TW201640230A - 用於ｅｕｖ微影系統的清潔裝置、具有此裝置的ｅｕｖ微影系統以及清潔方法 - Google Patents

Abstract

本發明關於一清潔裝置(1,1‘)，其具有適用於架設在一EUV微影系統(101)之一曝光光罩(M)的一光罩保持器(RH)上或適用於架設在一EUV微影系統(101)之一晶圓(W)的一晶圓保持器(WH)上的一幾何結構，清潔裝置包含：用以提供電能的一提供裝置(3)，以及用以特別是無接觸地作用於清潔裝置(1,1‘)之環境中的粒子上的至少一清潔單元(4,5,6a,b,7a,b)，清潔單元(4,5,6a,b,7a,b)與提供裝置(3)連接以吸取電能。本發明也關於具有如上述而形成之一清潔裝置(1,1‘)的一EUV微影系統，以及關於用以清潔一EUV微影系統的一方法。

Description

用於EUV微影系統的清潔裝置、具有此裝置的EUV微影系統以及清潔方法 【相關專利參照】

本專利申請案主張2015年3月12日申請之德國專利申請案DE 10 2015 204 521.8的優先權，其整體揭露內容係併入本申請案內容中作為參考。

本發明關於用於EUV微影系統的一清潔裝置，其具有適用於架設在EUV微影系統之一曝光光罩的一光罩保持器上或架設在一晶圓的一晶圓保持器上的一幾何結構。本發明也關於具有此一清潔裝置的一EUV微影系統以及用以清潔一EUV微影系統的一方法，特別是用以清潔EUV微影系統中之曝光光罩的光罩保持器或晶圓的晶圓保持器。

針對本申請案的目的，EUV微影系統係理解為表示用於EUV微影的一光學系統，即可用於EUV微影領域中的一光學系統。除了用以產生半導體組件的EUV微影設備，光學系統可例如為用於在EUV微影設備中所使用之曝光光罩(下文中亦稱作遮罩或光罩)的檢查、用於所要結構化 之半導體基板(下文中亦稱作晶圓)的檢查的一檢查系統，或為用以量測EUV微影設備或其部分(例如用以量測一投射系統)的一計量系統。

微影投射曝光設備(簡稱作微影設備)一般由光源、將光源所發射的光線轉換為照明光的照明系統、所要投射的物體(其稱作遮罩或曝光光罩)、投射透鏡(其投射物場的影像至影像場)、及被投射於其上且稱作晶圓或基板的另一物體所組成。光罩(或至少部分光罩)位於物場，且晶圓(或至少部分晶圓)位於投射透鏡的影像場。

目前最佳成像解析度由具有照明光波長在例如約13.5nm之弱x輻射光源的所謂EUV微影設備所達成。所要成像的光罩(其在下文中亦稱作曝光光罩)一般包含一玻璃基板(例如ULE^TM oder Zerodur®)(其藉由介電層堆疊(例如交替的鉬及矽層)而變得對13.5nm波長的光有高度反射性)以及一光罩結構(其形成為層堆疊上的一結構化吸收層)。

EUV微影設備中之EUV輻射的射線路徑一般完全在真空中行進且光罩保持器或光罩台(遮罩台)以及照明系統、投射透鏡及晶圓保持器(晶圓台)一般也配置在真空環境中。為允許帶入不同的曝光光罩或不同的晶圓到EUV微影設備中形成物場或影像場的各個曝光位置，EUV微影設備一般具有用以傳輸曝光光罩或晶圓的傳輸裝置。曝光光罩或晶圓在EUV微影設備內之曝光位置及其他位置之間的傳輸一般在真空條件下進行。

US 2011/0159440 A1揭露一清潔光罩，其用以清潔配置在EUV微影設備之曝光位置的光罩保持器。光罩保持器係形成為一靜電夾具，其在靜電吸引力的幫助下將清潔光罩或曝光光罩保持在後側。當夾具與光罩之間有接觸，在夾具表面與光罩後側之間將發生粒子形式的磨損。US 2011/0159440 A1提出使用一所謂的清潔光罩用以移除粒子，在其後側具有一粒子捕捉層，其係抵住夾具的表面。粒子捕捉層可例如包含一黏著層。清潔光罩在EUV微影設備中傳輸的方式與在傳統曝光光罩情的況下相同，亦即不需為了所要傳輸的清潔光罩而破壞EUV微影設備中的真空。

US 2012/0024318 A1描述用於光罩保持器的清潔裝置。清潔裝置具有一基板，其具有允許清潔裝置被傳輸至用於EUV微影設備之曝光光罩的光罩保持器的幾何結構。一黏著層形成於清潔裝置的後側，其抵住光罩保持器以取出已沉積在光罩保持器上的粒子。

US 2014/0226136 A1也描述一清潔裝置，其用以清潔傳輸及/或放置遮罩的設備。清潔裝置包含一基板，其實質上具有由該設備所傳輸及放置之遮罩的形狀因子。至少一清潔墊附接至基板，其目的為當清潔裝置接觸到設備時，將汙染物及/或粒子從用以傳輸及放置遮罩的設備轉移至清潔墊。

WO 2014/032887 A1揭露用以從微影設備中一物體的表面移除粒子的方法及裝置。在WO 2014/032887 A1中，提出了加入一膠帶到與所要清潔之表面接觸的一清潔層(特別是黏性層)，以將粒子從表面轉移到膠帶。

在EUV微影系統的情況下，例如在EUV微影設備及用於光罩檢查之光化計量系統的情況下，在缺陷方面對光罩有非常嚴格的要求。在EUV微影設備的情況下，沉積在所要成像之光罩的一區域中之粒子的影像係投射至每一曝光的晶圓，且因此可能使得整個光罩無法使用。通常汙染物會到光罩上的一種情況為光罩保持器的環境被污染，且汙染物轉移到光罩接著發生。雖然在此申請案範圍中意圖避免粒子的產生，然而粒子仍可能會以不希望或不受控制的程序形成。在EUV微影系統中之光罩的處理(即傳輸)過程中，不但可能在光罩保持器或晶圓保持器的區域中有不想要的粒子形成或汙染物的發生，而且對曝光程序可能有不良影響的粒子可能會產生於光罩或晶圓接觸到EUV微影系統之組件的所有位置。

本發明的目的為改良用於EUV微影系統的清潔裝置、具有 此一清潔裝置的EUV微影系統、以及以其特性(特別是以其清潔效果)清潔EUV微影系統的方法。

【本發明之標的】

此目的由引言中所述類型的清潔裝置所達成，其包含：用以提供電能的一提供裝置，以及用以(特別是無接觸地)作用於清潔裝置之環境中的粒子上的至少一清潔單元，清潔單元與提供裝置連接以吸取電能。

