TW201720647A - 玻璃板、觸控板、及觸控面板 - Google Patents

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TW201720647A TW105139410A TW105139410A TW201720647A TW 201720647 A TW201720647 A TW 201720647A TW 105139410 A TW105139410 A TW 105139410A TW 105139410 A TW105139410 A TW 105139410A TW 201720647 A TW201720647 A TW 201720647A
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Misa Inamoto
Naoki Okahata
Takashi Shibuya
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Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

本發明係一種玻璃板，其特徵在於：其係於主面具備微小凹凸面者，且於上述微小凹凸面中之一邊2 μm之正方形區域之形狀資料之高度之柱狀圖中，於以上述微小凹凸面之高度之出現頻度最高之區間之高度方向中心面作為基準平面時，於上述正方形區域中，相對於上述基準平面之最大高低差之20%以上高之凸起之個數為1以上且300以下。

Description

玻璃板、觸控板、及觸控面板
本發明係關於一種玻璃板、觸控板、及觸控面板。
業界開發有面向觸控板或觸控面板之具備各種功能層之基材(例如，參照專利文獻1)。根據專利文獻1，作為功能層，利用包含平均粒徑1～100 μm之微粒子之聚合性組合物之硬化物而形成硬塗層。藉此，可獲得硬度較高、且不勾手指者。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]國際公開第2012/160894號
[發明所欲解決之問題] 然而，專利文獻1之物品由於使用之粒子尺寸較大而為微米級，故而有光散射而產生霧度之課題。 本發明之主要目的在於：即便不設置功能層，亦可提供手指滑動性良好且霧度較低之玻璃板。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述課題，根據本發明之一態樣， 提供一種玻璃板，其特徵在於：其係於主面具備微小凹凸面者，且 於上述微小凹凸面中之一邊2 μm之正方形區域之形狀資料之高度之柱狀圖中，於以上述微小凹凸面之高度之出現頻度最高之區間之高度方向中心面作為基準平面時， 於上述正方形區域中，相對於上述基準平面之最大高低差之20%以上高之凸起之個數為1以上且300以下。 [發明之效果] 根據本發明之一態樣，可提供一種即便不設置功能層，手指滑動性亦良好且霧度較低之玻璃板。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明。於各圖式中，對相同或對應之構成附上相同或對應之符號而省略說明。於本說明書中，表示數值範圍之「～」意指包含其前後之數值之範圍。 (玻璃板) 圖1係表示一實施形態之玻璃板之圖。於圖1中，誇張地表示微小凹凸面11a之凹凸。玻璃板10係於第1主面11具備微小凹凸面11a。微小凹凸面11a之表面粗糙度Ra為0.3～100 nm。Ra較佳為1～50 nm，進而較佳為2～30 nm。此處，所謂表面粗糙度Ra，係指日本工業標準JIS B 0601中記載之算術平均粗糙度。 微小凹凸面11a可形成於第1主面11之整個面，亦可僅形成於第1主面11之一部分。與包含微小凹凸面11a之第1主面11相反側之第2主面12例如亦可為平面。 根據本發明之一觀點，於微小凹凸面11a中之一邊2 μm之正方形區域之形狀資料之高度之柱狀圖中，於以高度之出現頻度最高之區間之高度方向中心面作為基準平面時，於正方形區域中，自正方形區域之基準平面高出正方形區域之最大高低差之20%以上的凸起之個數(以下，亦簡稱為「凸起之個數」)為1以上且300以下。 此處，正方形區域之位置係微小凹凸面11a中之任意之位置。於特定之正方形區域之AFM(Atomic Force Microscopy，原子力顯微鏡)圖像中，進行關於高度之柱狀圖解析。高度係沿相對於正方形區域之最小平方平面正交方向，自正方形區域之最低位置進行測量。所謂最大高低差，意指自正方形區域之最低位置至正方形區域之最高位置之高度。高度之出現頻度係將自正方形區域之最低位置至正方形區域之最高位置之間等分為500個區間，針對每個區間求出。基準平面係設為高度之出現頻度最高之區間之高度方向中心面。 若正方形區域中之凸起之個數為1以上且300以下，則具有用人之手指可感知之程度之高度的凸起存在適度個數，故而手指與玻璃板之接觸面積成為適度之範圍，而手指滑動性良好。