TWI643241B - 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係壓低在超臨界處理中所需使用之含氟有機溶劑的種類。
上述課題的解決手段係提供一種基板處理方法，其包含下步驟：在液體處理單元2之外處理室21內，對晶圓W供應不含氟之有機溶劑的步驟；以及供應不會在常溫下與有機溶劑溶解、但會在溶解溫度以上溶解的防止乾燥用之含氟有機溶劑的步驟。有機溶劑和含氟有機溶劑受到加熱會溶解，有機溶劑會置換成含氟有機溶劑。

Description

基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體
本發明係有關用於基板之超臨界乾燥的基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體。
在作為基板之半導體晶圓（以下稱為晶圓）等的表面上形成積體電路之積層結構的半導體裝置製程中，於藉由化學藥品等洗淨液所進行之液體處理工程而去除附著在晶圓表面之液體等時，由於液體之表面張力而導致晶圓上所形成之圖案崩塌、即所謂圖案崩壞的現象，造成了問題。
作為抑制此種圖案崩壞之發生、同時去除附著在晶圓表面之液體的手法，已知有使用超臨界狀態之流體的方法。相較於液體，超臨界狀態之流體的黏度較小，且引出液體的能力也較高，再加上超臨界狀態之流體與處於平衡狀態之液體或氣體之間，不會存在界面。有鑑於此，將附著在晶圓表面之液體置換成超臨界狀態之流體，在此之後，藉由使超臨界狀態之流體的狀態變化成氣體，如此一來就可不受表面張力之影響而使液體乾燥。
例如於專利文獻1，基於以下觀點：液體與超臨界狀態之流體間的置換性高低、對超臨界乾燥室之水分帶入的抑制、將基板搬入處理容器為止之防止乾燥用之含氟有機溶劑之揮發、以及抑制含氟有機溶劑在處理容器內的分解，而防止乾燥用之液體、及超臨界狀態之流體雙方皆使用含氟有機溶劑（於專利文獻1係沸點不同之含氟有機溶劑）。再者，含氟有機溶劑就難燃性的觀點來看，亦適於作為防止乾燥用之液體。
話說至此，為了將附著在晶圓表面之液體置换成超臨界狀態流體，就會考量到置換性的高低，而使用複數種類（例如2種以上）之含氟有機溶劑。然而此種含氟有機溶劑價格不菲，而希望減少需使用之含氟有機溶劑的種類。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2014－022566號公報
［發明所欲解決的問題］ 本發明係考量此點而研創者，其目的在於提供一種基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體，使得在超臨界處理之際，為使附著於晶圓表面之液體置換成超臨界狀態之流體所使用的含氟有機溶劑之種類，可以減少。 ［解決問題之技術手段］
本發明係一種基板處理方法，包括以下步驟：對被處理體供應不含氟之有機溶劑所構成的第1溶劑之步驟；以及對該被處理體，供應不會在常溫下與該第1溶劑溶解、且會在高於常溫的溫度下與該第1溶劑溶解之含氟有機溶劑所構成的第2溶劑，同時一邊將該第1溶劑及該第2溶劑加熱至溶解溫度以上以使該第1溶劑與該第2溶劑溶解，一邊將該第1溶劑置換成該第2溶劑的步驟。
本發明係一種基板處理裝置，包括：液體處理單元用處理室，容納被處理體；第1溶劑供應部，對該液體處理單元用處理室內的該被處理體，供應不含氟之有機溶劑所構成的第1溶劑；第2溶劑供應部，對該液體處理單元用處理室內的該被處理體，供應不會在常溫下與該第1溶劑溶解、且會在高於常溫之溫度下與該第1溶劑溶解之含氟有機溶劑所構成的第2溶劑；以及溶劑加熱部，將該第1溶劑及該第2溶劑加熱至溶解溫度以上，以使該第1溶劑與該第2溶劑溶解。
