TW201640978A - 印刷佈線板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種印刷佈線板及其製造方法。印刷佈線板係在數位電路與類比電路之間的絕緣層上配置有電源供給路徑，在數位電路與類比電路的邊界處，一維或二維地週期性地配置EBG單位單元，形成交叉指狀電極，且在印刷佈線板的整面、或者在EBG單位單元上局部地、或者避開EBG單位單元上而形成有磁性體膜。

Description

印刷佈線板及其製造方法
本發明涉及一種具有電磁帶隙(EBG)結構的印刷佈線板及其製造方法。
近年來，提出了藉由週期性地排列導體貼片等從而人工地控制材料的頻率分佈的結構。其中，電磁帶隙(Electromagnetic Band Gap，以下稱為“EBG”)結構具有在印刷佈線板、元件封裝基板的特定頻帶中抑制電磁波的傳播的特性。使用該特性應用於雜訊的抑制、干擾對策等。
作為前述EBG結構，例如提出了具有蘑菇(Mushroom)狀導體的蘑菇EBG結構、不使用通孔(via)的無通孔EBG結構等。
在習知的多層印刷佈線板中，設計為在電源層和GND(接地，ground)層使用整體模(solid pattern)以低阻抗供給穩定的電壓、電流。
但是，在將數位電路和類比電路與相同的電源連接的情況下，在習知的整體模中，不僅直流(DC)的連接，對於 高頻成分也容易傳送。因此，在數位電路中產生的高頻雜訊傳遞至類比電路，從而出現問題。具體而言，在與電源層和GND層的形狀相應的共振頻率處產生駐波，在特定頻率處看起來傳送特性變好。因此，存在下述問題：如果與在IC等中產生的高頻雜訊的頻率一致，則對類比電路的動作產生大的影響。
為了抑制這樣的高頻雜訊，提出了下述的方案。
在日本特開2008-131509號公報提出的EBG結構體中，設為在上述印刷佈線板的電源層加入縫隙的結構，不需要通孔等複雜結構，僅在電源層形成了EBG結構。
在日本特開2010-199881號公報提出的波導結構中，提出了一種EGB結構，係連接以通孔與GND層連接的開放式短截線(open stub)結構的旋渦狀佈線。在該結構的情況下，成為在電源層與GND層之間經由通孔連接有開放式短截線的輸入阻抗的結構。雜訊阻止的頻率係在電源層與GND層之間的阻抗為0的開放式短截線的共振頻率附近。因此，依據決定共振頻率的短截線的長度，能夠控制阻帶的頻率。藉由設為旋渦狀佈線，從而能夠減小短截線的佔有面積，因此適合進行小型化。
在日本特開2013-183082號公報提出的多層印刷佈線板中，設為將電源分割為貼片狀並與其一部分連接有開放式短截線的結構，設為僅在電源層構成EBG並實現小型化的結構。
在2014年3月5日第28次電子封裝學會春季演講大會上岡山大學的豐田啟孝等人的演講論文集“帶鐡氧體膜平面EBG結構的實用化的研究(膜付EBG構造実用化検討)”中，提出了利用帶曲折佈線的EBG圖案的雜訊對策。如果設為用曲折佈線對相鄰EBG單位單元內的貼片間進行連接的結構，則能夠增加電感，能夠實現小型化。
但是，在日本特開2008-131509號公報提出的EBG結構體中，雖然藉由在整體模中加入縫隙，從而能夠期待藉由縫隙使高頻成分難以傳遞的效果，但是如果完全用縫隙進行分離，則變得無法進行直流供電。如果設為連接有電源層的一部分的結構，則在無線通訊等中使用的2.5GHz頻帶的雜訊阻止中，需要16.5mm×16.5mm左右大小的EBG單位單元，難以應用於筆記型電腦等可攜帶大小的產品。
在日本特開2010-199881號公報提出的波導結構中，需要追加用於形成開放式短截線的層。在開放式短截線部分的佈線與GND層的連接中需要通孔。因此，存在下述問題：在印刷佈線板製造工序中，用於準備專用的通孔的工時增加，成為成本上升的原因。
