TW201705346A - 電子元件的檢測方法及具有檢測元件的電子元件轉移模組 - Google Patents

電子元件的檢測方法及具有檢測元件的電子元件轉移模組 Download PDF

Info

Publication number
TW201705346A
TW201705346A TW105124097A TW105124097A TW201705346A TW 201705346 A TW201705346 A TW 201705346A TW 105124097 A TW105124097 A TW 105124097A TW 105124097 A TW105124097 A TW 105124097A TW 201705346 A TW201705346 A TW 201705346A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electronic component
electrodes
transfer module
detecting
pair
Prior art date
Application number
TW105124097A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI578433B (zh
Inventor
吳明憲
方彥翔
王士浩
林奕辰
Original Assignee
財團法人工業技術研究院
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 財團法人工業技術研究院 filed Critical 財團法人工業技術研究院
Publication of TW201705346A publication Critical patent/TW201705346A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI578433B publication Critical patent/TWI578433B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/34—Optical coupling means utilising prism or grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4296—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with sources of high radiant energy, e.g. high power lasers, high temperature light sources
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/0204—Compact construction
    • G01J1/0209—Monolithic
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0422—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using light concentrators, collectors or condensers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
    • G02B6/305—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device and having an integrated mode-size expanding section, e.g. tapered waveguide
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206—Optical features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/07—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems
    • H04B10/075—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal
    • H04B10/079—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal using measurements of the data signal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12121—Laser
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/12147—Coupler
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4298—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with non-coherent light sources and/or radiation detectors, e.g. lamps, incandescent bulbs, scintillation chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/163—Monitoring a manufacturing process
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

一種電子元件的檢測方法，其包括下列步驟：提供電子元件基板；藉由電子元件轉移模組吸附電子元件基板的部分電子元件，其中電子元件轉移模組包括對應所述部分電子元件的多個檢測元件，且各檢測元件包括至少一對電極；檢測所述至少一對電極間是否產生通路，以確認所述部分電子元件與接觸目標的接觸狀況；以及將吸附於電子元件轉移模組的電子元件轉移至目標基板上。一種具有檢測元件的電子元件轉移模組亦被提出。

