TW201718116A - 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TW201718116A
TW201718116A TW105129019A TW105129019A TW201718116A TW 201718116 A TW201718116 A TW 201718116A TW 105129019 A TW105129019 A TW 105129019A TW 105129019 A TW105129019 A TW 105129019A TW 201718116 A TW201718116 A TW 201718116A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
supercritical
container
liquid
fluid
processing unit
Prior art date
Application number
TW105129019A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI667080B (zh
Inventor
光岡一行
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201718116A publication Critical patent/TW201718116A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI667080B publication Critical patent/TWI667080B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/14—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects using gases or vapours other than air or steam, e.g. inert gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

本發明之課題係在超臨界處理中單元內，使被處理體不發生圖案崩壞。上述課題的解決手段如下：使裝滿防止乾燥用之液體之被處理體W，搬運至超臨界處理單元用容器3A內。對超臨界處理單元用容器3A內的被處理體W外或者被處理體W上、或者該超臨界處理單元用容器3A外的被處理體上，供應超臨界處理用流體；在超臨界處理單元用容器3A將液態的超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液加熱，以成為超臨界狀態。在超臨界處理單元用容器3A將液態之超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液加熱前，預先對該超臨界處理單元用容器3A內供應N2氣體以進行加壓。

Description

基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
本發明係有關於使用超臨界狀態之流體以去除附著在基板表面之液體的基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體。
在作為基板之半導體晶圓（以下稱為晶圓）等的表面上形成積體電路之積層結構的半導體裝置製程中，設有利用液體以處理晶圓表面之液體處理步驟，例如藉由化學藥液等洗淨液以去除晶圓表面之微小異物或自然氧化膜等。
作為去除附著於晶圓表面之液體的手法，已知有使用超臨界狀態之流體的方法。
例如於專利文獻1，係基於液體與超臨界狀態流體具有高置換性、以及於液體處理之際抑制水份之帶入的觀點，而將含氟有機溶劑用於防止乾燥用之液體、及超臨界狀態流體之雙方。
然而，現今已開發出一種超臨界處理技術，係將裝滿防止乾燥用之液體（例如FC43）的晶圓搬運至超臨界處理單元用容器內，並對此超臨界處理單元用容器內供應沸點低於此防止乾燥用之液體的超臨界處理用液體（例如FC72），而以超臨界處理用流體去除防止乾燥用之液體。
發明人已知，若對超臨界處理單元用容器內供應液體或蒸氣等氣態之超臨界處理用流體，再加熱超臨界處理單元用容器，而使超臨界處理用流體成為超臨界狀態來進行處理，則恐有超臨界處理用流體在成為超臨界狀態之途中，晶圓上之防止乾燥用的液體乾燥而導致發生圖案崩塌之虞。再者，已知若對晶圓上供應例如液態之超臨界處理用流體，並在晶圓上形成液態之乾燥防止用及液態之超臨界處理用流體的混合液後，再加熱超臨界處理單元用容器，則恐有混合液沸騰而發生圖案崩塌之虞。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2014－22566號公報
［發明所欲解決的問題］　　 本發明係考量此點而研創者，其目的在於提供一種基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體，其為了去除附著於晶圓表面之液體，可以藉著超臨界處理去除附著於晶圓表面之液體，並且可以防止晶圓發生圖案崩壞。 ［解決問題之技術手段］
