JP2022175065A - 評価方法、基板処理装置、基板処理装置の製造方法及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を短時間で評価するのに有利な技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を評価する評価方法であって、前記内部に帯電させた状態のプレートを配置して、前記基板を処理する動作とは異なるダミー動作を行って前記プレートに付着したパーティクルの数を取得する第１工程と、帯電させていない状態の前記プレートで前記ダミー動作を行って前記プレートに付着するパーティクルの数と、帯電させた状態の前記プレートに付着するパーティクルの数との比を示す係数と、前記第１工程で取得したパーティクルの数とに基づいて、前記装置内の状態を評価する第２工程と、を有することを特徴とする評価方法を提供する。
【選択図】図３

Description

本発明は、評価方法、基板処理装置、基板処理装置の製造方法及び物品の製造方法に関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）などの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、インプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板上のインプリント材を型で成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術である。インプリント技術によれば、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。

インプリント技術には、インプリント材の硬化法の１つとして光硬化法がある。光硬化法とは、基板上に供給（配置）されたインプリント材と型とを接触させた状態で紫外線などの光を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことでインプリント材のパターンを基板上に形成する方法である。

また、インプリント技術を、半導体プロセスにおける基板の平坦化に適用する技術の開発も進められている。例えば、型のインプリント材に接触させる面をフラットな平坦面とし、基板上のインプリント材を型の平坦面と基板との間に充填させることで平坦化を行う。

このようなインプリント技術が適用されたインプリント装置では、パターン形成や平坦化を行うために、基板上のインプリント材と型とを直接接触させて引き離す動作が必要となるが、かかる動作は、型の寿命に大きな影響を与える。例えば、型の寿命を左右する要因の１として、基板、或いは、原版に付着するパーティクル（異物）が挙げられる。基板、或いは、原版にパーティクルが付着した状態でパターン形成や平坦化を行うと、型のパターン（微細構造）が破損したり、型の平坦面に凹凸が生じたりするため、物品として製造される半導体デバイスの不良につながる。

インプリント装置では、装置動作、即ち、ステージ、搬送ロボット、各種アクチュエータなどの動作（摺動、摩擦）に起因して、パーティクルが発生することが想定される。基板上にインプリント材を供給する方式がインクジェット方式である場合には、インプリント材の液滴が吐出された際に、インプリント材がミストとして漂い、乾燥、固化してパーティクルに変化することがある。また、インプリント装置を組み立てる際に各部材やユニットの表面に付着したパーティクルが、装置稼働後の僅かな状態の変化によって表面から離脱することも考えられる。インプリント装置をメンテナンスする際には、メンテナンス作業員（人体）からのパーティクルの発生やクリーンルームの雰囲気からのパーティクルの流入がある。これらのパーティクルは、インプリント装置内において、気流が淀む箇所に浮遊して付着する。

インプリント装置においては、装置を稼動するにあたって、装置内に存在するパーティクルを一定のレベル（清浄度）以下にする必要がある。そのため、インプリント装置を、長時間、ダミー動作させて、装置内のパーティクルが一定のレベル以下、例えば、一定の個数密度以下であることを保証しているが、ダウンタイムが長くなり、装置を稼動可能にするまでに長い時間を要する。そこで、装置内に存在するパーティクルをより能動的に除去（クリーニング）する技術、例えば、装置内に帯電させた基板を搬入し、静電気力による引力でパーティクルを基板に吸着させる技術が提案されている（特許文献１及び２参照）。

特許文献１に開示された技術では、コロナ放電方式の帯電ユニットを用いて、絶縁膜が表面に形成されたダスト（パーティクル）吸着用ウエハを帯電させ、かかるウエハを半導体製造装置内で搬送して、装置内に存在するダストをウエハで吸着する。また、特許文献２に開示された技術では、コロナ放電方式の帯電ユニットを用いて、絶縁材料で構成されたクリーニング用基板を基板処理装置に搬送する前に帯電させ、かかる基板を装置内に搬送して、装置内に存在するダストを基板で吸着する。このように、特許文献１及び２には、帯電させた基板を装置内で用いることによって、静電気力による引力でパーティクルを基板に吸着させる（吸い寄せる）クリーニング技術が開示されている。

特開２０００－２６０６７１号公報 特開２０１５－１２６０９２号公報

しかしながら、特許文献１及び２には、装置内をクリーニングした後に、装置内に存在するパーティクルが一定のレベル以下になっていることを確認（保証）するという概念及び手法が開示されていない。

一般的に、装置内に存在するパーティクル（発生状態）をモニタする手法は、２つの手法に大別される。１つ目の手法は、パーティクルカウンタを用いて、装置内に浮遊するパーティクルを吸引してカウントする手法である。かかる手法は、装置内に存在するパーティクルを簡便にリアルタイムでモニタすることができるが、パーティクルをカウントするためには、装置内の一部の箇所を吸引することが必要となる。このため、吸引箇所の近傍にパーティクルが存在（発生）している場合には、かかるパーティクルをカウントすることができるが、吸引箇所から離れた箇所に存在するパーティクルをカウントすることはできない。従って、パーティクルカウンタを用いる手法は、パーティクルが存在する箇所（パーティクルの発生箇所）が予測可能な場合には有効に機能するが、パーティクルが存在する箇所が予測不可能な場合には有効に機能しない。

また、２つ目の手法は、装置内にベアウエハを搬入し、かかるベアウエハに付着するパーティクル（の数）をカウントする手法である。かかる手法は、装置内に搬入されたベアウエハに直接付着したパーティクルをカウントすることが可能であり、実際の装置動作に近い状態で装置内に存在するパーティクルをモニタすることができる。但し、装置内に存在するパーティクルが一定のレベル程度に保たれている装置では、装置内に存在するパーティクルは極僅かであり、且つ、ベアウエハの近傍のエアは層流を維持するように設計されている。従って、装置内に存在するパーティクルがベアウエハに付着する可能性は非常に低く、例えば、本発明者の実験によれば、発生させたパーティクルの約１％程度しかベアウエハに付着しない。

このように、従来技術においては、装置内に存在するパーティクルを正確にモニタすることは非常に困難である。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板処理装置の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を短時間で評価するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての評価方法は、基板を処理する基板処理装置の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を評価する評価方法であって、前記内部に帯電させた状態のプレートを配置して、前記基板を処理する動作とは異なるダミー動作を行って前記プレートに付着したパーティクルの数を取得する第１工程と、帯電させていない状態の前記プレートで前記ダミー動作を行って前記プレートに付着するパーティクルの数と、帯電させた状態の前記プレートに付着するパーティクルの数との比を示す係数と、前記第１工程で取得したパーティクルの数とに基づいて、前記装置内の状態を評価する第２工程と、を有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、基板処理装置の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を短時間で評価するのに有利な技術を提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 加速係数を取得する処理を説明するためのフローチャートである。 パーティクルに関する装置内の状態を評価する評価処理を説明するためのフローチャートである。 プレートの構成を示す図である。 帯電部の構成を示す図である。 プレートがプラスに帯電している状態を示す図である。 インプリント動作を説明するためのフローチャートである。 加速ＰＡＴ動作を説明するためのフローチャートである。 基板搬送容器の構成を示す概略図である。 プレートの断面を示す図である。 物品の製造方法を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、基板を処理する基板処理装置である。インプリント装置１は、例えば、物品としての半導体素子、液晶表示素子、磁気記憶媒体などのデバイスの製造工程であるリソグラフィ工程に採用され、基板にパターンを形成するリソグラフィ装置として具現化される。インプリント装置１は、基板上に供給（配置）された未硬化のインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型のパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する材料（硬化性組成物）が使用される。硬化用のエネルギーとしては、電磁波や熱などが用いられる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、具体的には、赤外線、可視光線、紫外線などを含む。

