TW201702619A - 用於半導體測試的無效運動墊片、及相關的系統及方法 - Google Patents

用於半導體測試的無效運動墊片、及相關的系統及方法 Download PDF

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Abstract

本文揭示用於使用一晶圓中繼器測試半導體晶圓之系統及方法。在一項實施例中，一種用於測試半導體晶粒之裝置包含一半導體晶圓中繼器，該半導體晶圓中繼器具有經定位成面朝一受測試器件之一晶圓側及背向該晶圓側之一探查側。該裝置亦包含周邊地連接至該晶圓中繼器之一可撓性臂，及在該可撓性臂內或在該晶圓中繼器內之一抽氣開口。在該可撓性臂之一第一位置中，該抽氣開口對一氣體之一流動係敞開的，且在該可撓性臂之一第二位置中，該抽氣開口對該氣體之一流動係閉合的。

Description

用於半導體測試的無效運動墊片、及相關的系統及方法 [相關申請案之交叉參考]
本申請案主張2015年6月10日申請之美國臨時申請案第62/230,639號及2016年1月8日申請之美國臨時申請案第62/276,291號之權益，該等臨時申請案兩者特此以全文引用之方式併入本文中。
本發明大體上係關於半導體測試設備，且更特定言之，係關於用於將一測試插入物可移除地附接至一半導體晶圓之方法及裝置。
積體電路廣泛使用於各種產品中。積體電路已不斷地降低價格且增加效能，在現代電子器件中變得無處不在。效能/成本比率之此等改良係至少部分基於微型化，其使得能夠利用各新一代之積體電路製造技術而自一晶圓產生更多半導體晶粒。此外，在一半導體晶粒上之信號及電力/接地接點之總數目一般隨著新的、更複雜晶粒設計而增加。
在將一半導體晶粒運送至一客戶之前，基於一統計樣本或藉由測試各晶粒而測試積體電路之效能。半導體晶粒之一電測試通常包含透過電力/接地接點而給晶粒供電、將信號傳輸至晶粒之輸入接點及在晶粒之輸出接點處量側所得信號。因此，在電測試期間，必須使晶粒上之至少一些接點電接觸以使晶粒連接至電源且測試信號。
習知測試接觸器包含附接至一基板之一接點接腳陣列，例如一相對剛性印刷電路板(PCB)。在操作中，抵靠一晶圓按壓測試接觸器，使得接點接腳陣列與晶圓之晶粒上之對應晶粒接點(例如，襯墊或焊球)陣列進行電接觸。接著，一晶圓測試器將電測試序列(例如測試向量)透過測試接觸器而發送至晶圓之晶粒之輸入接點。回應於測試序列，經測試晶粒之積體電路產生輸出信號，該等輸出信號透過測試接觸器而被路由回至晶圓測試器以用於分析及判定一特定晶粒是否通過該測試。
一般而言，經分佈於晶粒之一減少區域上之晶粒接點之一增加數目導致較小接點間隔開較小距離(例如一較小節距)。此外，測試接觸器之接點接腳之一特性直徑一般隨著半導體晶粒或封裝上之接觸結構之一特定尺寸縮放。因此，隨著晶粒上之接觸結構變得更小及/或具有一更小節距，測試接觸器之接點接腳亦變得更小。然而，難以顯著地減小測試接觸器之接點接腳之直徑及節距(例如，由於製造及組裝此等小零件之困難)，從而導致低良率及自一個測試接觸器至另一個測試接觸器之不一致效能。此外，測試接觸器與晶圓之間的精確對準由於晶圓上之接觸結構之相對較小大小/節距而係困難的。據此，仍需要可隨著晶粒上之接觸結構之大小及節距而按比例縮小之具成本效益之測試接觸器。
