JP2020072163A - 多層基板および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】実装面に形成される実装電極の配置の自由度を高めつつ、積層体に形成されるコイルのインダクタンスの低下を抑制できる多層基板を実現する。【解決手段】多層基板１０１は、複数の基材層を含んだ積層体１０と、積層体１０に形成されるコイル３と、実装電極Ｐ１，Ｐ２と、接続用導体４１，４２とを備える。積層体１０は第１主面ＶＳ１（実装面）を有する。コイル３は、複数の基材層の積層方向（Ｚ軸方向）に巻回軸を有する。実装電極Ｐ１，Ｐ２は第１主面ＶＳ１に形成される。接続用導体４１，４２は積層体１０に形成され、Ｚ軸方向から視て、コイル３に重なる。また、接続用導体４１，４２は、開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２を有する。開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２は、接続用導体を構成する導体で囲まれる長尺状である。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、第１主面ＶＳ１に露出する接続用導体４１，４２の一部である。【選択図】図３

Description

本発明は、複数の基材層を積層してなる積層体に形成されたコイルと、上記積層体の実装面に形成される実装電極とを備える多層基板、および上記多層基板を有する電子機器に関する。

従来、複数の基材層を積層してなる積層体と、積層体に形成され、複数の基材層の積層方向に巻回軸を有したコイルと、積層体の実装面に形成された実装電極（他の回路基板等への実装用の電極）と、を備えた多層基板が知られている（特許文献１）。

国際公開第２０１５／０３７３７４号

しかし、特許文献１に記載の構成では、次のような問題によって、コイルのインダクタンスの低下を抑制しつつ、多層基板の実装性を向上させることは難しい。

（ａ）多層基板の実装性を向上させるため、実装面に大面積の実装電極を設けた場合には、大面積の実装電極によってコイルからの磁束が妨げられ、コイルのインダクタンスが低下する虞がある。また、実装電極に流れる渦電流による損失が増大する虞がある。

（ｂ）また、多層基板の実装先である他の回路基板のランドとの関係で、実装面に同電位の複数の実装電極を設ける場合もある。しかし、実装面の広範囲に亘って同電位の実装電極が配置されていると、同電位の実装電極同士を接続する接続用導体が必要となり、この接続用導体によってコイルからの磁束が妨げられる虞もある。

本発明の目的は、実装面に形成される実装電極の配置の自由度を高めつつ、積層体に形成されるコイルのインダクタンスの低下および渦電流による損失を抑制できる多層基板を提供することにある。また、その多層基板を備える電子機器を提供することにある。

本発明の多層基板は、
実装面を有し、複数の基材層を積層してなる積層体と、
前記積層体に形成され、前記複数の基材層の積層方向に巻回軸を有するコイルと、
前記実装面に形成される実装電極と、
前記積層体に形成され、複数の開口を有する接続用導体と、
を備え、
前記複数の開口は、前記接続用導体を構成する導体で囲まれた長尺状であり、
前記実装電極は、前記実装面に露出する前記接続用導体の一部であることを特徴とする。

また、本発明の多層基板は、
実装面を有し、複数の基材層を積層してなる積層体と、
前記積層体に形成され、前記複数の基材層の積層方向に巻回軸を有するコイルと、
前記実装面に形成される実装電極と、
前記積層体に形成され、複数の開口を有する接続用導体と、
を備え、
前記複数の開口は、前記実装電極を構成する導体で囲まれた長尺状であり、
前記実装電極は、前記接続用導体に接続されることを特徴とする。

この構成によれば、コイルからの磁束が、接続用導体に設けられた複数の開口の両方を通過した場合、複数の開口で挟まれる導体部分には上記磁束を相殺する向きの渦電流は流れ難い。すなわち、接続用導体に複数の開口を設けることにより、接続用導体に大きな開口が形成されている場合と同様の作用効果を得ることができ、接続用導体に大きな開口を設けることなく、コイルからの磁束が接続用導体で妨げられることを抑制できる。したがって、この構成により、実装面に形成される実装電極の配置の自由度を高めつつ（実装電極を任意の形状にした場合や、実装電極の面積を大きくした場合、または実装面に同電位の複数の実装電極を配置した場合でも）、コイルのインダクタンスの低下や接続用導体に流れる渦電流による損失を抑制できる。