硬化性組成物は、光の照射、或いは、加熱により硬化する組成物である。光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。

インプリント装置１は、本実施形態では、インプリント材の硬化法として、光（紫外線）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用する。なお、各図において、型に対する光の照射軸と平行な方向を、ＸＹＺ座標系におけるＺ方向とし、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する２つの方向をＸ方向及びＹ方向とする。

図１を参照して、インプリント装置１の各部について説明する。インプリント装置１は、照射部１１５と、型駆動部１１６と、型保持部１１７と、基板チャック１１８と、基板ステージ１１９と、供給部１２２と、アライメントスコープ（不図示）と、気体供給部（不図示）とを有する。また、インプリント装置１は、基板搬送容器１０６に収容されている基板１０１やテスト基板としてのプレート１０２を搬送するための基板搬送ロボット１１２ａ及び１１２ｂと、イオナイザ１１３ａ及び１１３ｂと、処理ステーション１１４とを有する。更に、インプリント装置１は、型搬送容器１０５に収容されている型１００を搬送するための型搬送ロボット１０９ａ及び１０９ｂと、イオナイザ１１０と、ストッカ１１１と、帯電部１０８と、制御部ＣＵとを有する。

型１００は、矩形の外周形状を有し、基板１０１に対向する面に、３次元状に形成されたパターン（回路パターンなどの基板１０１に転写すべき凹凸パターン）を含むパターン領域を含む。型１００は、光を透過させることが可能な材料、例えば、石英で構成される。

型保持部１１７は、真空吸着力や静電気力によって型１００を引き付けて保持する型チャックを含む。型駆動部１１６は、型保持部１１７を保持して駆動することで、型保持部１１７に保持された型１００を移動させる。型駆動部１１６は、基板上のインプリント材への型１００の押し付け（押印）と基板上のインプリント材からの型１００の引き離し（離型）を選択的に行うように、型保持部１１７（型１００）をＺ方向に駆動する。型駆動部１１６に適用可能なアクチュエータは、例えば、リニアモータやエアシリンダを含む。型駆動部１１６は、型１００を高精度に位置決めするために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。また、型駆動部１１６は、Ｚ方向だけではなく、Ｘ方向やＹ方向に型１００を移動可能に構成されていてもよい。更に、型駆動部１１６は、型１００のθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置や型１００の傾きを調整するためのチルト機能を有するように構成されていてもよい。

照射部１１５は、インプリント処理において、型１００を介して、基板上のインプリント材に、例えば、紫外線などの光を照射する。照射部１１５は、光源と、光源からの光の状態（強度分布、照射領域など）をインプリント処理に適切な状態に調整するための光学部材（レンズ、ミラー、遮光板など）とを含む。本実施形態では、光硬化法を採用しているため、インプリント装置１は、照射部１１５を有している。但し、熱硬化法を採用する場合には、照射部１１５に代えて、熱硬化型のインプリント材を硬化させるための熱源部を有する。

アライメントスコープは、型１００に設けられたアライメントマークと、基板１０１に設けられたアライメントマークとを検出し、これらのマライメントマーク間のＸ方向及びＹ方向の各方向の位置ずれを計測する。

供給部１２２は、予め設定されているドロップレシピに基づいて、基板１０１に向けてインプリント材の液滴を吐出し、基板上にインプリント材を供給（配置）する。供給部１２２から吐出されるインプリント材の液滴の基板上の供給位置や供給量は、例えば、基板１０１に形成されるインプリント材のパターンの厚さ（残膜厚）やインプリント材のパターンの密度などに応じて、ドロップレシピとして設定される。

気体供給部は、インプリント装置１の内部（装置内）で発生したパーティクルが型１００及び基板１０１の周辺に進入することを防止するために、気体を供給する。

基板チャック１１８は、真空吸着力や静電気力によって基板１０１やプレート１０２を引き付けて保持する。このように、基板チャック１１８は、基板１０１とプレート１０２とを保持可能に構成されている。基板チャック１１８には、後述するように、プレート１０２の裏面からプレート１０２に電圧を印加してプレート１０２を帯電させることが可能な帯電部１０８が設けられている。基板チャック１１８は、基板ステージ１１９に支持され、基板ステージ１１９を介して、ＸＹ面内で駆動される。型１００と基板上のインプリント材とを接触させる際に、基板ステージ１１９の位置を調整することで、型１００の位置と基板１０１の位置とを互いに整合させる（アライメントする）。基板ステージ１１９に適用可能なアクチュエータは、例えば、リニアモータやエアシリンダを含む。また、基板ステージ１１９は、Ｘ方向やＹ方向だけではなく、Ｚ方向に基板１０１を移動可能に構成されていてもよい。

本実施形態において、型１００の押し付け及び引き離しの各動作は、上述したように、型１００を保持している型保持部１１７をＺ方向に駆動することで実現する。但し、型１００の押し付け及び引き離しの各動作は、基板１０１を保持している基板チャック１１８をＺ方向に駆動することで実現してもよいし、型保持部１１７及び基板チャック１１８の双方を相対的にＺ方向に駆動することで実現してもよい。

基板搬送容器１０６は、ミニエンバイロメント方式で、基板１０１やプレート１０２などの基板を搬送及び管理するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。プレート１０２は、後述するように、表面を帯電させることが可能で、且つ、かかる表面にパーティクルを付着させることが可能な基板である。基板搬送容器１０６には、基板１０１やプレート１０２などの基板が収容されている。

基板搬送ロボット１１２ａ及び１１２ｂは、基板１０１やプレート１０２を搬送するロボットである。基板搬送ロボット１１２ａは、基板搬送容器１０６に収容された基板を取り出し、かかる基板を処理ステーション１１４に搬送する。処理ステーション１１４は、基板搬送容器１０６から搬送された基板のラフな位置合わせ（プリアライメント）及び温調を行う。基板搬送ロボット１１２ｂは、処理ステーション１１４から基板を取り出し、かかる基板を基板チャック１１８に搬送する。