10‧‧‧晶圓中繼器
12‧‧‧晶圓中繼器基板
13‧‧‧探查側
14‧‧‧探查側接觸結構/接觸結構
15‧‧‧晶圓側
16‧‧‧晶圓側接觸結構
18‧‧‧導電跡線
19‧‧‧晶圓深蝕道
20‧‧‧晶圓
25‧‧‧作用側
26‧‧‧晶粒接點
30‧‧‧測試接觸器
32‧‧‧測試接觸器基板
36‧‧‧接點
38‧‧‧導電跡線
39‧‧‧纜線
40‧‧‧晶圓夾盤/夾盤
42‧‧‧夾盤附接件
44‧‧‧抽氣路徑
46‧‧‧抽氣路徑
100‧‧‧測試堆疊
110‧‧‧晶圓中繼器附接件
112‧‧‧可撓性臂
114‧‧‧通風密封件
116‧‧‧抽氣開口
120‧‧‧墊片
121‧‧‧第一頂層
122‧‧‧第二頂層
123‧‧‧插入件
124‧‧‧底層
125‧‧‧夾盤支架
A‧‧‧箭頭
B‧‧‧箭頭
C‧‧‧箭頭
d1‧‧‧寬度
d2‧‧‧高度
D1‧‧‧寬度
D2‧‧‧高度
L‧‧‧箭頭/方向
p1‧‧‧節距
p2‧‧‧節距
P1‧‧‧節距/距離
P2‧‧‧節距/距離
Pout‧‧‧壓力
V‧‧‧真空
本發明之上述態樣及許多隨附優勢將變得更易於瞭解且當結合隨附圖式參考下列詳細描述時更好理解本發明之上述態樣及許多隨附優勢，其中：
圖1A係根據本發明所揭示技術之一實施例之用於測試半導體晶圓之一測試堆疊之一部分之一分解圖。
圖1B係根據本發明所揭示技術之一實施例而組態之一晶圓中繼 器之一部分示意性俯視圖。
圖1C係根據本發明所揭示技術之一實施例而組態之一晶圓中繼器之一部分示意性仰視圖。
圖2A至圖2D係根據本發明所揭示技術之一實施例之與一晶圓接合之一晶圓中繼器之示意性橫截面圖。
圖3A及圖3B係根據本發明所揭示技術之一實施例之與一晶圓接合之一晶圓中繼器之示意性橫截面圖。
圖4係根據本發明所揭示技術之一實施例而組態之一晶圓測試堆疊之一部分示意性橫截面圖。
下文描述代表性晶圓中繼器及用於使用及製造之相關方法之若干實施例之特定細節。該等晶圓中繼器可用於測試一晶圓上之半導體晶粒。該等半導體晶粒可包含(例如)記憶體器件、邏輯器件、發光二極體、微機電系統及/或此等器件之組合。熟習相關技術者亦將理解，本發明技術可具有額外實施例，且可在無下文參考圖1A至圖4所描述之實施例之若干細節的情況下實踐本發明技術。
簡要描述揭示用於測試半導體晶圓上之晶粒之方法及器件。該等半導體晶圓生產成數個直徑，例如，150毫米、200毫米、300毫米、450毫米等。所揭示方法及系統使得操作者能夠測試具有襯墊、焊球及/或具有小大小及/或節距之其他接觸結構之器件。焊球、襯墊及/或晶粒上之其他合適導電元件在本文中共同稱為「接觸結構」或「接點」。在許多實施例中，在一或多個類型之接觸結構之內容脈絡中所描述之技術亦可應用於其他接觸結構。
在一些實施例中，該晶圓中繼器之一晶圓側運載具有相對較小大小及/或節距(共同地，「尺度」)之晶圓側接觸結構。使該晶圓中繼器之該等晶圓側接觸結構電連接至在該晶圓中繼器之相對探查側處之 具有相對較大大小及/或節距之對應探查側接觸結構。因此，一旦該等晶圓側接觸結構經適當地對準以接觸該等半導體晶圓，該等相對探查側接觸結構之較大大小/節距即達成更加穩健接觸(例如，需要較少精確度)。該等探查側接觸結構之較大大小/節距可提供更可靠接觸且更容易抵靠該測試接觸器之該等接腳對準。
