏移基準可包含一藉由該探針頭組件所界定的探針頭組件高度的偏移基準。例如，該探針頭組件高度的偏移基準可包含該探針頭組件的至少一部分、該探針頭組件的探針卡的至少一部分、該探針頭組件的探針頭的至少一部分、該探針頭的探針尖端的至少一部分、該探針的至少一部分、及/或該探針頭組件參考結構的至少一部分。額外或替代的是，該高度的偏移基準可包含一藉由該基板所界定的基板高度的偏移基準。例如，該基板高度的偏移基準可包含該基板的至少一部分、該DUT的至少一部分、該DUT的一接觸墊的至少一部分、及/或一基板參考結構的至少一部分。該探針頭組件高度的偏移基準可以是該探針頭組件的平面的偏移基準、或是與其相同的。該基板高度的偏移基準可以是該基板的平面的偏移基準、或是與其相同的。

在1066之處的比較該初始的高度參考以及該後續的高度參考可能會導致判斷出一高度的偏移，例如是圖7及9的高度的偏移740，其可能是一在該初始的高度參考與該後續的高度參考之間的如同沿著該接觸 軸所量測的距離。例如，該高度的偏移可以藉由利用一圖案識別常式來比較該初始的高度參考以及該後續的高度參考而被判斷出。

在1062之處的判斷該初始的高度參考以及在1064之處的判斷該後續的高度參考可以利用該光學組件來加以執行。例如，該光學組件可包含一光學顯微鏡，並且判斷該初始的高度參考可包含最初將該光學顯微鏡實質聚焦在該高度的偏移基準上，並且判斷該後續的高度參考可包含接著將該光學顯微鏡實質聚焦在該高度的偏移基準上，使得判斷該高度的偏移可以是至少部分根據該光學顯微鏡在該最初實質聚焦與該接著實質聚焦之間的一調整差異而定。該調整差異可以對應於該光學顯微鏡的至少一部分的一平移距離，並且可以是實質等於該顯微鏡的一接物鏡的一平移距離。額外或替代的是，該光學組件可包含一雷射，並且判斷該高度的偏移可以是至少部分根據藉由該雷射所產生的一電磁干擾樣式的一量測而定。例如，該光學組件可包含一雷射干涉儀模組、或者是一雷射干涉儀模組。

在1062之處的判斷該初始的高度參考以及在1064之處的判斷該後續的高度參考可以利用在方法1000內的任何適當的時序及/或序列來加以執行。舉例而言，在1062之處的判斷可以在1005之處的促使之後、在1010之處的初步對齊之後、在1015之處的接觸之後、及/或在1020之處的開始該熱調變之前來加以執行。作為額外及/或替代的例子的是，在1064之處的判斷可以在1005之處的促使之後、在1010之處的初步對齊之後、在1015之處的接觸之後、在1042之處的收集之後、及/或在1020之處的開始該熱調變的起始之後或是至少部分同時地來加以執行。

換言之，在1062之處的判斷可以在改變或是刻意地改變該 DUT的溫度之前加以執行，例如可以是在1020之處的開始該熱調變的期間及/或之後來加以達成。相對地，在1064之處的判斷可以在該DUT的溫度正被改變時加以執行或是反覆地加以執行，例如是在1020之處的開始該熱調變之後及/或同時。然而，此並非必須的，並且該初始的高度參考可以在任何適當的時間來加以判斷的(經由在1062之處的判斷)。

方法1000可包含一或多種藉由一例如是圖1的控制器180之自動化的控制器來加以執行的方法。例如，在1048之處的調整該平面的位置可包含產生一平面的偏移校正信號，例如是圖1的平面的偏移校正信號182，其可以藉由該自動化的控制器來加以產生，並且可以是至少部分根據在1046之處的平面的偏移而被計算出的。該平面的偏移校正信號可包含一指令以將該平面的偏移基準平移一平面的平移成分，該平面的平移成分係具有一大小是實質等於該平面的偏移的一大小、以及一實質與該平面的偏移的一方向相反的方向。於是，在1048之處的調整該平面的位置可包含在該表平面上將該探針及/或該DUT平面地平移該平面的平移成分。該平面的平移成分可以具有一x平移成分以及一y平移成分，該y平移成分係至少實質垂直於該x平移成分，並且在1048之處的調整該平面的位置可包含同時平移該x平移成分以及平移該y平移成分，且/或可包含依序地平移該x平移成分以及平移該y平移成分。如同在此所用的，在1048之處的調整該平面的位置額外或替代地可被稱為在1048之處的平面地平移。

在產生該平面的偏移校正信號之後，在1048之處的調整該平面的位置可包含提供該平面的偏移校正信號至一平面的偏移調整結構，例如是圖1的平面的偏移調整結構101。舉例而言，調整該平面的偏移基準 的位置可包含利用該平面的偏移調整結構的調整，並且可以是至少部分根據該平面的偏移校正信號而定。該平面的偏移調整結構可包含一探針頭組件平移結構，其係被配置以相對於該基板來平移該探針頭組件；及/或一基板平移結構，其係被配置以相對於該探針頭組件來平移該基板。

類似地，在1068之處的調整該高度位置可包含產生一高度的偏移校正信號，例如是圖1的高度的偏移校正信號184，其可以藉由該自動化的控制器來加以產生。該高度的偏移校正信號可以是至少部分根據在1066之處計算出的高度的偏移而定。該高度的偏移校正信號可包含一指令以將該高度的偏移基準平移一高度平移成分。該高度平移成分可以具有一大小是實質等於該高度的偏移的一大小、以及一實質與該高度的偏移的一方向相反的方向。調整該高度的偏移基準的位置可包含沿著該接觸軸來將該探針頭及/或該DUT平移或是垂直地平移該高度平移成分。

