TW201639039A - 用以在晶圓中消除沉積谷的新基座設計 - Google Patents

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Abstract

本文的實施例大致上關於半導體基材的熱處理的基座。在一實施例中，基座包括一第一緣、一被第一緣耦接且環繞的內部區域、及一或更多個被形成在內部區域上的環狀突部。該一或更多個環狀突部可被形成在內部區域上於對應於被形成在基材上的谷的位置的位置處，並且該一或更多個環狀突部有助於減少或消除谷的形成。

Description

用以在晶圓中消除沉積谷的新基座設計
本文的實施例大致上關於用於熱製程腔室中的基座。
半導體基材被處理用在廣泛各種應用中，包括積體元件與微元件的製造。在處理期間，基材被定位在製程腔室的一基座上。基座時常具有淺盤(platter)或碟形上表面，該上表面用以從基材的邊緣周圍從下面支撐基材，而留下基材的剩餘下表面與基座的上表面之間的一小間隙。基座是被一支撐桿所支撐，支撐桿可繞著一中心軸旋轉。對熱源(諸如設置在基座下方的複數個加熱燈)的精確控制係容許基座在非常嚴格的容忍度內被加熱。被加熱的基座可接著傳送熱到基材，主要是藉由基座所放射的輻射。基材的溫度會影響被沉積在基材上的材料的均勻性。
儘管加熱基座的精確控制，已經觀察到谷(較低沉積)被形成在基材上的特定位置處。所以，存在著改善的基座的需要，其中該改善的基座用以在半導體處理中支撐與加熱基材。
本文的實施例大致上關於用在熱製程腔室的基座。在一實施例中，該基座包括：一緣；一內部區域，該內部區域耦接到該緣且被該緣所環繞；及一或更多個環形突部，該一或更多個環形突部被形成在該內部區域上。
在另一實施例中，一種基座包括：一內部區域；及一或更多個環形突部，該一或更多個環形突部被形成在該內部區域上。各個該一或更多個環形突部包括：一內半徑部；一外半徑部，該外半徑部從該內半徑部徑向向外延伸；及一線性部，該線性部介於該內半徑部與該外半徑部之間。
在另一實施例中，一種製程腔室包括：一第一圓頂；一第二圓頂；及一基底環，該基底環設置在該第一圓頂與該第二圓頂之間。一內區域被該第一圓頂、該第二圓頂、及該基底環所定義。該製程腔室更包括一基座，該基座設置在該內區域中，且該基座包括：一緣；一內部區域，該內部區域耦接到該緣且被該緣所環繞；及一或更多個環形突部，該一或更多個環形突部被形成在該內部區域上。
100‧‧‧製程腔室
102‧‧‧燈
104‧‧‧第二表面
105‧‧‧升降銷
106‧‧‧基座
107‧‧‧內區域
108‧‧‧基材
111‧‧‧第一表面
113‧‧‧突部
114‧‧‧第二圓頂
115‧‧‧圓形突部
116‧‧‧沉積表面
118‧‧‧溫度感測器
122‧‧‧反射件
126‧‧‧連接埠
128‧‧‧第一圓頂
130‧‧‧夾持環
132‧‧‧中心桿
136‧‧‧基底環
145‧‧‧燈頭組件
156‧‧‧製程區域
158‧‧‧沖洗區域
162‧‧‧沖洗氣體源
163‧‧‧線性組件
164‧‧‧沖洗氣體入口
167‧‧‧預熱環
172‧‧‧製程氣體源
174‧‧‧製程氣體入口
178‧‧‧製程氣體出口
180‧‧‧真空泵
202‧‧‧穿孔
204‧‧‧內部區域
206‧‧‧緣
210‧‧‧非連續突部
211‧‧‧間隙
212‧‧‧嵌設袋
213‧‧‧彎曲表面
214‧‧‧內部
215‧‧‧彎曲表面
216‧‧‧外部
218‧‧‧線性部
220‧‧‧線性表面
222‧‧‧對稱軸
224‧‧‧平面
230‧‧‧內部
232‧‧‧外部
234‧‧‧線性部
236‧‧‧彎曲表面
238‧‧‧彎曲表面
240‧‧‧線性表面
250‧‧‧突部
302‧‧‧突部
304‧‧‧突部
306‧‧‧內部
308‧‧‧外部
310‧‧‧線性部
312‧‧‧彎曲表面
314‧‧‧彎曲表面
316‧‧‧線性表面
318‧‧‧內部
320‧‧‧外部
322‧‧‧線性部
324‧‧‧彎曲表面
326‧‧‧彎曲表面
328‧‧‧線性表面