本發明係一種記錄媒體，係用以使電腦執行基板處理方法；該基板處理方法，包括以下步驟：對被處理體供應不含氟之有機溶劑所構成的第1溶劑之步驟；以及對該被處理體，供應不會在常溫下與該第1溶劑溶解、且會在高於常溫的溫度下與該第1溶劑溶解之含氟有機溶劑所構成的第2溶劑，同時一邊將該第1溶劑及該第2溶劑加熱至溶解溫度以上以使該第1溶劑與該第2溶劑溶解，一邊將該第1溶劑置換成該第2溶劑的步驟。 ［發明之效果］
藉由本實施形態，使得在藉由超臨界處理以去除附著於晶圓表面之液體之際，得以儘可能地減少需使用之含氟有機溶劑的種類。
＜本發明之實施形態＞ ＜基板處理裝置＞ 首先針對本發明之基板處理裝置，進行說明。作為基板處理裝置之一例，針對液體處理裝置1進行說明，該液體處理裝置1具備：液體處理單元2，對於作為基板的晶圓W（被處理體）供應各種處理液以進行液體處理；以及超臨界處理單元3，對於液體處理後之晶圓W上所附著之防止乾燥用的液體，以超臨界流體（超臨界狀態之流體）與之接觸而加以去除。
圖1係繪示液體處理裝置1之全體結構的橫斷俯視圖，以面向該圖時之左側視作前方。於液體處理裝置1內，係於載置部11上載置FOUP100，並經由搬入搬出部12及移交部13，將容納於該FOUP100內之例如直徑300mm的複數枚晶圓W，與後段之液體處理部14、超臨界處理部15之間進行移交，而依序搬入液體處理單元2、超臨界處理單元3，以進行液體處理或去除防止乾燥用之液體的處理。圖中，121係在FOUP100與移交部13之間搬運晶圓W之第1搬運機構；131係扮演暫存器角色的移交棚架，以供晶圓W在搬入搬出部12與液體處理部14、超臨界處理部15之間受到搬運時暫時載置。
液體處理部14及超臨界處理部15，係設置成包夾著晶圓W之搬運空間162，該搬運空間162係由移交部13之間的開口部朝前後方向延伸。從前方側觀察下，在設於搬運空間162左方的液體處理部14，係沿著前述搬運空間162配置有例如4台液體處理單元2。另一方面，在設於搬運空間162右方的超臨界處理部15，係沿著前述搬運空間162配置有例如2台超臨界處理單元3。
晶圓W係藉由配置在搬運空間162的第2搬運機構161，而在各液體處理單元2、超臨界處理單元3及移交部13間搬運。第2搬運機構161相當於基板搬運單元。在此，配置於液體處理部14或超臨界處理部15的液體處理單元2或超臨界處理單元3之個數，係基於每一單位時間之晶圓W的處理枚數、或在液體處理單元2及超臨界處理單元3之處理時間的不同等而適當選擇；並配合這些液體處理單元2或超臨界處理單元3之配置數量等而選出最佳佈局。
液體處理單元2係構成為藉由例如旋轉洗淨而一次洗淨1枚晶圓W的單片式液體處理單元2；如圖2之縱斷側視圖所示，具備：外處理室21，形成處理空間而作為液體處理單元用處理室；晶圓保持機構23，配置於該外處理室內，在幾乎水平地保持晶圓W之同時，使晶圓W繞鉛直旋轉；內杯22，由周圍側以包圍晶圓保持機構23的形式配置，承接由晶圓W飛散之液體；以及噴嘴臂24，構成為在晶圓W之上方位置、和從該上方位置退避之位置之間移動自如，並於其前端部設有噴嘴241。
於噴嘴241連接有：處理液供應部201，供應各種化學藥品；有機溶劑供應部（第1溶劑供應部）202，進行己烷等不含氟之有機溶劑（第1溶劑）之供應；以及含氟有機溶劑供應部203（第2溶劑供應部），對晶圓W表面進行作為防止乾燥用之液體的含氟有機溶劑（第2溶劑）之供應。所使用之含氟有機溶劑（第2溶劑），係不同於後述超臨界處理所用的超臨界處理用之含氟有機溶劑；再者，係採用己烷等不含氟之有機溶劑（第1溶劑）、防止乾燥用之含氟有機溶劑（第2溶劑）、超臨界處理用之含氟有機溶劑之間的沸點及臨界溫度符合預先決定之關係者，而該詳情將於後文敍述。
