TW201723770A - 觸控面板 - Google Patents
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Abstract
本揭示提供的觸控面板具有觸控面,包含第一軸向觸控電極與第二軸向觸控電極,絕緣地交錯設置於基板上,其中第一軸向觸控電極包含複數個第一導電單元經由連接部互相連接,第二軸向觸控電極包含複數個互相分開的第二導電單元,架橋結構電性連接相鄰的第二導電單元,其中架橋結構包含金屬層及第一透明導電層,且第一透明導電層相較於金屬層更靠近觸控面。
Description
本發明係有關於觸控面板技術,特別有關於觸控面板的架橋結構材料。
近年來,觸控面板已經廣泛地應用在各種電子產品中,例如手機、可攜式電腦以及掌上型電腦等,觸控面板通常與顯示面板結合成為電子產品的輸入/輸出介面。
在習知技術中,觸控面板通常包含多個互相連接的導電單元與多個互相分開的導電單元排列成觸控陣列,還包含架橋線將這些互相分開的導電單元電性連接在一起,以提供觸控感測功能。
傳統的架橋線通常由鉬/鋁/鉬組成,為了保證架橋線的電性連接功能,其厚度需達到至少4200Å或更厚,當架橋線的厚度較厚時,在觸控面板的製程中將會產生對架橋線蝕刻不完全的現象,並且使觸控面板存在整體厚度增加、表面平整度降低等問題,進而影響觸控面板的良率。此外,鉬/鋁/鉬製成的架橋線亮度較高,導致觸控面板的架橋線容易被用戶看到,即有可視性的問題,進而影響觸控面板的外觀。
另一種傳統的架橋結構的材料(例如:銦錫氧化物)
電阻率較大,且架橋結構的寬度通常不大,因此需要厚度較大的架橋結構以保證觸控電極的靈敏度,然而,當架橋結構厚度增加時,會存在蝕刻不完全、觸控面板整體厚度增加、觸控面板平整度低等問題,進而降低觸控面板的製造良率,且當架橋結構的厚度增加後,還會產生觸控面板的可視問題。
本揭示提供觸控面板的架橋結構之材料選擇,利用本揭示之架橋結構的材料,可使得觸控面板的架橋結構在達到低阻抗的同時具有較薄的厚度,而在觸控面板的製程中,對較薄的架橋結構較不易產生蝕刻不完全的問題,並且可以讓架橋結構的亮度降低,避免架橋結構可視性的問題,達到良率高及外觀佳的觸控面板。
本揭示的一些實施例提供觸控面板,具有觸控面,包括:第一軸向觸控電極與第二軸向觸控電極絕緣地交錯設置於基板上,其中第一軸向觸控電極包含複數個第一導電單元經由連接部互相連接,第二軸向觸控電極包含複數個互相分開的第二導電單元,及架橋結構電性連接這些第二導電單元,其中架橋結構包括:金屬層及第一透明導電層,且第一透明導電層相較於金屬層更靠近觸控面。
100、200‧‧‧觸控面板
101‧‧‧基板
101a、120a‧‧‧觸控面
101b‧‧‧內側面
102b‧‧‧連接部
103a‧‧‧第二導電單元
104‧‧‧架橋結構
104a‧‧‧金屬層
104b‧‧‧第一透明導電層
104c‧‧‧第二透明導電層
105‧‧‧絕緣塊
106‧‧‧保護層
106a‧‧‧表面
110‧‧‧顯示元件
120‧‧‧保護蓋板
第1A圖顯示依據本揭示的一些實施例的觸控面板的平面示意圖。
第1B圖顯示第1A圖之剖面線A-A’的一些實施例的局部
剖面示意圖。
第1C圖顯示第1A圖之剖面線A-A’的一些其他實施例的局部剖面示意圖。
第1D圖顯示第1A圖之剖面線A-A’的一些其他實施例的局部剖面示意圖。
第2A-2C圖顯示本揭示一些其他實施例的觸控面板的局部剖面示意圖。
請參照第1A圖,其顯示出依據本揭示的一些實施例的觸控面板100的平面示意圖。觸控面板100包含基板101。在一些實施例中,基板101的材質可包含玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)或聚亞醯胺(polyimide,PI)。
在一些實施例中,觸控面板100包含複數條第一軸向觸控電極102與複數條第二軸向觸控電極103互相絕緣地交錯設置於基板101上,其中第一軸向觸控電極102包含複數個沿著第一方向(例如:X軸方向)延伸的第一導電單元102a,第一導電單元102a經由第一軸向觸控電極102的連接部102b互相連接,第二軸向觸控電極103包含複數個沿著第二方向(例如:Y軸方向)延伸的第二導電單元103a,第二方向垂直於第一方向,第二導電單元103a互相分開,相鄰的兩個第二導電單元103a分別設置在連接部102b的兩側,並藉由架橋結構104互相連接。
在一些實施例中,第一軸向觸控電極102可為接收