在至少一些實施例中，該晶圓中繼器與該晶圓之間的接觸藉由該晶圓中繼器與該晶圓之間的一空間中之一真空而促進。例如，在該晶圓中繼器與該晶圓之間的該空間中之一較低壓力(例如次大氣壓)與一較高外部壓力(例如大氣壓)之間的一壓力差可產生一力於該晶圓中繼器之該探查側上方，從而導致該晶圓之該等晶圓側接觸結構與對應晶粒接點之間的一充分電接觸。一真空源可透過該晶圓夾盤中之一或多個抽氣路徑連接至該晶圓中繼器與該半導體晶圓之間的空間。在一些實施例中，該真空由一通風密封件而密封於在該晶圓中繼器與一周邊附接可撓性臂之間的抽氣開口(例如一孔)中。在其他實施例中，該真空由周邊安置於該晶圓中繼器周圍之一墊片及該墊片與晶圓夾盤之間的一插入件(例如一彈性體)密封。
下文所描述之本發明技術之許多實施例可呈電腦或控制器可執行指令之形式，包含由一可程式化電腦或控制器執行之常式。熟習相關技術者將瞭解，可對除下文所展示及描述之電腦/控制器系統外之電腦/控制器系統實踐本發明技術。本發明技術可體現於經特定程式化、經組態或經建構以執行下文所描述之電腦可執行指令中之一或多者之一特殊用途電腦、控制器或資料處理器中。據此，一般使用於本文中之術語「電腦」及「控制器」係指任何資料處理器且可包含網際網路設備及手持器件(包含掌上電腦、可穿戴電腦、蜂巢式或行動電話、多處理器系統、基於處理器或可程式化消費者電子器件、網路電腦、迷你電腦及其類似者)。由此等電腦處理之資訊可在任何合適顯 示媒體(包含一CRT顯示器或LCD)處呈現。
本發明技術亦可實踐於分散式環境中，其中任務或模組由透過一通信網路鏈接之遠端處理器件執行。在一分散式運算環境中，程式模組或子常式可經定位於本端及遠端記憶體儲存器件中。下文所描述之本發明技術之態樣可儲存於電腦可讀取媒體(包含磁性或光學可讀或可抽換式電腦磁碟)上或於電腦可讀取媒體(包含磁性或光學可讀或可抽換式電腦磁碟)上散佈，以及於網路上以電子方式散佈。特別用於本發明技術之態樣之資料結構及資料之傳輸亦涵蓋於本發明技術之實施例之範疇內。
圖1A係根據本發明所揭示技術之一實施例之用於測試半導體晶圓之一測試堆疊100之一部分之一分解圖。測試堆疊100可將來自一測試器(未展示)之信號及電力路由至運載一或多個受測試器件(DUT)之一晶圓或其他基板，且將輸出信號自該等DUT(例如半導體晶粒)傳送回至該測試器以用於分析及判定關於一個別DUT之效能(例如，該DUT是否適用於封裝及運送至客戶)。該DUT可為一單個矽晶粒或多個矽晶粒(例如，當使用一並行測試方法時)。來自該測試器之該等信號及電力可透過一測試接觸器30路由至一晶圓中繼器10，且進一步路由至晶圓20上之該等半導體晶粒。
在一些實施例中，該等信號及電力可使用纜線39而自該測試器路由至測試接觸器30。由一測試接觸器基板32運載之導電跡線38可使纜線39電連接至測試接觸器基板32之相對側上之接點36。在操作中，測試接觸器30可接觸一晶圓中繼器10之一探查側13，如由箭頭A所指示。在至少一些實施例中，相對較大探查側接觸結構14可改良與測試接觸器30之對應接點36之對準。在探查側13處之接觸結構14透過一晶圓中繼器基板12之導電跡線18而與中繼器10之一晶圓側15上之相對較小晶圓側接觸結構16電連接。晶圓側接觸結構16之大小及/或節距適 用於接觸晶圓20之對應晶粒接點26。箭頭B指示晶圓中繼器10之一移動以與晶圓20之一作用側25進行接觸。如上文所解釋，來自該測試器之該等信號及電力可測試晶圓20之該等DUT，且來自該等經測試DUT之該等輸出信號可經路由回至該測試器以用於關於該等DUT是否適用於封裝及運送至該客戶而進行分析及一判定。