在日本特開2013-183082號公報提出的多層印刷佈線板中，提出了下述電磁帶隙結構，亦即，藉由在週期性地配置的貼片部形成開放式短截線，從而具有在特定的頻帶中抑制電磁波傳播的阻止頻帶。在該方法中，由 於依賴於短截線的電氣長度而得到阻帶，因此存在為了將阻帶設定為低頻而必須使短截線長度變長的問題。存在下述問題：雖然藉由將短截線設為旋渦狀佈線等，從而減小佔有面積、謀求小型化，但是由於殘留有貼片部，所以小型化不充分，或者，如果使在貼片間進行連接的分支變細而謀求小型化，則直流供電變得困難。
在2014年3月5日第28次電子封裝學會春季演講大會上岡山大學的豐田啟孝等人的演講論文集“帶鐵氧體膜平面EBG結構的實用化的研究”中，藉由將EBG單位單元間的連接設為曲折佈線，從而增大電感成分而實現了EBG單位單元的小型化。但是，在2.5GHz帶的雜訊對策中，根據實施例，需要7mm×7mm左右大小的EBG單位單元。由於允許電流值由曲折佈線部分的粗細決定，所以在供給大的電流的情況下，需要使曲折佈線變粗，妨礙了EBG單位單元的小型化。
本發明的實施方式所涉及的課題在於提供一種能夠在數位電路和類比電路的混載基板中防止在數位電路中產生的高頻雜訊混入至類比電路的EBG結構，並實現其小型化，並且提供一種具備了具有EBG結構的電源層的印刷佈線板及其製造方法。
本發明的實施方式所涉及的印刷佈線板，在數位電路與類比電路之間的絕緣層上配置電源供給路徑，在數位電路與類比電路的邊界處，一維或二維地週期 性地配置EBG單位單元，形成交叉指狀電極。
本發明的實施方式所涉及的佈線基板的製造方法，在數位電路與類比電路之間的絕緣層上配置電源供給路徑，在數位電路與類比電路的邊界處，一維或二維地週期性地配置EBG單位單元，形成交叉指狀電極，在EBG單位單元上形成磁性體膜。
1‧‧‧電源層
2‧‧‧數位電路
3‧‧‧類比電路
4‧‧‧IDE-EBG
10‧‧‧數位電路
11‧‧‧類比電路
12‧‧‧IDE-EBG
13‧‧‧電源層
14‧‧‧絕緣板
15‧‧‧電源層
16‧‧‧佈線圖案
17‧‧‧磁性體
18‧‧‧芯基板
41‧‧‧二維IDE-EBG單位單元
42‧‧‧橋接部
43‧‧‧細線電極
44‧‧‧細線電極
121‧‧‧一維IDE-EBG單位單元
122‧‧‧橋接部
123‧‧‧細線電極
124‧‧‧細線電極
第1A圖表示本發明的一個實施方式所涉及的印刷佈線板，是在數位電路與類比電路之間二維配置有二維IDE-EBG單位單元的說明圖。第1B圖是第1A圖的局部放大圖。
第2A圖是將第1B圖的二維IDE-EBG單位單元在橫向配置有4個，在縱向配置有3個的說明圖。第2B圖是第2A圖的局部放大圖(相鄰EBG單位單元未表示)。
第3A圖是用於本發明的IDE-EBG單位單元的原理說明的等效電路圖。第3B圖是習知的相鄰EBG單位單元間的電容的說明圖。第3C圖是在相鄰EBG單位單元間形成有交叉指狀電極的情況下的電容的說明圖。
第4圖是設想無限地配置了在相鄰EBG單位單元間形成有交叉指狀電極的二維IDE-EBG單位單元的情況，藉由電磁場模擬而得到的分佈關係的圖形。
第5A圖表示本發明所涉及的印刷佈線板的其他實施方式，是在數位電路與類比電路之間二維配置有一維 IDE-EBG單位單元的說明圖。第5B圖是第5A圖的局部放大圖。
第6圖是設想無限地配置了在相鄰EBG單位單元間形成有交叉指狀電極的一維IDE-EBG單位單元的情況，藉由電磁場模擬而得到的分佈關係的圖形。
第7A至7F圖是表示本發明所涉及的印刷佈線板的製造方法的剖視圖。
在本發明的一個實施方式所涉及的印刷佈線板中，如第1A圖所示，在數位電路2與類比電路3的邊界的電源層1上，配置IDE-EBG4。
在印刷佈線板上形成的IDE-EBG4設為週期性地二維配置了第1B圖所示的二維IDE-EBG單位單元41的結構。
二維IDE-EBG單位單元41由橋接部42和細線電極43構成，在與四周的相鄰EGB單位單元的細線電極44之間構成交叉指狀電極。
在第1A圖中，在開關雜訊(高頻雜訊)的傳播路徑由圖中的箭頭A表示的情況下，數位電路2的開關雜訊(高頻雜訊)由IDE-EBG4阻止，防止向類比電路3的混入。