如同在此所用的，垂直地平移係指沿著至少實質垂直於該表平面的接觸軸來平移，並且在1068之處的調整該高度位置額外或替代地可被稱為在1068之處的垂直地平移。在1068之處的垂直地平移可包含提供該高度的偏移校正信號至一高度的偏移調整結構，例如是圖1的高度的偏移調整結構102。調整該高度的偏移基準的位置可包含利用該高度的偏移調整結構的調整，並且可以是至少部分根據該高度的偏移校正信號而定。該高度的偏移調整結構可包含該探針頭組件平移及/或該基板平移結構。在1048之處的平面地平移以及在1068之處的垂直地平移可以同時來加以執行，且/或可以依序地來加以執行。

在1050之處的重複可包含重複方法1000的任何適當的部 分，例如是在1040之處的維持之任何適當的步驟或是子步驟。舉例而言，在1050之處的重複可包含重複在1042之處的收集、在1044之處的收集、在1046之處的比較、及/或在1048之處的調整中的一或多個。作為一更特定的例子的是，在1050之處的重複可包含依序地重複在1044之處的收集、在1046之處的比較、以及在1048之處的調整複數次。在這些狀況下，在1044之處的收集的每一次重複可包含收集一個別的後續的影像，在1046之處的比較的每一次重複可包含比較該個別的後續的影像與該初始的影像及/或一先前的影像，例如是用以判斷一個別的平面的偏移，並且在1048之處的調整的每一次重複可包含執行該平面的位置的一個別的調整，其係至少部分根據該個別的平面的偏移而定的。

類似地，在1070之處的重複可包含重複方法1000的任何適當的部分，例如是在1060之處的維持之任何適當的步驟或是子步驟。舉例而言，在1070之處的重複可包含重複在1062之處的判斷、在1064之處的判斷、在1066之處的比較、及/或在1068之處的調整中的一或多個。作為一更特定的例子的是，在1070之處的重複可包含依序地重複在1064之處的判斷、在1066之處的比較、以及在1068之處的調整複數次。在這些狀況下，在1064之處的判斷的每一次重複可包含判斷一個別的後續的高度參考，在1066之處的比較的每一次重複可包含比較該個別的後續的高度參考與該初始的高度參考及/或一先前的高度參考以判斷一個別的高度的偏移，並且在1068之處的調整的每一次重複可包含執行該高度位置的一個別的調整，其係至少部分根據該個別的高度的偏移而定的。

在1030之處的維持該探針與該DUT之間的對齊可包含維持 在該接觸方向上的對齊、維持在該表平面上的對齊、維持在一平行於該表平面的方向上的對齊、及/或維持該探針與該DUT的該接觸墊之間的一電性接觸。例如，維持該對齊可包含將該探針與該接觸墊之間的一接觸電阻維持在該探針與該接觸墊之間的一初始的接觸電阻的一臨界分數之內。該初始的接觸電阻的臨界分數可以是小於該初始的接觸電阻的1%、小於該初始的接觸電阻的5%、小於該初始的接觸電阻的10%、小於該初始的接觸電阻的15%、小於該初始的接觸電阻的20%、小於該初始的接觸電阻的25%、小於該初始的接觸電阻的50%、小於該初始的接觸電阻的75%、小於該初始的接觸電阻的100%、小於該初始的接觸電阻的150%、小於該初始的接觸電阻的200%、小於該初始的接觸電阻的250%、小於該初始的接觸電阻的300%、小於該初始的接觸電阻的350%、小於該初始的接觸電阻的400%、小於該初始的接觸電阻的450%、及/或小於該初始的接觸電阻的500%。

額外或替代的是，在1030之處的維持該探針與該DUT之間的對齊可包含維持小於該探針與該DUT的該接觸墊之間的一臨界接觸電阻。該臨界接觸電阻的例子係包含1毫歐姆、2毫歐姆、3毫歐姆、4毫歐姆、5毫歐姆、6毫歐姆、7毫歐姆、8毫歐姆、9毫歐姆、10毫歐姆、25毫歐姆、50毫歐姆、100毫歐姆、250毫歐姆、500毫歐姆、及/或1000毫歐姆的臨界接觸電阻。

額外或替代的是，維持該探針與該DUT之間的對齊可包含將一探針平面的對齊參考點與一DUT平面的對齊參考點之間的一平面的對齊維持在一臨界平面的對齊變化之內。該探針平面的對齊參考點可包含且/或是該平面的偏移基準，且/或可以是該探針的至少一部分，例如是該探針 的一接近該DUT的末端。該DUT平面的對齊參考點可包含且/或是該DUT的接觸墊的至少一部分，例如是該接觸墊的一中心點。該臨界平面的對齊變化可以是小於0.5μm(微米)、小於1μm、小於1.5μm、小於2μm、小於5μm、及/或小於10μm。額外或替代的是，該臨界平面的對齊變化可以是小於該接觸墊的一最大的線性尺寸的1%，小於該接觸墊的最大的線性尺寸的2%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的5%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的10%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的20%、及/或小於該接觸墊的最大的線性尺寸的50%。

額外或替代的是，維持該探針與該DUT之間的對齊可包含將如同沿著該接觸軸所量測的一探針高度的對齊參考點與一DUT高度的對齊參考點之間的一高度的對齊維持小於一臨界高度變化。該探針高度的對齊參考點可以是該高度的偏移基準，且/或可以是該探針的至少一部分，例如是該探針的一接近該DUT的末端。該DUT高度的對齊參考點可以是該DUT的接觸墊的至少一部分，例如是該接觸墊的一頂表面。該臨界高度變化可以是小於0.5μm、小於1μm、小於1.5μm、小於2μm、小於5μm、及/或小於10μm。額外或替代的是，該臨界高度變化可以是小於一接觸墊的最大的線性尺寸的1%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的2%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的5%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的10%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的20%、及/或小於該接觸墊的最大的線性尺寸的50%。

