TW201709374A

TW201709374A - 劃線之檢查方法

Info

Publication number: TW201709374A
Application number: TW105118833A
Authority: TW
Inventors: 岩坪佑磨; 曾山浩
Original assignee: 三星鑽石工業股份有限公司
Priority date: 2015-08-19
Filing date: 2016-06-15
Publication date: 2017-03-01
Also published as: KR20170022866A; TWI701749B; JP2017039619A; CN106468669A; CN106468669B; KR102579701B1; JP6555002B2

Abstract

本發明之課題在於判別是否適當地形成有裂痕線。於脆性基板4之第1面SF1上設置有劃線SL，該劃線SL具有於第1面SF1上之一位置沿延伸方向延伸之溝槽線TL。將藉由雷射產生之入射光LI自脆性基板4之外部經由第1面SF1向脆性基板4之第1面SF1之一位置之正下方照射。入射光LI之光軸方向具有傾斜成分，該傾斜成分係以垂直於第1面SF1之方向為基準時，朝向在第1面SF1上與延伸方向垂直之方向。藉由裂痕線CL反射入射光LI而產生朝向第2面SF2之反射光LR。藉由將反射光LR反射，而產生自第2面SF2經由第1面SF1朝向脆性基板4之外之出射光LO。測定出射光LO之強度。

Description

劃線之檢查方法

本發明係關於一種形成於脆性基板上之劃線之檢查方法。

於平面顯示面板或太陽電池面板等電氣設備之製造中，經常需要將玻璃基板等脆性基板分斷。首先，於基板上形成劃線，繼而沿著該劃線將基板分斷。劃線可藉由使用切割器具對基板機械性地進行加工而形成。藉由切割器具於基板上滑動或滾動，而於基板上形成由塑性變形所致之溝槽，與此同時，於該溝槽之正下方形成垂直裂痕。其後，完成被稱為斷裂步驟之應力賦予。藉由斷裂步驟使裂痕沿厚度方向完全地行進，藉此將基板分斷。

將基板分斷之步驟多數情況下係於在基板形成劃線之步驟後立即進行。然而，亦提出有於形成劃線之步驟與斷裂步驟之間進行加工基板之步驟。加工基板之步驟例如係於基板上設置某些構件之步驟。

例如根據國際公開第2002/104078號之技術，於有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器之製造方法中，於安裝密封蓋之前，於成為各有機EL顯示器之每一區域於玻璃基板上形成劃線。因此，可避免於設置密封蓋後在玻璃基板上形成劃線時可能成為問題之密封蓋與玻璃切割器之接觸。

又，例如根據國際公開第2003/006391號之技術，於液晶表示面板之製造方法中，將2個玻璃基板於形成劃線後貼合。藉此，可利用1次斷裂步驟而將2塊脆性基板同時斷裂。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2002/104078號

[專利文獻2]國際公開第2003/006391號

根據上述先前之技術，於形成劃線後對脆性基板進行加工，其後藉由應力賦予而進行斷裂步驟。上述情況意味著於對脆性基板加工時已存在垂直裂痕。可能存在如下情況，即因於加工中該垂直裂痕於厚度方向上意外地產生進一步之伸展，而將於加工中應為一體之脆性基板分離。又，即便於在劃線之形成步驟與基板之斷裂步驟之間不進行基板之加工步驟之情形時，通常於劃線之形成步驟後且基板之斷裂步驟前亦必須進行基板之搬送或保管，此時可能存在基板意外地分斷之情況。

為了解決上述問題，本發明者開發有獨自之分斷技術。根據該技術，作為規定分斷脆性基板之位置之線，首先，形成不於其正下方具有裂痕之溝槽線。藉由形成溝槽線而規定將脆性基板分斷之位置。其後，只要維持於溝槽線之正下方不存在裂痕之狀態(以下亦稱為「無裂痕狀態」)，則不容易產生沿著溝槽線之分斷。藉由使用該狀態，可一面預先規定將脆性基板分斷之位置，一面防止於應分斷之時點之前意外地將脆性基板分斷。然而，於維持無裂痕狀態後形成裂痕線之情形時，相對較容易產生裂痕線之形成不良。因此，尋求一種容易地判別裂痕線之形成不良之有無的方法。