基板搬送容器１０６と基板チャック１１８との間で搬送される基板は、各種部材に吸着されたり、各種部材から取り外されたりするため、各種部材との摩擦で帯電しやすい。従って、基板搬送容器１０６と基板チャック１１８との間の搬送経路には、イオナイザ１１３ａ及び１１３ｂが配置されている。イオナイザ１１３ａ及び１１３ｂで生成されたイオンを、基板搬送容器１０６と基板チャック１１８との間の搬送経路に供給することで、基板が必要以上に帯電することを防止することができる。

型搬送容器１０５は、ミニエンバイロメント方式で、型１００を搬送及び保管するＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）ポッドである。型搬送容器１０５には、型１００が収容されている。

型搬送ロボット１０９ａ及び１０９ｂは、型１００を搬送するロボットである。型搬送ロボット１０９ａは、型搬送容器１０５に収容された型１００を取り出し、かかる型１００を、型を一時的に保管して型交換を可能にするストッカ１１１に搬送する。型搬送ロボット１０９ｂは、ストッカ１１１から型１００を取り出し、かかる型１００を型保持部１１７に搬送する。

型搬送容器１０５と型保持部１１７との間で搬送される型１００は、各種部材に吸着されたり、各種部材から取り外されたりするため、各種部材との摩擦で帯電しやすい。従って、型搬送容器１０５と型保持部１１７との間の搬送経路には、イオナイザ１１０が配置されている。イオナイザ１１０で生成されたイオンを、型搬送容器１０５と型保持部１１７との間の搬送経路に供給することで、型１００が必要以上に帯電することを防止することができる。

制御部ＣＵは、例えば、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータ（情報処理装置）で構成され、記憶部などに記憶されたプログラムに従ってインプリント装置１の各部を統括的に制御する。制御部ＣＵは、インプリント装置１の各部の動作及び調整などを制御することで、型１００を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を制御する。また、制御部ＣＵは、インプリント装置１の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態、具体的には、清浄度を評価（モニタ）する評価処理も制御する。制御部ＣＵは、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。

本実施形態では、インプリント装置１の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態（清浄度）を短時間で評価するために、プレート１０２へのパーティクルの付着の頻度（以下、「パーティクル付着頻度」と称する）を向上させる。本発明者は、パーティクル付着頻度を以下に示すように定義する。

［パーティクル付着頻度］＝［発塵頻度］×［輸送効率］×［付着確率］
ここで、「発塵頻度」は、装置内の発塵部（パーティクルの発生箇所）からの発塵頻度を意味する。通常、装置内の発塵部を特定（把握）することは困難であるため、「発塵頻度」をコントロールすることは現実的ではない。また、「輸送効率」は、パーティクルが装置内の発塵部からプレート１０２まで輸送（移動）する際の効率（輸送されやすさ）を意味する。通常、「輸送効率」は、装置の設計及び構造によって決まるため、装置を組み立てた後にコントロールすることは難しい。従って、「パーティクル付着頻度」を向上させるためには、「付着確率」を向上させることが必要となる。

そこで、本実施形態では、「付着確率」を向上させるために、プレート１０２を帯電させることでプレート１０２に生じる静電気力を用いて、プレート１０２へのパーティクルの付着を加速させる。例えば、通常のインプリント処理に関するインプリント動作を模擬した装置動作、所謂、基板を処理する動作とは異なるダミー動作を繰り返す際に、プレート１０２に電荷を与えてその表面を帯電させる。これにより、装置内に存在するパーティクルのプレート１０２への付着確率を向上させる。そして、表面を帯電させたプレート１０２に付着したパーティクルを検査する、例えば、パーティクルの数を計測することで、パーティクルに関する装置内の状態（清浄度）を短時間で評価することが可能となる。

具体的には、本実施形態では、パーティクルに関する装置内の状態を評価する前に、以下の３つの工程を実施して加速係数を取得する。ここで、加速係数とは、後述するように、装置内においてダミー動作を行うことにより、帯電させていない状態のプレート１０２に付着するパーティクルの数と、帯電させた状態のプレート１０２に付着するパーティクルの数との比を示す係数である。

図２を参照して、加速係数を取得する処理（第３工程）について説明する。なお、かかる処理は、本実施形態では、制御部ＣＵがインプリント装置１の各部を統括的に制御することで行われる。

Ｓ１０２では、Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ａｄｄｅｒ Ｔｅｓｔ（ＰＡＴ）を実施する。具体的には、まず、基板搬送容器１０６に収容されているプレート１０２を、基板搬送ロボット１１２ａ及び１１２ｂを介して、基板チャック１１８及び基板ステージ１１９からなる基板保持部に搬送して、基板チャック１１８に保持させる。次いで、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２に対して、所定回数、ダミー動作を繰り返す。ダミー動作とは、上述したように、通常のインプリント処理に関するインプリント動作を模擬した装置動作である。本実施形態では、インプリント材の供給、型１００の押し付け及び引き離しは行わず、それ以外の動作は通常のインプリント処理時（デバイス製造時）と同様に行う装置動作をダミー動作とする。そして、ダミー動作を行うことでプレート１０２に付着したパーティクルの数を計測（検査）して、一動作当たりのパーティクルの付着数Ｎ０［個数／動作］を求める。なお、プレート１０２に付着したパーティクルの数の計測には、パーティクルの数を計測可能な外部の計測装置（検査装置）を用いればよい。このように、Ｓ１０２では、インプリント装置１の内部に帯電させてない状態のプレート１０２を配置して、ダミー動作を行ってプレート１０２に付着したパーティクルの数（第１数）を取得する。

Ｓ１０４では、加速Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ａｄｄｅｒ Ｔｅｓｔ（加速ＰＡＴ）を実施する。具体的には、まず、基板搬送容器１０６に収容されているプレート１０２を、基板搬送ロボット１１２ａ及び１１２ｂを介して、基板チャック１１８及び基板ステージ１１９からなる基板保持部に搬送して、基板チャック１１８に保持させる。なお、加速ＰＡＴで用いるプレート１０２は、ＰＡＴ（Ｓ１０２）で用いたプレート１０２であってもよい。但し、この場合には、ＰＡＴを実施することでプレート１０２に付着したパーティクルを除去（クリーニング）する必要がある。次いで、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２を帯電させ、帯電させた状態のプレート１０２に対して、所定回数、ダミー動作を繰り返す。そして、ダミー動作を行うことでプレート１０２に付着したパーティクルの数を計測して、一動作当たりのパーティクルの付着数Ｎ１［個数／動作］を求める。加速ＰＡＴでは、プレート１０２に対するパーティクルの付着確率が向上するため、付着数Ｎ１＞付着数Ｎ０の関係となる。このように、Ｓ１０４では、インプリント装置１の内部に帯電させた状態のプレート１０２を配置して、ダミー動作を行ってプレート１０２に付着したパーティクルの数（第２数）を取得する。なお、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２を帯電させるには、例えば、基板チャック１１８に設けられた帯電部１０８を用いればよい。また、本実施形態では、基板チャック１１８に保持された、帯電させていない状態のプレート１０２を帯電させる場合を例に説明したが、帯電させた状態のプレート１０２を搬入して基板チャック１１８に保持させてもよい。