方法1000可包含具有過採樣的(oversampling)步驟的形式之自動化的誤差校正技術。例如，判斷該平面的偏移可包含在該調整該平面 的位置之前判斷對應的複數個平面的偏移基準的複數個臨時平面的偏移。該複數個臨時平面的偏移可能包含一或多個離群值(outlier)臨時平面的偏移。例如，一離群值臨時平面的偏移可以是指該複數個臨時平面的偏移中的一個其值是與該複數個臨時平面的偏移的一平均值不同一大於一臨界差值變化的差值之臨時平面的偏移。該臨界差值變化可以是一固定且/或預設的量、或者是可藉由該複數個臨時平面的偏移的一統計量測來加以決定，例如是該複數個臨時平面的偏移的一標準差。當該複數個臨時平面的偏移包含一離群值臨時平面的偏移時，在1048之處的調整該平面的位置可以是至少部分根據該複數個臨時平面的偏移的一排除該離群值臨時平面的偏移之子集合而定的。額外或替代的是，當該複數個臨時平面的偏移包含該離群值臨時平面的偏移時，方法1000可包含在不執行調整該平面的位置下重複維持該平面的對齊。

類似地，判斷該高度的偏移可包含在調整該高度位置之前，判斷該高度的偏移基準的複數個臨時高度的偏移。判斷該複數個臨時高度的偏移可包含反覆且依序地判斷該高度的偏移基準的高度的偏移。當該複數個臨時高度的偏移包含一離群值臨時高度的偏移時，調整該高度位置可以是至少部分根據該複數個臨時高度的偏移的一排除該離群值臨時高度的偏移之子集合而定的。額外或替代的是，當該複數個臨時高度的偏移包含該離群值臨時高度的偏移時，方法1000可包含在不執行調整該高度位置下重複維持該高度的對齊。

方法1000已經在維持單一探針與在單一DUT上的單一接觸墊之間的對齊的背景中加以揭露。然而，在本揭露內容的範疇內的是該些 方法1000可被採用來同時維持複數個探針與在對應的複數個DUT上的對應的複數個接觸墊之間的對齊。

在本揭露內容中，該些舉例說明的非唯一的例子中的數個已經在流程圖或是流程圖表的背景中加以論述及/或呈現，其中該些方法係被展示及敘述為一系列的區塊或是步驟。除非明確地在所附的說明中闡述，否則在本揭露內容的範疇內的是該些區塊的順序可以與在該流程圖中所舉例說明的順序不同，其包含其中該些區塊(或是步驟)的兩個或多個係以一不同的順序及/或同時來發生。亦在本揭露內容的範疇內的是該些區塊或步驟可被實施為邏輯，此亦可被描述為將該些區塊或步驟實施為邏輯。在某些應用中，該些區塊或步驟可以代表將藉由功能上等效的電路或其它邏輯裝置來加以執行的表示式及/或動作。該些舉例說明的區塊可以(但是並非必須)代表可執行的指令，其係使得一電腦、處理器、及/或其它邏輯裝置響應以執行一動作、改變狀態、產生一輸出或顯示畫面、及/或做出決策。

如同在此所用的，被放在一第一實體與一第二實體之間的術語"及/或"是表示(1)該第一實體、(2)該第二實體、以及(3)該第一實體及第二實體中之一。多個利用"及/或"所表列的實體應該用相同的方式來加以解釋，亦即如此結合的實體中的"一或多個"。除了明確地藉由該"及/或"子句所指明的實體以外，其它的實體亦可以選配地存在，而不論其是否相關或是不相關那些明確所指明的實體。因此，作為一非限制性的例子，一對於"A及/或B"的參照當結合例如"包括"的開放式語言來加以使用時，其在一實施例中可以是指只有A(選配地包含除了B以外的實體)；在另一實施例中，可以是指只有B(選配地包含除了A以外的實體)；在又一實施例中，可以是指 A及B兩者(選配地包含其它的實體)。這些實體可以是指元件、動作、結構、步驟、操作、值、與類似者。

如同在此所用的，關於一表列的一或多個實體的措辭"至少一個"應該被理解為表示從該表列的實體中的任一個或是多個實體所選的至少一實體，但是並不一定包含在該表列的實體內明確地被表列的每一個實體的至少一個，而且並不排除在該表列的實體中的任意組合的實體。除了在該措辭"至少一個"所參照的表列的實體內明確所指明的實體以外，此定義亦容許實體可以選配地存在，而不論其是否相關或是不相關那些明確所指明的實體。因此，作為一非限制性的例子，"A及B中的至少一個"(或等同的是"A或B中的至少一個"、或等同的是"A及/或B中的至少一個")在一實施例中可以是指至少一個(選配地包含超過一個)A，而沒有B存在(以及選配地包含除了B以外的實體)；在另一實施例中可以是指至少一個(選配地包含超過一個)B，而沒有A存在(以及選配地包含除了A以外的實體)；在又一實施例中可以是指至少一個(選配地包含超過一個)A、以及至少一個(選配地包含超過一個)B(以及選配地包含其它的實體)。換言之，該些措辭"至少一個"、"一或多個"以及"及/或"是開放式的表示式，其在操作上是既連結且分離的。例如，該些表示式"A、B及C中的至少一個"、"A、B或C中的至少一個"、"A、B及C中的一或多個"、"A、B或C中的一或多個"、以及"A、B及/或C'的每一表示式都可以表示只有A、只有B、只有C、A及B一起、A及C一起、B及C一起、A、B及C一起、以及選配地以上的任一種結合至少一個其它實體。

在任何專利、專利申請案、或是其它參考資料被納入在此作 為參考，而且(1)其係以一種和本揭露內容的非納入的部分或是其它被納入的參考資料的任一者不一致的方式來定義一術語，且/或(2)其係在其它方面不一致的情形中，本揭露內容的非納入的部分將為主宰的，因而該術語或是其中所納入的揭露內容應該只有主宰相關該術語被界定於其中的參考資料及/或原先存在的被納入的揭露內容而已。

如同在此所用的術語"被調適"以及"被配置"係表示該元件、構件、或是其它標的係被設計及/或打算執行一給定的功能。因此，該些術語"被調適"以及"被配置"的使用不應該被解釋為表示一給定的元件、構件、或是其它標的係只"能夠'執行一給定的功能，而是該元件、構件、及/或其它標的係為了執行該功能之目的而明確地加以選擇、產生、實施、利用、程式化、及/或設計。亦在本揭露內容的範疇之內的是，被闡述為適配於執行一特定的功能之元件、構件、及/或其它所闡述的標的可以額外或替代地描述為被配置以執行該功能，並且反之亦然。

