TW201634424A

TW201634424A - 圓筒形濺射靶件、圓筒形成形體、圓筒形濺射靶件之製造方法、圓筒形燒結體之製造方法及圓筒形成形體之製造方法

Info

Publication number: TW201634424A
Application number: TW105107497A
Authority: TW
Inventors: 山口洋平
Original assignee: Ｊｘ金屬股份有限公司
Priority date: 2015-03-27
Filing date: 2016-03-11
Publication date: 2016-10-01
Also published as: KR20160115732A; CN106011754A; JP5887625B1; KR20170118022A; KR102336966B1; CN114481050A; KR20210152429A; US20160281214A1; JP2016186117A; KR102493208B1; US9834839B2; US10865471B2; US20180073134A1; TWI568704B

Abstract

本發明之一目的在於提供變形少且強度高之圓筒形濺射靶件、圓筒形燒結體、圓筒形成形體及此些之製造方法。或者其一目的在於提供均質性高之圓筒形濺射靶件、圓筒形燒結體、圓筒形成形體及此些之製造方法。根據本發明之一實施型態之濺射靶件包含圓筒形燒結體。圓筒形燒結體之相對密度為99.7%以上且為99.9%以下。而且，圓筒形濺射靶件包含彼此相鄰且之間具有指定間隔之多個圓筒形燒結體，相鄰之多個圓筒形燒結體之間之相對密度之差異可為0.1%以下。

Description

圓筒形濺射靶件、圓筒形成形體、圓筒形濺射靶件之製造方法、圓筒形燒結體之製造方法及圓筒形成形體之製造方法

本發明關於一種圓筒形濺射靶件（sputtering target）、圓筒形燒結體、圓筒形成形體及此些之製造方法。特別是關於構成圓筒形濺射靶件之圓筒形燒結體之密度。

近年來，平面面板顯示器（Flat Panel Display，FPD）之製造技術及太陽能電池之製造技術急速發展，大型的薄型電視及太陽能電池之市場也逐漸增加。而且，伴隨著此些市場之發展，為了降低製品的製造成本，而進展為大型化玻璃基板。目前進展為第八世代之2200 mm × 2400 mm尺寸用之裝置開發。特別是於大型玻璃基板形成金屬薄膜或氧化金屬薄膜之濺射裝置中，替代以往平板形濺射靶件而逐漸使用著或圓筒形（也稱旋轉型或迴轉型）濺射靶件。相較於平板形濺射靶件，圓筒形濺射靶件具有靶件的使用效率較高、侵蝕（erosion）的發生較少以及因堆積物之剝離而造成之粒子（particle）之產生較少等優點。

濺設裝置於如上所述之大型玻璃基板形成薄膜，圓筒形濺射靶件使用於此濺射裝置而必須具有3000 mm以上之長度。若要以一體形成之方式製造或研磨加工如此長度之圓筒形濺射靶件，由於會耗費製造成本而不夠實際。因此，通常連結幾十毫米（mm）以上且幾百毫米以下之多個圓筒形燒結體而構成圓筒形濺射靶件。

於此，為了提升機械強度及提升使用此燒結體之薄膜之薄膜品質，不限於上述之圓筒形的燒結體，一般的燒結體亦要求具有高密度。舉例而言，專利文獻1（日本專利公開案第2014-040348號公報）中，揭示了為了實現燒結體之高密度化，而盡可能提高形成燒結體前之成形體之密度之技術。而且，如上述連結多個燒結體之濺射靶件中，相鄰之燒結體間之密度差異（也就是燒結體密度之「固體間不均勻性」）會對濺射特性產生影響。

然而，圓筒形燒結體於燒結時之收縮行為比平板形燒結體更為複雜，而容易發生大幅收縮及變形等情形。此外，與平板形燒結體同樣地，為了減少燒結時之收縮量而製作高密度成形體之場合中，因難以排除內部所含有之黏合劑（binder），而不易收縮成預期的形狀。

