TW201633369A - 用於毛細管輔助的流動控制的終點決定 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種用於決定一流體供給容器之終點之裝置及方法,其中在建立流體流動之後利用一靜流限制設備及一選擇性可致動閥元件,控制通過安置於該流體供給容器之一內部容積中之一流動通道的流體流動。該終點決定可用以終止來自該流體供給容器之流體供給,及/或自一流體耗盡供給容器切換至一新容器,以實現流體供給操作之連續性或更新。該裝置及方法適合於與諸如離子植入器之流體利用裝置一起使用。
Description
在此基於專利法主張2010年6月18日提出申請的美國臨時專利申請案第61/356,451號及2010年7月21日提出申請的美國臨時專利申請案第61/366,523號之優先權的權益。美國臨時專利申請案第61/356,451號及美國臨時專利申請案第61/366,523號之揭示內容在此分別以引用之方式全部併入本文中,以達成所有目的。
本揭示案係關於在例如半導體製造流體自該流體源至半導體製造工具之輸送中用於毛細管輔助的流動控制的終點決定。
在流體供給容器之使用中,可在裝置或操作中利用所供給流體,在該等裝置或操作中,操作連續性對該等裝置或操作之經濟特徵係必要的。
作為一實例,可向半導體製造設施中之離子植入工具供給摻雜劑流體。在工具操作期間,摻雜劑流體供給之任何突然的意外耗竭將迫使植入工具停止運轉,且然後需要在製程中廢除或再製晶圓,以及因為安裝新的流體供給容器來取代流體耗盡容器而造成操作之延遲。
此類流體供給之突然的意外耗竭及伴隨之操作錯位給處理系統造成嚴重之經濟缺陷。此問題與流體供給容器的使用相關,該等流體供給容器使用所供給流體之毛細管輔助的流動控制。
本揭示案係關於用於毛細管輔助的流動控制的終點決定。
在一態樣中,本揭示案係關於一種決定流體供給過程之終點的方法,該方法包含以下步驟:選擇性建立來自流體供給容器之流體流動;在建立流體流動之後,利用靜流限制設備及選擇性可致動閥元件,控制通過安置於流體供給容器之內部容積中之流動通道的流體流動;以及監測流體供給容器或自流體供給容器分配之流體的至少一個特性,以決定終點,其中沿著流動通道佈置靜流限制設備及選擇性可致動閥元件。
在另一態樣中,本揭示案係關於一種用於流體供給容器之終點監測及控制裝置,在該裝置中,在建
立流體流動之後利用靜流限制設備及選擇性可致動閥元件,控制通過安置於流體供給容器之內部容積中之流動通道的流體流動。該終點監測及控制裝置包含監測單元及CPU,該監測單元經調適成監測流體供給容器或自流體供給容器供給之流體的至少一個特性,及產生輸出訊號,該CPU以輸出訊號接收關係操作性連接至該監測單元。該CPU在該CPU中儲存了終點條件資訊,且回應於接收到自該監測單元之指示終點條件之輸出訊號而產生用於終止來自流體供給容器之流體供給的控制訊號。
本揭示案之一額外態樣係關於一種流體利用裝置,該裝置經調適成執行如上文概述之本揭示案之方法。
本揭示案之又一態樣係關於一種如上文概述之方法,其中該方法由流體利用裝置執行。
在另一態樣中,本揭示案係關於上述終點監測及控制裝置,該裝置操作性佈置有至少一個流體供給容器。
本發明之另一態樣係關於一種流體供給系統,該流體供給系統包含:流體供給容器,該流體供給容器具有用於容納流體之內部容積;第一流路,該第一流路在內部容積中經佈置以在自容器供給流體期間控制流體之流動,該第一流路包括靜流限制設備及選擇性可致動閥元件;以及第二流路,該第二流路與容器耦接以
用於自容器排出流體,其中該系統包含以下元件中之至少一者:(i)容器之內部容積中之緩衝貯存器,該緩衝貯存器與第一流路耦接,經佈置以容納流體,以用於對流體釋放至第一流路進行緩衝;(ii)容器外部之緩衝貯存器,該緩衝貯存器與第二流路耦接,經佈置以容納流體,以用於對流體釋放至第二流路進行緩衝;(iii)壓力調節器,該壓力調節器經佈置以調節第二流路中之流體壓力;(iv)壓力傳感器,該壓力傳感器經佈置以監測第二流路中之流體壓力;以及(v)質量流量控制器,該質量流量控制器經佈置以控制第二流路中流體之質量流量,其中當該系統中包含元件(ii)至(v)中之任何一或多者時,該系統可視需要進一步包含CPU,該CPU經可程式佈置以接收來自一設備之至少一個監測訊號,該設備監測流體供給容器或自流體供給容器分配之流體的至少一個特性,以決定來自流體供給容器之流體供給的終點。
本發明之其他態樣、特徵結構及實施例將由隨後的揭示內容及隨附申請專利範圍更充分地明白。
10‧‧‧流體供給及利用系統
12‧‧‧流體供給容器/運轉容器
14‧‧‧流體供給容器
16‧‧‧控制訊號傳送線
18‧‧‧控制訊號傳送線
20‧‧‧罩殼/外殼
22‧‧‧內部容積
24‧‧‧靜流限制設備
26‧‧‧流量調節設備
28‧‧‧排出導管
30‧‧‧閥頭
32‧‧‧自動閥致動器
34‧‧‧訊號傳送線
36‧‧‧CPU
40‧‧‧流體排出管路
42‧‧‧下游流體利用設施
44‧‧‧流出物排出管路
46‧‧‧流出物處理單元
48‧‧‧通氣管路
50‧‧‧排出流體監測單元
52‧‧‧訊號傳送線
54‧‧‧流量控制閥
56‧‧‧控制訊號傳送線
60‧‧‧另一流量控制設備
64‧‧‧閥致動器
66‧‧‧閥頭
68‧‧‧排出口
70‧‧‧罩殼/外殼
72‧‧‧內部容積
74‧‧‧排出導管
76‧‧‧過濾器
78‧‧‧限流口
80‧‧‧流量控制設備
110‧‧‧流體供給及利用系統
112‧‧‧流體供給容器
114‧‧‧圓柱形容器罩殼
116‧‧‧內部容積
118‧‧‧靜流限制設備/毛細管流量控制設備
120‧‧‧輔助流體貯存器/緩衝貯存器
122‧‧‧流動導管
124‧‧‧流量調節設備
126‧‧‧排出導管
128‧‧‧閥頭
130‧‧‧自動閥致動器/閥控制器
132‧‧‧訊號傳送線
134‧‧‧中央處理單元/CPU
136‧‧‧流體壓力調節器
138‧‧‧壓力傳感器
140‧‧‧訊號傳送線
142‧‧‧流體排出管路
144‧‧‧流動管路
146‧‧‧流量控制閥
148‧‧‧訊號傳送線
150‧‧‧緩衝貯存器
154‧‧‧質量流量控制器
156‧‧‧訊號傳送線
158‧‧‧下游流體利用設施
160‧‧‧流出物排出管路
第1圖為對於用於容納三氟化硼氣體之模擬流體供給容器,各自隨著時間(以小時為單位)變化之輸送壓力(以托為單位)及流動速率(以sccm為單位)的曲線圖,其中在該供給容器之內部容積中、在此類內部容積中之真空致動閥上游具有毛細管限制設備,該供給容器具有耦接至該供給容器頸部部分之閥頭,該閥頭用於開啟或關閉此類閥頭中之閥元件,以分別賦能流體之流動或終止流體之流動。
第2圖為說明性流體供給及利用系統的示意圖,在該系統中,本揭示案之監測及控制佈置可經有利實施以用於流體供給容器之終點決定及操作管理。
第3圖為根據另一實施之流體供給及利用系統的示意圖,在該系統中,可利用質量流量控制器之比例-積分-微分(PID)輸出來進行終點決定,且藉由緩衝貯存器增加流體供給,以適應終點條件下突發的壓力降低。
第4圖為對於利用毛細管輔助的流動控制的說明性流體供給容器,隨著時間變化之輸送壓力的曲線圖,其中該曲線圖圖示當容器到達終點條件時正供給之流體之輸送壓力的漸增及驟降。
本揭示案係關於用於毛細管輔助的流動控制的終點決定,諸如可用於向諸如離子植入器之半導體製造工具供給流體。