本発明によれば、積層体に形成されたコイルのインダクタンスの低下および渦電流による損失を抑制しつつ、実装面に形成される実装電極の配置の自由度を高めた多層基板、およびその多層基板を備える電子機器を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は多層基板１０１を別の視点から視た外観斜視図である。 図２は、多層基板１０１の分解平面図である。 図３（Ａ）は多層基板１０１の平面図であり、図３（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。 図４は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部の断面図である。 図５（Ａ）は多層基板１０１のうち、接続用導体４１，４２が形成された層を示す平面図であり、図５（Ｂ）は比較例である多層基板１００のうち、接続用導体４１Ａ，４２Ａが形成された層を示す平面図である。 図６（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２の外観斜視図であり、図６（Ｂ）は多層基板１０２の別の視点から視た外観斜視図である。 図７は、多層基板１０２の分解平面図である。 図８は、図６（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。 図９（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の外観斜視図であり、図９（Ｂ）は多層基板１０３の別の視点から視た外観斜視図である。 図１０は、多層基板１０３の分解平面図である。 図１１は、図９（Ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る多層基板１０１の外観斜視図であり、図１（Ｂ）は多層基板１０１を別の視点から視た外観斜視図である。図２は、多層基板１０１の分解平面図である。図３（Ａ）は多層基板１０１の平面図であり、図３（Ｂ）は図１（Ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。図２では、構造を分かりやすくするため、コイル導体パターン３１，３２，３３，３４をドットパターンで示している。また、図３（Ａ）では、コイル導体パターン３１，３２，３３，３４をドットパターンで示しており、開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２をハッチングで示している。

多層基板１０１は、積層体１０、コイル３（後に詳述する）、複数の実装電極Ｐ１，Ｐ２および接続用導体４１，４２等を備える。

積層体１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する直方体であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。コイル３は積層体１０の内部に形成されており、複数の実装電極Ｐ１，Ｐ２は積層体１０の第１主面ＶＳ１に形成されている（露出している）。本実施形態では、第１主面ＶＳ１が本発明の「実装面」に相当する。

積層体１０は、保護層１および複数の基材層１５，１４，１３，１２，１１をこの順に積層して形成される。複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５は、樹脂材料（熱可塑性樹脂）からなる、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主材料とするシートである。

基材層１１の裏面には、コイル導体パターン３１が形成されている。コイル導体パターン３１は、基材層１１の中央付近に配置される約３ターンの矩形スパイラル状の導体パターンである。コイル導体パターン３１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

基材層１２の裏面には、コイル導体パターン３２が形成されている。コイル導体パターン３２は、基材層１２の中央付近に配置される約３ターンの矩形スパイラル状の導体パターンである。コイル導体パターン３２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

基材層１３の裏面には、コイル導体パターン３３が形成されている。コイル導体パターン３３は、基材層１３の中央付近に配置される約３ターンの矩形スパイラル状の導体パターンである。コイル導体パターン３３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

基材層１４の裏面には、コイル導体パターン３４が形成されている。コイル導体パターン３４は、基材層１４の中央付近に配置される約３ターンの矩形スパイラル状の導体パターンである。コイル導体パターン３４は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

基材層１５の裏面には、接続用導体４１，４２が形成されている。接続用導体４１は、基材層１５の第１辺（図２における基材層１５の左辺）付近に配置される矩形の導体パターンである。接続用導体４２は、基材層１５の第２辺（図２における基材層１５の右辺）付近に配置される矩形の導体パターンである。接続用導体４１，４２は、基材層１５の表面の大部分（例えば１／２以上）を占める大面積の導体パターンである。接続用導体４１，４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

接続用導体４１は、接続用導体４１を構成する導体で囲まれた長尺状の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２を有する。開口ＳＬ１１，ＳＬ１２は、いずれもＹ軸方向に長手方向を有する矩形の導体非形成部であり、Ｘ軸方向に配列されている。接続用導体４２は、接続用導体４２を構成する導体で囲まれた長尺状の開口ＳＬ２１，ＳＬ２２を有する。開口ＳＬ２１，ＳＬ２２は、いずれもＹ軸方向に長手方向を有する矩形の貫通孔であり、Ｘ軸方向に配列されている。

なお、本明細書中における「長尺状の開口」とは、任意の第１方向（例えば、Ｙ軸方向）の長さが、第１方向に直交する第２方向（例えば、Ｘ軸方向）の長さよりも長い形状の開口のことを言う。

保護層１は、平面形状が基材層１５と略同じであり、基材層１５の裏面に積層される保護膜である。保護層１は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。

