TW201702735A

TW201702735A - 防塵薄膜

Info

Publication number: TW201702735A
Application number: TW105109334A
Authority: TW
Inventors: 白崎亨
Original assignee: 信越化學工業股份有限公司
Priority date: 2015-03-30
Filing date: 2016-03-25
Publication date: 2017-01-16
Also published as: JP6395320B2; TWI613511B; JP2016191902A

Abstract

本發明的目的為提供一種即使在防塵薄膜組件的高度被限制為低的情形下，也能設置必要大小的通氣孔開口部以及有效面積充分大的過濾器，而能充分緩和防塵薄膜組件封閉空間的內外的壓力差的防塵薄膜組件。本發明的防塵薄膜組件具有防塵薄膜組件框架21、設置於所述防塵薄膜組件框架21，使防塵薄膜組件封閉空間的內外通氣的通氣孔25以及以塞住所述通氣孔25的至少一部份塞住的方式設置的過濾器22，其特徵在於：所述通氣孔25的防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部27以及防塵薄膜組件封閉空間外側的開口部28的至少一者為朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置。再者，本發明的過濾器較佳為以塞住朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置的通氣孔25的開口部的方式設置。

Description

防塵薄膜

本發明涉及半導體裝置，IC封裝，印刷基板，液晶顯示元件或者有機發光顯示裝置(organic light emitting display，OLED)等的製造時的作為防塵器使用的防塵薄膜組件。

近年，大型積體電路(Large Scale Integration，LSI)的設計正在向四分之一微米以下的微細化前進，伴隨著這種變化，曝光光源的短波長化也在發展。即，曝光光源從水銀燈的g線(436nm)、i線(365nm)向KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)等轉變，進一步，使用主波長為13.5nm的極紫外光(Extreme Ultra Violet，EUV)光的極紫外光曝光也正在被研究。

在大型積體電路，超大型積體電路等的半導體製造或者液晶顯示板的製造中，要對半導體晶片或者液晶用原板照射光以製造圖案，如果在該情形下使用的微影製程(lithography)用光阻(以下簡稱「罩幕」)以及光柵(以下，簡稱「曝光原版」)上有灰塵附著，所述灰塵就會將光吸收、或使光彎曲，轉印的圖案就會變形、邊緣粗糙、基底變黑髒汙，從而產生尺寸、品質、外觀等受損的問題。

這樣的作業，通常在無塵室中進行，但是，即使如此，也難以使曝光原版經常保持清潔。因此，一般採用在曝光原版表面上作為防塵器將防塵薄膜組件貼附後再進行曝光的方法。在該情形下，異物不在曝光原版的表面上直接附著，而是附著於防塵薄膜組件上，在微影製程時只要將焦點對準曝光原版的圖案上，防塵薄膜組件上的異物就不會影響轉印。

所述防塵薄膜組件的基本的構成為，在防塵薄膜組件框架的上端面繃緊設置用於曝光的光的透過率高的防塵薄膜的同時，在下端面形成氣密用墊片。氣密用墊片一般使用黏著劑層。防塵薄膜由可以使用於曝光的光(水銀燈的g線(436nm)、i線(365nm)、KrF準分子雷射(248nm)、ArF準分子雷射(193nm)等)良好透過的硝化纖維素、醋酸纖維素、氟系聚合物等構成，在極紫外光曝光的情形下，也正在研究使用極薄的矽作為防塵薄膜。

防塵薄膜組件是為了防止在曝光原版上有灰塵附著而設置的，所述防塵薄膜組件的黏著劑層使用壓力層壓的方式貼附於曝光原版。此時，防塵薄膜組件以包圍在曝光原版的表面上形成的圖案區域的方式被設置，而使曝光原版的圖案區域以防塵薄膜組件外部的塵埃不會附著在圖案面上的方式隔離於防塵薄膜組件外部。再者，防塵薄膜、防塵薄膜組件框架以及曝光原版形成防塵薄膜組件封閉空間。

所述防塵薄膜組件封閉空間，由於為密閉空間，當外部的壓力變化時，防塵薄膜組件內外的壓力差會對防塵薄膜形成壓力，若為氟聚合物等的樹脂膜的情形下，可能會發生防塵薄膜的膨起、凹陷。另外，極紫外光曝光時，為了使曝光環境為真空，在罩幕進出曝光裝置時，要進行真空抽氣，由此在極薄矽膜的情形下，因些許的壓力差所造成的應力，而使矽膜被破壞的可能性很高。