電極,第二軸向觸控電極103則為驅動電極。在另一些實施例中,第一軸向觸控電極102可為驅動電極,第二軸向觸控電極103則為接收電極。第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的材質可包含透明導電材料,例如銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide,IZO)、摻氟氧化錫(fluorine doped tin oxide,FTO)、摻鋁氧化鋅(aluminum doped zinc oxide,AZO)、摻鎵氧化鋅(gallium doped zinc oxide,GZO),或者其他透光導電材料,例如金屬網格(metal mesh)、奈米銀線(si1ver nano-wire,SNW)等。
架橋結構104設置在互相分開的第二導電單元103a之間,以電性連接第二導電單元103a,並且在第一軸向觸控電極102的連接部102b與架橋結構104之間設置絕緣塊105,使連接部102b與架橋結構104透過絕緣塊105形成電性隔絕,以提供第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103之間的電性隔絕。在一些實施例中,絕緣塊105的材質可包含無機材料(例如,氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或前述之組合),有機材料(例如,環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂(polyimide)、苯環丁烯(butylcyclobutene,BCB)、聚對二甲苯(parylene)、萘聚合物(polynaphthalenes)、氟碳化物(fluorocarbons)、丙烯酸酯(acrylates))或其他適合的絕緣材料。
請參照第1B圖,其顯示沿著第1A圖之剖面線A-A’,觸控面板100的一些實施例的局部剖面示意圖,觸控面板100包含基板101,基板101具有觸控面101a及與觸控面101a相對的另一內側面101b,第一軸向觸控電極102及其連接部
102b與第二導電單元103a形成於基板101的內側面101b上,絕緣塊105形成於連接部102b上並包覆連接部102b,架橋結構104位於絕緣塊105上方,依據本揭示的一些實施例,架橋結構104包含金屬層104a及第一透明導電層104b,其中第一透明導電層104b相較於金屬層104a更靠近觸控面101a,可降低金屬層104a的反射,因此當使用者由觸控面101a觀看觸控面板100時,使架橋結構104的亮度降低,避免架橋結構104可視性的問題。
請參照表1,其顯示架橋結構104對於不同的光線入射面(即從第一透明導電層104b側入射與從金屬層104a側入射)產生的L亮度空間數據表,當光線從金屬層104a側入射時,架橋結構104的L*值為68.4077,當光線從第一透明導電層104b側入射面時,架橋結構104的L*值為50.0068。由此可見,當光線先進入第一透明導電層104b再通過金屬層104a時,所反射的光線亮度較暗(L*值較小),因此,當第一透明導電層104b相較於金屬層104a更靠近觸控面101a時,第一透明導電層104b具有降低金屬層104a的反射的功效,證明架橋結構104的亮度可降低,進而避免架橋結構104可視性的問題。
在一些實施例中,金屬層104a由電阻率在20℃時介於1.6×10-7Ω˙m至5.3×10-8Ω˙m之間的材質形成,金屬層104a
的材質可包含銅、銀、金、鋁、鎢及其合金,且金屬層104a的厚度範圍可在約10奈米與約50奈米之間,即可產生低阻抗的架橋結構104。
相較於傳統的架橋結構的材料(例如:銦錫氧化物或鉬/鋁/鉬),依據本揭示的實施例,由於形成架橋結構104的金屬層104a的電阻率相較於傳統架橋結構的材料更低,因此在架橋結構104的金屬層104a與傳統架橋結構具有相同的阻抗(例如:約0.3Ω)的情況下,且金屬層104a與傳統架橋結構具有相同的長度時,金屬層104a相較於傳統架橋結構具有更薄的厚度(例如:約100Å-500Å),使得架橋結構104的整體膜厚降低,因此架橋結構104的蝕刻製程較不易發生蝕刻不完全的問題,進而提升觸控面板100的製造良率。同時,當架橋結構104的膜厚降低後會具有較佳的光線穿透率,藉此可避免架橋結構104的可視性問題,並且當觸控面板100與顯示面板組合時,顯示面板發出的光線穿透架橋結構的穿透率較高,可產生較佳的顯示效果。
再者,當架橋結構104的金屬層104a在達到更低阻抗約0.15Ω的情況下,相較於架橋結構的阻抗為0.3Ω時,金屬層104a的厚度通常需增加一倍以上,而依據本揭示的一些實施例,在架橋結構具有相同阻抗的情況下,金屬層104a的厚度(例如:約200Å-1000Å)相較於傳統的架橋結構的材料(例如:鉬/鋁/鉬)的厚度(例如:約8400Å)降低許多,因此本揭示的實施例提供的架橋結構104的優點就更趨明顯。