本發明之基板處理方法，包括以下步驟：將裝滿防止乾燥用之液體之被處理體，搬運至超臨界處理單元用容器內的步驟；對該超臨界處理單元用容器內的被處理體外或者被處理體上、或者該超臨界處理單元用容器外的被處理體上，供應沸點低於該防止乾燥用之液體的超臨界處理用流體的步驟；以及　　加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體的步驟；在加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體前，預先對該超臨界處理單元用容器內供應惰性氣體，以使該超臨界處理單元用容器內部加壓。
本發明之基板處理裝置，包括：搬運手段，將裝滿防止乾燥用之液體之被處理體，搬運至超臨界處理單元用容器內；超臨界處理用流體供應部，對該超臨界處理單元用容器內的被處理體外或者被處理體上、或者該超臨界處理單元用容器外的被處理體上，供應沸點低於該防止乾燥用之液體的超臨界處理用流體；以及加熱部，加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體；設有超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部，在加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體前，預先對該超臨界處理單元用容器內供應惰性氣體，以使該超臨界處理單元用容器內部加壓。
本發明之記錄媒體，係用以使電腦執行基板處理方法；該基板處理方法，包括以下步驟：將裝滿防止乾燥用之液體之被處理體，搬運至超臨界處理單元用容器內的步驟；對該超臨界處理單元用容器內的被處理體外或者被處理體上、或者該超臨界處理單元用容器外的被處理體上，供應沸點低於該防止乾燥用之液體的超臨界處理用流體的步驟；以及加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體的步驟；在加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體前，預先對該超臨界處理單元用容器內供應惰性氣體，以使該超臨界處理單元用容器內部加壓。 ［發明之效果］
藉由本實施形態，則可以在不發生圖案崩壞的情況下，以超臨界處理去除附著於晶圓表面之液體。
＜基板處理裝置＞ 首先針對本發明之基板處理裝置，進行說明。作為基板處理裝置之一例，針對液體處理裝置1進行說明，該液體處理裝置1具備：液體處理單元2，對於作為基板的晶圓W（被處理體）供應各種處理液以進行液體處理；以及超臨界處理單元3，對於液體處理後之晶圓W上所附著之防止乾燥用的液體加以移除，對晶圓W施行超臨界處理。
圖1係繪示液體處理裝置1之全體結構的橫斷俯視圖，以面向該圖時之左側視作前方。於液體處理裝置1，係於載置部11載置晶圓傳送盒（FOUP）100，並經由搬入搬出部12及移交部13，將容納於該FOUP100內之例如直徑300mm的複數枚晶圓W，與後段之液體處理部14、超臨界處理部15之間進行傳遞，而依序搬入液體處理單元2、超臨界處理單元3內，以進行液體處理或防止乾燥用液體之去除處理。圖中，121係在晶圓傳送盒100與傳遞部13之間搬運晶圓W的第1搬運機構；131係發揮暫存器功能的傳遞棚架，以供晶圓W在搬入搬出部12與液體處理部14、超臨界處理部15之間受到搬運時暫時載置。
液體處理部14及超臨界處理部15，係設置成包夾著晶圓W之搬運空間162，該搬運空間162係從通往傳遞部13之開口部朝前後方向延伸。由前方側觀察下，在設於搬運空間162左方的液體處理部14，係沿著前述搬運空間162配置有例如4台液體處理單元2。另一方面，在設於搬運空間162右方的超臨界處理部15，係沿著前述搬運空間162配置有例如2台超臨界處理單元3。
晶圓W係以配置於搬運空間162的第2搬運機構161，而在各個液體處理單元2、超臨界處理單元3及傳遞部13之間受到搬運。第2搬運機構161，相當於基板搬運單元。此處，配置於液體處理部14及超臨界處理部15的液體處理單元2及超臨界處理單元3之個數，係基於每一單位時間之晶圓W的處理片數、或是在液體處理單元2及超臨界處理單元3之處理時間的不同等而適當選擇；並配合這些液體處理單元2或超臨界處理單元3之配置數量等而選出最佳佈局。
液體處理單元2係構成為例如以旋轉洗淨而一次洗淨1片晶圓W的單片式液體處理單元2，如圖2之縱斷側視圖所示，具備：外處理室21，形成處理空間而作為液體處理單元用處理室；晶圓固持機構23，配置於該外處理室內，在幾乎水平地固持晶圓W之同時，使晶圓W繞鉛直軸旋轉；內杯22，由周圍側以包圍晶圓固持機構23的形式配置，承接由晶圓W飛散之液體；以及噴嘴臂24，構成為在晶圓W之上方位置、和從該上方位置退避之位置之間移動自如，並於其前端部設有噴嘴241。
於噴嘴241連接有：供應各種化學藥液（稀釋氫氟酸等的化學藥液）及去離子水的處理液供應部201、及進行沖洗液（IPA）之供應的沖洗液供應部202，以及對晶圓W表面進行作為防止乾燥用液體的第1含氟有機溶劑之供應的第1含氟有機溶劑供應部203a（第1含氟有機溶劑供應部）、及進行第2含氟有機溶劑之供應的第2含氟有機溶劑供應部203b（第2含氟有機溶劑供應部）。所使用之第1含氟有機溶劑及第2含氟有機溶劑，係不同於後述之超臨界處理所用的超臨界處理用之含氟有機溶劑；再者，係採用第1含氟有機溶劑與第2含氟有機溶劑、以及超臨界處理用之含氟有機溶劑之間的沸點及臨界溫度符合預先決定之關係者，而該詳情將於後文敍述。