發明人認識到若清潔裝置(其可藉由用於EUV微影系統之曝光光罩或晶圓的傳輸裝置而傳輸)不僅可在本身被帶到曝光位置的光罩保持器或晶圓保持器上使用，也可能用於在EUV微影系統的其他位置或在其他組件上的清潔，將是有利的，不需為此目的而交換清潔裝置，如前文所述之清潔裝置的情況。

同樣應被清潔的組件可特別為傳輸裝置的架設元件，其中光罩或晶圓或形式為光罩或形式為晶圓的清潔裝置在傳輸期間係架設或保持於其上。

為了能夠用清潔裝置進行數次清潔，可在提供裝置的協助下供應電能給一或多個清潔單元，以主動地清潔與曝光光罩/晶圓接觸或與清潔裝置接觸的那些組件。提供裝置特別是有可能為可充電或可替換的電池或電壓源，其允許在清潔單元被啟動時將功率供應給清潔單元。提供裝置或電池也可為將電能儲存於其中的電容器。電池或電容器中電能的儲存可能發生在引入清潔裝置至EUV微影系統之前或可能在EUV微影系統中為此而設置之充電台。充電台可配置在EUV微影系統中的清潔位置或另一位置。提供裝置可具有對此一充電台的介面。提供裝置(例如形式為電池或電容)或者可不具有對外部的介面，亦即對清潔裝置之外的組件沒有電性連接，使得清潔裝置完全自主地操作。

提供裝置有可能本身形成為一介面，其建立個別清潔單元與配置於清潔裝置之外的外部能量源(例如電壓源)之間的連接，以供應電能 給個別清潔單元。此一能量源可例如配置於EUV微影系統中的一清潔位置，特別是在曝光位置。舉例來說，提供裝置可設計以在光罩保持器(例如靜電遮罩夾具)或晶圓保持器與清潔單元之間產生一電性連接，其中設於光罩保持器或晶圓保持器上的至少一接觸元件(例如以突節(burl)的形式)係接觸與清潔單元電性連接之提供裝置的電性連接線。電性連接線可例如將清潔裝置的第一側(其在曝光位置與光罩保持器或與晶圓保持器或與接觸元件接觸)連接至清潔裝置的第二側(其背向光罩保持器或晶圓保持器且至少一清潔單元係架設於其上)。

已證實若出現在清潔裝置環境中的粒子係無接觸地作用(不同於上述清潔裝置或清潔光罩的情況)將特別地有利，因此粒子在此方式中可特別容易地與其沈積於其上的表面分離。

清潔裝置係設計以在傳輸裝置的協助下傳輸通過EUV微影系統，其中傳統曝光光罩或傳統晶圓也以相同傳輸裝置傳輸通過EUV微影系統。為此目的，清潔裝置的尺寸與傳統曝光光罩或傳統晶圓的尺寸一致。清潔裝置的重量也應與傳統曝光光罩或傳統晶圓的重量實質上一致，以避免傳輸清潔裝置時發生問題。若清潔裝置係設計供架設於光罩保持器上，其一般形成為矩形或立方形，其基本尺寸(長、高及寬)與傳統曝光光罩的尺寸一致。若清潔裝置係設計供架設於晶圓保持器上，其一般形成為圓形，其基本尺寸(直徑及高度)與傳統晶圓的尺寸一致。

經由傳輸裝置的傳輸可顯著地降低清潔所需的期間(其間不可在EUV微影系統中執行任何程序，即例如曝光或量測或檢查)，因為不需為了清潔而破壞真空。也可在曝光進行中或在量測(例如對在曝光光罩上或在晶圓上結構的調查)進行中執行清潔，使得可進一步降低程序所被打斷的期間。

在清潔單元的協助下，有若干可能性用以(無接觸的)清潔或無接觸的作用在出現於EUV微影系統中(特別是沉積在表面上)的粒子。

在一具體實施例中，清潔單元具有至少一場產生裝置(field generating device)，用以產生一靜電場。在此具體實施例中，提供了在例如兩平板之間或在二或更多個導體軌道之間產生靜電場的場產生裝置。靜電場可用以產生(負)直流電壓於可靜電充電的結構上，其形式可例如為塑料且其整合一或多個導電的導體軌道。可靜電充電的結構吸引出現在清潔裝置環境中的介電粒子(例如灰塵)且在場產生裝置作用時將其牢固地保持在清潔裝置的表面。

在一發展中，場產生裝置具有至少一電極(較少具有至少兩個電極)以產生靜電場。該至少一電極一般形成於清潔裝置背向光罩保持器或晶圓保持器之側及/或沿清潔裝置的邊緣或側面而架設。若在各個表面上形成單一電極，則其一般用以在清潔裝置與出現在清潔裝置環境中的導電組件(舉例來說，其可為例如鋁的真空組件)之間產生電場。若二或更多電極形成於清潔裝置的表面上，電場也可產生於這些電極之間，這些電極在產生不均勻靜電場的情況下(參考下文)不一定在不同的電位。

在一有利的發展中，場產生裝置係設計用以產生不均勻靜電場，不均勻電場的電場強度較佳在清潔裝置的區域中或在場產生裝置的電極具有最大的絕對值或最高的場強度。使用不均勻靜電場是有利的，因為具有高外觀比的粒子(例如片狀的形式)在不均勻靜電場中具有高感應偶極矩。粒子在不均勻靜電場的情況下，由感應偶極矩所產生的力將總是導向較高場強度的方向。若不均勻靜電場在清潔裝置或電極具有最大的場強度，則粒子將沉積於清潔裝置上，一般在清潔裝置的電極區域中。

在另一發展中，至少一電極突出清潔裝置的一平面表面。如前文所述，清潔裝置一般具有平板形主體，且為光罩或晶圓的尺寸。平板形主體具有彼此平行排列的第一平坦側及第二平坦側。突出清潔裝置之此一平坦側或平面表面的電極一般將產生不均勻靜電場。特別地，電極本身可具有幫助產生不均勻靜電場的幾何結構。舉例來說，電極可為針狀物 (needle)、突節(burl)、點或類似的形式，其允許產生局部的電場梯度，以使得可能由感應電極化或由靜電力將粒子從受汙染的表面移除。突出平面表面的電極一般與平面表面的其他部分電性絕緣，以促進電場強度的高度不均勻性。電極較佳為不同於平面或平坦幾何結構。