又，即便於藉由不伴隨無裂痕狀態之通常之方法而形成劃線之情形時，亦可尋求一種容易地判別裂痕線之形成不良之有無的方法。例如，於藉由切割器具之滾動而形成劃線之情形時，裂痕線之深度方向上之延伸之垂直性容易雜亂。其結果，可能存在對沿著裂痕線之斷裂步驟產生妨礙之情況。

本發明係為了解決如上問題而完成者，其目的在於提供一種可判別是否適當地形成有裂痕線之劃線之檢查方法。

本發明之劃線之檢查方法係如下劃線之檢查方法，且具有如下步驟，該劃線具有溝槽線、及於溝槽線之正下方沿著溝槽線延伸之裂痕線。準備具有第1面及與第1面為相反之第2面之脆性基板。於第1面上設置有劃線，該劃線具有於第1面上之一位置沿延伸方向延伸之溝槽線。將藉由雷射產生之入射光自脆性基板之外部經由第1面向脆性基板之第1面之一位置之正下方照射。入射光之光軸方向具有傾斜成分，該傾斜成分係以垂直於第1面之方向為基準時，朝向在第1面上與延伸方向垂直之方向。藉由裂痕線反射入射光而產生朝向第2面之反射光。藉由將反射光反射而產生自第2面經由第1面朝向脆性基板之外之出射光。測定出射光之強度。

根據本發明，出射光之強度依存於是否適當地形成有裂痕線。因此，藉由測定出射光之強度，可判別是否適當地形成有裂痕線。

4‧‧‧玻璃基板

10‧‧‧反射構件

11‧‧‧基板按壓裝置

12‧‧‧平台

20‧‧‧雷射頭

21‧‧‧光源

22‧‧‧感測器

28‧‧‧頭位置調整部

29‧‧‧放大器

40‧‧‧檢查裝置

50‧‧‧切割器具

51‧‧‧刀尖

52‧‧‧柄

A1‧‧‧箭頭

A2‧‧‧箭頭

A3‧‧‧箭頭

AL‧‧‧輔助線

AX‧‧‧軸向

CA、CL‧‧‧裂痕線

DA‧‧‧方向

DB‧‧‧方向

DC‧‧‧方向

DT‧‧‧厚度方向

ED1‧‧‧邊

ED2‧‧‧邊

LI‧‧‧入射光

LO‧‧‧出射光

LR‧‧‧反射光

LT‧‧‧透過光

N1‧‧‧位置

N2‧‧‧位置

N3‧‧‧位置

PP‧‧‧突起部

PS‧‧‧側部

SA、SL‧‧‧劃線

SC‧‧‧掃描方向

SD1‧‧‧頂面

SD2‧‧‧側面

SD3‧‧‧側面

SF1‧‧‧上表面(第1面)

SF2‧‧‧下表面(第2面)