因此，為了緩和上述的密閉空間的內外的壓力差，一般會設置連通防塵薄膜組件框架的內外的通氣孔，通過所述通氣孔使空氣流通。例如，在專利文獻1中，記載了一種在防塵薄膜組件框架的側部設置氣壓調整用的通氣孔的同時，在所述防塵薄膜組件框架的外側面設置防止遮蓋所述通氣孔的粒子的侵入的過濾器的防塵薄膜組件。另外，在專利文獻2中，記載了一種即使防塵薄膜組件在真空下使用的情形下，也不會由於壓力差而伸縮從而破損的極紫外光用防塵薄膜組件，該防塵薄膜組件具有：在外框部的內側區域具有多孔部的支持部件，在所述支持部件的框部設置氣體可透過的過濾器以及由多孔部支持的單晶矽的防塵薄膜的防塵薄膜組件。

如上述，在以往的防塵薄膜組件中，設置有氣壓調整用的通氣孔以及防止粒子所述通氣孔侵入的過濾器。再者，所述防塵薄膜組件的通氣孔的開口部，在對與防塵薄膜組件框架的防塵薄膜接著面或者黏著劑層設置面垂直的二個面設置的同時，過濾器還要以塞住防塵薄膜組件框架外側面的開口部的方式設置。另外，空氣在通過過濾器時，通氣速度(通氣量)小，所以，特別是極紫外光曝光的真空抽氣的情形以及防塵薄膜組件封閉空間的內外的些許的壓力差會成為問題的情形下，有必要至少將設置過濾器一側的通氣孔開口部的面積加大，進而充分加大過濾器的有效面積。 [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平10-198021號公報 [專利文獻2]日本特開2010-256434號公報

[發明所要解決的課題] 但是，近年，防塵薄膜組件的高度有變低的傾向，而使防塵薄膜組件框架的外側面的高度也變低，由此，發生了通氣孔開口部，進而過濾器的有效面積也不得不變小的問題。特別是，極紫外光用防塵薄膜組件，由於其高度被要求非常低，所以產生了在以往那樣的在防塵薄膜組件框架的外側面設置過濾器時，也不得不將過濾器的有效面積變得非常小的問題。

在大氣壓下使用的ArF用防塵薄膜組件中，防塵薄膜組件封閉空間的內外的壓力變化小，過濾器的通氣性不會成為大問題，但是，由於ArF用的防塵薄膜組件的防塵薄膜組件框架的高度也變低，所以對防塵薄膜組件框架的側面可以設置過濾器的尺寸，有相當的限制。

另一方面，極紫外光用防塵薄膜組件，由於在大氣壓下進行罩幕的安裝，在曝光裝置內則是在真空下使用，所以在將極紫外光用防塵薄膜組件裝入曝光裝置時，防塵薄膜組件封閉空間內的空氣有必要排出。再者，此時，如過濾器的有效面積不充分大，防塵薄膜組件封閉空間的內外會發生壓力差，有發生防塵薄膜被破壞的問題的疑慮。因此，在極紫外光用防塵薄膜組件中有必要設置充分大的通氣孔開口部，以及設置過濾器，如上述，由於極紫外光用防塵薄膜組件的高度被限制在非常低，所以用以往的在防塵薄膜組件框架的外側面上設置過濾器的方法，要設置具有足夠大小的通氣孔開口部以及過濾器是困難的。

因此，本發明就是由於鑒於上述的原因而成的，本發明的目的為，即使防塵薄膜組件的高度被限制得低，也可以設置具有足夠大小的通氣孔開口部以及有效面積大的過濾器，從而提供一種能充分緩和防塵薄膜組件封閉空間的內外的壓力差的防塵薄膜組件。 [解決課題之手段]

本發明為一種防塵薄膜組件，包括防塵薄膜組件框架、設置於所述防塵薄膜組件框架，使防塵薄膜組件封閉空間的內外通氣的通氣孔以及以塞住所述通氣孔的至少一部份的方式設置的過濾器，其特徵在於：通氣孔的防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部以及防塵薄膜組件封閉空間外側的開口部的至少任一者為朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置。再者，本發明的過濾器較佳為以塞住朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置的通氣孔的開口部的方式設置。

另外，本發明的過濾器，更佳為以塞住通氣孔的封閉空間內側的開口部或者所述通氣孔的封閉空間外側的開口部的方式設置，所述通氣孔的封閉空間內側的開口部或者所述通氣孔的封閉空間外側的開口部，較佳為朝向防塵薄膜組件上部設置。

進一步，本發明的過濾器，可以設置在通氣孔內或者通氣孔外的任一者，該情形下，通氣孔較佳為曲折或者彎曲，所述通氣孔較佳為在防塵薄膜組件框架的邊內側或者邊外側形成突出部，並設置於所述突出部。再者，所述突出部，較佳為沿著薄膜組件框架的全周圍的方式設置。 [發明的效果]

根據本發明，可使通氣孔開口部以及過濾器的大小不因防塵薄膜組件的高度而受限制，即使在防塵薄膜組件的高度被限制得低的情形下，由於能夠確保足夠大的過濾器的有效面積，從而能夠很快地緩和防塵薄膜組件封閉空間的內外的壓力差，而具有抑制防塵薄膜的破壞等的問題的效果。