可藉由參考實施例來詳細暸解本文的說明，本文的說明簡短地在前面概述過，其中該些實施例的一些實施例在附圖中示出。但是應注意的是，附圖僅示出 本文的典型實施例，因此附圖不應被視為會對本文範疇構成限制，這是因為本文可允許其他等效實施例。
第1圖是根據一實施例之製程腔室的示意剖視圖。
第2A-2B圖是根據本文的實施例用在製程腔室的一基座的立體圖。
第2C-2D圖是根據本文的實施例用在製程腔室的基座上的突部的放大剖視圖。
第3A圖是根據本文的實施例用在製程腔室的基座的立體圖。
第3B圖是根據本文的實施例用在製程腔室的基座上之一或更多個突部與一圓形突部的放大剖視圖。
為促進了解，在可能時使用相同的元件符號來表示該等圖式共有的相同元件。可設想出的是一實施例中所揭示的的元件可有利地被利用到其他實施例而不需特別詳述。
本文的實施例大致上關於半導體基材的熱處理的基座。在一實施例中，基座包括一第一緣、一被第一緣耦接且環繞的內部區域、及一或更多個被形成在內部區域上的環狀突部。該一或更多個環狀突部可被形成在內部區域上於對應於被形成在基材上的谷的位置的位 置處，並且該一或更多個環狀突部有助於減少或消除谷的形成。
第1圖繪示一製程腔室100的示意剖視圖，該製程腔室具有固定在位置的部件以處理可受益自本文的實施例者。可設想出的是當用於磊晶製程的一製程腔室被顯示且被描述，本文的觀念亦可應用於其他製程腔室，其中該其他製程腔室能提供一受控制的熱循環而加熱基材以用於製程(諸如熱退火、熱清潔、熱化學氣相沉積、熱氧化、與熱氮化)，無論是否加熱構件被提供在製程腔室的頂部、底部、或兩者處。
製程腔室100與任何相關硬體可由一或更多種製程相容材料製成，諸如不銹鋼、石英(熔融矽玻璃)、碳化矽(SiC)、CVD塗覆SiC在石墨上方(例如30-200微米的SiC)、與上述的組合和合金。製程腔室100可用以處理一或更多個基材，包括在基材108的沉積表面116上的材料的沉積。製程腔室100可包括一第一圓頂128、一第二圓頂114、及一基底環136，其中該基底環136位在該第一圓頂128與該第二圓頂114之間。一內區域107藉由第一圓頂128、第二圓頂114、及基底環136來形成。第一圓頂128與第二圓頂114可由一光學透明材料(諸如石英)構成。一基座106設置在內區域107中，並且基座106將內區域107分隔成一製程區域156與一沖洗區域158。基材108可透過一裝載埠(未示出，被基座106遮掩住)被帶進製程腔室100並被定位在 基座106上。基座106可由SiC塗覆石墨製成。基座106具有面對基材108的一第一表面111與和第一表面111相對的一第二表面104。基座106可被一中心桿132所支撐，中心桿132可被一馬達(未示出)旋轉，接著旋轉基座106與基材108。
基座106(如第1圖所示)位於一處理位置以容許基材108在製程腔室100中的處理。中心桿132與基座106可被一致動器(未示出)降低。複數個升降銷105通過基座106。降低基座106至處理位置下方的裝載位置係容許升降銷105接觸第二圓頂114、通過基座106中的孔洞、及從基座106升高基材108。一機械手臂(未示出)接著進入製程腔室100以嚙合且移除基材108通過裝載埠(未示出)。機械手臂或另一機械手臂透過裝載埠進入製程腔室，並且放置未處理的基材在基座106上。基座106接著被致動器升高到處理位置，以放置未處理基材於處理的位置。
製程腔室100可更包括一燈頭組件145，燈頭組件145具有複數個輻射加熱燈102。燈頭組件145可設置成鄰近第二圓頂114而在內區107外面以加熱(其他部件以外)基座106的第二表面104，接著加熱基材108。一或更多個突部113可設置於第一表面111上。一或更多個突部113可以是環形的，並且可由和基座106相同的材料製成。在一些實施例中，一圓形突部115可設置在第一表面111上，並且圓形突部115可由和基 座106相同的材料製成。該一或更多個突部113與該圓形突部115可提供在基材108上的局部溫度控制，因此提供在基材108的沉積表面116上具有改善均勻性的沉積。