Ｓ１０６では、Ｓ１０２で求められた付着数Ｎ０（第１数）、及び、Ｓ１０４で求められた付着数Ｎ１（第２数）から加速係数Ｋを算出する。具体的には、加速係数Ｋは、Ｋ＝Ｎ１／Ｎ０で算出される。加速係数Ｋは、ＰＡＴに対して、加速ＰＡＴにより、プレート１０２へのパーティクルの付着がどれだけ加速されるかを示す指標でもある。なお、Ｓ１０６で算出された加速係数Ｋは、例えば、インプリント装置１が有する記憶部に記憶される。

このようにして加速係数Ｋを取得することで、パーティクルに関する装置内の状態を評価する際に、加速ＰＡＴを実施しても、加速係数Ｋを考慮してパーティクルに関する装置内の状態を推定することができる。従って、パーティクルに関する装置内の状態を短時間で評価することが可能となる。

なお、加速係数Ｋを取得する処理は、インプリント装置１を出荷して、ユーザの工場などでインプリント装置１を構成する各部材を組み立てる際、所謂、インプリント装置１の組み立て時に行われる。また、加速係数Ｋが経時変化するような場合には、定期的に、或いは、インプリント装置１のメンテナンス時に、加速係数Ｋを取得する処理を行うようにするとよい。

図３を参照して、パーティクルに関する装置内の状態を評価する評価処理について説明する。評価処理は、例えば、インプリント装置１の組み立て後やメンテナンス後に行われる。これは、インプリント装置１を組み立てる作業やメンテナンスする作業が完了すると、インプリント装置１の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を確認する必要があるからである。

Ｓ３０２では、加速ＰＡＴを実施する。加速ＰＡＴは、図２を参照して説明したＳ１０４と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。加速ＰＡＴを実施することで、一動作当たりのパーティクルの付着数Ｍ１［個数／動作］が得られる。このように、Ｓ３０２（第１工程）では、インプリント装置１の内部に帯電させた状態のプレート１０２を配置して、ダミー動作を行ってプレート１０２に付着したパーティクルの数を取得する。

Ｓ３０４では、加速係数Ｋと、Ｓ３０２で求められた付着数Ｍ１とに基づいて、パーティクルに関する装置内の状態が良好であるかどうかを判定する。例えば、ＰＡＴの仕様値として、一動作当たりのパーティクルの付着数がＭ０［個／動作］と規定されているとする。なお、Ｍ０は、装置内に存在するパーティクルの数が仕様値を満たしているときに、ダミー動作を行うことにより、帯電させていない状態のプレート１０２に付着するパーティクルの数であるともいえる。この場合、Ｍ１／Ｋ≦Ｍ０を満たしていなければ、パーティクルに関する装置内の状態が良好ではない（不良である）と判定（評価）し、Ｓ３０６に移行する。一方、Ｍ１／Ｋ≦Ｍ０を満たしていれば、パーティクルに関する装置内の状態が良好であると判定し、Ｓ３０８に移行する。このように、Ｓ３０４（第２工程）では、加速係数Ｋと、Ｓ３０２で求められた付着数Ｍ１とに基づいて、パーティクルに関する装置内の状態を評価する。

Ｓ３０６では、装置内をクリーニングして（即ち、装置内に存在するパーティクルを除去して）、Ｓ３０２に移行する。装置内のクリーニングには、当業界で周知の如何なる技術をも適用可能である。

Ｓ３０８では、パーティクルに関する装置内の状態が良好であることが確認（保証）されたことをうけて、インプリント装置１をリリースする。ここで、インプリント装置１のリリースとは、例えば、インプリント装置１が稼動可能であることをユーザに通知することやインプリント装置１の動作モードをデバイス製造の動作モードに切り替えることなどを含む。

このように、本実施形態では、加速係数Ｋを用いることで、パーティクルに関する装置内の状態を評価する際に、加速ＰＡＴを実施することが可能となる。従って、インプリント装置１の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を短時間で評価することができる。また、加速ＰＡＴを十分に実施する時間が確保できる場合には、プレート１０２へのパーティクルの付着が加速されるため、装置内のクリーニング（パーティクルの除去）にも役立てることができる。

なお、加速係数Ｋは、各インプリント装置に対して取得することが好ましい。但し、複数のインプリント装置間での機差が少ない場合には、あるインプリント装置から得られた加速係数Ｋを、複数のインプリント装置で共通して用いることも可能である。

次に、加速ＰＡＴを実施するための具体的な構成を説明する。図４は、加速ＰＡＴで用いられるプレート１０２の構成を示す図である。プレート１０２は、表面を帯電させることが可能で、且つ、かかる表面にパーティクルを付着させることが可能なように構成される。例えば、プレート１０２は、図４に示すように、シリコン基板１０２ａと、シリコン基板１０２ａに形成された絶縁層１０２ｂとで構成される。

プレート１０２の表面は、一般的に、半導体製造で一般的に用いられている検査装置で検査可能な清浄度及び平滑度を有している。具体的には、プレート１０２の表面は、ベアシリコン表面又は金属表面からなり、その最表面は、ナノメートルオーダーの厚さの自然酸化膜が形成されている。

プレート１０２の裏面には、絶縁層１０２ｂが形成されている。絶縁層１０２ｂは、本実施形態では、プレート１０２の裏面、即ち、基板チャック１１８に保持される側の面の一部分（シリコン基板１０２ａ）が露出するように、プレート１０２の裏面に形成されている。絶縁層１０２ｂは、電気的な絶縁が十分に確保されている膜、例えば、１μｍ以上の厚さを有するシリコン熱酸化膜、半導体材料で汎用的に用いられるポリイミド樹脂、或いは、アクリル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド樹脂などからなる。

図５は、プレート１０２を帯電させる帯電部１０８の構成を示す図である。本実施形態では、帯電部１０８は、基板ステージ１１９の基板チャック１１８に設けられている。基板チャック１１８は、図５に示すように、真空チャックで構成され、基板１０１やプレート１０２などを含む基板との接触面積を少なくするために、基板との接触部をピン形状としている。

帯電部１０８は、プレート１０２に接触するプローブ２００と、プローブ２００を介してプレート１０２に電圧を印加する電源部２０１と、プレート１０２を帯電させる極性を切り替える切替部２１０とを含む。

プローブ２００は、基板チャック１１８を貫通する貫通孔ＴＨに挿入され、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２の裏面、詳細には、プレート１０２の裏面の絶縁層１０２ｂが設けられていない露出部分に直接接触する接触子である。従って、プローブ２００は、導電性を確保し、且つ、発塵を極力低減させるために、例えば、先端を球形状とし、摩耗が少なく酸化しにくい金属材料によって構成されている。