凸起之個數較佳為280以下，更佳為250以下，進而較佳為240以下。 圖2係將一實施形態之微小凹凸面之一部分放大而表示之剖面圖。圖3係沿著圖2之III-III線而得之剖面圖。於自微小凹凸面11a之基準平面P0高出微小凹凸面11a之最大高低差H之20%的位置P1之截面，將連在一起之部分(於圖3中以斜線表示之部分)計數為1個凸起。 各凸起之位置P1處之截面面積(例如，於圖3中以斜線表示之部分之截面面積)中，最大截面面積(以下，亦簡稱為「凸起之最大截面面積」)較佳為25000～80000 nm2 。若凸起之最大截面面積為25000 nm2 以上，則可用手指感覺到凸起。另一方面，若凸起之最大截面面積為80000 nm2 以下，則可將霧度抑製得較低。 再者，於本實施形態中，對凸起之個數進行管理，但亦可對凹陷之個數進行管理。具體而言，於正方形區域中，自正方形區域之基準平面低出正方形區域之最大高低差之20%以上的凹陷之個數(以下，亦簡稱為「凹陷之個數」)亦可為1以上且300以下。若正方形區域中之凹陷之個數為1以上且300以下，則存在適度個數之凹陷，故而手指滑動性較佳。凹陷之個數較佳為280以下，更佳為250以下，進而較佳為240以下。於自微小凹凸面11a之基準平面P0低出微小凹凸面11a之最大高低差H之20%的位置P2處之截面，將連在一起之部分計數為1個凹陷。各凹陷之位置P2處之截面面積中，最大截面面積(以下，亦簡稱為「凹陷之最大截面面積」)較佳為25000～80000 nm2 。若凹陷之最大截面面積為25000 nm2 以上，則可用手指感覺到凹陷。另一方面，若凹陷之最大截面面積為80000 nm2 以下，則可將霧度抑製得較低。 又，根據本發明之另一觀點，使用ISO16610-61中記載之S-濾波器自上述微小凹凸面中之一邊2 μm之正方形區域之形狀資料中將0.05 μm以下之波長成分去除後之微小凹凸面11a之Summit 密度Sds為1/μm2 以上且170/μm2 以下。 此處，正方形區域之位置係微小凹凸面11a中之任意之位置。針對特定之正方形區域之AFM圖像，藉由應用上述濾波器而進行雜訊去除處理。藉由該雜訊去除處理，而可對形狀資料中用手指可感知之程度之微細凹凸構造進行解析。 Summit 密度Sds係突起頂點之密度。Summit 密度Sds之算出順序係依據下述之非專利文獻1(非專利文獻1：K.J. Stout, P. J. Sullivan, W. P. Dong, E. Mainsah, N. Luo, T. Mathia, H. Zahouani(1994)，The development of methods for the characterization of roughness on three dimensions. Publication no. EUR 15178 EN of the commission of the European communities， Luxembourg)。 若Summit 密度Sds為1/μm2 以上且170/μm2 以下，則以用人之手指可感知之程度存在適度密度之凸起，故而手指與玻璃板之接觸面積成為適度之範圍，手指滑動性良好。又，若Summit 密度Sds為170/μm2 以下，則可將霧度抑制得較低。Summit 密度Sds較佳為160/μm2 以下，更佳為140/μm2 以下。 玻璃板10之霧度(Haze)係自微小凹凸面11a側進行測定。此處，所謂「自微小凹凸面11a側進行測定」，意指自玻璃板10之外部之光源對微小凹凸面11a照射檢查光而測定。玻璃板10之霧度較佳為0%以上且2%以下。若玻璃板10之霧度為2%以下，則於應用於觸控板或觸控面板時，亦無有損其美觀、或使視認性變差之顧慮。玻璃板10之霧度較佳為1.5%以下，更佳為1%以下。玻璃板10之霧度越小越佳，但就製造上之觀點而言，為0.01%以上。 霧度係依據日本工業標準JIS K7136進行測定，以自第1主面11向第2主面12沿板厚方向透過玻璃板10之透過光中、藉由前方散射而自入射光偏離2.5°以上之透過光之百分率之形式求出。作為用於霧度之測定之光源，使用C光源。 玻璃板10之厚度較佳為3 mm以下，例如亦可為0.2～2.0 mm之範圍。玻璃板10之厚度更佳為0.3～1.5 mm之範圍。於玻璃板10之厚度為3 mm以上之情形時，重量上升而變得難以輕量化，又，原材料成本上升。於玻璃板10之厚度為0.2 mm以下之情形時，基板之操作變得困難。 玻璃板10較佳為例如具有1000～5000 N/mm2 之範圍之馬氏硬度。於玻璃板10之馬氏硬度為1000 N/mm2 以上之情形時，耐久性良好。又，於玻璃板10之馬氏硬度為5000 N/mm2 以下之情形時，容易對玻璃板10進行加工，故而較佳。玻璃板10之馬氏硬度更佳為2000～5000 N/mm2 之範圍。 