SP‧‧‧光點

TL‧‧‧溝槽線

XVI‧‧‧箭頭

圖1係概略性地表示本發明之實施形態1中之劃線之檢查方法之構成的流程圖。

圖2係概略性地表示本發明之實施形態1中之劃線之檢查方法之一步驟的俯視圖。

圖3係概略性地表示包含正常之裂痕線之劃線之構成的局部剖面圖。

圖4係概略性地表示包含垂直性雜亂之裂痕線之劃線之構成的局部剖面圖。

圖5係概略性地表示不具備裂痕線之劃線之構成的局部剖面圖。

圖6係概略性地表示用於本發明之實施形態1中之劃線之檢查方法之檢查裝置之構成的剖視圖。

圖7係概略性地表示本發明之實施形態1中之劃線之檢查方法之一步驟的剖視圖。

圖8係概略性地表示圖7之步驟之俯視圖。

圖9係概略性地表示本發明之實施形態1中之劃線之檢查方法之一步驟的剖視圖。

圖10係概略性地表示圖9之步驟之俯視圖。

圖11係概略性地表示對正常之劃線進行本發明之實施形態1中之劃線之檢查方法之情形時的光之行進之局部剖視圖。

圖12係概略性地表示對具有垂直性雜亂之裂痕線之劃線進行本發明之實施形態1中之劃線之檢查方法之情形時的光之行進之局部剖視圖。

圖13係概略性地表示對不具備裂痕線之劃線進行本發明之實施形態1中之劃線之檢查方法之情形時的光之行進之局部剖視圖。

圖14係概略性地表示本發明之實施形態2中之劃線之形成方法之構成的流程圖。

圖15係概略性地表示用於本發明之實施形態2中之脆性基板之分斷方法之器具之構成的側視圖。

圖16係圖15之箭頭XVI之視點下的概略俯視圖。

圖17係概略性地表示本發明之實施形態2中之溝槽線之形成步驟的俯視圖。

圖18係概略性地表示本發明之實施形態2中之裂痕線之形成步驟的俯視圖。

以下，基於圖式對本發明之實施形態進行說明。再者，於以下圖式中，對相同或相當之部分標註相同參照編號，不重複其說明。

(實施形態1)

於本實施形態中，對藉由不伴隨無裂痕狀態之通常之方法形成劃線的情形進行說明。

圖1係概略性地表示本實施形態中之劃線之檢查方法之構成的流程圖。以下，一面參照圖1，一面對劃線之檢查方法進行說明。

參照圖2及圖3，首先，準備具有平坦之上表面SF1(第1面)、及平坦之下表面SF2(與第1面為相反之第2面)之玻璃基板4(脆性基板)(圖1：步驟S10)。於上表面SF1上設置有劃線SL。

劃線SL具有溝槽線TL、及於溝槽線TL之正下方沿著溝槽線TL延伸之裂痕線CL。溝槽線TL沿延伸方向(圖2中之橫向)延伸。再者，溝槽線TL典型而言為直線狀，但亦可形成曲線狀之溝槽線，於此情形時，溝槽線於上表面SF1上之至少一位置沿一延伸方向延伸。裂痕線CL係自溝槽線TL之凹處沿與上表面SF1垂直之厚度方向DT向玻璃基板4中伸展之裂痕。

玻璃基板4因裂痕線CL而於溝槽線TL之正下方，在與溝槽線TL之延伸方向交叉之方向DC(圖3)上隔斷連續之連接。換言之，此處所謂「連續之連接」係不被裂痕隔斷之連接。再者，於如上所述般隔斷連續之連接之狀態下，亦可為玻璃基板4之部分彼此經由裂痕線CL之裂痕而接觸。

於本實施形態中，劃線SL可藉由通常之刻劃方法而形成。具體而言，藉由鑽石切割器等切割器具於玻璃基板4之上表面SF1上滑動或滾動，而於玻璃基板4上形成由塑性變形所致之溝槽，與此同時，於該溝槽之正下方形成垂直裂痕。

視情形，可能存在因某些原因而未於上表面SF1上形成具有正常之裂痕線CL之劃線SL(圖3)之情形。具體而言，可能存在如圖4所示般形成具有垂直性雜亂(彎曲或傾斜)之裂痕線CA之劃線SA之情況。或者，可能存在如圖5所示般劃線不具備裂痕線CL(圖3)之情況。因此，進行用以判別是否適當地形成有劃線SL之檢查。

參照圖6，以上述檢查為目的而準備檢查裝置40。檢查裝置40具有反射構件10、基板按壓裝置11、平台12、雷射頭20、頭位置調整部28、及放大器29。雷射頭20具有光源21及感測器22。

