TW201724585A

TW201724585A - 半導體晶片

Info

Publication number: TW201724585A
Application number: TW105128139A
Authority: TW
Inventors: 柯賓恩佩利馬爾; 扎羅卡安娜卡司扎克; 路茲霍普
Original assignee: 歐司朗光電半導體公司
Priority date: 2015-09-01
Filing date: 2016-08-31
Publication date: 2017-07-01
Also published as: WO2017036854A1; DE102015114579A1; DE102015114579B4; TWI636597B

Abstract

一種光電半導體晶片(1)，具有半導體本體(23)及載體(3)，該半導體本體具有主動區(39)，該載體具有第一載體面(5)及第二載體面(7)，該半導體本體係設置於該第一載體面上，該第二載體面位於背離該半導體本體之側上，其中該載體具有複合體(11,13,15)，該複合體具有至少一個導電引體(11,13)及至少一個電絕緣形成體(15)，其中該引體自該第一載體面延展至該第二載體面並且導電連接至該主動區，以及其中該複合體係以拉伸穩定方式來建構。

Description

半導體晶片

本揭露係關於一種具有半導體本體之半導體晶片。此半導體晶片還具有載體，此載體具有第一載體面，此半導體本體係設置於此第一載體面上。

由於此半導體本體係設置於此載體上，此載體的機械穩定性對於此半導體本體的機械穩定作用亦有決定性的影響。

所要達成的一個目的是提供高機械穩定性的載體。

此目的是藉由以下揭露且尤其是藉由申請專利範圍獨立項中所定義的專利標的來達成。進一步有助益的具體實施例及開發為申請專利範圍附屬項的專利標的。

本揭露包含作用在於達到上述目的之非必要排他性揭露，但也可包含其它問題的解決方案，此等解決方案係接著藉由特定相關特徵來達成，若適當，同樣不具有與上述目的有關的特徵。

根據至少一項具體實施例，此半導體晶片具有主動區。

根據至少一項具體實施例，此半導體晶片為光電半導體晶片。此主動區可用於產生輻射或用來接收輻射。此半導體本體可建構成用於發光二極體或用於光二極體。此半導體本體較佳為建構成用於產生紅外線、可見光或紫外線光譜範圍的輻射。此半導體本體可予以磊晶生長。磊晶生長的半導體本體需要藉由此載體提供特別良好的機械穩定作用，因為不穩定載體會在磊晶生長的半導體材料中造成破裂，這會導致此晶片的功能出現相當程度的減損，並且舉例而言，若此主動區破裂，會導致此晶片完全故障。

根據至少一項具體實施例，此載體在背離此半導體本體之側上具有第二載體面。此等第一與第二載體面可彼此對準，較佳為彼此平行對準，並且尤其是彼此平行。

根據至少一項具體實施例，此載體具有至少一個導電引體。此引體可從該第一載體面延展到該第二載體面。此引體係適宜地導電連接至該半導體本體之主動區。此導電引體可以是第一引體。此載體除了此第一引體以外還可具有第二導電引體，其中此第一引體及此第二引體較佳是在此主動區的不同側上導電連接至此半導體本體。其中一個引體可導電連接至此半導體本體面向此載體之側，尤其是在此載體與此主動區之間，並且另一引體可在主動區背離此載體之側上導電連接至此半導體本體。於此載體內，此等第一與第二引體較佳為彼此電絕緣。在介於此主動區與此載體的區域中，此等第一與第二引體可彼此電絕緣，使得在這個區域中，此等第一與第二引體之間未建立導電連接。可按照這個方式避免短路。此第一引體及/或此第二引體可包含金屬或金屬性材料，或可由此材料製成。此第一引體及/或此第二引體可從該第一載體面延展到該第二載體面。

除非強調此等引體之間有明確差異，否則以下引用之引體所述的特徵可與此第一及/或此第二引體有關。

根據至少一項具體實施例，此載體具有複合體。此載體可由此複合體所形成。此複合體可具有導電引體，當然，另外還可能具有第二電氣引體，如上所述。此複合體具有電絕緣本體，較佳為形成體。可在此引體上形成此形成體。尤其是，可在此形成體與此引體之間形成直接介面。此形成體的材料可為可流動而形成於其上(forming-on)者，或是以可流動形式來提供，具體而言，在此可流動材料流動到此引體上之後，此可流動材料可再次固化，以便形成此形成體。此形成體可決定性地決定此載體的機械特性。此形成體由於具有電絕緣性，因此可使此等第一與第二引體彼此電絕緣。此形成體可保證此複合體的機械穩定性。在此第一及/或第二載體面的平面圖看出，此形成體可具有圍繞此等引體的邊緣區，尤其是圍繞此等第一與第二引體。可在此等第一與第二引體之間設置此形成體之中間區域。此等第一與第二引體可經由此中間區域彼此電絕緣。此形成體可組構成一體成形。在此第一及/或第二載體面的平面圖中看出，此形成體可在此引體的整個圓周上方直接相鄰於此引體。此特定載體面可為平坦或不均勻。舉例而言，此第一載體面可以是不均勻，其中此不均勻性較佳為源自於此形成體。此第二載體面舉例而言可為平坦。

根據至少一項具體實施例，此複合體係以拉伸穩定方式來建構。拉伸應力尤其可藉由沿著一個方向作用的施力所造成，其沿著此第一載體面、或此第二載體面對準、或較佳為與此平行。此拉伸應力尤其可定向成垂直於此形成體與此引體之間的介面，並且可嘗試使此形成體脫離此引體。由於此複合體兼含引體及形成體，所以當此複合體是以拉伸穩定方式來建構時尤其有助益，因為此載體不是由一個部分而是由數個部分所製成或所形成，較佳是以接連方式所建構。

此複合體之拉伸穩定性較佳是僅藉由此引體的構造來確保，此引體是建構於此形成體，使得此形成體與引體之間的連接尤其穩定。

此引體可建構成使得就形成體/引體接觸表面每單位面積而言，平行於此第一及/或第二載體面令此形成體脫離此引體所需的施力大於或等於10MPa，較佳為大於或等於50MPa，特佳為大於或等於100MPa。