有鑑於如此之課題，本發明之一目的在於提供變形少且強度高之圓筒形濺射靶件、圓筒形燒結體、圓筒形成形體及此些之製造方法。或者，本發明之一目的在於提供均質性高之圓筒形濺射靶件、圓筒形燒結體、圓筒形成形體及此些之製造方法。

根據本發明之一實施型態之圓筒形濺射靶件，包含圓筒形燒結體，此圓筒形燒結體之相對密度為99.7%以上且為99.9%以下。

根據本發明之一實施型態之使用於圓筒形濺射靶件之圓筒形燒結體，其相對密度為99.7%以上且為99.9%以下。

此外，於其他態樣中，圓筒形濺射靶件包含彼此相鄰且之間具有指定間隔之多個圓筒形燒結體，相鄰之多個圓筒形燒結體之間之相對密度之差異亦可為0.1%以下。

根據本發明之一實施型態之用以形成使用於圓筒形濺射靶件之圓筒形燒結體之圓筒形成形體，其相對密度為54.5%以上且為58.0%以下。

此外，於其他態樣中，圓筒形成形體亦可藉由100 MPa以上且200 MPa以下之冷均壓加壓（Cold Isostatic Pressing，CIP）方式形成。

根據本發明，能夠提供變形少且強度高之圓筒形濺射靶件、圓筒形燒結體、圓筒形成形體及此些之製造方法。或者能夠提供均質性高之圓筒形濺射靶件、圓筒形燒結體、圓筒形成形體及此些之製造方法。

以下，將一邊參照圖式一邊說明關於本發明之圓筒形濺射靶件及其製造方法。然而，本發明之圓筒形濺射靶件及其製造方法能夠以各種相異態樣實施，而並非限定解釋成以下所例示之實施型態之記載內容。而且，於參照本實施型態之圖式中，相同部分或具有相同功能之部分將附上相同符號，且將省略如此重覆之說明。

再者，於以下之說明中，將以相對密度表示成形體之密度及燒結體之密度。相對密度為根據理論密度及所測量之密度，以相對密度＝（測量密度／理論密度） × 100（%）之公式來表示。理論密度為根據所使用之原料而算出之密度數值，於以氧化銦為90質量%（質量百分比）且氧化錫為10質量%之方式量秤原料之場合中，以（In₂ O₃ 之密度（g／cm³ ） × 90 + SnO₂ 之密度（g／cm³ ） × 10）／100算出理論密度。以In₂ O₃ 之密度為7.18 g／cm³ 且SnO₂ 之密度為6.95 g／cm³ 進行計算，則可算出理論密度為7.15 g／cm³ 。另一方面，測量密度為重量除以體積所獲得的數值。於成形體之場合中，使用實際量測尺寸而算得的體積算出測量密度。於燒結體之場合中，由阿基米德法求得之體積算出測量密度。

其中，燒結體之間的差異，表示其相對密度之差異。舉例而言，相對密度99.5%之燒結體A與99.6%之燒結體B之相對密度之差異可由99.6%－99.5%＝0.1%來算出。若是燒結體彼此的組成成份皆相同，則由於理論密度相同，便能夠單純藉由求得相鄰之燒結體之差異而評估相鄰燒結體間之密度之不均勻性。此時，將燒結體間之差異之最大值評估為劣等。於本發明中之濺射靶件，能夠應用於相同組成成份之燒結體並列而成之組合體。

以下將說明實施型態。

使用圖1至圖4說明關於本發明之實施型態之圓筒形濺射靶件及圓筒形燒結體之結構。首先，使用圖1及圖2說明關於圓筒形濺射靶件之概要。

以下將說明圓筒形濺示靶件之概要。

圖1為繪示關於本發明之一實施型態之構成圓筒形濺射靶件之圓筒形燒結體之一範例之立體圖。如圖1所示，圓筒形濺射靶件100包含中空結構之多個圓筒形燒結體110。上述多個圓筒形燒結體110配置成彼此相鄰且之間具有指定間隔。於此，於圖1中，為了便於說明，以增大相鄰之圓筒形燒結體110之間隔之方式繪示。