平台12係介隔反射構件10支持玻璃基板4者。又，平台12係使玻璃基板4移位者，例如係如圖中箭頭A1及A2分別所示般調整玻璃基板4之水平位置及傾斜角者。基板按壓裝置11係將玻璃基板4向平台12上壓抵者。藉由利用基板按壓裝置11壓抵而可矯正玻璃基板4之撓曲。藉此，使玻璃基板4及反射構件10相互更密接。因此，難以於兩者之間形成間隙。

光源21係放射藉由雷射產生之光作為向檢查對象即玻璃基板4之入射光LI者。雷射之波長係以使入射光LI容易透過玻璃基板4之方式選擇。於如本實施形態般檢查對象為玻璃基板4之情形時，例如可使用可見光區域之波長。感測器22係檢測來自玻璃基板4之出射光LO者。藉由放大器29對利用感測器22檢測出之信號進行處理，藉此測定出射光LO之強度。頭位置調整部28係使雷射頭20移位者，例如係如圖中箭頭A3所示般調整與玻璃基板4之厚度方向平行之高度位置者。藉由使雷射頭20移位，而使該雷射頭所具有之光源21及感測器22一併移動。

反射構件10具有可有效率地反射來自光源21之雷射光之表面。因此，反射構件10之表面較佳為具有平坦之形狀、及於上述雷射光之波長區域之較高之反射率。於使用可見光區域之雷射光之情形時，作為反射構件10，例如可使用具有研磨面之矽晶圓。

圖7及圖9係表示使用檢查裝置40(圖6)之檢查之情況的剖視圖。圖8及圖10分別為概略性地表示圖7及圖9之步驟之俯視圖。再者，於圖8及圖10中例示有5條劃線SL，但於圖7及圖9中，為了簡化而僅圖示有其中1條。

參照圖7，首先，將玻璃基板4之下表面SF2載置於反射構件10上。繼而，藉由基板按壓裝置11而將玻璃基板4介隔反射構件10壓抵於平台12。自光源21放射向玻璃基板4之入射光LI。藉此，局部地將入射光LI之光點SP(圖7及圖8)照射至玻璃基板4之上表面SF1上。入射光LI之光軸方向具有傾斜成分，該傾斜成分係以垂直於上表面SF1之方向(圖7中之縱向)為基準時，朝向在上表面SF1上與溝槽線TL之延伸方向(圖7中之與紙面垂直之方向)垂直之方向(圖7中之橫向)。較佳為，入射光LI之光軸方向係以垂直於上表面SF1之方向(圖7中之縱向)為基準而朝向上表面SF1上與溝槽線TL之延伸方向(圖7中之與紙面垂直之方向)垂直之方向(圖7中之橫向)傾斜。

沿著與溝槽線TL交叉之方向(圖9中之橫向、圖10中之掃描方向SC)，利用入射光LI之光點SP掃描上表面SF1。藉此，將入射光LI自玻璃基板4之外部經由上表面SF1向上表面SF1之溝槽線TL沿延伸方向延伸的一位置之正下方照射(圖1：步驟S20)。對於藉由而產生之現象，以下分成3種情形進行說明。

參照圖11，第1：於在上表面SF1形成有大致垂直之正常之裂痕線CL的情形時，藉由裂痕線CL反射入射光LI，而產生朝向下表面SF2之反射光LR。再者，入射光LI之一部分亦可作為透過光LT透過裂痕線CL。配置於下表面SF2之反射構件10將反射光LR反射，藉此產生自下表面SF2經由上表面SF1朝向玻璃基板4之外之出射光LO(圖1：步驟S30)。藉由感測器22(圖9)檢測出射光LO，藉此測定出射光LO之強度 (圖1：步驟S40)。藉由裂痕線CL之存在而該強度成為充分高者。