晶圓20由一晶圓夾盤40支撐。箭頭C指示晶圓20與晶圓夾盤40配合之方向。在操作中，晶圓20可使用(例如)真空V或機械夾箝抵靠晶圓夾盤40而固持。
圖1B及圖1C分別係根據本發明所揭示技術之實施例而組態之一晶圓中繼器之部分示意性俯視圖及部分示意性仰視圖。圖1B繪示晶圓中繼器10之探查側13。相鄰探查側接觸結構14之間的距離(例如節距)在水平方向上表示為P1且在垂直方向上表示為P2。所繪示探查側接觸結構14具有一寬度D1及一高度D2。取決於該實施例，探查側接觸結構14可為正方形、矩形、圓形或其他形狀。此外，探查側接觸結構14可具有一均勻節距(例如，P1及P2跨越中繼器10係相等的)或一不均勻節距。
圖1C繪示晶圓中繼器10之晶圓側15。在一些實施例中，相鄰晶圓側接觸結構16之間的節距在水平方向上可為p1且在垂直方向上可為p2。晶圓側接觸結構16之寬度及高度(「特性尺寸」)經表示為d1及d2。在一些實施例中，晶圓側接觸結構16可為觸控晶圓20上之對應晶粒接點之接腳(圖1A)。一般而言，探查側接觸結構14之大小/節距大於晶圓側接觸結構16之大小/節距，因此改良該測試接觸器與該晶圓中繼器之間的對準及接觸。晶圓20之該等個別晶粒通常藉由晶圓深蝕道19而彼此分離。
圖2A至圖2D係根據本發明所揭示技術之一實施例之與一晶圓接合之一晶圓中繼器之示意性橫截面圖。如圖2A至圖2D中所繪示，一 真空V可拉動晶圓中繼器10朝向晶圓20靠近且與晶圓20接觸，如下文所解釋。
在一些實施例中，一可撓性臂112使晶圓中繼器10連接至與一夾盤附接件42接合之一晶圓中繼器附接件110。在所繪示之實施例中，可撓性臂112周邊地附接至晶圓中繼器10之一周界。在其他實施例中，可撓性臂112可部分或全部覆蓋晶圓中繼器10同時允許對探查側接觸結構14之接達。針對一大致圓形晶圓中繼器，可撓性臂112亦可為大致圓形的。可撓性臂112可由一彈性體(例如，橡膠、矽橡膠等)、可撓性基板或其他材料製成。所繪示之晶圓中繼器附接件110包含與一夾盤附接件42接合之一凹槽，但其他接合機構係可能的，例如使用緊固件、一真空或一黏著劑。在一些實施例中，晶圓中繼器附接件110及夾盤附接件42大體上圓形地安置於晶圓中繼器10周圍。夾盤附接件42可使用(例如，緊固件或黏著劑)而永久地或可移除地附接至晶圓夾盤40。在一些實施例中，晶圓中繼器10之晶圓側15面向由晶圓夾盤40運載之晶圓20。晶圓20可(例如)藉由機械夾箝或藉由施加一真空至一抽氣路徑46而固持於適當位置中。在一些實施例中，一外部真空源(未展示)可連接至一抽氣路徑44以抽空來自晶圓中繼器10與晶圓20之間的空間中之氣體且降低晶圓中繼器10與晶圓20之間的空間中之壓力(例如，增加真空V)。