根據至少一項具體實施例，得以增大此形成體與此引體之間的連接拉伸強度，尤其是針對沿著此第一載體面及/或沿著此第二載體面對準的施力。

根據至少一項具體實施例，此形成體乃形成於此半導體本體及/或此引體上。在對此形成體施用材料並建構此形成體之前，此半導體本體或用於此半導體本體之半導體材料因此(若適當的話)已經存在作為引體。此形成體可在此半導體本體的側面上形成，或在設置於此半導體本體與此引體之間的元件上形成，並且適宜地不具有半導性，舉例如電流分布層及/或鏡射層。此形成體可模仿由之後的圖型所界定的表面外形。此形成體從而可在面向此半導體本體之側上採用不均勻方式來建構。此引體乃是在建構此形成體之前，先予以適宜地施用至此半導體本體之半導體材料。

根據至少一項具體實施例，此引體具有面向此半導體本體之第一本體主面。此引體之第二本體主面背離此第一本體主面。在此第一及/或第二本體主面的平面圖中看出，此引區可具有清楚的縱向。此引體在構造方面較佳為細長形。此等第一與第二本體主面較佳為經由此引體之至少一個側面彼此連接。此等第一與第二本體主面可彼此對準或彼此平行。此複合體的拉伸強度較佳為經由該側面的構造來增大。此特定本體主面可以是平坦的。

若參照側面，以下敘述適用於此引體的至少一個、任何所欲選擇之複數個或所有側面(若有數個側面)。在此第一本體主面的平面圖來看，若此引體具有清楚的縱向及/或更長的側邊，以下敘述較佳為適用於順著或沿著此縱向相鄰於此引體的側面。若提供兩個引體，則此等敘述較佳為至少適用於這一個引體面向另一引體的一個側面，較佳為適用於此等引體彼此面向的兩個側面。再者，與此側面有關的敘述可替代地或另外地亦適用於一表面區，此第一引體之側面在此表面區中包覆此第二引體面向此第一引體的側面，及/或反之亦然。此引體的特定側面在組態方面可以是平坦的、呈曲形(外凸或內凹)及/或經圖型化。此特定側面可與此第一本體主面、第二本體主面、第一載體面及/或第二載體面成一角度或垂直。成一角度意指較佳為非垂直亦非平行。

內部測試已出現以下現象：具有含兩個引體與一形成體之複合體的載體在此第一引體之表面面向此第二引體之表面處優先撕裂或破裂。此引體之側面用以在這個區域中提升拉伸強度的構造從而尤其有助益，但不必然受限於這個區域。

根據至少一項具體實施例，此引體乃建構成用以增大此引體與此形成體之間的接觸表面，較佳為具有黏附促進性的接觸表面。此接觸表面舉例而言，可藉由增大此側面的表面面積來增大，舉例而言，藉由令此側面斜一角度及/或藉由此側面之圖型化組態來增大。替代地或另外，此形成體可透過此引體來形成，以使得在平面圖中看出，此形成體自此引體之一側延伸穿過此引體至此引體之另一側，致使建構出此形成體之連續交叉支桿(cross strut)，在此第一及/或第二載體面之平面圖可看出該連續交叉支桿於此引體的此區域上方延展。舉例而言，從此第一引區之一側看出，此形成體之交叉支桿可在此第一引區所包覆之區域的上方延伸至中間區域。此交叉支桿可從此中間區域開始，尤其是沿著直線，於此第二引體的區域上方延續，並且於其背離此中間區域之側上，可再次連接至此形成體的邊緣區。再者，此形成體的子區域可設置於此引體面向此第二載體面之側與此第二載體面之間。

根據至少一項具體實施例，此半導體晶片係建構成於此第二載體面之側上電接觸。為此，此第一引體之第二本體主面及/或此第二引體之第二本體主面係適宜地曝露於此第二載體面之側上。此特定本體主面可設有用於導電連接之導電材料，例如焊料。此特定本體主面可設有用於此電連接之外部連接導體，例如印刷電路板之導體跡線。

根據至少一項具體實施例，下列元件中任何所欲選擇之複數個或全部元件所具有的厚度小於或等於300μm，較佳為小於或等於250μm，特佳為小於或等於200μm，舉例而言，小於或等於150μm，或小於或等於100μm：載體、複合體、引體、形成體。

若有疑慮，在這裡且在下文中，可將此特定元件之厚度的最大值、最小值或平均值當作此厚度來使用，例如，介於最大與最小厚度之間的算術或幾何平均。

根據至少一項具體實施例，此第一本體主面完全包覆此第二本體主面，及/或反之亦然，尤其是得以在此特定本體主面及/或此第一或第二載體面的平面圖中看出。

根據至少一項具體實施例，該第一本體主面之表面面積大於該第二本體主面之表面面積，或反之亦然。更大的第一本體主面有以下優點：面向此半導體本體的表面大，而且此半導體晶片運作期間產生的熱損失可由導熱良好的大引體表面來調節。此第二本體主面之側上的大表面面積適宜地曝露於此第二載體面之側上，由於用來接觸的表面大，使此第二載體面之側上的半導體晶片有良好的電連接性。

根據至少一項具體實施例，此引體係建構成從截面來看，該引體沿著該第二本體主面的方向自該第一本體主面開始尺寸縮窄或增大尺寸。此引體的橫向尺寸從而可自該第一本體主面起減小或增大。此尺寸縮減、縮窄或增大可連續、均勻、單調(monotonic)及/或不中斷。

根據至少一項具體實施例，該側面或該側面的主要延伸方向係以一角度對準至該第一載體面、該第一本體主面、該第二載體面及/或該第二本體主面。由於斜角對準的關係，與垂直於較佳平行對準之兩個本體主面的側面相比較，可增大此側面的表面面積。由於接至此形成體因表面面積增大而增大的接觸表面的關係，所以亦可提升此複合體的拉伸強度。

根據至少一項具體實施例，舉例而言，在此等載體面其中一者的平面圖及/或在沿著此引體厚度方向的截面中看出，此側面具有一或多個底部截槽。或者，此側面可建構成沒有底部截槽。具有底部截槽的構造提供以下優點：此引體對於此形成體的毗連表面可產生此特定底部截槽的區域。此特定毗連表面較佳是沿著此橫向作用為毗連表面，也就是說，尤其是沿著拉伸方向來作用。此特定毗連表面可顯著提升拉伸穩定性。