再者，於外處理室21，設有FFU（Fan　Filter　Unit；風扇過濾單元）205，而由此FFU205對外處理室21內供應淨化過的空氣。更進一步地，於外處理室21設有低濕度N2 氣體供應部206，而由此低濕度N2 氣體供應部206對外處理室21內供應低濕度N2 氣體。
再者，晶圓保持機構23內部亦可形成有具備開口231a之化學藥品供應管路231，而由此處所供應之化學藥品及沖洗液以進行晶圓W背面之洗淨。在此情況下，亦可使用化學藥品供應管路231，而對晶圓W背面供應後述之高溫去離子水（DeIonized　Water：DIW）。於外處理室21、內杯22之底部，設有排氣口212及排液口221、211，該排氣口212係用以將內部環境氣體排出，該排液口221、211係用以將晶圓W所甩出的液體排出。
對於在液體處理單元2完成液體處理的晶圓W，供應防止乾燥用之含氟有機溶劑（第2溶劑），而晶圓W就在其表面以防止乾燥用之含氟有機溶劑包覆的狀態下，以第2搬運機構161搬運至超臨界處理單元3。在超臨界處理單元3，會使晶圓W與超臨界處理用之含氟有機溶劑的超臨界流體接觸以去除防止乾燥用之含氟有機溶劑，並進行乾燥晶圓W之處理。以下針對超臨界處理單元3之結構，參照圖3、圖4進行說明。
超臨界處理單元3具備：處理容器3A，其作為超臨界處理單元用容器，進行去除附著於晶圓W表面的防止乾燥用之含氟有機溶劑的處理；以及超臨界流體供應部4A（超臨界處理用之含氟有機溶劑供應部），其對該處理容器3A供應超臨界處理用之含氟有機溶劑的超臨界流體。
圖4所示之處理容器3A具備：容器本體311，呈外殼狀而形成有搬入搬出晶圓W用的開口部312；晶圓承盤331，可將所要處理之晶圓W橫向保持；以及蓋體構件332，其支持此晶圓承盤331，同時在晶圓W搬入容器本體311內時將前述開口部312密閉。
容器本體311係形成有處理空間之容器，該處理空間係例如約為200～10000cm3，而可容納直徑300mm的晶圓W；於其頂面連接有：超臨界流體供應管線351，用以對處理容器3A內供應超臨界流體；以及排出管線341（排出部），中途設有用以排出處理容器3A內之流體的開閉閥342。再者，於處理容器3A設有未圖示的推壓機構，其用以抵抗承受自對處理空間內供應之超臨界狀態的處理流體造成之內壓，而將蓋體構件332朝容器本體311推壓，以密閉處理空間。
於容器本體311設有：加熱器322，例如係阻抗發熱體等所構成之加熱部；以及溫度偵側部323，具備用以偵側處理容器3A內之溫度的熱電偶等；而藉由加熱容器本體311，使處理容器3A內的溫度加熱至預先設定之溫度，藉此而可以加熱內部的晶圓W。加熱器322藉由改變供電部321所供應之電力，而可以使發熱量變化，並根據由溫度偵側部323取得之溫度偵側結果，而將處理容器3A內的溫度調節成預先設定之溫度。
超臨界流體供應部4A，係連接至中途設有開閉閥352之超臨界流體供應管線351的上游側。超臨界流體供應部4A具備：螺旋管411，係準備對處理容器3A供應之超臨界處理用之含氟有機溶劑的超臨界流體之配管；超臨界處理用之含氟有機溶劑供應部414，用以對該螺旋管411供應作為超臨界流體之原料的超臨界處理用之含氟有機溶劑的液體；以及鹵素燈413，加熱螺旋管411而使其內部的超臨界處理用之含氟有機溶劑成為超臨界狀態。