在另一具體實施例中，清潔單元具有至少一致動器，用以產生振動。致動器可特別為用以產生超音波的一超音波發送器，其可用以分離出現在清潔裝置環境中之表面上粒子。

在一具體實施例中，清潔單元具有至少一冷卻及/或加熱裝置。冷卻裝置在清潔裝置產生比環境更低的溫度。冷卻裝置可用以造成清潔裝置與配置在清潔裝置環境中之表面之間的溫度梯度。冷卻裝置可以此方式產生熱泳，其中已沉積於環境中較溫暖表面上的粒子擴散至清潔裝置的較冷表面。同樣在此情況中，粒子可保持在清潔裝置上，只要冷卻裝置維持開啟。冷卻裝置可例如為帕耳帖元件(Peltier element)。替代或補充地，也有可能提供一加熱元件於清潔裝置上。

在另一具體實施例中，清潔單元具有至少一噴嘴，用以排出一清潔氣體。清潔氣體(其形式例如為壓縮氣體或惰性氣體(例如氮))且可導向至出現在清潔裝置環境中的表面上，以將附著該處的粒子分離。清潔氣體(更精確為對用以饋入清潔氣體之供應線的一連接)可設於EUV微影系統中要進行清潔的各個預定義位置，例如在曝光位置。清潔裝置可透過連接的方式在各別位置連接至供應線，以將清潔氣體饋入至噴嘴並因而將其導向至要被清潔的表面。這是有利的，因為噴嘴(其使得在光罩或晶圓附近的選擇性局部清潔為可能的)無法配置在保留給光罩或給晶圓的安裝空間中。清潔單元的氣體連接對供應線的連接可例如在提供裝置的協助下建立，其可能作用在機械可移動組件上以建立連接與供應線之間的氣密連接。或者可能整合一儲氣器(可能提供液化清潔氣體於其中)至清潔裝置中，以允許其在需要時經由噴嘴流出。

在另一具體實施例中，清潔裝置包含用以接收EUV微影系統之控制信號的一接收器及/或用以傳送清潔裝置的量測資料至EUV微影系統的一發送器。如前文所述，當清潔裝置在被傳輸通過EUV微影系統時，並不需要且通常也不希望清潔單元為永久啟動。

接收器(其可特別形成為無線電接收器)係設計用以接收控制信號，其可例如以信號通知清潔裝置(或在該時間點)一清潔單元要被啟動或被關閉。清潔單元的啟動通常應只發生在到達EUV微影系統中清潔裝置的某些位置。此一位置的到達可由EUV微影系統的一控制裝置所偵測，且此資訊可藉由與控制裝置連接的發送器傳送至清潔裝置。到達EUV微影系統中清潔裝置的一特定位置的資訊可例如由用以傳輸曝光光罩的傳輸裝置所提供。

若在清潔裝置中提供數個清潔單元(其架設在清潔裝置中的不同位置)，及/或若在清潔裝置中提供數個不同類型的清潔單元，控制信號(其中指明哪一清潔單元被啟動或關閉)可由EUV微影系統傳送至接收器。

補充或作為替代，清潔裝置也可具有一接收器(特別是無線電接收器)，其將清潔裝置所記錄的量測資料傳送至EUV微影系統。量測資料可在量測裝置的協助下及/或感測器的協助下判定，其將於下文中作更具體的描述。當然，接收器及發送器可整合於一共同結構單元中。

在另一具體實施例中，清潔裝置更包含至少一量測裝置，用以產生清潔裝置之環境的一空間分辨影像(spatially resolved image)。在最簡單的情況中，量測裝置可為(微型化)相機，其投射清潔裝置環境之至少一部份區域的影像。在量測裝置的協助下，一方面可偵測位於環境中之表面上的粒子且另一方面可檢查EUV微影系統本身，例如位於EUV微影系統中之組件(例如真空泵或類似者)的狀態可在量測裝置的協助下調查。為此目的，當清潔裝置由傳輸裝置所傳輸時，其可被帶到EUV微影系統內特別為檢查這類組件而設置的監測位置。

在一具體實施例中，清潔裝置更包含至少一量測裝置，用以偵測在EUV微影系統之氣相中的粒子及/或用以偵測在EUV微影系統中的氣流。量測裝置可特別地以上述的方式形成並產生清潔裝置之環境的一空間分辨影像。在粒子散射的光(其可例如由整合於清潔裝置中或設於某些其他位置的光源所產生並照明所要調查的一區域)可例如用於粒子的偵測。基於量測裝置在連續時間所記錄之數個影像的比較，可判定EUV微影系統中之粒子的流動方向，亦即可執行粒子的流量分析。

作為粒子之流量分析的替代或補充，也有可能量測存在於EUV微影系統中的氣體流量或氣體的流動方向及流動強度，其分子大小一般遠小於通常的粒子大小。產生清潔裝置環境之空間分辨影像的量測裝置同樣也可能用於此目的，但也可能在清潔裝置中提供執行環境壓力之壓力量測的一量測裝置。當清潔裝置傳輸通過EUV微影系統時，可以此方式沿清潔裝置的移動路徑並因此以位置相關的方式量測真空環境中的環境壓力，且以此方式可沿清潔裝置的移動路徑產生位置相關的壓力分布或壓力梯度。基於此壓力分布，可判定EUV微影系統中氣流的流動方向及強度。此一量測裝置也可能具有二或更多壓力感測器，其架設在清潔裝置上的二或更多不同位置，以量測壓力梯度，並由此而量測存在於清潔裝置之真空環境中一特定位置(例如曝光位置)的氣流的方向及強度。

在另一具體實施例中，清潔裝置更包含至少一位置及/或加速度感測器，用以感測清潔裝置的位置及/或加速度。此一感測器是有利的，以使清潔裝置可自主地偵測EUV微影系統內特定位置(例如曝光位置)的到達。清潔裝置可例如具有一記憶體，EUV微影系統中的特定位置係儲存於其中，其與清潔裝置在EUV微影系統中的目前位置做比較。特別地，可由加速度感測器建立清潔裝置是否正在EUV微影系統中移動或靜止，亦即當在EUV微影系統中傳輸清潔裝置時已到達一定義位置。一旦偵測到預定義位置的到達及/或清潔裝置的靜止，加速度感測器及位置感測器可用以啟動 清潔裝置的清潔單元。這樣有可能省去藉由EUV微影系統所傳送的控制信號來啟動清潔裝置，因此可能一起省去用以接收控制信號的接收器。

在另一具體實施例中，清潔裝置更包含至少一溫度感測器，用以感測在清潔裝置之環境中的一溫度。清潔裝置環境中溫度的感測是有利的，特別是每當清潔裝置的清潔單元具有冷卻及/或加熱裝置，因為在此情況中由冷卻及/或加熱裝置所產生的溫度可被監控並可能被控制至一所需溫度值。