保護層１は複数の開口ＡＰ１，ＡＰ２を有する。複数の開口ＡＰ１は、保護層１の第１辺（図２における保護層１の左辺）寄りの位置に配置される矩形の貫通孔である。複数の開口ＡＰ２は、保護層１の第２辺（図２における保護層１の右辺）寄りの位置に配置される矩形の貫通孔である。そのため、基材層１５の裏面に保護層１が形成された場合でも、複数の開口ＡＰ１から接続用導体４１の一部が外部に露出し、複数の開口ＡＰ２から接続用導体４２の一部が外部に露出する。本実施形態に係る実装電極Ｐ１は、複数の開口ＡＰ１から第１主面ＶＳ１に露出する接続用導体４１の一部である。また、本実施形態に係る実装電極Ｐ２は、複数の開口ＡＰ２から第１主面ＶＳ１に露出する接続用導体４２の一部である。そのため、複数の実装電極Ｐ１はいずれも同電位であり、複数の実装電極Ｐ２はいずれも同電位である。

図２等に示すように、複数の実装電極Ｐ１（接続用導体４１）は、基材層１２，１３，１４，１５に形成された層間接続導体Ｖ１を介して、コイル導体パターン３１の一端に接続される。コイル導体パターン３１の他端は、基材層１２に形成された層間接続導体Ｖ２を介して、コイル導体パターン３２の一端に接続される。コイル導体パターン３２の他端は、基材層１３に形成された層間接続導体Ｖ３を介して、コイル導体パターン３３の一端に形成される。コイル導体パターン３３の他端は、基材層１４に形成された層間接続導体Ｖ４を介して、コイル導体パターン３４の一端に接続される。コイル導体パターン３４の他端は、基材層１５に形成される層間接続導体Ｖ５を介して、複数の実装電極Ｐ２（接続用導体４２）に接続される。これら層間接続導体は、例えば基材層に設けた貫通孔に、Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属もしくはそれらの合金の金属粉と樹脂成分を含む導電性ペーストを配設した後、積層プロセスにおける加熱プレス処理により固化させることにより設けられたビア導体である。

このように、コイル導体パターン３１，３２，３３，３４および層間接続導体Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４によって、基材層１１，１２，１３，１４，１５の積層方向（Ｚ軸方向）に巻回軸を有する約１２ターンのコイル３が構成される。また、コイル３の一端は、接続用導体４１（複数の実装電極Ｐ１）に接続されており、コイル３の他端は、接続用導体４２（複数の実装電極Ｐ２）に接続されている。

上述したように、実装電極Ｐ１は、第１主面ＶＳ１に露出する接続用導体４１の一部であり、実装電極Ｐ２は、第１主面ＶＳ１に露出する接続用導体４２の一部である。そのため、接続用導体４１，４２が大面積であれば、任意の形状の実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成しやすいうえ、大面積の実装電極Ｐ１，Ｐ２も形成しやすく、第１主面ＶＳ１の様々な位置に同電位の複数の実装電極Ｐ１，Ｐ２を配置しやすい。つまり、接続用導体４１，４２を大面積にすることで、第１主面ＶＳ１に形成される実装電極Ｐ１，Ｐ２の配置の自由度が高まる。

また、図３（Ｂ）に示すように、接続用導体４１，４２は、Ｚ軸方向から視て、コイル３に重なっている。また、本実施形態では、図３（Ｂ）に示すように、実装電極Ｐ１，Ｐ２（接続用導体４１，４２）の一部は、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５のうち、最も第１主面ＶＳ１側に位置する基材層１５に埋まっている。

さらに、本実施形態では、図３（Ａ）および図３（Ｂ）等に示すように、複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２は、コイル導体パターン３１，３２，３３，３４に重ならず、コイル導体パターン３１，３２，３３，３４に沿って配置されている。

ここで、本発明における「コイル導体パターンに沿って配置されている」とは、例えば、接続用導体の開口の延伸方向と、コイル導体パターンの延伸方向とのなす角度が−３０°から＋３０°の範囲内である場合を言う。

本実施形態に係る多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。ここでは、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の多層基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。なお、「集合基板」とは、複数の多層基板１０１を含んだマザー基板である。

（１）まず、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５を準備する。基材層１１，１２，１３，１４，１５は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の熱可塑性樹脂を主材料とするシートである。

その後、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５に、それぞれコイル導体パターン３１，３２，３３，３４および接続用導体４１，４２を形成する。具体的には、集合基板状態の基材層１１，１２，１３，１４，１５の片側主面（裏面）に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングする。これにより、基材層１１の裏面にコイル導体パターン３１を形成し、基材層１２の裏面にコイル導体パターン３２を形成し、基材層１３の裏面にコイル導体パターン３３を形成し、基材層１４の裏面にコイル導体パターン３４を形成し、基材層１５の裏面に接続用導体４１，４２を形成する。