玻璃板10較佳為於400～700 nm之波長區域具有較高之透過率，例如80%以上之透過率。又，玻璃板10較理想為具有充分之絕緣性，且化學、物理耐久性較高。 玻璃板10係利用浮式法、或熔融法等而成形。玻璃板10係由鈉鈣矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、或無鹼玻璃等構成。玻璃板10可為經化學強化處理之化學強化玻璃，亦可為未強化玻璃。於化學強化玻璃之情形時，玻璃板10包含鹼金屬。微小凹凸面之表面形狀幾乎不因於微小凹凸面之形成後是否進行化學強化處理而發生變化，可獲得手指滑動性良好且霧度較低之玻璃板10。 玻璃板10例如包含以莫耳%表示為61～77%之SiO2 、1～18%之Al2 O3 、8～18%之Na2 O、0～6%之K2 O、0～15%之MgO、0～8%之B2 O3 、0～9%之CaO、0～1%之SrO、0～1%之BaO、及0～4%之ZrO2 。 SiO2 係構成玻璃骨架之成分，為必需。SiO2 含量未達61莫耳%時，容易於在玻璃表面劃有劃痕時變得容易產生裂痕，耐候性降低，比重增大，或液相溫度上升而玻璃變得不穩定等，故而SiO2 含量為61莫耳%以上，較佳為63莫耳%以上。若SiO2 含量超過77莫耳%，則玻璃之黏度成為102 dPa・s之溫度T2或玻璃之黏度成為104 dPa・s之溫度T4上升而玻璃之熔解或成形變得困難，或耐候性容易降低，故而SiO2 含量為77莫耳%以下，較佳為70莫耳%以下。 Al2 O3 係提高離子交換性能及耐候性之成分，為必需。若Al2 O3 含量未達1莫耳%，則難以藉由離子交換而獲得所需之表面壓縮應力或壓縮應力層厚度，或耐候性容易降低等，故而Al2 O3 含量為1莫耳%以上，較佳為5莫耳%以上。若Al2 O3 含量超過18莫耳%，則T2或T4上升而玻璃之熔解或成形變得困難，或液相溫度升高而變得容易失透，故而Al2 O3 含量為18莫耳%以下。 Na2 O係減小離子交換時之表面壓縮應力之不均、藉由離子交換而形成表面壓縮應力層、或提高玻璃之熔融性之成分，為必需。若Na2 O含量未達8莫耳%，則變得難以藉由離子交換而形成所需之表面壓縮應力層，或T2或T4上升而玻璃之熔解或成形變得困難，故而Na2 O含量為8莫耳%以上，較佳為10莫耳%以上。若Na2 O含量超過18莫耳%，則耐候性降低，或變得容易因壓痕而產生裂痕，故而Na2 O含量為18莫耳%以下。 K2 O雖然並非必需，但為增大離子交換速度之成分，亦可含有最多6莫耳%。若K2 O含量超過6莫耳%，則離子交換時之表面壓縮應力之不均增大，或變得容易因壓痕而產生裂痕，或耐候性降低。 MgO係提高熔融性之成分，亦可含有。若MgO含量超過15莫耳%，則離子交換時之表面壓縮應力之不均增大，液相溫度上升而變得容易失透，或離子交換速度降低，故而MgO含量為15莫耳%以下，較佳為12莫耳%以下。 B2 O3 係為了提高熔融性而較佳為8莫耳%以下。若B2 O3 含量超過8莫耳%，則有變得難以獲得均質之玻璃，玻璃之成型變得困難之虞。 CaO係為了提高高溫下之熔融性、或難以引起失透，亦可含有最多9莫耳%，但有離子交換時之表面壓縮應力之不均變大、或對離子交換速度或裂痕產生之耐性降低之虞。 SrO係為了提高高溫下之熔融性、或難以引起失透，亦可以1莫耳%以下含有，但有離子交換時之表面壓縮應力之不均增大、或對離子交換速度或裂痕產生之耐性降低之虞。 BaO係為了提高高溫下之熔融性、或難以引起失透，亦可以1莫耳%以下含有，但有離子交換時之表面壓縮應力之不均增大、或對離子交換速度或裂痕產生之耐性降低之虞。 ZrO2 雖然並非必需成分，但為了增大表面壓縮應力、或提高耐候性等，亦可含有最多4莫耳%。若ZrO2 含量超過4莫耳%，則離子交換時之表面壓縮應力之不均增大，或對裂痕產生之耐性降低。 (積層體) 圖4係表示一實施形態之積層體之圖。積層體20具備：圖1所示之玻璃板10、及至少一部分形成於玻璃板10之微小凹凸面11a之防污層21。防污層21形成於微小凹凸面11a之至少一部分即可。於微小凹凸面11a僅形成於第1主面11之一部分之情形時，可於第1主面11之剩餘部分形成防污層21，亦可不形成。以下，主要對防污層21進行說明。 (防污層) 防污層21係用以防止指紋或油脂等污漬附著，或使此種污漬之去除變得容易者。防污層21具有指紋附著防止及指紋去除促進之至少一作用。防污層21例如由自玻璃板10之主面垂直或傾斜地延伸之樹脂毛之集合體而構成。 防污層21係由含氟樹脂形成。作為防污層21之材料，例如可使用下述式(A)所表示之樹脂、下述式(B)所表示之樹脂等。 [化1]此處，L1 為由例如C、H、O、N、F等所形成之、由例如醚鍵、醯胺鍵等構成之鍵結構造。k為重複次數，為1以上且1000以下之自然數。L0 為可與玻璃之末端OH基交換之水解性基。 L0 較佳為氟以外之鹵素或烷氧基(-OR)，此處，R為1～6之碳原子之直鏈或支鏈烴，例如可列舉：-CH3 、-C2 H5 、-CH(CH3 )2 之烴。