Description

電子元件的檢測方法及具有檢測元件的電子元件轉移模組
本揭露是有關於一種元件的檢測方法及轉移模組，且特別是有關於一種電子元件的檢測方法及具有檢測元件的電子元件轉移模組。
無機發光二極體顯示器具備主動發光、高亮度等特點，因此已經廣泛地被應用於照明、顯示器、投影機等技術領域中。以單片微顯示器(monolithic micro-displays)為例，單片微顯示器廣泛地被使用於投影機且一直以來都面臨彩色化的技術瓶頸。目前，已有技術提出利用磊晶技術於單一發光二極體晶片中製作出多層能夠發出不同色光的發光層，以使單一發光二極體晶片即可提供不同色光。但由於能夠發出不同色光的發光層的晶格常數不同，因此不容易成長在同一個基板上。此外，其他技術提出了利用發光二極體晶片搭配不同色轉換材料的彩色化技術，其中當發光二極體晶片發光時，色轉換材料被激發而發出不同色光的激發光，但是此技術仍面臨色轉換材料的轉換效率過低以及塗佈均勻性等問題。
除了上述兩種彩色化技術，也有技術提出發光二極體的轉移技術，由於能夠發出不同色光的發光二極體可分別在適當的基板上成長，故發光二極體能夠具備較佳的磊晶品質與發光效率。是以，發光二極體的轉移技術較有機會使單片微顯示器的亮度以及顯示品質提升。然而，在轉移的過程中，可能因為基板上發光二極體的厚度不均或是轉移模組的水平度校正不理想等因素而無法有效取下發光二極體，造成轉移良率不佳。因此，如何在轉移的過程中，即時檢測是否有效取下發光二極體，實為目前業界關注的議題之一。
本申請案提供一種電子元件的檢測方法及具有檢測元件的電子元件轉移模組。
本申請案的一實施例提供一種電子元件的檢測方法，其包括下列步驟：提供電子元件基板；藉由電子元件轉移模組吸附電子元件基板的部分電子元件，其中電子元件轉移模組包括對應所述部分電子元件的多個檢測元件，且各檢測元件包括至少一對電極；檢測所述至少一對電極間是否產生通路，以確認所述部分電子元件與接觸目標的接觸狀況；以及將吸附於電子元件轉移模組的所述部分電子元件轉移至目標基板上。
本申請案的另一實施例提供一種電子元件的檢測方法，其包括下列步驟：提供電子元件基板；藉由電子元件轉移模組吸附電子元件基板的部分電子元件，其中電子元件轉移模組包括對應所述部分電子元件的多個檢測元件，且各檢測元件包括至少一對電極以及中間層，各對電極的兩個電極分別配置在中間層的相對兩表面上；檢測所述至少一對電極間是否產生電容變化、電流變化或極性變化，以確認所述部分電子元件與接觸目標的接觸狀況；以及將吸附於電子元件轉移模組的所述部分電子元件轉移至目標基板上。
本申請案的又一實施例提供一種電子元件轉移模組，其包括轉移基板、多個吸附元件以及多個檢測元件。吸附元件配置在轉移基板上且分別適於吸附一個電子元件。各檢測元件包括至少一對電極。所述至少一對電極配置在對應的吸附元件上，且所述對應的吸附元件位於所述至少一對電極與轉移基板之間。
本申請案的再一實施例提供一種電子元件轉移模組，其包括轉移基板、多個吸附元件以及多個檢測元件。吸附元件配置在轉移基板上且分別適於吸附一個電子元件。各檢測元件分別配置在其中一吸附元件與轉移基板之間，且各檢測元件包括至少一對電極以及中間層，各對電極的兩個電極分別配置在中間層的相對兩表面上。
在轉移的過程中，本申請案藉由檢測元件確認電子元件轉移模組與電子元件的接觸狀況，從而有助於提升電子元件的轉移良率。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
第一實施例
圖1是依照本申請案的第一實施例的第一種電子元件的檢測方法的流程示意圖。請參照圖1，本實施例的電子元件的檢測方法包括下列步驟。首先，提供電子元件基板(步驟A)。其次，藉由電子元件轉移模組吸附電子元件基板的部分電子元件，其中電子元件轉移模組包括對應所述部分電子元件的多個檢測元件，且各檢測元件包括至少一對電極(步驟B)。再檢測所述至少一對電極間是否產生通路，以確認所述部分電子元件與接觸目標的接觸狀況(步驟C)。若所述至少一對電極間產生通路，則將吸附於電子元件轉移模組的所述部分電子元件轉移至目標基板上(步驟D)。若所述至少一對電極間未產生通路，則調整所述部分電子元件與接觸目標的接觸狀態(步驟E)，並再次進行步驟C。步驟E的具體實施方式可包括增加電子元件轉移模組的下壓重量或調整電子元件轉移模組的高度，但不以此為限。
在本實施例中，電子元件的檢測方法可重複前述步驟A至步驟D至少一次，以將不同電子元件基板的部分電子元件轉移至目標基板上。舉例而言，電子元件基板例如為發光二極體元件陣列基板，且電子元件例如為發光二極體元件。發光二極體元件依據其電極的分佈方式可為水平式發光二極體元件或垂直式發光二極體元件。不同電子元件基板的電子元件能夠發出不同色光。藉由重複前述步驟A至步驟D至少一次，可將發出不同色光的電子元件轉移至目標基板，使目標基板能夠提供不同色光。應說明的是，電子元件不限於發光二極體元件。在其他實施例中，電子元件也可以是光感測元件或太陽電池元件等光電元件或者是其他與光無關的電子元件，如感測器或電晶體等。
為了更清楚瞭解本申請案的第一實施例，將搭配圖2A至圖2E進行詳細地介紹。圖2A至圖2E是本申請案的第一實施例的第一種電子元件的檢測方法的剖面示意圖。請參照圖2A，提供電子元件基板10。在本實施例中，電子元件基板10可包括承載基板11、多個陣列排列的電子元件12A、12B、12C、多個電極13、多個導電部14以及支撐層15，但不以此為限。
承載基板11是一暫時性承載基板(temporary substrate)。舉例而言，承載基板11可以是一矽基板、一碳化矽基板、一藍寶石基板或是其他適當的基板。
電子元件12A、12B、12C例如是發光二極體元件層、光感測元件層、太陽電池元件層或者是其他電子元件層(如感測器或電晶體等)。以發光二極體元件層為例，電子元件12A、12B、12C例如為一磊晶層。
各電極13分別配置在其中一電子元件12A、12B、12C上，例如配置在電子元件12A、12B、12C的表面S12A上，且電極13位於電子元件12A、12B、12C與承載基板11之間。