如第1A圖所示,觸控面板100更包含周邊線路
107,周邊線路107電性連接第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103至接墊108。其材質可包含金屬網格、奈米銀線或透明導電材料,例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、摻氟氧化錫、摻鋁氧化鋅、摻鎵氧化鋅等。在一些實施例中,周邊線路107和接墊108可與金屬層104a一起形成,即周邊線路107與接墊108的材質與厚度可相同於金屬層104a,且在同一步製程中一次形成。減少觸控面板100的製作步驟、節省材料、提高良率。在另一些實施例中,周邊線路107和接墊108還可與架橋結構104一起形成。
依據本揭示的實施例,架橋結構104的第一透明導電層104b與第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103具有相同或相近的折射率,使得架橋結構104在觸控面板100上的視覺顏色與第一軸向觸控電極102及第二軸向觸控電極103的視覺顏色接近。在一些實施例中,形成第一透明導電層104b的材料之折射率範圍可在約1.6至約2.2,第一透明導電層104b的材質可包含銦鋅氧化物、摻氟氧化錫、摻鋁氧化鋅或摻鎵氧化鋅,且第一透明導電層104b的厚度範圍可在約20奈米與約50奈米之間。
此外,觸控面板100還包含保護層106,保護層106設置於基板101上,全面性地覆蓋第一軸向觸控電極102(包含第一導電單元102a、連接部102b)、第二軸向觸控電極103(包含第二導電單元103a)、架橋結構104(包含金屬層104a、第一透明導電層104b)及絕緣塊105。在一些實施例中,保護層106的材質可包含無機材料(例如,氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或前述
之組合)、有機材料(例如,環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯環丁烯、聚對二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他適合的材料。
在一些實施例中,觸控面板100的基板101為保護蓋板,且觸控面板100還包含顯示元件110,顯示元件110接合於保護層106下方。顯示元件110可包含液晶顯示元件(Liquid Crystal Display,LCD)或主動矩陣有機發光二極體(Active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)顯示元件。
請參照第1C圖,其顯示沿著第1A圖之剖面線A-A’,觸控面板100的一些其他實施例的局部剖面示意圖,其中相同於第1B圖中的部件係使用相同的標號表示並省略其說明。
第1C圖中的觸控面板100之結構類似於第1B圖中的觸控面板100之結構,差異處在於觸控面板100的架橋結構104還包含第二透明導電層104c,使得金屬層104a設置於第一透明導電層104b與第二透明導電層104c之間。在一些實施例中,第二透明導電層104c的材質及厚度可相同於第一透明導電層104b。在一些其他實施例中,第二透明導電層104c的材質及厚度可不同於第一透明導電層104b。根據本揭示的一些實施例,架橋結構104包含的第二透明導電層104c可以在觸控面板100的製造過程中保護金屬層104a不被氧化,或者可增加架橋結構104與第二導電單元103a之間的附著力。
請參照第1D圖,其顯示沿著第1A圖之剖面線
A-A’,觸控面板100的一些其他實施例的局部剖面示意圖,其中相同於第1B圖中的部件係使用相同的標號表示並省略其說明。
第1D圖中的觸控面板100之結構類似於第1B圖中的觸控面板100之結構,差異處在於觸控面板100的基板101係作為承載第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的基板,且觸控面板100還包含保護蓋板120設置於保護層106上,在此實施例中,觸控面板100的觸控面120a位於保護蓋板120上,並且顯示元件110接合於基板101遠離觸控面120a的一側。