一預熱環167係可選地設置在基座106周圍且被一耦接到基底環136的線性組件163所環繞。預熱環167係避免或減少來自燈102到基材108的沉積表面116的光與/或熱雜訊(noise)的洩漏，同時提供用於製程氣體的一預熱區塊。預熱環167可由化學氣相沉積(CVD)SiC、被塗覆SiC的燒結石墨、生長SiC、不透明石英、被塗覆的石英、或任何類似的適當材料製成，其中該材料可抵抗製程與沖洗氣體的化學崩潰。
線性組件163的尺寸可被落置在基底環136的內圓周內且被基底環136的內圓周所環繞。線性組件163係遮蔽製程腔室的金屬壁免於用在處理的製程氣體。金屬壁可與製程氣體反應且被損壞或引進污染到製程腔室100內。儘管線性組件163被顯示成單一主體，在本文的實施例中，線性組件163可包含一或更多個襯裡與其他部件。
在一實施例中，製程腔室100亦可包括一或更多個溫度感測器118(諸如光學高溫計)，溫度感測器118係測量製程腔室100內與基材108的沉積表面116上的溫度。一反射件122係可選地被放置在第一圓頂128外面，以反射來自基材108與第一圓頂128的紅外 光而返回到製程區域156內。可使用一夾持環130將反射件122固定到第一圓頂128。反射件122可具有一或更多個連接埠126，連接埠126被連接到一冷卻流體源(未示出)。連接埠126可連接到反射件內的一或更多個通道(未示出)，以容許冷卻流體(例如水)在反射件122內循環。
製程腔室100可包括一製程氣體入口174，製程氣體入口174被連接到一製程氣體源172。製程氣體入口174可設以引導製程氣體大致上在基材108的沉積表面116。製程腔室100亦可包括一製程氣體出口178，製程氣體出口178位在製程腔室100的側上而和製程氣體入口174相對。製程氣體出口178耦接到一真空泵180。
在一實施例中，製程腔室100包括一沖洗氣體入口164，沖洗氣體入口164被形成在基底環136中。一沖洗氣體源162係供應沖洗氣體到沖洗氣體入口164。製程氣體入口174、沖洗氣體入口164與製程氣體出口178係被顯示作為說明目的，並且氣體入口與出口的位置、尺寸、數量等可被調整以促進在基材108上的材料的均勻沉積。
第2A-2B圖是根據各種實施例的基座106的立體圖。如第2A圖所示，基座106可以是一實質上圓形板而包括一緣206與一耦接到緣206且被緣206環繞的內部區域204。第一表面111(第1圖)可包括內部區域 204與緣206兩者。內部區域204可具有一下凹輪廓且可形成一嵌設袋212。基座106的尺寸可使在基座106上被處理的基材恰好插入緣206內。嵌設袋212因此避免基材在處理期間滑出。內部區域204可包括對應於升降銷105的放置的多個穿孔202(例如3個穿孔)(第1圖)。穿孔202容許升降銷105通過基座106以從基座106升高或降低基材。穿孔202可被安排在圓周方向120度間隔處。突部113可設置在內部區域204上且可被緣206環繞。
第2B圖是根據另一實施例的基座106的立體圖。如第2B圖所示，一突部250可包括複數個非連續突部210，而不是如第2A圖所示之連續的突部。突部250可以是環形的，並且在此所使用的用語「環形」係被定義成亦包括一圈形形狀，該圈形形狀由複數個可以或不可以分隔的物件形成。一間隙211可被形成在鄰近的非連續突部210之間。非連續突部210可以或不可以是相同的。非連續突部210與間隙211的數量，及各非連續突部210的弧形長度可基於在基材的沉積表面上的沉積輪廓。
第2C圖是根據一實施例設置在基座106上的突部113或突部250的放大剖視圖。如第2C圖所示，突部113設置在基座106的內部區域204上。突部113包括一內部214、一從內部214徑向向外延伸的外部216、及一介於內部214與外部216之間的線性部218。 內部214與外部216可以是實質上平行的。在此意義中，用語「平行」描述一是曲線或線的第一路徑與一第二路徑，第一路徑的每一點在此點正交於第一路徑的方向上從第二路徑的一對應的點是一固定距離。在一實施例中，突部113是一環形突部，內部214是一內半徑部，並且外部216是一外半徑部。內部214可包括一彎曲表面213，該彎曲表面213具有末端和線性部218相切的弧形。內部214可具有毫米範圍中的寬度W1。