螺旋管411係將例如不鏽鋼製之配管構件在長邊方向捲繞成螺旋狀而形成之圓筒型容器，為了易於吸收鹵素燈413所供應之輻射熱，而漆上例如黑色之輻射熱吸收塗料。鹵素燈413則是沿著螺旋管411之圓筒的中心軸，而配置成離開螺旋管411之內壁面。
在鹵素燈413的下端部，連接有電源部412，藉由電源部412所供應之電力而使鹵素燈413發熱，主要係利用其輻射熱而加熱螺旋管411。電源部412係與設於螺旋管411之未圖示的溫度偵側部連接，並根據此偵側溫度而增減對螺旋管411供應之電力，而可以將螺旋管411內加熱至預先設定之溫度。
再者，自螺旋管411之下端部延伸有配管構件，而形成超臨界處理用之含氟有機溶劑之接收管線415。此接收管線415係透過具備耐壓性之開閉閥416，而連接超臨界處理用之含氟有機溶劑供應部414。超臨界處理用之含氟有機溶劑供應部414具備：以液體狀態儲藏超臨界處理用之含氟有機溶劑的儲槽、輸液泵、流量調節機構等。
包含具備如上說明之結構的液體處理單元2及超臨界處理單元3的液體處理裝置1，係如圖1～圖3所示，連接至控制部5。控制部5係由具備未圖示之CPU與記憶部5a的電腦所構成；記憶部5a儲存有程式，其編入了有關以下控制之步驟（命令）群：液體處理裝置1之作用，亦即從FOUP100取出晶圓W並在液體處理單元2進行液體處理、接著在超臨界處理單元3進行使晶圓W乾燥之處理後、將晶圓W搬入FOUP100內為止的動作。此程式係儲存在例如硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等記錄媒體，並由該處安裝至電腦。
接下來，針對在液體處理單元2供應至晶圓W表面之作為第1溶劑的己烷等不含氟之有機溶劑、及作為第2溶劑之防止乾燥用之含氟有機溶劑，以及為了由晶圓W表面去除防止乾燥用之含氟有機溶劑，而以超臨界流體之狀態對處理容器3A供應之超臨界處理用之含氟有機溶劑，進行說明。其中，防止乾燥用之含氟有機溶劑、以及超臨界處理用之含氟有機溶劑，皆係在烴分子中含有氟原子的含氟有機溶劑。
於下（表1）列示：己烷等不含氟之有機溶劑（第1溶劑）、防止乾燥用之含氟有機溶劑（第2溶劑）及超臨界處理用之含氟有機溶劑之組合例。 【表1】 ［表1］
在（表1）的分類名中，PFC（PerFluoro Carbon）代表將烴之所有的氫都置換成氟的含氟有機溶劑，PFE（PerFluoro Ether）代表在分子內具有醚鍵結的烴之所有的氫都置換成氟的含氟有機溶劑。
在這些含氟有機溶劑之中，於選用1種含氟有機溶劑作為超臨界處理用之含氟有機溶劑時，防止乾燥用之含氟有機溶劑就選用沸點高於（蒸氣壓低於）此超臨界處理用之含氟有機溶劑之物。藉此，相較於採用超臨界處理用之含氟有機溶劑作為防止乾燥用之液體的情形，可以在從液體處理單元2搬運至超臨界處理單元3之期間，降低從晶圓W表面揮發之含氟有機溶劑量。
防止乾燥用之含氟有機溶劑的沸點（沸點係標準沸點），係以高於己烷沸點的100℃以上（例如174℃）為佳。由於沸點在100℃以上的防止乾燥用之含氟有機溶劑在晶圓W搬運途中的揮發量較少，因此在例如直徑300mm之晶圓W的情況下僅需供應約0.01～5cc左右、直徑450mm之晶圓W的情況下僅需供應約0.02～10cc左右之少量含氟有機溶劑，就可以在數十秒～10分鐘左右的期間，使晶圓W表面維持在濕潤狀態。作為參考，若是以IPA而要使晶圓W表面維持到同樣濕潤的狀態，就需要約10～50cc左右的供應量。然而己烷與防止乾燥用之含氟有機溶劑，例如FC43，雖然在常溫（5～35℃）（JISZ8703）不會溶解，但若加熱到高於常溫的溫度（例如60℃），就會相互溶解（溶解溫度）。