可用一方法來進行終點決定,該方法包括以下步驟:選擇性建立來自流體供給容器之流體流動;在建立流體流動之後,利用靜流限制設備(例如,毛細管設備)及選擇性可致動閥元件,控制通過安置於流體供給容器之內部容積中之流動通道的流體流動;以及監測流體供給容器或自流體供給容器供給之流體的特性以決定該終點,其中沿著流動通道佈置靜流限制設備及選擇性可致動閥元件。
靜流限制設備可包含一或多個毛細管式或節流通道。舉例而言,流量限制設備可包括兩個或兩個以上毛細管式或節流通道,該等通道沿著流動通道之一部分平行佈置。
可以任何適合方式及/或設置將靜流限制設備定位於供給容器之內部容積中。例如,可在流動通道上將靜流限制設備定位於選擇性可致動閥元件之前或之後。在一說明性佈置中,將靜流限制設備定位於選擇性可致動閥元件與流動通道之一入口之間。在另一說明性佈置中,將選擇性可致動閥元件定位於靜流限制設備與流動通道之一入口之間。
選擇性可致動閥元件可為任何適合類型。舉例而言,選擇性可致動閥元件可包含真空致動閥。在一特定實施例中,選擇性可致動閥元件包含提動式閥。
包含於流體供給容器中且自流體供給容器供給之流體可為任何適合類型。舉例而言,流體可包含在諸如化學氣相沈積、蝕刻操作、原子層沈積、微影操作及離子植入之半導體製造操作中具有效用之流體。更具體而言,流體可包含選自由以下組成之群組的流體物質:胂、膦、三氟化硼、三氯化硼、四氟化二硼、二硼烷、硒化氫、二氟化氙、矽烷、聚烷基矽烷、有機金屬試劑、氟(F2)、硫化氫(H2S)、鍺烷(GeH4)及Si、Ge、Sn及Sb之氫化物及烷基氫化物物質。
在該終點決定方法中,監測流體供給容器或自該流體供給容器供給之流體之特性以決定終點。可以任何適合方式進行此類監測。在不同實施例中,該監測步驟包括以下步驟:將所監測特性與參考特性相比較,以決定終點。
所監測特性本身可為任何有用類型,且所監測特性可例如包括物理特性、瞬時特性、流體動力學條件或任何其他品質、數量、特徵或狀態。該終點決定之特定實施中之所監測特性可包括一或多個適當的監測變數,諸如流體流動持續時間、流體流動速率、流體壓力、流體溫度、供給容器溫度、供給容器重量、供給流體之組分之濃度,等等。
舉例而言,在以下情況下,可決定已到達終點:a)已偵測到預定流體流動速率;b)已偵測到預定流體壓力;c)已偵測到預定流體流動持續時間;d)已供給預定量之流體;e)已偵測到流體壓力之預定變化;f)已偵測到流體流動速率之預定變化;及/或g)已偵測到供給容器及供給容器之內含物之預定重量或重量變化。
在流體供給經佈置以在已偵測到預定流體流動速率時決定終點之實例中,特定實施例中之該終點流體流動速率可在0.1至5標準立方公分/分鐘(standard cubic centimeters per minute;sccm)之範圍內。使用者可設置流體供給監測佈置以於一值時決定終點,該值為用於供給容器之正常分配操作之所要流動速率設定點的預定百分比,或該值與用於正常分配操作之此類所要流動速率設定點成指定比率。
在流體供給經佈置以在已偵測到預定流體壓力時決定終點之應用中,終點條件可為任何適合壓力位準,例如,0至760托之範圍內的壓力值,或2至400托之範圍內的壓力,或自該容器供給之流體的壓力的任何其他適合值。
在流體供給經佈置以在已偵測到預定流體流動持續時間時決定終點之應用中,終點持續時間可由平均使用者流動速率及容器存量界定。舉例而言,假定該容器中100%之氣體存量被輸送,則包含300公克三氟化硼、以3sccm之平均流動速率供給BF3氣體之供給容器
理論上可供給氣體長達約549小時。在此種情況下,使用者可將終點選擇為此值之75%、80%、85%或更高之百分比。在一特定實施例中,可將此類終點值選擇為80%或440小時,使用者可能在該時間收到指示供給容器接近空的警報或訊息。使用者選擇之實際百分比很可能取決於使用者對供給容器剩餘物之瞭解(剩餘物為來自容器之流體排出結束時餘留在容器中之殘餘流體量,當達到一點時,來自容器之流體的壓力在該點不再足以克服將容器與流體利用裝置或位置互連之流路中之壓力降,以使得流動終止),或在其他方面該百分比基於流體經排出直至達成終點條件為止之持續時間方面的先前經驗。或者,可藉由以下操作憑經驗建立持續時間終點:以流體填充供給容器至預定程度,且然後記錄以各種排出速率排出流體之持續時間,以建立終點條件之參考資料庫,該參考資料庫可經程式化使用以設定終點警報條件。
在流體供給經佈置以在將預定累積重量之流體自供給容器排出時決定終點之應用中,可基於對供給容器剩餘物之瞭解或相同特性之供給容器方面的先前經驗選擇預定終點值,或在其他方面憑經驗選擇。舉例而言,對於包含將要選擇性排出加以利用之335公克流體之供給容器而言,剩餘物可為約44公克(對於3sccm流動速率而言),且可將終點選擇為排出流體之250-300公克之範圍內的累積重量值。此累積值將取決
於容器在作為「新」容器配備用於流體供給服務時之填充高度,且此累積值可針對供給容器中之流體之不同填充高度而容易地建立。自供給容器排出之流體之重量的量測及監測可藉由自開始排出流體時之初始充滿狀態連續量測供給容器重量來實現,或當間歇取得之重量資料指示已到達適合點時,例如,在80%之初始流體存量已自容器排出時,藉由繼容器有效壽命中某點之後連續監測容器重量來實現。
用於監測自供給容器排出之流體之重量以建立終點條件的其他技術可包括:使用質量流量控制器以總計被排出流體隨時間的流動,以及藉由被排出流體之分子量計算地利用該總計值,以決定已自供給容器釋放之流體之重量。
在於已偵測到流體壓力之預定變化時決定已到達終點之應用中,可將終點建立為輸送壓力之特定百分比或分數。舉例而言,使用具有200至400托之輸送壓力之供給容器,特定實施例中之終點值可為此類輸送壓力之10%、20%、30%、50%或更多。
在於已偵測到流體流動速率之預定變化時決定已到達終點之應用中,可在選定值下使用與來自供給容器之設定點流體排出速率之偏差作為終點標記。此偏差可取決於使用自供給容器排出之流體之特定流體利用裝置或位置。在一特定實施例中,指示到達終點之該偏
差可為任何適合值,例如,1%、3%、5%、10%等等之流體流動速率變化。
在於發生流體供給容器之預定重量或重量變化時決定已到達終點之應用中,可在排出所用流體期間或在此類排出之相關部分期間監測容器之重量,以決定何時到達終點條件。
在流體供給容器用於向半導體製造設施中之離子植入器提供流體之不同實施例中,可藉由監測植入器中之植入器射束電流或離子源電弧電流以偵測此類電流位準之下降來決定終點,此類電流位準之下降指示流體供給容器接近空態。為了提高監測操作之精確性及可靠性,此類電流監測操作可與先前論述中所述監測技術中之一或多者組合。
更大體而言,任何前述技術或監測模態可與一或多種其他技術或模態組合使用,以提供具有冗餘監測能力之組合監測系統,或提供多個輸入至監測系統,以增強此類監測之精確性及可靠性。舉例而言,可提供終點監測及控制系統,從而讓使用者能夠自多個所提供模態中選擇一或多個所要類型之終點監測能力。因此,使用者可選擇所供給流體之輸送壓力之百分比下降作為用於終點決定之監測變數,且選擇將要用作終點決定因子之實際值,例如,輸送壓力之20%下降。使用者可另外或替代地選擇用於監測之多個變數,例如,自容器排