從介於此形成體與引體之間的介面開始，可沿著平行於此第一及/或第二載體面或平行於此第一及/或第二本體主面的方向存在以下順序：此形成體的子區域、此引體的子區域、此形成體的子區域。換句話來表達，可在此引體中建構面向此引體其餘部分具有毗連表面之毗連區域。可在此毗連表面與此引體其餘部分之間設置此形成體的子區域。可在此毗連表面上形成此形成體。可藉由此等底部截槽在此引體與形成體之間實現正鎖連接。這較佳為有助於此形成體與此引體之間的非正鎖黏附連接。若此側面係組配成沒有底部截槽，則適宜地沒有毗連區域。

根據至少一項具體實施例，此引體係藉由正鎖及/或非正鎖而連接至此形成體。此引體可僅藉由非正鎖或僅藉由正鎖或經由正鎖與非正鎖連接的組合而連接至此形成體。

根據至少一項具體實施例，此側面設有表面圖型。此表面圖型可具有底部截槽，或可建構成沒有底部截槽。此表面圖型可藉由一個或複數個圖型元件來形成。此等圖型元件的截面可沿著厚度方向變更，舉例而言，垂直於此第一載體面、垂直於此第二載體面、垂直於此第一本體主面及/或垂直於此第二本體主面，或可沿著此厚度方向保持固定。此圖型元件沿著此側面看出，可予以均勻分布。此特定圖型元件可藉由此引體中的隆丘或壓痕來形成。此等圖型元件可具有橫向及/或垂直隆丘或壓痕。此特定圖型元件較佳是建構成使得其可藉由用來形成此形成體的材料在裡面或週圍形成，例如可流動塑模組成物。

根據至少一項具體實施例，該表面圖型沿著該側面來看，在從該第一本體主面到該第二本體主面的路徑上呈現均勻。至於均勻的表面圖型，尤其是在從該第一至該第二本體主面的整條路線上方，可將此引體建構成使得此引體的截面沿著此厚度方向維持固定，也就是說，表面面積及/或形式較佳為沒有變化。均勻的表面圖型舉例而言，可產生自平面圖中此第一本體主面上所建構的梳齒狀(例如：鋸齒狀)圖型之側面。均勻的表面圖型有以下優點：可藉由遮罩以單純的方式來實現，舉例而言，藉由對於此側面產生具有此圖型的遮罩，隨後使用此遮罩沉積此引體來實現，例如，藉由電鍍法。

根據至少一項具體實施例，該表面圖型沿著該側面來看，在從該第一本體主面到該第二本體主面的路徑上變化。

若沿著此側面看出此表面圖型變化，則此截面可例如對照形式及/或表面面積而沿著此厚度方向變化。此變化可以是連續的或不連續。不連續變化可藉由沿著此厚度方向交替且形式不同及/或表面面積不同的一系列區域來實現。在垂直於此第一本體主面的截面中看出，沿著此厚度方向不連續變化之表面圖型可藉由此側面的梳齒狀構造來形成。

至於此表面圖型中的連續性變化，舉例而言，以背離此第一本體主面來看，沿著此厚度方向之截面積可連續增大或減小。

根據至少一項具體實施例，此側面之表面面積A比此引體的厚度d乘上以下其中一個參數還大：- B，其中B表示尺寸，例如最大長度尺寸，例如此第一本體主面之長度或此第二本體主面之長度，及/或- C，其中C表示該第一或第二本體主面的一半圓周。

根據至少一項具體實施例，O為內有該第一及第二引體互相面對之側面彼此包覆的區域的表面面積，並且O大於B*d及/或C*d。O可小於或等於此第一引體之側面的表面面積A，及/或小於或等於此第二引體之側面的表面面積A。

根據至少一項具體實施例：- A/(B*d)1.05，較佳為1.10、1.20或1.30，特佳為1.40，例如1.50、1.80、1.90或2.00，及/或- A/(C*d)1.05，較佳為1.10、1.20或1.30，特佳為1.40，例如1.50、1.80、1.90或2.00。

根據至少一項具體實施例： - O/(B*d)1.05，較佳為1.10、1.20或1.30，特佳為1.40，例如1.50、1.80、1.90或2.00，及/或- O/(C*d)1.05，較佳為1.10、1.20或1.30，特佳為1.40，例如1.50、1.80、1.90或2.00。

根據至少一項具體實施例，此形成體之子區域為連接區域，此連接區域在該第一或第二載體面的平面圖來看，自該引體所包覆之區域上方的該引體側起，於該第一及/或第二本體主面之平面圖中延續至該引體的另一側。這裡可建構穿過該引體的交叉支桿。此連接區域可沿著週邊方向藉由該引體來圍繞，也就是說，以方位角度往其延展方向來看，舉例而言，若此連接區域形成此等載體面其中一者之子區域，則僅部分圍繞，或舉例而言，若此連接區域在此載體內側經由引體或穿過引體形成，則完全圍繞。也就是說，此連接區域有一側或沒有側可以曝露。此曝露之側舉例而言，可以是此第二載體面的子區域。此連接區域可橫向延續至此引體的清楚的縱向，尤其是當作交叉支桿，或可沿著此縱向延續，尤其是當作縱向支桿。舉例而言，此連接區域垂直於此縱向而延續。已發現具有複合體之載體偏向沿著此引體之縱向破裂，以使得如所述之附加交叉支桿支撐特別有助益。然而，縱向支桿支撐亦已經有助益。

若此載體具有兩個引體，於平面圖中，第一連接區域較佳為在此第一引體上方延展，並且進一步連接區域在此第二引體上方延展。連接區域較佳為在此等第一及第二引區上方彼此對準。舉例而言，此進一步連接區域延續此第一連接區域，較佳為呈直線。

根據至少一項具體實施例，此形成體於子區域中半導體本體之側上的引體上方突出。

根據至少一項具體實施例，此半導體本體係磊晶生長，並且此半導體晶片不具有生長基材，也就是說，未固定於上有磊晶生長此半導體本體之基材。此載體因此未經受生長基材上所套用的較嚴格要求。