再者，於外處理室21，設有風扇過濾單元（FFU；Fan Filter Unit）205，而由此風扇過濾單元205對外處理室21內供應淨化過的空氣。更進一步地，於外處理室21設有低濕度N2 氣體供應部206，而由此低濕度N2 氣體供應部206對外處理室21內供應低濕度N2 氣體。
再者，亦可在晶圓固持機構23內部也形成化學藥品供應管路231，而以此處所供應之化學藥品及沖洗液來進行晶圓W背面之洗淨。於外處理室21、內杯22之底部，設有排氣口212及排液口221、211，該排氣口212係用以將內部環境氣體排出，該排液口221、211係用以將晶圓W所甩出的液體排出。
對於在液體處理單元2完成液體處理的晶圓W，供應作為防止乾燥用之液體的第1含氟有機溶劑及第2含氟有機溶劑，而晶圓W就在以第2含氟有機溶劑之液體包覆其表面的狀態下，以第2搬運機構161搬運至超臨界處理單元3。在超臨界處理單元3，會使晶圓W與超臨界處理用之含氟有機溶劑的超臨界流體接觸以去除第2含氟有機溶劑之液體，並進行乾燥晶圓W之超臨界處理。以下針對超臨界處理單元3之結構，參照圖3、圖4進行說明。
超臨界處理單元3具備：處理容器3A，其作為超臨界處理單元用容器，對附著於晶圓W表面的第2含氟有機溶劑之液體，進行去除處理；以及超臨界處理用流體供應部414，其對該處理容器3A供應超臨界處理用之含氟有機溶劑。
圖4所示之處理容器3A具備：容器本體311，呈外殼狀而形成有搬入搬出晶圓W用的開口部312；晶圓承盤331，可將所要處理之晶圓W橫向固持；以及蓋體構件332，其支撐此晶圓承盤331，同時在晶圓W搬入容器本體311內時將前述開口部312密閉。
容器本體311係形成有處理空間之容器，該處理空間係例如約為200～10000cm3，而可容納直徑300mm的晶圓W；於容器本體311之下方部連接有用以對處理容器3A內供應超臨界處理用流體的超臨界處理用流體供應管線351；於容器本體311上方部則連接有排出管線341（排出部），該排出管線341中途設有用以排出處理容器3A內之流體的開閉閥342。再者，於處理容器3A設有未圖示的推壓機構，其用以抵抗承受自處理空間內之超臨界狀態的處理流體所造成之內壓，而將蓋體構件332朝容器本體311推壓，以密閉處理空間。再者，於容器本體311上方部，設有「超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部350」。此超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部350，係在後述之「加熱器322」加熱「容器本體311」內的超臨界處理用流體而使超臨界處理用流體成為超臨界狀態之前，對容器本體311內供應惰性氣體，以使容器本體311內部加壓。
於容器本體311設有：加熱器322，例如係阻抗發熱體等所構成之加熱部；以及溫度偵側部323，具備用以偵側處理容器3A內之溫度的熱電偶等；而藉由加熱容器本體311，使處理容器3A內的溫度加熱至預先設定之溫度，藉此而可以加熱內部的晶圓W。加熱器322藉由改變供電部321所供應之電力，而可以使發熱量變化，並根據由溫度偵側部323取得之溫度偵側結果，而將處理容器3A內的溫度調節成預先設定之溫度。
超臨界處理用流體供應部414，係連接至中途設有開閉閥352之超臨界處理用流體供應管線351的上游側。此超臨界處理用流體供應部414，係用以供應超臨界處理用之含氟有機溶劑的液體。
超臨界處理用流體供應部414具備：以液體狀態儲藏超臨界處理用之含氟有機溶劑的儲槽414A、輸液用高壓泵414B、N2 氣體供應管線414C、以及流量調節機構等（參照圖6至圖8）。
包含具備如上說明之結構的液體處理單元2及超臨界處理單元3的液體處理裝置1，係如圖1～圖3所示，連接至控制部5。控制部5係由具備未圖示之CPU與記憶部5a的電腦所構成；記憶部5a儲存有程式，其編入了有關以下控制之步驟（命令）群：液體處理裝置1之作用，亦即由晶圓傳送盒100取出晶圓W並在液體處理單元2進行液體處理、接著在超臨界處理單元3進行使晶圓W乾燥之處理後、將晶圓W搬入晶圓傳送盒100內為止的動作。此程式係儲存在例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等記錄媒體，並由該處安裝至電腦。
接下來，針對在液體處理單元2供應至晶圓W表面以作為防止乾燥用之液體的第1含氟有機溶劑及第2含氟有機溶劑、以及為了由晶圓W表面去除防止乾燥用之液體而對處理容器3A供應之超臨界處理用之含氟有機溶劑，進行說明。此處，作為防止乾燥用之液體的第1含氟有機溶劑及第2含氟有機溶劑、以及超臨界處理用之含氟有機溶劑，皆係在烴分子中含有氟原子的含氟有機溶劑。
在這些含氟有機溶劑之中，於選用了1種含氟有機溶劑作為超臨界處理用之含氟有機溶劑時，第2含氟有機溶劑就選用沸點高於（蒸氣壓低於）此超臨界處理用之含氟有機溶劑者。藉此，相較於採用超臨界處理用之含氟有機溶劑作為防止乾燥用之液體的情形，可以在從液體處理單元2搬運至超臨界處理單元3之期間，降低從晶圓W表面揮發之含氟有機溶劑量。