本發明另一態樣係關於一EUV微影系統，其具有如前述的一清潔裝置以及一傳輸裝置，傳輸裝置用以選擇性地傳輸一曝光光罩或清潔裝置至配置於一曝光位置之EUV微影系統的一光罩保持器、或用以選擇性地傳輸一晶圓或清潔裝置至配置於一曝光位置之EUV微影系統的一晶圓保持器。如前述，清潔裝置的尺寸與EUV微影系統的曝光光罩或晶圓的尺寸相符，使得清潔裝置的傳輸可由與曝光光罩的傳輸或晶圓的傳輸相同的傳輸裝置進行。

特別地，清潔裝置可儲存或放置於EUV微影系統中的一倉匣(magazine)，且EUV微影系統的曝光光罩或晶圓也可儲存於其中。與曝光光罩或晶圓相同的方式，清潔裝置可被帶出倉匣到一移除位置，該處設有真空鎖定。以此方式，清潔裝置可從EUV微影系統移除，而不需為此目的破壞EUV微影系統中的真空。

如上述，針對本申請案的目的，EUV微影系統也理解為表示用於EUV微影之曝光光罩或晶圓之檢查的裝置，在此情況下，上述的曝光位置係對應針對檢查或量測目的而放置曝光光罩或晶圓的一量測位置。在EUV微影設備的例子中，光罩的曝光位置一般為物場且晶圓的曝光位置一般為投射透鏡或投射光學單元的影像場。

在一具體實施例中，EUV微影系統具有至少一滌洗裝置(purging device)，用以在配置於EUV微影系統中之一清潔位置之清潔裝置的 方向中饋入一滌洗氣體。從滌洗裝置所發射(更精確地說為從滌洗裝置的氣體出口所發射)的滌洗氣體較佳係沿著粒子已沉積於其上或可能已沉積於其上的至少一表面導引，以加強清潔裝置的作用並協助粒子從表面移除。當清潔表面時，滌洗氣體的總壓力可在一大壓力範圍內變化，例如約10^-4Pa到1Pa；用於清潔之滌洗氣流的氣體流量也可改變。

作為具有一局部氣體出口用以將滌洗氣體定向導引至配置在清潔位置之清潔裝置的一滌洗裝置的補充或替代，也可使用以滌洗氣體沖洗整體真空環境但不產生導向至清潔裝置的滌洗氣流的一滌洗裝置來協助清潔裝置的清潔作用。

作為滌洗裝置的補充或替代，也可提供一照射裝置於EUV微影系統中，以直接或間接地放射電磁輻射(例如在EUV範圍的波長或其他波長)於光罩或受汙染表面上，用以以此方式協助汙染的移除。

本發明也關於一種用以清潔一EUV微影系統的方法，特別是用以清潔用以架設曝光光罩的光罩保持器或用以架設EUV微影系統之晶圓的晶圓保持器，其包含：傳輸如上述之一清潔裝置至光罩保持器或晶圓保持器所配置於其中之EUV微影系統中的一清潔位置(特別是一曝光位置)，以及啟動至少一清潔單元以特別是無接觸地作用於清潔裝置之環境中的粒子上。若清潔位置與曝光位置相符，固定安裝的光罩保持器或固定安裝的晶圓保持器係由清潔裝置所清潔。然而，也有可能將清潔裝置配置在EUV微影系統內的其他清潔位置以移除出現在該處的粒子，例如在曝光光罩或晶圓在傳輸裝置之不同的可機械移動組件之間轉移(例如以(機械)臂狀物的形式)的轉移位置。在此情況下，當清潔裝置由傳輸裝置傳輸時所被保持於其中的一架設裝置(其可例如為框架的形式)可由清潔裝置清潔。當清潔裝置在架設元件的協助下或在傳輸裝置的協助下移動通過EUV微影系統時，此一架設裝置也可能被清潔，亦即此一架設元件的清潔有可能不需中斷清潔裝置的傳輸。

由下文中基於顯示本發明重要細節之附圖中的圖式而對本發明範例具體實施例的描述以及由申請專利範圍將顯示本發明的其他特徵及優點。個別特徵可分別由自身實現或在本發明一變化形式中以任何組合一同實現。

1‧‧‧清潔裝置

1’‧‧‧清潔裝置

2‧‧‧平板形主體

2a‧‧‧平面表面

2b‧‧‧平坦側

3‧‧‧提供裝置

4‧‧‧清潔單元

4a‧‧‧電極

4b‧‧‧電極

5‧‧‧清潔單元

6a‧‧‧清潔單元

6b‧‧‧清潔單元

7a‧‧‧清潔單元

7b‧‧‧清潔單元

8‧‧‧致動元件

9‧‧‧冷卻及/或加熱裝置

10‧‧‧噴嘴

11‧‧‧清潔氣體

12‧‧‧接收器

13‧‧‧發送器

14‧‧‧控制信號

15‧‧‧量測資料

16‧‧‧量測裝置

17‧‧‧位置及加速度感測器

18‧‧‧溫度感測器

19‧‧‧滌洗裝置

19a‧‧‧滌洗氣體

20‧‧‧傳輸裝置

21‧‧‧臂狀物

22‧‧‧架設元件

23‧‧‧架設元件

24‧‧‧接觸元件

24a‧‧‧接觸元件

24b‧‧‧接觸元件

24c‧‧‧接觸元件

25a‧‧‧外段

25b‧‧‧外段

26‧‧‧外罩

30‧‧‧傳輸裝置

31‧‧‧臂狀物

40‧‧‧真空組件

40a‧‧‧受汙染表面

101‧‧‧EUV微影設備

102‧‧‧EUV光源

103‧‧‧收集器鏡

104‧‧‧照明光束

105‧‧‧投射光束路徑

110‧‧‧照明系統

112‧‧‧反射光學元件

113‧‧‧反射光學元件

114‧‧‧反射光學元件

115‧‧‧反射光學元件

116‧‧‧反射光學元件

120‧‧‧投射透鏡

121‧‧‧反射鏡

122‧‧‧反射鏡

123‧‧‧反射鏡

124‧‧‧反射鏡

125‧‧‧反射鏡

126‧‧‧反射鏡

D‧‧‧厚度

E‧‧‧靜電場

EX‧‧‧曝光位置

F‧‧‧力

G‧‧‧氣流

HP‧‧‧轉移位置

IP‧‧‧影像點

M‧‧‧曝光光罩

OP‧‧‧物點

P‧‧‧粒子

p‧‧‧偶極矩

RH‧‧‧光罩保持器

RS‧‧‧光罩台

T‧‧‧溫度

W‧‧‧基板

WH‧‧‧晶圓保持器

WS‧‧‧晶圓台

X‧‧‧掃描方向

範例性具體實施例係表示於示意性的圖式中並於後續的描述中解釋。其中：圖1顯示具有曝光光罩、光罩保持器、晶圓及晶圓保持器之一EUV微影設備的示意圖；圖2a顯示具有圖1中曝光光罩之幾何結構的清潔裝置的示意圖；圖2b顯示具有圖1中晶圓之幾何結構的清潔裝置的示意圖；圖3a、3b顯示具有圖1中曝光光罩之幾何結構的清潔裝置的示意圖，其分別具有包含用以產生不均勻靜電場之場產生裝置的一清潔單元；圖4顯示用以保持曝光光罩於曝光位置之圖1中的光罩保持器的示意圖；圖5顯示用以在當由傳輸裝置傳輸時放置光罩或清潔裝置之架設元件的示意圖；以及圖6顯示圖3之光罩保持器的區段表示。