參照圖12，第2：於形成有垂直性雜亂(彎曲)之裂痕線CA之情形時，裂痕線CA使入射光LI擴散，故而無法獲得如圖11之情形般之充分高之反射光LR。其結果，所測定之出射光LO之強度小於形成有裂痕線CL(圖11)之情形。同樣地，於形成有傾斜之裂痕線之情形時，產生與形成有正常之裂痕線CL之情形相比反射角度不同之反射光。於此情形時，出射光不被以接收正常之裂痕線CL之反射光之方式設定之感測器22接收，從而所測定之出射光LO之強度小於形成有裂痕線CL(圖11)之情形。

參照圖13，第3：於在溝槽線TL之正下方不具備裂痕線CL之情形時，不產生反射光LR(圖11)。其結果，所測定之出射光LO之強度實質上成為零。

根據本實施形態，參照圖11~圖13，如上所述般，自反射光LR獲得之出射光LO之強度依存於是否適當地形成有產生反射光LR之裂痕線CL(圖11)。因此，藉由測定出射光LO之強度，可判別是否適當地形成有裂痕線CL。藉此，可管理裂痕線CL之形成步驟。藉由形成適當之裂痕線CL，可提高其後進行之沿著裂痕線CL之玻璃基板4之分斷、即斷裂步驟的良率。

照射入射光LI之步驟可藉由沿著與劃線SL交叉之方向利用入射光LI之光點SP(圖10)掃描上表面SF1而進行。藉此，可將入射光LI確實地向位於溝槽線TL之正下方之裂痕線CL入射。

雷射頭20中所包含之光源21及感測器22(圖6)可藉由雷射頭20之移動而一併移動。於此情形時，保持入射光LI之產生位置與出射光LO之觀測位置之相對關係。因此，可於光學測定系統中容易地維持特定光之路徑。因此，可容易地進行穩定之測定。

再者，亦可代替基板按壓裝置11(圖6)，藉由其他機構而將玻璃基板4固定。例如，亦可使用真空吸附或膠帶。又，只要光路之雜亂不成為問題，則亦可於玻璃基板4與反射構件10之間設置間隔。又，雷射頭20及平台12之移位係用以調整兩者之間之相對位置而進行者。因此，可使雷射頭20及平台12之一者之移位的一部分或全部藉由另一者之移位代替。

(實施形態2)

於本實施形態中，對準備具有劃線SL(圖3)之玻璃基板4之步驟(圖1：步驟S10)包含伴隨無裂痕狀態之步驟(圖14)之情形進行說明。

參照圖15及圖16，首先，對用以形成無裂痕狀態之溝槽線TL(圖5)(圖14：步驟S11)之切割器具50進行說明。切割器具50具有刀尖51及柄52。

刀尖51藉由固定於該作為固持器之柄52而被保持。於刀尖51設置有頂面SD1、及包圍頂面SD1之複數個面。該等複數個面包含側面SD2及側面SD3。頂面SD1、側面SD2及SD3相互朝向不同之方向，並且相互相鄰。刀尖51具有頂面SD1、側面SD2及SD3合流之頂點，藉由該頂點而構成刀尖51之突起部PP。又，側面SD2及SD3形成構成刀尖51之側部PS之稜線。側部PS自突起部PP呈線狀地延伸。又，側部PS由於如上所述般為稜線，故而具有呈線狀地延伸之凸形狀。刀尖51較佳為鑽石頭。即，就能夠減小硬度及表面粗糙度之方面而言，刀尖51較佳為由鑽石製作。刀尖51更佳為由單晶鑽石製作。就結晶學而言，進而較佳為，頂面SD1為{001}面，側面SD2及SD3分別為{111}面。於此情形時，側面SD2及SD3雖具有不同之朝向，但於結晶學上係相互等價之結晶面。再者，亦可使用並非為單晶之鑽石，例如亦可使用藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法合成之多晶體鑽石。或者，亦可使用使多晶體鑽石粒子藉由鐵族元素等結合材料結合而成之燒結鑽石，該多晶體鑽石粒子係自微粒之石墨或非石墨狀碳不具有鐵族元素等結合材料地進行燒結而成。