導電部14例如配置在電子元件12A、12B、12C的表面S12B上，且電子元件12A、12B、12C位於導電部14與承載基板11之間。表面S12B與表面S12A相對。換句話說，電極13與導電部14分別位於電子元件12A、12B、12C的相對側。導電部14與電極13的材料可採用相同的導電材料。或者，依據不同的需求，導電部14與電極13的材料可採用不同的導電材料。
支撐層15配置在承載基板11上且位於電子元件12A、12B、12C之間，以在電極13與承載基板11之間存在間隙G的情況下支撐住電子元件12A、12B、12C。
請參照圖2B，藉由電子元件轉移模組20吸附電子元件基板10的部分電子元件，如電子元件12A、12C。具體地，不限定電子元件轉移模組20須吸附電子元件基板10所有的電子元件12A、12B、12C。
電子元件轉移模組20可包括轉移基板21、多個吸附元件22以及多個檢測元件23。各吸附元件22配置在轉移基板21上且分別適於吸附一個電子元件(如電子元件12A或電子元件12C)。各吸附元件22的厚度T22可大於或等於5微米。
吸附元件22的實施形態可依據電子元件轉移模組20吸附所述部分電子元件(如電子元件12A、12C)的方法而有所不同。以電磁吸附為例，各吸附元件22可包括電磁線圈CL。對應地，導電部14的材料可包括鎳、鎳鐵合金或其他適當的鐵磁性金屬等，使得導電部14的電阻率小於電子元件12A、12C的電阻率。如此，在各吸附元件22被致能(enable)時，對應的導電部14可被吸引，連帶地讓對應的電子元件12A、12C以及對應的電極13被所述吸附元件22吸附。
各檢測元件23包括至少一對電極(如第一對電極MG1)。第一對電極MG1配置在對應的吸附元件22的表面S上，且所述對應的吸附元件22位於第一對電極MG1與轉移基板21之間。各吸附元件22的寬度為X，各電子元件12A、12B、12C的寬度為Y，且X≧Y，使各吸附元件22的吸附範圍可涵蓋對應的電子元件(如電子元件12A或電子元件12C)。各檢測元件23的各電極(如電極MG11、MG12)的寬度為Z，且Z＜(Y/2)，以使電極MG11、MG12之間保持適當的距離而維持獨立的電性。
當電子元件轉移模組20透過吸附元件22吸附欲轉移的電子元件12A、12C時，在電子元件轉移模組20的水平度校正理想的情況下，若電極MG11與電極MG12經由與外部線路連接的導線而被提供不同的電位，當電極MG11與電極MG12接觸導電部14時，導電部14讓電極MG11與電極MG12間產生通路而產生電流I。另一方面，若電極MG11與電極MG12的其中至少一者未與導電部14接觸或接觸不完全，則電極MG11與電極MG12不產生通路，亦不產生電流。因此，根據第一對電極MG1間是否產生通路(例如是否產生電流或電壓)，可確認電子元件轉移模組20與電子元件12A、12C的接觸狀況。
在一實施例中，還可進一步檢測所有檢測元件23的各第一對電極MG1間的狀態是否一致，例如檢測與第一對電極MG1接觸的所有導電部14產生的電流大小是否一致，以判斷電子元件12A、12C與接觸目標(電子元件轉移模組20)的接觸均勻度。
在另一實施例中，各檢測元件23也可包括多對電極。藉由多對電極的設置，可藉由檢測不同對電極之間狀態是否一致，來判斷各電子元件(如電子元件12A或電子元件12C)是否歪斜。如此，電子元件轉移模組20除了可以檢測轉移的電子元件12A、12C與接觸目標整體的接觸均勻度之外，還可檢測各電子元件(如電子元件12A或電子元件12C)局部的接觸均勻度。
藉由檢測元件23確認電子元件轉移模組20與電子元件12A、12C的接觸狀況，可讓檢測人員即時發現因電子元件12A、12C的厚度不均、電子元件12A、12C歪斜或電子元件12A、12C偏移等無法拾起的情況而能夠盡早針對問題進行改善，且可在確保所有欲轉移的電子元件12A、12C皆與電子元件轉移模組20接觸下再接續轉移的步驟，而有助於提升轉移良率。
請參照圖2C，藉由電子元件轉移模組20將電子元件12A、12C拾起。此處，各吸附元件22的磁力須大於所欲吸附的電子元件(電子元件12A或電子元件12C)、對應的電極13以及對應的導電部14的重量以及由支撐層15所提供的連接力(connection force)的總和，如此，電子元件12A、12C、對應的電極13以及對應的導電部14才能夠與承載基板11分離並且能夠被電子元件轉移模組20所產生的磁力拾起。
請參照圖2D及圖2E，將吸附於電子元件轉移模組20的電子元件12A、12C轉移至目標基板TS上，並使電子元件轉移模組20與導電部14分離。在本實施例中，目標基板TS上具有多個導電圖案E。導電圖案E可為接墊或導電凸塊，且電子元件12A、12C透過電極13而與導電圖案E接合。在轉移過程中，可進行加熱製程以使得電子元件12A、12C能夠成功地接合於目標基板TS上。
依據不同的需求，電子元件基板10可省略上述膜層的其中至少一者或進一步設置其他膜層。舉例而言，電子元件基板10可進一步包括未繪示的犧牲層。犧牲層配置在各電子元件12A、12B、12C與對應的導電部14之間。在電子元件轉移模組20將電子元件12A、12C轉移至目標基板TS後(如圖2E所示)，可藉由移除犧牲層，使導電部14與電子元件12A、12C分離。犧牲層的材料可為有機材料、有機高分子材料、介電材料或氧化物等。移除犧牲層的方法可包括化學溼式蝕刻、熱處理及雷射照射處理等，但不以此為限。
在圖1所示的電子元件的檢測方法下，電子元件轉移模組20是利用電磁吸附的方式吸附欲轉移的電子元件12A、12C，但本發明不以此為限。圖3是本申請案的第一實施例的電子元件轉移模組的另一種剖面示意圖，請參考圖3，電子元件轉移模組也可藉由真空吸附的方式吸附欲轉移的電子元件12A、12C。其中電子元件轉移模組20A相似於圖2B的電子元件轉移模組20，而相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。電子元件轉移模組20A與電子元件轉移模組20的主要差異在於：在電子元件轉移模組20A中，吸附電子元件12 A、12C的方法為真空吸附。詳細而言，轉移基板21A具有多個第一貫孔T1。各吸附元件22A具有第二貫孔T2。各第二貫孔T2連通其中一第一貫孔T1。