以下，對本發明的一實施方式基於附圖進行詳細說明，但是本發明並不限於此。

圖1、3、6、8為本發明的防塵薄膜組件的一實施方式的示意圖，圖2、4、7、9為本發明的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面示意圖。另外，圖5為實施例1以及2使用的防塵薄膜組件的示意圖。

通常的防塵薄膜組件如圖10、11所示，由防塵薄膜組件框架11、防塵薄膜10、防塵薄膜接著層13、罩幕基板或者曝光原版的黏著層14(以下，稱罩幕黏著層14)、通氣孔15以及過濾器12等構成。另外，通常，為了對罩幕黏著層14的表面進行保護，要安裝分離片，在附圖中則被省略。

在將所述防塵薄膜組件安裝於罩幕基板或者曝光原版時，會產生由防塵薄膜10、防塵薄膜組件框架11、罩幕或者曝光原版(未圖示)、防塵薄膜接著層13、罩幕黏著層14所包圍的封閉空間。在防塵薄膜組件沒有安裝於罩幕基板或者曝光原版的狀態下，不會產生所述封閉空間，但是，為了敘述方便，假定存在罩幕基板或者曝光原版，將所述空間定義為防塵薄膜組件封閉空間。另外，以防塵薄膜組件框架11作為基準，將防塵薄膜接著層13側設為防塵薄膜組件上部，將罩幕黏著層14側設為防塵薄膜組件下部。

在以往的防塵薄膜組件中，如圖11所示，由於通氣孔15是以使與防塵薄膜組件框架11的防塵薄膜接著層13的面或者罩幕黏著層14的面垂直的兩個面貫通的方式被設置，因此所述通氣孔15的開口部的大小以及設置於通氣孔15上的過濾器12的大小，會被防塵薄膜組件的高度所限制。

對此，在本發明的防塵薄膜組件中，如圖2以及圖4所示，通氣孔25的防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部27以及防塵薄膜組件封閉空間外側的開口部28的至少一者，朝向防塵薄膜組件上部設置。另外，如圖7所示，通氣孔25的防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部27也可以朝向防塵薄膜組件下部設置。進一步，雖然沒有圖示，由於也可以將圖4的防塵薄膜組件封閉空間外側的開口部28朝向防塵薄膜組件下部設置，所述通氣孔25的開口部的大小以及通氣孔25中設置的過濾器22的大小，不會被防塵薄膜組件的高度限制。因此，在本發明的防塵薄膜組件中，過濾器22的有效面積，比以往的過濾器大，防塵薄膜組件內空間被電路圖案使用，防塵薄膜組件外部被用於罩幕處理，所以如果過濾器過大，可能因為這些區域被過濾器佔有而發生運用障礙。所以雖然過濾器的有效面積越大效果越大，但是由於在罩幕上進入另一個區域，所以必須要綜合考慮使其為適當的大小。

圖1、2表示的一實施方式為，防塵薄膜組件框架21上的通氣孔25的防塵薄膜組件封閉空間的內側的開口部27被設置為朝向防塵薄膜組件上部的例子。另外，圖3、4表示的另一個實施方式為，防塵薄膜組件框架21上的通氣孔25的防塵薄膜組件封閉空間的外側的開口部28朝向防塵薄膜組件上部設置的例子。本發明的防塵薄膜組件，也可以如同圖7所示的另一個實施方式一樣，將所述開口部27朝向防塵薄膜組件下部設置。

朝向本發明的防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置的開口部，並非一定要對防塵薄膜組件框架21的防塵薄膜接著層23的面或者罩幕黏著層24的設置面進行平行設置。但是，沿著開口部的防塵薄膜組件框架21的面和防塵薄膜組件框架21的防塵薄膜接著層23的面或者罩幕黏著層24的設置面所成的角度越大，由於通氣孔25的開口部的大小以及通氣孔25上設置的過濾器22的大小被防塵薄膜組件的高度限制，所以較佳為45度以下。

在本發明的防塵薄膜組件中，通氣孔25的防塵薄膜組件封閉空間的內側的開口部27以及防塵薄膜組件封閉空間的外側的開口部28兩者可以都朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置，但是，如考慮製造簡便以及成本，較佳為僅至少一者為朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置。

用於使本發明的防塵薄膜組件封閉空間的內外通氣的通氣孔25，較佳為在防塵薄膜組件框架21的邊內側或者邊的外側形成突出部29，並設置於所述突出部29。另外，其形狀並沒有限制，可以是直線狀，也可以是曲折或者彎曲的形狀。但是，在通氣孔25被設置為直線狀的情形下，雖然製造步驟簡便，但是，由於通氣孔25具有對防塵薄膜組件框架21的形狀以及通氣孔25的開口部的設置的位置進行限制的可能性。因此，通氣孔25的形狀較佳為曲折或者彎曲的形狀，如果從其製造的簡便來考慮，特別佳為曲折的形狀。在該情形下，曲折部可以為角，也可以透過去角加工等使其成為平滑曲折。另外，曲折部的角度沒有限制。