なお、接続用導体４１には、複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２が設けられている。開口ＳＬ１１，ＳＬ１２は、接続用導体４１を構成する導体で囲まれた長尺状（矩形）の貫通孔である。また、接続用導体４２には、複数の開口ＳＬ２１，ＳＬ２２が設けられている。開口ＳＬ２１，ＳＬ２２は、接続用導体４２を構成する導体で囲まれた長尺状（矩形）の貫通孔である。

また、複数の基材層１２，１３，１４，１５には、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５が形成される。層間接続導体は、基材層１２，１３，１４，１５にレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。

（２）次に、複数の基材層１５，１４，１３，１２，１１をこの順に積層し、積層方向（Ｚ軸方向）に向かって、積層した複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５を加熱プレスして集合基板状態の積層体を形成する。

その後、積層体の裏面（基材層１５の裏面）に保護層１を積層して、集合基板状態の積層体１０を形成する。なお、保護層１は複数の開口を有する。そのため、保護層１を積層体の裏面に形成した場合でも、接続用導体４１，４２の一部が外部に露出する。保護層１の上記開口から露出する接続用導体４１の一部が実装電極Ｐ１であり、保護層１の上記開口から露出する接続用導体４２の一部が実装電極Ｐ２である。

（３）最後に、集合基板状態の積層体１０を個片に分離して、個別の多層基板１０１を得る。

上記製造方法によれば、複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層して加熱プレス（一括プレス）することにより、多層基板１０１を容易に形成できるため、多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。

また、上記製造方法によれば、基材層に設けた孔に導電性ペーストを配設し、加熱プレス（一括プレス）によって導電性ペーストを固化させることができるため、層間接続導体を形成する工程が削減できる。

本発明の多層基板は、例えば以下に示すように用いられる。図４は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部の断面図である。

電子機器３０１は、多層基板１０１および回路基板２０１等を備える。回路基板２０１は例えばガラス／エポキシ基板である。なお、電子機器３０１は、上記以外の構成も備えるが、図４では図示省略している。

多層基板１０１は回路基板２０１に実装されている。具体的には、多層基板１０１の実装電極Ｐ１は、はんだ等の導電性接合材５を介して、回路基板２０１の第１面Ｓ１に形成された外部電極ＥＰ１に接合されている。また、多層基板１０１の実装電極Ｐ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の第１面Ｓ１に形成された外部電極ＥＰ２に接合されている。

次に、接続用導体が複数の開口を有することによる利点について、比較例を挙げて説明する。図５（Ａ）は多層基板１０１のうち、接続用導体４１，４２が形成された層を示す平面図であり、図５（Ｂ）は比較例である多層基板１００のうち、接続用導体４１Ａ，４２Ａが形成された層を示す平面図である。

比較例である多層基板１００は、接続用導体４１Ａ，４２Ａが１つの開口を有する点で、多層基板１０１と異なる。具体的には、接続用導体４１Ａには開口ＳＬ１０が形成されており、接続用導体４２Ａは開口ＳＬ２０が形成されている。多層基板１００の他の構成については、多層基板１０１と同じである。

多層基板が大面積の接続用導体を備えている場合には、コイルから生じる磁束が接続用導体で妨げられ、コイルのインダクタンスが低下してしまう。しかし、図５（Ｂ）に示す比較例の多層基板１００のように、接続用導体に大きな開口ＳＬ１０，ＳＬ２０が形成されている場合には、コイルから生じる磁束の一部（磁束φ０）が、接続用導体４１Ａ，４２Ａで妨げられることなく、開口ＳＬ１０，ＳＬ２０を通過する。なお、開口ＳＬ１０，ＳＬ２０を磁束φ０が通過する場合に、この磁束φ０を相殺する向きに渦電流ｉ０が生じるが、開口ＳＬ１０，ＳＬ２０の面積が大きいため、磁束φ０は、完全には相殺されずに開口ＳＬ１０，ＳＬ２０を通過する。また、この構成によれば、接続用導体に大きな開口が設けられていない場合に比べ、接続用導体４１Ａ，４２Ａに生じる渦電流を小さくでき、損失を小さくできる。

