TW201706102A - 壓印用的模板 - Google Patents

壓印用的模板 Download PDF

Info

Publication number
TW201706102A
TW201706102A TW105110348A TW105110348A TW201706102A TW 201706102 A TW201706102 A TW 201706102A TW 105110348 A TW105110348 A TW 105110348A TW 105110348 A TW105110348 A TW 105110348A TW 201706102 A TW201706102 A TW 201706102A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
template
convex portion
pattern
repellent layer
Prior art date
Application number
TW105110348A
Other languages
English (en)
Inventor
中村聡
出村健介
松嶋大輔
幡野正之
柏木宏之
Original Assignee
芝浦機械電子裝置股份有限公司
東芝股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 芝浦機械電子裝置股份有限公司, 東芝股份有限公司 filed Critical 芝浦機械電子裝置股份有限公司
Publication of TW201706102A publication Critical patent/TW201706102A/zh

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70208Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0827Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0888Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using transparant moulds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

提供一種壓印用的模板,係可以抑制圖案異常及模板異常的發生。有關實施方式之壓印用的模板(1),係具備:基體(2),係具有主面(2a);凸部(3),係被設在主面(2a)上,在與主面(2a)的相反側具有端面,對液狀的被轉寫物進行施壓的凹凸圖案(3a)被形成在該端面;以及撥液層(4),係避開凹凸圖案(3a)而至少形成在凸部(3)的側面,且不沾黏液狀的被轉寫物。