由於電子元件轉移模組20A是利用真空吸附的方式吸附欲轉移的電子元件12A、12C，因此吸附元件22A可以省略圖2B中的電磁線圈CL。對應地，導電部14的材料選擇能夠導通電極MG11、MG12的材料即可，而不一定要選自鎳、鎳鐵合金以及鐵磁性金屬。
圖4是依照本申請案的第一實施例的第二種電子元件的檢測方法的流程示意圖。圖4的檢測方法相似於圖1的檢測方法，其中相同的步驟以相同的標號表示，於此不再贅述。圖4的檢測方法與圖1的檢測方法的主要差異在於：在步驟C中，若所述至少一對電極間未產生通路，則先將吸附於電子元件轉移模組的所述部分電子元件轉移至目標基板上(步驟D’)，再記錄被轉移的所述部分電子元件的位置及狀態(步驟F)。此處，步驟D與步驟D’實質上相同，但為方便說明所以用不同標號表示。
第二實施例
圖5是依照本申請案的第二實施例的一種電子元件的檢測方法的流程示意圖。圖5的檢測方法相似於圖1的檢測方法，其中相同的步驟以相同的標號表示，於此不再贅述。圖5的檢測方法與圖1的檢測方法的差異如下所述。在步驟B中，各檢測元件除了包括至少一對電極之外，還包括中間層。各對電極的兩個電極分別配置在中間層的相對兩表面上。此外，在電子元件轉移模組從電子元件基板拾取所述部分電子元件(步驟G)之前與之後，可檢測所述部分電子元件與接觸目標的接觸狀況。具體地，在電子元件轉移模組從電子元件基板拾取所述部分電子元件(步驟G)之前，接觸目標為電子元件轉移模組，且根據所述至少一對電極間是否產生電容變化、電流變化或極性變化，確認所述部分電子元件與電子元件轉移模組的接觸狀況(步驟C)。若所述至少一對電極間產生電容變化、電流變化或極性變化，則接續步驟G。若所述至少一對電極間未產生電容變化、電流變化或極性變化，則調整所述部分電子元件與接觸目標(電子元件轉移模組)的接觸狀態(步驟E)，並再次進行步驟C。
另一方面，在電子元件轉移模組從電子元件基板拾取所述部分電子元件(步驟G)之後，接觸目標為目標基板，且根據所述至少一對電極間是否產生電容變化、電流變化或極性變化，確認所述部分電子元件與目標基板的接觸狀況(步驟C’)。若所述至少一對電極間產生電容變化、電流變化或極性變化，則接續步驟D。若所述至少一對電極間未產生電容變化、電流變化或極性變化，則調整所述部分電子元件與接觸目標(目標基板)的接觸狀態(步驟E’)，並再次進行步驟C’。此處，步驟C與步驟C’實質上相同，且步驟E與步驟E’實質上相同，但為方便說明所以用不同標號表示。
在一實施例中，也可省略步驟C、E，只在將所述部分電子元件轉移至目標基板時進行檢測步驟。在另一實施例中，在步驟C或步驟C’時，若檢測所述至少一對電極間未產生電容變化、電流變化或極性變化，也可先將吸附於電子元件轉移模組的所述部分電子元件轉移至目標基板上(參見圖4的步驟D’)再記錄被轉移的所述部分電子元件的位置及狀態(參見圖4的步驟F)。
另外，在步驟C、C’的其中至少一者中，可進一步檢測所有檢測元件的各所述至少一對電極間的狀態是否一致，例如檢測每一對電極間所產生的電容變化、電流變化或極性變化是否一致，以判斷所述部分電子元件與接觸目標(電子元件轉移模組或目標基板)的接觸均勻度。
為了更清楚瞭解本申請案的第二實施例，將搭配圖6A及圖6B進行詳細地介紹。圖6A及圖6B分別是一剖面示意圖，繪示出本申請案的第二實施例的第一種電子元件轉移模組對應圖5的步驟C及步驟C’。
請參照圖6A，在提供電子元件基板之後，可藉由電子元件轉移模組20B吸附電子元件基板10的部分電子元件，如電子元件12A、12C。電子元件轉移模組20B相似於圖2B的電子元件轉移模組20，其中相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。電子元件轉移模組20B與電子元件轉移模組20的主要差異在於：在電子元件轉移模組20B中，各檢測元件23A配置在其中一吸附元件22與轉移基板21之間。此外，各檢測元件23A還包括中間層ML，且各對電極(如第一對電極MG1)的兩個電極MG11、MG12分別設置在中間層ML的相對兩表面上。進一步而言，電極MG11位於中間層ML與轉移基板21之間，而電極MG12位於中間層ML與吸附元件22之間。
在本實施例中，中間層ML的材料可包括介電應變材料。在各檢測元件23A中，電極MG11、MG12與中間層ML可構成一電容。在各檢測元件23A受到擠壓應力時，例如在電子元件轉移模組20B接觸電子元件12A、12C時(參照圖6A)或是在電子元件12A、12C接觸目標基板TS上的導電圖案E時(參照圖6B)，中間層ML會被壓縮，使得其厚度T減縮。由於電極MG11、MG12之間的距離(即中間層ML的厚度)與電容值呈反比，因此在中間層ML受到擠壓的情況下，電容值會增加。是以，在電子元件轉移模組20B從電子元件基板10拾取電子元件12A、12C(圖5所示的步驟G)之前，可根據第一對電極MG1間的電容值是否增加，以確認電子元件12A、12C與接觸目標(電子元件轉移模組20B)的接觸狀況，且在步驟G之後，可根據第一對電極MG1間的電容值是否增加，確認電子元件12A、12C與接觸目標(目標基板TS)的接觸狀況。
中間層ML的材料可選擇應力釋放後會回復原狀的材料。根據電子元件轉移模組20B吸附電子元件12A、12C時擠壓應力所產生的應變量及/或根據電子元件12A、12C轉移至目標基板TS時的擠壓應力所產生的應變量，中間層ML的楊氏係數例如落在0.1GPa至50GPa的範圍內。
在一實施例中，中間層ML的材料也可包括壓電材料。基於壓電材料因形變而產生極性變化(如極性反轉)或電流變化的特性，在電子元件轉移模組20B接觸電子元件12A、12C時，請參照圖6A，可根據第一對電極MG1間是否產生極性變化或電流變化，確認電子元件轉移模組20B與電子元件12A、12C的接觸狀況。另外，在將電子元件12A、12C轉移至目標基板TS時，請參照圖6B，也可根據第一對電極MG1間是否產生極性變化或電流變化，確認電子元件12A、12C與目標基板TS上導電圖案E的接觸狀況。