根據至少一項具體實施例，此半導體晶片之連接地(connection land)是藉由此引體背離此半導體本體之側所形成。舉例而言，此第一引體之第二本體主面及/或此第二引體之第二本體主面乃被半導體本體之區域包覆或完全被此半導體本體所包覆。因此可在此半導體本體下面設置此連接地。

根據至少一項具體實施例，該引體具有該載體內彼此電氣隔開之複數個子區域。該引體之該等子區域較佳為在各情況中係導電連接至該主動區。在該引體之兩個相鄰子區域之間可設置此形成體的區域。藉此手段，可形成一條或複數條支桿，例如交叉支桿及/或縱向支桿，所述支桿自此第一引體介於兩個子區域之間的一側延展至此引體之另一側。此等特定支桿可在此第二引體之兩個子區域之間從介於此等第一與第二引體之間的中間區域開始延展。這些支桿可沿著此厚度方向從該第一載體面以不中斷方式延續至此第二載體面。支桿較佳為設置成在此等第一與第二引體的子區域彼此間互相對準或彼此交錯。在透過彼此相鄰的各個引體對準支桿時，可形成連續的形成體區域。連續形成體區域的確提升沿著一個方向對抗破裂或斷裂的穩定性，但同時會增大沿著另一方向破裂或斷裂的風險，例如沿著垂直於第一所述方向的方向。若是此等支桿穿過各個引體而交錯配置，則可降低後者的破裂或斷裂風險。此第一引體與此第二引體的子區域數目可以不同。

根據至少一項具體實施例得以將此引體建構為一體成形。在這種情況下，其不具有複數個子區域。

尤其有助益的具體實施例乃在下文中說明：

一種光電半導體晶片，具有半導體本體及載體，該半導體本體具有主動區，該載體具有第一載體面及第二載體面，該半導體本體係設置於該第一載體面上，該第二載體面位於背離該半導體本體之側上，其中該載體具有複合體，該複合體具有至少一個導電引體及至少一個電絕緣形成體，其中該引體自該第一載體面延展至該第二載體面並且導電連接至該主動區。

搭配各項具體實施例或組態所述的特徵當然可互相組合，也可與下文中所述的特徵組合。

1‧‧‧半導體晶片

3‧‧‧載體

5‧‧‧第一載體面

7‧‧‧第二載體面

9‧‧‧側面

11‧‧‧第一引體

13‧‧‧第二引體

15‧‧‧形成體

17‧‧‧第一本體主面

19‧‧‧第二本體主面

21‧‧‧側面

23‧‧‧半導體本體

25‧‧‧邊緣區

27‧‧‧中間區域

29‧‧‧支承裝置

31‧‧‧底部截槽

33‧‧‧連接區域

35‧‧‧半導體層

37‧‧‧半導體層

39‧‧‧主動區

41‧‧‧鏡射層

43‧‧‧凹口

45‧‧‧引線材料

47‧‧‧絕緣層

49‧‧‧晶種層

51‧‧‧晶種層

53‧‧‧端面

F‧‧‧施力

現搭配圖示於下文所述實施例中提供進一步優點、特徵及實踐例。

第1A及1B圖藉助簡圖形式之平面圖(第1A圖)及簡圖形式之剖視圖(第1B圖)顯示半導體晶片之實施例。

第2A及2B圖針對根據第1A及1B圖之半導體晶片繪示機械應力的情況。

第3至11、13A、13B及14至16圖藉助簡圖形式之平面圖(第3至5、13A及13B圖)或簡圖形式之剖視圖(第6至11及14至16圖)，顯示半導體晶片的例示具體實施例。

第12圖藉助簡圖形式之詳細剖視圖，由前述圖示及其與載體的連接，顯示半導體晶片之半導體本體的例示具體實施例。

相同、類似及具有相同動作的元件在圖示中具備相同的元件符號。所示元件不必然按照比例真實顯示。反而，為了更容易了解，個別元件可能用誇大的尺寸來顯示。

第1A圖顯示半導體晶片之例示具體實施例的平面圖，而第1B圖顯示相關聯的剖視圖。

半導體晶片1具有載體3。載體3具有第一載體面5及第二載體面7。特定載體面5或7可以是此載體的主面。這兩個載體面5與7可經由此載體的一個或複數個側面9來連接。載體面中作為主面的表面面積可大於各該側面9的表面面積。第二載體面7適宜地背離第一載體面5。半導體晶片1的半導體本體23係設置於第一載體面5上。

載體3具有第一引體11。載體3具有第二引體13。載體3更具有形成體15。此形成體為電絕緣性，舉例而言，係由電氣絕緣材料或電氣絕緣材料組成物所製成。第一引體11及第二引體13係嵌埋於形成體15中，而此形成體係形成於兩者之週圍。特定引體11或13自第一載體面5適宜地延展至第二載體面7。第一載體面5之子區域及第二載體面7之子區域可藉由形成體15及特定引體11或13來形成。這兩個引體11及13係經由載體3內的形成體15彼此電絕緣。特定側面9係藉由形成體15來形成。側面9可具有沖切跡線(singulation track)，其舉例而言，源自於此半導體晶片之生產(請參閱下文)。

特定引體11、13具有第一本體(主)面17及第二本體(主)面19。第一本體主面17面向半導體本體23。第一本體主面17係曝露於第一載體面5之側上，並且具體而言可以是此載體面的部分。第二本體主面19背離此半導體本體。第二本體主面19係曝露於第二載體面7之側上，並且具體而言可以是此載體面的部分。此等特定第一與第二本體主面係經由至少一個或如圖所示數個側面21彼此連接。

半導體本體23係以機械穩定及/或永久的方式適宜地連接至載體3。此半導體本體具有光電主動區，例如，為了產生輻射或為了接收輻射而建構的主動區。此半導體本體舉例而言，可根據二極體來建構，例如發光二極體或光二極體。引體11及13係連接至此主動區之不同側上，如下文將有更詳細的闡釋(搭配第12圖對照此說明)。因此，第一引體11及第二引體13為此半導體晶片之外部電接觸物。可設置此特定引體(尤其是其背離半導體本體23的第二本體主面19)用於電接觸，舉例而言，可用於將此半導體晶片與連接載體的外部電連接焊接，此半導體晶片係設置於此連接載體上，例如印刷電路板之導體跡線，或引區，例如導線架之引區，是在罩體中用於光電組件。第一及/或第二引體的特定本體主面17或19係受到此半導體本體適宜地包覆。