在以下的圖式描述中，相同或功能性相同的組件係使用相同的元件符號。

圖1以高度示意的方式顯示形式為EUV微影設備101的EUV 微影系統。EUV微影設備101具有用以產生EUV輻射的EUV光源102，其在低於50奈米(特別是在約5奈米至15奈米之間)的EUV波長範圍中具有高能量密度。EUV光源102可例如為電漿光源的形式以產生雷射感應電漿、或可形成為一同步輻射光源。特別在前者的情況下，可使用一收集器鏡103(如圖4所示)，以將EUV光源102的EUV輻射聚焦為照明光束104並以此方式進一步增加能量密度。照明光束104藉由照明系統110而用於形式為曝光光罩M之結構化物體的照明，其中照明系統110在本範例中具有五個反射光學元件112至116(反射鏡)。

結構化物體為一反射曝光光罩M，其具有反射及非反射(或至少很低的反射)區域以在反射曝光光罩M上產生至少一結構。曝光光罩M反射部分的照明光束104並形成一投射光束路徑105，其具有關於曝光光罩M之結構的資訊並照射到一投射透鏡120，其產生曝光光罩M或其一個別部分區域的影像至一基板W上。基板W(例如一晶圓)包含半導體材料(例如矽)且配置一固定座(其亦稱作晶圓台WS)上。

在此範例中，投射透鏡120具有六個反射光學元件121至126(反射鏡)，以將存在於曝光光罩M上之結構的影像產生於晶圓W上。投射透鏡120中的反射鏡數量一般在四個到八個之間；然而也可能僅使用兩個反射鏡。

在晶圓W的成像或曝光中，光罩台(遮罩台)RS(其中曝光光罩M保持在光罩保持器RH上)以及晶圓台WS係沿掃描方向X移動。為了在曝光光罩M之個別物點OP至晶圓W上個別影像點IP的成像中達成高成像品質，對反射鏡121至126的表面形式有最高的要求；且反射鏡121至126相對彼此及相對曝光光罩M及基板W的位置或排列也需要奈米範圍的精準度。

曝光光罩M可由傳輸裝置20(其在所示範例中具有可樞轉(機械)臂狀物21)從曝光位置EX(其中曝光光罩M係配置於照明光束104中)帶到轉移位置HP並返回。為此目的，機械地或以某些其他方式(例如藉由靜電 吸引或藉由負壓)牢固地保持在配置於曝光位置EX之光罩保持器RH上的曝光光罩M係從光罩保持器RH釋放並藉由臂狀物21的的樞轉而被帶到轉移位置HP，其中曝光光罩M可例如轉移到另一可樞轉(機械)臂狀物(圖未示)，其將曝光光罩M帶到例如形成於EUV微影設備101中的倉匣(magazine)以供曝光光罩M的安置。

晶圓W可由用於晶圓W的另一轉移裝置30而從曝光位置EX(其中晶圓W在影像場配置於照明光束104中)帶到轉移位置HP並返回，其中傳輸裝置30以類似於用於光罩M之轉移裝置20的方式形成且其在所示範例中具有可樞轉(機械)臂狀物31。為此目的，機械地或以某些其他方式(例如藉由靜電吸引或藉由負壓)牢固地保持在配置於曝光位置EX之晶圓保持器WH上的晶圓W係從晶圓保持器WH釋放並藉由臂狀物31的的樞轉而被帶到轉移位置HP，其中晶圓W可轉移到另一可樞轉(機械)臂狀物或類似物，其將晶圓W帶到例如形成於EUV微影設備101中的倉匣以供晶圓W的安置。

傳輸裝置20、30也可將曝光光罩M或晶圓W帶到EUV微影設備101中的其他位置，例如移除或饋入位置(圖未示)，曝光光罩M或晶圓W可在真空鎖定下於該處從EUV微影設備101移除。當然，用以傳輸曝光光罩M或晶圓W的傳輸裝置20、30也可具有其他或額外的可移動裝置來取代可樞轉臂狀物21、31，例如可傾斜/可樞轉機械臂狀物等。

圖2a顯示清潔裝置1，其具有矩形幾何結構且一般約為6.35mm的小厚度D。清潔裝置1具有與曝光光罩M相同的尺寸(例如長度為152mm且寬度為152mm)，因此可由圖1所示的傳輸裝置20傳輸通過EUV微影設備101，且可特別地被帶到光罩台RS的光罩保持器RH並由光罩保持器RH保持。因此，清潔裝置1由傳輸裝置20所傳輸，與通常的曝光光罩M一樣，使得清潔裝置1也可稱作清潔光罩。

圖2b顯示清潔裝置1’，其具有圓形幾何結構且一般約為0.3mm的小厚度D。清潔裝置1’具有與晶圓W相同的尺寸(例如直徑為300 mm)，因此可由圖1所示的傳輸裝置30傳輸通過EUV微影設備101，且可特別地被帶到晶圓台WS的晶圓保持器WH並由晶圓保持器WH保持。因此，清潔裝置1’由另一傳輸裝置30所傳輸，與通常的晶圓W一樣，使得清潔裝置1’也可稱作清潔晶圓。

圖2a、2b所示的清潔裝置1、1’具有平板形主體2，其具有用以提供形式為電池或類似者之電能的一提供裝置3整合於其中。在所示範例中，清潔裝置1、1’具有數個清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b，其以不同的方式形成且其作用將於下文中作更具體的描述。

然而，首先，將基於圖4至圖6描述光罩保持器RH的另一範例及另一架設元件22，其用以架設或放置光罩M或圖2a之清潔裝置1。並未顯示用於圖2b之清潔裝置1’的晶圓保持器WH的更詳細表示，因為在這方面沒有出現不同於圓形幾何結構的特殊性。