於此，圓筒形燒結體110之相對密度可為99.7%以上且為99.9%以下。而且，相鄰之圓筒形燒結體110a與圓筒形燒結體110b之間或圓筒形燒結體110b與圓筒形燒結體110c之間之相對密度之差異，也就是圓筒形燒結體110之固體間之相對密度之差異可為0.1%以下。

此外，圓筒形燒結體110之厚度能夠為6.0 mm以上且為15.0 mm以下。此外，圓筒形燒結體110沿圓筒軸方向之長度能夠為150 mm以上且為380 mm以下。而且，相鄰之圓筒形燒結體110之間之圓筒軸方向之間隔能夠為0.2 mm以上且0.5 mm以下。另外，圓筒形燒結體110之表面粗糙度之平均表面粗糙度（Ra）可為0.5 μm以下。

圓筒形燒結體110之材料可為氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide）等之陶瓷類材料。

圖2為繪示關於本發明之一實施型態之組合後之圓筒形濺射靶件之結構之一範例之剖面圖。如圖2所示，組合後之圓筒形濺射靶件100於圖1所示之圓筒形燒結體110之中空部分配置有圓筒基材130。圓筒基材130及圓筒形燒結體110藉由接合材140接合，且相鄰之圓筒形燒結體110之間配置有間隔120。

圓筒基材130之材料可使用一種金屬材料，此金屬材料具有高度熱傳導率以有效率地逸散對靶材進行濺射時因電子或離子碰撞於靶件而產生之熱量，且具有能夠對靶件施加偏壓（bias voltage）之程度的導電性。具體而言，使用於圓筒基材130之金屬材料能夠使用鈦（Ti）、銅（Cu）、含有此些元素之合金及不鏽鋼（SUS）。

接合材140之材料亦可與圓筒基材130同樣地具有高度熱傳導率及導電性，且能夠使用充分維持圓筒基材130及圓筒形燒結體110之附著力及強度之材料。然而，接合材140之熱傳導率可低於圓筒基材130之熱傳導率。接合材140能夠例如使用銦（In）、錫（Sn）及含有此些元素之合金。

如上所述，根據關於本實施型態之濺射靶件，藉由圓筒形燒結體之相對密度落入上述之範圍，而能夠得到提升圓筒形燒結體之機械強度及降低使用此圓筒形燒結體之薄膜之雜質與提升薄膜密度之效果。再者，藉由圓筒形燒結體之固體間之相對密度之差異分別落入上述之範圍，而能夠抑制具有多個圓筒形燒結體之圓筒形濺射靶件中之電場的變形。如此之結果，能夠於濺射時得到安定之放電特性，且能夠於尺寸超過單一個圓筒形燒結體之大型基板上形成薄膜品質之面內均勻性極高之薄膜。

以下將說明圓筒形燒結體之製造方法。

接下來，將使用圖3詳細說明關於本發明之圓筒形濺射靶件之圓筒形燒結體之製造方法。圖3繪示關於本發明之一實施型態之圓筒形燒結體之製造方法之處理流程圖。於圖3中，雖例示氧化銦錫燒結體之製造方法，但燒結體之材料並非限定於ITO，亦能夠使用IGZO等其他之氧化金屬燒結體。

首先準備原料。使用於混合之原料，可例如使用包含於氧化物或合金等之金屬元素。能夠使用粉末狀之原料，且能夠依據目標濺射靶件之組成成份而適當選擇原料。舉例而言，於ITO之場合中，準備氧化銦粉末及氧化錫粉末（步驟S301及步驟S302）。此些原料之純度，通常為2N（99質量%）以上，亦可為3N（99.9質量%）以上，更可為4N（99.99質量%）以上。由於純度低於2N時圓筒形燒結體會含有大量的雜質，故會發生不易得到預計的物質特性等問題（例如通透性降低、薄膜之阻抗值增加、局部含有異物及伴隨電弧現象而產生粒子）。