柄52沿著軸向AX延伸。刀尖51較佳為以頂面SD1之法線方向大致沿著軸向AX之方式安裝於柄52。

其次，以下對使用切割器具50之溝槽線TL之形成(圖14：步驟S11)進行說明。

參照圖17，首先準備供形成溝槽線TL之玻璃基板4。玻璃基板4具有平坦之上表面SF1。包圍上表面SF1之緣包含相互對向之邊ED1及邊ED2。於圖17所示之例中，緣為長方形狀。因此，邊ED1及ED2為相互平行之邊。又，於圖17所示之例中，邊ED1及ED2為長方形之短邊。

繼而，將刀尖51(圖15)於位置N1(圖17)壓抵於上表面SF1。位置N1之詳細情況於下文進行敍述。參照圖15，刀尖51之壓抵係以將刀尖51之突起部PP於玻璃基板4之上表面SF1上配置於邊ED1與側部PS之間之方式，並且以將刀尖51之側部PS配置於突起部PP與邊ED2之間之方式進行。

繼而，進行切割器具50於上表面SF1上之滑動。該滑動係於位置N1與位置N3之間進行。位置N2位於位置N1與N3之間。因此，溝槽線TL形成於位置N1與N2之間、及位置N2與N3之間。位置N1及N3可如圖17所示般位於自玻璃基板4之上表面SF1之緣離開之位置，或者亦可其一者或兩者位於上表面SF1之緣。所形成之溝槽線TL於前者之情形時自玻璃基板4之緣離開，於後者之情形時與玻璃基板4之緣相接。位置N1及N2中位置N1更靠近邊ED1，又，位置N1及N2中位置N2更靠近邊ED2。再者，於圖17所示之例中，位置N1更靠近邊ED1及ED2中之邊ED1，位置N2更靠近邊ED1及ED2中之邊ED2，但亦可為位置N1及N2之兩者位於邊ED1或ED2中之任一者之附近。

於本實施形態中，使刀尖51自位置N1移位至位置N2，進而自位置N2移位至位置N3。即，參照圖15，使刀尖51向自邊ED1朝向邊ED2之方向即方向DA移位。方向DA大致平行於將側部PS投影於上表面SF1上之方向，大致朝向將自刀尖51向柄52延伸之軸向AX投影至上表面SF1上之方向。於此情形時，刀尖51藉由柄52而於上表面SF1上被拖著滑動。即，使被壓抵之刀尖51於玻璃基板4之上表面SF1上滑動(參照圖17中之箭頭)。藉由該滑動而於玻璃基板4之上表面SF1上產生塑性變形。藉由該塑性變形，而於上表面SF1上形成具有溝槽形狀之溝槽線TL。此時，亦可略微切削玻璃基板4，但伴隨於此可能會產生破片，故而較佳為使此種切削儘量較少。

形成溝槽線TL之上述步驟係以獲得於溝槽線TL之正下方玻璃基板4於與溝槽線TL之延伸方向交叉之方向DC(圖5)上連續地連接之狀態即無裂痕狀態的方式進行。於無裂痕狀態下，雖形成由塑性變形所致之溝槽線TL，但未形成沿著該溝槽線TL之裂痕。因此，即便如先前之斷裂步驟般對玻璃基板4單純施加使產生彎曲力矩等之外力，亦不容易產生沿著溝槽線TL之分斷。因此，於無裂痕狀態下不進行沿著溝槽線TL之分斷步驟。為了獲得無裂痕狀態，使施加於刀尖51之荷重小至不產生裂痕之程度，且大至產生塑性變形之程度。

將無裂痕狀態維持必需之時間(圖14：步驟S12)。為了維持無裂痕狀態，只要避免如於溝槽線TL對玻璃基板4施加過度之應力般之操作，例如避免於基板產生破損之較大之外部應力之施加或伴隨著較大之溫度變化之加熱即可。於維持無裂痕狀態期間，可搬送玻璃基板4，又，亦可對玻璃基板4進行加工。