橋接部42是直流供電用的佈線，藉由改變佈線寬度，能夠調整供電電流。
第2A圖表示二維IDE-EBG單位單元41在 橫向配置有4個，在縱向配置有3個的結構。更詳細而言，如第2B圖所示，二維IDE-EBG單位單元是不包含有形成交叉指狀電極的相鄰EBG單位單元的細線電極44的二維IDE-EBG單位單元41。二維IDE-EBG單位單元41在印刷佈線板上二維配置，在相鄰的其他二維IDE-EBG單位單元41的邊界處構成交叉指狀電極。因此，二維IDE-EBG單位單元41能夠增加在相鄰的EBG單位單元間形成的交叉指狀電極的電容(第3A圖的C2)，與習知型的平面EBG結構的印刷佈線板相比能夠實現小型化。
上述數式1是表示阻帶的低域側頻率f的式子。
如第3A圖所示，習知型的平面EBG結構的EBG單位單元將EBG單位單元內的分支設為旋渦形狀、曲折形狀等而使其變得細長，增加第3A圖的電感L，補償由於小型化而減少了的電容C1，從而將上述數式1的阻帶的低域側頻率f維持為期望的頻率。本發明的一個實施方式所涉及的印刷佈線板在相鄰EBG單位單元間形成交叉指狀電極，與EBG單位單元的電源層與GND層間的電容C1相比，使第3A圖的電容C2足夠大，由此能夠與EBG單位單元大小無關地將前述阻帶的低域側頻率f設定為期望的頻率，實現 小型化。
第3B圖表示EBG單位單元不包含交叉指狀電極的、旋渦佈線或曲折佈線的情況下的相鄰EBG單位單元間的電容C2。與該第3B圖所示的電容C2相比，第3C圖所示的交叉指狀電極的相鄰EBG單位單元間的電容C2是追加有多個EBG單位單元的細線電極與相鄰EBG單位單元的細線電極間的電容C的交叉指狀結構，因而能夠使第3C圖的電容C2的值與第3A圖的電容C1相比極大。因此，能夠與電容C1無關地設定阻帶的低域側頻率f。
將形成有交叉指狀電極的IDE-EBG單位單元41進行二維配置得到的IDE-EBG4的形狀不特別限定，可以不必是正方形、長方形。
阻帶的頻率由IDE-EBG單位單元41決定，但並不取決於形狀。因此，IDE-EBG單位單元41的形狀也可以不是正方形、長方形，例如，三角形、正六邊形也能夠得到同樣的抑制效果。
作為二維IDE-EBG單位單元41在印刷佈線板中的配置方法，例如可舉出下述等結構，亦即，配置在類比塊(類比電路3)的周圍而使妨礙類比塊的動作的開關雜訊(高頻雜訊)不會從外部進入的結構、配置在數位塊(數位電路2)的周圍而使成為引起電磁干擾的原因的高頻數位雜訊不會流出的結構。
第4圖中示出IDE-EBG單位單元41的分佈關係的模擬結果。在模擬中使用的IDE-EBG單位單元大小 是由下述尺寸構成者，亦即，第1B圖所示的二維IDE-EBG單位單元41的一邊分別為5.0mm，橋接部42的寬度為0.25mm，細線電極43的寬度為0.1mm，細線電極43與相鄰二維IDE-EBG單位單元的細線電極43的寬度為0.1mm。
由第4圖所示的分佈關係的曲線可知，2.5GHz至3.8GHz的範圍成為阻帶。如第1A圖所示，在將IDE-EBG4配置於數位電路2與類比電路3的邊界的電源層1上的印刷佈線板中，在2.5GHz至3.8GHz的頻帶中，能夠阻止從數位電路2向類比電路3的開關雜訊(高頻雜訊)。
<其他實施方式>
依據第5圖以及第6圖說明本發明的其他實施方式所涉及的印刷佈線板。
第5A圖所示的是包含其他的IDE-EBG12的印刷佈線板，該IDE-EBG12將一維IDE-EBG單位單元121在數位電路10與類比電路11之間進行二維配置而得到，該一維IDE-EBG單位單元121包含在與相鄰EBG單位單元的細線電極之間構成的交叉指狀電極。
第5B圖所示的是在相鄰EBG單位單元間形成有交叉指狀電極的一維IDE-EBG單位單元。橋接部122以將相鄰EBG單位單元相連接的方式進行佈線。細線電極123是與橋接部122平行地佈線的一維IDE-EBG單位單元121。