以下藉由圖7A及圖7B說明第二實施例的電子元件轉移模組的其他種實施型態，其中電子元件轉移模組的檢測方式可參照圖5及其對應的描述，於下便不再贅述。圖7A及圖7B分別是一剖面示意圖，繪示出本申請案的第二實施例的第二種電子元件轉移模組對應圖5的步驟C及步驟C’。
請參照圖7A及圖7B，電子元件轉移模組20C相似於圖6A的電子元件轉移模組20B，其中相同的元件以相同的標號表示，於此不再贅述。電子元件轉移模組20C與電子元件轉移模組20B的主要差異在於：在電子元件轉移模組20C中，各檢測元件23B包括多對電極，如第一對電極MG1以及第二對電極MG2，其中第一對電極MG1的電極MG11、MG12分別設置在中間層ML的相對兩表面上，且第二對電極MG2的電極MG21、MG22分別設置在中間層ML的相對兩表面上。
在各檢測元件23B中，藉由多對電極的設置，可藉由檢測不同對電極之間狀態是否一致，來判斷各電子元件(如電子元件12A或電子元件12C)是否歪斜。換句話說，電子元件轉移模組20C除了可以檢測轉移的電子元件12A、12C與接觸目標整體的接觸均勻度之外，還可檢測各電子元件(如電子元件12A或電子元件12C)局部的接觸均勻度。
詳細而言，在中間層ML的材料採用介電應變材料的架構下，當電子元件轉移模組20C接觸電子元件12A、12C時，請參照圖7A，在各檢測元件23B中，若第一對電極MG1之間的電容值變異與第二對電極MG2之間的電容值變異近似，則可判斷吸附元件22與對應的電子元件(電子元件12A或電子元件12C)良好地接觸。相反地，在各檢測元件23B中，若第一對電極MG1之間的電容值變異與第二對電極MG2之間的電容值變異差異甚大，則可判斷吸附元件22與對應的電子元件(電子元件12A或電子元件12C)並未良好地接觸，例如可能因電子元件歪斜以至於僅第一對電極MG1與第二對電極MG2的其中一者接觸電子元件。或者，在將電子元件12A、12C轉移至目標基板TS時，請參照圖7B，在各檢測元件23B中，若第一對電極MG1之間的電容值變異與第二對電極MG2之間的電容值變異近似，則可判斷對應的電子元件(電子元件12A或電子元件12C)與目標基板TS上導電圖案E良好地接觸。相反地，在各檢測元件23B中，若第一對電極MG1的之間電容值變異與第二對電極MG2之間的電容值變異差異甚大，則可判斷電子元件(電子元件12A或電子元件12C)與目標基板TS上導電圖案E並未良好地接觸。
另一方面，在中間層ML的材料採用壓電材料的架構下，當電子元件轉移模組20C接觸電子元件12A、12C時，請參照圖7A，在各檢測元件23B中，若第一對電極MG1之間的電流值變異(或極性變異)與第二對電極MG2之間的電流值變異(或極性變異)近似或相同，則可判斷吸附元件22與對應的電子元件(電子元件12A或電子元件12C)良好地接觸。相反地，在各檢測元件23B中，若第一對電極MG1之間的電流值變異(或極性變異)與第二對電極MG2之間的電流值變異(或極性變異)差異甚大，則可判斷吸附元件22與對應的電子元件(電子元件12A或電子元件12C)並未良好地接觸。或者，在將電子元件12A、12C轉移至目標基板TS時，請參照圖7B，在各檢測元件23B中，若第一對電極MG1之間的電流值變異(或極性變異)與第二對電極MG2之間的電流值變異(或極性變異)近似或相同，則可判斷對應的電子元件(電子元件12A或電子元件12C)與目標基板TS上對應的導電圖案E良好地接觸。相反地，在各檢測元件23B中，若第一對電極MG1之間的電流值變異(或極性變異)與第二對電極MG2之間的電流值變異(或極性變異)差異甚大，則可判斷對應的電子元件(電子元件12A或電子元件12C)與目標基板TS上對應的導電圖案E並未良好地接觸。
補充說明的是，在上述多對電極的架構下，第一對電極MG1與第二對電極MG2可依需求而同時被觸發(triggered)或分時被觸發。
在本揭露的上述實施例中，由於可利用檢測元件中至少一對電極間是否產生通路或是否產生電容變化、電流變化或極性變化確認電子元件轉移模組與電子元件的接觸狀況，因此電子元件轉移模組可有效地將電子元件轉移至目標基板上，且電子元件的檢測方法可有效提升電子元件的轉移良率。此外，在各檢測元件中，還可藉由多對電極的設計進一步檢測各電子元件與接觸目標的接觸均勻度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧電子元件基板
11‧‧‧承載基板
12‧‧‧電子元件
13‧‧‧電極
14‧‧‧導電部
15‧‧‧支撐層
20、20A、20B、20C‧‧‧電子元件轉移模組
21、21A‧‧‧轉移基板
22、22A‧‧‧吸附元件
23、23A、23B‧‧‧檢測元件
A、B、C、C’、D、D’、E、E’、F、G‧‧‧步驟
CL‧‧‧電磁線圈
E‧‧‧導電圖案
G‧‧‧間隙
I‧‧‧電流
ML‧‧‧中間層
MG1‧‧‧第一對電極
MG11、MG12、MG21、MG22‧‧‧電極
MG2‧‧‧第二對電極
S、S12A、S12B‧‧‧表面
T、T22‧‧‧厚度
T1‧‧‧第一貫孔
T2‧‧‧第二貫孔
TS‧‧‧目標基板
X、Y、Z‧‧‧寬度
圖1是依照本申請案的第一實施例的第一種電子元件的檢測方法的流程示意圖。 圖2A至圖2E是本申請案的第一實施例的第一種電子元件的檢測方法的剖面示意圖。 圖3是本申請案的第一實施例的電子元件轉移模組的另一種剖面示意圖。 圖4是依照本申請案的第一實施例的第二種電子元件的檢測方法的流程示意圖。 圖5是依照本申請案的第二實施例的一種電子元件的檢測方法的流程示意圖。 圖6A及圖6B分別是一剖面示意圖，繪示出本申請案的第二實施例的第一種電子元件轉移模組對應圖5的步驟C及步驟C’。 圖7A及圖7B分別是一剖面示意圖，繪示出本申請案的第二實施例的第二種電子元件轉移模組對應圖5的步驟C及步驟C’。
A、B、C、D、E‧‧‧步驟