出之流體的流體輸送壓力之百分比下降及自容器排出之流體的總公克數。
可藉由適合於此類目的之任何適合感測器、偵測器或監測器來偵測前述用於終點決定之所監測變數。監測裝置可經佈置以提供指示或關於感興趣之監測條件或狀態的輸出訊號,其中此類監測裝置之輸出訊號由適合訊號傳送線傳送至中央處理器單元(central processor unit;CPU),該CPU用於處理此類監測訊號且回應於產生指示終點之輸出控制訊號,該輸出控制訊號可用於致動實現流體耗盡供給容器關閉或隔離之終點警報及/或裝置,以使得該流體耗盡供給容器脫機,代之以新供給容器,以使涉及流體供給之操作繼續或重新開始。由此類輸出控制訊號致動之裝置在特定實施例中可為流量控制閥或閥致動器、電源供應器、泵、壓縮機、沖洗裝置或由該輸出訊號控制或可由該輸出訊號控制的任何其他適合裝置。此類監控及控制系統中使用之CPU可為任何適合類型,包括例如專用程式或可程式電腦、微處理器、可程式邏輯控制器,等等。
在本揭示案之監測方法之特定說明性實施例中,可選擇終點條件,以使得在此類條件下,指定量的流體供給容器之原流體存量存在於容器之內部容積中,例如,原流體存量之1%至20%之範圍內的量(諸如1%、2%、5%、8%、10%、12%、15%或20%或其他值)或其他範圍內的值。
當將壓力用作監測變數以達成終點監測目的時,可以任何適合方式監測壓力,例如,藉由監測在安置於供給容器之內部容積中的靜流限制設備處之壓力降,及/或藉由監測在與流體供給容器耦接以將流體輸送至使用點之流體流路中的靜流限制設備處之壓力降,該靜流限制設備諸如限流口(restricted flow orifice;RFO)、線內氣體緩衝器設備或在流路中或與流路耦接的其他適合設備。
儘管前文主要針對離子植入應用,但就可應用於終點值之特定參數及範圍而論,熟習此項技術者可基於本揭示案容易地憑經驗決定可應用於其他應用之適當設定及操作參數。
安置於供給容器之內部容積中之靜流限制設備可為任何適當類型,且可例如包含一或多個毛細管,流體流經該等毛細管,以最終自流體供給容器排出。如本文先前所論述,供給容器之內部容積中之靜流限制設備用以在建立流體流動之後與選擇性可致動閥元件結合來控制通過此類內部容積中之流動通道的流體流動。在一實施例中,靜流限制設備包含兩個或兩個以上毛細管式或節流通道,沿著流動通道之一部分平行佈置該等通道。
關於毛細管處之壓力降,在給定的毛細管式流量限制設備中,包括毛細管之數量、長度及直徑、自供給容器排出之流體的流體流動速率、任何特定時刻時
之溫度及供給容器壓力的此類設備之設計將皆影響該壓力降。可如下文所述數學上決定與流體供給容器之終點狀態相關聯之壓力降,以指定特定壓力降,該特定壓力降與輸送壓力之指定分數或百分比損失相關聯,或與設定點之指定分數或百分比量之損失相關聯,或在其他方面與自供給容器排出加以使用之流體的所要流動速率相關聯。
不同實施例中之毛細管式流量限制設備可定位於流體供給容器之內部容積中之調節器、真空致動止回閥或其他流量調節設備上游。
可將毛細管及調節器系統之終點剖面建模,以圖示壓力及流量剖面。本申請者已藉由建置毛細管及調節器系統在實驗上證實了此等結果。在氣體供給容器之終點,與摩擦損失相關聯之壓力降顯著,且因此密度不再能夠假定為恆定的。此舉導致具有可壓縮之流體流量。在此情況下,以下方程式(1)可用於估計流量。
更具體而言,毛細管之壓力降之數學決定可包含基於壓力降方程式(1)之決定,方程式(1)陳述如下:
其中方程式變數定義如下:
p1=導管入口壓力
p2=導管出口壓力
G=氣體質量通量
R=通用氣體常數
T=氣體溫度
Mw=氣體分子量
f=摩擦因子=16/RE(層流)
RE=雷諾數=GD/μ
μ=氣體黏度
L=導管長度
D=導管直徑
第1圖為對於容納三氟化硼氣體之模擬流體供給容器,各自隨著時間(以小時為單位)變化之輸送壓力(以托為單位)及流動速率(以sccm為單位)的曲線圖,其中在該供給容器之內部容積中、在此類內部容積中之真空致動閥上游具有毛細管限制設備,該供給容器具有耦接至該供給容器頸部部分之閥頭,該閥頭用於開啟或關閉此類閥頭中之閥元件,以分別賦能流體之流動或終止流體之流動。閥頭可經佈置用於在完全開啟位置與完全關閉位置之間手動或自動操作閥頭中之閥元件,諸如藉由手輪用於手動操作,或藉由氣動閥致動器用於自動操作,或藉由使閥頭中之閥元件能夠平移的某一其他佈置。
在產生第1圖曲線圖的模擬流體供給容器中,毛細管限制設備包含一陣列之七個毛細管,每一毛
細管之長度為2.8吋且內徑為20μm。三氟化硼氣體之流體流動速率為3sccm。
在第1圖曲線圖上的時間零處,供給容器已在操作中,排出流體以供下游利用,在定態流體供給操作中長達數個小時。該曲線圖中所示之輸送壓力為將流體自容器排出時之流體壓力。方程式(1)中之壓力p2為直接位於毛細管流量限制器下游之壓力。當壓力p2降低至供給容器輸送壓力設定點(此處表示為p3)時,此後該兩個壓力將在定態流體排出操作中大體上彼此相等,長達流體供給容器之流體供給有效壽命的剩餘部分。以下為此類流體供給容器之流體排出操作之描述。
在流體排出操作中,將流體自供給容器排出達數個小時,該時間取決於初始提供的流體存量(填充量)及流動速率設定點。當將流體逐漸自供給容器排出時,容器壓力p1下降。對於流體之給定流動速率,以及給定溫度及毛細管限流器設計而言,方程式(1)之右手側對於所有p1及p2值而言大體上恆定,ln項與方程式之4fL/D項略微相關。因此,左手側項對於任何給定流體流動速率G而言必須保持大體上恆定。
因此,p1^2-p2^2=C(常數),或用代數式,(p1^2-p2^2)=(p1+p2)*(p1-p2)=C。當p1下降時,p2亦下降,但為保證滿足方程式,亦即,(p1+p2)*(p1-p2)=C,故項(p1-p2)必須增大。因此,p2必須較p1下降更快。因此,具有毛細管式流量限制器
之供給容器中之輸送壓力將在輸送壓力接近零時迅速下降,且存在相對較短回應時間。壓力降表達式之微分顯示,p2按照以下方式相對p1變化:dp2/dp1=p1/p2因此,當p2變小且最終等於且然後小於內部流量控制設備(例如,調節器或真空致動止回閥)之設定點時,p2相對p1之變化變得愈來愈大。換言之,輸送壓力之下降隨著供給容器壓力之下降而加快。此舉導致排出流體之輸送壓力在極短時段內自所要分配壓力位準變為極接近於零之值。
一旦輸送壓力下降至特定低值(例如,3-10托)或下降至剛好足以驅動被排出流體通過排出流路之流動的其他低壓,則所排出流體之流動速率將逐漸開始下降,因為供給容器壓力正在隨著來自供給容器之氣體的耗盡而下降。現在流動速率G將根據以上方程式(1)開始下降,但p2近似恆定(p2將隨著流量輕微下降,因為較低流量需要較低壓力以經由排出流路驅動流體)。然後流量持續下降,直至流體供給容器之使用者注意為止,或直至下游流體利用裝置藉由聯鎖總成之作用關閉及/或報警為止。舉例而言,當下游流體利用裝置為接收來自流體供給容器之摻雜劑源氣體之離子植入器時,可藉由流動速率或射束電流之特定損失來致動聯鎖機構。
本揭示案之流體供給容器監測方法及系統藉由終點決定,及一或多個監測變數影響流體排出操作及/