電源部２０１は、プレート１０２を帯電させる極性を変更可能に構成され、例えば、複数種類の電源を含む。具体的には、電源部２０１は、負極が接地され、正極が切替部２１０を介してプローブ２００に接続された電源２０１ａと、正極が接地され、負極が切替部２１０を介してプローブ２００に接続された電源２０１ｂとを含む。

切替部２１０は、プレート１０２を第１極性又は第２極性に選択的に帯電させるため、プローブ２００に電気的に接続させる電源を、電源２０１ａ又は電源２０１ｂに切り替えるスイッチとして構成される。なお、第１極性と第２極性とは、互いに反対の極性であって、一方が正極であり、他方が負極である。例えば、切替部２１０は、プレート１０２を正極に帯電させる場合には、電源２０１ａをプローブ２００に接続し、プレート１０２を負極に帯電させる場合には、電源２０１ｂをプローブ２００に接続する。なお、切替部２１０は、プローブ２００への電圧の印加のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチとしても機能する。

本実施形態では、プレート１０２が基板チャック１１８に保持（真空吸着）されると、プレート１０２の裏面にプローブ２００が自動的に接触して導通が形成される。この際、プローブ２００は、上述したように、プレート１０２の裏面の絶縁層１０２ｂが設けられていない露出部分に接触するため、良好な導通が確保される。なお、プレート１０２の裏面の全体に絶縁層１０２ｂが設けられている場合には、プローブ２００が絶縁層１０２ｂを貫通してプレート１０２の裏面（シリコン基板１０２ａ）に接触するように構成して、電気的な導通を可能にしてもよい。また、プレート１０２の表面に設けられる金属層を裏面にまで回り込ませることで、電気的な導通を容易にすることも可能である。また、プレート１０２の側面にプローブ２００が接触するようにしてもよい。

このように構成された帯電部１０８では、プローブ２００をプレート１０２の裏面に接触させ、電源部２０１（電源２０１ａ又は２０１ｂ）からプローブ２００を介してプレート１０２に電圧を印加し、プレート１０２に電荷を供給する。そして、所定量の電荷がプレート１０２に蓄積されたら、プローブ２００と電源部２０１とを接続した状態でプローブ２００をプレート１０２から離す。これにより、プレート１０２を帯電させるとともに、プレート１０２が帯電した状態を維持することができる。図６は、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２がプラスに帯電している状態を示す図である。プレート１０２は導電性を有しているため、プレート１０２に供給された電荷は均一に分布する。また、プレート１０２と基板チャック１１８とは、絶縁層１０２ｂを介して接触しているため、プレート１０２に電圧が印加されても電流が流れることはない。

本実施形態では、真空チャックで構成された基板チャック１１８に帯電部１０８を設ける場合を例に説明した。但し、基板チャック１１８は、静電チャックで構成されていてもよい。この場合、静電チャックの内部の電極に印加する電圧を制御して、プレート１０２を帯電させることが可能である。換言すれば、基板チャック１１８が静電チャックである場合には、静電チャックの内部の電極に電圧を印加する電圧印加部を、プレート１０２を帯電させる帯電部１０８として用いてもよい。このように、基板チャック１１８の種類にかかわらず、基板チャック１１８及び基板ステージ１１９からなる基板保持部において、プレート１０２を帯電させることができればよい。

インプリント装置１には、上述したように、イオナイザ１１３ａ及び１１３ｂが設けられている。従って、イオナイザ１１３ａ及び１１３ｂが動作していると、イオナイザ１１３ａ及び１１３ｂで生成されたイオンが基板チャック１１８の方に流れ、帯電部１０８で帯電させたプレート１０２を除電してしまう可能性がある。そこで、加速ＰＡＴを実施する際には、イオナイザ１１３ａ及び１１３ｂの動作を停止する必要がある。これにより、加速ＰＡＴを実施する間、プレート１０２は、帯電部１０８から電圧が印加されることで、常に一定の帯電状態を維持することが可能となる。

図７及び図８を参照して、デバイス製造における通常のインプリント処理に関するインプリント動作と、パーティクルに関する装置内の状態を評価するための加速ＰＡＴに関する加速ＰＡＴ動作との違いを説明する。図７は、インプリント動作を説明するためのフローチャートであり、図８は、加速ＰＡＴ動作を説明するためのフローチャートである。

図７に示すインプリント動作について説明する。Ｓ７０２では、基板搬送容器１０６と基板チャック１１８との間の搬送経路に配置されたイオナイザ１１３ａ及び１１３ｂを動作させる。これにより、基板搬送容器１０６から基板チャック１１８に搬送される基板１０１の帯電を除去することが可能となる。

Ｓ７０４では、基板搬送ロボット１１２ａを介して、インプリント処理の対象とする基板１０１を、基板搬送容器１０６から処理ステーション１１４に搬送（搬入）する。

Ｓ７０６では、処理ステーション１１４に搬送された基板１０１に対して、プリアライメント及び温調を行う。例えば、基板１０１に設けられたノッチを検出して基板１０１を粗い精度で位置合わせするとともに、基板１０１の温度を装置内の温度に調整する。

Ｓ７０８では、基板搬送ロボット１１２ｂを介して、プリアライメント及び温調が行われた基板１０１を、処理ステーション１１４から基板チャック１１８に搬送して、かかる基板１０１を基板チャック１１８で保持する。この際、基板チャック１１８で保持する基板１０１には、通常のインプリント処理が行われる。従って、基板チャック１１８に設けられた帯電部１０８は、基板１０１の裏面にプローブ２００を接触させるだけで、基板１０１には電圧を印加せず、グランドの電位（０Ｖ）となっている。

Ｓ７１０では、各種のキャリブレーションを行う。各種のキャリブレーションには、例えば、基板ステージ１１９のキャリブレーションや型駆動部１１６のキャリブレーションなどに加えて、各種の事前計測も含まれる。

Ｓ７１２では、基板上の対象ショット領域にインプリント材を供給する。具体的には、基板チャック１１８に保持された基板１０１の対象ショット領域が供給部１２２の下に位置するように基板ステージ１１９を駆動し、供給部１２２から基板１０１に向けてインプリント材の液滴を吐出する。これにより、基板上の対象ショット領域にインプリント材が供給される。

Ｓ７１４では、基板上の対象ショット領域にインプリント材のパターンを形成する。具体的には、インプリント材を供給された基板上の対象ショット領域が型１００の下に位置するように基板ステージ１１９を駆動し、型駆動部１１６を介して、型１００と基板上のインプリント材とを接触させる。次いで、型１００と基板上のインプリント材とを接触させた状態で、照射部１１５から光を照射してインプリント材を硬化させる。そして、型駆動部１１６を介して、基板上の硬化したインプリント材から型１００を引き離す。これにより、基板上の対象ショット領域にインプリント材のパターンが形成される。