在一些實施例中，一或多個抽氣開口116使晶圓中繼器10與晶圓20之間的空間與在一壓力Pout(例如，大氣壓或高於大氣壓)下之一周圍空間連接。圖2A至圖2C繪示在可撓性臂112與晶圓中繼器10之間及/或在可撓性臂112內之抽氣開口116。圖2D繪示在晶圓中繼器10內部之抽氣開口116。在一些實施例中，在晶圓中繼器10內部之抽氣開口116可面向一部分晶粒或在晶圓20上無晶粒之一區域，因此保留該晶圓上之晶粒之可測試性。抽氣開口116可圓周性地分佈在晶圓中繼器 10周圍。抽氣開口116可容置一通風密封件114(例如一彈性體)。
在圖2A至圖2C中所繪示之實施例中，當晶圓中繼器10遠離晶圓20時，通風密封件114不完全閉合抽氣開口116，因此實現在晶圓中繼器10與晶圓20之間的空間中之真空V之一較緩慢斜升。回應於增加Pout與真空V之間的一壓力差，晶圓中繼器10可在由箭頭L指示之一方向上移動靠近晶圓20。
圖2B繪示藉由真空V而被拉動朝向晶圓20靠近(在箭頭L之方向上)之晶圓中繼器10。隨著晶圓中繼器10朝向晶圓20移動，抽氣開口116與通風密封件114之間的空間變得更小。在一些其他實施例中，通風密封件114可為大致平坦的以至少部分覆蓋抽氣開口116之開口(例如，隨著晶圓中繼器10被吸取靠近晶圓20，該通風密封件滑動於抽氣開口116之開口上方)。
圖2C繪示晶圓中繼器10與晶圓20接觸。壓力Pout與真空V之間的壓力差可維持晶圓中繼器10與晶圓20之間的接觸。在一些實施例中，當晶圓中繼器10與晶圓20接觸時，通風密封件114堵塞抽氣開口116，因此幫助穩定並維持真空V。在一些實施例中，晶圓20之電測試在晶圓側接觸結構16接觸對應晶粒接點26之後開始。
在圖2D中所繪示之實施例中，抽氣開口116係在晶圓中繼器10中。在其他實施例中，抽氣開口116可部分定位於晶圓中繼器10中且部分定位於可撓性臂112中。回應於增加Pout與真空V之間的一壓力差，晶圓中繼器10可在由箭頭L指示之方向上移動靠近晶圓20。
圖3A及圖3B係根據本發明所揭示技術之一實施例之與一晶圓接合之一晶圓中繼器之示意性橫截面圖。圖3A繪示晶圓中繼器10之晶圓側接觸結構面向晶圓20之晶粒接點。在一些實施例中，一墊片120可至少部分密封晶圓中繼器10與晶圓20之間的空間。晶圓20可藉由透過抽氣路徑46施加真空、藉由機械夾箝或藉由其他機構而抵靠夾盤40 固持。墊片120可包含一第一頂層121及一第二頂層122，其等周邊地安置在晶圓中繼器10之周界周圍。在一些實施例中，第一頂層121可包含聚酯或其他聚合物，且第二頂層122可包含係黏著或膠黏之一材料(例如一聚矽氧黏著劑)以促進墊片120至晶圓中繼器10之一可釋放黏著性。第一頂層121及/或第二頂層122可包含一平坦區域(即，一非圓形邊緣)以促進墊片120之鍵入及自晶圓中繼器10之移除(例如，在晶圓20已經測試之後)。在一些實施例中，墊片120可具有僅一個頂層或兩個以上頂層。例如，第一頂層121可包含面向該晶圓之一膠黏或黏著表面，因此至少部分組合第一頂層及第二頂層之功能性。
所繪示墊片120包含一插入件123及一底層124。在一些實施例中，插入件123包含一彈性體(例如，橡膠、矽橡膠等)且底層124包含係黏著或膠黏之一材料(例如，一可釋放黏著材料)。在一些實施例中，插入件123之一底部表面可為黏著的或膠黏的，因此組合插入件123及底層124之功能。在所繪示之實施例中，墊片120之底層124面向一夾盤支架125。插入件123、底層124及夾盤支架125之高度可經選擇以改良晶圓側接觸結構16與對應晶粒接點26之間的接觸，如下文結合圖3B所解釋。