一方、本実施形態に係る多層基板１０１は、複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２を有する接続用導体４１、および複数の開口ＳＬ２１，ＳＬ２２を有する接続用導体４２を備える。例えば、コイルから生じる磁束の一部（図５（Ａ）における磁束φ１）が、接続用導体４１の複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２の両方を通過した場合には、磁束φ１を相殺する向きに渦電流が生じる（図５（Ａ）における電流ｉ１１，ｉ１２）。このとき、複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２で挟まれた導体部分には、反対方向の渦電流が誘起されるため、渦電流は流れ難い。このため、接続用導体４１に複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２が形成されている場合には、比較例の多層基板１００のように接続用導体に大きな開口が形成されている場合と同様の効果を奏する。このことは接続用導体４２でも同じである。すなわち、接続用導体に複数の開口を設けることにより、接続用導体に大きな開口を設けることなく、コイルからの磁束が接続用導体で妨げられることを抑制できる。

したがって、本実施形態に係る構成を採用することで、第１主面ＶＳ１に形成される実装電極Ｐ１，Ｐ２の配置の自由度を高めつつ、コイル３のインダクタンスの低下および接続用導体に流れる渦電流による損失を抑制した多層基板を実現できる。また、上記構成によれば、接続用導体に大きな開口を設ける場合に比べて、接続用導体の導体部分の面積を大きくできるため、接続用導体の電位が安定化し、接続用導体内での電位差を生じ難くできる。

また、本実施形態では、積層体１０が、熱可塑性樹脂からなる複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層して形成される。この構成によれば、積層した複数の基材層１１，１２，１３，１４，１５を加熱プレス（一括プレス）することにより、積層体１０を容易に形成できるため、多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる多層基板を実現できる。

本実施形態のように、積層体を構成する複数の基材層が樹脂材料からなる場合、所定の温度以上の熱を受けると、その一部が熱分解され、ＣＯ_２等の気体および水を生じる。このような気体および水を多層基板中に残したまま、多層基板を加熱すると、ガス（気体や蒸気）が膨張し、層間剥離（デラミネーション）が発生しやすい。そのため、通常は、多層基板の製造時に、減圧下において加熱プレスを実施して、所定の予熱工程を設けることで加熱プレス中にガスを積層体外へ排出させている。

そして、多層基板が、面積の大きな金属パターン（例えば、接続用導体４１，４２等の導体パターン）を有していると、ガスはこの金属パターンを透過できない。したがって、ガスの生じた場所によっては、多層基板外へのガスの排出経路が、導体パターンを有さない場合よりも長くなって、多層基板内にガスが残留する虞がある。一方、本実施形態では、接続用導体４１，４２に複数の開口（ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２）が設けられているため、多層基板の加熱時に内部に生じるガスが、これらの開口を通じて短い排出経路を通って排出される。すなわち、この構成によれば、多層基板内に残留するガス量が低減され、加熱時（多層基板の製造段階、使用段階での加熱時）における多層基板の層間剥離が低減され、コイル等の特性の均一性が保たれる。また、ガスの残留に起因する多層基板の表面の凹凸や湾曲の発生が抑制され、多層基板の平坦性が高まるため、多層基板の回路基板等への実装性が高まる。

さらに、本実施形態では、積層体に形成される層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５が、樹脂材料を含む導電性ペーストを固化してなるビア導体である。これらビア導体は、複数の基材層１１，１２，１３，１４の加熱プレス処理で同時に形成されるため、形成が容易である。また、導電性ペーストに樹脂材料が含まれるため、樹脂を主材料とする基材層と層間接続導体との高い接合性が得られる。なお、上記導電性ペーストに含まれる樹脂材料は、基材層の樹脂材料と同種であることが好ましい。

但し、樹脂材料を含んだビア導体は加熱時に生じるガスの量が多く、このようなビア導体を備える多層基板は、加熱時（製造段階、使用段階における加熱時）に層間剥離や、多層基板の表面の凹凸、湾曲等が生じやすい。そのため、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５が樹脂材料を含んだビア導体である場合には、接続用導体４１，４２の開口をこれら層間接続導体の近傍に設けることが好ましい。これにより、多層基板の加熱時にビア導体から生じたガスを効率良く排出でき、多層基板の層間剥離を抑制し、多層基板の平坦性を向上させることができる。

また、本実施形態では、図３（Ｂ）に示すように、実装電極Ｐ１，Ｐ２（接続用導体４１，４２）の一部が基材層１５に埋まっている。この構成によれば、接続用導体４１，４２に複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２が設けられた構造でも、第１主面ＶＳ１の平坦性を高めることができる。そのため、多層基板の回路基板等への実装性が高めることができる。なお、本実施形態のように、熱可塑性樹脂からなる複数の基材層１１，１２，１３，１４を加熱プレスして積層体を形成する場合には、実装電極Ｐ１，Ｐ２の一部が基材層に埋まった構造の多層基板を容易に実現できる。