在圖4之平面圖中所示的的光罩保持器RH，光罩M在三個接觸元件24a-c(其形成為抗磨銷(abrasion-resistant pin))的協助下，透過形式為一框架的架設元件23(更精確地說為一U形架設元件)而從下方接合，其中第一接觸元件24a形成於U形架設元件23之中段的中間，且第二及第三接觸元件24b、24c形成於U形架設元件23之兩個外段25a、25b的自由端。若清潔裝置1由傳輸裝置20放置於光罩保持器RH中，則清潔裝置1將停靠在三個接觸元件24a-c上，可由圖6所示之光罩保持器RH的剖面圖看出。

同樣可由圖6看出，清潔裝置1(以及相應的曝光光罩M)在光罩保持器RH中由一外罩26保護免受汙染。清潔裝置1在其縱向邊緣可自由進入，即在清潔裝置1與外罩26之間形成一間隙。這使得有可能藉由另一架設元件22(顯示於圖5，其係架設於圖1所示之傳輸裝置20的可樞轉臂狀物21上)放置並保持清潔裝置1及相應的曝光光罩M。另一架設元件22以類似於圖4所示之光罩保持器RH的方式形成(亦即其同樣以實質為U形的方式形成)，且具有用以架設清潔裝置1或曝光光罩M的三個接觸元件24a-c。

光罩保持器RH及傳輸裝置20的另一架設元件22都無法完全避免在接觸元件24a-c的磨損，亦即在接觸元件24a-c的區域中有粒子P的形成及沉積(參考圖6)。在所示的範例中，每一清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b係架設於矩形主體2之兩縱邊的其中一者上，使得不論矩形清潔裝置1在放置於光罩保持器RH或放置於另一架設元件22時的方向為何，清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b的其中一者係個別地配置在接觸元件24a-c之其中一者的區域中。當然，圖2a、2b所示之清潔裝置1的上側應配置有面向粒子P的清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b。然而，清潔裝置1或曝光光罩M的適當定向在任何情況中係由傳輸裝置20(以及也由用以傳輸晶圓W的另一傳輸裝置30)所進行。

清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b可作用在沉積於清潔裝置1之環境中的粒子P上，以將其從光罩保持器RH或從架設元件22移除。清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b對粒子的作用係有利地無接觸地發生，如下文中更具體的描述。當然，圖2b所示之清潔裝置1’的清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b可以類似的方式作用在沉積於清潔裝置1’之環境中的粒子P上，以將其從晶圓保持器WH或從可將晶圓W架設於其上的另一架設元件移除。

清潔裝置1的第一清潔單元4具有場產生裝置4a，其用以產生一靜電場E以靜電地吸引介電粒子P(其形式例如為灰塵)並藉此將其與第一清潔單元4的表面結合。第一清潔單元4的表面可具有可靜電充電以產生靜電場的結構。在例如微影製程的協助下可將可充電結構(其可例如包含電線)施加至清潔裝置1的主體2。

清潔裝置1的第二清潔單元5具有用以產生振動的致動元件8，其在所示範例中係形成為用以產生超音波的超音波發送器，以將粒子P從U形架設元件23或從另一架設元件22(其配置為鄰近清潔裝置1(參考圖6))的表面移除。

清潔裝置1的兩個第三清潔單元6a、6b分別具有冷卻裝置 9，其在所示範例中為帕耳帖元件(Peltier element)的形式。冷卻裝置9在清潔裝置1與光罩保持器RH或粒子P形成於其上之形式為框架之各自架設元件23、22的表面之間產生一溫度梯度。溫度梯度可產生一熱泳，其中粒子P從個別架設元件23、22的較溫暖表面傳輸至冷卻裝置9的較冷表面。也有可能在各別第三清潔單元6a、6b中額外提供一加熱裝置或作為冷卻裝置9的替代、或在各別第三清潔單元6a、6b中提供一結合的冷卻及加熱裝置。

清潔裝置1的兩個第四清潔單元7a、7b分別具有一噴嘴10，用以排出一清潔氣體11，其形式例如為氮或壓縮空氣。在圖2a、2b中可看出，兩個第四清潔單元7a、7b大約配置在清潔裝置1之各別縱側的中間，使得當其架設在光罩保持器RH或另一保持裝置22中時，兩個清潔單元7a、7b的其中一者係配置在第一接觸點24a(其設於U形架設元件23之中段的中間)的附近。在此區域中，可在氣體噴嘴10與供應線(圖未示)之間建立一連接，允許被導引至饋入線的清潔氣體11至設於第四清潔單元7a、7b的氣體噴嘴10。可在提供裝置3的協助下建立與設於光罩保持器RH之供應線的氣密連接，其作用在機械組件(圖未示)上，例如在配接器或類似者，以建立與設在第四清潔單元7a、7b中之氣體連接的連接。或者可能由設於EUV微影設備101中的一組件建立氣密連接，例如配接器或類似者。對應的連接線也可設於另一架設元件22。

由供應線饋入清潔氣體11至第四清潔單元7a、7b的另一替代為，清潔氣體11本身有可能在各別第四清潔單元7a、7b中以液化的形式被保存在一貯庫。當需要時，清潔氣體11在此情況下可從貯庫移出並經由噴嘴10在粒子P的方向中排出。

清潔裝置1、1’也可具有更多、未圖示的清潔單元，其設計用以無接觸地作用在接觸元件24a-c上的粒子P。舉例來說，平坦或平板形主體2可具有形式為清潔表面或層(特別是黏著表面或層)的清潔單元，以將粒子P從接觸元件24a-c轉移至清潔裝置1、1’。為此目的，清潔裝置1、1’之主 體2的表面或主體2之表面的部分區域可設有黏著材料塗層，例如碳塗層、聚氨基甲酸酯彈性體或自黏性Kapton®膠帶。粒子P(例如形式為碎片)沉積在清潔單元之黏性層上的可能性大於其沉積在用於曝光之光罩或用於曝光之晶圓上的可能性。

同樣也可從圖2a中看出，清潔裝置1在提供裝置3的區域中具有接收器12及發送器13，其可整合在一共同結構單元中。接收器12用以接收控制信號14，其從EUV微影設備101傳送至清潔裝置1。控制信號14可特別地包含用以啟動或停止清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b之其中一或多者的控制指令。圖2b所示的清潔裝置1’係以類似的方式形成，亦即其同樣除了清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b之外還具有接收器12及發送器13。

一般不希望清潔裝置1、1’在被EUV微影設備101中的傳輸裝置20傳輸時進行清潔。清潔裝置1、1’一般應僅在EUV微影設備101內的特定位置(所謂的清潔位置)被啟動，例如當其已被放置在光罩保持器RH或在晶圓保持器WH中的曝光位置EX或當其配置於其他適當的清潔位置(例如在圖1所示的轉移位置HP)。