或受流體排出操作影響導致的排出操作之受控中止,使自流體排出操作至供給容器耗竭之此類極快轉變能夠得以避免。該監測可如先前所述與CPU及/或其他控制設備相關聯,該等設備可在CPU之記憶體或記憶元件中儲存了監測變數之流體排出操作剖面作為基線剖面,可根據該基線剖面評定實際監測資料之偏差,該等偏差指示開始或達成流體供給容器之預定流體耗盡狀態,且因此該監測可觸發控制設備之終點致動或退動,以終止自流體供給容器排出流體。CPU因此可經程式化佈置用於此類監測,且用以輸出實現終點操作性變化的一或多個控制訊號,以關閉或隔離流體供給容器,及/或實現改變成含有流體之新流體供給容器,以用於流體利用裝置或位置之進一步操作。
因此本揭示案在一態樣中涵蓋一種用於流體供給容器之終點監測及控制裝置,在該裝置中,在建立流體流動之後利用靜流限制設備及選擇性可致動閥元件,控制通過安置於流體供給容器之內部容積中的流動通道的流體流動。此類終點監測及控制裝置包含監測單元及CPU,該監測單元經調適成監測流體供給容器或自該流體供給容器供給之流體的至少一個特性及產生輸出訊號,該CPU以輸出訊號接收關係操作性連接至該監測單元,該CPU在該CPU中儲存了終點條件資訊,且回應於接收到自該監測單元之指示終點條件之輸出訊號,以
產生用於終止來自流體供給容器之流體供給的控制訊號。
該終點監測及控制裝置可進一步包含控制設備,該控制設備以控制訊號接收關係操作性連接至該CPU,且回應於接收到控制訊號以操作及終止或協助終止來自流體供給容器之流體供給。因此,此類終點監測及控制裝置可操作性佈置有至少一個流體供給容器,以用於監測及控制此類流體供給容器或一陣列之多個流體供給容器之操作。在一特定實施例中,儲存於CPU中之終點條件資訊可包含流體供給容器之所監測特性的至少一個流體排出操作剖面作為基線剖面,可根據該基線剖面藉由CPU計算地評定實際監測資料之偏差,該等偏差指示開始或達成流體供給容器之預定流體耗盡狀態。
作為可在本揭示案之廣泛範疇內使用之流體供給佈置之另一變型,流體供給容器及/或下游流路可佈置有一或多個緩衝容積,該等緩衝容積用於累積將要排出至流體利用裝置或位置之流體,以使得提供此類流體之一或多個貯存器,以使能夠在所要設定點條件下繼續分配流體,從而超過在缺少此類貯存器時之可能情況。包括作為供給容器內部或外部之緩衝區之此類貯存器的流體供給系統可藉此延長流體供給容器之操作壽命,且可經佈置以使得此類額外之流體供給繼續超過本該觸發關閉或切換至新容器之終點,以使得為到達流體供給容器之終點所易發生之操作變化提供過渡時間。
如所提及,流體供給容器之內部容積中之靜流限制設備可為任何適合類型。在一實施例中,流量限制設備可包含限流口(RFO),且此類RFO可定位於容器之內部容積中之流體排出路徑中、諸如調節器或真空致動分配止回閥之內部流量調節設備之上游或下游。舉例而言,在流體供給容器包括用於自使用中容器排出之流體之流動控制的RFO及調節器組件的實施例中,流體供給容器可包括多個RFO設備及/或多個調節器。
在另一態樣中,可藉由量測流體供給容器或流體供給容器之組件之一或多個性質的變化來決定操作中流體供給容器之終點,及/或監測流體供給容器之流體存量。用於此類應用之適合性質包括(但不限於)聲學、熱學、電阻及/或壓力鉻性質。在不同應用中,可在流體供給容器壁或容器之組件中將材料整合,該等材料適用於感測/量測該容器之一或多個性質。
舉例而言,可在垂直一定距離間隔之位置處熱探測流體供給容器壁,且量測所得熱回應,例如,在液體存量維持於流體供給容器之內部容積中之應用中。由於在容器內部氣體所界定該壁之一部分處之預定熱輸入的耗散將極不同於與液體內部接觸之壁部分,故液體界面以上的熱將更緩慢地耗散(因為氣體為不良導體),而在液體界面以下該壁處之相同輸入將因液體之熱傳導率而更迅速地耗散。
因此,當液體存量耗竭時,該監測將沿壁下移,且可在氣體排出操作期間之任何給定時間點相當密切地追蹤液體界面。
在另一佈置中,一個感測器位於流體供給容器之外壁上,處於對應於改變之所要剩餘物之高度。流體供給容器監測及控制系統經佈置以監測該輸入位點處的重複性熱輸入(熱之週期性輸入),且當耗盡液體以將壁安置於與氣體接觸之熱輸入/監測位置之另一側時,監測訊號將變為反映該位點處之氣體而非液體。該訊號可觸發(經由光纜或其他訊號轉移模態)改變之操作,以將該工具之停工時間減至最少。可使用任何其他外壁輸入及監測能力,諸如聲學、振動、超音或其他輸入,而不是對該監測使用熱挑戰(輸入),其中該輸入可傳播至/穿過流體供給容器壁,且產生差別回應,該差別回應取決於是氣體或是液體在訊號輸入/監測位點處接觸容器之內表面。
本揭示案涵蓋一種經調適成執行本發明之廣泛方法之流體利用裝置,以及一種此類型之方法,其中該方法由流體利用裝置執行。
第2圖為說明性流體供給及利用系統10的示意圖,在該系統中,本揭示案之監測及控制佈置可經有利實施以用於流體供給容器(諸如該圖中所示之容器12及14)之終點決定及操作管理。
在第2圖中,將流體供給容器12圖示為運轉容器,且將流體供給容器14圖示為停用容器,藉由各別流體供給及控制訊號傳送線16及18之虛線表示來指示此類停用狀態。如圖所示之運轉容器12包括封閉內部容積22之罩殼或外殼20,內部容積22中安置有靜流限制設備24,例如,內部容積22包含一陣列之彼此平行佈置之毛細管,來自內部容積22之流體可沿一流動路徑流經該等毛細管,該流動路徑包括靜流限制設備24、流量調節設備26(例如,真空致動分配止回閥)及排出導管28。排出導管28將流體輸送至含有閥元件之閥頭30,閥元件由自動閥致動器32在完全開啟與完全關閉的閥位置之間可平移,自動閥致動器32藉由沿訊號傳送線34自CPU 36傳送至此類致動器之控制訊號來操作。
容器12之閥頭30包括耦接至流體排出管路40之排出口,流體經由流體排出管路40流至下游流體利用設施42,下游流體利用設施42可例如包含半導體製造設施之離子植入器。在該流體利用設施中,自流體排出管路40供給之流體被利用,且在所示之特定實施例中,設施42中之流體利用操作產生流出物,該流出物沿流出物排出管路44排出。經排出之流出物沿排出管路44流至兩個流出物處理單元46,經處理流出物自流出物處理單元46沿通氣管路48排出。
在自流體供給容器12供給流體之排出管路42中,排出流體監測單元50經安置以監測流經排出管路
42之排出氣體之終點決定特性。建構且佈置排出流體監測單元50以產生關於所監測特性之輸出訊號,且此類輸出訊號沿訊號傳送線52傳送至CPU 36以用於處理。排出管路40中亦安置有流量控制閥54,流量控制閥54以受控關係由控制訊號傳送線56耦接至CPU 36,且在特定圖示之實施例中,排出管路40中安置有另一流量控制設備60。該另一流量控制設備60可為任何適合類型,且可例如包含質量流量控制器、壓力調節器或其他適當設備。此類另一流量控制設備可另外與CPU 36耦接(第2圖中未圖示連接)。
流體監測單元50可經佈置以監測流經排出管路40之排出流體之壓力,且將壓力相關輸出訊號傳送至CPU 36。代替此類壓力監測,監測單元50可監測分配流體之任何其他適合特性,諸如溫度、流動速率、當分配流體包含例如載送氣體及活性氣體時之多組分氣體混合物中氣體物質之濃度,或監測單元50經特定調適用於此類特定監測應用之任何其他佈置。因此可間歇地或連續地或間歇與連續相結合地偵測所監測特性,以識別指示流體供給容器開始耗竭之條件,且將輸出訊號傳送至CPU,以實現流體供給及利用系統之相應轉變。