如同在此所用的，該措辭"例如"、該措辭"舉例而言"、及/或單純該術語"例子"當參考根據本揭露內容的一或多個構件、特點、細節、結構、實施例、及/或方法來加以利用時，其係欲傳達所述的構件、特點、細節、結構、實施例、及/或方法是根據本揭露內容的構件、特點、細節、結構、實施例、及/或方法的一舉例說明的非唯一的例子。因此，所述的構件、特點、細節、結構、實施例、及/或方法並不欲為限制性的、必要的、或是互斥/窮舉的；並且其它構件、特點、細節、結構、實施例、及/或方法(包含結構及/或功能上類似及/或等同的構件、特點、細節、結構、實施例、及/或方法)亦在本揭露內容的範疇之內。

根據本揭露內容之舉例說明的非唯一的範例的系統及方法係在以下列舉的段落中加以提出。在本揭露內容的範疇內的是，在此所闡述的一種方法的內含在以下所列舉的段落中之一個別的步驟可以額外或替代地被稱為一用於執行所闡述的動作之"步驟"。

A1.一種在一待測裝置(DUT)的熱調變期間維持構成一探針頭組件的一部分的一探針以及存在於一基板的一表面上的該DUT之間的對齊之方法，該方法係包括：收集一平面的偏移基準的一初始的影像；判斷一高度的偏移基準的一初始的高度參考；將該DUT的一溫度從一第一DUT溫度改變至一第二DUT溫度；在該收集之後以及在該改變期間維持該探針與該DUT之間的一平面的對齊，其係藉由自動且反覆地：(i)收集該平面的偏移基準的一後續的影像；(ii)比較該初始的影像以及該後續的影像以判斷該平面的偏移基準的一平面的偏移，其中該平面的偏移係被界定在一表平面之內，該表平面係至少實質平行於該基板的該表面；以及(iii)調整該探針以及該DUT中的至少一個的一平面的位置以維持該平面的對齊，其中該調整係至少部分根據該平面的偏移而定；以及在該判斷之後以及在該改變期間維持該探針與該DUT之間的一高度的對齊，其係藉由自動且反覆地：(i)判斷該高度的偏移基準的一後續的高度參考；(ii)比較該初始的高度參考以及該後續的高度參考以判斷該高度的 偏移基準的一高度的偏移，其中該高度的偏移係沿著一接觸軸而被界定的，該接觸軸係至少實質垂直於該基板的該表面；以及(iii)調整該探針以及該DUT中的至少一個的一高度位置以維持該高度的對齊，其中該調整係至少部分根據該高度的偏移而定。

A2.如段落A1之方法，其中該方法進一步包含至少部分根據該平面的偏移來產生一平面的偏移校正信號。

A3.如段落A2之方法，其中該平面的偏移校正信號係包含一指令以將該平面的偏移基準平移一平面的平移成分，其中該平面的平移成分係具有一大小是實質等於該平面的偏移的一大小、以及一與該平面的偏移的一方向實質相反的方向。

A4.如段落A3之方法，其中該調整該平面的偏移基準的位置係包含將該探針以及該DUT中的至少一個在一平行於該表平面的方向上平面地平移該平面的平移成分。

A5.如段落A3-A4的任一個之方法，其中該平面的平移成分係具有一x平移成分以及一至少實質垂直於該x平移成分的y平移成分。

A6.如段落A5之方法，其中該平面地平移係包含同時平移該x平移成分以及該y平移成分。

A7.如段落A5-A6的任一個之方法，其中該平面地平移係包含依序地平移該x平移成分以及該y平移成分。

A8.如段落A1-A7的任一個之方法，其中該產生該平面的偏移校正信號係藉由一自動化的控制器來加以執行。

A9.如段落A1-A8的任一個之方法，其中該方法進一步包含 提供該平面的偏移校正信號至一平面的偏移調整結構，並且其中該調整該平面的偏移基準的位置係包含至少部分根據該平面的偏移校正信號以利用該平面的偏移調整結構來調整。

A10.如段落A9之方法，其中該平面的偏移調整結構係包含一被配置以相對於該基板來平移該探針頭組件的探針頭組件平移結構、以及一被配置以相對於該探針頭組件來平移該基板的基板平移結構中的至少一個。

A11.如段落A1-A10的任一個之方法，其中該方法進一步包含至少部分根據該高度的偏移來產生一高度的偏移校正信號。

A12.如段落A11之方法，其中該高度的偏移校正信號係包含一指令以將該高度的偏移基準平移一高度平移成分，其中該高度平移成分係具有一大小是實質等於該高度的偏移的一大小、以及一與該高度的偏移的一方向實質相反的方向。

A13.如段落A12之方法，其中該調整該高度的偏移基準的位置係包含將該探針頭以及該DUT中的至少一個沿著該接觸軸垂直地平移該高度平移成分。

A14.如段落A13之方法，其中該平面地平移以及該垂直地平移係同時加以執行。

A15.如段落A13-A14的任一個之方法，其中該平面地平移以及該垂直地平移係依序地加以執行。

A16.如段落A11-A15的任一個之方法，其中該產生該高度的偏移校正信號係藉由一/該自動化的控制器來加以執行的。

A17.如段落A11-A16的任一個之方法，其中該方法進一步包含提供該高度的偏移校正信號至一高度的偏移調整結構，並且其中該調整該高度的偏移基準的位置係包含至少部分根據該高度的偏移校正信號以利用該高度的偏移調整結構來調整。

A18.如段落A17之方法，其中該高度的偏移調整結構係包含被配置以相對於該基板來平移該探針頭組件的一/該探針頭組件平移結構、以及被配置以相對於該探針頭組件來平移該基板的一/該基板平移結構中的至少一個。

A19.如段落A1-A18的任一個之方法，其中該平面的偏移基準係包含一藉由該探針頭組件所界定的探針頭組件的平面的偏移基準。

A20.如段落A19之方法，其中該探針頭組件的平面的偏移基準係包含以下的至少一個：(i)該探針頭組件的至少一部分；(ii)該探針頭組件的一探針卡的至少一部分；(iii)該探針頭組件的一探針頭的至少一部分；(iv)一/該探針頭的一探針尖端的至少一部分；(v)該探針的至少一部分；以及(vi)一探針頭組件參考結構的至少一部分。