接下來，粉碎並混合此些原料粉末（步驟S303）。原料粉末之粉碎混合處理，能夠使用氧化鋯（zirconia）、氧化鋁（alumina）、尼龍（nylon）樹脂等之球體或珠體進行乾式法，亦能夠使用利用上述球體或珠體之媒介攪拌式研磨器、無媒介之容器迴轉式研磨器、機械攪拌式研磨器、氣流式研磨器等進行濕式法。一般而言，此處由於濕式法之粉碎及混合能力優於乾式法，故於此可使用濕式法進行混合。

關於原料之組成成份雖並未特別限制，但可對應於目標濺射靶件之組成成份比例進行適當調整。

於此，若使用細微粒徑之原料粉末則能夠高密度化燒結體。強化粉碎條件雖然能夠得到細微粉末，但若如此亦會導致使用於粉碎時之媒介（氧化鋯等）之混入量增加，而有導致製品內之雜質濃度上升之虞慮。如此一來，必須一邊觀察燒結體之高密度化及製品內之雜質濃度之平衡，一邊設置粉碎時之條件至適當的範圍。

接下來，乾燥原料粉末之漿料以進行造粒（步驟S304）。此時，亦可使用急速乾燥造粒方式對漿料進行急速乾燥。進行急速乾燥造粒方式時，可使用噴霧乾燥機（spray dryer），且可調整熱風之溫度及風量。由於因原料粉末之比重差異會造成沉降速度相異，故藉由使用急速乾燥造粒方式，而能夠抑制氧化銦粉末及氧化錫粉末分離。藉由如此之造粒方式，可使配方成份之比例均勻，進而提升原料粉末之操作（handling）性。此外，造粒前後亦可進行鍛燒（calcination）處理。

接下來，將經由上述混合及造粒之處理加工而獲得之混合物（設置有鍛燒處理加工時於經過段燒處理加工之後）加壓成形，而形成為圓筒形成形體（步驟S305）。藉由此處理加工，可成形為目標濺射靶件之適當形狀。成形處理雖可例如為模具成形、鑄造成形、射出成形等方式，但為了獲得如圓筒形之複雜形狀，可藉由冷均壓加壓（CIP）等方式進行成形。藉由CIP之成形步驟，首先將以指定重量秤重之原料粉填充於橡膠模具。此時，藉由一邊搖動並輕叩橡膠模具一邊填充，而能夠避免模具內之原料粉填充不均或產生空隙。藉由CIP之成形步驟之壓力，可為100 MPa以上且200 MPa以下。藉由調整如上所述之成形步驟之壓力，而於本實施型態中能夠形成具有54.5%以上且58.0%以下之相對密度之圓筒形成形體。更甚者，於CIP之成形步驟之壓力調整為150 MPa以上且180 MPa以下時，可得到具有55.0%以上且57.5%以下之相對密度之圓筒形成形體。

接下來，燒結於成形處理加工所得到之圓筒形成形體（步驟S306）。可使用電爐進行燒結。燒結條件能夠根據燒結體之組成成份而適當選擇。舉例而言，若為含有10重量百分比（wt•%）SnO₂ 之ITO，能夠於氧氣環境中，以攝氏1500～1600度之溫度及10小時以上且20小時以下之條件進行燒結。燒結溫度未滿攝氏1500度之場合中，會降低靶件之密度。另一方面，超過攝氏1600度時，由於會加大對於電爐及爐材之傷害而需要適時地維護，故會顯著降低工作效率。再者，燒結時間若是未滿10小時，則會降低靶件之密度，而若是長於20小時則會拉長於燒結處理加工之維持時間，而恐惡化電爐之運轉效率。而且，也恐增加使用於燒結處理加工中之氧氣消耗量及運轉電爐用之電力。另外，燒結時之壓力可為大氣壓力，或者亦可小於或大於大氣壓力。