由於EUV微影設備101(更精確地說為設於其中的控制單元)知道可樞轉臂狀物21、31的位置或一般知道曝光光罩M或晶圓W的位置，因此也知道清潔裝置1、1’在由傳輸裝置20、30傳輸時的位置，因此EUV微影設備101可啟動一或多個清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b以在當其到達用於清潔的相應位置時作用在清潔裝置1、1’環境中的粒子P上。

為此目的，包含用以啟動以及可能用以停止各別清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b之指令的控制信號14可傳送到接收器12。或者，在啟動後，清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b可保持為啟動一預定時段(其儲存於清潔裝置1、1’中)，並在此時段已經過去後自動地停止。清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b的啟動在提供裝置3的協助下各別地執行，而可取得清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b之操作所需的電能。

圖3a、3b分別顯示具有一主體2的清潔裝置1，其(類似於圖2a的清潔裝置1)具有圖1之曝光光罩的矩形、平坦幾何結構。在圖3a、3b中，清潔裝置1在光罩保持器RH上架設於曝光位置EX(參考圖1)，其(不同於結合圖4至圖6所示的光罩保持器RH)在靜電力的協助下將清潔裝置1保持在主體2面向光罩保持器RH的平坦側或平面表面2b上。圖3a、3b所示的光罩保持器RH係架設於圖1所示的光罩台RS上。

圖3a、3b所示的清潔裝置1具有用以產生靜電場E的場產生裝置4，其在圖3a所示範例的情況下具有正好一個電極4a。電極4a以具有近似半球形幾何結構之突節(burl)的方式形成，且突出於清潔裝置1之主體2背向光罩保持器RH的平面表面2a。

電極4a與主體2之表面2a的其他部分電性絕緣，其在所示範例中係藉由以電性絕緣材料形成其餘的表面2a而達成。突出於平面表面2a的電極4a產生不均勻的靜電場E，其場強度從電極4a減少(如圖3a可看出，由虛線表示的場線之間的距離從電極4a增加)，場線結束於鋁的導電真空組件40(其在EUV微影設備101中配置位於光罩保持器RH的對面)。

由電極4a所產生的不均勻靜電場在圖3a左側所示的粒子P誘發一偶極矩p，其導致粒子P受到導向於不均勻靜電場E之較高場強度之方向(亦即在所示範例中為在電極4a的方向)的一力F。粒子P因此在不均勻靜電場E中朝電極4a移動且可沉積於其上或沉積於清潔裝置1上。

圖3a中也顯示了一滌洗裝置19，其用以產生惰性滌洗氣體19a或滌洗氣流，其將滌洗氣體19a饋入清潔裝置1。滌洗氣體19a為一惰性氣體，其從滌洗裝置19沿著相對清潔裝置1而配置之真空組件40的表面導引。滌洗氣體19a或滌洗氣流將碎片狀粒子P從真空組件40的受汙染表面40a帶走並將其傳輸至清潔裝置1附近，更準確地說是在電極4a的方向或到不均勻靜電場E的區域中，其中粒子P在電極4a的方向中移動。

作為圖3a所示之滌洗裝置19的替代或補充，為協助清潔， 受汙染表面40a也可以電磁輻射照射，其具有在EUV範圍或可能在其他波長範圍(例如UV波長範圍)中的波長。清潔裝置1(更準確地說為其第一平坦側2a)也可能以EUV輻射照射，其中EUV光源102係以比在曝光期間更低的功率啟動，以由此方式協助清潔程序。

在圖3a所示範例的情況中，清潔裝置1具有用以提供電能的提供裝置3，其作為形式為在清潔單元4之電極4a(其配置在主體2背向光罩保持器RH的第一平坦側2a上)與第二平坦側2b(其沿著光罩保持器RH)間之一電性貫通連接的介面。提供裝置3或貫通連接在主體2的第二平坦側2b上具有一接觸面積，其與光罩保持器RH的一導電接觸元件24(例如突節狀元件)接觸。接觸元件24與未示於圖中的一能量源(例如電壓源)連接，以在電極4a產生大於環境的一電位。

圖3b所示的清潔裝置1不同於圖3a所示的清潔裝置1，其中提供裝置3的形式為電池或類似者，例如電容器的形式。電池不具有對環境的介面且一般為可替換的，使得其可在清潔裝置1被引入EUV微影設備101之前交換，因此可確保總是有一充電電池3在清潔裝置1中。在EUV微影設備101本身中，有可能設置有充電站用以充電作為提供裝置3的電池，在後者情況下，提供裝置3具有一介面用以連接至充電站。

圖3b所示的清潔裝置1也不同於圖3a所示的清潔裝置1，其具有由提供裝置3保持在相同電位的兩個電極4a、4b，該電位一般大於清潔裝置1之環境中的電位或大於真空組件40的電位。如圖3a以及圖3b所示，由兩個電極4a、4b所產生的靜電場E為非均勻且在電極4a、4b的區域中具有最大場強度。為產生靜電場E之場強度之可能的最大不均勻性，在圖3b所示範例的情況中，電極4a、4b實質為針狀物的形式。

圖2a、2b所示的清潔裝置1、1‘另外具有一量測裝置16，用以觀測清潔裝置1、1‘的環境。在所示的範例中，量測裝置16為一相機，其產生清潔裝置1、1‘環境的空間分辨影像。量測裝置16也用以針對沉積於該 處之粒子P調查清潔裝置1附近的表面，以決定表面是否需要清潔。

量測裝置16也可用以觀測並可能可診斷在設於EUV微影設備101中其他組件的故障。為此目的，清潔裝置1、1’可配置(有可能在傳輸裝置20、30的協助下)在特別為此目的而設於EUV微影設備101中的監視位置。在此一監視位置，可例如監視出現在EUV微影設備101中之真空泵或類似者的汙染狀態。

量測裝置16也可用以偵測在EUV微影設備101之氣相中的粒子P(參考圖1)並以此方式判定在氣相中之EUV微影設備101的汙染程度。在氣相中之粒子P可基於當其由一光源(例如由一雷射或一雷射二極體)照射時所發生的散射光而被偵測。光源同樣可整合於清潔裝置1中或可能配置在EUV微影設備101內的某個其他位置。對在氣相中之粒子P的數個接連拍攝影像的評估將可得出有關粒子P在EUV微影設備101中流動行為的結論。