關於觸控面板100的製造方法,如第1B所示,在一些實施例中,提供基板101,基板101具有觸控面101a及與其相對的另一內側表面101b,可透過沉積製程(例如,物理氣相沈積製程、化學氣相沈積製程或其他適合的製程)、微影製程及蝕刻製程(例如,乾蝕刻製程、濕蝕刻製程、電漿蝕刻製程、反應性離子蝕刻製程或其他適合的製程),或以塗佈與圖案化製程,形成第一軸向觸控電極102(包含第一導電單元102a、連接部102b)與第二軸向觸控電極103(包含第二導電單元103a)於基板101上,然後可透過沉積製程(例如,物理氣相沈積製程、化學氣相沈積製程或其他適合的製程)、微影製程及蝕刻製程(例如,乾蝕刻製程、濕蝕刻製程、電漿蝕刻製程、反應性離子蝕刻製程或其他適合的製程),或以塗佈與圖案化製程,形成絕緣塊105於連接部102b上,且絕緣塊105包覆連接部102b。
接著,可透過沉積製程(例如,物理氣相沈積製程、化學氣相沈積製程或其他適合的製程)、微影製程及蝕刻製程
(例如,乾蝕刻製程、濕蝕刻製程、電漿蝕刻製程、反應性離子蝕刻製程或其他適合的製程),或以塗佈與圖案化製程,形成架橋結構104(包含金屬層104a、第一透明導電層104b)於絕緣塊105上,架橋結構104電性連接第二導電單元103a,其中第一透明導電層104b相較於金屬層104a更靠近觸控面101a。由於架橋結構104的金屬層104a在達到低阻抗約0.15Ω的情況下具有較薄的厚度(約200Å-1000Å),因此在蝕刻製程中較不易發生蝕刻不完全的問題,達到良率高的觸控面板。
接著,可透過沉積製程(例如,物理氣相沈積製程、化學氣相沈積製程或其他適合的製程)或塗佈製程形成保護層106於基板101上,全面性地覆蓋第一軸向觸控電極102(包含第一導電單元102a、連接部102b)、第二軸向觸控電極103(包含第二導電單元103a)、架橋結構104(包含金屬層104a、第一透明導電層104b)及絕緣塊105。
接著,可透過光學透明膠(Optical Clear Adhesive,OCA)或光學透明樹脂(Optical Clear Resin,OCR)將顯示元件110貼合於保護層106遠離觸控面101a的一側,完成觸控面板100。
關於如第1C所示之觸控面板100的製造方法,其中相同於第1B圖的觸控面板100的製造方法將省略其說明。
第1C圖的觸控面板100之製造方法類似於第1B圖的觸控面板100之製造方法,差異處在於形成觸控面板100的架橋結構104時,還包含形成第二透明導電層104c覆蓋金屬層104a,使得金屬層104a介於第一透明導電層104b與第二透明導
電層104c之間,第二透明導電層104c的形成可以保護金屬層104a避免其在製程當中被氧化。
關於如第1D所示之觸控面板100的製造方法,其中相同於第1B圖的觸控面板100的製造方法將省略其說明。
第1D圖的觸控面板100之製造方法類似於第1B圖的觸控面板100之製造方法,差異處在於形成保護層106之後,透過光學透明膠或光學透明樹脂(第1D圖未繪出)將保護蓋板120貼合於保護層106上,使得觸控面板100的觸控面120a位於保護蓋板120上,並透過另一光學透明膠或光學透明樹脂(未繪出)將顯示元件110貼合於基板101遠離觸控面120a的一側,在此實施例中,觸控面板100的基板101係作為第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的承載基板。
請參照第2A圖,其顯示依據本揭示一些其他實施例之觸控面板200的局部剖面示意圖,其中相同於第1B圖中的部件係使用相同的標號表示並省略其說明。
第2A圖中的觸控面板200之結構類似於第1B圖中的觸控面板100之結構,基板101具有觸控面101a及與觸控面101a相對的內側面101b,差異處在於觸控面板200的架橋結構104(包括金屬層104a及第一透明導電層104b)先形成於基板101的內側面101b上,絕緣塊105位於架橋結構104上,且第一軸向觸控電極102的連接部102b位於絕緣塊105上,也就是說,觸控面板200的架橋結構104先形成於基板101上,再形成第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103。此外,觸控面板200的架橋結構104中的第一透明導電層104b相較於金屬層104a更靠
近觸控面101a。
請參照第2B圖,其顯示依據本揭示一些其他實施例的觸控面板200的剖面示意圖,其中相同於第2A圖中的部件係使用相同的標號表示並省略其說明。