如可在第1A圖之平面圖中看出，此特定引體具有清楚的縱向。此等第一與第二引體舉例而言，可在平面圖中具有矩形形式。這兩個引體彼此對準，尤其是沿著其縱向對準。要注意的是，搭配具有兩個引體之載體之例示具體實施例所述的特徵同樣地亦可用於不具有第二引體的載體之實施例。再者，本說明書一般部分中所述的特徵亦可用於此等例示具體實施例，並且反之亦然。

載體3乃建構為包含引體11、13及形成體15的複合體。如可在第1A圖的平面圖中看出，形成體15具有邊緣區25，其沿著週邊方向完整地圍繞此等第一與第二引體。在平面圖中看出，兩個引體11與13之間設置形成體之中間區域27，其整個延展於這兩個引體之間，並且將邊緣區25的一側與此形成體之邊緣區25中背離此側的一側連接。邊緣區25舉例而言，可組配為框體。此框體可設有藉由中間區域27所實現的縱向支桿。

邊緣區25在此第二載體面的平面圖中具有小於或等於50μm的寬度。邊緣區25的寬度較佳為大於或等於20μm。形成體15及/或特定引體11或13的厚度可小於或等於200μm，較佳為小於或等於100μm。此載體總體可具有小於或等於200μm的厚度，較佳為小於或等於100μm。此載體或此特定引體的長度及/或寬度在此第一或第二載體面的平面圖中可小於或等於31nm。替代地或另外，此載體或此特定引體的長度及/或寬度在此第一或第二載體面的平面圖中可大於或等於300μm。沿著此清楚的縱向，在第二載體面7的平面圖得以看出，特定引體11、13的長度可以是此引體的兩倍或更多倍。中間區域27的寬度較佳為選擇成使得舉例而言，藉由焊料得以在連接載體上裝配此半導體晶片期間避免電氣短路。此間距可大於或等於60μm，較佳為大於或等於150μm，特佳為大於或等於250μm。至於更大的晶片，相較於更小的晶片，更大的間距當然有可能或適宜。若此間距改變，在有疑慮的情況下，可使用最大或最小間距。

由於作為所述第一與第二引體的表面的這兩個外部連接地可連接至載體3背離半導體本體23之側，因此可藉由SMD技術(SMD：表面安裝元件)來裝卸並且接觸半導體晶片1。

下文說明一種用於產生複數個半導體晶片的方法，其較佳為用於以上更詳述的半導體晶片。搭配此半導體晶片所述的特徵因此也可與本方法有關，並且反之亦然。

首先，提供後項半導體晶片之半導體本體23用的半導體層序列。此半導體層序列係設置於基材上，此基材舉例而言，包含供此半導體層序列磊晶生長於其上的生長基材。此半導體層序列具有主動區。此半導體層序列區分成複數個各具有主動區的半導體本體。此主動區可由該半導體層序列之主動區的子區域所形成。再者，複數個引體乃設置或建構在此半導體層序列上，或在各情況中，乃設置或建構於半導體本體上至少一個引體處(較佳為兩個引體處)，以使得此特定引體係導電連接至此主動區。若提供兩個用於半導體本體的引體，則這些引體較佳為在此主動區不同側上導電連接至半導體本體。在建構此引體之後，舉例而言，在建構此半導體本體之前或之後，較佳為提供用於形成體層的組成物。此組成物是以可流動形式或固態來提供，並且後續給予可流動性，例如予以液化。之後，此可流動組成物得以在此引體上形成，並且在形成於其上之後硬化，以便形成此形成體。因此，形成載體層，其包含複合體層，此複合體層包含此形成體層及此引體。換句話說，因此形成的複合物包含此複合體層及設置於此複合體層上的半導體本體。之後，此複合物乃沖切成各包含半導體本體及複合體的半導體晶片。此複合體的側面從而可具有沖切跡線，例如鋸切跡線。此複合體在此背景下的形成體包含一塊形成體層。此複合體更包含一或兩個引體。在此沖切之前，先適宜地薄化基材，或是將區域中的基材或整個基材移除。

第2A及2B圖繪示此半導體晶片之裝卸，例如，拾取半導體晶片1，舉例而言，以便將其置放於適用於接觸的連接載體上。在以上述複合體裝卸半導體晶片1時，已發現若在邊緣區中(例如在第二載體面7側上)例如藉由支承裝置29支承此半導體晶片，以使得載體3的機械支撐作用主要出現在此邊緣區中，並且隨後在例如中央區中出現以施力F符號表示的應力，則此晶片還有此半導體本體的載體3會破裂。尤其是，已發現此破裂出現在此形成體之中間區域27中的多個晶片中。此施力F舉例而言，由於造成彎矩的關係，導致拉伸應力產生，此拉伸應力作用於載體3上，並且尤其是作用在介於形成體15與特定引體11或13之間的接觸表面上，尤其是在中間區域27中作用。此拉伸應力尤其是沿著橫向作用，並且在第2A圖中是以水平對準箭號來指出。此施力F若太高，此半導體晶片會破裂，如第2B圖所示。

支承裝置29舉例而言，可藉由以真空支承半導體晶片1的噴嘴來實現。此支承功能所必要並且是以真空來施加的此施力已可足以使載體3損壞，如第2B圖所示，並且亦可導致此晶片不能使用。在連接載體上的焊接區域(焊墊)上置放晶片時會引起類似的機械應力。

下文提出可利用包含形成體15及引體11與13的複合體改善載體3之拉伸穩定性的措施。

此拉伸穩定性舉例而言，可藉由增大接觸表面或黏附表面來提升，也就是說，藉由增大形成體15與特定引體11或13之間此形成體與此引體彼此相鄰處的表面來提升。對此，舉例而言，可增大特定引體11、13的表面面積。較佳地，用於增大此形成體與此引體間之黏附表面或接觸表面的措施係經選擇成使得已可在建構此引體期間實行必要的修改，舉例而言，藉由以電鍍法進行塗敷來實行，並且此形成體隨後可在已預製的引體上當作可流動塑模組成物流動。在此塑模組成物硬化之後，得以增大此形成體與此引體之間的接觸表面或黏附表面。