圖3B繪示晶圓中繼器10之晶圓側接觸結構16在方向L上接觸晶圓20之晶粒接點26。在一些實施例中，底層124接觸夾盤支架125以密封晶圓中繼器10與晶圓20之間的空間。真空V(例如，透過抽氣路徑44提供)可由於Pout與V之間的壓力差而維持晶圓側接觸結構16與晶粒接點26之間的接觸。在一些實施例中，晶圓20在晶圓側接觸結構16接觸晶粒接點26之後經測試。在一些實施例中，底層124在面向插入件123之側處可具有一較強黏著性，且在面向夾盤支架125之側處可具有一較弱黏著性以用於墊片120自夾盤支架125之較容易移除。
在一些實施例中，即使當墊片120與夾盤支架125之堆疊之高度 歸因於(例如)製造容差而不同於晶圓20與晶圓中繼器10之經組合高度，仍亦可維持真空V。例如，第一頂層121及第二頂層122之可撓性及/或插入件123之可壓縮性可克服由製造容差所致之高度差。在一些實施例中，插入件123可為約0.5毫米厚。在一些實施例中，插入件123之厚度可與晶圓中繼器10之厚度相當。
圖4係根據本發明所揭示技術之一實施例而組態之一晶圓測試堆疊之一部分示意性橫截面圖。在一些實施例中，插入件123與底層124之經組合高度經選擇使得底層124在無中間夾盤支架之情況下接觸晶圓夾盤40。所繪示之墊片120包含接觸晶圓夾盤40以維持真空V之底層124。
依據前文，將瞭解，本文為了繪示目的已描述本發明技術之特定實施例，但是可在不偏離本發明之情況下作出各種修改。例如，在一些實施例中，墊片120可包含額外層或可具有更少層。此外，第二頂層122在面向第一頂層121之側上可較黏著，且在面向晶圓中繼器10之側上可較不黏著以促進墊片120自晶圓中繼器10之更容易移除。
而且，雖然上文已在彼等實施例之內容脈絡中描述與某些實施例相關之各種優點及特徵，但其他實施例亦可展現此等優點及/或特徵，且並非全部實施例必須展現此等優點及/或特徵以落於本發明技術之範疇內。據此，本發明可涵蓋未明顯展示或描述於本文中之其他實施例。
10‧‧‧晶圓中繼器
14‧‧‧探查側接觸結構/接觸結構
16‧‧‧晶圓側接觸結構
20‧‧‧晶圓
26‧‧‧晶粒接點
40‧‧‧晶圓夾盤/夾盤
44‧‧‧抽氣路徑
46‧‧‧抽氣路徑
120‧‧‧墊片
121‧‧‧第一頂層
122‧‧‧第二頂層
123‧‧‧插入件
124‧‧‧底層
125‧‧‧夾盤支架
L‧‧‧箭頭/方向
Pout‧‧‧壓力
V‧‧‧真空

Claims (25)

  1. 一種用於測試半導體晶粒之裝置，其包括：一半導體晶圓中繼器，其具有經定位成面朝一受測試器件之一晶圓側及背向該晶圓側之一探查側；一可撓性臂，其周邊地連接至該晶圓中繼器；及一抽氣開口，其至少部分安置於該可撓性臂內或該晶圓中繼器內。
  2. 如請求項1之裝置，其中在該可撓性臂之一第一位置中，該抽氣開口對一氣體之一流動係敞開的，且在該可撓性臂之一第二位置中，該抽氣開口對該氣體之該流動係閉合的。
  3. 如請求項2之裝置，其進一步包括至少部分安置於該抽氣開口內部之一通風密封件，其中在該可撓性臂之該第二位置中，該通風密封件閉合該抽氣開口。
  4. 如請求項2之裝置，其進一步包括至少部分安置於該抽氣開口之一開口上方之一通風密封件，其中在該可撓性臂之該第二位置中，該通風密封件閉合該抽氣開口。