量測裝置16也可用以基於清潔裝置1、1’環境的空間分辨影像而偵測出現在EUV微影設備101中剩餘氣體的氣流G(參考圖1)。此一剩餘氣體因一般小得多的分子尺寸(例如在氫作為剩餘氣體的情況下)而與粒子P不同。為了氣流的偵測，量測裝置16可能可具有一或多個壓力感測器作為相機的替代或補充，以量測清潔裝之1、1’之真空環境中的壓力。在清潔裝置1、1’由傳輸裝置20、30移動通過EUV微影設備101期間，可用這種方式沿移動路徑產生位置相依壓力分佈，且在此基礎上，可推斷氣流G的方向(從EUV微影設備101中具有較高(周圍)壓力的區域到具有較低(周圍)壓力的區域)，且可從所量測的壓力差推斷氣流G的強度。清潔裝置1、1’有可能可具有一量測裝置16，其具有配置分布在清潔裝置1、1’之數個位置的二或更多個壓力感測器，以能夠偵測壓力梯度並基於此而偵測氣流G的強度及方向，即使在清潔裝置1、1’沒有被移動的情況下，例如當其配置在曝光位置EX。

在所示的範例中，一組合的位置及加速度感測器17也整合於清潔裝置1中，其係設計用以判定清潔裝置1、1’在EUV微影設備101內被 傳輸時的位置及加速度。基於感測器17所判定的位置，可判定一預定義清潔位置(其可例如為曝光位置EX或轉移位置HP)的到達。加速度感測器17也可用於檢查在一或多個清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b被啟動之前，清潔裝置1是否為靜止(即在該時刻沒有移動通過EUV微影設備)。

在圖2a、2b所示的範例中，額外整合於清潔裝置1、1’中的為一溫度感測器18，其用以量測清潔裝置1、1’環境中的溫度T。溫度T的量測是有利的，特別是每當具有冷卻及/或加熱裝置9的第三清潔單元6a、6b被啟動以便能夠基於所量測的實際溫度而將由冷卻及/或加熱裝置9在清潔裝置1的環境中所產生的溫度控制到一設定點溫度。

由感測器17、18所供應的量測資料15以及由量測裝置16所供應的量測資料15可在發送器13的協助下傳送至EUV微影設備101或可能傳送至設置於EUV微影設備101外部的一評估裝置(例如電腦)。不同於圖2a、2b所示的情況，清潔裝置1、1’也可完全自主地操作，亦即不具有接收器12，而基於由位置及加速度感測器17所供應的感測器信號執行一或多個清潔單元4、5、6a、6b、7a、7b的啟動以及也可能是量測裝置16的啟動。

1‧‧‧清潔裝置

1’‧‧‧清潔裝置

2‧‧‧平板形主體

3‧‧‧提供裝置

4‧‧‧清潔單元

4a‧‧‧電極

5‧‧‧清潔單元

6a‧‧‧清潔單元

6b‧‧‧清潔單元

7a‧‧‧清潔單元

7b‧‧‧清潔單元

8‧‧‧致動元件

9‧‧‧冷卻及/或加熱裝置

10‧‧‧噴嘴

11‧‧‧清潔氣體

12‧‧‧接收器

13‧‧‧發送器

14‧‧‧控制信號

15‧‧‧量測資料

16‧‧‧量測裝置

17‧‧‧位置及加速度感測器

18‧‧‧溫度感測器

D‧‧‧厚度

E‧‧‧靜電場

T‧‧‧溫度

Claims (16)

1. 一種清潔裝置，具有適用於架設在一EUV微影系統之一曝光光罩的一光罩保持器上或一晶圓的一晶圓保持器上的一幾何結構，該清潔裝置包含：一提供裝置，用以提供電能；以及至少一清潔單元，用以特別是無接觸地作用於該清潔裝置之環境中的粒子上，該清潔單元與該提供裝置連接以吸取電能。
2. 如申請專利範圍第1項所述之清潔裝置，其中該清潔單元具有至少一場產生裝置，用以產生一靜電場。
3. 如申請專利範圍第2項所述之清潔裝置，其中用以產生該靜電場的該場產生裝置具有至少一電極，較佳具有至少兩電極。
4. 如申請專利範圍第2或3項所述之清潔裝置，其中該場產生裝置係設計用以產生一不均勻的靜電場。
5. 如申請專利範圍第3或4項所述之清潔裝置，其中至少一電極突出該清潔裝置之一平面表面。
6. 如前述申請專利範圍之其中任一項所述之清潔裝置，其中該清潔單元具有用以產生振動的至少一致動器。
7. 如前述申請專利範圍之其中任一項所述之清潔裝置，其中該清潔單元具有至少一冷卻及/或加熱裝置。
8. 如前述申請專利範圍之其中任一項所述之清潔裝置，其中該清潔單元具有至少一噴嘴，用以排出一清潔氣體。
9. 如前述申請專利範圍之其中任一項所述之清潔裝置，更包含：用以接收該EUV微影系統的控制信號的一接收器，及/或用以傳送該清潔裝置的量測資料至該EUV微影系統的一發送器。
10. 如前述申請專利範圍之其中任一項所述之清潔裝置，更包含：至少一量測裝置，用以產生該清潔裝置之該環境的一空間分辨影像。
11. 如前述申請專利範圍之其中任一項所述之清潔裝置，更包含：至少一量測裝置，其設計用以偵測在該EUV微影系統之氣相中的粒子及/或用以偵測在該EUV微影系統中的氣流。
12. 如前述申請專利範圍之其中任一項所述之清潔裝置，更包含：至少一位置及/或加速度感測器，用以感測該清潔裝置的位置及/或加速度。
13. 如前述申請專利範圍之其中任一項所述之清潔裝置，更包含：至少一溫度感測器，用以感測在該清潔裝置之環境中的一溫度。
14. 一種EUV微影系統，包含：如前述申請專利範圍之其中一項所述之一清潔裝置；以及 一傳輸裝置，用以選擇性地傳輸一曝光光罩或該清潔裝置至該EUV微影系統之配置於一曝光位置的一光罩保持器、或用以選擇性地傳輸一晶圓或該清潔裝置至該EUV微影系統之配置於一曝光位置的一晶圓保持器。
15. 如申請專利範圍第14項所述之EUV微影系統，更包含：至少一滌洗裝置，用以在配置於該EUV微影系統中之一清潔位置之該清潔裝置的方向中饋入一滌洗氣體。
16. 一種用以清潔一EUV微影系統的方法，特別是用以清潔該EUV微影系統中用以架設一曝光光罩的一光罩保持器或用以架設一晶圓的一晶圓保持器，包含：傳輸如申請專利範圍第1項至第14項之其中一項所述之一清潔裝置至該EUV微影系統中該光罩保持器或該晶圓保持器所配置的一清潔位置，特別是一曝光位置；以及啟動該至少一清潔單元，用以特別是無接觸地作用於該清潔裝置之環境中的粒子上。