コイル導体パターンの一部が接続用導体に設けられた開口に重なっている場合、加熱プレス時における樹脂の流動が不規則になり、コイル導体パターンの位置ずれ（または変形）や、積層体の表面に凹凸が生じる虞がある。一方、本実施形態では、接続用導体４１，４２に最も近接するコイル導体パターン３４が、Ｚ軸方向から視て、複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２に重なっておらず、且つ、複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２に沿って配置されている。この構成によれば、加熱プレス時における樹脂の流動の規則性が保たれ、加熱プレス時におけるコイル導体パターンの位置ずれ等が抑制される。なお、本実施形態のように複数のコイル導体パターン３１，３２，３３，３４を備える場合には、複数のコイル導体パターン３１，３２，３３，３４全てが、Ｚ軸方向から視て、複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２に重なっておらず、且つ、複数の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ２１，ＳＬ２２に沿って配置されていることが好ましい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態とはコイルの形状が異なる多層基板を示す。

図６（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２の外観斜視図であり、図６（Ｂ）は多層基板１０２の別の視点から視た外観斜視図である。図７は、多層基板１０２の分解平面図である。図８は、図６（Ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。

多層基板１０２は、コイル３Ａを備える点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。コイル３Ａは、ループ状のコイル導体パターン３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａを有する点で、多層基板１０１が備えるコイル３と異なる。多層基板１０２の他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

コイル導体パターン３１ａは、基材層１１の裏面に形成されるループ状の導体パターンであり、基材層１１の中央付近に配置されている。コイル導体パターン３２ａは、基材層１２の裏面に形成されるループ状の導体パターンであり、基材層１２の中央付近に配置されている。コイル導体パターン３３ａは、基材層１３の裏面に形成されるループ状の導体パターンであり、基材層１３の中央付近に配置されている。コイル導体パターン３４ａは、基材層１４の裏面に配置されるループ状の導体パターンであり、基材層１４の中央付近に配置されている。コイル導体パターン３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａは、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

図７等に示すように、複数の実装電極Ｐ１（接続用導体４１）は、層間接続導体Ｖ１を介して、コイル導体パターン３１ａの一端に接続される。コイル導体パターン３１ａの他端は、層間接続導体Ｖ２を介してコイル導体パターン３２ａの一端に接続される。コイル導体パターン３２ａの他端は、層間接続導体Ｖ３を介して、コイル導体パターン３３ａの一端に接続される。コイル導体パターン３３ａの他端は、層間接続導体Ｖ４を介して、コイル導体パターン３４ａの一端に接続される。コイル導体パターン３４ａの他端は、層間接続導体Ｖ５を介して、複数の実装電極Ｐ２（接続用導体４２）に接続される。

このように、コイル導体パターン３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａおよび層間接続導体Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４によって、Ｚ軸方向に巻回軸を有する約３．５ターンの矩形ヘリカル状のコイル３Ａが構成される。

このような構成であっても、多層基板１０２の基本的な構成は、第１の実施形態に係る多層基板１０１と同じであり、多層基板１０１と同様の作用効果を奏する。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、実装電極が、層間接続導体を介して接続用導体に接続された構造の多層基板を示す。

図９（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の外観斜視図であり、図９（Ｂ）は多層基板１０３の別の視点から視た外観斜視図である。図１０は、多層基板１０３の分解平面図である。図１１は、図９（Ａ）におけるＣ−Ｃ断面図である。図１０では、構造を分かりやすくするため、コイル導体パターン３１ｂをドットパターンで示している。

多層基板１０３は、積層体１０Ｂ、コイル３Ｂ、複数の実装電極Ｐ１Ｂ，Ｐ２Ｂおよび接続用導体４１Ｂ，４２Ｂ等を備える。

コイル３Ｂは、コイル導体パターン３１ｂで構成される点で、第１の実施形態に係る多層基板１０１が備えるコイル３と異なる。また、実装電極Ｐ１Ｂ，Ｐ２Ｂは、接続用導体の一部ではない点で、多層基板１０１が備える実装電極Ｐ１，Ｐ２と異なる。多層基板１０３の他の構成については、多層基板１０１と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

積層体１０Ｂは、複数の基材層１４ｂ，１３ｂ，１２ｂ，１１ｂをこの順に積層して形成される。基材層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂは、第１の実施形態で説明した基材層１１，１２，１３，１４と実質的に同じものである。

基材層１１の裏面には、コイル導体パターン３１ｂが形成されている。コイル導体パターン３１ｂは、基材層１１ｂの中央付近に配置される約２．５ターンの矩形スパイラル状の導体パターンである。コイル導体パターン３１ｂは、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