更佳係第1含氟有機溶劑之沸點在100℃前後、第2含氟有機溶劑之沸點則較第1含氟有機溶劑之沸點高出100℃以上為佳。由於沸點在100℃以上的第2含氟有機溶劑在晶圓W搬運途中的揮發量較少，因此在例如直徑300mm之晶圓W的情況下僅需供應約0.01～5cc左右、直徑450mm之晶圓W的情況下僅需供應約0.02～10cc左右之少量含氟有機溶劑，就可以在數十秒～10分鐘左右的期間，使晶圓W表面維持在濕潤狀態。作為參考，若是以IPA而要使晶圓W表面在一樣久的時間內維持濕潤狀態，就需要約10～50cc左右的供應量。
再者，選擇了超臨界處理用之含氟有機溶劑、以及第2含氟有機溶劑時，其沸點之高低，也會對應超臨界溫度之高低。有鑑於此，作為使用作超臨界處理用流體的超臨界處理用含氟有機溶劑，藉由選用沸點低於第2含氟有機溶劑之物，而可以使用能在低溫下形成超臨界流體的含氟有機溶劑，而抑制因含氟有機溶劑分解所導致之氟原子釋出。
＜本實施形態之作用＞ 接下來針對以此種結構所構成之本實施形態的作用，使用圖1至圖8進行說明。
於本實施形態，針對以下使用例的作用進行說明——所使用之防止乾燥用之液體係：使用例如HFE7300（住友3M股份有限公司　Novec（註冊商標）7300　沸點98℃）作為第1含氟有機溶劑、含有例如FC43（住友3M股份有限公司　　Fluorinert（註冊商標）FC－43　沸點174℃）作為第2含氟有機溶劑；所使用之液態之超臨界處理用流體係：含有FC72（住友3M股份有限公司　Fluorinert（註冊商標）FC－72　沸點56℃）作為超臨界處理用的含氟有機溶劑。
首先，由晶圓傳送盒100取出之晶圓W，會經由搬入搬出部12及傳遞部13而搬入液體處理部14的外處理室21內，並傳遞至液體處理單元2的晶圓固持機構23。接著，對旋轉之晶圓W表面供應各種處理液，進行液體處理。（參照圖5）。
作為此種液體處理，係以處理液供應部201所供應之化學藥液，例如係酸性化學藥液之DHF（稀釋氫氟酸）去除微粒或有機性污染物質後，再由來自處理液供應部201之作為沖洗液之去離子水（DeIonized Water：DIW），進行去離子水洗淨。
在完成以化學藥品進行之液體處理及去離子水洗淨後，先由沖洗液供應部202（IPA供應部）對旋轉之晶圓W表面供應IPA，並將殘留在晶圓W表面的去離子水加以置換。待晶圓W表面的液體充分地置換成IPA後，就由第1含氟有機溶劑供應部203a對旋轉之晶圓W表面供應第1含氟有機溶劑（HFE7300）。其後，繼續使晶圓W旋轉，並由第2含氟有機溶劑供應部203b對旋轉之晶圓W表面，供應含有FC43之第2含氟有機溶劑以作為防止乾燥用之液體。其後，停止晶圓W之旋轉。停止旋轉後的晶圓W，藉由含有FC43之第2含氟有機溶劑，而使其表面成為受到包覆的狀態。在此事例中，由於IPA對於去離子水及HFE7300具有高溶解性，故而去離子水能置換成IPA，接著IPA又能置換成HFE7300。接下來HFE7300，又能置換成作為防止乾燥用之液體而含有FC43之第2含氟有機溶劑。
於此期間，亦即在供應DHF時、供應去離子水時、供應IPA時、供應第1含氟有機溶劑時、以及供應第2含氟有機溶劑時之期間，連續性地由低濕度N2 氣體供應部206對外處理室21內供應低濕度（露點－70℃以下）N2 氣體，而使外處理室21內維持在低濕度N2 氣體環境下。此時，外處理室21內之濕度較佳係在3％以下。
又，於上述實施形態，例示了在供應DHF時、供應去離子水時、供應IPA時、供應第1含氟有機溶劑時、以及供應第2含氟有機溶劑時之期間，連續性地由低濕度N2 氣體供應部206對外處理室21內供應低濕度N2 氣體的情形，但並不限定於此；在供應DHF時、供應去離子水時、供應第1含氟有機溶劑時、以及供應第2含氟有機溶劑時之期間，藉由控制部5控制風扇過濾單元205，以從風扇過濾單元205對外處理室21內供應清淨空氣，而僅在供應IPA時藉由控制部5控制低濕度N2 氣體供應部206，以從低濕度N2 氣體供應部206對外處理室21內供應低濕度N2 氣體亦可。或者，在供應IPA時及供應第1含氟有機溶劑時，或供應IPA時及供應第1含氟有機溶劑時及供應第2含氟有機溶劑時之期間，藉由控制部5控制低濕度N2 氣體供應部206，以從低濕度N2 氣體供應部206對外處理室21內供應低濕度N2 氣體亦可。藉此可以降低供應至外處理室21內的低濕度N2 氣體之使用量。
如此這般藉由使外處理室21內維持在低濕度N2 氣體環境下，可以抑制IPA中之水份吸濕，而可以如後述般防止在超臨界處理中之晶圓W的圖案崩壞。
如此這般完成液體處理之晶圓W，會藉由第2搬運機構161而從液體處理單元2搬出，並搬運至超臨界處理單元3。此時，防止乾燥用之液體係以裝滿的狀態殘留在晶圓W上。由於防止乾燥用之液體係含有高沸點（低蒸氣壓）之例如FC43的第2含氟有機溶劑，因此可以在搬運期間中，減少從晶圓W表面揮發之第2含氟有機溶劑的量，而可以防止晶圓W頂面乾燥。
接著，如圖3及圖4所示，一旦晶圓W搬入處理容器3A內，蓋體構件332就會關上，而使處理容器3A內部成為密閉狀態。
接下來針對在超臨界處理單元3內的超臨界處理，藉由圖5至圖8以詳細說明。