於此使用電爐燒結的場合中，藉由調整燒結之升溫速度及降溫速度而能夠抑制破裂（crack）發生。具體而言，燒結時之電爐之升溫速度可為每小時攝氏300度以下，更可為每小時攝氏180度以下。此外，燒結時之電爐之降溫速度可為每小時攝氏600度以下。其中，亦可調整成階段地變化升溫速度或降溫速度。

圓筒形成形體雖會因燒結處理加工而收縮，但由於全部的材料進入共同開始熱收縮之溫度範圍之前爐內的溫度均勻，且於升溫的途中維持住溫度。藉此消除爐內之溫度不均，故設置於爐內之整個燒結體可均勻收縮。因此，依各種材料將到達溫度及維持時間設定成適當的條件，則能夠得到安定的燒結體密度。

接下來，使用表面研磨機、外圓磨床、車床、切割機、加工中心（machining center）等之機械加工機，對所形成之圓筒形燒結體進行機械加工而成圓筒形之預計形狀（步驟S307）。於此所進行之機械加工，是將上述圓筒形燒結體加工成適合裝設於濺射裝置之形狀，而且使其達到預計之表面粗糙度。於此，為了得到於濺射中不發生電場集中而異常放電之程度的平坦性，圓筒形燒結體之平均表面粗糙度（Ra）可為0.5 μm以下。藉由以上之處理加工，而能夠得到高密度且均質性高之圓筒形燒結體。

接下來，將經過機械加工之圓筒形燒結體接合至基材（步驟S308）。特別是圓筒形濺射靶件之場合中，做為黏著劑之接合材將圓筒形燒結體接合至被稱為背襯管（backing tube）之圓筒形基材。根據以上處理加工，而能夠得到使用上述圓筒形燒結體之圓筒形濺射靶件。

如上所述，根據關於實施型態之圓筒形濺射靶件之製造方法，將成形時之壓力調整為100 MPa以上且為200 MPa以下，而能夠得到具有54.5%以上且58.0%以下之相對密度之圓筒形成形體，且能夠藉由燒結此圓筒形成形體而安定地得到相對密度為99.7%以上且為99.9%以下之非常高密度之圓筒形燒結體。更甚者，由於高度再現性地製造此圓筒形燒結體，而能夠令相鄰之多個圓筒形燒結體之間之相對密度之差異為0.1%以下。

圖4為繪示關於本發明之一實施型態之圓筒形燒結體之製造方法中圓筒形成形體之密度與圓筒形燒結體之密度之關係圖。於圖4中，橫軸表示圓筒形成形體之密度，縱軸表示燒結此圓筒形成形體之後之圓筒形燒結體之密度。圖4中之圓筒形成形體之成形條件為100 MPa以上且為200 MPa以下，圓筒形燒結體之燒結條件中燒結溫度為攝氏1560度且維持20小時。再者，使用阿基米德法評估密度。

經過本案發明者們深入研究之結果，如圖4所示以圓筒形成形體之密度之函數表示圓筒形燒結體之密度之場合中，歸納出圓筒形燒結體之密度具有極大值。也就是說，雖然以往考量到為了得到高密度之圓筒形燒結體而必須盡可能形成高密度之圓筒形成形體，但可知道為了得到更高密度之圓筒形燒結體而應將圓筒形成形體調整成適當之密度範圍。特別是為了降低使用者於使用時之電弧現象等不良率，而冀求圓筒形燒結體之相對密度為99.7%以上，故藉由圓筒形成形體之相對密度調整為54.5%以上且為58.0%以下，而能夠得到相對密度為99.7%以上之圓筒形燒結體。