相較於具有相同厚度之引體及/或相同厚度之形成體的載體，例如：拉伸穩定作用之載體，較佳為增大此接觸或黏附表面。此載體較佳為不一定需要變更尺寸。相較於舉例如第1A及1B圖所示的平行六面體或立方體引體，可顯著增大介於此形成體與此特定引體之間的接觸表面。這舉例而言，可藉由特定引體合適的構造來達成。下文說明其實施例，其中所有實施例中都增大此接觸或黏附表面。

已如上述，載體3的初始破裂點主要是在中間區域27中引起的，而且有鑑於此，在此區域中增大拉伸穩定性尤其適宜。下面介紹的修改中有一些因此受限於引體彼此面對之側面，但是並不將此視為限制，因為適當的措施亦可替代地或另外用於其它側面，例如背離此中間區域的側面，及/或連接這些側面之特定引體的側面。然而，此等修改在中間區域27中尤其有助益。

下文所述的措施當然可彼此互補，即使是彼此分開說明亦然，只要不互斥即可。

第3及4圖在各情況中顯示具有引體11、13之圖型化側面21的例示具體實施例。在第3及4圖中，引體11、13彼此面對的側面21在各情況中是以類似方式來圖型化，此等個別圖型元件彼此對準。偏離簡圖時，此等側面亦可用不同方式來圖型化，及/或各個側面的圖型元件在平面圖中來看，可配置成彼此交錯。

根據第3圖，此特定引體之側面為鋸齒狀圖型。此等個別圖型元件乃建構為背離此特定引體及/或沿著另一引體之方向縮窄的凸出物。從外側來觀視，此等圖型元件因此可自該引體之一端開始加寬，尤其是沿著此橫向來看，舉例而言，直到此等圖型元件進入此特定引體的主要本體為止。

第3圖中的圖型乃組配成在第二載體面7的平面圖中沒有底部截槽(undercutting)。尤其是，形成體15與此特定引體之間對於沿著拉伸方向的應力建構非正連接(non-positive connection)，也就是說，此拉伸方向舉例而言，垂直於此特定引體之清楚的縱向及/或此圖型化側面之主要延展方向。舉例而言，這並未藉助於正鎖連接(positive-locking connection)，例如，可藉由對抗此形成體與引體在拉伸應力下分離的毗連表面來產生。

在第4圖中，另一方面，此等圖型元件在第二載體面7的平面圖中得以看出，具有形成可使此複合體提升拉伸穩定性之毗連表面的底部截槽31，尤其是另外還使此黏附表面增大。此等在第4圖中的圖型元件同樣地形成為在其之間界定凹口的凸出物，其中此等凹口初始乃建構成從該引體的外側來看為縮窄狀，然後予以加寬。在此等圖型元件進入此主要本體之前，沿著此特定引體之主要本體的方向，可接著使此等凹口再次縮窄。由於此底部截槽的關係，自該引體之該圖型元件之端面53開始(該端面乃適宜地為橫向於及/或面向另一引體的端面)，在此第二載體面的平面圖中，以下序列存在：此引體的材料(這適宜地形成此圖型元件)、此形成體的材料、此引體的材料(這適宜地形成此引體的主要本體)。形成體15，尤其是其中間區域27，可相鄰於端面53。

第3及4圖中的表面圖型呈現均勻，以使得自第二本體主面19至第一本體主面17的路徑上(圖中未明確顯示)，此特定引體的截面在形式及表面面積方面都未改變。此等根據第3及4圖的圖型舉例而言，可藉由在半導體本體23的半導體材料上經由遮罩界定具有此特定引體所欲形式的自由區域來產生。此遮罩舉例而言，可以是經適當圖型化的遮罩，例如光阻遮罩。無遮罩材料的區域舉例而言，乃是藉由電鍍法以用於此引體之引線材料來填充。此引體舉例而言，具有金屬性。由於此表面圖型具有均勻性，故此遮罩相較於下文所述的圖型，可採用較單純的方式來建構，舉例而言，可僅利用一個遮罩層及/或不使用底部截槽或斜角側翼來建構。

在根據第5圖的例示具體實施例中，提供形成體15的複數個連接區域33，此等連接區域尤其是在第二載體面7的平面圖得以看出，自特定引體11或13的一側延展至其另一側，舉例而言，自邊緣區25延展至中間區域27。可藉由連接區域33在此形成體中形成交叉支桿。替代地或另外，可提供沿著此特定引體之清楚的縱向(圖未示)延展的縱向支桿。如第5圖所示，此特定引體可具有複數個子區域，在此例示具體實施例中具有三個子區域，其中在各情況下，連接區域33乃設置於相同引體的兩個相鄰子區域之間。可使此特定引體的子區域完全分離，也就是說，穿過整個載體，以使得連接區域33可從第二載體面7開始連續延展至第一載體面5。替代地及/或除此之外，可提供一個或複數個連接區域33，其中特定連接區域33乃沿著此週邊方向藉由此引體材料完全圍繞，尤其是沿著朝其延展方向以特定方位來圍繞，及/或僅部分受到此引體限制，舉例而言，不只是在一個側邊受到限制。舉例而言，根據第6圖中所示的例示具體實施例，提供在第二載體面7之側邊上曝露，否則便沿著週邊方向受到特定引體11、13限制的連接區域33。根據第7圖，連接區域33沿著其延展方向來看，乃沿著此週邊方向完全遭由此引體材料所圍繞。此類連續連接區域如第5至7圖所示，顯著提升載體3的穩定性，尤其是還提升其拉伸穩定性。

根據第5圖的引體11、13可利用後續沉積(例如，藉由電鍍、濺鍍或氣相沉積進行的沉積)藉由經適當建構的遮罩來形成，舉例而言，藉由引體11之子區域及引體13之子區域的沉積來形成。不用引線材料包覆的區域乃以此遮罩材料予以適宜地包覆。