如圖6至圖8所示，超臨界處理用流體供應部414具有：儲存FC72的儲槽414A、輸液用高壓泵414B、以及N2 氣體供應管線414C。
首先，如圖5及圖6所示，將晶圓W搬運至處理容器3A內，對容器本體311蓋上蓋體構件332。又，處理容器3A內則有加熱器322作動，而加熱到例如200℃。
接著由超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部350對處理容器3A內供應N2 氣體等的惰性氣體，以使處理容器3A內部加壓（參照圖7）。
在此情況，係由超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部350，供應具備常壓～1.0MPa間之壓力的N2 氣體，例如具備0.5Mpa之壓力的N2 氣體。因此，使處理容器3A內部加壓。又，N2 氣體之供應，係在例如處理容器3A內的壓力達到0.05～0.5MPa即停止。N2 氣體之停止供應，亦可不以壓力為基準，而係在開始供應N2 氣體後，經過例如1～30秒的時間之供應後停止。尤其在對處理容器3A內同時供應超臨界處理用流體與N2 氣體之情況下，係以供應時間控制為佳。
接著如圖8所示，從N2 氣體供應管線414C，對儲槽414A內供應具備0.1MPa之壓力的N2 氣體。此時，開閉閥352係開啟，藉此而使儲槽414A內的FC72，由儲槽414A釋出。接著，FC72會藉由超臨界處理用流體供應管線351的輸液用高壓泵414B而昇壓，再供應至處理容器3A內。
在此情況，從超臨界處理用流體供應管線351所供應之液態之FC72，會由容器本體311的下方部輸送至容器本體311內。
由超臨界處理用流體供應部414供應了液態之超臨界處理用流體後，就關閉超臨界處理用流體供應管線351的開閉閥352。又，超臨界處理用流體（FC72）藉由加熱器322而在處理容器3A內加熱、並且因處理容器3A內部加壓，而使超臨界處理用流體（FC72）能成為超臨界狀態。
在此情況，於處理容器3A內，防止乾燥用之液體（FC43）係以裝滿的狀態，殘留在晶圓W上。
處理容器3A內部，係藉由超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部350所供應之N2 氣體而受到加壓。因此，不會發生因晶圓W上的FC43急速地蒸發而使晶圓W上面急速乾燥、或圖案崩壞的情形。
亦即，在加熱處理容器3A內的液態之超臨界處理用流體（FC72）、而在達到超臨界狀態前，處理容器3A內的內壓上昇較小。因此在未以N2 氣體使處理容器3A內部加壓的狀態下，加熱處理容器3A內的液態之超臨界處理用流體（FC72）而在達到超臨界狀態前，晶圓W上的FC43也有在處理容器3A內急速氣化的可能性。
相對於此，若藉由本實施形態，由於係在以N2 氣體加壓處理容器3A內部後，再加熱處理容器3A內的液態之超臨界處理用流體，而使超臨界處理用流體成為超臨界狀態，因此不會發生因晶圓W上的FC43急速蒸發而使晶圓W乾燥、或圖案崩壞的情形。
就這樣，待除去晶圓W表面的防止乾燥用之液體所需時間經過後，就開啟排出管線341之開閉閥342，而從處理容器3A內，以超臨界狀態或者氣態排出上述超臨界處理用流體。此時，係藉由加熱器322而例如使處理容器3A內部維持在混合液之臨界溫度以上。其結果，在不使防止乾燥用之液體液化的狀態下，就能以超臨界狀態或者氣體之狀態排出臨界處理用流體，而可以避免在流體排出時發生圖案崩塌。
以超臨界流體進行之處理完成後，就以第2搬運機構161取出已去除液體而乾燥了的晶圓W，並經由傳遞部13及搬入搬出部12而容納在晶圓傳送盒100，結束對該晶圓W所進行之一連串處理。在液體處理裝置1，會對晶圓傳送盒100內的各晶圓W，連續進行上述處理。
如上所述，由於在本實施形態，係在以N2 氣體加壓處理容器3A內部後，再加熱處理容器3A內的超臨界處理用流體，而使超臨界處理用流體成為超臨界狀態，因此不會發生晶圓W上的FC43急速蒸發、或圖案崩壞的情形。
＜本發明之變形例＞ 又，於上述實施形態，揭示了由超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部350對處理容器3A內供應N2 氣體後，再由超臨界處理用流體供應部414對處理容器3A內供應超臨界處理用流體的例子；但並不限定於此，亦可對處理容器3A內同時供應N2 氣體與超臨界處理用流體；亦可在對處理容器3A內供應過超臨界處理用流體後，再供應N2 氣體； 又或者亦可使供應至處理容器3A內的N2 氣體，具備常壓～1.0MPa的壓力。
又，於本實施形態，所例示之方法係將晶圓W插入容器3A內，再將超臨界處理用流體供應管線351所供應之液態之FC72，從容器本體311之下方部輸送至容器本體311內部；但並不限定於此，亦可使液態之FC72在處理容器3A外，供應至以FC43覆蓋的晶圓W上，再將以FC43與FC72之混合液覆蓋的晶圓W插入容器3A內，而在使晶圓W上的混合液成為超臨界狀態前，就對處理容器3A內供應N2 氣體；再者，亦可在處理容器3A內，將液態之FC72供應至以FC43覆蓋的晶圓W上，使其成為FC43與FC72之混合液的狀態，而在使晶圓W上的混合液成為超臨界狀態前，就對處理容器3A內供應N2 氣體。藉此，即使在形成於晶圓上的「液態之乾燥防止用」及「液態之超臨界處理用」流體的混合液受到加熱的情況下，也能防止混合液沸騰，而可以抑制圖案崩塌之發生。