以下將說明各個實施例。其中，將說明實施例1之圓筒形濺射靶件之製造。

於實施例1中，將說明關於製造圓筒形ITO靶材（圓筒形燒結體）之方法。首先，準備BET（Brunauer, Emmett, and Teller’s equation）比表面積為4.0～6.0 m² ／g之4N之氧化銦及BET比表面積為4.0～5.7 m² ／g之4N之氧化錫做為原料粉末。於此，BET比表面積為表示以BET法求得之表面積。BET法為令氮氣、氬氣、氪氣及一氧化碳等之氣體分子吸附於固體粒子，且自所吸附之氣體分子之份量而測量固體粒子之比表面積之氣體吸附法。於此，以氧化銦為90質量百分比（質量%）且氧化錫為10質量%之方式量秤原料。接下來藉由濕式的球磨機粉碎並混合此些原料粉末。於此使用氧化鋯球體做為粉碎媒介。藉由噴霧乾燥機對經混合之漿料進行急速乾燥造粒。

接下來，藉由CIP之成形方式將由上述造粒處理加工而得到之混合物成形為圓筒形。藉由CIP成形時之壓力為150 MPa。

藉由上述成形處理加工而得到之圓筒形成形體之各項參數如下所述。圓筒外徑（直徑）＝190 mm，圓筒內徑（直徑）＝159 mm，圓筒軸方向長度＝280 mm，成形體密度＝4.00 g／cm³ ，成形體之相對密度＝55.9%。其中，由圓筒形成形體之尺寸及重量算出圓筒形成形體之相對密度。

接下來，使用電爐燒結藉由CIP而得到之圓筒形成形體。燒結之條件如下所述。升溫速度＝300℃／小時，高溫維持溫度＝1560℃，高溫維持時間＝20小時，燒結時環境＝氧氣環境，燒結時壓力＝大氣壓力。

藉由上述燒結處理加工而得到之圓筒形燒結體之各項參數如下所述。圓筒外徑（直徑）＝157 mm，圓筒內徑（直徑）＝131 mm，圓筒軸方向長度＝230 mm，燒結體密度＝7.131 g／cm³ ，燒結體之相對密度＝99.7%。也就是說，圓筒形成形體經過燒結處理加工之收縮率為80%。而且，實施例1之多個圓筒形燒結體之間之相對密度之差異為0.03%。其中，圓筒形燒結體之相對密度之評估方法為使用阿基米德法測量密度。

接下來，使用圓筒研磨機對於藉由上述燒結而得到之圓筒形燒結體進行機械加工，以形成圓筒形燒結體。機械加工後之圓筒形燒結體之表面粗糙度為Ra＝0.35 μm。其中，使用表面粗糙度計（三豐（MITSUTOYO）製，型號：SJ-301）測量表面粗糙度。

接下來，將藉由機械加工而形成之二個圓筒形燒結體接合至背襯管而形成圓筒形濺射靶件。此時所接合之二個圓筒形燒結體之相對密度之差異為0.1%以下。於此之背襯管之各項參數如下所述。材質＝鈦，圓筒外徑（直徑）＝133 mm，圓筒軸方向長度＝300 mm。

以下將說明圓筒形濺射靶件之評估。

使用以上述方法製作之圓筒形濺射靶件，於以下之條件下進行放電試驗。具體而言，進行靶件之使用率、顆粒（nodule）有無產生及產生頻率評估、異常放電有無發生及發生頻率評估及靶件表面破裂評估。此些評估藉由目視檢查進行。氬氣流量＝300 sccm，腔室壓力＝0.5 Pa，功率密度＝1.0 W／cm² ，薄膜形成溫度＝200℃（或「室溫」）。

以記載於實施例1之方法製作之圓筒形濺射靶件於上述條件下進行放電試驗時，靶件使用率可使用至65%，未產生顆粒，未發生異常放電，且未觀察到靶件表面有破裂情形。

以下將說明實施例2。

於實施例2中，將說明關於燒結其相對密度與實施例1相異之圓筒形成形體而得到之圓筒形燒結體。實施例2中，因藉由CIP成形之壓力及成形體密度以外之參數皆與實施例1相同，故省略其說明。實施例2中，藉由與實施例1同樣之造粒處理加工而得到混合物，且藉由CIP將此混合物成形為圓筒形。藉由CIP成形時之壓力為170 MPa。於實施例2中之圓筒形成形體之密度為4.05 g／cm³ ，成形體之相對密度為56.6%。