再者，作為用作超臨界流體的超臨界處理用之含氟有機溶劑，藉由選用沸點低於防止乾燥用之含氟有機溶劑之物，而可以使用能在低溫下形成超臨界流體的含氟有機溶劑，而抑制因含氟有機溶劑分解所導致之氟原子釋出。
＜本實施形態之作用＞ 接下來針對以此種結構所構成之本實施形態的作用，使用圖5進行說明。　 針對於本實施形態，使用己烷作為不含氟之有機溶劑（第1溶劑）、使用FC43作為防止乾燥用之含氟有機溶劑（第2溶劑）、使用FC72作為超臨界處理用之含氟有機溶劑之情況下的作用，進行說明。
首先，由FOUP100取出之晶圓W，會經由搬入搬出部12及移交部13而搬入液體處理部14的外處理室21內，並移交至液體處理單元2的晶圓保持機構23。接著，由處理液供應部201對旋轉之晶圓W表面供應各種處理液，進行液體處理。
圖5所示之液體處理係進行：濕洗淨，以例如係酸性之化學藥品的DHF（稀釋氫氟酸）去除微粒或有機性污染物質；以及沖淋洗淨，以作為沖洗液之去離子水（DeIonized　Water：DIW）進行。
在完成以化學藥品進行之液體處理及沖淋洗淨後，先由有機溶劑供應部（第1溶劑供應部）202對旋轉之晶圓W表面供應IPA（水溶性之有機溶劑），並將殘留在晶圓W表面之圖案WP間及背面的DIW置換成IPA（參照圖5）。待晶圓W表面之圖案WP間的液體充分地置換成IPA後，就停止由有機溶劑供應部202進行之IPA供應；取而代之，由有機溶劑供應部202對晶圓W表面供應己烷（第1溶劑），如此這般將晶圓W之圖案WP間的IPA置換成己烷。接下來，從含氟有機溶劑供應部（第2溶劑供應部）203對旋轉之晶圓W表面供應了防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）後，就停止晶圓W之旋轉。停止旋轉後的晶圓W藉由防止乾燥用之含氟有機溶劑，而使其表面之圖案WP成為受到包覆的狀態。在此情況下，由於IPA具有與DIW之間的高親和性，故而能以IPA置換掉DIW；再者，由於己烷具有與IPA之間的高親和性，故而能以己烷置換掉IPA。另一方面，FC43不會在常溫（5～30℃）下和己烷溶解。因此己烷在FC43中，不會與FC43混合，而尤其是會存在於晶圓W的圖案WP間。
走筆至此，從含氟有機溶劑供應部203對晶圓W表面供應防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）的期間，會從晶圓保持機構23的化學藥品供應管路231經由開口231a，而對晶圓W背面供應高溫（80℃）的DIW。藉由如此這般對晶圓W背面供應高溫的DIW，而將原已供應至晶圓W表面之己烷和FC43，加熱至上述之溶解溫度（60℃）以上，而使己烷與FC43相互溶解。然後藉由從含氟有機溶劑供應部203對晶圓W表面更進一步地供應FC43，而將晶圓W上的己烷、尤其是在圖案WP間的己烷，逐漸地置換成FC43。
如圖5所示，完成液體處理之晶圓W，會藉由第2搬運機構161而從液體處理單元2搬出，並搬運至超臨界處理單元3。此時，晶圓W上的己烷已被置換成防止乾燥用之含氟有機溶劑，尤其是在圖案WP間，會殘留含氟有機溶劑。又，由於係採用沸點高（蒸氣壓低）的含氟有機溶劑作為防止乾燥用之含氟有機溶劑，因此可以在搬運期間中，減少從晶圓W表面揮發之含氟有機溶劑的量。