第5B圖所示的橋接部122是直流供電用的 佈線，藉由改變佈線寬度，即能夠調整供電電流量。細線電極123藉由相鄰一維IDE-EBG單位單元的細線電極124形成交叉指狀電極，即能夠增加在相鄰的EBG單位單元間形成的交叉指狀電極的電容(第3A圖的靜電容量C2)。
第6圖所示的是第5A圖的IDE-EBG12的分佈關係的模擬結果。在模擬中使用的IDE-EBG單位單元大小是由下述尺寸構成者，亦即，第5B圖所示的一維IDE-EBG單位單元121的一邊分別為5.0mm，橋接部122的寬度為0.25mm，細線電極123的寬度為0.1mm。
在第5A圖所示的數位電路10與類比電路11的邊界的電源層13上配置有IDE-EBG12的情況下的阻帶，根據第6圖所示的分佈關係的曲線可讀取為1.4GHz至2.2GHz的範圍。在該頻帶中，藉由由IDE-EBG12產生的雜訊阻止效果，即能夠抑制從數位電路10往類比電路11的開關雜訊(高頻雜訊)的傳播。
<與磁性體的組合結構>
在本發明所涉及的印刷佈線板中，藉由利用塗布、成膜等裝置配置磁性體，從而具有利用了磁性體的介電常數、導磁率的效果。有助於由波長縮短效果帶來的小型化、阻帶中的雜訊阻止量的提高、以及阻帶的寬頻帶化。
作為磁性體的配置方法，只要在印刷佈線板的至少一部分配置磁性體即可。例如，有以下所示的(a)至(c)的配置方法等。
(a)以與交叉指狀電極相同的形狀，局部地配置磁性體。
(b)避開交叉指狀電極而配置磁性體。
(c)在印刷佈線板整個面配置磁性體。
磁性體的組成為1種、膜厚為1種較好。
就在本實施方式中使用的磁性體而言，較佳具有高的複導磁率成分。磁性體具有越高的複導磁率成分，則為了使阻頻寬頻帶化而需要的磁性體的體積越少。
就磁性體而言，較佳具有高的表面電阻率(較佳102Ω/sq以上)。具有越高的表面電阻率的磁性體，則越能夠減少使磁性體周邊的電氣電路常數變化等故障。
在本實施方式中使用的磁性體例如既可以藉由塗布、成膜等方法配置為與交叉指狀電極接觸，也可以經由黏接層等配置在交叉指狀電極的附近。作為磁性體，例如可舉出鐵氧體薄膜等具有軟磁性的薄膜、將金屬、鐵氧體等具有軟磁性的粉末分散至樹脂等媒體中而得到的磁性漿料、鐵氧體燒結體等，但最較佳鍍鐵氧體薄膜。
鍍鐵氧體薄膜是將由組成MFe2O4構成的尖晶石鐵氧體材料在基體上成膜的方法。M為金屬元素，例如使用Ni、Zn、Co、Mn、Fe等。在鍍鐵氧體法中，藉由使包含Ni2+、Zn2+、Co2+、Mn2+、Fe2+離子等的水溶液與基體表面接觸而吸附金屬離子後，利用氧化劑等使Fe2+離子氧化(Fe2+→Fe3+)，與水溶液中的氫氧化金屬離子進行鐵氧體結晶化反應，從而在基體表面上形成鐵氧體膜。鍍鐵 氧體是使用水溶液工藝的無電解電鍍，具有的優點是，能夠在樹脂膜、印刷佈線板等直接成膜，即使不進行熱處理，也得到同時具有比較高的表面電阻率和優異的磁氣特性的膜。鍍鐵氧體薄膜與成塊的鐵氧體、磁性粉末與樹脂的複合體相比，即使在高頻頻帶中也保持高的導磁率。鍍鐵氧體薄膜係通過改變組成，而能夠容易地改變導磁率的頻率特性。作為鍍鐵氧體薄膜的組成，與產生駐波的頻率相應地進行選擇，例如，使用Ni0.0~0.4Zn0.0~0.5Co0.0~0.4Mn0.0~0.4Fe2.0~2.8O4的組成(其中，金屬元素Ni、Zn、Co、Mn中的至少1個不為0)可得到優異的高頻導磁率特性和高的表面電阻率。鍍鐵氧體薄膜的膜厚的值越大，則對阻帶進行寬頻帶化的效果越高，但為了發揮對阻帶進行寬頻帶化的效果，並且將鐵氧體膜與本體部的密接性保持得較強，鍍鐵氧體薄膜的厚度較佳0.2至20μm的範圍。
以下，對塗布有磁性體的印刷佈線板的製造方法進行說明。該製造方法包括下述的工序(1)至(6)。
(1)在絕緣板的一個面形成電源層，在另一個面形成導體層，而得到芯基板的工序。
(2)在構成在芯基板的表面的電源層中之EBG結構的區域整體塗布磁性體的工序。
(3)在貫穿電源層的通孔形成部分的磁性體中形成間隙(clearance)的工序。
(4)在芯基板的表面層疊絕緣樹脂層，進一步在絕緣樹 脂層層疊芯基板的工序。