A21.如段落A1-A20的任一個之方法，其中該平面的偏移基準係包含一藉由該基板所界定的基板的平面的偏移基準。

A22.如段落A21之方法，其中該基板的平面的偏移基準係包含以下的至少一個： (i)該基板的至少一部分；(ii)該DUT的至少一部分；(iii)該DUT的一接觸墊的至少一部分；以及(iv)一基板參考結構的至少一部分。

A23.如段落A1-A22的任一個之方法，其中該比較該初始的影像以及該後續的影像係包含比較如同在一平行於該表平面的方向上所量測的該平面的偏移基準在該初始的影像中的一位置以及該平面的偏移基準在該後續的影像中的一位置之間的一差值。

A24.如段落A1-A23的任一個之方法，其中該收集該初始的影像以及該收集該後續的影像係包含利用一光學組件來收集。

A25.如段落A24之方法，其中該光學組件係包含以下的至少一個：(i)一數位成像裝置；(ii)一電荷耦合裝置；(iii)一攝影機；以及(iv)一光學顯微鏡。

A26.如段落A1-A25的任一個之方法，其中該收集該初始的影像以及該收集該後續的影像係包含收集可見光以及電磁輻射中的至少一個。

A27.如段落A1-A26的任一個之方法，其中該收集該初始的影像以及該收集該後續的影像係包含收集提供有關於該平面的偏移基準在一平行於該表平面的方向上的運動之空間的資訊的影像。

A28.如段落A1-A27的任一個之方法，其中該高度的偏移基準係包含一藉由該探針頭組件所界定的探針頭組件高度的偏移基準。

A29.如段落A28之方法，其中該探針頭組件高度的偏移基準係包含以下的至少一個：(i)該探針頭組件的至少一部分；(ii)該探針頭組件的一/該探針卡的至少一部分；(iii)該探針頭組件的一/該探針頭的至少一部分；(iv)一/該探針頭的一/該探針尖端的至少一部分；(v)該探針的至少一部分；以及(vi)一/該探針頭組件參考結構的至少一部分。

A30.如段落A28-A29的任一個之方法，其中該探針頭組件高度的偏移基準是該探針頭組件的平面的偏移基準。

A31.如段落A1-A30的任一個之方法，其中該高度的偏移基準係包含一藉由該基板所界定的基板高度的偏移基準。

A32.如段落A31之方法，其中該基板高度的偏移基準係包含以下的至少一個：(i)該基板的至少一部分；(ii)該DUT的至少一部分；(iii)該DUT的一/該接觸墊的至少一部分；以及(iv)一/該基板參考結構的至少一部分。

A33.如段落A31-A32的任一個之方法，當依附段落A21時，其中該基板高度的偏移基準是該基板的平面的偏移基準。

A34.如段落A1-A33的任一個之方法，其中該高度的偏移是在如同沿著該接觸軸所量測的該初始的高度參考以及該後續的高度參考之間的一距離。

A35.如段落A1-A34的任一個之方法，其中該判斷該初始的高度參考以及該判斷該後續的高度參考係利用一/該光學組件來加以執行的。

A36.如段落A35之方法，其中該光學組件係包含一光學顯微鏡，並且進一步其中該判斷該初始的高度參考係包含最初將該光學顯微鏡實質聚焦在該高度的偏移基準上，其中該判斷該後續的高度參考係包含接著將該光學顯微鏡實質聚焦在該高度的偏移基準上，並且其中該判斷該高度的偏移係至少部分根據該光學顯微鏡在該最初實質聚焦與該接著實質聚焦之間的一調整差異而定。

A37.如段落A36之方法，其中該調整差異係對應於該光學顯微鏡的至少一部分的一平移距離。

A38.如段落A36-A37的任一個之方法，其中該調整差異係實質等於該光學顯微鏡的一接物鏡的一平移距離。

A39.如段落A35-A38的任一個之方法，其中該光學組件係包含一雷射，並且進一步其中該判斷該高度的偏移係至少部分根據一藉由該雷射所產生的電磁干擾樣式的一量測而定。

A40.如段落A1-A39的任一個之方法，其中該第一DUT溫度係大於該第二DUT溫度。

A41.如段落A1-A39的任一個之方法，其中該第一DUT溫度 係小於該第二DUT溫度。

A42.如段落A1-A41的任一個之方法，其中該第一DUT溫度係小於-100℃、小於-75℃、小於-50℃、小於-25℃、小於0℃、小於10℃、小於20℃、小於30℃、小於40℃、小於50℃、小於60℃、超過300℃、超過250℃、超過200℃、超過150℃、超過100℃、超過75℃、及/或超過50℃。

A43.如段落A1-A42的任一個之方法，其中該第二DUT溫度係小於-100℃、小於-75℃、小於-50℃、小於-25℃、小於0℃、小於10℃、小於20℃、小於30℃、小於40℃、小於50℃、小於60℃、超過300℃、超過250℃、超過200℃、超過150℃、超過100℃、超過75℃、及/或超過50℃。

A44.如段落A1-A43的任一個之方法，其中該第一DUT溫度以及該第二DUT溫度中的較大者係超出該第一DUT溫度以及該第二DUT溫度中的較小者至少5℃、至少10℃、至少25℃、至少50℃、至少75℃、至少100℃、至少150℃、至少200℃、至少300℃、及/或至少500℃。

A45.如段落A1-A44的任一個之方法，其中該方法進一步包含使得該DUT接觸該探針。

A46.如段落A45之方法，其中該接觸係在該改變該溫度之前加以執行的。

A47.如段落A45-A46的任一個之方法，其中該維持該平面的對齊以及該維持該高度的對齊係包含在該改變該DUT的溫度的期間維持該探針與該DUT之間的接觸。

A48.如段落A47之方法，其中該維持該平面的對齊以及該維持該高度的對齊係包含維持在該探針與該DUT的一/該接觸墊之間的一電 性接觸。

A49.如段落A47-A48的任一個之方法，其中該維持該平面的對齊以及該維持該高度的對齊係包含將在該探針與該DUT的一/該接觸墊之間的一接觸電阻維持在該探針與該接觸墊之間的一初始的接觸電阻的一臨界分數之內。