防塵薄膜組件框架21的寬比通常要大的情形下，可以設置沒有防塵薄膜接著層23或者罩幕黏著層24的部分，在該處設置通氣孔25的開口部。圖12至圖15，表示了防塵薄膜組件框架21的外側的全周圍上設置多個開口部的實施方式。再者，在這樣的實施方式的情形下，突出部29可以沿著防塵薄膜組件框架的全周圍設置。如此，由於沒有突出於防塵薄膜組件框架21的部分，光阻上形成的圖案區域就不會被限制，另外，也沒有對防塵薄膜組件的處理的阻礙，故而較佳。

本發明的過濾器22是以塞住通氣孔25的至少一部份的方式設置，但是，可以設置為埋入通氣孔25內，也可以用覆蓋通氣孔25的開口部的方式設置在通氣孔25外面。另外，過濾器22的設置位置較佳為塞住設置於朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部的開口部。本發明的防塵薄膜組件中，由於朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置的開口部與防塵薄膜組件的高度無關，可以設置為很大，藉由將所述開口部以塞住過濾器22的方式設置，可以增大過濾器22的有效面積。

過濾器22的材質以及構造沒有限制，可以使用公知的過濾器。例如可以使用由樹脂、陶瓷、金屬等的多孔質材料構成的過濾器以及與纖維狀的材料組合的過濾器等。

在本發明的防塵薄膜組件中，通氣孔25的防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部27較佳為朝向防塵薄膜組件上部設置，過濾器22的設置較佳為塞住朝向所述防塵薄膜組件上部設置的防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部27。這是為了在灰塵等侵入通氣孔25的情形下，不使異物在罩幕基板或者曝光原版上直接附著。另外，通氣孔25的防塵薄膜組件封閉空間的內側的開口部27朝向防塵薄膜組件下部，即朝向罩幕基板或者曝光原版側設置的情形下，特別是進行極紫外光曝光，從真空返回大氣壓時，如灰塵等通過通氣孔25侵入，就會被流入的空氣推壓，從而會在罩幕基板或者曝光原版附著。

各防塵薄膜組件構成部件的大小可以與通常的防塵薄膜組件，例如半導體集積電路製造中的微影製程用防塵薄膜組件以及大型液晶表示裝置製造中的微影製程用防塵薄膜組件等相同，也可以根據需要變更。另外，各防塵薄膜組件構成部件的材質並沒有特別的限制，可以使用公知的材料。

作為防塵薄膜20的材質，雖然沒有特別限制，但是，較佳為使用在曝光光源的波長中的透過率高且耐光性高的材質。例如，以往在準分子雷射中使用的非晶質氟聚合物等。非晶質氟聚合物的例子，可以例舉賽托普(CYTOP，旭硝子股份有限公司製；商品名)、鐵氟龍(tefron，註冊商標)、AF(杜邦公司製；商品名)等。這些聚合物，在製作防塵薄膜時，根據需要可以在溶媒中溶解來使用，例如可以在氟系溶媒等中適宜溶解。另外，將防塵薄膜20在防塵薄膜組件框架21上繃緊設置的方法沒有特別的限制，可以使用公知的方法。

作為用於接著防塵薄膜20和防塵薄膜組件框架21的接著劑，可以使用以往常用的材料。具體來說，例如，丙烯酸樹脂接著劑、環氧樹脂接著劑、矽酮樹脂接著劑、含氟矽酮接著劑等氟聚合物等。其中，氟系聚合物為適宜。作為氟系聚合物，具體可以例舉賽托普(CYTOP，旭硝子股份有限公司製；商品名)等。接著劑，根據需要用溶媒稀釋，在防塵薄膜組件框架的上端面塗布。該情形下的塗布方法，可以採用刷毛塗布、噴塗、自動分配器等。

將防塵薄膜組件在罩幕基板上安裝的罩幕黏著層24可以用雙面膠帶、矽酮系黏著劑、丙烯酸系黏著劑等公知的黏著劑來形成。通常，在防塵薄膜組件框架21的下端面形成罩幕黏著層24，進一步將分離片(未圖示)可剝離地貼附。

分離片的材質没有特别的限制，例如，可以使用聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、四氟乙烯･全氟烷基乙烯基醚共聚物(tetrafluoroethylene-perfluorinated alkyl vinyl ether copolymer，PFA)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)、聚丙烯(polypropylene，PP)等。另外，根據罩幕黏著層24的黏著力，也可在分離片的表面上塗布矽酮系離型劑以及氟系離型劑等的離型劑。所述分離片，可以通過防塵薄膜組件收納容器或者防塵薄膜組件支持方法等方式，來將其省略。

