JP6744201B2 - 印刷配線板 - Google Patents

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本開示は、印刷配線板に関する。
従来、印刷配線板において、アナログ回路とメモリのようなデジタル回路とのノイズ干渉を避けるために、電磁バンドギャップ(Electromagnetic band gap:EBG)構造体が設けられている。具体的には、アナログ回路およびデジタル回路が形成された基板に、アナログ回路とデジタル回路とを分離するように、EBG構造体が形成されている。このようなEBG構造体は、例えば特許文献1および2に記載されている。
特開2007−228222号公報 特開2014−165424号公報
本開示の印刷配線板は、基板と、電源IC実装部および少なくとも2つのメモリ実装部を含む電源プレーンとを備え、各メモリ実装部が電源プレーンから出島状に突出して形成されており、電源プレーンと各メモリ実装部との接続部にEBG単位セルが設けられている。
さらに、本開示の構造体は、基板と、マザーボード接続部および少なくとも2つのメモリ実装部を含む電源プレーンと、電源プレーンのマザーボード接続部に形成されたビアとを備え、各メモリ実装部がマザーボード接続部から出島状に突出して形成されており、マザーボード接続部と各メモリ実装部との接続部にEBG単位セルが設けられている。
図1は、本開示の一実施形態に係る印刷配線板を示す説明図である。 図2は、櫛形電極のEBG単位セルの一実施形態を示す説明図である。 図3は、図2に示すEBG単位セルに含まれる共振回路部分の等価回路である。 図4は、本開示の一実施形態に係る構造体を示す説明図である。
アナログ回路とデジタル回路とを分離するようにEBG構造体が形成されていると、アナログ回路とデジタル回路とのノイズ干渉は避けることができる。しかし、デジタル回路の一種であるメモリなどは、隣接して複数実装される場合がある。このような場合、デジタル回路間(メモリ間)のノイズ干渉を避けることができない。
本開示の印刷配線板は、各メモリ実装部が電源プレーンから出島状に突出して形成されており、電源プレーンと各メモリ実装部との接続部にEBG単位セルが設けられている。その結果、メモリは、それぞれ出島状に形成されたメモリ実装部に実装されるため、互いに干渉し合うことがない。さらに、電源プレーンと各メモリ実装部との接続部にEBG単位セルが設けられているため、メモリで発生したノイズがEBG単位セルによって抑制される。したがって、メモリ間のノイズ干渉を効率よく避けることができる。
さらに、本開示の構造体は、各メモリ実装部がマザーボード接続部から出島状に突出して形成されており、マザーボード接続部と各メモリ実装部との接続部にEBG単位セルが設けられている。その結果、上述と同様、メモリは、それぞれ出島状に形成されたメモリ実装部に実装されるため、互いに干渉し合うことがない。さらに、マザーボード接続部と各メモリ実装部との接続部にEBG単位セルが設けられているため、メモリで発生したノイズがEBG単位セルによって抑制される。したがって、メモリ間のノイズ干渉を効率よく避けることができる。以下、本開示の印刷配線板および構造体について詳細に説明する。
図1に示すように、本開示の一実施形態に係る印刷配線板は、基板1と電源プレーン2とを含む。基板1は、絶縁性を有する素材で形成されていれば特に限定されない。絶縁性を有する素材としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などの有機樹脂などが挙げられる。これらの有機樹脂は2種以上を混合して用いてもよい。絶縁性を有する素材として有機樹脂を使用する場合、有機樹脂に補強材を配合してもよい。補強材としては、例えば、ガラス繊維、ガラス不織布、アラミド不織布、アラミド繊維、ポリエステル繊維などの絶縁性布材が挙げられる。補強材は2種以上を併用してもよい。さらに、絶縁性を有する素材には、シリカ、硫酸バリウム、タルク、クレー、ガラス、炭酸カルシウム、酸化チタンなどの無機充填材が含まれていてもよい。
基板1には電源プレーン2が形成されている。電源プレーン2は、電源IC実装部21とメモリ実装部22とを含む。電源プレーン2は導体で形成されており、導体としては、例えば銅、アルミニウム、金、銀などが挙げられる。加工性およびコストの観点から銅が望ましい。
電源プレーン2に含まれる電源IC実装部21は、電源IC3を実装するための領域である。一方、電源プレーン2に含まれるメモリ実装部22は、メモリ4を実装するための領域である。メモリ4としては、例えばDDRメモリなどが挙げられる。図1に示すように、メモリ実装部22は、それぞれ電源プレーンから出島状に突出して形成されている。図1では、4つのメモリ実装部22を記載しているが、メモリ実装部22は所望の個数設けられる。
本開示の一実施形態に係る印刷配線板は、電源プレーンと各メモリ実装部22との接続部にEBG単位セル5が設けられている。EBG単位セル5は、例えば単層構造を有している。EBG単位セル5としては特に限定されず、例えば、櫛形電極(IDE)のEBG単位セルなどが挙げられる。IDEのEBG単位セルの一実施形態を図2に示す。
図2に示すIDEのEBG単位セルは、ブランチ51と櫛形電極52とを含む。ブランチ51の両端部は、櫛形電極52の端部に接続されている。ブランチ51の幅は、供給する電流値に応じて適宜決定するもので、例えば200〜10,000μm程度の幅を有する。
櫛形電極52は、ブランチ51の両側にブランチ51と並行するように形成されている。櫛形電極52の配線幅は特に限定されない。EBG単位セルの小型化を考慮すると、櫛形電極52の配線幅は100μm以下であってもよい。さらに、櫛形電極52の配線間隙幅も特に限定されず、小型化を考慮すると100μm以下であってもよい。
ブランチ51および櫛形電極52は導体で形成されており、導体としては、例えば銅、アルミニウム、金、銀などが挙げられる。加工性およびコストの観点から銅が望ましい。このようなIDEのEBG単位セルは、例えば、電源プレーン2に起点を有している。
図3は、図2に示すEBG単位セルに含まれる共振回路部分の等価回路を示している。図3において、各記号は以下のとおりである。
Lb:EBG単位セルのインダクタンス値
Cs:EBG単位セルのキャパシタンス値
ppw:EBG単位セルへ接続する電源回路のインピーダンス値
本開示の一実施形態に係る印刷配線板は、出島状に形成されたメモリ実装部22にメモリ4がそれぞれ実装されるため、互いに干渉し合うことがない。さらに、電源プレーンと各メモリ実装部22との接続部にEBG単位セル5が設けられているため、メモリ4で発生したノイズがEBG単位セル5によって抑制される。したがって、メモリ4間のノイズ干渉を効率よく避けることができる。
次に、本開示の一実施形態に係る構造体を説明する。図4に示すように、本開示の一実施形態に係る構造体は、基板1と電源プレーン2とを含む。上述で説明した部材については、同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。
電源プレーン2は、マザーボード接続部23および少なくとも2つのメモリ実装部22を含む。本開示の一実施形態に係る印刷配線板は、例えばマザーボードとして使用される。そのため、電源プレーン2には電源IC実装部21が設けられ、電源IC実装部21に電源IC3が実装されている。しかし、本開示の一実施形態に係る構造体は、マザーボードに実装される。そのため、電源プレーン2にはマザーボード接続部23が含まれており、電源ICの実装は任意である。一方、電源プレーン2に含まれるメモリ実装部22は、メモリ4を実装するための領域である。
本開示の一実施形態に係る印刷配線板は、マザーボード接続部23と各メモリ実装部22との接続部にEBG単位セル5が設けられている。EBG単位セル5については、上述で説明した通りであり詳細な説明は省略する。
マザーボード接続部23には、ビア6が形成されている。導体としては、例えば銅、アルミニウム、金、銀などが挙げられる。加工性およびコストの観点から銅であるのがよい。ビア6は、ビア形成用の穴(孔)の内壁面に被着されていてもよく、ビア形成用の穴(孔)を充填するフィルドビアの形態であってもよい。
本開示の一実施形態に係る構造体は、マザーボードから電源供給が行われる。すなわち、本開示の一実施形態に係る構造体がマザーボードに接続されると、マザーボード接続部23に設けられた電源端子(図示せず)を経由し、ビア6を通じて内層の電源プレーンに電源供給が行われる。その結果、マザーボードとメモリ4とがEBG単位セル5を介して電気的に接続される。
本開示の一実施形態に係る構造体は、出島状に形成されたメモリ実装部22にメモリ4がそれぞれ実装されるため、互いに干渉し合うことがない。さらに、マザーボード接続部23と各メモリ実装部22との接続部にEBG単位セル5が設けられているため、メモリ4で発生したノイズがEBG単位セル5によって抑制される。したがって、メモリ4間のノイズ干渉を効率よく避けることができる。
本開示の印刷配線板および構造体は、上述の実施形態に限定されない。上述の実施形態において、EBG単位セル5は単層構造を有している。しかし、本開示の印刷配線板および構造体においては、多層構造を有するEBG単位セルを用いてもよい。
上述の実施形態において、メモリ実装部22は4つ形成されており、各メモリ実装部22に1個のメモリ4が搭載されている。しかし、本開示の印刷配線板および構造体においては、メモリ実装部は少なくとも2つ形成されていればよい。例えば、本開示の印刷配線板および構造体の用途や大きさなどに応じて、メモリ実装部は4つ以上形成されていてもよい。
1 基板
2 電源プレーン
21 電源IC実装部
22 メモリ実装部
3 電源IC
4 メモリ
5 EBG単位セル
51 ブランチ
52 櫛形電極
6 ビア