外部216可包括一彎曲表面215，該彎曲表面215具有末端和線性部218相切的弧形。外部216可具有毫米範圍中的寬度W2。線性部218可包括一線性表面220，該線性表面220具有線性剖視輪廓。線性部218可具有範圍從約0.1mm到約65mm的寬度W3，諸如約60mm或62mm。由於線性表面220可能實質上不平行於基座106的內部區域204，線性部218的厚度可以改變。鄰近內部214的線性部218的部分可具有範圍從約0.02mm到約0.20mm的厚度T1。鄰近外部216的線性部218的部分可具有範圍從約0.02mm到約0.15mm的厚度T2。
基材108的第二表面104(第1圖)可定義一平面224。在一實施例中，線性表面220可實質上平行於平面224，並且一距離D1可介於平面224與線性表面220之間。距離D1的範圍從約0.1mm到約0.2mm，諸如約0.14mm或0.135mm。在操作期間，基材108可由於熱朝向內部區域204彎曲。距離D1係足夠大以致 基材108不會接觸突部113，但係足夠小以致突部113會增加基材108上的局部區域的溫度，以為了最小化或消除一谷的形成。基材108上的局部區域的溫度可高達7℃(諸如約4℃)而比基材108上的剩餘區域的溫度更高。這樣的溫度增加係減少或消除被形成在基材108上的局部區域中的谷的形成。突部113的徑向位置可對應於被形成在基材108上的谷的位置。在一實施例中，介於基座106的對稱軸222與鄰近內部214的線性部218的部分之間的徑向距離D2的範圍從約35mm到約45mm，諸如約38mm或40mm。
第2D圖是根據一實施例設置在基座106上的突部113的放大剖視圖。如第2D圖所示，突部113設置在基座106的內部區域204上。突部113包括一內部230、一從內部230徑向向外延伸的外部232、及一介於內部230與外部232之間的線性部234。內部230與外部232可以是實質上平行的。在一實施例中，突部113是一環形突部，內部230是一內半徑部，並且外部232是一外半徑部。內部230可包括一彎曲表面236，該彎曲表面236具有末端和線性部234相切的弧形。內部230可具有毫米範圍中的寬度W4。外部232可包括一彎曲表面238，該彎曲表面238具有末端和線性部234相切的弧形。外部232可具有毫米範圍中的寬度W5。線性部234可包括一線性表面240，該線性表面240具有線性剖視輪廓。線性部234可具有範圍從約0.1mm到約 65mm的寬度W6，諸如約60mm或62mm。線性表面240可實質上平行於內部區域204。線性部234可具有範圍從約0.02mm到約0.20mm的厚度T3。或者，線性表面240可實質上不平行於內部區域204，並且線性表面240的厚度會改變。
平面224與線性表面240之間的距離會改變，這是因為線性表面240沒有平行於平面224。鄰近內部230的線性表面240的部分可以從平面224是距離D3。距離D3的範圍可從約0.1mm到約0.2mm，諸如0.15mm。鄰近外部232的線性表面240的部分可以從平面224是距離D4。距離D4可小於距離D3，且範圍可從約0.1mm到約0.2mm，諸如0.11mm。再次地，距離D3和D4係足夠大以致基材108在操作期間不會接觸突部113，但係足夠小以致突部113會增加基材108上的局部區域的溫度，以為了最小化或消除一谷的形成。為了具有預定距離D3和D4，線性表面240可以或不可以實質上平行於內部區域204。在一實施例中，介於基座106的對稱軸222與鄰近內部230的線性部234的部分之間的徑向距離D5的範圍從約35mm到約45mm，諸如約38mm或40mm。
第3A圖是根據各種實施例的基座106的立體圖。如第3A圖所示，兩個突部302、304與圓形突部115可設置在內部區域204上且可被緣206所環繞。突部302、304可以是環形的。突部302、304可和圓形突 部115同心，其中圓形突部115可設置在基座106的中心處。突部302、304可以各是連續突部或藉由複數個非連續突部來形成。一突部可以是一連續突部，而另一突部是藉由複數個非連續突部來形成。在一些實施例中，超過兩個突部設置在內部區域204上。