A50.如段落A49之方法，其中該初始的接觸電阻的臨界分數係小於該初始的接觸電阻的1%、小於該初始的接觸電阻的5%、小於該初始的接觸電阻的10%、小於該初始的接觸電阻的15%、小於該初始的接觸電阻的20%、小於該初始的接觸電阻的25%、小於該初始的接觸電阻的50%、小於該初始的接觸電阻的75%、小於該初始的接觸電阻的100%、小於該初始的接觸電阻的150%、小於該初始的接觸電阻的200%、小於該初始的接觸電阻的250%、小於該初始的接觸電阻的300%、小於該初始的接觸電阻的350%、小於該初始的接觸電阻的400%、小於該初始的接觸電阻的450%、及/或小於該初始的接觸電阻的500%。

A51.如段落A47-A50的任一個之方法，其中該維持該平面的對齊以及該維持該高度的對齊係包含將在該探針與該DUT的一/該接觸墊之間的一/該接觸電阻維持小於一臨界接觸電阻。

A52.如段落A51之方法，其中該臨界接觸電阻是1毫歐姆、2毫歐姆、3毫歐姆、4毫歐姆、5毫歐姆、6毫歐姆、7毫歐姆、8毫歐姆、9毫歐姆、及/或10毫歐姆。

A53.如段落A47-A52的任一個之方法，其中該維持該接觸係包含監測該基板的至少一部分的一位置、以及平移該基板。

A54.如段落A47-A53的任一個之方法，其中該維持該接觸係包含監測該探針頭組件的至少一部分的一位置、以及平移該探針頭組件的至少該部分。

A55.如段落A47-A54的任一個之方法，其中該維持該接觸係包含監測該基板的至少一部分以及該探針頭組件的至少一部分的一位置，並且進一步包含平移以下的至少一個：(i)該基板；以及(ii)該探針頭組件的至少一部分。

A56.如段落A1-A55的任一個之方法，其中該維持該探針與該DUT之間的該平面的對齊係包含將一探針平面的對齊參考點與一DUT平面的對齊參考點之間的該平面的對齊維持在一臨界平面的對齊變化之內。

A57.如段落A56之方法，其中該探針平面的對齊參考點係該探針的至少一部分。

A58.如段落A57之方法，其中該探針平面的對齊參考點是該探針的一接近該DUT的末端。

A59.如段落A56-A57的任一個之方法，其中該DUT平面的對齊參考點是該DUT的一/該接觸墊的至少一部分。

A60.如段落A59之方法，其中該DUT平面的對齊參考點是該接觸墊的一中心點。

A61.如段落A56-A60的任一個之方法，其中該臨界平面的對齊變化係小於0.5μm(微米)、小於1μm、小於1.5μm、小於2μm、小於5μm、 及/或小於10μm。

A62.如段落A56-A61的任一個之方法，其中該臨界平面的對齊變化係小於一/該接觸墊的一最大的線性尺寸的1%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的2%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的5%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的10%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的20%、及/或小於該接觸墊的最大的線性尺寸的50%。

A63.如段落A1-A62的任一個之方法，其中該維持該探針與該DUT之間的該高度的對齊係包含將如同沿著該接觸軸所量測的一探針高度的對齊參考點與一DUT高度的對齊參考點之間的該高度的對齊維持小於一臨界高度變化。

A64.如段落A63之方法，其中該探針高度的對齊參考點是該探針的至少一部分。

A65.如段落A64之方法，其中該探針高度的對齊參考點是該探針的一接近該DUT的末端。

A66.如段落A63-A65的任一個之方法，其中該DUT高度的對齊參考點是該DUT的一/該接觸墊的至少一部分。

A67.如段落A66之方法，其中該DUT高度的對齊參考點是該接觸墊的一頂表面。

A68.如段落A63-A67的任一個之方法，其中該臨界高度變化係小於0.5μm(微米)、小於1μm、小於1.5μm、小於2μm、小於5μm、及/或小於10μm。

A69.如段落A63-A68的任一個之方法，其中該臨界高度變化 係小於一/該接觸墊的一/該最大的線性尺寸的1%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的2%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的5%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的10%、小於該接觸墊的最大的線性尺寸的20%、及/或小於該接觸墊的最大的線性尺寸的50%。

A70.如段落A1-A69的任一個之方法，其中該判斷該平面的偏移係包含在該調整該平面的位置之前，判斷對應的複數個平面的偏移基準的複數個臨時平面的偏移。

A71.如段落A70之方法，其中，當該複數個臨時平面的偏移包含一離群值臨時平面的偏移時，該調整該平面的位置係至少部分根據該複數個臨時平面的偏移的一排除該離群值臨時平面的偏移的子集合而定。

A72.如段落A70-A71的任一個之方法，其中當該複數個臨時平面的偏移包含一/該離群值臨時平面的偏移時，該方法進一步包含在不執行該調整該平面的位置下重複該維持該平面的對齊。

A73.如段落A1-A72的任一個之方法，其中該判斷該高度的偏移係包含在該調整該高度位置之前判斷該高度的偏移基準的複數個臨時高度的偏移。

A74.如段落A73之方法，其中該判斷該複數個臨時高度的偏移係包含反覆且依序地判斷該高度的偏移基準的該高度的偏移。

A75.如段落A73-A74的任一個之方法，其中當該複數個臨時高度的偏移包含一離群值臨時高度的偏移時，該調整該高度位置係至少部分根據該複數個臨時高度的偏移的一排除該離群值臨時高度的偏移的子集合而定。

A76.如段落A73-A75的任一個之方法，其中當該複數個臨時高度的偏移包含一/該離群值臨時高度的偏移時，該方法進一步包含在不執行該調整該高度位置下重複該維持該高度的對齊。