1‧‧‧液體處理裝置
2‧‧‧液體處理單元
3‧‧‧超臨界處理單元
3A‧‧‧處理容器
5‧‧‧控制部
5a‧‧‧記憶部
100‧‧‧晶圓傳送盒
11‧‧‧載置部
12‧‧‧搬入搬出部
121‧‧‧第1搬運機構
13‧‧‧傳遞部
131‧‧‧傳遞棚架
14‧‧‧液體處理部
15‧‧‧超臨界處理部
161‧‧‧第2搬運機構
162‧‧‧搬運空間
201‧‧‧處理液供應部
202‧‧‧沖洗液供應部
203a‧‧‧第1含氟有機溶劑供應部
203b‧‧‧第2含氟有機溶劑供應部
205‧‧‧風扇過濾單元
206‧‧‧低濕度N2氣體供應部
21‧‧‧外處理室
212‧‧‧排氣口
22‧‧‧內杯
221、211‧‧‧排液口
23‧‧‧晶圓固持機構
231‧‧‧化學藥品供應管路
24‧‧‧噴嘴臂
241‧‧‧噴嘴
311‧‧‧容器本體
312‧‧‧開口部
321‧‧‧供電部
322‧‧‧加熱器
323‧‧‧溫度偵側部
331‧‧‧晶圓承盤
332‧‧‧蓋體構件
341‧‧‧排出管線
342‧‧‧開閉閥
350‧‧‧超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部
351‧‧‧超臨界處理用流體供應管線
352‧‧‧開閉閥
414‧‧‧超臨界處理用流體供應部
414A‧‧‧儲槽
414B‧‧‧輸液用高壓泵
414C‧‧‧N2氣體供應管線
W‧‧‧晶圓
【圖1】圖1係液體處理裝置的橫斷俯視圖。 【圖2】圖2係設於液體處理裝置之液體處理單元的縱斷側視圖。 【圖3】圖3係設於液體處理裝置之超臨界處理單元的結構圖。 【圖4】圖4係超臨界處理單元之處理容器的外觀立體圖。 【圖5】圖5係本實施形態之作用的繪示圖。 【圖6】圖6係本實施形態之作用的繪示圖。 【圖7】圖7係本實施形態之作用的繪示圖。 【圖8】圖8係本實施形態之作用的繪示圖。
3‧‧‧超臨界處理單元
3A‧‧‧處理容器
5‧‧‧控制部
5a‧‧‧記憶部
311‧‧‧容器本體
321‧‧‧供電部
322‧‧‧加熱器
323‧‧‧溫度偵側部
341‧‧‧排出管線
342‧‧‧開閉閥
350‧‧‧超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部
351‧‧‧超臨界處理用流體供應管線
352‧‧‧開閉閥
414‧‧‧超臨界處理用流體供應部
W‧‧‧晶圓

Claims (6)

  1. 一種基板處理方法，包括以下步驟： 將裝滿防止乾燥用之液體之被處理體，搬運至超臨界處理單元用容器內的步驟； 對該超臨界處理單元用容器內的被處理體外或者被處理體上、或者該超臨界處理單元用容器外的被處理體上，供應沸點低於該防止乾燥用之液體的超臨界處理用流體的步驟；以及 加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態之流體的步驟； 在加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體前，預先對該超臨界處理單元用容器內供應惰性氣體，以使該超臨界處理單元用容器內部加壓。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，該惰性氣體係在供應該超臨界處理用流體之前，就供應至該超臨界處理單元用容器內。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，該惰性氣體係在該超臨界處理用流體之供應的同時、或者在其後，供應至該超臨界處理單元用容器內。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，該惰性氣體係以常壓～1.0MPa的壓力，供應至該超臨界處理單元用容器內。
  5. 一種基板處理裝置，包括： 搬運手段，將裝滿防止乾燥用之液體之被處理體，搬運至超臨界處理單元用容器內； 超臨界處理用流體供應部，對該超臨界處理單元用容器內的被處理體外或者被處理體上、或者該超臨界處理單元用容器外的被處理體上，供應沸點低於該防止乾燥用之液體的超臨界處理用流體；以及 加熱部，加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體； 更設有超臨界處理單元容器用惰性氣體供應部，在加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體前，預先對該超臨界處理單元用容器內供應惰性氣體，以使該超臨界處理單元用容器內部加壓。
  6. 一種記錄媒體，係用以使電腦執行基板處理方法； 該基板處理方法，包括以下步驟： 將裝滿防止乾燥用之液體之被處理體，搬運至超臨界處理單元用容器內的步驟； 對該超臨界處理單元用容器內的被處理體外或者被處理體上、或者該超臨界處理單元用容器外的被處理體上，供應沸點低於該防止乾燥用之液體的超臨界處理用流體的步驟；以及 加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體的步驟； 在加熱該超臨界處理單元用容器內的該超臨界處理用流體、或該防止乾燥用之液體與該超臨界處理流體的混合液，以形成超臨界狀態流體前，預先對該超臨界處理單元用容器內供應惰性氣體，以使該超臨界處理單元用容器內部加壓。