較佳之鹵素為氯。較佳之烷氧基矽烷為三甲氧基矽烷、Si(OMe)3 。 [化2]此處，L2 為由例如C、H、O、N、F等形成之、由例如醚鍵、醯胺鍵等構成之鍵結構造。m及n為重複次數，分別為1以上且1000以下之自然數。L0 為與式(A)之L0 相同之意義。 作為防污層21之材料，可較佳地使用：S600(商品名，旭硝子公司製造)、S550(商品名，旭硝子公司製造)、KY-178(商品名，信越化學工業公司製造)、KY-185(商品名，信越化學工業公司製造)、X-71-186(商品名，信越化學工業公司製造)、X-71-190(商品名，信越化學工業公司製造)、X-195(商品名，信越化學工業公司製造)、OPTOOL(註冊商標)DSX(商品名，大金工業公司製造)及OPTOOL(註冊商標)AES(商品名，大金工業股份有限公司製造)等。 防污層21之厚度例如為1～100 nm。 防污層21之表面形狀係仿效玻璃板10之微小凹凸面11a之表面形狀。因此，根據包含玻璃板10與防污層21之積層體，與玻璃板10相同地，可提高手指滑動性，並且可將霧度抑製得較低。 積層體20之可見光反射率Rv係自防污層21側進行測定。此處，「自防污層21側進行測定」，意指自積層體20之外部之光源對防污層21照射檢查光而測定。積層體20之可見光反射率Rv較佳為0～3%之範圍，更佳為0～2.5%之範圍。此處，積層體20之可見光反射率Rv係波長450～600 nm下之反射率之平均值。 (積層體之變化例) 圖5係表示變化例之積層體之圖。本變化例之積層體20A係如圖5所示般，於玻璃板10與防污層21之間具有中間層22。以下，主要對中間層22進行說明。 (中間層) 中間層22係使低反射功能、高密接功能、低放射功能、隔熱功能等中之至少一種功能表現於積層體20A之功能層。中間層22並無特別限定，但亦可具有氧化物層、氮化物層、氮氧化物層、及金屬層中之至少一種。中間層22可由單層構成，亦可由兩層以上構成。中間層22之材料並無特別限定，中間層22可藉由乾式法、濕式法之公知方法而形成。 中間層22亦可包含低反射層。低反射層係由折射率不同之複數層構成。作為各層之材料，可列舉：氧化鈦、氧化鉭、氧化鈮、氮化矽、氮化鋁、氧化矽等。低反射層亦可藉由將折射率不同之層交替地積層而構成。例如，低反射層亦可具有包含氧化鈮(或氧化鈦)之第1層與包含氧化矽之第2層之重複構造。 中間層22亦可包含基底層。基底層具有改善玻璃板10與防污層21之密接性之效果等。基底層例如由氧化矽等形成。 中間層22於具有基底層與其他層(例如低反射層)兩者之情形時，可自玻璃板10側依序具有低反射層、基底層。 中間層22之厚度例如為1～100 nm。 中間層22之表面形狀、進而防污層21之表面形狀係仿效玻璃板10之微小凹凸面11a之表面形狀。因此，根據包含玻璃板10與中間層22與防污層21之積層體20A，與玻璃板10相同地，可提高手指滑動性，且可將霧度抑制得較低。 (觸控板) 圖6係表示使用一實施形態之積層體而得之觸控板之圖。 觸控板30具有積層體20與位置檢測器31。位置檢測器31為通常者即可，例如利用靜電電容之變化等而檢測出積層體20之手指之觸控位置。 觸控板30具備積層體20，故而可提高手指滑動性，並且可將霧度抑制得較低。觸控板30例如係安裝於筆記型電腦等中。 再者，觸控板30亦可具有圖5所示之積層體20A而代替圖4所示之積層體20。 (觸控面板) 圖7係使用一實施形態之積層體而得之觸控面板之圖。 觸控面板40具有：積層體20、位置檢測器41、及圖像顯示裝置42。位置檢測器41亦可為通常者，例如利用靜電電容之變化等，而檢測出積層體20中之手指之觸控位置。圖像顯示裝置42亦可為通常者，例如由液晶顯示器等構成且顯示與位置檢測器41之檢測結果對應之圖像。 再者，位置檢測器41與圖像顯示裝置42之配置亦可相反，可以圖像顯示裝置42作為基準而於與積層體20相反側配置位置檢測器41。 觸控面板40具備積層體20，故而可提高手指滑動性，並且可將霧度抑制得較低。觸控面板40例如可安裝於數位資訊裝置等中。作為數位資訊裝置，可列舉：行動電話(包含智慧型手機)、電腦(包含平板)、影印機、傳真機等。 再者，觸控面板40亦可具有圖5所示之積層體20A而代替圖4所示之積層體20。 再者，圖4所示之積層體20或圖5所示之積層體20A亦可安裝於觸控板30或觸控面板40以外之製品中。例如，圖4所示之積層體20或圖5所示之積層體20A亦可用於機器之殼體、圖像顯示裝置之外罩等中。 又，圖4所示之積層體20或圖5所示之積層體20A並非用手指接觸者，亦可為用筆接觸者。於該情形時，可獲得較低之霧度，同時可獲得特定之書寫心情。 (積層體之製造方法) 圖8係表示一實施形態之積層體之製造方法之流程圖。如圖8所示般，積層體之製造方法具有：主面粗化步驟S11、化學強化步驟S12、及塗佈步驟S13。再者，化學強化步驟S12、塗佈步驟S13為任意之步驟，視需要設置即可。 (主面粗化步驟S11) 於主面粗化步驟S11中，藉由將玻璃板10之第1主面11進行粗化，而形成微小凹凸面11a。微小凹凸面11a之表面粗糙度Ra為0.3～100 nm。 例如，於主面粗化步驟S11中，對玻璃板10之主面進行蝕刻處理。蝕刻可為濕式蝕刻、乾式蝕刻中之任一種。 蝕刻之方法並無特別限定，例如於乾式蝕刻方式之情形時，亦可採用CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、電漿CVD法、反應性離子蝕刻(RIE)法、電感耦合電漿(ICP)法、逆濺鍍法、離子研磨法、雷射離子源(LIS)法等中之任一種或其組合。 又，於使用液體之情形時，可將處理液體直接以液體之形式例如利用噴霧塗佈而供給至表面，亦可將液體進行氣化後供給至表面。 該等蝕刻劑例如可含有於其結構中存在氟原子之分子，具體而言，可含有：氟化氫(HF)、氫氟酸、氟單體、三氟乙酸、四氟化碳、四氟化矽、五氟化磷、三氟化磷、三氟化硼、三氟化氮、三氟化氯等，但並不限定於該等。又，視需要亦可利用其他液體或氣體進行稀釋。又，亦可將該等液體或氣體中之兩種以上混合而使用。 蝕刻劑亦可包含該等液體或氣體以外之液體或氣體，並無特別限定，較佳為於常溫下不與存在氟原子之分子反應之液體或氣體。例如可列舉：N2 、空氣、H2 、O2 、Ne、Xe、CO2 、Ar、He、Kr等，但並不限定於該等。又，可將該等氣體中之兩種以上混合而使用。作為包含於其結構中存在氟原子之分子的氣體之載氣，較佳為使用N2 、氬氣等惰性氣體。 進而，蝕刻劑可包含水蒸氣或水。又，亦可包含SO2 。 蝕刻處理之溫度並無特別限定，通常於藉由化學反應之大氣壓中之乾式蝕刻處理可於300～800℃之範圍實施。蝕刻處理之溫度較佳為400～700℃之範圍，更佳為450～650℃之範圍。 蝕刻處理中所使用之處理氣體例如含有氟化氫氣體。處理氣體亦可進而含有載氣及/或稀釋氣體。載氣、稀釋氣體並無特別限定，例如為氮氣及/或氬氣等惰性氣體。藉由含有載氣及/或稀釋氣體，使變得容易管理製造條件。 又，處理氣體亦可進而含有水蒸氣(氣體狀態之水)。藉由導入水蒸氣，而使氟化氫氣體與玻璃之反應得到緩和，變得容易控制微小凹凸面11a之表面形狀。又，藉由導入水蒸氣，而變得容易更穩定地、再現性良好地控制形狀。於含有水蒸氣之情形時，若水蒸氣之量(V1)與氟化氫氣體之量(V2)之體積比(V1/V2)為10以下，則可確保控制表面形狀所需之氟化氫，故而較佳。因此，可獲得所需之表面形狀之微小凹凸面11a。 關於處理氣體中之氟化氫氣體之濃度，只要玻璃板之主面經適當地蝕刻處理，則並無特別限定。處理氣體中之氟化氫氣體之濃度例如為0.1～10 vol%之範圍，較佳為0.3～5 vol%之範圍，更佳為0.5～4 vol%之範圍。此時，處理氣體中之氟化氫氣體之濃度(vol%)係藉由將氟化氫氣體流量除以氟化氫氣體流量、載氣流量、稀釋氣體流量、及水蒸氣流量之和而求出。 玻璃板之蝕刻處理亦可於反應容器中實施，但於玻璃板較大之情形等必要之情形時，玻璃板之蝕刻處理亦可於將玻璃板進行搬送之狀態下實施。於該情形時，與反應容器中之處理相比，可實現更迅速且高效率之處理。 此處，對於蝕刻處理中可使用之裝置之一例簡單地說明。 圖9係表示一實施形態之玻璃板之蝕刻處理中所使用之處理裝置。圖9所示之處理裝置可於搬送玻璃板之狀態下實施玻璃板之蝕刻處理。 如圖9所示般，該處理裝置300具備：噴射器310、及搬送機構350。 搬送機構350可將置載於上部之玻璃板380如箭頭F301所示般沿水平方向(x軸方向)搬送。 噴射器310係配置於搬送機構350及玻璃板380之上方。 噴射器310具有成為處理氣體之流通路之複數個狹縫315、320、及325。即，噴射器310具備：第1狹縫315，其於中央部分延著鉛直方向(z軸方向)而設置；第2狹縫320，其以包圍該第1狹縫315之方式沿著鉛直方向(z軸方向)而設置；及第3狹縫325，其以包圍該第2狹縫320之方式沿著鉛直方向(z軸方向)而設置。 第1狹縫315之一端(上部)係連接於氟化氫氣體源(未圖示)、載氣源(未圖示)及水蒸氣源(未圖示)，第1狹縫315之另一端(下部)係向玻璃板380配向。同樣地，第2狹縫320之一端(上部)係連接於稀釋氣體源(未圖示)與水蒸氣源(未圖示)，第2狹縫320之另一端(下部)係向玻璃板380配向。第3狹縫325之一端(上部)係連接於排氣系統(未圖示)，第3狹縫325之另一端(下部)係向玻璃板380配向。水蒸氣亦可自第1狹縫315、第2狹縫320中之任一者中流出。 於使用如此構成之處理裝置300而實施玻璃板380之蝕刻處理之情形時，首先，自氟化氫氣體源(未圖示)，經由第1狹縫315，沿箭頭F305之方向供給氟化氫氣體。又，自稀釋氣體源(未圖示)，經由第2狹縫320，沿箭頭F310之方向供給氮氣等稀釋氣體。該等氣體係藉由排氣系統，沿著箭頭F315而於水平方向(x軸方向)移動後，經由第3狹縫325而排出至處理裝置300之外部。 