而在對超臨界處理單元3之處理容器3A搬入晶圓W前的時間點，超臨界流體供應部4A會將開閉閥416開啟；待超臨界處理用之含氟有機溶劑供應部414輸送出指定量的超臨界處理用之含氟有機溶劑的液體後，就將開閉閥352、416關閉，使螺旋管411成為密封狀態。此時，超臨界處理用之含氟有機溶劑的液體會積在螺旋管411的下方側；而在螺旋管411之上方側，會在加熱超臨界處理用之含氟有機溶劑時，留出供蒸發後的超臨界處理用之含氟有機溶劑膨脹之空間。
如此這般完成液體處理、而表面受到防止乾燥用之含氟有機溶劑包覆之晶圓W，會載置在超臨界處理單元3之處理容器3A的晶圓承盤331上，待蓋體構件332關閉而搬入超臨界處理單元3內。
接下來在超臨界處理單元3的處理容器3A內，以加熱器322加熱晶圓W，藉此而使防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）受到加熱。
在此狀態下，由電源部412開始對鹵素燈413供電；一旦使鹵素燈413發熱，螺旋管411內部就受到加熱，超臨界處理用之含氟有機溶劑會蒸發，進而昇溫、昇壓，達到臨界溫度、臨界壓力，而成為超臨界流體。
螺旋管411內的超臨界處理用之含氟有機溶劑，在供應至處理容器3A之際，會昇溫、昇壓到可以維持臨界壓力、臨界溫度的溫度、壓力為止。
其後，在蓋體構件332被關閉、設為密閉狀態之狀態下，在晶圓W表面的防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）乾燥前，開啟超臨界流體供應管線351的開閉閥352，而由超臨界流體供應部41供應超臨界處理用之含氟有機溶劑（FC72）的超臨界流體。
當由超臨界流體供應部4A供應超臨界流體，而使處理容器3A內成為超臨界處理用之含氟有機溶劑（FC72）的超臨界流體環境後，就關閉超臨界流體供應管線351的開閉閥352。超臨界流體供應部4A熄滅鹵素燈413，並透過未圖示之減壓管線而使螺旋管411內的流體排出，為準備下一批超臨界流體而備妥狀態，以從超臨界處理用之含氟有機溶劑供應部414接收液體之超臨界處理用之含氟有機溶劑（FC72）。
另一方面，處理容器3A停止來自外部之超臨界流體供應，其內部充滿了超臨界處理用之含氟有機溶劑（FC72）的超臨界流體，成為密閉狀態。此時，若將焦點放在處理容器3A內的晶圓W表面，則其流入圖案WP內之防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）的液體，正與超臨界處理用之含氟有機溶劑（FC72）的超臨界流體相接。此時，處理容器3A內係溫度200℃、壓力2MPa。
若維持這般防止乾燥用之含氟有機溶劑的液體、與超臨界流體相接的狀態，則容易互相混合的防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）、及超臨界處理用之含氟有機溶劑（FC72）會彼此混合，圖案WP間的液體會置換成超臨界流體。一段時間之後，防止乾燥用之含氟有機溶劑的液體就會從晶圓W表面去除，而圖案WP之周圍，會形成防止乾燥用之含氟有機溶劑、與超臨界處理用之含氟有機溶劑之混合物的超臨界流體之環境。此時，由於可以在接近超臨界處理用之含氟有機溶劑的臨界溫度之較低溫度下，去除防止乾燥用之含氟有機溶劑的液體，因此含氟有機溶劑幾乎不會分解，而對圖案等造成損傷之氟化氫的產生量也少。
如此這般，待去除晶圓W表面的防止乾燥用之含氟有機溶劑的液體所需時間經過後，就開啟排出管線341之開閉閥342，而從處理容器3A內排出含氟有機溶劑。此時，會調節來自加熱器322之供熱量，以使例如處理容器3A內維持在超臨界處理用之含氟有機溶劑之臨界溫度以上。其結果，不會使沸點高於超臨界處理用之含氟有機溶劑的臨界溫度的防止乾燥用之含氟有機溶劑液化，就能使混合流體在超臨界狀態或氣體之狀態下排出，而可以避免在流體排出時發生圖案崩壞。