A77.如段落A1-A76的任一個之方法，其中該比較該初始的影像以及該後續的影像係包含利用一圖案識別常式。

A78.如段落A1-A77的任一個之方法，其中該比較該初始的高度參考以及該後續的高度參考係包含利用一圖案識別常式。

A79.如段落A1-A78的任一個之方法，其中該方法進一步包含在該改變該DUT的溫度之前，初步對齊該探針頭以及該DUT。

A80.如段落A1-A79的任一個之方法，其中該探針是一針型探針。

A81.如段落A1-A80的任一個之方法，其中該探針係構成一探針卡的至少一部分。

A82.如段落A1-A81的任一個之方法，其中該方法進一步包含同時維持複數個探針以及對應的複數個DUT之間的對齊。

B1.一種被配置以測試一待測裝置(DUT)之探針系統，該探針系統係包括：一夾盤，其係界定一被配置以支撐一包含該DUT的基板的支撐表面；一探針頭組件，其中該探針頭組件係包含一被配置以接觸該DUT的一對應的接觸墊的探針；一基板熱模組，其係被配置以調節該基板的一溫度；以及一控制器，其係被程式化以執行段落A1-A82的任一個的方法。

B2.如段落B1之探針系統，其中該探針系統進一步包含一/該平面的偏移調整結構，其係被配置以進行以下的至少一個：(i)在一至少實質平行於該表平面的方向上平移該探針頭組件的至少一部分；以及(ii)在一至少實質平行於該表平面的方向上平移該基板的至少一部分。

B3.如段落B2之探針系統，其中該平面的偏移調整結構係包含以下的至少一個：(i)一被配置以相對於該探針頭組件來平移該基板的基板平移結構；以及(ii)一被配置以相對於該基板來平移該探針頭組件的探針頭組件平移結構。

B4.如段落B1-B3的任一個之探針系統，其中該探針系統進一步包含一/該高度的偏移調整結構，其係被配置以進行以下的至少一個：(i)沿著該接觸軸平移該探針頭組件的至少一部分；以及(ii)沿著該接觸軸平移該基板的至少一部分。

B5.如段落B4之探針系統，其中該高度的偏移調整結構係包含以下的至少一個：(i)被配置以相對於該探針頭組件來平移該基板的一/該基板平移結構；以及(ii)被配置以相對於該基板來平移該探針頭組件的一/該探針頭組件平移結構。

B6.如段落B1-B5的任一個之探針系統，其中該探針系統進一步包含一光學組件，其係被配置以執行該探針頭組件的至少一部分及/或 該基板的至少一部分的一光學量測。

B7.如段落B6之探針系統，其中該光學組件係包含一光學顯微鏡，其係被配置以接收該基板的該表面的一影像。

B8.如段落B6-B7的任一個之探針系統，其中該光學組件係包含一雷射干涉儀模組，其係被配置以藉由量測由一雷射所產生的一電磁干擾樣式，來量測一和該探針頭組件的至少一部分以及該基板的至少一部分中的至少一個相關的高度的偏移。

B9.如段落B1-B8的任一個之探針系統，其中該探針頭組件係包含至少一光學通透的區域，其中該光學通透的區域係被配置以在該探針頭組件被設置在該基板之上時，允許一/該光學組件執行該探針頭組件的至少一部分及/或該基板的至少一部分的一/該光學量測。

C1.一種包含電腦可執行的指令之非暫態的電腦可讀取的儲存媒體，當該些電腦可執行的指令被執行時，其係指示一探針系統以執行如申請專利範圍A1-A82的任一項之方法。

產業的可利用性

在此揭露的系統及方法是可應用於半導體製造及測試產業。

據信以上所闡述的本揭露內容係包含多個具有獨立的效用之顯著的發明。儘管這些發明的每一個都已經用其較佳形式來加以揭露，但是如同在此揭露及描繪的其之特定實施例並不欲以限制性的意思來看待，因為許多的變化都是可能的。本發明之標的係包含在此揭露的各種元件、特點、功能及/或性質之所有的新穎且非顯而易知的組合及次組合。類似地，在申請專利範圍闡述"一"或是"一第一"元件或是其之等同物的情形 中，此種申請專利範圍應該被理解為包含一或多個此種元件的納入，其既不需要、也不排除兩個或多個此種元件。

據信以下的申請專利範圍係特別指出針對於所揭露的發明中之一，而且是新穎且非顯而易知的某些組合及次組合。在特點、功能、元件及/或性質之其它的組合及次組合中被體現的發明可以透過在此申請案或是一相關的申請案中的本申請專利範圍的修正或是新申請專利範圍的提出來加以主張。此種修正或新的申請專利範圍不論它們是否針對於一不同的發明或是針對於相同的發明、不論是否在範疇上與原始的申請專利範圍相比較為不同的、較廣的、較窄的、或是等同的，亦都被視為內含在本揭露內容的發明之標的內。

100‧‧‧探針系統

101‧‧‧平面的偏移調整結構

102‧‧‧高度的偏移調整結構

110‧‧‧夾盤平移結構(基板平移結構)

120‧‧‧夾盤

125‧‧‧支撐表面

130‧‧‧基板

135‧‧‧基板熱模組

140‧‧‧待測裝置(DUT)

142‧‧‧接觸墊

150‧‧‧探針頭組件

155‧‧‧光學通透的區域

160‧‧‧探針頭

162‧‧‧探針

170‧‧‧光學組件

172‧‧‧光學組件信號

180‧‧‧控制器

182‧‧‧平面的偏移校正信號

184‧‧‧高度的偏移校正信號

186‧‧‧通訊鏈路

190‧‧‧探針頭組件平移結構

200‧‧‧接觸軸

300‧‧‧表平面

Claims (20)