作為本發明的防塵薄膜組件框架21的基材，只要作為防塵薄膜組件框架，其強度和剛性得以確保，就沒有特別的限制，例如鋁、鋁合金(JIS 5000系、6000系、7000系等)、鐵、鐵系合金、陶瓷(SiC、AlN、Al₂ O₃ 等)、陶瓷金屬複合材料(Al-SiC、Al-AlN、Al-Al₂ O₃ 等)、碳鋼、工具鋼、不鏽鋼、工程塑膠(聚乙烯、聚醯胺(Polyamide，PA)、聚二醚酮(polyetheretherketone，PEEK)等)、碳纖維複合材料(玻璃纖維強化塑膠(glass-fiber reinforced plastic，GFRP)、碳纖維強化塑膠(carbon-fiber reinforced plastic，CFRP)等)等。其中在強度、剛性、輕量、成本的面上考慮，較佳為鋁以及鋁合金。

在防塵薄膜組件框架21的表面上，根據需要可以進行陽極氧化處理、電鍍處理、聚合物塗布、塗裝等的處理。另外，從對曝光光的反射進行抑制以及提高異物檢査中的可視性的觀點，防塵薄膜組件框架21較佳為黑色。特別是使用鋁合金作為防塵薄膜組件框架21的基材的情形下，較佳為將其表面用不銹鋼珠、玻璃珠、金剛砂等粗化，進一步進行黑色防蝕鋁處理。

面對防塵薄膜組件框架21的防塵薄膜組件封閉空間的部分，也可以塗布捕捉異物的黏著劑。另外，根據需要也可以追加各種構成部件，另外，只要能滿足作為防塵薄膜組件的機能，也可除去一部份的構成部件。

再者，在極紫外光用防塵薄膜組件的情形下，作為防塵薄膜組件框架，可以使用與準分子雷射用防塵薄膜組件相同的材料。另外，作為防塵薄膜可以使用具有多孔部的支持部件和該藉由所述多孔部支持的單晶矽的防塵薄膜。在將單晶矽的防塵薄膜在防塵薄膜組件框架上繃緊設置時，可以使用矽酮樹脂接著劑，特別是以抑制氣體發生的矽酮樹脂為適宜。另一方面，將防塵薄膜組件安裝在曝光原版的黏著層可以使用矽酮系黏著劑，在該情形下以使用抑制發生氣體的矽酮樹脂為適宜。

另外，過濾器也可以使用與準分子雷射用防塵薄膜組件同樣的公知的過濾器。由樹脂、陶瓷、金屬等的多孔質材料構成的過濾器以及與纖維狀的材料組合的過濾器等也可以使用。

在極紫外光曝光時，將安裝了防塵薄膜組件的罩幕基板或者曝光原版放入曝光裝置之後，有必要將曝光裝置內抽真空，另外，將曝光原版等從曝光裝置中取出時，反而要將裝置內從真空狀態還原為大氣壓。此時，防塵薄膜組件和曝光原版等包圍的防塵薄膜組件封閉空間內有空氣的流出流入，由於有必要使防塵薄膜組件封閉空間的內外不產生氣壓差，所以極紫外光用防塵薄膜組件與以往的準分子雷射用防塵薄膜組件相比，必須確保高的通氣性。因此，應加大通氣孔25的過濾器22設置側的開口部，從而使過濾器22的有效面積充分大。

以下，通過實施例以及比較例對本發明進行具體說明。再者，實施例以及比較例中，將「罩幕基板」作為「曝光原版」的例子來使用，所以本發明對曝光原版全部都可適用。

＜實施例1＞實施例1中，首先，準備外尺寸149 mm×115 mm×2.5 mm，內尺寸145 mm×111 mm×2.5 mm的鋁合金製防塵薄膜組件框架21。再者，如圖5所示，在防塵薄膜組件框架21的四角，為了設置通氣孔25的開口部，要使厚度2 mm的突出部29在防塵薄膜組件框架21的邊內側形成。再者，這些的突出部29中，如圖2所示，在將直徑10 mm的開口部27朝向防塵薄膜組件上部設置的同時，進一步，通過在防塵薄膜組件框架21的外側面設置直徑1mm的開口部28，得到通氣孔25。

然後，將形成有通氣孔25的防塵薄膜組件框架21用純水洗淨，在防塵薄膜組件框架21的下端面塗布矽酮黏著劑(信越化學工業股份有限公司製)，在上端面塗布賽托普接著劑(CYTOP，旭硝子股份有限公司製，CTX-A)。其後，將防塵薄膜組件框架21加熱至130℃，使黏著劑以及接著劑硬化。

再者，在直徑11 mm的PTFE過濾器22的外周部。塗布寬度為0.5 mm的黏著劑後，以塞住設置在防塵薄膜組件框架21的突出部29上的開口部的方式設置PTFE過濾器22(有效過濾器面積78.5 mm² )。其後，用賽托普(CYTOP，旭硝子股份有限公司製，CTX-S)製作厚度為0.28 μm的防塵薄膜20，並貼附在比防塵薄膜組件框架21大的鋁框上。在將所述防塵薄膜20貼附於防塵薄膜組件框架21的接著層側的同時，除去防塵薄膜組件框架21外側的部分，而製得實施例1的防塵薄膜組件。