(5)對芯基板部分和絕緣樹脂層部分進行雷射加工或鑽孔加工，形成貫穿的通孔下孔的工序。
(6)用電鍍層包覆通孔下孔內壁面的表面的工序。
依據依據第7A至7F圖說明本發明所涉及的印刷佈線板的製造方法。
第7A圖所示的芯基板18是在絕緣板14的一個面形成電源層15，在另一個面形成佈線圖案16而得到的基板。
絕緣板14只要由具有絕緣性的素材形成，沒有特別限定。就這樣的具有絕緣性的素材而言，例如可舉出環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三嗪樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯醚(PPE)樹脂等有機樹脂。這些有機樹脂也可以混合2種以上使用。在作為絕緣板14使用有機樹脂的情況下，較佳將增強材料與有機樹脂配合使用。作為增強材料，例如可舉出玻璃纖維、玻璃無紡布、芳綸無紡布、芳綸纖維、聚酯纖維等。這些增強材料也可以同時使用2種以上。絕緣板14較佳由玻璃纖維等加入玻璃材料的有機樹脂形成。絕緣板14中也可以包含二氧化矽、硫酸鋇、滑石粉、黏土、玻璃、碳酸鈣、氧化鈦等無機填充材料。絕緣板14的厚度並無特別限定，較佳具有0.02至10mm的厚度。
在電源層15構成EBG結構，藉由在電源層與GND層之間加入磁性體，從而增加磁損。在需要具有貫穿通孔的情況下，去掉或不形成通孔形成部分的磁性體。
關於佈線圖案16，使用輥壓疊層黏貼感光 性抗蝕層(例如，乾膜的抗蝕塗層)，進行曝光以及顯影而露出電路圖案以外的部分。藉由蝕刻，去除露出部分的銅。作為蝕刻液，例如可舉出氯化鐵水溶液等。將乾膜的抗蝕塗層剝離，形成佈線圖案16。藉由如上方式，得到在絕緣板14的表面形成有佈線圖案16的芯基板18。
以下，如第7B圖所示，為了後述的通孔，去除電源層15的EBG結構(IDE-EBG單位單元)的區域的一部分，將磁性體17以成為膜狀的方式進行塗布。磁性體17較佳為前述的鍍鐵氧體薄膜，其膜厚較佳為0.2至20μm。
以下，如第7C圖所示，為了使磁性體17不會洗脫至鍍銅液、去汚處理液，在貫穿電源層的通孔形成部分的磁性體17中形成間隙19。
以下，如第7D圖所示，在磁性體17上層疊絕緣樹脂層20，並且，將具有與芯基板18相同的結構的芯基板18’以佈線圖案16’成為外部的方式進行層疊。
前述絕緣樹脂層20的形成方法是，在芯基板18與18’之間夾入預浸料(prepreg)，用層疊加壓進行熱壓接，使其熔融．固化而形成。
以下，如第7E圖所示，藉由鑽孔或雷射等，形成從上部的佈線圖案16’經由絕緣樹脂層20貫穿至下部的佈線圖案16的通孔下孔21。通孔下孔21係用於形成通孔23，該通孔23係從上部的佈線圖案16’經由芯基板18將下部的佈線圖案16電性連接，與芯基板18、18’的 電源層15、15’也電性連接。
有時在形成通孔下孔21後，在其壁面等處殘留有薄的樹脂膜。在此情況下，進行去汚處理。去汚處理係藉由強鹼使樹脂膨脹，然後使用氧化劑(例如鉻酸、高錳酸鹽水溶液等)將樹脂分解除去。或者，也可藉由利用研磨材料的濕式噴砂處理、等離子處理，去除樹脂膜。
以下，如第7F圖所示，在通孔下孔21的壁面施以鍍層22而形成通孔23。鍍層22較佳無電解鍍銅或者電解鍍銅中的任一者。特別地，為了進行鍍層22的加厚，較佳電解鍍銅，例如形成具有1至30μm左右的厚度的鍍銅。
最後，也可以在芯基板18、18’的表面的規定位置處形成阻焊劑(未圖示)。阻焊劑的形成方法是，首先，使用噴塗、輥塗、幕塗、絲網法等，以10至80μm左右的厚度塗布感光性液狀阻焊劑並使其乾燥，或者使用輥壓疊層黏貼感光性乾膜‧阻焊劑。然後，進行曝光以及顯影而使貼片部分等開口，使其加熱固化。施以外形加工，得到本發明的印刷佈線板。
以通常的多層印刷佈線板的例子進行了說明，但並不限定於多層印刷佈線板，也可以是積層(buildup)多層印刷佈線板等。