第2B圖中的觸控面板200之結構類似於第2A圖中的觸控面板200之結構,差異處在於第2B圖的觸控面板200還包含第二透明導電層104c覆蓋金屬層104a,使得金屬層104a介於第一透明導電層104b與第二透明導電層104c之間。在一些實施例中,第二透明導電層104c的材質及厚度可相同於第一透明導電層104b。在一些其他實施例中,第二透明導電層104c的材質及厚度可不同於第一透明導電層104b,第二透明導電層104c可在觸控面板200的製程中保護金屬層104a,避免金屬層104a發生氧化。
請參照第2C圖,其顯示依據本揭示一些其他實施例的局部剖面示意圖,其中相同於第2A圖中的部件係使用相同的標號表示並省略其說明。
第2C圖中的觸控面板200之結構類似於第2A圖中的觸控面板200之結構,差異處在於第2C圖的觸控面板200的基板101係作為第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的承載基板,且觸控面板200還包含保護蓋板120設置於保護層106上,觸控面板200的觸控面120a位於保護蓋板120上,以及顯示元件110接合於基板101遠離觸控面120a的一側。
關於如第2A所示之觸控面板200的製造方法,其中相同於第1B圖中的製造方法將省略其說明。
第2A圖中的觸控面板200之製造方法類似於第1B圖中的觸控面板100之製造方法,差異處在於觸控面板200透過沉積製程(例如,物理氣相沈積製程、化學氣相沈積製程或其他適合的製程)、微影製程及蝕刻製程(例如,乾蝕刻製程、濕蝕刻製程、電漿蝕刻製程、反應性離子蝕刻製程或其他適合的製程)或以塗佈與圖案化製程,形成架橋結構104(包含金屬層104a、第一透明導電層104b)於基板101之與觸控面101a相反的另一內側表面101b上,架橋結構104電性連接第二導電單元103a,並且架橋結構104的第一透明導電層104b相較於金屬層104a更靠近觸控面101a,然後可透過沉積製程(例如,物理氣相沈積製程、化學氣相沈積製程或其他適合的製程)、微影製程及蝕刻製程(例如,乾蝕刻製程、濕蝕刻製程、電漿蝕刻製程、反應性離子蝕刻製程或其他適合的製程)或以塗佈與圖案化製程,形成絕緣塊105於架橋結構104上。依據本揭示的實施例,架橋結構104的金屬層104a在達到低阻抗約0.15Ω時具有較薄的厚度,因此在蝕刻製程中較不易造成蝕刻不完全的問題,達到良率高的觸控面板。
接著,可透過沉積製程(例如,物理氣相沈積製程、化學氣相沈積製程或其他適合的製程)、微影製程及蝕刻製程(例如,乾蝕刻製程、濕蝕刻製程、電漿蝕刻製程、反應性離子蝕刻製程或其他適合的製程)或以塗佈與圖案化製程,形成第一軸向觸控電極102(包含第一導電單元102a及連接部102b)與第二軸向觸控電極103(包含第二導電單元103a)於基板101上,其中第一軸向觸控電極102的連接部102b形成於絕緣塊105
上,並且架橋結構104電性連接第二導電單元103a。
關於如第2B所示之觸控面板200的製造方法,其中相同於第2A圖中的觸控面板200的製造方法將省略其說明。
第2B圖中的觸控面板200之製造方法類似於第2A圖中的觸控面板200之製造方法,差異處在於形成觸控面板200的架橋結構104時,還包含形成第二透明導電層104c包覆金屬層104a,使得金屬層104a介於第一透明導電層104b與第二透明導電層104c之間。
關於如第2C所示之觸控面板200的製造方法,其中相同於第2A圖中的觸控面板200的製造方法將省略其說明。
第2C圖中的觸控面板200之製造方法類似於第2A圖中的觸控面板200之製造方法,差異處在於形成保護層106之後,透過光學透明膠或光學透明樹脂(未繪出)將保護蓋板120貼合於保護層106上,在此實施例中,觸控面板200的觸控面120a位於保護蓋板120上,並透過另一光學透明膠或光學透明樹脂將顯示元件110貼合於基板101遠離觸控面120a的一側,在此實施例中,觸控面板200的基板101係作為第一軸向觸控電極102與第二軸向觸控電極103的承載基板。
根據本揭示的一些實施例,由於架橋結構包含由電阻率低於傳統架橋結構的材料所製成的金屬層及第一透明導電層,因此可在達到低阻抗的同時降低整體架橋結構的厚度,使架橋結構具有較薄的厚度,又避免架橋結構的可視性問題。
此外,架橋結構還包含第一透明導電層,相較於
金屬層,第一透明導電層設置在更靠近觸控面(也是使用者的觀看面)的位置,藉此可降低金屬層的反射,使整體架橋結構的亮度降低,使其相較於傳統鉬/鋁/鉬製成的架橋線可避免架橋結構於觸控面板發生可視性問題,達到外觀佳的觸控面板。
依據本揭示的實施例,觸控面板的架橋結構在達到低阻抗的同時,整體厚度也降低,藉此可改善觸控面板的架橋結構在製程中對架橋結構蝕刻不完全的現象,進而提升觸控面板的製造良率。此外,當架橋結構的金屬層在達到低阻抗約0.15Ω的情況下,金屬層的厚度相較於傳統的架橋結構的材料的厚度降低更多,因此本揭示的實施例提供的架橋結構的優點就更趨明顯。