Claims (27)

  1. 一種電子元件的檢測方法，包括： A. 提供一電子元件基板； B. 藉由一電子元件轉移模組吸附該電子元件基板的部分電子元件，其中該電子元件轉移模組包括對應該部分電子元件的多個檢測元件，且各該檢測元件包括至少一對電極； C. 檢測該至少一對電極間是否產生通路，以確認該部分電子元件與一接觸目標的接觸狀況；以及 D. 將吸附於該電子元件轉移模組的該部分電子元件轉移至一目標基板上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件的檢測方法，更包括： 重覆步驟A至步驟D至少一次，以將不同電子元件基板的部分電子元件轉移至該目標基板上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件的檢測方法，其中該電子元件轉移模組吸附該部分電子元件的方法包括真空吸附或電磁吸附。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件的檢測方法，其中在該電子元件轉移模組從該電子元件基板拾取(pick up)該部分電子元件之前，該接觸目標為該電子元件轉移模組，且根據該至少一對電極間是否產生電流或電壓，確認該部分電子元件與該電子元件轉移模組的接觸狀況。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件的檢測方法，更包括： E. 調整該部分電子元件與該接觸目標的接觸狀態， 其中在步驟C中，若該至少一對電極間產生通路，則進行步驟D，若該至少一對電極間未產生通路，則在進行步驟E之後再次進行步驟C。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件的檢測方法，更包括： F. 記錄被轉移的該部分電子元件的位置及狀態， 其中在步驟C中，若該至少一對電極間未產生通路，則在將吸附於該電子元件轉移模組的該部分電子元件轉移至該目標基板上之後進行步驟F。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的電子元件的檢測方法，更包括： 檢測該些檢測元件的各該至少一對電極間的狀態是否一致，以判斷該部分電子元件與該接觸目標的接觸均勻度。
  8. 一種電子元件的檢測方法，包括： A. 提供一電子元件基板； B. 藉由一電子元件轉移模組吸附該電子元件基板的部分電子元件，其中該電子元件轉移模組包括對應該部分電子元件的多個檢測元件，且各該檢測元件包括至少一對電極以及一中間層，各對電極的兩個電極分別配置在該中間層的相對兩表面上； C. 檢測該至少一對電極間是否產生電容變化、電流變化或極性變化，以確認該部分電子元件與一接觸目標的接觸狀況；以及 D. 將吸附於該電子元件轉移模組的該部分電子元件轉移至一目標基板上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的電子元件的檢測方法，更包括： 重覆步驟A至步驟D至少一次，以將不同電子元件基板的部分電子元件轉移至該目標基板上。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的電子元件的檢測方法，其中該電子元件轉移模組吸附該部分電子元件的方法包括電磁吸附。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的電子元件的檢測方法，其中在該電子元件轉移模組從該電子元件基板拾取該部分電子元件之前，該接觸目標為該電子元件轉移模組，且根據該至少一對電極間是否產生電容變化、電流變化或極性變化，確認該部分電子元件與該電子元件轉移模組的接觸狀況。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的電子元件的檢測方法，其中在該電子元件轉移模組從該電子元件基板拾取該些電子元件之後，該接觸目標為該目標基板，根據該至少一對電極間是否產生電容變化、電流變化或極性變化，確認該部分電子元件與該目標基板的接觸狀況。
  13. 如申請專利範圍第8項所述的電子元件的檢測方法，更包括： E. 調整該部分電子元件與該接觸目標的接觸狀態， 其中在步驟C中，若該至少一對電極間產生電容變化、電流變化或極性變化，則進行步驟D，若該至少一對電極間未產生電容變化、電流變化或極性變化，則在進行步驟E之後再次進行步驟C。
  14. 如申請專利範圍第8項所述的電子元件的檢測方法，更包括： F. 記錄被轉移的該部分電子元件的位置及狀態， 其中在步驟C中，若該至少一對電極間未產生電容變化、電流變化或極性變化，則在將吸附於該電子元件轉移模組的該部分電子元件轉移至該目標基板上之後進行步驟F。
  15. 如申請專利範圍第8項所述的電子元件的檢測方法，更包括： 檢測該些檢測元件的各該至少一對電極間的狀態是否一致，以判斷該部分電子元件與該接觸目標的接觸均勻度。
  16. 一種電子元件轉移模組，包括： 一轉移基板； 多個吸附元件，配置在該轉移基板上且分別適於吸附一個電子元件；以及 多個檢測元件，其中各檢測元件包括至少一對電極，該至少一對電極配置在對應的吸附元件上，且該對應的吸附元件位於該至少一對電極與該轉移基板之間。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的電子元件轉移模組，其中各吸附元件的厚度大於或等於5微米。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的電子元件轉移模組，其中各吸附元件的寬度為X，各電子元件的寬度為Y，各檢測元件的各電極的寬度為Z，X≥Y，且Z＜(Y/2)。
  19. 如申請專利範圍第16項所述的電子元件轉移模組，其中該轉移基板具有多個第一貫孔，各吸附元件具有一第二貫孔，各第二貫孔連通其中一該第一貫孔。
  20. 如申請專利範圍第16項所述的電子元件轉移模組，其中各吸附元件包括一電磁線圈。
  21. 一種電子元件轉移模組，包括： 一轉移基板； 多個吸附元件，配置在該轉移基板上且分別適於吸附一個電子元件；以及 多個檢測元件，其中各檢測元件配置在其中一該吸附元件與該轉移基板之間，且各檢測元件包括至少一對電極以及一中間層，各對電極的兩個電極分別配置在該中間層的相對兩表面上。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的電子元件轉移模組，其中該中間層的材料包括介電應變材料，且該中間層的楊氏係數落在0.1GPa至50GPa的範圍內。
  23. 如申請專利範圍第21項所述的電子元件轉移模組，其中該中間層的材料包括壓電材料。
  24. 如申請專利範圍第21項所述的電子元件轉移模組，其中各檢測元件包括多對電極，且各對電極的兩個電極分別設置在該中間層的相對兩表面上。
  25. 如申請專利範圍第21項所述的電子元件轉移模組，其中各吸附元件的厚度大於或等於5微米。
  26. 如申請專利範圍第21項所述的電子元件轉移模組，其中各吸附元件的寬度為X，該電子元件的寬度為Y，各檢測元件的各電極的寬度為Z，X≥Y，且Z＜(Y/2)。
  27. 如申請專利範圍第21項所述的電子元件轉移模組，其中各吸附元件包括一電磁線圈。
TW105124097A 2015-07-29 2016-07-29 電子元件的檢測方法及具有檢測元件的電子元件轉移模組 TWI578433B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201562198645P 2015-07-29 2015-07-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201705346A true TW201705346A (zh) 2017-02-01
TWI578433B TWI578433B (zh) 2017-04-11