如上所述，藉由在電源層的一部分加入IDE-EBG結構，能夠將習知的電源層起作用的直流電流向IC供給，並且，如果高頻成分的電流流至IDE-EBG部分， 則利用在由IDE-EBG的形狀決定的頻率處的共振，反射高頻雜訊，能夠抑制雜訊傳播。
特別地，在數位電路和類比電路的混載基板中共用電源層的情況下，如果經由配置有IDE-EBG的橋接部向類比電路進行電源供給，則能夠不傳播在數位電路中產生的高頻雜訊，僅供給所需的直流電流。
即使數位電路塊有多個，藉由以包圍不希望使高頻雜訊進入的類比電路的方式配置IDE-EBG結構，也能夠實現雜訊對策。
根據與相鄰的EBG單位單元之間形成的交叉指狀電極的形狀，決定阻帶的低域側頻率。
藉由與希望抑制雜訊的頻率相應地排列多個IDE-EBG單位單元，從而能夠增大阻止量。
由於能夠利用交叉指狀電極的形狀單獨地設定阻帶，所以藉由同時使用多個阻帶不同的IDE-EBG單位單元，從而能夠配置具有多個阻帶的IDE-EBG。例如，在無線通訊設備等中，在利用了多個通信頻率的印刷佈線板中，能夠實現針對多個頻率的綜合雜訊對策。
如上述所示，根據本發明的實施方式所涉及的印刷佈線板，藉由在相鄰EBG單位單元間形成交叉指狀電極，從而能夠將EBG單位單元小型化。藉由一維或二維地週期性地配置該EBG單位單元，能夠反射或吸收在數位電路中產生的高頻雜訊，防止該高頻雜訊向類比電路的混入。
並且，藉由在印刷佈線板上的整個面、或者在EBG單位單元上局部地、或者避開EBG單位單元上而形成磁性體膜，從而能夠更可靠地阻止高頻雜訊的混入。
本發明當然不限定於上述實施方式，能夠在申請專利範圍記載的範圍內進行各種變更、改良。
1‧‧‧電源層
2‧‧‧數位電路
3‧‧‧類比電路
4‧‧‧IDE-EBG

Claims (10)

  1. 一種印刷佈線板，係在數位電路與類比電路之間的絕緣層上配置有電源供給路徑，前述印刷佈線板係在數位電路與類比電路的邊界處，一維或二維地週期性地配置EBG單位單元，形成交叉指狀電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的印刷佈線板，其中，前述EBG單位單元不具有通孔。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的印刷佈線板，其中，前述EBG單位單元係保持有直流電流供給用的橋接部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的印刷佈線板，其中，前述EBG單位單元係在數位電路的周圍週期性地配置EBG單位單元。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的印刷佈線板，其中，前述EBG單位單元係在類比電路的周圍週期性地配置EBG單位單元。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的印刷佈線板，其中，前述EBG單位單元的形狀是正方形、長方形、三角形以及正六邊形中的任一者。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的印刷佈線板，其中，在印刷佈線板的整面、或者在EBG單位單元上局部地、或者避開EBG單位單元上而形成有磁性體膜。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的印刷佈線板，其中，前述磁性體膜係鍍鐵氧體薄膜。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的印刷佈線板，其中，前述磁性體膜的厚度為0.2至20μm。
  10. 一種印刷佈線板的製造方法，係在數位電路與類比電路之間的絕緣層上配置電源供給路徑，在數位電路與類比電路的邊界處，一維或二維地週期性地配置EBG單位單元，形成交叉指狀電極，在EBG單位單元上形成磁性體膜。
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