TW105129019A 2015-09-15 2016-09-08 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體 TWI667080B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015182234A JP6498573B2 (ja) 2015-09-15 2015-09-15 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP2015-182234 2015-09-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201718116A true TW201718116A (zh) 2017-06-01
TWI667080B TWI667080B (zh) 2019-08-01

Family

ID=58257589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105129019A TWI667080B (zh) 2015-09-15 2016-09-08 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20170076938A1 (zh)
JP (1) JP6498573B2 (zh)
KR (1) KR102609934B1 (zh)
TW (1) TWI667080B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110491770B (zh) * 2018-05-15 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 基板处理方法、存储介质以及基板处理装置
JP7197396B2 (ja) * 2019-02-06 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP7445698B2 (ja) * 2022-04-19 2024-03-07 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び方法
US11940734B2 (en) 2022-04-21 2024-03-26 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
WO2024085000A1 (ja) * 2022-10-20 2024-04-25 東京エレクトロン株式会社 流体供給システム、基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000107725A (ja) * 1998-10-02 2000-04-18 Advantest Corp 部材処理方法および装置
US6602349B2 (en) * 1999-08-05 2003-08-05 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
US6763840B2 (en) * 2001-09-14 2004-07-20 Micell Technologies, Inc. Method and apparatus for cleaning substrates using liquid carbon dioxide
JP4042412B2 (ja) * 2002-01-11 2008-02-06 ソニー株式会社 洗浄及び乾燥方法
WO2003064065A1 (en) * 2002-01-25 2003-08-07 Supercritical Systems Inc. Method for reducing the formation of contaminants during supercritical carbon dioxide processes
US20040003828A1 (en) * 2002-03-21 2004-01-08 Jackson David P. Precision surface treatments using dense fluids and a plasma
JP3920738B2 (ja) * 2002-08-22 2007-05-30 株式会社神戸製鋼所 微細構造体の乾燥方法
US7737097B2 (en) * 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
JP2005101074A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界乾燥方法
JP5506461B2 (ja) * 2010-03-05 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置及び超臨界処理方法