以與實施例1同樣之處理加工燒結上述之圓筒形成形體而得到之圓筒形燒結體之密度為7.131 g／cm³ ，燒結體之相對密度為99.7%。而且，實施例2之多個圓筒形燒結體之間之相對密度之差異為0.04%。

以與實施例1同樣之處理加工對上述之圓筒形燒結體進行機械加工且將其製作成圓筒形濺射靶件，於使用此圓筒形濺射靶件以與實施例1相同之方法進行放電試驗時，與實施例1同樣地，靶件使用率可使用至65%，未產生顆粒，未發生異常放電，且未觀察到靶件表面有破裂情形。

以下將說明實施例3。

於實施例3中，將說明關於燒結其相對密度與實施例1相異之圓筒形成形體而得到之圓筒形燒結體。實施例3中，因藉由CIP成形之壓力及成形體密度以外之參數皆與實施例1相同，故省略其說明。實施例3中，藉由與實施例1同樣之造粒處理加工而得到混合物，且藉由CIP將此混合物成形為圓筒形。藉由CIP成形時之壓力為180 MPa。於實施例3中之圓筒形成形體之密度為4.11 g／cm³ ，成形體之相對密度為57.5%。

以與實施例1同樣之處理加工燒結上述之圓筒形成形體而得到之圓筒形燒結體之密度為7.131 g／cm³ ，燒結體之相對密度為99.7%。而且，實施例3之多個圓筒形燒結體之間之相對密度之差異為0.06%。

關於對應上述實施例1至實施例3所示之圓筒形成形體及圓筒形燒結體之比較例，以下將予以說明。以下之比較例中，將說明關於燒結其相對密度與實施例1相異之圓筒形成形體而得到之圓筒形燒結體。以下之比較例中，因藉由CIP成形之壓力、成形體密度及燒結體密度以外之參數皆與實施例1相同，故省略其說明。

以下將說明比較例1。

比較例1中，於400 MPa之壓力下藉由CIP進行成形。於比較例1中之圓筒形成形體之密度為4.40 g／cm³ ，成形體之相對密度為61.5%。以與實施例1同樣之處理加工燒結上述之圓筒形成形體而得到之圓筒形燒結體之密度為7.107 g／cm³ ，燒結體之相對密度為99.4%。使用上述圓筒形燒結體製作圓筒形濺射靶件且使用此圓筒形濺射靶件進行上述放電試驗時，靶件使用率於65%時觀察到有產生顆粒及發生電弧現象之情形。

以下將說明比較例2。

比較例2中，於300 MPa之壓力下藉由CIP進行成形。於比較例2中之圓筒形成形體之密度為4.30 g／cm³ ，成形體之相對密度為60.1%。以與實施例1同樣之處理加工燒結上述之圓筒形成形體而得到之圓筒形燒結體之密度為7.107 g／cm³ ，燒結體之相對密度為99.4%。使用上述圓筒形燒結體製作圓筒形濺射靶件且使用此圓筒形濺射靶件進行上述放電試驗時，靶件使用率於65%時觀察到有產生顆粒及發生電弧現象之情形。

以下將說明比較例3。

比較例3中，於78.5 MPa之壓力下藉由CIP進行成形。於比較例3中之圓筒形成形體之密度為3.79 g／cm³ ，成形體之相對密度為53.1%。以與實施例1同樣之處理加工燒結上述之圓筒形成形體而得到之圓筒形燒結體之密度為7.121 g／cm³ ，燒結體之相對密度為99.6%。使用上述圓筒形燒結體製作圓筒形濺射靶件且使用此圓筒形濺射靶件進行上述放電試驗時，靶件使用率於65%時觀察到有產生顆粒及發生電弧現象之情形。