基材層１２ｂの裏面には、導体２１が形成されている。導体２１は、基材層１２ｂの中央付近から第２辺（図１０における基材層１２ｂの左辺）に向かってＸ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。導体２１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

基材層１３ｂの裏面には、接続用導体４１Ｂ，４２Ｂが形成されている。接続用導体４１Ｂは、基材層１３ｂの第１辺（図１０における基材層１３ｂの左辺）付近に配置される矩形の導体パターンである。接続用導体４２Ｂは、基材層１３ｂの第２辺（図１０における基材層１３ｂの右辺）付近に配置される矩形の導体パターンである。

接続用導体４１Ｂは、接続用導体４１Ｂを構成する導体で囲まれた長尺状の開口ＳＬ１１，ＳＬ１２Ｂを有する。接続用導体４２Ｂは、接続用導体４２Ｂを構成する導体で囲まれた長尺状の開口ＳＬ２１，ＳＬ２２Ｂを有する。開口ＳＬ１１，ＳＬ２１は、第１の実施形態で説明したものと同じである。開口ＳＬ１２Ｂは、屈曲部を有し、二方向（＋Ｙ方向および＋Ｘ方向）に延伸するＬ字形の貫通孔である。開口ＳＬ２２Ｂは、屈曲部を有し、二方向（＋Ｙ方向および−Ｘ方向）に延伸するＬ字形の貫通孔である。

基材層１４ｂの裏面には、複数の実装電極Ｐ１Ｂ，Ｐ２Ｂが形成されている。実装電極Ｐ１Ｂは、基材層１４ｂの第１辺（図１０における基材層１４ｂに左辺）寄りに配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ２Ｂは、基材層１４ｂの第２辺（図１０における基材層１４ｂの右辺）寄りに配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１Ｂ，Ｐ２Ｂは、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

図１０および図１１等に示すように、複数の実装電極Ｐ１Ｂは、基材層１４ｂに形成される層間接続導体Ｖ１１を介して、それぞれ接続用導体４１Ｂに接続される。接続用導体４１Ｂは、基材層１２ｂ，１３ｂに形成される層間接続導体Ｖ１を介して、コイル導体パターン３１ｂの一端に接続される。コイル導体パターン３１ｂの他端は、基材層１２ｂに形成される層間接続導体Ｖ２を介して、導体２１の一端に接続される。導体２１の他端は、基材層１３ｂに形成される層間接続導体Ｖ３を介して、接続用導体４２Ｂに接続される。接続用導体４２Ｂは、基材層１４ｂに形成される層間接続導体Ｖ１２を介して、それぞれ複数の実装電極Ｐ２Ｂに接続される。

本実施形態では、コイル導体パターン３１ｂがコイル３Ｂを構成する。コイル３Ｂの一端は、複数の実装電極Ｐ１Ｂに接続されており、コイル３Ｂの他端は、複数の実装電極Ｐ２Ｂに接続されている。

また、本実施形態では、複数の実装電極Ｐ１Ｂが接続用導体４１Ｂに接続され、複数の実装電極Ｐ２Ｂが接続用導体４２Ｂに接続されている。すなわち、本実施形態に係る実装電極Ｐ１Ｂ，Ｐ２Ｂは、接続用導体（４１Ｂ，４２Ｂ）の一部ではなく、別体である。

このような構成であっても、多層基板１０３の基本的な構成は、第１の実施形態に係る多層基板１０１と同じであり、多層基板１０１と同様の作用効果を奏する。

なお、本実施形態で示したように、接続用導体に設けられる開口は、屈曲部を有し、少なくとも二方向に延伸する形状でもよい。接続用導体に設けられる開口の数・形状・配置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。開口の平面形状は、長尺状であれば、例えばＵ字形、円弧形、クランク形等でもよい。

また、本実施形態で示したように、本発明の多層基板において、積層体の第１主面ＶＳ１に形成される保護層は必須ではない。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、多層基板が、他の回路基板等に実装される電子部品である例を示したが、本発明の多層基板はこれに限定されるものではない。本発明の多層基板は、二つの部材間を接続するケーブル、または他の回路基板と部品との間を接続するケーブルなどでもよい。また、多層基板の積層体は、一部分のみに屈曲部を有する構造でもよい。