Ｓ７１６では、所定数のショット領域にインプリント材のパターンを形成しているかどうかを判定する。所定数のショット領域にインプリント材のパターンを形成していない場合には、インプリント材のパターンを形成していないショット領域を対象ショット領域として、Ｓ７１２に移行する。一方、所定数のショット領域にインプリント材のパターンを形成している場合には、Ｓ７１８に移行する。

Ｓ７１８では、基板搬送ロボット１１２ａ及び１１２ｂを介して、インプリント材のパターンが形成された基板１０１を、基板チャック１１８から基板搬送容器１０６に搬送（搬出）する。

Ｓ７２０では、所定数の基板に対するインプリント処理が完了しているかどうかを判定する。所定数の基板に対するインプリント処理が完了していない場合には、新たな基板に対するインプリント処理を行うために、Ｓ７０４に移行する。一方、所定数の基板に対するインプリント処理が完了している場合には、インプリント動作を終了する。

図８に示す加速ＰＡＴ動作について説明する。Ｓ８０２では、基板搬送容器１０６と基板チャック１１８との間の搬送経路に配置されたイオナイザ１１３ａ及び１１３ｂの動作を停止する。これは、基板チャック１１８に設けられた帯電部１０８によって、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２を帯電させるためである。

Ｓ８０４では、基板搬送ロボット１１２ａを介して、プレート１０２を、基板搬送容器１０６から処理ステーション１１４に搬送（搬入）する。

Ｓ８０６では、処理ステーション１１４に搬送されたプレート１０２に対して、プリアライメント及び温調を行う。例えば、プレート１０２に設けられたノッチを検出してプレート１０２を粗い精度で位置合わせするとともに、プレート１０２の温度を装置内の温度に調整する。

Ｓ８０８では、基板搬送ロボット１１２ｂを介して、プリアライメント及び温調が行われたプレート１０２を、処理ステーション１１４から基板チャック１１８に搬送して、かかるプレート１０２を基板チャック１１８で保持する。この際、基板チャック１１８に設けられた帯電部１０８は、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２の裏面にプローブ２００を接触させ、プローブ２００を介して、電源部２０１からプレート１０２に電圧を印加する。これにより、プレート１０２は一様に帯電し、所定の電位を維持する。

Ｓ８１０では、各種のキャリブレーションを行う。各種のキャリブレーションには、例えば、基板ステージ１１９のキャリブレーションや型駆動部１１６のキャリブレーションなどに加えて、各種の事前計測も含まれる。

Ｓ８１２では、基板上の対象ショット領域にインプリント材を供給する動作を模擬したダミー供給動作を行う。具体的には、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２の対象領域が供給部１２２の下に位置するように基板ステージ１１９を駆動する。但し、供給部１２２からプレート１０２に向けてインプリント材の液滴を吐出せず、基板上の対象領域にはインプリント材を供給しない。なお、プレート１０２の対象領域とは、基板上の対象ショット領域に相当するものである。

Ｓ８１４では、基板上の対象ショット領域にインプリント材のパターンを形成する動作を模擬したダミー形成動作を行う。具体的には、プレート上の対象領域が型１００の下に位置するように基板ステージ１１９を駆動し、型駆動部１１６を介して、型１００とプレート１０２とが接触しない範囲で、型１００とプレート１０２とを近接させる。そして、型駆動部１１６を介して、型駆動部１１６を介して、型１００とプレート１０２とを遠ざける。

Ｓ８１６では、所定数の領域に対するダミー形成動作が完了しているかどうかを判定する。所定数の領域に対するダミー形成動作が完了していない場合には、Ｓ８１２に移行する。所定数の領域に対するダミー形成動作が完了している場合には、Ｓ８１８に移行する。

Ｓ８１８では、基板搬送ロボット１１２ａ及び１１２ｂを介して、基板チャック１１８に保持されているプレート１０２を、基板チャック１１８から基板搬送容器１０６に搬送（搬出）する。

Ｓ８２０では、プレート１０２に対して、所定ループ数のダミー形成動作が完了しているかどうかを判定する。所定ループ数のダミー形成動作が完了していない場合には、Ｓ８０４に移行する。一方、所定ループ数のダミー形成動作が完了している場合、加速ＰＡＴ動作を終了する。

なお、加速ＰＡＴ動作が行われたプレート１０２（即ち、Ｓ８１８で基板搬送容器１０６に搬送されたプレート１０２）は、外部の計測装置（検査装置）に搬送される。そして、外部の計測装置において、プレート１０２に付着したパーティクルの数が計測され、一動作当たりのパーティクルの付着数Ｎ１［個数／動作］が得られる。

ＰＡＴに関するＰＡＴ動作については、Ｓ８０８において、プレート１０２を帯電させず、０Ｖに維持することのみが異なるだけで、他の動作は、加速ＰＡＴ動作と同様である。また、ＰＡＴ動作が行われたプレート１０２は、外部の計測装置（検査装置）に搬送される。そして、外部の計測装置において、プレート１０２に付着したパーティクルの数が計測され、一動作当たりのパーティクルの付着数Ｎ０［個数／動作］が得られる。

このように、本実施形態では、ＰＡＴから得られる付着数Ｎ０、及び、加速ＰＡＴから得られる付着数Ｎ１から加速係数Ｋを求める。そして、加速係数Ｋを求めたら、パーティクルに関する装置内の状態を評価する際に、加速ＰＡＴを実施し、加速係数Ｋを考慮してパーティクルに関する装置内の状態（装置内の存在するパーティクルの数）を推定する。これにより、パーティクルに関する装置内の状態を短時間で、具体的には、ＰＡＴを実施する場合と比較して１／Ｋの時間で評価することが可能となる。

また、本実施形態では、基板１０１とプレート１０２とを異なる基板として説明したが、基板１０１に絶縁層が設けられている場合には、かかる基板１０１をプレート１０２として用いることも可能である。

＜第２実施形態＞
第１実施形態では、基板チャック１１８及び基板ステージ１１９（基板保持部）に帯電部１０８を設けて、基板チャック１１８に保持されたプレート１０２を帯電させる場合について説明した。本実施形態では、基板搬送容器１０６と基板チャック１１８との間の搬送経路において、プレート１０２を帯電させる場合について説明する。

本実施形態では、帯電部１０８Ａは、図９に示すように、基板搬送容器１０６に設けられ、基板搬送容器１０６の内部でプレート１０２を帯電させる。基板搬送容器１０６は、上述したように、基板の搬送及び管理に標準的に用いられるＦＯＵＰで構成されているが、ＦＯＵＰに簡単な改造を加えることで、帯電部１０８Ａを設けることが可能である。図９は、基板搬送容器１０６の構成を示す概略図である。

ＦＯＵＰを用いることで、以下に説明する利点が得られる。インプリント装置１のＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）のロードポートにＦＯＵＰを載置することができる。また、パーティクルが付着したプレート１０２をＦＯＵＰに収容した状態で、かかるＦＯＵＰをインプリント装置１から外部の検査装置に搬送して、プレート１０２に付着したパーティクルを検査することが可能となる。更に、インプリント装置１の本体部（インプリント処理を行う処理部）の外でプレート１０２を帯電させるため、上述したように、ＦＯＵＰに簡単な改造を加えるだけでよく、インプリント装置１の本体部に改造を加える必要がない。