第3B圖是根據一實施例設置在基座106上的突部302、304與圓形突部115的放大剖視圖。圓形突部115可具有範圍從約2mm到約5mm的直徑，且可以從平面224是距離D6。距離D6範圍可從約0.25mm到約0.35mm。突部304包括一內部306、一從內部306徑向向外延伸的外部308、與一介於內部306與外部308之間的線性部310。內部306與外部308可實質上平行。在一實施例中，突部304是一環形突部，內部306是一內半徑部，並且外部308是一外半徑部。內部306可包括一彎曲表面312，該彎曲表面312具有末端和線性部310相切的弧形。內部306可具有毫米範圍中的寬度W7。外部308可包括一彎曲表面314，該彎曲表面314具有末端和線性部234相切的弧形。外部308可具有毫米範圍中的寬度W8。線性部310可包括一線性表面316，該線性表面316具有線性剖視輪廓。線性部310可具有範圍從約0.1mm到約5mm的寬度W9，諸如約5mm。線性表面316可實質上平行於內部區域204。線性部310可具有範圍從約0.02mm到約0.20mm的厚 度T4。或者，線性表面316可實質上不平行於內部區域204，並且線性表面316的厚度會改變。
平面224與線性表面316之間的距離會改變，這是因為線性表面316沒有平行於平面224。鄰近內部306的線性表面316的部分可以從平面224是距離D7。距離D7的範圍可從約0.2mm到約0.3mm，諸如0.26mm。鄰近外部308的線性表面316的部分可以從平面224是距離D8。距離D8可小於距離D7，且範圍可從約0.2mm到約0.3mm，諸如0.25mm。再次地，距離D7和D8係足夠大以致基材108在操作期間不會接觸突部304，但係足夠小以致突部304會增加基材108上的局部區域的溫度，以為了最小化或消除一谷的形成。為了具有預定距離D7和D8，線性表面316可以或不可以實質上平行於內部區域204。在一些實施例中，線性表面316可實質上平行於平面224，並且介於線性表面316與平面224之間的距離的範圍可從約0.2mm到約0.3mm。在一實施例中，介於基座106的對稱軸222與鄰近內半徑部306的線性部310的部分之間的徑向距離D10的範圍從約30mm到約50mm，諸如約40mm或45mm。
如第3B圖所示，突部302包括一內部318、一從內部318徑向向外延伸的外部320、與一介於內部318與外部320之間的線性部322。內部318與外部320可實質上平行。在一實施例中，突部302是一環形突部， 內部318是一內半徑部，並且外部320是一外半徑部。內部318可包括一彎曲表面324，該彎曲表面324具有末端和線性部322相切的弧形。內部318可具有毫米範圍中的寬度W10。外部320可包括一彎曲表面326，該彎曲表面326具有末端和線性部322相切的弧形。外部320可具有毫米範圍中的寬度W11。線性部322可包括一線性表面328，該線性表面328具有線性剖視輪廓。線性部322可具有範圍從約0.1mm到約5mm的寬度W12，諸如約5mm。線性表面328可實質上平行於平面224(如第3B圖所示)或實質上平行於內部區域204。在一實施例中，由於線性表面328實質上不平行於基座106的內部區域204，線性部322的厚度會改變。鄰近內部318的線性部322的部分可具有範圍從約0.02mm到約0.20mm的厚度T5。鄰近外部320的線性部322的部分可具有範圍從約0.02mm到約0.15mm的厚度T6。或者，線性部322具有範圍從約0.02mm到約0.20mm的恆定厚度。
介於平面224與線性表面328之間的距離D9可以是恆定的，這是因為線性表面328可實質上平行於平面224。距離D9的範圍可從約0.1mm到約0.2mm，諸如約0.16mm。或者，若線性表面328實質上不平行於平面224，距離D9係改變。再次地，距離D9係足夠大以致基材108在操作期間不會接觸突部302，但係足夠小以致突部302會增加基材108上的局部區域的溫度， 以為了最小化或消除一谷的形成。在一實施例中，介於基座106的對稱軸222與鄰近內部318的線性部322的部分之間的徑向距離D11的範圍從約110mm到約130mm，諸如約120mm或125mm。