在第2圖之佈置中,當監測單元50偵測到終點相關聯條件時,沿訊號傳送線52傳送至CPU 36之相應訊號由CPU處理,且產生輸出。此類輸出包含第2圖實施例中之控制訊號,將訊號沿訊號傳送線34傳送至致
動器32,以關閉閥及閥頭30,且同時將控制訊號沿訊號傳送線56傳送至流量控制閥54,以關閉此類閥,以使得可停用耗竭之容器12。結合此類轉變,流體供給容器14可切換至操作中,其中將控制訊號沿訊號傳送線18傳送至經佈置以在閥頭66中控制閥的閥致動器64,以使得來自流體供給容器14之流體自閥頭66之排出口68經由流體排出管路16流至流體排出管路40(容器12在此點處自排出管路40斷開),以實現去往流體利用設施42之流體流動之連續性或更新。
如圖所示之流體供給容器14包括封閉容器之內部容積72之罩殼或外殼70。在內部容積72中,安置有排出導管74,排出導管74中含有過濾器76、限流口78及流量控制設備80。流量控制設備80可包含壓力調節器、真空致動分配止回閥或適用於調節自容器分配之流體的流動的任何其他適合流量控制設備。
儘管為了簡明性而未圖示,但可將各別容器12及14整合至閥歧管佈置中,以促進自耗盡容器至新容器之操作的切換及轉換,其中歧管中之閥調元件經適當佈置以賦能耗盡容器之改變,同時維持操作之連續性。因此此類閥調元件可由諸如第2圖中示意圖所示之CPU 36之CPU或以其他適當方式操作性控制。
將認識到,該流體供給及利用系統可基於本文之揭示內容在此項技術內經不同設置以包含其他態樣、特徵及實施例。舉例而言,在該系統中可使用兩個
以上容器或僅使用單個容器,而非使用兩個流體供給容器12及14。監測及控制元件及監測及控制元件之佈置可廣泛變化,以提供對於終點決定之流體分配操作之有效追蹤,且提供回應動作以管理正在進行之流體利用操作。
第3圖為根據另一實施之流體供給及利用系統110的示意圖,在該系統中,可使用質量流量控制器之比例-積分-微分(proportional-integral-derivative;PID)輸出來進行終點決定,且藉由緩衝貯存器增加流體供給,以適應終點條件下突發的壓力降低。
如第3圖中所示,流體供給及利用系統110包括流體供給容器112,流體供給容器112包括封閉該容器之內部容積116之圓柱形容器罩殼114。在內部容積中安置有靜流限制設備118,例如,內部容積包括一陣列之彼此平行佈置之毛細管,來自內部容積116之流體可沿流動路徑流經該等毛細管,該流動路徑包括靜流限制設備118、輔助流體貯存器120、流動導管122、流量調節設備124(例如,諸如真空致動分配止回閥之選擇性可致動閥元件)及排出導管126。排出導管126將流體輸送至含有閥元件之閥頭128,閥元件由自動閥致動器130在完全開啟與完全關閉的閥位置之間可平移,自動閥致動器130藉由沿訊號傳送線132自CPU 134傳送至此類致動器之控制訊號來操作。
容器112之閥頭128包括耦接至流體排出管路142之排出口,流體經由流體排出管路142流至下游流體利用設施158,下游流體利用設施158可例如包含半導體製造設施之離子植入器或氣相沈積腔室(例如,化學氣相沈積腔室或原子層沈積腔室)。
在該流體利用設施中,自流體排出管路142供給之流體被利用,且在所示之特定實施例中,設施158中之流體利用操作產生流出物,該流出物沿流出物排出管路160被排出,且可被傳遞至減除設施(未圖示),該減除設施用於減除該減除設施中之污染物。
可在排出管路142中提供流體壓力調節器136,以控制由流體供給容器供給之流體之壓力。排出管路142亦含有壓力傳感器138,壓力傳感器138經由訊號傳送線140以訊號傳送關係接合至中央處理器單元(CPU)134。排出管路142中進一步含有質量流量控制器154,質量流量控制器154經由訊號傳送線156以訊號傳送關係接合至CPU 134。
第3圖中所示之流體供給及利用系統使用緩衝貯存器120及150來提供額外流體供給能力,以適應終點條件,否則該等終點條件在缺少此類緩衝貯存器之情況下將涉及正在供給之流體之輸送壓力的驟降。
第3圖系統中之緩衝貯存器包括輔助流體緩衝貯存器120,輔助流體緩衝貯存器120安置於容器112之內部容積116中、毛細管流量控制設備118與導
管122之間。當容器另外處於該容器操作之終點條件時,緩衝貯存器120藉此提供用於分配之額外容積之流體。緩衝貯存器120可由金屬或其他適合材料或裝配物形成,且提供用於緩衝來自容器之流體流動的足夠容積,以便減緩終點條件下流體流動之快速變化(減小)。
除此類內部緩衝貯存器之外,第3圖系統包括外部緩衝貯存器150,外部緩衝貯存器150藉由含有流量控制閥146之流動管路144與排出管路142耦接。流量控制閥146經由訊號傳送線148以訊號接收關係與CPU 134接合,藉此CPU 134可沿訊號傳送線148將控制訊號傳送至用於在終點條件下同樣開啟的流量控制閥146,以提供額外流體供給,且藉此延長操作時間以准許耗盡流體供給容器之轉換或改變,以使得耗盡流體供給容器退出服務。
如圖所示,CPU 134藉由各別訊號傳送線132、140、148及156接合至閥頭閥控制器130、壓力傳感器140、流量控制閥146及質量流量控制器154,以使得CPU沿訊號傳送線140接收來自壓力傳感器138之訊號,且沿訊號傳送線156接收來自質量流量控制器154之訊號。CPU可經可程式佈置以利用此類訊號來產生沿訊號傳送線132及/或148傳送之輸出、調節閥控制器130及/或流量控制閥146、控制沿排出管路142被傳遞至流體利用設施158之流體流動。
將認識到,如在流體供給及利用系統之給定應用中所需要,壓力調節器136、壓力傳感器138及質量流量控制器154可單獨使用,亦可與此類元件中之一或多者組合使用。
因此,第3圖系統在不同實施例中可在僅具有壓力調節器136之情況下、僅具有壓力傳感器138之情況下或僅具有質量流量控制器154之情況下被利用,且此類元件中之兩者或兩者以上可用於此類系統之其他實施例中,如第3圖中複合地所示。
在第3圖中所示之一般化系統之一實施例中,沿訊號傳送線156自質量流量控制器154傳送至CPU 134之輸出訊號包括來自質量流量控制器之比例-積分-微分(PID)訊號,其中此類PID訊號由CPU處理以決定流體供給容器112之終點條件。
在此方面,自容器112供給之流體之輸送壓力將在輸送壓力相對時間曲線之「反曲點」處快速變化。可藉由監測質量流量控制器154之PID輸出偵測到此類反曲點變化,且利用此類反曲點變化來決定流體供給容器之終點條件且啟動回應動作,諸如終止運轉容器之流動且將處理系統切換至新容器,或在終止及/或自耗盡容器至新容器的切換之前致動來自流體之緩衝貯存器之流體供給以延長操作。因此CPU可經佈置用於監測、利用來自質量流量控制器之此類PID輸出訊號,以回應地調節流體供給系統。
在此方面,應注意,質量流量控制器之PID輸出監測可用以供給來自在恆流輸送條件下操作之流體供給容器之流體,以及用於供給來自根據不同的工作循環操作之供給容器的流體,其中利用流體供給容器將流體間歇地輸送至流體利用設施。
舉例而言,可在一工作循環中操作利用毛細管流動控制之流體供給容器,該容器在該工作循環中處於流體輸送模式達10分鐘,繼之以持續10分鐘之脫機狀態,其中此類10分鐘運轉/10分鐘停止的循環重複進行。在此類情況下,質量流量控制器之PID訊號剖面或質量流量剖面本身可隨工作循環之每一連續運轉區段而變化。因此,CPU可經佈置以監測此類漸進之變化,及在終點條件之決定中利用該等變化,或否則控制流體供給系統中之流體供給。
