KR101010573B1 - 반도체 제조용 케미컬 공급 장치 및 반도체 제조용 케미컬공급방법 - Google Patents

반도체 제조용 케미컬 공급 장치 및 반도체 제조용 케미컬공급방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 케미컬 공급 장치 및 반도체 제조용 케미컬 공급방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 반도체 공정 챔버에 반도체 제조용 케미컬을 공급할 때, 반도체 제조용 케미컬이 일정한 압력 범위 이내에서 유지되도록 하고, 반도체 제조용 케미컬이 자동으로 보충되어 반도체 공정 챔버에 계속적으로 케미컬을 공급하는 반도체 제조용 케미컬 공급장치 및 반도체 제조용 케미컬 공급방법을 제공하는 데 있다.
이를 위해 본 발명은 케미컬을 담고 있는 제 1 용기; 제 1 용기와 관로에 의해 연결되며, 케미컬을 담고 있는 제 2 용기; 제 1 용기와 제 2 용기를 연결하는 관로에 설치되고, 외부 신호에 의해 제어되는 개폐밸브; 제 1 용기의 내부 압력을 측정하고, 측정된 압력을 신호로 출력하는 압력 센서; 및 압력 센서와 전기적으로 연결되어 제 1 용기의 내부 압력을 전기적인 신호로 입력받고, 제 1 용기의 내부 압력의 변화에 따라 개폐밸브를 온 또는 오프시키는 제어부로 이루어진 반도체 제조용 케미컬 공급장치를 개시한다.
케미컬, 케미컬 공급장치, 압력 센서, 개폐밸브, 용기