最後，在將所述防塵薄膜組件貼附於150 mm×150 mm的罩幕基板後，將所述罩幕基板放入減壓盒，在10秒內進行33 kPa的減壓。此時，防塵薄膜20，由於防塵薄膜組件封閉空間的內外的壓力差，在中央部有3 mm的膨脹，但是若保持減壓，防塵薄膜20的膨起逐漸變小，5分後可以確認到膨起消失。

＜實施例2＞實施例2為朝向防塵薄膜組件下部設置通氣孔25的情形。即，首先，準備與實施例1相同的外尺寸149 mm×115 mm×2.5 mm，內尺寸145 mm×111 mm×2.5 mm的鋁合金製防塵薄膜組件框架21，如圖6、圖7所示，為了在防塵薄膜組件框架21的四角設置通氣孔25的開口部，而形成厚度2 mm的突出部29。再者，這些突出部29中，如圖7所示，在將直徑10 mm的開口部27朝向防塵薄膜組件下部設置的同時，通過在防塵薄膜組件框架21的外側面設置直徑1 mm的開口部28，使其作為通氣孔25。

然後，對形成有上述的通氣孔25的防塵薄膜組件框架21，進行與實施例1同樣的處理，製作實施例2的防塵薄膜組件。再者，將所述防塵薄膜組件與實施例1相同地，貼附於150 mm×150 mm的罩幕基板上之後，將所述罩幕基板放入減壓盒，進行與實施例1相同的10秒、33 kPa的減壓，得到與朝向防塵薄膜組件上部設置通氣孔25的實施例1的情形下相同的結果。

＜實施例3＞實施例3中，準備與實施例1相比高度低，外尺寸149.4 mm×116.6 mm×1.7 mm，內尺寸145.4 mm×112.6 mm×1.7 mm的鋁合金製防塵薄膜組件框架21。再者，與實施例1相同，在防塵薄膜組件框架21的四個角設置通氣孔25的開口部，使厚度1.7 mm的突出部29在防塵薄膜組件框架21的邊內側形成。在這些突出部29中，設置直徑10 mm且朝向防塵薄膜組件上部的開口部27，進一步，在防塵薄膜組件框架21的外側面設置直徑1 mm的開口部28，作為通氣孔25。

然後，將形成有通氣孔25的防塵薄膜組件框架21用純水洗淨，在防塵薄膜組件框架21的下端面塗布矽酮黏著劑(信越化學工業股份有限公司製)。其後，將直徑10 mm，過濾精度0.3 μm的SUS製過濾器22設置在防塵薄膜組件框架21的突出部29形成的通氣孔25內。此時，過濾器22的外周部用矽酮封裝劑(信越化學工業股份有限公司製，KE-101A/B)密封。

另外，在防塵薄膜組件框架21的上端面，塗布矽酮封裝劑(信越化學工業股份有限公司製)，並在貼附作為防塵薄膜的由多孔部支持的單晶矽的防塵薄膜20的同時，除去防塵薄膜組件框架21外側的部分，而製得實施例3的防塵薄膜組件。

最後，在將所述防塵薄膜組件貼附於150 mm×150 mm的罩幕基板後，將所述罩幕基板放入減壓盒，進行緩慢減壓。此時，調節為不使防塵薄膜20破裂的減壓速度，確認減壓到1 kPa需要10分鐘。

＜實施例4＞實施例4，如圖8、圖9所示，為在防塵薄膜組件框架21的長邊外側形成的突出部29上，使通氣孔25的開口部朝向防塵薄膜組件上部設置的情形。即，實施例4中，準備與實施例3相同的外尺寸149.4 mm×116.6 mm×1.7 mm，內尺寸145.4 mm×112.6 mm×1.7 mm的鋁合金製防塵薄膜組件框架21，為了在防塵薄膜組件框架21的長邊外側形成的突出部29上設置通氣孔25的開口部，在防塵薄膜組件框架21的長邊外側形成厚度1.7 mm的突出部29。在該突出部29將長度30 mm，幅10 mm的開口部27朝向防塵薄膜組件上部設置的同時，進一步，在防塵薄膜組件框架21的內側面設置直徑1 mm的開口部28，作為通氣孔25。

然後，將形成有通氣孔25的防塵薄膜組件框架21用純水洗淨，在防塵薄膜組件框架21的下端面塗布矽酮黏著劑(信越化學工業股份有限公司製)的。其後，將長寬30 mm、10 mm，過濾精度0.3 μm的SUS製過濾器22在防塵薄膜組件框架21的突出部形成的通氣孔25內設置。此時，過濾器22的外周部用矽酮封裝劑(信越化學工業股份有限公司製，KE-101A/B)閉封。