基板搬送容器１０６に設けられた帯電部１０８Ａは、プレート１０２に接触するプローブ２００Ａと、プローブ２００Ａを介してプレート１０２に電圧を印加する電源部２０１Ａと、プレート１０２を帯電させる極性を切り替える切替部２１０Ａとを含む。

プローブ２００Ａは、本実施形態では、プレート１０２の表面に直接接触する接触子である。従って、プローブ２００Ａは、導電性を確保し、且つ、発塵を極力低減させるために、例えば、先端を球形状とし、摩耗が少なく酸化しにくい金属材料によって構成されている。なお、プレート１０２にプローブ２００Ａを接触させたときの発塵が表面に回り込むことを防ぐために、プレート１０２の表面ではなく、プレート１０２の側面にプローブ２００Ａを接触させてもよい。

電源部２０１Ａは、プレート１０２を帯電させる極性を変更可能に構成され、例えば、複数種類の電源を含む。具体的には、電源部２０１Ａは、負極が接地され、正極が切替部２１０Ａを介してプローブ２００Ａに接続された電源２０１Ａａと、正極が接地され、負極が切替部２１０Ａを介してプローブ２００Ａに接続された電源２０１Ａｂとを含む。

切替部２１０Ａは、プレート１０２を第１極性又は第２極性に選択的に帯電させるため、プローブ２００Ａに電気的に接続させる電源を、電源２０１Ａａ又は電源２０１Ａｂに切り替えるスイッチとして構成される。なお、第１極性と第２極性とは、互いに反対の極性であって、一方が正極であり、他方が負極である。例えば、切替部２１０Ａは、プレート１０２を正極に帯電させる場合には、電源２０１Ａａをプローブ２００Ａに接続し、プレート１０２を負極に帯電させる場合には、電源２０１Ａｂをプローブ２００Ａに接続する。なお、切替部２１０Ａは、プローブ２００Ａへの電圧の印加のＯＮ／ＯＦＦを切り替えるスイッチとしても機能する。

このように構成された帯電部１０８Ａでは、プローブ２００Ａをプレート１０２に接触させ、電源部２０１Ａ（電源２０１Ａａ又は２０１Ａｂ）からプローブ２００Ａを介してプレート１０２に電圧を印加し、プレート１０２に電荷を供給する。そして、所定量の電荷がプレート１０２に蓄積されたら、プローブ２００Ａと電源部２０１Ａとを接続した状態でプローブ２００Ａをプレート１０２から離す。これにより、プレート１０２を帯電させるとともに、プレート１０２が帯電した状態を維持することができる。プレート１０２は導電性を有しているため、プレート１０２における電荷分布を均一にすることができ、且つ、プレート１０２の表面電位を制御しやすく、再現性も確保することができる。

また、基板搬送容器１０６（ＦＯＵＰ）の内部においては、プレート１０２が接触する部材から、プレート１０２に蓄積した電荷が逃げないようにする必要がある。例えば、基板搬送容器１０６には、プレート１０２や基板１０１を載置する溝板部品１２１（Ｔｅｅｔｈ）が設けられている。溝板部品１２１は、プレート１０２と接触する部材であるため、絶縁材料で構成される。このように、基板搬送容器１０６において、プレート１０２と接触する部材は、絶縁材料で構成される。一方、プレート１０２と接触しない部材、例えば、容器本体１２３は、導電性を有する材料で構成され、グランドと同電位となっている。

本実施形態において、加速ＰＡＴを実施する際には、基板チャック１１８において（帯電部１０８によって）、プレート１０２を帯電させる必要はない。従って、図８に示すＳ８０８では、基板チャック１１８でプレート１０２を保持するだけでよく、プレート１０２に電圧を印加しなくてよい。なお、他の動作については、図８に示す加速ＰＡＴ動作と同様である。また、ＰＡＴを実施する際には、基板搬送容器１０６において（帯電部１０８Ａによって）、プレート１０２を帯電させる必要はない。

本実施形態では、基板搬送容器１０６と基板チャック１１８との間の搬送経路の１つである基板搬送容器１０６（の内部）において、プレート１０２を帯電させる例について説明した。但し、プレート１０２を帯電させる箇所は、基板搬送容器１０６に限定されるものではなく、基板搬送容器１０６と基板チャック１１８との間の搬送経路の任意の箇所でよい。例えば、プリアライメント及び温調を行う処理ステーション１１４において、プレート１０２を帯電させてもよい。この場合、第１実施形態と同様に、処理ステーション１１４に帯電部１０８を設けて、プレート１０２を帯電させればよい。

＜第３実施形態＞
第２実施形態では、基板搬送容器１０６（ＦＯＵＰ）に帯電部１０８Ａを設けて、プレート１０２を帯電させる場合について説明した。なお、プレート１０２の裏面は絶縁されているため、帯電ささせた状態のプレート１０２を基板チャック１１８及び基板ステージ１１９（基板保持部）に搬送する際に、プレート１０２に蓄積した電荷が逃げることはない。但し、プレート１０２の帯電電圧は、プレート１０２の搬送経路に依存して変動する可能性がある。本実施形態では、プレート１０２の帯電電圧の変動を抑制するための手法について説明する。

基板搬送容器１０６においてプレート１０２に所定の電圧を印加すると、プレート１０２の帯電電圧は、グランドに接続されている容器本体１２３とプレート１０２との間で構成されるコンデンサの容量に依存して定まる。一般的に、平行平板のコンデンサの静電容量Ｃは、Ｃ＝εＳ／ｄで定義される。ここで、εは、誘電率であり、Ｓは、表面積であり、ｄは、平行平板のギャップ距離である。従って、平行平板のコンデンサの静電容量Ｃは、平行平板のギャップ距離に反比例する。一方、平行平板に蓄積される電荷Ｑは、帯電電圧をＶとすると、Ｑ＝ＣＶで表される。従って、帯電電圧Ｖは、静電容量Ｃに依存する。これらを考慮すると、プレート１０２の帯電電圧は、装置内の搬送経路の各箇所で静電容量が異なることに起因して変動する可能性がある。

そこで、本実施形態では、プレート１０２の帯電電圧の変動を抑制するために、プレート１０２に対してコンデンサ構造を設ける。具体的には、図１０に示すように、シリコン基板１０２ｅの表面に、ＳｉＯ_２絶縁層１０２ｄと、シリコン層１０２ｃとを順に形成する。図１０は、コンデンサ構造を有するプレート１０２の断面を示す図である。図１０に示す構成は、一般的に、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハと呼ばれる。本実施形態では、ＳＯＩウエハと同様に、プレート１０２にコンデンサ構造を設け、かかるコンデンサ構造に電荷を保存する。この場合、プレート１０２に設けられたコンデンサ構造の静電容量は変動しないため、プレート１０２を装置内で搬送しても、プレート１０２の帯電電圧の変動を抑制することができる。なお、本実施形態では、プレート１０２にコンデンサ構造を設けることを本質としているため、例えば、シリコン層１０２ｃを金属層に置換してもよい。