本揭示案之流體供給系統之不同實施中所利用的CPU可經佈置以儲存流體供給系統之任何操作參數或變數之參考或基線剖面,及利用對此類參數或變數之監測,藉由與相應參考剖面參數或值相比較,來決定流體供給容器之終點。以此方式,可利用參考剖面以回應於動態監測之製程條件、系統組件之輸出,等等而管理系統操作。
第4圖為對於利用毛細管輔助的流動控制的說明性流體供給容器,在恆流條件下隨著時間變化之輸送壓力的曲線圖,其中該曲線圖圖示當容器接近或到達
終點條件時正供給之流體之輸送壓力的漸增及驟降。如圖所示,輸送壓力曲線具有反曲點A,輸送壓力在反曲點A處於最大值,且因容器快速進入耗竭狀態,故隨後存在輸送壓力之急劇下降。可藉由適當監測輸送壓力或處理系統中展示流體供給容器之終點條件下類似反曲點特性之其他變數,有效使用此製程特性,以使得偵測到所監測特性或參數之突變(在第4圖中對應於點A附近之輸送壓力行為),且利用該突變來啟動適合於終點條件之動作。此監測可涉及決定輸送壓力之變化率、對輸送壓力曲線求積分或識別且產生對終點條件之回應之其他操作。因此,可將終點選擇為輸送壓力曲線上反曲點A處之條件,或在供給容器壓力等於用於分配之設定點壓力之條件下,或在此類曲線上點A之前或之後的輸送壓力曲線上任何其他選定點處。
本揭示案在另一態樣中係關於一種流體供給系統,該流體供給系統包含:流體供給容器,該流體供給容器具有用於容納流體之內部容積;第一流路,該第一流路在該內部容積中經佈置以在自該容器供給流體期間控制流體之流動,該第一流路包括靜流限制設備及選擇性可致動閥元件;以及第二流路,該第二流路與該容器耦接以用於自該容器排出流體,其中該系統包含以下元件中之至少一者:
(i)該容器之內部容積中之緩衝貯存器,該緩衝貯存器與該第一流路耦接,經佈置以容納流體,以用於對流體釋放至第一流路進行緩衝;(ii)容器外部之緩衝貯存器,該緩衝貯存器與第二流路耦接,經佈置以容納流體,以用於對流體釋放至第二流路進行緩衝;(iii)壓力調節器,該壓力調節器經佈置以調節第二流路中之流體壓力;(iv)壓力傳感器,該壓力傳感器經佈置以監測第二流路中之流體壓力;以及(v)質量流量控制器,該質量流量控制器經佈置以控制第二流路中之流體之質量流量;其中當該系統中包含元件(ii)至(v)中之任何一或多者時,該系統可視需要進一步包含CPU,該CPU經可程式佈置以接收來自一設備之至少一個監測訊號,該設備監測流體供給容器或自該流體供給容器分配之流體的至少一個特性,以決定來自流體供給容器之流體供給之終點。
一個實施中之此類流體供給系統可包括質量流量控制器(v),其中CPU利用來自質量流量控制器之輸出訊號以輸出控制訊號來控制系統中之流體供給。來自質量流量控制器之輸出訊號可例如包含PID輸出訊號。在此類實施或其他實施中,CPU可經佈置以輸出控制訊號來調節容器上之流量控制閥(例如,在容器之閥頭中,或在第二流路中),或以其他方式終止第一及/
或第二流路中之流動。基於本文之揭示內容,將使人容易想到其他實施,在該等其他實施中,CPU經佈置以控制、實現系統之轉變以適應流體供給容器之終點條件,或以其他方式控制流體供給系統中之流體供給。
在此類說明性實施中之流體供給容器中,靜流限制設備可為任何適合類型,且可例如包含一或多個毛細管式或節流通道,且選擇性可致動閥元件可包含真空致動閥,或替代地,可如本文中不同描述以其他方式組成且佈置流體供給容器。基於本文之揭示內容,將使人容易想到額外實施。
本揭示案之不同實施例中之毛細管數目可為8至10或更多,例如,8至50、10至40、12至38、15至35或其他毛細管數目。毛細管內徑可為0.25毫米或更大,例如,0.25至5毫米、0.30至4毫米、0.4至3.5毫米、0.5至3.0毫米或其他適合尺寸。毛細管長度可為3.5吋長或更長,例如,3.5至20吋、4至10吋、4.5至8吋、5至7.5吋或其他適合長度。流體供給系統流體分配流動速率可為250至1000sccm或更大,例如,250至900sccm、300至850sccm、350至800sccm、400至750sccm或其他適合流動速率。
儘管已在本文中根據特定態樣、特徵及說明性實施例陳述本揭示案,但應瞭解,本揭示案之效用並不因此受限,而是如基於本文之揭示內容將使本發明領域之一般技術者想到之情況,擴展至且包含眾多其他變
型、修改及替代實施例。相應地,下文所主張之本發明意欲廣泛地理解及解釋為包括在本發明之精神及範疇內的所有此類變型、修改及替代實施例。
10‧‧‧流體供給及利用系統
12‧‧‧流體供給容器/運轉容器
14‧‧‧流體供給容器
16‧‧‧控制訊號傳送線
18‧‧‧控制訊號傳送線
22‧‧‧內部容積
24‧‧‧靜流限制設備
26‧‧‧流量調節設備
28‧‧‧排出導管
30‧‧‧閥頭
32‧‧‧自動閥致動器
34‧‧‧訊號傳送線
40‧‧‧流體排出管路
42‧‧‧下游流體利用設施
44‧‧‧流出物排出管路
46‧‧‧流出物處理單元
48‧‧‧通氣管路
50‧‧‧排出流體監測單元
52‧‧‧訊號傳送線
54‧‧‧流量控制閥
56‧‧‧控制訊號傳送線
60‧‧‧另一流量控制設備
64‧‧‧閥致動器
66‧‧‧閥頭
68‧‧‧排出口
70‧‧‧罩殼/外殼
72‧‧‧內部容積
74‧‧‧排出導管
76‧‧‧過濾器
78‧‧‧限流口
Claims (25)
- 一種用於一流體供給容器之終點監測及控制裝置,其中在該容器中的一流體流動路徑中安置一陣列之彼此平行佈置之毛細管,該容器包含一真空致動分配止回閥及一排出導管,該容器包含一閥頭,該排出導管輸送流體至該閥頭,該閥頭包含一閥元件及一排出口,該閥元件可在完全開啟及完全關閉的閥位置之間平移,該排出口用於分配來自該容器的流體,使得在該容器之分配操作中的流體經由該陣列的毛細管流動穿過該容器中的該流動路徑、該真空致動分配止回閥及該排出導管至該閥頭至該排出口,該終點監測及控制裝置包括:一監測單元,該監測單元經調適成監測該流體供給容器或自該流體供給容器供給之一流體的至少一個特性,及產生關於該特性之一輸出訊號;及一處理單元,該處理單元經佈置以接收該監測單元知該輸出訊號,及在該流體供給容器之一終點條件或自該流體供給容器供給之一流體下,回應地產生一輸出控制訊號以指示該終點條件。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,其中該處理單元經佈置以在該終點條件為處於或接近由該流體供給容器所分配的流體之壓力的一反曲點 的一條件時產生該輸出訊號。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,其中該終點條件的發生係藉由該處理單元依照針對該流體供給容器的所監測特性或針對自該流體供給容器供給之該流體所儲存的基線資訊來決定,使得該處理單元針對自該基線資訊的偏差來計算地評定來自該監測單元的該輸出訊號,該偏差指示該流體供給容器之一預定流體耗盡狀態的開始或達成。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,其中該監測單元經調適成以按該流體供給容器或自該流體供給容器供給之一流體的該至少一個特性,來監測以下一者或更多者:流體流動持續時間、流體流動速率、流體壓力、流體溫度、流體供給容器溫度、流體供給容器重量、及該流體供給容器所供給的該流體之一組分之濃度。