再者，在防塵薄膜組件框架21的上端面塗布矽酮封裝劑(信越化學工業股份有限公司製)，並在貼附作為防塵薄膜的由多孔部支持的單晶矽的防塵薄膜20的同時，除去防塵薄膜組件框架21外側的部分，而製得實施例4的防塵薄膜組件。

最後，在將所述防塵薄膜組件貼附於150 mm×150 mm的罩幕基板後，將所述罩幕基板放入減壓盒，進行緩慢減壓。此時，調節為不使防塵薄膜20破裂的減壓速度，確認減壓到1 kPa需要5分鐘。

＜實施例5＞實施例5為在沿著防塵薄膜組件框架的內側的全周圍設置突出部29的情形。實施例5中，準備外尺寸151 mm×118.5 mm×1.5 mm，內尺寸143 mm×110.5 mm×1.5 mm的超恆範鋼(super invar steel)製防塵薄膜組件框架21。在此，如圖16以及圖17所示，防塵薄膜組件框架21的內側的部分相當於突出部29，並在此設置通氣孔25的開口部。即，在防塵薄膜組件框架21中設置16個長度10.2 mm，寬度2.7 mm，且朝向防塵薄膜組件上部的開口部的同時，進一步，在防塵薄膜組件框架21的外側面，對著各開口部各設置2個直徑0.8 mm的開口部作為通氣孔25。

然後，將形成有通氣孔25的防塵薄膜組件框架21用純水超音波洗淨，在防塵薄膜組件框架21的下端面塗布矽酮黏著劑(信越化學工業股份有限公司製，X-40-3264)。其後，將長寬10 mm、2.5 mm，過濾精度0.3 μm的SUS製過濾器22設置在防塵薄膜組件框架21的突出部29形成的通氣孔25內。

另外，在防塵薄膜組件框架21的上端面塗布矽酮封裝劑(信越化學工業股份有限公司製，KE-101)，並貼附作為防塵薄膜20的聚矽薄膜，而製得實施例5的防塵薄膜組件。

最後，在將所述防塵薄膜組件貼附於152 mm×152 mm的罩幕基板後，將所述罩幕基板放入減壓盒，進行緩慢減壓。此時，調節為不使防塵薄膜20破裂的減壓速度，確認減壓至1 kPa需要5分鐘。

＜比較例1＞比較例1中，首先，準備與實施例1相同的外尺寸149 mm×115 mm×2.5 mm，內尺寸145 mm×111 mm×2.5 mm的鋁合金製防塵薄膜組件框架。再者，如圖11所示，以與防塵薄膜組件框架11的防塵薄膜接著層13的面或者罩幕黏著層14的設置面垂直且兩面貫通的方式，在4個地方設置直徑1 mm的通氣孔15。

然後，將形成有所述通氣孔15的防塵薄膜組件框架11用純水洗淨，在防塵薄膜組件框架11的下端面塗布矽酮黏著劑(信越化學工業股份有限公司製)，在上端面塗布賽托普接著劑(CYTOP，旭硝子股份有限公司製，CTX-A)。其後，將防塵薄膜組件框架11加熱至130℃，使黏著劑以及接著劑硬化。

再者，在外尺寸10mm×2mm的PTFE過濾器12的外周部塗布寬度為0.5mm的黏著劑後，以塞住防塵薄膜組件框架11的外側面的開口部18的方式設置PTFE過濾器12(有效過濾器面積9 mm² )。其後，用賽托普(CYTOP，旭硝子股份有限公司製，CTX-S)製作厚度為0.28 μm的防塵薄膜10，並貼附在比防塵薄膜組件框架11大的鋁框上。在將所述防塵薄膜10貼附於防塵薄膜組件框架11的接著層側的同時，除去防塵薄膜組件框架11外側的部分，而製得比較例1的防塵薄膜組件。

最後，在將所述防塵薄膜組件貼附於150 mm×150 mm的罩幕基板後，將所述罩幕基板放入減壓盒，在10秒內進行33 kPa的減壓。此時，防塵薄膜10，由於防塵薄膜組件封閉空間的內外的壓力差，中央部有3 mm的膨脹，但是若保持減壓，防塵薄膜10的膨起逐漸變小，確認為了使膨起完全消失需要40分鐘。

＜比較例2＞比較例2中，首先，準備與實施例2相同的外尺寸149.4 mm×116.6 mm×1.7 mm，內尺寸145.4 mm×112.6 mm×1.7 mm的鋁合金製防塵薄膜組件框架11。再者，與比較例1相同，以與防塵薄膜組件框架11的防塵薄膜接著層13的面或者罩幕黏著層14的設置面垂直且兩面貫通的方式，在4個地方設置直徑1 mm的通氣孔15。