本実施形態において、加速ＰＡＴを実施する際には、図８に示すＳ８０８では、第２実施形態と同様に、プレート１０２を基板チャック１１８に設けられた帯電部１０８で帯電させる必要はなく、プレート１０２を基板チャック１１８で保持するだけでよい。なお、他の動作については、図８に示す加速ＰＡＴ動作と同様である。また、ＰＡＴを実施する際には、基板搬送容器１０６において（帯電部１０８Ａによって）、プレート１０２を帯電させる必要はない。

＜第４実施形態＞
インプリント装置１を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。

硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板を用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材が基板上に付与された様子を示している。

図１１（ｂ）に示すように、インプリント用の型を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材に向け、対向させる。図１１（ｃ）に示すように、インプリント材が付与された基板と型とを接触させ、圧力を加える。インプリント材は、型と被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型を介して照射すると、インプリント材は硬化する。

図１１（ｄ）に示すように、インプリント材を硬化させた後、型と基板を引き離すと、基板上にインプリント材の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材に型の凹凸のパターンが転写されたことになる。

図１１（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図１１（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。

また、図３に示す評価処理を含むインプリント装置１の製造方法も本発明の一側面を構成する。かかる製造方法は、インプリント装置１を構成する各部材を組み立てる工程と、図３に示す評価処理を用いて、各部材を組み立てて構成されたインプリント装置１の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を評価する工程と、を含む。更に、このような製造方法を用いて、インプリント装置１を製造する工程と、かかるインプリント装置１を用いて、図１１（ａ）乃至図１１（ｆ）に示す動作を行う工程と、を含む物品の製造方法も本発明の一側面を構成する。

これまでの実施形態では、基板を処理する基板処理装置として、基板上のインプリント材を型で成形して基板上にパターンを形成するインプリント装置を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、基板処理装置は、平坦面を有する型を用いて基板上の組成物を平坦化する平坦化装置や基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置を含む。リソグラフィ装置としては、原版を介して基板を露光して原版のパターンを基板に転写する露光装置や荷電粒子線（電子線やイオンビームなど）を用いて基板上にパターンを描画する描画装置などが挙げられる。また、基板処理装置は、感光媒体を基板上に塗布する塗布装置や潜像パターンが形成された基板を現像する現像装置などのリソグラフィ工程以外の工程に用いられる装置も含む。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：インプリント装置 １００：型 １０１：基板 １０２：プレート １０８、１０８Ａ：帯電部 １１８：基板チャック １１９：基板ステージ

Claims (13)

1. 基板を処理する基板処理装置の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を評価する評価方法であって、
   前記内部に帯電させた状態のプレートを配置して、前記基板を処理する動作とは異なるダミー動作を行って前記プレートに付着したパーティクルの数を取得する第１工程と、
   帯電させていない状態の前記プレートで前記ダミー動作を行って前記プレートに付着するパーティクルの数と、帯電させた状態の前記プレートに付着するパーティクルの数との比を示す係数と、前記第１工程で取得したパーティクルの数とに基づいて、前記装置内の状態を評価する第２工程と、
   を有することを特徴とする評価方法。
2. 前記第２工程では、前記係数、及び、前記第１工程で取得したパーティクルの数から前記内部に存在するパーティクルの数を推定することで前記装置内の状態を評価することを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
3. 前記係数をＫ、前記第１工程で取得したパーティクルの数をＭ１、前記内部に存在するパーティクルの数が仕様値を満たしているときに、前記ダミー動作を行うことにより、帯電させていない状態の前記プレートに付着するパーティクルの数をＭ０とすると、
   前記第２工程では、Ｍ１／Ｋ≦Ｍ０を満たす場合に、前記装置内の状態は良好であると評価することを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
4. 前記第１工程の前に、前記係数を取得する第３工程を更に有し、
   前記第３工程では、
   前記内部に帯電させていない状態の前記プレートを配置して、前記ダミー動作を行って前記プレートに付着したパーティクルの数を示す第１数を取得し、
   前記内部に帯電させた状態の前記プレートを配置して、前記ダミー動作を行って前記プレートに付着したパーティクルの数を示す第２数を取得し、
   前記第１数及び前記第２数から前記係数を算出する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の評価方法。
5. 前記第３工程は、前記基板処理装置の組み立て時、又は、前記基板処理装置のメンテナンス時に行われることを特徴とする請求項４に記載の評価方法。
6. 前記第１工程では、前記内部に帯電させていない状態の前記プレートを搬入して、前記内部において前記プレートを帯電させることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の評価方法。
7. 前記第１工程では、前記内部に帯電させた状態の前記プレートを搬入することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の評価方法。
8. 前記装置内の状態は、前記装置内の清浄度を含むことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の評価方法。
9. 基板を処理する基板処理装置であって、
   前記基板を保持する保持部と、
   前記保持部に設けられた帯電部と、を有し、
   前記保持部は、前記基板処理装置の内部に存在するパーティクルを付着させるためのプレートも保持可能に構成され、
   前記帯電部は、
   前記保持部を貫通する貫通孔に挿入されて前記保持部に保持された前記プレートに接触する接触子を含み、
   前記プレートに接触させた前記接触子に電圧を印加し、前記接触子に電圧を印加している状態で前記接触子を前記プレートから離すことにより前記プレートを帯電させることを特徴とする基板処理装置。
10. 前記プレートは、前記保持部に保持される側の面に、前記面の一部分が露出するように設けられた絶縁層を含み、
    前記接触子は、前記絶縁層が設けられていない前記面の一部分に接触することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
11. 基板を処理する基板処理装置の製造方法であって、
    前記基板処理装置を構成する各部材を組み立てる工程と、
    前記各部材を組み立てて構成された前記基板処理装置の内部に存在するパーティクルに関する装置内の状態を評価する工程と、
    を有し、
    前記装置内の状態を評価する工程は、
    前記内部に帯電させた状態のプレートを配置して、前記基板を処理する動作とは異なるダミー動作を行って前記プレートに付着したパーティクルの数を取得する第１工程と、
    帯電させていない状態の前記プレートで前記ダミー動作を行って前記プレートに付着するパーティクルの数と、帯電させた状態の前記プレートに付着するパーティクルの数との比を示す係数と、前記第１工程で取得したパーティクルの数とに基づいて、前記装置内の状態を評価する第２工程と、
    を含むことを特徴とする製造方法。
12. 請求項９又は１０に記載の基板処理装置を用いて、パターンを基板に形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    処理された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
13. 請求項１１に記載の製造方法を用いて、基板を処理する基板処理装置を製造する工程と、
    前記基板処理装置を用いて、パターンを基板に形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    処理された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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