Claims (10)

  1. 基板と、
    電源IC実装部および少なくとも2つのメモリ実装部を含む電源プレーンと、
    を備え、
    各メモリ実装部が電源プレーンから出島状に突出して形成されており、電源プレーンと各メモリ実装部との接続部にEBG単位セルが設けられている印刷配線板。
  2. 前記EBG単位セルが、櫛形電極のEBG単位セルである請求項1に記載の印刷配線板。
  3. 前記EBG単位セルが、単層構造を有している請求項1または2に記載の印刷配線板。
  4. 前記櫛形電極のEBG単位セルを構成している櫛形電極が、100μm以下の配線幅および配線間隙幅を有している請求項2または3に記載の印刷配線板。
  5. 前記櫛形電極のEBG単位セルが、電源プレーンに起点を有している請求項2〜4のいずれかに記載の印刷配線板。
  6. 基板と、
    マザーボード接続部および少なくとも2つのメモリ実装部を含む電源プレーンと、
    電源プレーンのマザーボード接続部に形成されたビアと、
    を備え、
    各メモリ実装部がマザーボード接続部から出島状に突出して形成されており、マザーボード接続部と各メモリ実装部との接続部にEBG単位セルが設けられている構造体。
  7. 前記EBG単位セルが、櫛形電極のEBG単位セルである請求項6に記載の構造体。
  8. 前記EBG単位セルが、単層構造を有している請求項6または7に記載の構造体。
  9. 前記前記櫛形電極のEBG単位セルを構成している櫛形電極が、100μm以下の配線幅および配線間隙幅を有している請求項7または8に記載の構造体。
  10. 前記櫛形電極のEBG単位セルが、電源プレーンに起点を有している請求項7〜9のいずれかに記載の構造体。
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