以超臨界流體進行之處理完成後，就以第2搬運機構161取出已去除液體而乾燥了的晶圓W，並經由移交部13及搬入搬出部12而容納在FOUP100，結束對該晶圓W所進行之一連串處理。在液體處理裝置1，會對FOUP100內的各晶圓W，連續進行上述處理。
如上所述，若藉由本實施形態，則在外處理室21內對晶圓W供應DIW後，藉由對晶圓W供應IPA，而能以IPA置換掉DIW，進而可以藉由對此IPA供應己烷而置換成IPA和己烷。接下來對於如此這般置換後之己烷，供應防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）。在此情況下，己烷與FC43雖不會在常溫下溶解，但藉由將己烷與FC43加熱至較常溫還高的溶解溫度以上，己烷與FC43會相互溶解，而己烷會逐漸地被FC43所置換。其後藉由對晶圓W供應超臨界處理用之含氟有機溶劑（FC72），而將FC43與FC72混合；藉由對晶圓W施行超臨界處理，而可以在不對圖案等造成損傷的情況下，有效地從晶圓W表面去除FC43與FC72。
如此這般，就不需要對供應有IPA的晶圓W上，供應與IPA及FC43之雙方具有親和性的不同種含氟有機溶劑，來將晶圓W上的IPA到FC43依序加以置換；而可以在對晶圓W供應IPA後，藉由一邊依序供應己烷與FC43，一邊將己烷與FC43加熱到溶解溫度以上，而使己烷與FC43溶解，並以FC43置換掉己烷。如此這般不需要使用與IPA及FC43之雙方具有親和性的不同種含氟有機溶劑，能儘可能地抑制高價之含氟有機溶劑的種類。
＜變形例＞ 接下來針對本發明之變形例，進行說明。　 本變形例之不同點僅在於供應至晶圓W的防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）的加熱方法，其他結構皆與圖1至圖5所示之上述實施形態大致相同。
亦即，於上述實施形態，例示了藉由以高溫的DIW加熱晶圓W的背面以溶解己烷與防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43），而將己烷以FC43置換，但並不限定於此；亦可藉由對晶圓W供應例如加熱至60℃以上之高溫的防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43），以使己烷與防止乾燥用之含氟有機溶劑（FC43）溶解，而將己烷以FC43置換掉（參照圖5）。
又，於上述之實施形態，係例示由外部對超臨界處理單元3供應超臨界流體，但並不限定於此；亦可對超臨界處理單元3供應氣體或液體的超臨界處理用之含氟有機溶劑，之後再使超臨界處理單元3內成為超臨界狀態。
1‧‧‧液體處理裝置
2‧‧‧液體處理單元
3‧‧‧超臨界處理單元
3A‧‧‧處理容器
4A‧‧‧超臨界流體供應部
5‧‧‧控制部
5a‧‧‧記憶部
11‧‧‧載置部
12‧‧‧搬入搬出部
121‧‧‧第1搬運機構
13‧‧‧移交部
131‧‧‧移交棚架
14‧‧‧液體處理部
15‧‧‧超臨界處理部
21‧‧‧外處理室
212‧‧‧排氣口
22‧‧‧內杯
221、211‧‧‧排液口
23‧‧‧晶圓保持機構
231‧‧‧化學藥品供應管路
231a‧‧‧開口
24‧‧‧噴嘴臂
241‧‧‧噴嘴
100‧‧‧FOUP
161‧‧‧第2搬運機構
162‧‧‧搬運空間
201‧‧‧處理液供應部
202‧‧‧有機溶劑供應部
203‧‧‧含氟有機溶劑供應部
205‧‧‧FFU
206‧‧‧低濕度N2氣體供應部
311‧‧‧容器本體