KR20120028672A (ko) * 2010-09-15 2012-03-23 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP5146522B2 (ja) * 2010-11-26 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6085424B2 (ja) * 2011-05-30 2017-02-22 株式会社東芝 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
WO2012165377A1 (ja) * 2011-05-30 2012-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP6085423B2 (ja) * 2011-05-30 2017-02-22 株式会社東芝 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
EP2839503A4 (en) * 2012-04-17 2016-03-23 Praxair Technology Inc SYSTEM FOR DELIVERING MULTIPLE CLEANED PHASES OF CARBON DIOXIDE TO A PROCESS TOOL
KR101920941B1 (ko) * 2012-06-08 2018-11-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 유체의 공급 방법 및 기억 매체
JP6068029B2 (ja) 2012-07-18 2017-01-25 株式会社東芝 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
TWI826650B (zh) * 2012-11-26 2023-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理
JP5607269B1 (ja) * 2014-01-17 2014-10-15 株式会社東芝 基板処理方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102609934B1 (ko) 2023-12-04
JP2017059642A (ja) 2017-03-23
KR20170032857A (ko) 2017-03-23
US20170076938A1 (en) 2017-03-16
JP6498573B2 (ja) 2019-04-10
TWI667080B (zh) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6085423B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
TWI667080B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
US10199240B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP6068029B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
CN108155116B (zh) 基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统
TWI500099B (zh) 基板處理裝置
TWI479586B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
KR102448228B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
KR102253559B1 (ko) 분리 재생 장치 및 기판 처리 장치
JP2012023102A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102251259B1 (ko) 분리 재생 장치 및 기판 처리 장치
TWI643241B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
JP6085424B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP6742887B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP2023105681A (ja) 基板処理方法及びイオン液体
JP6444843B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
TW201935545A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2017212341A (ja) フッ素含有有機溶剤の回収装置および基板処理装置