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,其中該監測單元經調適以按該流體供給容器或自該流體供給容器所供給之一流體的該至少一個特性,來監測由該流體供給容器所分配的該流體之壓力。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,其中該監測單元經調適成按該流體供給容器或自該流體供給容器供給之一流體的該至少一個特性,來監測 由該流體供給容器所分配的該流體之流動速率。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,其中該終點條件包括以下一者或更多者:a)一預定流體流動速率;b)一預定流體壓力;c)一預定流體流動持續時間;d)一預定量之所分配流體;e)流體壓力中的一預定變化;f)流體流動速率中的一預定變化;及/或g)該流體供給容器及該流體供給容器之流體內含物之一預定重量或重量變化。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,其中該終點條件包括一預定流體壓力。
- 如請求項8所述之終點監測及控制裝置,其中該預定流體壓力包括自0至760托之一範圍內的壓力。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,其中該終點條件包括一預定流體流動速率。
- 如請求項10所述之終點監測及控制裝置,其中該預定流體流動速率包括自0.1至5標準立方公分/分鐘之一範圍內的流體流動速率。
- 如請求項1所述之終點監測及控制裝置,進一步包括一控制設備,該控制設備經操作地佈置以接收指示該終點條件的該輸出控制訊號,及回應地終止或協助終止來自該流體供給容器之流體分配。
- 如請求項12所述之終點監測及控制裝置,其中該控制設備包括一閥致動器,該閥致動器經佈置以控制在該流體供給容器的該閥頭中的該閥元件。
- 一種包含如請求項1所述之終點監測及控制裝置的流體供給裝置,該流體供給裝置操作地與該流體供給容器一起佈置。
- 如請求項14所述之流體供給裝置,其中在該流體供給容器中的該陣列的毛細管包括至少8個毛細管。
- 如請求項14所述之流體供給裝置,其中在該流體供給容器中的該陣列的毛細管包括自8至50個毛細管。
- 如請求項14所述之流體供給裝置,其中在該流體供給容器中的該陣列的毛細管包括內徑至少0.25mm的毛細管。
- 如請求項14所述之流體供給裝置,其中在該流體供給容器中的該陣列的毛細管包括內徑自0.25至5mm的一範圍內的毛細管。
- 如請求項14所述之流體供給裝置,其中在該流體供給容器中的該陣列的毛細管包括長度至少3.5吋的毛細管。
- 如請求項14所述之流體供給裝置,其中在該流體供給容器中的該陣列的毛細管包括長度自3.5至20吋的一範圍內的毛細管。
- 如請求項14所述之流體供給裝置,進一步包括一控制設備,該控制設備經操作地佈置以接收指示該終點條件的該輸出控制訊號,及回應地終止或協助終止來自該流體供給容器之流體分配。
- 如請求項21所述之流體供給裝置,其中該控制設備包括一閥致動器,該閥致動器經佈置以控制在該流體供給容器的該閥頭中的該閥元件。
- 如請求項14所述之流體供給裝置,經佈置以供給自該流體供給容器所分配的流體至一流體利用設施。
- 如請求項23所述之流體供給裝置,其中該流體利用設施為一半導體製造設施。
- 如請求項24所述之流體供給裝置,其中該半導體製造設施包括一離子植入器或氣相沈積腔室。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US35645110P | 2010-06-18 | 2010-06-18 | |
US36652310P | 2010-07-21 | 2010-07-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201633369A true TW201633369A (zh) | 2016-09-16 |
TWI575562B TWI575562B (zh) | 2017-03-21 |
Family
ID=45348923
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100121450A TWI543229B (zh) | 2010-06-18 | 2011-06-20 | 用於毛細管輔助的流動控制的終點決定 |
TW105112667A TWI575562B (zh) | 2010-06-18 | 2011-06-20 | 用於毛細管輔助的流動控制的終點決定 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100121450A TWI543229B (zh) | 2010-06-18 | 2011-06-20 | 用於毛細管輔助的流動控制的終點決定 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9109755B2 (zh) |
EP (1) | EP2583301B1 (zh) |
KR (1) | KR101821648B1 (zh) |
CN (2) | CN103026478B (zh) |
MY (1) | MY161289A (zh) |
SG (1) | SG186381A1 (zh) |
TW (2) | TWI543229B (zh) |
WO (1) | WO2011160105A2 (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8062965B2 (en) * | 2009-10-27 | 2011-11-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
MY161289A (en) | 2010-06-18 | 2017-04-14 | Entegris Inc | Endpoint determination for capillary-assisted flow control |
NO2948624T3 (zh) * | 2013-03-15 | 2018-03-31 | ||
CN105321837B (zh) * | 2014-06-23 | 2019-07-12 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 | 半导体处理设备及其在线故障检测方法 |
CN111498157B (zh) * | 2019-01-30 | 2023-05-02 | 百特国际有限公司 | 医用流体容器成型、灌装与密封系统及方法 |
WO2021222622A1 (en) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | Entegris, Inc. | Regulator assembly and test method |