儘管上述說明導向本文的實施例，可設想出本文的其他與進一步的實施例而不悖離本文的基本範疇，並且本文的基本範疇是由隨附的申請專利範圍來決定。
100‧‧‧製程腔室
102‧‧‧燈
104‧‧‧第二表面
105‧‧‧升降銷
106‧‧‧基座
107‧‧‧內區域
108‧‧‧基材
111‧‧‧第一表面
113‧‧‧突部
114‧‧‧第二圓頂
115‧‧‧圓形突部
116‧‧‧沉積表面
118‧‧‧溫度感測器
122‧‧‧反射件
126‧‧‧連接埠
128‧‧‧第一圓頂
130‧‧‧夾持環
132‧‧‧中心桿
136‧‧‧基底環
145‧‧‧燈頭組件
156‧‧‧製程區域
158‧‧‧沖洗區域
162‧‧‧沖洗氣體源
163‧‧‧線性組件
164‧‧‧沖洗氣體入口
167‧‧‧預熱環
172‧‧‧製程氣體源
174‧‧‧製程氣體入口
178‧‧‧製程氣體出口
180‧‧‧真空泵

Claims (20)

  1. 一種基座，包括：一緣；一內部區域，該內部區域耦接到該緣且被該緣所環繞；及一或更多個環形突部，該一或更多個環形突部被形成在該內部區域上。
  2. 如請求項1所述之基座，其中該內部區域具有一下凹輪廓。
  3. 如請求項1所述之基座，其中該一或更多個環形突部是一單一連續環形突部。
  4. 如請求項1所述之基座，其中該一或更多個環形突部包括兩個連續同心環形突部。
  5. 如請求項1所述之基座，其中該一或更多個環形突部包括相隔的複數個非連續突部。
  6. 如請求項1所述之基座，更包括一圓形突部。
  7. 如請求項1所述之基座，其中該一或更多個環形突部的各者包括一內半徑部、一從該內半徑部徑向向外延伸的外半徑部、及一介於該內半徑部與該外半徑部之間的線性部。
  8. 如請求項7所述之基座，其中該內半徑部與該外半徑部各包括一彎曲表面，該彎曲表面具有末端 和該線性部相切的一弧形。
  9. 如請求項7所述之基座，其中該線性部具有範圍從約0.1mm到約65mm的一寬度。
  10. 如請求項7所述之基座，其中在該內半徑部處的該線性部具有範圍從0.02mm到約0.20mm的一厚度，並且在該外半徑部的該線性部具有範圍從約0.02mm到約0.15mm的一厚度。
  11. 一種基座，包括：一緣；一內部區域，該內部區域耦接到該緣且被該緣所環繞；及一或更多個環形突部，該一或更多個環形突部被形成在該內部區域上，其中各個環形突部包括：一內半徑部；一外半徑部，該外半徑部從該內半徑部徑向向外延伸；及一線性部，該線性部介於該內半徑部與該外半徑部之間。
  12. 如請求項11所述之基座，其中該一或更多個環形突部是一單一連續環形突部。
  13. 如請求項11所述之基座，其中該一或更多個環形突部包括兩個連續同心環形突部。
  14. 如請求項13所述之基座，更包括一圓形突部。
  15. 如請求項11所述之基座，其中該一或更多個環形突部包括相隔的複數個非連續突部。
  16. 如請求項11所述之基座，其中該線性部實質上平行於該內部區域的一表面。
  17. 如請求項11所述之基座，其中該內半徑部與該外半徑部各包括一彎曲表面，該彎曲表面具有末端和該線性部相切的一弧形。
  18. 一種製程腔室，包括：一第一圓頂；一第二圓頂；一基底環，該基底環設置在該第一圓頂與該第二圓頂之間，其中一內區域被該第一圓頂、該第二圓頂、及該基底環所定義；及一基座，該基座設置在該內區域中，其中該基座包括：一緣；一內部區域，該內部區域耦接到該緣且被該緣所環繞；及一或更多個環形突部，該一或更多個環形突部被形成在該內部區域上。
  19. 如請求項18所述之製程腔室，其中該一或更多個環形突部是一單一連續環形突部。
  20. 如請求項18所述之製程腔室，其中該一或更多個環形突部包括兩個連續同心環形突部。
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