至於根據第6圖的圖型，首先為此特定引體接近此半導體本體之區域提供遮罩，亦即，第6圖中介於連接區域33與此半導體本體之間的區域。從而得以填充此等沒有此遮罩的區域。接著可移除此遮罩。後續可提供進一步遮罩，其中一部分此遮罩包覆用於連接區域33的區域。接著若沉積此引線材料，則得以形成第6圖中所示具有用於連接區域33之凹口的圖型。根據第7圖的圖型後可進行類似程序，其中在建構此凹口之後，還另外建構此引體遠離此半導體本體的區域，其在遠離此半導體本體之側上限制此特定引體中用於連接區域33所提供的區域。此引體中遠離此半導體本體的區域可藉由進一步遮罩來界定，其中界定此凹口之遮罩較佳為尚未移除，以便防止引線材料進入用於此連接區域而實際提供的凹口。或者，為了建構遠離此半導體本體之區域，可在界定此凹口的遮罩上方形成材料。在這種情況下，不需要進一步遮罩。

在移除此過程中所使用的最後遮罩之後，能以用於此形成體之組成物填充沒有此遮罩也沒有此特定引體之引線材料的區域，這些區域包含連接區域33。

穿過各個引體11或13之連接區域33可彼此對準，如第5圖所示。穿過一引體的連接區域33可經由中間區域27穿過另一引體而直線進入或併入連接區域 33。替代地或另外，連接區域33可穿過各個引體11或13彼此交錯設置，如第13A或13B圖所示。交錯配置優於彼此對準配置之處在於得以避免沿著連續形成體區域的破裂風險，此破裂乃藉由連接區域33所形成，並且經由中間區域27從一引體開始延展且經由另一引體延續。連接區域33與各個引體11、13可如第13B圖所示數目不同，或如第13A及5圖所示數目相同。第一引體11及第二引體13從而可具有相同數目之子區域或不同數目之子區域。如果此等引體具有不同數目之子區域，則此引體連至此主動區所形成之連接的極性(n或p導通性)可經由引體之子區域的數目來指出，此等子區域乃曝露於此載體背離此半導體本體之側上。

根據第8至10及14圖之例示具體實施例具有共通的特徵，即第一本體主面17與第二本體主面19在各情況中具有不同的表面面積。在第8圖中，第一本體主面17小於第二本體主面19，而在第9及10圖中情況則相反。在第8圖的引體中，特定引體11或13的截面中引體持續增大，背離第一本體主面17來看，此截面乃適宜地垂直於清楚的縱向。在第9圖的引體中，特定引體11或13的截面中引體持續縮窄，背離第一本體主面17來看，此截面乃適宜地垂直於清楚的縱向。在第8及9圖中，引體11、13的至少一個側面21呈斜角，適宜地即面向另一引體11或13的側面21呈斜角。相同引體的兩個對立側面21可夾一角度。舉例而言，此特定斜角側面與此第一及/或第二本體主面之表面的垂線所夾的角度可以是20°或以上、較佳為30°或以上、或40°或以上。

在根據第8圖的例示具體實施例中，第二本體主面19之側上可用於電接觸的表面面積有助益地偏大，而在第9及10圖中，可用於從該半導體本體吸取廢熱的表面有助益地偏大。

在第8及9圖中，截面沿著厚度方向持續改變，而在第10圖中，則不連續地改變。背離特定第一本體主面17來看，先是大截面積的區域，然後以未轉變的方式接著較小截面積。引體11、13較佳為相對於彼此設置，使得形成體15具有類似t形狀截面的中間區域27建構於兩者之間。特定引體11或13可在半導體本體23的側邊上具有突進介於這兩個引體之間之中間空間的凸出物。

如第14圖所示，不連續的截面變化並非必要，但較大截面之區域可通過此側面之斜角區域進入具有較小、較佳為固定之特定引體截面的區域。

根據第8圖及第9圖的圖型可藉由具有適當斜角側翼的合適遮罩來產生，其中根據第8圖的遮罩沒有底部截槽，而第9圖的遮罩則可組配成具有底部截槽。根據第10圖的圖型可使用多級技術來產生，其中此特定引體接近此半導體本體的區域首先是藉由第一遮罩來塗敷，接著將進一步遮罩用於具有更小寬度引體的區域。根據第14圖具有斜角側面的區域可經由具有底部截槽的遮罩來界定。

根據第5至9圖之例示具體實施例中的特定側面21可呈未圖型化，尤其是呈平坦。

第11圖顯示具有沿著厚度方向含不連續截面之引體11、13、以及沿著厚度方向變化之表面圖型的實施例。沿著此厚度方向，特定引體11或13的區段交替變寬與變窄，從而建構出在截面來觀視呈現牙齒圖型，較佳為梳齒狀的具有此形成體之特定引體。此側面因此沿著厚度方向具有底部截槽。然而，此圖型沿著橫向較佳為沒有底部截槽。沿著拉伸應力方向來看，可在此引體與此特定形成體之間建構非正黏附連接，尤其是未藉助正連接來建構。第11圖所示的圖型亦可藉由數個遮罩層來產生。在第11圖中，特定引體11、13的兩個對立側面21是在建構時進行圖型化。

根據第15及16圖的例示具體實施例具有此特定側面在建構時並不平坦的共通特徵。再者，此特定側面不具有直線主要延展方向。尤其是，特定引體11、13的特定側面得以彎曲。在第15圖中，從外側來看，此側面外凸彎曲，而在第16圖中，從外側來看，其內凹彎曲。在此側面之對應彎曲組態中，可從而增大此側面的面積。相比之下，第16圖之內凹彎曲組態是有助益的，因為半導體本體23中用於電連接及用於熱連接的表面大於此載體內可用的表面。

在第15及16圖中，此截面改變成使得初始時，從第一本體主面17開始，其增大(第15圖)或減小 (第16圖)，然後再次減小(第15圖)或增大(第16圖)。可持續此特定增大或減小。本體主面17及19的尺寸可以相等。

第8至11及14至16圖具有共通的特徵，即此特定引體的截面沿著厚度方向改變，尤其是形式及/或表面面積改變。

上述修改意為，除了第6及7、13A及13B圖的措施以外，側面21的表面面積得以增大。此表面面積可以是此側面所實現的部分黏附或接觸表面，或至少可判定此部分。在第6、7、13A及13B圖中，建立此引體使連至此形成體之接觸或黏附表面增大的新內面(第7、13A、13B)，或將此引體的本體主面建構成適當圖型化形式以增大此接觸或黏附表面(第6圖)。