CN114811434B (zh) * | 2022-05-10 | 2024-03-12 | 北京金海鑫压力容器制造有限公司 | 一种lng气化调压撬 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2945986B2 (ja) | 1990-07-30 | 1999-09-06 | 株式会社日本気化器製作所 | 気体燃料の圧力調整装置 |
JP3450575B2 (ja) | 1996-02-22 | 2003-09-29 | 長野計器株式会社 | ガスボンベの残量検出方法 |
US6521131B1 (en) * | 1996-12-16 | 2003-02-18 | Solmetex, Inc. | Combined oxidation and chelating adsorption system for removal of mercury from water |
US6007609A (en) | 1997-12-18 | 1999-12-28 | Uop Llc | Pressurized container with restrictor tube having multiple capillary passages |
JPH11265878A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-09-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 残留ガス分析により終点検出を提供する方法及び装置 |
US5937895A (en) | 1998-04-17 | 1999-08-17 | Uop Llc | Fail-safe delivery valve for pressurized tanks |
US6045115A (en) | 1998-04-17 | 2000-04-04 | Uop Llc | Fail-safe delivery arrangement for pressurized containers |
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ES2363298T3 (es) | 2007-06-05 | 2011-07-29 | L'air Liquide-Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Dispositivo de control de gas con cubierta protectora. |
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MY161289A (en) | 2010-06-18 | 2017-04-14 | Entegris Inc | Endpoint determination for capillary-assisted flow control |
US8550114B2 (en) | 2010-10-04 | 2013-10-08 | Wilton Cahn Levine | Time remaining display assembly |
US9273799B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-03-01 | Praxair Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow from cylinders |
-
2011
- 2011-06-18 MY MYPI2012005487A patent/MY161289A/en unknown
- 2011-06-18 EP EP11796569.9A patent/EP2583301B1/en not_active Not-in-force
- 2011-06-18 KR KR1020137001312A patent/KR101821648B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-18 CN CN201180036342.3A patent/CN103026478B/zh active Active
- 2011-06-18 CN CN201510518383.6A patent/CN105047591B/zh active Active
- 2011-06-18 US US13/704,612 patent/US9109755B2/en active Active
- 2011-06-18 SG SG2012092904A patent/SG186381A1/en unknown
- 2011-06-18 WO PCT/US2011/041013 patent/WO2011160105A2/en active Application Filing
- 2011-06-20 TW TW100121450A patent/TWI543229B/zh active
- 2011-06-20 TW TW105112667A patent/TWI575562B/zh active
-
2015
- 2015-07-10 US US14/796,723 patent/US9631778B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201220351A (en) | 2012-05-16 |
US20130125999A1 (en) | 2013-05-23 |
EP2583301A4 (en) | 2016-08-24 |
MY161289A (en) | 2017-04-14 |
SG186381A1 (en) | 2013-01-30 |
EP2583301A2 (en) | 2013-04-24 |
CN105047591B (zh) | 2018-02-13 |
WO2011160105A2 (en) | 2011-12-22 |
CN105047591A (zh) | 2015-11-11 |
TWI543229B (zh) | 2016-07-21 |
KR20130036281A (ko) | 2013-04-11 |
CN103026478B (zh) | 2015-08-19 |
TWI575562B (zh) | 2017-03-21 |
CN103026478A (zh) | 2013-04-03 |
US9631778B2 (en) | 2017-04-25 |
KR101821648B1 (ko) | 2018-01-25 |
US20150308626A1 (en) | 2015-10-29 |
EP2583301B1 (en) | 2018-12-05 |
US9109755B2 (en) | 2015-08-18 |
WO2011160105A3 (en) | 2012-04-05 |
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