本揭示的實施例可以應用於使用架橋結構連接觸控電極之分開的導電單元的任何類型的觸控顯示裝置,例如觸控面板形成在顯示元件外(如第1B-1D圖及2A-2C圖所示)或觸控面板形成在顯示元件的彩色濾光片(color filter,CF)上。此外,第一軸向觸控電極與第二軸向觸控電極的圖案設計並不限定於上述圖式中的型態。
雖然本發明已以具體之較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可更動與組合上述各種實施例。
100‧‧‧觸控面板
101‧‧‧基板
101a‧‧‧觸控面
102b‧‧‧連接部
103a‧‧‧第二導電單元
104‧‧‧架橋結構
104a‧‧‧金屬層
104b‧‧‧第一透明導電層
105‧‧‧絕緣塊
106‧‧‧保護層
106a‧‧‧表面
110‧‧‧顯示元件
Claims (17)
- 一種觸控面板,具有一觸控面,包括:一第一軸向觸控電極與一第二軸向觸控電極,互相絕緣地交錯設置於一基板上,其中該第一軸向觸控電極包含複數個第一導電單元經由一連接部互相連接,該第二軸向觸控電極包含複數個互相分開的第二導電單元,相鄰的該些第二導電單元分別設置於該連接部的兩側;及一架橋結構,電性連接該些第二導電單元,其中該架橋結構包括:一金屬層;及一第一透明導電層,其中該第一透明導電層相較於該金屬層更靠近該觸控面。
- 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該金屬層的電阻率在20℃時介於1.6×10-7Ω˙m至5.3×10-8Ω˙m之間。
- 如申請專利範圍第2項所述之觸控面板,其中該金屬層的材質包括銅、銀、金、鋁、鎢及其合金。
- 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該金屬層的厚度範圍在10奈米與50奈米之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該第一透明導電層的折射率範圍在1.6至2.2之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板,其中該第一透明導電層的材質包括銦鋅氧化物、摻氟氧化錫、摻鋁氧化鋅或摻鎵氧化鋅。
- 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該第一透明 導電層的厚度範圍在20奈米與50奈米之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板,其中該架橋結構更包括一第二透明導電層,且該金屬層設置於該第一透明導電層與該第二透明導電層之間。
- 如申請專利範圍第8項所述之觸控面板,其中該第二透明導電層的材質及厚度相同於該第一透明導電層。
- 如申請專利範圍第8項所述之觸控面板,其中該第二透明導電層的材質及厚度不同於該第一透明導電層。
- 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板,更包括一周邊線路,電性連接至該第一軸向觸控電極與該第二軸向觸控電極,其中該周邊線路由該金屬層形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板,更包括一絕緣塊,設置於該連接部與該架橋結構之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板,其中該架橋結構形成於該基板上,且該絕緣塊位於該架橋結構上方。
- 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板,其中該絕緣塊形成於該連接部上,且該架橋結構位於該絕緣塊上方。
- 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板,更包括一保護層設置於該基板上,全面性地覆蓋該第一軸向觸控電極、該第二軸向觸控電極、該架橋結構及該絕緣塊。
- 如申請專利範圍第15項所述之觸控面板,其中該基板為一保護蓋板,且更包括一顯示元件接合於該保護層遠離所述觸控面的一側。
- 如申請專利範圍第15項所述之觸控面板,其中該基板為 一玻璃基板或聚對苯二甲酸乙二酯薄膜,且更包括一保護蓋板設置於該保護層上;及一顯示元件接合於該基板遠離該觸控面的一側。
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