Family

ID=57883341

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104140607A TWI566918B (zh) 2015-07-29 2015-12-03 立體列印系統
TW105120683A TWI623766B (zh) 2015-07-29 2016-06-30 生物辨識裝置及方法與穿戴式載體
TW105123986A TWI616072B (zh) 2015-07-29 2016-07-29 光接收器以及光收發器
TW105124097A TWI578433B (zh) 2015-07-29 2016-07-29 電子元件的檢測方法及具有檢測元件的電子元件轉移模組
TW105123987A TWI592709B (zh) 2015-07-29 2016-07-29 光學元件

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104140607A TWI566918B (zh) 2015-07-29 2015-12-03 立體列印系統
TW105120683A TWI623766B (zh) 2015-07-29 2016-06-30 生物辨識裝置及方法與穿戴式載體
TW105123986A TWI616072B (zh) 2015-07-29 2016-07-29 光接收器以及光收發器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105123987A TWI592709B (zh) 2015-07-29 2016-07-29 光學元件

Country Status (3)

Country Link
US (4) US20170034922A1 (zh)
CN (2) CN106405752B (zh)
TW (5) TWI566918B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108398745B (zh) * 2017-02-07 2019-09-13 武汉光迅科技股份有限公司 一种平面光波导基板的结构、模块和制造方法
TWI659866B (zh) * 2017-02-17 2019-05-21 三緯國際立體列印科技股份有限公司 立體列印裝置及其列印方法
TWI605536B (zh) * 2017-04-12 2017-11-11 財團法人工業技術研究院 磁性轉移模組及轉移電子元件的方法
JP7268880B2 (ja) * 2017-08-24 2023-05-08 国立大学法人東北大学 透過型導波モード共鳴格子一体型分光デバイス及びその製造方法
WO2019066869A1 (en) * 2017-09-28 2019-04-04 Intel Corporation COMMON PACKAGING USING SILICON PHOTONIC HYBRID PLANAR LIGHT CURRENT CIRCUIT
US11081602B2 (en) * 2017-11-27 2021-08-03 Mitsubishi Electric Corporation Optical semiconductor device
US10649137B1 (en) * 2019-04-22 2020-05-12 Newport Fab, Llc Silicon-on-insulator (SOI) die including a light emitting layer pedestal-aligned with a light receiving segment
TWI734979B (zh) * 2019-05-02 2021-08-01 陳俊翰 可攜式電子設備
CN112180501A (zh) * 2019-07-04 2021-01-05 上海新微技术研发中心有限公司 硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法
TWI781433B (zh) * 2020-08-19 2022-10-21 普羅森科技股份有限公司 三維列印機