然後，將形成有所述通氣孔15的防塵薄膜組件框架11用純水洗淨，在防塵薄膜組件框架11的下端面塗布矽酮黏著劑(信越化學工業股份有限公司製)。其後，以塞住防塵薄膜組件框架11的外側面的開口部18的方式，設置直徑1.7 mm，過濾精度0.3 μm的SUS製過濾器12。此時，將過濾器12的外周部用矽酮封裝劑(信越化學工業股份有限公司製，KE-101A/B)密封。

另外，在防塵薄膜組件框架11的上端面塗布矽酮封裝劑(信越化學工業股份有限公司製)，並在貼附作為防塵薄膜且與實施例2相同的由多孔部支持的單晶矽的防塵薄膜10的同時，除去防塵薄膜組件框架11外側的部分，而製得比較例2的防塵薄膜組件。

最後，在將所述防塵薄膜組件貼附於150 mm×150 mm的罩幕基板後，將所述罩幕基板放入減壓盒，進行減壓。再者，如果用與實施例2同樣的速度減壓，防塵薄膜10破裂。此時，如調節為不使防塵薄膜10破裂的減壓速度，確認減壓至1 kPa需要2小時。

從以上的結果得知，本發明的防塵薄膜組件，由於可以加大通氣孔的開口部進而過濾器的有效面積，而能快速緩和防塵薄膜組件封閉空間的內外的壓力差，進而可以抑制防塵薄膜的破壞等的問題。

10、20‧‧‧防塵薄膜
11、21‧‧‧防塵薄膜組件框架
12、22‧‧‧過濾器
13、23‧‧‧防塵薄膜接著層
14、24‧‧‧罩幕黏著層
15、25‧‧‧通氣孔
16、26‧‧‧防塵薄膜組件封閉空間
17、27‧‧‧防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部
18、28‧‧‧防塵薄膜組件封閉空間外側的開口部
29‧‧‧突出部

圖1是本發明的防塵薄膜組件的一實施方式的示意圖。圖2是圖1的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面圖。圖3是本發明的防塵薄膜組件的另一個實施方式的示意圖。圖4是圖3的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面圖。圖5是實施例1以及3中使用的防塵薄膜組件的示意圖。圖6是本發明的防塵薄膜組件的另一個實施方式的示意圖。圖7是圖6的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面圖。圖8是本發明的防塵薄膜組件的另一個實施方式的示意圖。圖9是圖8的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面圖。圖10是以往的防塵薄膜組件以及比較例1、2的示意圖。圖11是圖10的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面圖。圖12是將突出部在防塵薄膜組件框架的外側的全周圍設置的實施方式的示意圖。圖13是圖12的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面圖。圖14是將突出部在防塵薄膜組件框架的外側的全周圍設置的另一個實施方式的示意圖。圖15是圖14的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面圖。圖16是將突出部在沿著防塵薄膜組件框架的內側的全周圍設置的實施例5的示意圖。圖17是圖16的防塵薄膜組件的過濾器設置部的剖面圖。

20‧‧‧防塵薄膜

21‧‧‧防塵薄膜組件框架

22‧‧‧過濾器

23‧‧‧防塵薄膜接著層

24‧‧‧罩幕黏著層

25‧‧‧通氣孔

26‧‧‧防塵薄膜組件封閉空間

27‧‧‧防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部

28‧‧‧防塵薄膜組件封閉空間外側的開口部

29‧‧‧突出部

Claims

一種防塵薄膜組件，具有：防塵薄膜組件框架；設置於所述防塵薄膜組件框架，使防塵薄膜組件封閉空間的內外通氣的通氣孔；以及以塞住所述通氣孔的至少一部份的方式設置的過濾器，其特徵在於：所述通氣孔的防塵薄膜組件封閉空間內側的開口部以及防塵薄膜組件封閉空間外側的開口部的至少一者為朝向防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置。
如申請專利範圍第1項所述的防塵薄膜組件，其中所述過濾器以塞住朝向所述防塵薄膜組件上部或者防塵薄膜組件下部設置的所述通氣孔的開口部的方式設置。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的防塵薄膜組件，其中所述過濾器以塞住所述通氣孔的封閉空間內側的開口部或者所述通氣孔的封閉空間外側的開口部的方式設置。
如申請專利範圍第3項所述的防塵薄膜組件，其中所述通氣孔的封閉空間內側的開口部或者所述通氣孔的封閉空間外側的開口部為朝向所述防塵薄膜組件上部設置。
如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的防塵薄膜組件，其中所述過濾器設置在所述通氣孔內或者所述通氣孔外。
如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的防塵薄膜組件，其中所述通氣孔為曲折或者彎曲。
如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的防塵薄膜組件，其中所述通氣孔設置在所述防塵薄膜組件框架的邊內側或者邊外側形成的突出部。
如申請專利範圍第7項所述的防塵薄膜組件，其中所述突出部以沿著所述防塵薄膜組件框架的全周圍的方式設置。