Description

壓印用的模板
本發明的實施方式是有關壓印用的模板。
最近幾年,作為在半導體基板等的被處理物形成細微的圖案之方法,提案有壓印法。該壓印法,係利用於在被處理物上塗布了阻材等的液狀的被轉寫物(例如光硬化性樹脂)的表面,對形成有凹凸圖案的模(原版)予以施壓,之後,從與形成有凹凸圖案的面為相反側的面照射光,從已硬化的被轉寫物脫離模的方式,使凹凸圖案轉寫到被轉寫物的方法。作為施壓到液狀的被轉寫物的表面的模,使用有模板。該模板,也稱為模具、壓印模或者是壓模等。
模板,係利用透光性高的石英等所形成,在使前述的被轉寫物硬化的製程(轉寫製程)中,讓紫外線等的光容易透過。於該模板的主面設有凸部(凸狀的部位),於該凸部,形成有施壓到液狀的被轉寫物之凹凸圖案。例如,具有凹凸圖案的凸部稱為凸形部,在模板的主面中凸形部以外的部分稱為非凸形部(原文:部)。
但是,把模板施壓到液狀的被轉寫物的話,液狀的被轉寫物係少量從凸部的端部滲出,滲出之液狀的被轉寫物沿凸部的側面(側壁)隆起。附著在凸部的側面之被轉寫物係因為光照射而在這樣的狀態下硬化的緣故,模板從被轉寫物離開的話,於被轉寫物存在有隆起部分,可惜發生有圖案異常。
而且,在模板從被轉寫物離開之際,被轉寫物的隆起部分緊黏在模板側,之後,在任意的時機下落下到被轉寫物上而成為粉塵。在該落下的粉塵上被模板施壓的話,模板側的凹凸圖案破損,或者是,落下的粉塵進入到模板側的凹凸圖案間,而成為異物的緣故,可惜發生有模板異常。更進一步用具有這樣破損的凹凸圖案的模板、或被異物進入的模板繼續進行轉寫的話,於被轉寫物的圖案產生缺陷,可惜發生圖案異常。
本發明欲解決之課題是提供一種壓印用的模板,係可以抑制圖案異常及模板異常的發生。
有關實施方式之壓印用的模板,係具備:基體,係具有主面;凸部,係被設在主面上,在與主面的相反側具有端面,對液狀的被轉寫物進行施壓的凹凸圖案被形成在該端面;以及撥液層,係避開凹凸圖案而至少形成在凸部的側面,且不沾黏液狀的被轉寫物。
根據有關前述的實施方式之壓印用的模板,可以抑制 圖案異常及模板異常的發生。
1‧‧‧模板
2‧‧‧基體
3‧‧‧凸部
4‧‧‧撥液層
11‧‧‧被處理物
12‧‧‧被轉寫物
2a‧‧‧主面
3a‧‧‧凹凸圖案
〔圖1〕為表示有關第1實施方式之模板的概略構成的剖視圖(圖2中的1-1線剖視圖)。
〔圖2〕為示意的表示有關第1實施方式之模板的俯視圖。
〔圖3〕為用於說明使用了有關第1實施方式之模板的壓印製程的說明圖。
〔圖4〕為用於說明使用了有關第1實施方式之比較例的模板的壓印製程的說明圖。
〔圖5〕為表示有關第2實施方式之模板的概略構成的剖視圖。
〔圖6〕為表示有關第3實施方式之模板的概略構成的剖視圖。
(第1實施方式)
有關第1實施方式參閱圖1乃至圖4說明之。
如圖1及圖2表示,有關第1實施方式之壓印用的模板1,係具備:基體2,係具有主面2a;凸部3,係被設在基體2的主面2a上;以及撥液層4,係被形成在凸部3的側面及與該側面相連的主面2a的一部分。
基體2具有透光性,主面2a被形成為乃是平面之板 狀。該基體2的板形狀係例如為正方形或長方形等的形狀,但該形狀並沒有特別被限定。作為基體2,例如,可以使用石英基板等的透光性高的基板。尚且,主面2a的相反面,成為被照射有紫外線等的光的面。
凸部3具有透光性,是利用與基體2相同的材料而形成為一體。在該凸部3的端面,亦即在與凸部3中的主面2a側為相反側的面(圖1中的上表面),形成有凹凸圖案3a。該凹凸圖案3a乃是對液狀的被轉寫物(例如光硬化性樹脂)施壓的圖案。尚且,凸部3的端面中形成有凹凸圖案3a的圖案區域例如為正方形或長方形的區域,但該形狀並沒有特別被限定。
撥液層4具有透光性,避開凸部3上的凹凸圖案3a而至少設在凸部3的側面(側壁),更進一步,設在與該凸部3的側面相連的主面2a上的指定區域。該指定區域,係如圖2表示,在俯視模板1時,為主面2a上的凸部3以外的區域中的凸部3的周圍的環狀區域。凸部3的形狀例如為正方體或是長方體形狀的緣故,位置在該周圍的主面2a上的指定區域成為四角形的環狀區域,但凸部3的形狀或環狀的指定區域的形狀沒有特別被限定。撥液層4係利用對液狀的被轉寫物不沾黏的材料所形成。作為該撥液層4的材料,例如,可以使用矽烷耦合劑。
這樣的模板1,係在壓印製程中,如圖3表示,凸部3上的凹凸圖案3a朝向被處理物(例如半導體基板)11上的液狀的被轉寫物12,對被處理物11上的液狀的被轉 寫物12施壓。此時,液狀的被轉寫物12從凸部3的端面與被處理物11之間滲出,但撥液層4形成在凸部3的側面的緣故,因為撥液層4不沾黏滲出的液狀的被轉寫物12。換言之,撥液層4具有對液狀的被轉寫物12不沾黏的功能。經此,抑制液狀的被轉寫物12附著在凸部3的側面的緣故,可抑制沿凸部3的側面的隆起。
接著,在凸部3上的凹凸圖案3a被施壓到液狀的被轉寫物12的狀態下,從與形成凹凸圖案3a的面為相反側的面照射紫外線等的光到液狀的被轉寫物12。藉由該光照射讓液狀的被轉寫物12硬化的話,從已硬化的被轉寫物12,模板1離開,凸部3上的凹凸圖案3a被轉寫到被轉寫物12。尚且,通常,這樣的壓印製程係涵蓋被處理物11的整個面而反覆進行,反覆進行圖案轉寫,但該壓印次數沒有特別限定。