以上に示した各実施形態では、積層体１０，１０Ｂが矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体の平面形状は、例えば多角形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、４または５の基材層を積層してなる積層体の例を示したが、本発明の積層体はこれに限定されるものではない。積層体を形成する基材層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、積層体が、熱可塑性樹脂からなる平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体は、例えば、熱硬化性樹脂からなる平板でもよく、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の誘電体セラミックであってもよい。また、積層体は、複数の樹脂の複合積層体であってもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。さらに、積層体は、複数の基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各基材層間に接着材層を有する構成でもよい。

なお、本実施形態では、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ１１，Ｖ１２が導電性ペーストを固化してなるビア導体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体に形成される層間接続導体は、例えば、スルーホールめっき（内壁にＣｕ等のめっき膜が形成されたスルーホール）でもよい。この場合には、層間接続導体が樹脂成分を含むビア導体である場合に比べて、ガスの発生量を少なくできる。

また、多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、多層基板には、例えば他の各種伝送線路（マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等）等が、形成されていてもよい。さらに多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

また、以上に示した各実施形態では、平面形状が矩形の２つの接続用導体を備える多層基板の例を示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。接続用導体の個数・形状・配置等は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。接続用導体の平面形状は、例えば多角形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形、円形、楕円形等でもよい。

さらに、以上に示した各実施形態では、平面形状が矩形の３つの実装電極Ｐ１、および平面形状が矩形の３つの実装電極Ｐ２を備える多層基板の例を示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。実装電極の個数・形状・配置等は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装電極の平面形状は、例えば多角形、Ｌ字形、Ｌ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形、円形、楕円形等でもよい。また、実装電極は、例えば、第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２にそれぞれ設けられていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１，ＡＰ２…開口
ＥＰ１…回路基板の外部電極
Ｐ１，Ｐ１Ｂ，Ｐ２，Ｐ２Ｂ…実装電極
Ｓ１…回路基板の第１面
ＳＬ１０，ＳＬ１１，ＳＬ１２，ＳＬ１２Ｂ，ＳＬ２０，ＳＬ２１，ＳＬ２２，ＳＬ２２Ｂ…開口
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ１１，Ｖ１２…層間接続導体
ＶＳ１…積層体の第１主面
ＶＳ２…積層体の第２主面
１…保護層
３，３Ａ，３Ｂ…コイル
５…導電性接合材
１０，１０Ｂ…積層体
１１…基材層
１１，１２，１３，１４…基材層
１１，１１ｂ，１２，１２ｂ，１３，１３ｂ，１４，１４ｂ，１５…基材層
２１…導体
３１，３１ａ，３１ｂ，３２，３２ａ，３３，３３ａ，３４，３４ａ…コイル導体パターン
４１，４１Ａ，４１Ｂ，４２，４２Ａ，４２Ｂ…接続用導体
１００，１０１，１０２，１０３…多層基板
２０１…回路基板
３０１…電子機器

Claims (8)

1. 実装面を有し、複数の基材層を含んだ積層体と、
   前記積層体に形成され、前記複数の基材層の積層方向に巻回軸を有するコイルと、
   前記実装面に形成される実装電極と、
   前記積層体に形成され、複数の開口を有する接続用導体と、
   を備え、
   前記複数の開口は、前記接続用導体を構成する導体で囲まれた長尺状であり、
   前記接続用導体は、前記積層方向から視て、前記コイルに重なり、
   前記実装電極は、前記実装面に露出する前記接続用導体の一部である、多層基板。
2. 実装面を有し、複数の基材層を含んだ積層体と、
   前記積層体に形成され、前記複数の基材層の積層方向に巻回軸を有するコイルと、
   前記実装面に形成される実装電極と、
   前記積層体に形成され、複数の開口を有する接続用導体と、
   を備え、
   前記複数の開口は、前記実装電極を構成する導体で囲まれた長尺状であり、
   前記実装電極は、前記接続用導体に接続される、多層基板。
3. 前記複数の開口は、屈曲部を有し、少なくとも二方向に延伸する、請求項１または２に記載の多層基板。
4. 前記複数の基材層は樹脂材料からなる、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
5. 前記樹脂材料は熱可塑性樹脂である、請求項４に記載の多層基板。
6. 前記実装電極の一部は、前記複数の基材層のうち最も前記実装面側に位置する基材層に埋まっている、請求項４または５に記載の多層基板。
7. 前記コイルは、前記複数の基材層の少なくとも一つに形成されるコイル導体パターンを有し、
   前記複数の開口は、前記積層方向から視て、前記コイル導体パターンに重ならず、前記コイル導体パターンに沿って配置される、請求項４から６のいずれかに記載の多層基板。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の多層基板と、
   回路基板と、
   を備え、
   前記実装電極は、導電性接合材を介して前記回路基板に接合される、電子機器。

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