312‧‧‧開口部
321‧‧‧供電部
322‧‧‧加熱器
323‧‧‧溫度偵側部
331‧‧‧晶圓承盤
332‧‧‧蓋體構件
341‧‧‧排出管線
342‧‧‧開閉閥
351‧‧‧超臨界流體供應管線
352‧‧‧開閉閥
411‧‧‧螺旋管
412‧‧‧電源部
413‧‧‧鹵素燈
414‧‧‧超臨界處理用之含氟有機溶劑供應部
415‧‧‧接收管線
416‧‧‧開閉閥
W‧‧‧晶圓
【圖1】圖1係液體處理裝置的橫斷俯視圖。 【圖2】圖2係設於液體處理裝置之液體處理單元的縱斷側視圖。 【圖3】圖3係設於液體處理裝置之超臨界處理單元的結構圖。 【圖4】圖4係超臨界處理單元之處理容器的外觀立體圖。 【圖5】圖5係本實施形態之作用的繪示圖。

Claims (7)

  1. 一種基板處理方法，包括以下步驟：對被處理體供應不含氟之有機溶劑所構成的第1溶劑之步驟；以及對該被處理體，供應不會在常溫下與該第1溶劑溶解、且會在高於常溫的溫度下與該第1溶劑溶解之含氟有機溶劑所構成的第2溶劑，同時一邊將該第1溶劑及該第2溶劑加熱至溶解溫度以上以使該第1溶劑與該第2溶劑溶解，一邊將該第1溶劑置換成該第2溶劑的步驟；且該第1溶劑及該第2溶劑的溶解溫度係40℃以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，藉由加熱該被處理體，以加熱該第1溶劑及該第2溶劑。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，藉由對該被處理體以高溫供應該第2溶劑，以加熱該第1溶劑及該第2溶劑。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，更包括以下步驟：在去除該第1溶劑後，在超臨界處理單元用容器內，使超臨界處理用之含氟有機溶劑成為超臨界狀態之流體而供應至該被處理體；或者，以氣體或液體供應超臨界處理用之含氟有機溶劑，其後再使之成為超臨界狀態之流體。
  5. 一種基板處理裝置，包括：液體處理單元用處理室，容納被處理體；第1溶劑供應部，對該液體處理單元用處理室內的該被處理體，供應不含氟之有機溶劑所構成的第1溶劑；第2溶劑供應部，對該液體處理單元用處理室內的該被處理體，供應不會在常溫下與該第1溶劑溶解、且會在高於常溫之溫度下與該第1溶劑溶解之含氟有機溶劑所構成的第2溶劑；以及溶劑加熱部，將該第1溶劑及該第2溶劑加熱至溶解溫度以上，以使該第1溶劑與該第2溶劑溶解；且該第1溶劑及該第2溶劑的溶解溫度係40℃以上。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，在該液體處理單元用處理室之下游側，設有超臨界處理單元，其容納該被處理體之同時，使超臨界處理用之含氟有機溶劑成為超臨界狀態之流體而供應至該被處理體；或者，以氣體或液體供應超臨界處理用之含氟有機溶劑，其後再使之成為超臨界狀態之流體。
  7. 一種記錄媒體，係用以使電腦執行基板處理方法；該基板處理方法，包括以下步驟：對被處理體供應不含氟之有機溶劑所構成的第1溶劑之步驟；以及對該被處理體，供應不會在常溫下與該第1溶劑溶解、且會在高於常溫的溫度下與該第1溶劑溶解之含氟有機溶劑所構成的第2溶劑，同時一邊將該第1溶劑及該第2溶劑加熱至溶解溫度以上以使該第1溶劑與該第2溶劑溶解，一邊將該第1溶劑置換成該第2溶劑的步驟；且該第1溶劑及該第2溶劑的溶解溫度係40℃以上。
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