在此,作為比較例,如圖4表示,在撥液層4沒有形成在凸部3的側面的情況下,已滲出之液狀的被轉寫物12附著在凸部3的側面的緣故,變成因為表面張力沿凸部3的側面隆起。遺憾的是,在該狀態下,液狀的被轉寫物12因光照射而硬化。之後,模板1從被轉寫物12離開的話,在已經硬化的被轉寫物12存在有非必要的隆起部分,或者是,該隆起部分緊黏在模板1側。
尚且,作為被轉寫物12,不限於液狀的光硬化性樹脂,例如,也可以使用液狀的熱固性樹脂。在該情況下,例如利用加熱器或光源等的加熱部對液狀的被轉寫物12 加熱使其硬化。
如以上說明,根據第1實施方式,藉由避開凸部3上的凹凸圖案3a,把對液狀的被轉寫物12不沾黏的撥液層4至少設在凸部3的側面的方式,在壓印製程中,因為撥液層4不沾黏從凸部3與被處理物11之間滲出的液狀的被轉寫物12的緣故,可以抑制液狀的被轉寫物12附著在凸部3的側面。經此,抑制已硬化的被轉寫物12的一部分的隆起,可以抑制圖案異常的發生,更進一步,抑制模板1的破損或異物的咬入等,可以抑制圖案異常及模板異常的發生。
而且,壓印製程中,於在凸部3的側面附著了被轉寫物12的情況下,為了弄掉該被轉寫物12,一般是利用藥液來洗淨模板1,但根據第1實施方式,如前述般抑制被轉寫物12附著在凸部3的側面的緣故,可以把從凸部3的側面去除被轉寫物12的洗淨製程作為非必要。經此,變成可以削減使用後的模板1的洗淨製程,可以防止因洗淨液所致之模板1的圖案消耗、或圖案坍塌等的損害。其結果,可以抑制模板異常的發生。
尚且,不在凹凸圖案3a上形成撥液層4那般,避開凹凸圖案3a而至少在凸部3的側面形成撥液層4者乃是至為重要。此乃是,為了避免對液狀的被轉寫物12之凹凸圖案3a的轉寫不良(印錯)。亦即,凹凸圖案3a為奈米尺寸大小的幅寬之細微的圖案,在凹凸圖案3a上即便是少許形成撥液層4,撥液層4的厚度所產生的份量,會 造成無法維持凹凸圖案3a大小的幅寬的精度,在轉寫之際會發生圖案異常。
(第2實施方式)
有關第2實施方式參閱圖5說明之。尚且,在第2實施方式,說明有關與第1實施方式的相異點(撥液層4的形成區域),其他的說明省略。
如圖5表示,有關第2實施方式的撥液層4,係不只凸部3的側面及與該側面相連的主面2a上的環狀的指定區域,也避開凸部3上的凹凸圖案3a而形成在凸部3的端面(圖5的上表面)上。經此,撥液層4也存在於凸部3的端面上的緣故,在壓印製程中,藉由撥液層4的厚度份的段差可以抑制液狀的被轉寫物12從凸部3的端面與被處理物11之間滲出。而且,即便液狀的被轉寫物12從凸部3的端面與被處理物11之間滲出,與第1實施方式同樣,因為在凸部3的側面所存在的撥液層4而不沾黏的緣故,可以抑制液狀的被轉寫物12附著在凸部3的側面。
如以上說明,根據第2實施方式,可以得到與第1實施方式同樣的效果。亦即,可以確實抑制液狀的被轉寫物12附著在凸部3的側面,可以確實抑制圖案異常及模板異常的發生。
(第3實施方式)
有關第3實施方式參閱圖6說明之。尚且,在第3實施方式,說明有關與第1實施方式的相異點(撥液層4的形成區域),其他的說明省略。
如圖6表示,有關第3實施方式的撥液層4,係不只凸部3的側面,也避開凸部3上的凹凸圖案3a而形成在從凸部3的側面一直到主面2a的端部,亦即形成在主面2a中的凸部3以外的整個面。經此,於壓印製程中可以防止被轉寫物12附著在模板1的主面2a,可以讓模板1保持清淨。
如以上說明,根據第3實施方式,可以得到與第1實施方式同樣的效果,更進一步,可以讓模板1保持清淨。尚且,於在模板1附著了被轉寫物12的狀態下進行壓印的話,如前述般會成為圖案異常或模板異常的發生原因的緣故,讓模板1保持清淨是至為重要。
(其他之實施方式)
前述的第1乃至第3實施方式中,避開凸部3上的凹凸圖案3a而至少在凸部3的側面形成撥液層4者為佳,如第2或第3實施方式般,不只凸部3的側面,可以也在凸部3的端面的一部分或主面2a中的凸部3以外的整個面形成撥液層4。而且,在與凸部3的側面中的被轉寫物12接觸的部分形成撥液層4者為佳,也可以在凸部3的側面的一部分形成撥液層4。更進一步,也可以組合第2實施方式及第3實施方式,亦即,不只凸部3的側面,也 可以在凸部3的端面的一部分及主面2a中的凸部3以外的整個面形成撥液層4。
而且,作為撥液層4,不限於單層者,也可以使用層積有複數的層者。更進一步,凸部3的側面(側壁),係相對於主面2a可以為垂直,也可以為傾斜。再加上,凸部3的側面也可以是平坦,也可以有段差。
而且,作為被處理物11例示了半導體基板,但不限於此,也可以是作為複印模板所使用的石英基板者。
以上,說明了本發明若干個實施方式,但這些實施方式,乃是作為例子來提示,並沒有意圖限定發明的範圍。這些新穎的實施方式,係可以以其他各式各樣的形態來實施,在不逸脫發明要旨的範圍內,可以進行種種的省略、置換、變更。這些實施方式或其變形,是被包含在發明的範圍或要旨,同時也被包含在申請專利範圍所記載的發明以及其均等的範圍。
1‧‧‧模板
2‧‧‧基體
2a‧‧‧主面
3‧‧‧凸部
3a‧‧‧凹凸圖案
4‧‧‧撥液層