參照圖18，於維持無裂痕狀態後，換言之，自形成溝槽線TL後隔開時間差，使厚度方向DT(圖3)上之玻璃基板4之裂痕沿著溝槽線TL伸展。具體而言，沿著溝槽線TL自位置N2朝向位置N1之方向(圖中參照虛線箭頭)，使厚度方向DT上之玻璃基板4之裂痕伸展。藉此，形成沿著溝槽線TL延伸之裂痕線CL(圖14：步驟S13)。裂痕線CL之形成藉由輔助線AL及溝槽線TL於位置N2相互交叉而開始。為了該目的，於形成溝槽線TL後形成輔助線AL。輔助線AL係伴隨著厚度方向DT上之裂痕之通常之劃線，且係消除溝槽線TL附近之內部應力之撓曲者。輔助線AL之形成方法並無特別限定，亦可如圖18所示般，將上表面SF1之緣作為基點而形成。

再者，與自位置N2向位置N1之方向相比，於自位置N2向位置N3之方向更難以形成裂痕線CL。即，裂痕線CL之伸展之容易度存在方向依存性。因此，會產生裂痕線CL形成於位置N1與N2之間而不形成於位置N2與N3之間之現象。本實施形態以沿著位置N1與N2間之玻璃基板4之分斷為目的，不以沿著位置N2與N3間之玻璃基板4之分離為目的。因此，必須於位置N1與N2間形成裂痕線CL，另一方面於位置N2與N3間難以形成裂痕線CL不會成為問題。

如上所述，意圖形成裂痕線CL而形成輔助線AL。然而，可能存在即便形成輔助線AL亦不形成裂痕線CL、或形成異常之裂痕線CL(圖4)之情形。因此，於形成輔助線AL後，如實施形態1中說明般，進行劃線之檢查方法。於如本實施形態般維持無裂痕狀態後形成裂痕線CL之情形時，與不經由無裂痕狀態而形成裂痕線CL之情形相比，形成裂痕線CL之確實性降低。藉由實施形態1中所說明之劃線之檢查方法，可容易地判別此種形成不良之有無。

再者，於形成溝槽線TL時，亦可代替如圖17之箭頭所示般使刀尖51自位置N1移位至位置N3，而使其自位置N3移位至位置N1。於此情形時，刀尖51於圖15中代替方向DA而向方向DB移位。又，用以形成溝槽線TL之器具並不限定於刀尖51(圖15)，亦可使用圓錐狀之刀尖。又，亦可代替滑動之刀尖而使用滾動之刀尖。於此情形時，滾動方向較佳為設為相當於方向DB(圖15)之方向。

又，裂痕線CL可藉由於溝槽線TL上對玻璃基板4施加如解除溝槽線TL附近之內部應力之撓曲般之應力而開始。為了產生更大之應力，亦可沿著輔助線AL進行玻璃基板4之分斷。又，亦可代替形成輔助線AL，而例如藉由於所形成之溝槽線TL上或其附近再次將刀尖壓抵而進行外部應力之施加，或藉由照射雷射光等而進行加熱。

又，玻璃基板4之緣之邊ED1及ED2於圖17中為長方形之短邊，但亦可為長方形之長邊。又，緣之形狀並不限定於長方形，例如亦可為正方形。又，邊ED1及ED2並不限定於直線狀者，亦可為曲線狀。又，玻璃基板4之上表面SF1並不限定於平坦者，亦可彎曲。

又，對使用玻璃基板4作為脆性基板之情形進行了詳細敍述，但脆性基板並不限定於玻璃基板，例如亦可使用陶瓷、矽、化合物半導體、藍寶石、或石英之基板。雷射光之波長、及反射構件10之材料可根據脆性基板之材料適當選擇。例如於脆性基板為矽基板之情形時，較佳為使用紅外線雷射。