1. 一種在一待測裝置(DUT)的熱調變期間維持構成一探針頭組件的一部分的一探針以及存在於一基板的一表面上的該DUT之間的對齊之方法，該方法係包括：收集一平面的偏移基準的一初始的影像；判斷一高度的偏移基準的一初始的高度參考；將該DUT的一溫度從一第一DUT溫度改變至一第二DUT溫度；在該收集之後以及在該改變期間維持該探針與該DUT之間的一平面的對齊，其係藉由自動且反覆地：(i)收集該平面的偏移基準的一後續的影像；(ii)比較該初始的影像以及該後續的影像以判斷該平面的偏移基準的一平面的偏移，其中該平面的偏移係被界定在一表平面之內，該表平面係至少實質平行於該基板的該表面；以及(iii)調整該探針以及該DUT中的至少一個的一平面的位置以維持該平面的對齊，其中該調整係至少部分根據該平面的偏移而定；以及在該判斷之後以及在該改變期間維持該探針與該DUT之間的一高度的對齊，其係藉由自動且反覆地：(i)判斷該高度的偏移基準的一後續的高度參考；(ii)比較該初始的高度參考以及該後續的高度參考以判斷該高度的偏移基準的一高度的偏移，其中該高度的偏移係沿著一接觸軸而被界定的，該接觸軸係至少實質垂直於該基板的該表面；以及(iii)調整該探針以及該DUT中的至少一個的一高度位置以維持該高 度的對齊，其中該調整係至少部分根據該高度的偏移而定。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該方法進一步包含至少部分根據該平面的偏移來產生一平面的偏移校正信號，其中該平面的偏移校正信號係包含一指令以將該平面的偏移基準平移一平面的平移成分，其中該平面的平移成分係具有一大小是實質等於該平面的偏移的一大小、以及一與該平面的偏移的一方向實質相反的方向，並且進一步其中該調整該平面的偏移基準的位置係包含將該探針以及該DUT中的至少一個在一平行於該表平面的方向上平面地平移該平面的平移成分。
3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該產生該平面的偏移校正信號係包含利用一自動化的控制器來加以產生。
4. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該方法進一步包含提供該平面的偏移校正信號至一平面的偏移調整結構，並且進一步其中該調整該平面的偏移基準的位置係包含至少部分根據該平面的偏移校正信號以利用該平面的偏移調整結構來調整。
5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該方法進一步包含至少部分根據該高度的偏移來產生一高度的偏移校正信號，其中該高度的偏移校正信號係包含一指令以將該高度的偏移基準平移一高度平移成分，其中該高度平移成分係具有一大小是實質等於該高度的偏移的一大小、以及一與該高度的偏移的一方向實質相反的方向，並且該調整該高度的偏移基準的位置係進一步包含將該探針頭以及該DUT中的至少一個沿著該接觸軸來平移該高度平移成分。
6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該產生該高度的偏移校正信號係 包含利用一自動化的控制器來加以產生。
7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該方法進一步包含提供該高度的偏移校正信號至一高度的偏移調整結構，並且進一步其中該調整該高度的偏移基準的位置係包含至少部分根據該高度的偏移校正信號以利用該高度的偏移調整結構來調整。
8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中比較該初始的影像以及該後續的影像係包含比較如同在一平行於該表平面的方向上所量測的該平面的偏移基準在該初始的影像中的一位置以及該平面的偏移基準在該後續的影像中的一位置之間的一差值。
9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該收集該初始的影像以及該收集該後續的影像係包含利用一光學組件來收集。
10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該收集該初始的影像以及該收集該後續的影像係包含收集提供有關於該平面的偏移基準在一平行於該表平面的方向上的運動的空間的資訊之影像。
11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該高度的偏移是在如同沿著該接觸軸所量測的該初始的高度參考以及該後續的高度參考之間的一距離。
12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該判斷該初始的高度參考以及該判斷該後續的高度參考係利用一光學組件來加以執行的。
13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該改變該溫度係包含改變以使得該第一DUT溫度以及該第二DUT溫度相差至少50℃。
14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該方法進一步包含使得該DUT接觸該探針。
15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中該接觸係在該改變該溫度之前加以執行的，並且進一步其中該維持該平面的對齊以及該維持該高度的對齊係包含在該改變該DUT的溫度的期間維持在該探針與該DUT之間的接觸。
16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中：(i)該維持該探針與該DUT之間的該平面的對齊係包含將一探針平面的對齊參考點與一DUT平面的對齊參考點之間的該平面的對齊維持在一臨界平面的對齊變化之內；以及(ii)該維持該探針與該DUT之間的該高度的對齊係包含將如同沿著該接觸軸所量測的一探針高度的對齊參考點與一DUT高度的對齊參考點之間的該高度的對齊維持小於一臨界高度變化。
17. 一種被配置以測試一待測裝置(DUT)之探針系統，該探針系統係包括：一夾盤，其係界定一被配置以支撐一包含該DUT的基板的支撐表面；一探針頭組件，其中該探針頭組件係包含一被配置以接觸該DUT的一對應的接觸墊的探針；一基板熱模組，其係被配置以調節該基板的一溫度；以及一控制器，其係被程式化以執行如申請專利範圍第1項之方法。
18. 如申請專利範圍第17項之探針系統，其中該探針系統進一步包含一平面的偏移調整結構、以及一延伸在該控制器以及該平面的偏移調整結構之間的通訊鏈路，並且進一步其中該平面的偏移調整結構係被配置以進行以下的至少一個： (i)至少部分根據該平面的偏移以在一至少實質平行於該表平面的方向上平移該探針頭組件的至少一部分；以及(ii)至少部分根據該平面的偏移以在一至少實質平行於該表平面的方向上平移該基板的至少一部分。
19. 如申請專利範圍第17項之探針系統，其中該探針系統進一步包含一高度的偏移調整結構、以及一延伸在該控制器以及該高度的偏移調整結構之間的通訊鏈路，並且進一步其中該高度的偏移調整結構係被配置以進行以下的至少一個：(i)至少部分根據該高度的偏移以沿著該接觸軸來平移該探針頭組件的至少一部分；以及(ii)至少部分根據該高度的偏移以沿著該接觸軸來平移該基板的至少一部分。
20. 一種非暫態的電腦可讀取的儲存媒體，其包含電腦可執行的指令，當該些電腦可執行的指令被執行時，其係指示一探針系統以執行如申請專利範圍第1項之方法。