在特定側面增大的情況下，側面21的表面面積A可比引體11或13的厚度d乘上以下其中一個參數還大：- B，其中B表示尺寸，例如最大長度尺寸，例如此第一本體主面17之長度或此第二本體主面19之長度，及/或- C，其中C表示該第一或第二本體主面的半圓周。

有助益的是：- A/(B*d)1.05，較佳為1.10、1.20或1.30，特佳為1.40，例如1.50、1.80、1.90或2.00，及/或- A/(C*d)1.05，較佳為1.10、1.20或1.30，特佳為1.40，例如1.50、1.80、1.90或2.00。

尤其是對於彼此面對但例如彼此交錯設置及/或尺寸不同的不同引體之兩個側面21的情況而言，O表示內有彼此面對之第一與第二引體之側面彼此包覆的區域之表面面積。O可小於或等於此第一引體之側面的表面面積，或小於或等於此第二引體之側面的表面面積。有助益的是：- O/(B*d)1.05，較佳為1.10、1.20或1.30，特佳為1.40，例如1.50、1.80、1.90或2.00，及/或- O/(C*d)1.05，較佳為1.10、1.20或1.30，特佳為1.40，例如1.50、1.80、1.90或2.00。

此類比率可利用前述措施來達成，若適當，可互相組合來達成。

在第12圖中，詳細顯示出自前述例示具體實施例的半導體本體12，並且進一步更詳細闡釋介於半導體本體23與載體3之間的連接。半導體本體23較佳為磊晶生長，並且舉例而言，可基於II-VI族或III-V族半導體材料。半導體本體23具有第一半導體層35及第二半導體層37，其中第二半導體層37面向載體3。半導體本體39用於產生輻射或用於接收輻射的主動區乃設置於兩個半導體層37與35之間。

半導體本體23與載體3之間設置較佳導電鏡射層41，其較佳為在構造方面對於在此主動區中所產生、或待由此主動區所接收之輻射進行反射。此鏡射層舉例而言，可包含金屬或金屬性材料，或可由此金屬或金屬性材料所製成。第一半導體層35可具有p導通性或n導通性。第二半導體層37較佳為具有另一導通類型，也就是說，具有n導通性或p導通性。可對於此特定導通類型摻雜此第一及/或第二半導體層。第一引體11與第一半導體層35導電連接。為此，在此半導體本體中建構貫穿接觸(through-contacting)。此貫穿接觸在此半導體本體中包含凹口或切除部份43，其從面向此載體側延展至主動區39背離此載體側。凹口43可延伸穿過此主動區、第二半導體層37及鏡射層41。引線材料45乃設置於凹口43中，例如在背離此主動區側上導電連接至此半導體本體的金屬。第二引體13較佳為經由鏡射層41導電連接至半導體本體23面向載體3側。

在介於面向載體3之半導體本體23側與主動區39之間的凹口43之子區域中，正如在此半導體本體面向此載體之側上，引體11與此半導體本體適宜地電分離。為此提供絕緣層47，其乃設於載體3與此半導體本體之間的區域中。為了形成與第一半導體層35的接觸，使此絕緣層中斷。晶種層49或51乃設置於特定引體11或13與半導體本體23之間，較佳為在特定引體11或13中直接相鄰。晶種層59與51可以是連續晶種層的子區域，此等子區域是在生產過程中連續塗敷於此半導體本體或此半導體層序列上，並且從而進行後續圖型化，其中此半導體層序列建構數個半導體本體。或者，可按照已圖型化形式塗敷晶種層49與51。沿著半導體本體23的方向來看，形成體15的材料可如圖所示，在特定引體11上方突出。必要時，形成體15亦可在區域中突出，或在此絕緣層、鏡射層41、此第二半導體層、主動區39及/或第一半導體層35上方完全突出。特定晶種層49與51在組態方面較佳為具有導電性。舉例而言，此特定晶種層包含適用於藉由電鍍法塗敷此引體的金屬。此半導體本體在背離此載體側可形成半導體晶片1的輻射出射側。沿著載體3之方向自此主動區發射的輻射可經由鏡射層41沿著此輻射出射表面的方向反射回去。

此形成體及/或此特定引體在組態方面較佳為輻射不透明。此形成體在組態方面可以是吸收體，尤其是黑體。由於此鏡射層乃設置於此載體與此半導體本體之間，在輻射放射半導體晶片的情況下，這不會決定性地損及解耦的輻射輸出。

在例示具體實施例中，特定引體11、13舉例而言，可包含錫、鎳、金、鎢、銀或銅或複數種這些材料或由此等材料所製成。

對於形成體15，舉例而言，一或多種聚合物或一或多種陶瓷材料是合適的。此等聚合物材料可以是環氧化物、矽膠、丙烯酸、聚乙烷、聚對酞酸鹽或聚矽氮烷。此等聚合物材料亦有可能具有無機粒子填充物內容物，例如擴散體粒子。舉例而言，此等聚合物具有出自下列材料其中至少一者之粒子填充物內容物：玻璃、TiO₂、 SiO₂、ZnO、ZrO₂、BN、Si₃N₄、Al₂O₃以及AlN。此等陶瓷粉末的呈現形式可以是微米粒子或奈米粒子，其舉例而言，在膏體或墨水中呈現寬鬆或黏合。舉例而言，此等陶瓷粉末包含至少下列之一種材料：ZnO、ZrO₂、BN、Si₃N₄、Al₂O₃以及AlN。各種二氧化矽形成劑或矽倍半氧烷此外尤其適用於產生此絕緣層。用於使印刷層硬化的過程可藉由在爐體中進行燒結、或藉由以雷射進行局部燒結或藉由UV照射來實行。

本專利申請案主張德國專利申請案DE 10 2015 114 579.0的優先權，其揭露內容乃併入本文作為參考。

本發明不受限於藉助例示具體實施例所作的說明。反而，本發明包括任何新穎特徵及任何特徵組合，尤其是包括申請專利範圍中的任何特徵組合，即使此特徵或此組合本身未在申請專利範圍或例示具體實施例中明確說明亦然。