Claims (8)

  1. 一種壓印用的模板,係具備:基體,係具有主面;凸部,係被設在前述主面上,在與前述主面的相反側具有端面,對液狀的被轉寫物進行施壓的凹凸圖案被形成在前述端面;以及撥液層,係避開前述凹凸圖案而至少形成在前述凸部的側面,且不沾黏前述液狀的被轉寫物。
  2. 如請求項1之壓印用的模板,其中,前述撥液層係不只前述凸部的側面也形成在前述主面上。
  3. 如請求項1之壓印用的模板,其中,前述撥液層係不只前述凸部的側面,也避開前述凹凸圖案而形成在前述端面上。
  4. 如請求項2之壓印用的模板,其中,前述撥液層係不只前述凸部的側面,也避開前述凹凸圖案而形成在前述端面上。
  5. 如請求項1之壓印用的模板,其中,前述撥液層具有透光性。
  6. 如請求項2之壓印用的模板,其中,前述撥液層具有透光性。
  7. 如請求項3之壓印用的模板,其中,前述撥液層具有透光性。
  8. 如請求項4之壓印用的模板,其中, 前述撥液層具有透光性。
TW105110348A 2015-03-31 2016-03-31 壓印用的模板 TW201706102A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015074108A JP2016195169A (ja) 2015-03-31 2015-03-31 インプリント用のテンプレート

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201706102A true TW201706102A (zh) 2017-02-16

Family

ID=57004355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105110348A TW201706102A (zh) 2015-03-31 2016-03-31 壓印用的模板

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20180022016A1 (zh)
JP (1) JP2016195169A (zh)
KR (1) KR20170134566A (zh)
CN (1) CN107851556A (zh)
TW (1) TW201706102A (zh)
WO (1) WO2016159308A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6529843B2 (ja) * 2015-07-14 2019-06-12 芝浦メカトロニクス株式会社 インプリント用のテンプレート製造装置及びテンプレート製造方法
JP6441181B2 (ja) * 2015-08-04 2018-12-19 東芝メモリ株式会社 インプリント用テンプレートおよびその製造方法、および半導体装置の製造方法
JP6996333B2 (ja) * 2018-02-16 2022-01-17 大日本印刷株式会社 ブランクス基材、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法
CN110333643B (zh) * 2019-08-06 2023-05-12 广纳四维(广东)光电科技有限公司 一种纳米压印模板、其制备方法及纳米压印方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007320142A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Meisho Kiko Kk ナノインプリント用モールド
JP4940884B2 (ja) * 2006-10-17 2012-05-30 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
JP4978188B2 (ja) * 2006-12-28 2012-07-18 旭硝子株式会社 微細構造体の製造方法
JP5377053B2 (ja) * 2009-04-17 2013-12-25 株式会社東芝 テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107851556A (zh) 2018-03-27
US20180022016A1 (en) 2018-01-25
KR20170134566A (ko) 2017-12-06
JP2016195169A (ja) 2016-11-17
WO2016159308A1 (ja) 2016-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201706102A (zh) 壓印用的模板
JP5935385B2 (ja) ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法及びレプリカテンプレート
JP5942551B2 (ja) ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法
TW201942687A (zh) 無接縫之大面積壓印光刻方法和設備
JP2011066238A (ja) パターン形成用テンプレートの作製方法
US20110318501A1 (en) Template forming method
TWI597234B (zh) Impression mold and virtual pattern design method
JP2011023660A (ja) パターン転写方法
JP6338938B2 (ja) テンプレートとその製造方法およびインプリント方法
JP2013229475A (ja) 異物除去方法
JP5011222B2 (ja) インプリント用スタンパおよびインプリント方法
TWI770034B (zh) 積層透鏡構造體、相機模組及積層透鏡構造體之製造方法
JP5906598B2 (ja) 半導体インプリント用テンプレート
JP6315904B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置及びデバイスの製造方法
JP6281592B2 (ja) レプリカテンプレートの製造方法
TW201706144A (zh) 壓印用的模板製造裝置
TWI592741B (zh) 光罩及光罩的製造方法
JP2016002665A (ja) モールド製造用構造体の製造方法、およびモールドの製造方法
JP5900589B2 (ja) インプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置
JP5295870B2 (ja) インプリントパターン形成方法
JP2015223770A (ja) テンプレートの異物除去方法、テンプレートの製造方法、および異物除去用基板
TWI622863B (zh) Method of reprocessing after printing
JP6036865B2 (ja) インプリント用モールド
JP2009148901A (ja) 高精度凸版
JP5944436B2 (ja) パターンの形成方法およびテンプレートの製造方法