然而，本發明並非限定於上述之實施型態，在未脫離意旨之範圍內亦能夠適當變更。

100‧‧‧圓筒形濺射靶件
110、110a、110b、110c‧‧‧圓筒形燒結體
120‧‧‧間隔
130‧‧‧圓筒基材
140‧‧‧接合材

圖1為繪示關於本發明之一實施型態之構成圓筒形濺射靶件之圓筒形燒結體之一範例之立體圖。圖2為繪示關於本發明之一實施型態之組合後之圓筒形濺射靶件之結構之一範例之剖面圖。圖3為繪示關於本發明之一實施型態之圓筒形燒結體之製造方法之處理流程圖。圖4為繪示關於本發明之一實施型態之圓筒形燒結體之製造方法中圓筒形成形體之密度與圓筒形燒結體之密度之關係圖。

100‧‧‧圓筒形濺射靶件

110、110a、110b、110c‧‧‧圓筒形燒結體

Claims

一種圓筒形濺射靶件，包括：材質包括ITO或IGZO之多個圓筒形燒結體，彼此相鄰且之間具有一間隔，該些圓筒形燒結體之相對密度為99.7%以上且為99.9%以下，相鄰的該些圓筒形燒結體之間之相對密度之差異為0.1%以下。
一種圓筒形濺射靶件之製造方法，包括：燒結相對密度為54.5%以上且為58.0%以下之材質包括ITO或IGZO之多個圓筒形成形體，而形成相對密度為99.7%以上且為99.9%以下之多個圓筒形燒結體；以及相鄰配置該些圓筒形燒結體，相鄰的該些圓筒形燒結體之間之相對密度之差異為0.1%以下。
如請求項2所述之圓筒形濺射靶件之製造方法，其中藉由100 MPa以上且200 MPa以下之一冷均壓加壓（cold isostatic pressing）方式形成該些圓筒形成形體。
一種圓筒形燒結體之製造方法，為使用於一圓筒形濺射靶件之材質包括ITO或IGZO之一圓筒形燒結體之一製造方法，該製造方法包括：藉由燒結相對密度為54.5%以上且為58.0%以下之一圓筒形成形體，而形成相對密度為99.7%以上且為99.9%以下之該圓筒形燒結體。
如請求項4所述之圓筒形燒結體之製造方法，其中藉由100 MPa以上且200 MPa以下之一冷均壓加壓方式形成該些圓筒形成形體。
一種圓筒形成形體，其材質包括ITO或IGZO，其相對密度為54.5%以上且為58.0%以下，且用以形成使用於一圓筒形濺射靶件之一圓筒形燒結體。
一種圓筒形成形體之製造方法，為形成材質包括ITO或IGZO之一圓筒形成形體之一製造方法，該製造方法包括：藉由100 MPa以上且200 MPa以下之一冷均壓加壓方式令該圓筒形成形體達到相對密度為54.5%以上且為58.0%以下，其中該圓筒形成形體用以形成使用於一圓筒形濺射靶件之一圓筒形燒結體。
一種圓筒形濺射靶件之製造方法，包括：藉由100 MPa以上且200 MPa以下之一冷均壓加壓方式形成一氧化物圓筒形成形體；以及藉由燒結該氧化物圓筒形成形體而形成一氧化物圓筒形燒結體。
如請求項8所述之圓筒形濺射靶件之製造方法，其中該氧化物圓筒形成形體之材質包括ITO。
如請求項8所述之圓筒形濺射靶件之製造方法，其中該氧化物圓筒形成形體之材質包括IGZO。
如請求項8所述之圓筒形濺射靶件之製造方法，其中藉由該冷均壓加壓方式形成相對密度為54.5%以上且為58.0%以下之該氧化物圓筒形成形體。
一種圓筒形成形體之製造方法，包括：藉由100 MPa以上且200 MPa以下之一冷均壓加壓方式形成一氧化物圓筒形成形體。
如請求項12所述之圓筒形成形體之製造方法，其中該氧化物圓筒形成形體之材質包括ITO。
如請求項12所述之圓筒形成形體之製造方法，其中該氧化物圓筒形成形體之材質包括IGZO。