  5. 如請求項1之裝置，其中該可撓性臂包括一彈性體。
  6. 如請求項1之裝置，其中該可撓性臂附接至一夾盤附接件。
  7. 如請求項1之裝置，其中在該可撓性臂之第二位置中，該晶圓中繼器與一半導體晶圓接觸。
  8. 如請求項1之裝置，其進一步包括運載該等半導體晶粒之一半導體晶圓，其中在該可撓性臂之第二位置中，該晶圓中繼器與該半導體晶圓之該等半導體晶粒接觸。
  9. 如請求項1之裝置，其中氣體係一惰性氣體。
  10. 一種用於測試半導體晶粒之裝置，其包括： 一晶圓中繼器，其具有經定位成面朝一受測試器件之一晶圓側、背向該晶圓側之一探查側及使該晶圓側與該探查側連接之一側表面；及一墊片，其與該晶圓中繼器之該探查側接觸，其中該墊片包含接觸該晶圓中繼器之該探查側之一周邊之一頂層及安置成橫向遠離該晶圓中繼器之該側表面且與該頂層接觸之一插入件。
  11. 如請求項10之裝置，其中該頂層包含一第一層及一第二層，其中該第二層與該第一層及該晶圓中繼器之該探查側接觸，且其中該第二層係黏著的。
  12. 如請求項10之裝置，其中該插入件具有與該頂層接觸之一第一側及與該第一側相對之一第二側，且其中該第二側係黏著的。
  13. 如請求項10之裝置，其中該插入件具有與該頂層接觸之一第一側及與該第一側相對之一第二側，該裝置進一步包括附接至該插入件之一底層，其中該底層係黏著的。
  14. 如請求項10之裝置，其中該插入件永久地附接至該頂層。
  15. 如請求項10之裝置，其中該插入件包括橡膠或矽橡膠。
  16. 如請求項10之裝置，其中該晶圓中繼器之該晶圓側運載具有一第一尺度之接觸結構，且該晶圓中繼器之該探查側運載具有一第二尺度之接觸結構，其中該第一尺度小於該第二尺度。
  17. 如請求項10之裝置，其進一步包括運載該等半導體晶粒之一半導體晶圓。
  18. 一種用於測試半導體晶粒之方法，其包括：藉由透過一抽氣開口抽空來自一晶圓中繼器與一半導體晶圓之間的一空間之一氣體而產生一真空，其中該晶圓中繼器具有面向該半導體晶圓之一晶圓側及與該晶圓側相對之一探查側，且其中該晶圓中繼器使用周邊地連接至該晶圓中繼器之一可撓 性臂而附接至一晶圓夾盤；回應於產生該真空，將該晶圓中繼器移動至與該半導體晶圓接觸；及回應於移動該晶圓中繼器，對該氣體閉合該抽氣開口。
  19. 如請求項18之方法，其中一通風密封件對該氣體閉合抽氣開口。
  20. 如請求項18之方法，其中該抽氣開口至少部分安置成穿過該可撓性臂。
  21. 如請求項18之方法，其中該氣體透過該晶圓夾盤而被抽空。
  22. 如請求項18之方法，其中該可撓性臂藉由一夾盤附接件而附接至該晶圓夾盤。
  23. 如請求項18之方法，其中該真空係一第一真空，該方法進一步包括將一第二真空施加於該半導體晶圓與該晶圓夾盤之間的一空間中。
  24. 如請求項18之方法，其進一步包括測試該等半導體晶粒。
  25. 如請求項18之裝置，其中該晶圓中繼器之該晶圓側運載具有一第一尺度之接觸結構，且該晶圓中繼器之該探查側運載具有一第二尺度之接觸結構，其中該第一尺度小於該第二尺度。
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