再者，對於第1狹縫315，除氟化氫氣體以外，亦可同時供給氮氣等載氣及/或水蒸氣。 繼而，使搬送機構350運轉。藉此，玻璃板380沿箭頭F301之方向移動。 玻璃板380係於通過噴射器310之下側時，與自第1狹縫315及第2狹縫320所供給之處理氣體(例如，氟化氫氣體、載氣、稀釋氣體及水蒸氣之混合氣體)接觸。藉此，對玻璃板380之上表面進行蝕刻處理。 再者，供給至玻璃板380之上表面之處理氣體係如箭頭F315所示般移動而用於蝕刻處理，此後，如箭頭F320所示般移動，經由連接於排氣系統之第3狹縫325而排出至處理裝置300之外部。 藉由使用此種處理裝置300，可一面搬送玻璃板，一面實施藉由處理氣體之蝕刻處理。於該情形時，與使用反應容器而實施蝕刻處理之方法相比，可提高處理效率。又，於使用此種處理裝置300之情形時，即便對大型之玻璃板亦可實施蝕刻處理。 此處，對玻璃板380之處理氣體之供給速度並無特別限定。處理氣體之供給速度例如亦可為0.1～1000 SLM之範圍。此處，所謂SLM，係指Standard Litter per Minute(標準狀態下之流量)之簡稱。又，玻璃板380之噴射器310之通過時間(通過圖9之距離S之時間)為1～120秒之範圍，較佳為2～60秒之範圍，更佳為3～30秒之範圍。藉由將玻璃板380之噴射器310之通過時間設為320秒以下，可實現迅速之蝕刻處理。以下，亦將玻璃板380之噴射器310之通過時間稱為「蝕刻處理時間」。 如此，藉由使用處理裝置300，可實施對搬送狀態之玻璃板之蝕刻處理。 再者，圖9所示之處理裝置300僅為一例，亦可使用其他裝置而實施藉由包含氟化氫氣體之處理氣體之玻璃板之蝕刻處理。例如，於圖9之處理裝置300中，相對於靜止之噴射器310，使玻璃板380相對地移動。然而，與其相反地，亦可相對於靜止之玻璃板，使噴射器沿水平方向移動。或，亦可使玻璃板與噴射器兩者相互地向相反方向移動。又，亦可於搬送機構350及玻璃板之下方設置噴射器，而對玻璃下表面進行蝕刻處理。 又，於圖9之處理裝置300中，噴射器310具有合計3個狹縫315、320、325。然而，狹縫之個數並無特別限定。例如，狹縫之個數亦可為兩個。於該情形時，亦可將一個狹縫用於處理氣體(例如，載氣、氟化氫氣體、稀釋氣體及水蒸氣之混合氣體)供給用，將另一個狹縫用於排氣用。又，亦可於狹縫320與排氣用狹縫325之間設置1個以上之狹縫，供給蝕刻氣體、載氣、稀釋氣體、水蒸氣。 進而，於圖9之處理裝置300中，噴射器310之第2狹縫320係以包圍第1狹縫315之方式配置，第3狹縫325係以包圍第1狹縫315及第2狹縫320之方式設置。然而，亦可代替此種方式，而將第1狹縫、第2狹縫、及第3狹縫沿著水平方向(x軸方向)而排列為一行。於該情形時，處理氣體係於玻璃板之上表面沿著一方向而移動，其後，經由第3狹縫而排氣。 進而，亦可將複數個噴射器310沿著水平方向(x軸方向)配置於搬送機構350之上。 進而，亦可藉由其他裝置等，於與經蝕刻處理之面相同之面積層以氧化矽作為主成分之層。藉由積層該層，可提高經蝕刻處理之面之化學耐久性。 又，亦可藉由於玻璃板上預先施加遮罩後進行蝕刻處理，而對玻璃板主面之所需區域部分地進行蝕刻處理，或根據區域而應用不同之蝕刻條件。 (化學強化步驟S12) 於化學強化步驟S12中，對玻璃板進行化學強化處理。此處，所謂「化學強化處理(法)」，係指將玻璃板浸漬於包含鹼金屬之熔鹽中，使存在於玻璃板之最表面之原子徑較小之鹼金屬(離子)取代為存在於熔鹽中之原子徑較大之鹼金屬(離子)之技術之總稱。於「化學強化處理(法)」中，於經處理之玻璃板之表面，配置與處理前之原本之原子相比原子徑較大之鹼金屬(離子)。因此，可於玻璃板之表面形成壓縮應力層，藉此，玻璃板之強度提高。 例如，於玻璃板包含鈉(Na)之情形時，於化學強化處理時，該鈉係於熔鹽(例如硝酸鹽)中例如被取代為鉀(K)。或，例如，於玻璃板包含鋰(Li)之情形時，於化學強化處理時，該鋰亦可於熔鹽(例如硝酸鹽)中例如被取代為鈉(Na)及/或鉀(K)。 對玻璃板所實施之化學強化處理之條件並無特別限定。 作為熔鹽之種類，例如可列舉：硝酸鈉、硝酸鉀、硫酸鈉、硫酸鉀、氯化鈉、及氯化鉀等鹼金屬硝酸鹽、鹼金屬硫酸鹽、及鹼金屬氯化物鹽等。該等熔鹽可單獨使用，亦可將複數種組合而使用。 處理溫度(熔鹽之溫度)亦根據所使用之熔鹽之種類而不同，例如亦可為350～550℃之範圍。 化學強化處理例如亦可藉由將玻璃板於350～550℃之熔融硝酸鉀鹽中浸漬2分鐘～20小時左右而實施。就經濟且實用之觀點而言，較佳為於350～500℃下實施1～10小時。 藉此，可獲得於表面形成有壓縮應力層之玻璃板。 如上所述般，化學強化步驟S12並非必需之步驟。然而，藉由對玻璃板實施化學強化處理，可提高玻璃板之強度。微小凹凸面之表面形狀幾乎不因化學強化處理之有無而發生變化。因此，亦於化學強化處理後，可提高手指滑動性，並且可將霧度抑制得較低。 (塗佈步驟S13) 塗佈步驟S13具有對玻璃板之微小凹凸面塗佈防污層材料之AFP(Anti-Finger Print，耐指紋)處理。 用於AFP處理之防污層之材料係包含與玻璃板等之主面之Si-OH基鍵結之官能基及氟的氟系矽烷偶合劑。防污層之材料係藉由與存在於玻璃板之主面之Si-OH基進行縮合，而確保與基板之密接性。 作為防污層之材料，可利用公知之材料，例如可使用上述之化學式(A)或(B)之化合物。 該等可單獨使用，亦可混合而使用。又，亦可預先利用酸或鹼等部分地製作水解縮合物後而使用。 AFP處理可利用乾式法實施，亦可利用濕式法實施。於乾式法中，藉由蒸鍍法等成膜製程，而將防污層之材料於玻璃板上成膜。另一方面，於濕式法中，將包含防污層之材料之溶液塗佈於玻璃板後，使玻璃板乾燥。 於AFP處理之前，視需要亦可對玻璃板實施洗淨處理或基底處理。又，於AFP處理後，為了提高防污層之密接力，亦可實施加熱處理及加濕處理等。 再者，塗佈步驟亦可進而具有對玻璃板之微小凹凸面塗佈中間層材料之中間層形成處理。中間層形成處理亦可較AFP處理先進行。 於中間層形成處理中，於玻璃板10之微小凹凸面11a上形成中間層22。 中間層22例如可藉由乾式法或濕式法而形成。於乾式法中，藉由使用「乾式」成膜製程於玻璃板10之微小凹凸面11a依序將各層成膜，而形成單/多層構造之中間層22。 作為「乾式」成膜製程，例如可列舉：濺鍍法、電子束蒸鍍或電阻加熱等蒸鍍法、電漿CVD法、及CVD法等。 再者，亦可於一部分或全部之層之成膜中及/或後實施熱處理或電漿處理。 [實施例] 於例1～7中，藉由控制玻璃板之蝕刻處理之處理條件等而控制微小凹凸面之表面形狀，對玻璃板之微小凹凸面之手指滑動性或霧度等進行評價。再者，例1～5為實施例，例6～7為比較例。 (玻璃板之種類) 準備利用浮式法所成形之厚度0.7 mm之玻璃板。作為玻璃板之玻璃之種類，於例1、3～7中設為玻璃A，於例2中設為玻璃B。玻璃A係鋁矽酸鹽玻璃(旭硝子公司製造之Dragontrail(註冊商標))。玻璃B係鈉鈣玻璃(旭硝子公司製造之AS)。 (玻璃板之蝕刻處理) 於玻璃板之蝕刻處理中，使用上述之圖9所示之處理裝置300。 向第1狹縫315，於例1～5中，供給氟化氫氣體、氮氣及水蒸氣，於例6～7中，供給氟化氫氣體與氮氣。再者，於例6～7中，不自第1狹縫315供給水蒸氣。 向第2狹縫320，於全部例1～7中，供給氮氣。 關於氟化氫氣體(HF氣體)之濃度，於例1中設為0.6 vol%，於例2中設為0.7 vol%，於例3中設為1.0 vol%，於例4中設為1.0 vol%，於例5中設為0.7 vol%，於例6中設為0.4 vol%，於例7中設為0.5 vol%。 關於水蒸氣濃度，於例1～例5中將水蒸氣之量(V1)與氟化氫氣體之量(V2)之體積比(V1/V2)設為1/10。再者，於例6～7中，不自第1狹縫315供給水蒸氣。 自第3狹縫325之排氣量於全部例1～7中，設為總供給氣體量之2倍。 關於蝕刻處理時之玻璃板之溫度，於例1、4～7中為580℃，於例2～3中為560°。再者，玻璃板之溫度係將配置有熱電偶之同種玻璃板一面於同樣之熱處理條件下搬送一面測得之值。然而，玻璃板之溫度亦可使用放射溫度計進行測定。 蝕刻處理時間於全部例1～7中設為10秒。 (表面粗糙度、最大高低差) 微小凹凸面之表面粗糙度Ra與最大高低差H係藉由掃描型探針顯微鏡(SPI3800N：SII NanoTechnology公司製造)而測定。測定係於微小凹凸面中之一邊2 μm之正方形區域中，以取得資料數512×512、掃描頻率0.3 Hz而實施，而取得AFM圖像。表面粗糙度Ra係採用各取得資料之平均值。 作為一例，將例3之玻璃板之微小凹凸面之正方形區域之AFM圖像示於圖10。又，作為一例，將例4之玻璃板之微小凹凸面之剖面SEM圖像示於圖11。 (凸起之個數、凸起之最大截面面積) 微小凹凸面之正方形區域中之凸起之個數或凸起之最大截面面積係藉由將用於表面粗糙度Ra與最大高低差H之測定之AFM圖像利用Image Metrology公司製造之SPIPTM (Scanning Probe Image Processor：掃描型探針圖像處理器)進行圖像解析而測定。 (Summit 密度) 微小凹凸面之Summit 密度(Sds)係根據對用於表面粗糙度Ra與最大高低差H之測定之AFM圖像應用國際標準ISO16610-61中記載之S-濾波器而將波長0.05 μm以下之波長成分去除後的AFM圖像進行測定。 (手指滑動性) 微小凹凸面之手指滑動性係藉由官能試驗而進行評價。將手指滑動性良好之情形設為「A」，將手指滑動性較差之情形設為「B」。 (霧度) 玻璃板之霧度係使用測霧計(HZ-2：Suga Test Instruments)，依據日本工業標準JIS K7361而測定。玻璃板之霧度係自微小凹凸面側進行測定。光源係使用C光源。 (反射率) 積層體之可見光反射率可於測定中使用分光光度計(U-4100型：日立股份有限公司製造)，以波長450 nm～600 nm之平均值而算出。再者，該可見光反射率係以不受到積層體之與防污層相反側之面之影響之方式對相反側之面進行黑塗佈，並自積層體之防污層側進行測定。 (彙總) 將評價結果與蝕刻處理條件等一同示於表1。 [表1] 如由表1可明確，根據例1～5，由於在蝕刻處理氣體中添加水蒸氣，故而正方形區域中之凸起之個數為1～300之範圍內，Summit 密度為1～170/μm2 之範圍內。因此，於例1～5中，手指滑動性良好，且可將霧度抑製得較低。另一方面，根據例6～7，由於在蝕刻處理氣體中未添加水蒸氣，故而正方形區域中之凸起之個數超過300，Summit 密度超過170/μm2 。因此，根據例6～7，手指滑動性較差。再者，該傾向並不因防污層或中間層、化學強化處理之有無等而發生變化。 以上，已說明玻璃板、觸控板及觸控面板之實施形態等，但本發明並不限定於上述實施形態等，可於申請專利範圍中所記載之本發明之主旨之範圍內，進行各種變化、改良。 本申請案係基於在2015年11月30日在日本專利廳提出申請之日本專利特願2015-234217號而主張優先權者，並將日本專利特願2015-234217號之全部內容援用於本申請案中。
10‧‧‧玻璃板
11‧‧‧第1主面
11a‧‧‧微小凹凸面
12‧‧‧第2主面
20‧‧‧積層體
20A‧‧‧積層體
21‧‧‧防污層
22‧‧‧中間層
30‧‧‧觸控板
31‧‧‧位置檢測器
40‧‧‧觸控面板
41‧‧‧位置檢測器
42‧‧‧圖像顯示裝置
300‧‧‧處理裝置
310‧‧‧噴射器
315‧‧‧狹縫
320‧‧‧狹縫
325‧‧‧狹縫
350‧‧‧搬送機構
380‧‧‧玻璃板
F301‧‧‧箭頭
F305‧‧‧箭頭
F310‧‧‧箭頭
F315‧‧‧箭頭
F320‧‧‧箭頭
H‧‧‧最大高低差
P0‧‧‧微小凹凸面之基準平面
P1‧‧‧自微小凹凸面之基準平面高出微小凹凸面之最大高低差之20%的位置
P2‧‧‧自微小凹凸面之基準平面低出微小凹凸面之最大高低差之20%的位置
S‧‧‧距離
S11‧‧‧主面粗化步驟
S12‧‧‧化學強化步驟
S13‧‧‧塗佈步驟
III-III‧‧‧剖面線
圖1係表示一實施形態之玻璃板之圖。 圖2係將一實施形態之微小凹凸面之一部分放大而表示之剖面圖。 圖3係沿著圖2之III-III線而得之剖面圖。 圖4係表示一實施形態之積層體之圖。 圖5係表示變化例之積層體之圖。 圖6係表示使用一實施形態之積層體而得之觸控板之圖。 圖7係表示使用一實施形態之積層體而得之觸控面板之圖。 圖8係表示一實施形態之積層體之製造方法之流程圖。 圖9係表示一實施形態之玻璃板之蝕刻處理中所使用之處理裝置之圖。 圖10係例3之玻璃板之微小凹凸面之正方形區域之AFM圖像。 圖11係例4之玻璃板之微小凹凸面之剖面SEM圖像。
10‧‧‧玻璃板
11‧‧‧第1主面
11a‧‧‧微小凹凸面
12‧‧‧第2主面

Claims (10)

  1. 一種玻璃板，其特徵在於：其係於主面具備微小凹凸面者，且 於上述微小凹凸面中之一邊2 μm之正方形區域之形狀資料之高度之柱狀圖中，於以上述微小凹凸面之高度之出現頻度最高之區間之高度方向中心面作為基準平面時， 於上述正方形區域中，相對於上述基準平面之最大高低差之20%以上高之凸起之個數為1以上且300以下。
  2. 一種玻璃板，其特徵在於：其係於主面具備微小凹凸面者，且 使用國際標準ISO16610-61中記載之S-濾波器自上述微小凹凸面中之一邊2 μm之正方形區域之形狀資料中將0.05 μm以下之波長成分去除後之Summit密度為1/μm2 以上且170/μm2 以下。
  3. 如請求項1或2之玻璃板，其中上述微小凹凸面之表面粗糙度Ra為0.3～100 nm。
  4. 如請求項1至3中任一項之玻璃板，其中玻璃板之自上述微小凹凸面側所測定之霧度為0%以上且2%以下。
  5. 一種積層體，其具備：玻璃板，其係如請求項1至4中任一項者；及 防污層，其係至少一部分形成於上述微小凹凸面。
  6. 如請求項5之積層體，其中於上述玻璃板與上述防污層之間進而具備中間層。
  7. 如請求項6之積層體，其中上述中間層包含氧化物層、氮化物層、氮氧化物層、及金屬層中之至少一種。
  8. 如請求項5至7中任一項之積層體，其中積層體之自上述防污層側所測定之可見光反射率為0～3%。
  9. 一種觸控板，其具備：積層體，其係如請求項5至8中任一項者；及 位置檢測器，其係檢測上述積層體中之手指之觸控位置。
  10. 一種觸控面板，其具備：積層體，其係如請求項5至8中任一項者； 位置檢測器，其係檢測上述積層體中之手指之觸控位置；及 圖像顯示裝置，其係顯示藉由上述位置檢測器而得之檢測結果所對應之圖像。
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