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6329832B1 (en) * 1998-10-05 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Method for in-line testing of flip-chip semiconductor assemblies
US7050675B2 (en) 2000-11-27 2006-05-23 Advanced Interfaces, Llc Integrated optical multiplexer and demultiplexer for wavelength division transmission of information
US20040114869A1 (en) 2001-06-15 2004-06-17 Fike Eugene E. Mode converter including tapered waveguide for optically coupling photonic devices
US6778718B2 (en) * 2001-11-09 2004-08-17 Corning Incorporated Alignment of active optical components with waveguides
KR100442609B1 (ko) * 2002-03-05 2004-08-02 삼성전자주식회사 플립칩 본딩구조 및 본딩방법
KR100456672B1 (ko) * 2002-03-30 2004-11-10 한국전자통신연구원 광도파로 플랫폼 및 그 제조 방법
KR100427582B1 (ko) * 2002-08-08 2004-04-28 한국전자통신연구원 광도파로 플랫폼 및 그 제조 방법
GB2395066A (en) * 2002-11-01 2004-05-12 Optitune Plc Flip chip bonding and passive alignment of optical devices
US7061028B2 (en) * 2003-03-12 2006-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Image sensor device and method to form image sensor device
JP2005063838A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置
US6985645B2 (en) * 2003-09-24 2006-01-10 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for integrally packaging optoelectronic devices, IC chips and optical transmission lines
JP2007298770A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Nec Corp 光導波路デバイス及びその製造方法
WO2008023552A1 (fr) * 2006-08-23 2008-02-28 Konica Minolta Opto, Inc. Élément optique et tête optique
US7529442B2 (en) * 2006-08-31 2009-05-05 Fujitsu Limited Polarization-independent electro-optical (EO) switching
TW200825943A (en) * 2006-12-14 2008-06-16 Chuan Liang Ind Co Ltd Fingerprint identification system
KR100834837B1 (ko) * 2006-12-29 2008-06-03 삼성전자주식회사 반도체 다이 픽업 장치와 이를 이용한 반도체 다이 픽업방법
WO2009051562A1 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 Agency For Science, Technology And Research An optical coupling device and a method of optically coupling light
US8189881B1 (en) * 2007-11-27 2012-05-29 Texas Instruments Incorporated Fingerprint sensor using beams of light and methods of manufacture and use
KR100937662B1 (ko) * 2007-12-24 2010-01-19 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조 방법
FR2926890B1 (fr) * 2008-01-30 2011-01-07 St Microelectronics Grenoble Procede et dispositif de transport de modules electroniques et equipements de manipulation et de test de modules electroniques
JP5229617B2 (ja) * 2008-07-11 2013-07-03 日本電気株式会社 光導波路デバイスとその製造方法
KR101038825B1 (ko) * 2008-11-05 2011-06-03 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
TWI367567B (en) * 2008-11-26 2012-07-01 Univ Nat Central Guided mode resonance solar cell
CN102356337B (zh) * 2009-03-17 2014-03-12 日本电气株式会社 光波导装置及其制造方法
KR101199302B1 (ko) * 2009-10-13 2012-11-09 한국전자통신연구원 광 소자 및 그 제조 방법
US8334152B2 (en) * 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
US8257990B2 (en) 2009-12-30 2012-09-04 Intel Corporation Hybrid silicon vertical cavity laser with in-plane coupling
TW201137328A (en) 2010-04-19 2011-11-01 Oto Science Inc Optical mechanism of miniaturized optical spectrometer
US8265436B2 (en) 2010-05-12 2012-09-11 Industrial Technology Research Institute Bonding system for optical alignment
CA2833624C (en) 2011-04-22 2016-07-26 Huawei Technologies Co., Ltd. Optical transceiver apparatus and wavelength division multiplexing passive optical network system
TWI521690B (zh) * 2011-07-25 2016-02-11 財團法人工業技術研究院 發光元件的轉移方法以及發光元件陣列
US8755650B2 (en) * 2011-09-08 2014-06-17 Seagate Technology Llc Gradient index optical waveguide coupler
US8333860B1 (en) * 2011-11-18 2012-12-18 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a micro device
US10288805B2 (en) * 2012-02-13 2019-05-14 Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. Coupling between optical devices
KR20140011085A (ko) * 2012-07-17 2014-01-28 한국전자통신연구원 하이브리드 집적형 광소자 및 그 제조 방법
US8791530B2 (en) * 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
US8831049B2 (en) 2012-09-14 2014-09-09 Laxense Inc. Tunable optical system with hybrid integrated laser
TW201425795A (zh) * 2012-12-25 2014-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Led燈條製作方法
US9239507B2 (en) 2013-10-25 2016-01-19 Forelux Inc. Grating based optical coupler
TWI603594B (zh) * 2014-09-19 2017-10-21 財團法人工業技術研究院 光通訊裝置和光通訊方法
TWM497090U (zh) * 2014-09-29 2015-03-11 Xyzprinting Inc 立體列印裝置
TWI550524B (zh) * 2014-10-20 2016-09-21 光寶電子（廣州）有限公司 生理訊號處理裝置及其方法
TWM498668U (zh) * 2014-11-06 2015-04-11 Unique Materials Technology Co Ltd 3d列印裝置
TWM502563U (zh) * 2014-12-09 2015-06-11 Univ Nat Taiwan Science Tech 立體列印設備
US9323011B1 (en) * 2015-06-09 2016-04-26 Laxense Inc. Hybrid integrated optical device with passively aligned laser chips having submicrometer alignment accuracy
US9470855B1 (en) * 2015-08-11 2016-10-18 Oracle International Corporation Self-assembled vertically aligned multi-chip module
CN105222895A (zh) 2015-10-14 2016-01-06 厦门大学 一种集成了阵列波导光栅和光电探测器的光谱仪芯片

Also Published As

Publication number Publication date
CN106405752A (zh) 2017-02-15
CN106409931A (zh) 2017-02-15
CN106409931B (zh) 2018-05-25
US20170031104A1 (en) 2017-02-02
TWI578433B (zh) 2017-04-11
TWI616072B (zh) 2018-02-21
US20170034922A1 (en) 2017-02-02
US20170031102A1 (en) 2017-02-02
TW201704796A (zh) 2017-02-01
TWI566918B (zh) 2017-01-21
TW201703988A (zh) 2017-02-01
CN106405752B (zh) 2019-04-05
TWI623766B (zh) 2018-05-11
TW201704776A (zh) 2017-02-01
TWI592709B (zh) 2017-07-21
US9606294B2 (en) 2017-03-28
TW201705702A (zh) 2017-02-01
US20190285805A1 (en) 2019-09-19
US9977192B2 (en) 2018-05-22
US11163121B2 (en) 2021-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI578433B (zh) 電子元件的檢測方法及具有檢測元件的電子元件轉移模組
CN107305915B (zh) 电子-可编程磁性转移模块和电子元件的转移方法
US10147622B2 (en) Electric-programmable magnetic module
CN107680983B (zh) Micro LED阵列器件、拾取装置及相关制作方法、转运方法
US9842782B2 (en) Intermediate structure for transfer, method for preparing micro-device for transfer, and method for processing array of semiconductor device
JP5222806B2 (ja) 静電チャック及びこれを備えた有機電界発光素子の製造装置
KR101047683B1 (ko) 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
TW201929212A (zh) 畫素陣列基板及其製造方法
KR102629259B1 (ko) 마이크로 요소의 이송 장치 및 이송 방법
WO2021238681A1 (zh) 驱动背板、发光二极管芯片的转移方法及显示装置
WO2015081654A1 (zh) 柔性显示器的制造方法以及基板结构
TWI821312B (zh) 包括發光二極體的光電裝置
CN110911436A (zh) 一种驱动背板、发光二极管的转移装置及转移方法
US20200235160A1 (en) Backboard, display device, and method for fabricating backboard
CN110676368B (zh) 检测装置的制造方法与检测方法
KR102688092B1 (ko) 마이크로 발광 다이오드의 검출 장치 및 방법
TWI647810B (zh) 微元件之巨量排列方法及系統
TW202103245A (zh) 吸附裝置、轉移系統及轉移方法
JP2008196002A (ja) 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP5804457B2 (ja) マスク
WO2020220599A1 (zh) 批量转移头及其加工方法
CN114447173A (zh) 发光器件及其制备方法、发光装置
CN110491974B (zh) 微型发光元件及微型发光二极管元件基板
KR102446211B1 (ko) 발광 소자의 검사 방법 및 발광 소자의 검사 장치
CN108574032A (zh) 发光元件与显示设备