Description

반도체 제조용 케미컬 공급 장치 및 반도체 제조용 케미컬 공급방법{CHEMICAL FOR SEMICONDUCTOR PROCESS SUPPLY DEVICE AND A SUPPLYING METHOD OF CHEMICAL FOR SEMICONDUCTOR}
본 발명은 반도체 제조용 케미컬 공급 장치 및 반도체 제조용 케미컬 공급방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 공정 챔버에 케미컬을 공급하는 반도체 제조용 케미컬 공급 장치 및 반도체 제조용 케미컬 공급방법에 관한 것이다.
반도체 기판을 제조하는 공정 중 화학 기상적 증착(Chemical Vapor Deposition ; 'CVD' 공정)과 확산(Diffusion) 공정이 있다.
이들 공정들은 케미컬을 공급하는 장치로부터 반도체 제조용 케미컬을 공급받아 CVD 공정과 확산 공정을 진행하게 된다.
케미컬을 공급하는 장치는 케미컬을 담은 공급 용기가 CVD 공정 또는 확산공정을 진행하는 챔버와 관로에 의해 연결되어 케미컬을 공급하게 된다. 상기 케미컬을 공급하는 장치는 CVD 공정 또는 확산공정을 진행하는 과정에서 공급용기 내부에 케미컬이 떨어지는 것을 방지하기 위하여 공급용기에 케미컬을 보충하기 위한 또 다른 보조 용기를 구비하게 된다.
여기서, 상기한 용기들은 관로에 의해 서로 연결되거나 각각이 독립적으로 공정 챔버와 연결되어 케미컬을 공급하고 있다. 이 중에서도 용기들이 관로에 의해 서로 연결된 경우, 케미컬을 공정챔버에 공급하는 공급 용기는 내부에 플로트 센서가 설치되어 케미컬의 부족시 보조용기로부터 케미컬을 공급받게 된다. 또한, 공급용기는 공급용기의 무게를 감지하는 로드셀이 장착될 수 있는데, 공급용기에 로드셀이 장착된 경우, 공급용기는 공급용기의 무게변화에 따라 보조용기로부터 케미컬을 보충받기도 한다.
하지만, 플로트 센서를 설치하여 용기에 케미컬을 보충하는 경우, 플로트 센서는 핀이 마모되는 등의 기계적인 특성으로 인해서 작동하지 않게 되고, 이로 인해 공급용기는 보조용기로부터 케미컬을 보충받지 못하게 된다. 또한, 로드셀을 이용하여 보조 용기로부터 케미컬을 공급받는 공급용기는 케미컬의 무게 변화에 따른 로드셀의 켈리브레이션(Calibration)이 변경되어 보조용기로부터 케미컬의 보충이 제대로 이루어지지 않게 된다.
따라서, 공급용기는 케미컬을 공급받지 못하여 공정 챔버에 케미컬을 공급하지 못하게 되고, 그로 인해 공정 챔버는 작업이 중지되는 문제가 발생한다. 또한, 공급용기의 압력은 어느 일정 범위 이내에서 유지되어야 공정챔버의 작업에 영향을 미치지 않게 된다. 만약, 공급용기의 압력이 어느 일정값 이하로 떨어지게 되면, 공정챔버는 공정이 제대로 이루어 지지 않는 문제가 발생한다.
상기한 문제를 해결하고자 하는 기술적 과제는 반도체 공정 챔버에 반도체 제조용 케미컬을 공급할 때, 반도체 제조용 케미컬이 일정한 압력 범위 이내에서 유지되도록 하고, 반도체 제조용 케미컬이 자동으로 보충되어 반도체 공정 챔버에 계속적으로 케미컬을 공급하는 반도체 제조용 케미컬 공급장치 및 반도체 제조용 케미컬 공급방법을 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조용 케미컬 공급장치는 케미컬을 담고 있는 제 1 용기; 상기 제 1 용기와 관로에 의해 연결되며, 케미컬을 담고 있는 제 2 용기; 상기 제 1 용기와 상기 제 2 용기를 연결하는 관로에 설치되고, 외부 신호에 의해 제어되는 개폐밸브; 상기 제 1 용기의 내부 압력을 측정하고, 측정된 압력을 신호로 출력하는 압력 센서; 및 상기 압력 센서와 전기적으로 연결되어 상기 제 1 용기의 내부 압력을 전기적인 신호로 입력받고, 상기 제 1 용기의 내부 압력의 변화에 따라 상기 개폐밸브를 온 또는 오프시키는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제어부는 상기 압력 센서가 측정한 압력이 제 1 임계값 이하일 때 상기 개폐밸브를 오픈시켜 상기 제 2 용기에서 상기 제 1 용기로 케미컬을 공급하고, 상기 압력 센서가 측정한 압력이 상기 제 1 임계값보다 1.5psig 내지 4.0psig 큰 제 2 임계값일 경우, 상기 개폐밸브를 클로즈 시켜 상기 제 2 용기에서 상기 제 1 용기로 공급되는 케미컬을 차단할 수 있다.
또한, 상기 제 2 용기는 외부에서 공급되는 케미컬 공급 관로에 의해 가압될 수 있다.
또한, 상기 압력 센서는 상기 제 1 용기의 압력을 전압 또는 전류량으로 환산하여 상기 제어부에 공급할 수 있다.
한편, 본 발명의 반도체 제조용 케미컬 공급 방법은 제 1 용기를 통해 반도체 공정 챔버에 케미컬을 공급하는 공급단계; 상기 제 1 용기 내의 압력이 제 1 임계값 이하로 낮아질시에 제 2 용기로부터 제 1 용기에 케미컬을 보충하는 보충단계; 및 상기 제 1 용기 내의 압력이 상기 제 1 임계값보다 높은 압력값을 가지는 제 2 임계값으로 설정될 시에 상기 제 1 용기에 보충되는 케미컬을 차단하는 차단단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 보충단계에서의 상기 제 1 임계값과 상기 차단단계에서의 상기 제 2 임계값의 차이는 1.5psig 내지 4.0psig 일 수 있다.
본 발명의 반도체 제조용 케미컬 공급 장치 및 반도체 제조용 케미컬 공급 방법은 반도체 공정 챔버에 반도체 제조용 케미컬을 공급할 때, 반도체 공정을 진행하는 챔버에 공정변수를 일으키지 않을 만한 범위 이내의 압력에서 케미컬을 공급하고, 용기는 자동적으로 케미컬이 보충되어 반도체 공정 챔버에 계속적으로 케미컬을 공급할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 설명하기로 한다. 이하의 실시예들에서는 동일한 구성요소에 대해 동일한 도면부호를 사용하기로 하 며, 동일한 구성요소의 중복되는 설명은 가능한 하지 않기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급 장치의 블럭도이다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급 장치가 사용하는 케미컬은 반도체 제조 공정에 사용되는 TEOS, B, P, Tin, Alfa-1 및, Alfa-4와 같은 물질을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 제조용 케미컬 공급 장치는 CVD장비, 확산(Diffusion) 장비등과 연결되어 반도체 제조용 케미컬을 공급할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급장치(100)는 제 1 용기(110), 제 2 용기(120), 개폐밸브(130), 압력 센서(140) 및, 제어부(150)를 포함하여 형성된다.
상기 제 1 용기(110)는 케미컬을 담고 있다. 상기 제 1 용기(110)는 반도체 공정을 진행하는 공정 챔버(미도시)에 케미컬을 공급하기 위하여 용기 내부에 일정 이상의 케미컬을 유지한다. 또한, 제 1 용기(110)는 고압으로 케미컬을 압축시키기 위하여 탱크형태의 고압용기에 케미컬로 형성될 수 있다. 여기서, 제 1 용기(110)는 프로세스 캐니스터(Process Canister)라고 불리우기도 한다. 또한, 제 1 용기(110)에는 케미컬을 공급받기 위한 유입구(111)와, 케미컬을 배출하기 위한 배출구(112) 및, 제 1 용기(110) 내부에 이물질 및 기포등을 제거하기 위한 보조출구(113)가 형성될 수 있다.
상기 제 2 용기(120)는 케미컬을 담고 있다. 또한, 제 2 용기(120)는 상기 제 1 용기(110)와 관로에 의해 연결되어 제 1 용기(110) 내부의 케미컬이 일정량을 유지하도록 제 1 용기(110)에 케미컬을 공급한다. 여기서, 제 2 용기(120)는 외부에서 공급되는 케미컬 공급 관로(121a)와 연결되어 케미컬을 공급받을 수 있으며, 이 경우 제 2 용기(120)는 가압되어 제 1 용기(110)의 압력보다는 큰 압력으로 설정될 수 있다. 따라서, 제 1 용기(110)와 제 2 용기(120)의 연결하는 개폐부(130)가 오픈되는 경우, 제 2 용기(120)는 내부에 있는 케미컬을 제 1 용기(110)로 공급할 수 있다. 한편, 제 2 용기(120)는 제 1 용기(110)와 같은 탱크 형태의 고압용기로 형성될 수 있으며, 상기 제 2 용기(120)는 벌크 캐니스터(Bulk Canister)라고 불리우기도 한다. 또한, 제 2 용기(120)는 케미컬을 공급받기 위한 유입구(121)와, 케미컬을 배출하기 위한 배출구(122) 및, 제 2 용기(120) 내부에 이물질 및 기포등을 제거하기 위한 보조출구(123)가 형성될 수 있다. 도 1에서는 제 1 용기(110)의 유입구(111)와 제 2 용기(120)의 배출구(122)가 연결된 상태이다. 또한, 제 2 용기(120)의 유입구(121)는 케미컬 공급용 개폐 밸브(121b)가 연결되고, 케미컬 공급용 개폐 밸브(121b)는 케미컬 공급 관로(121a)와 연결될 수 있다. 이 경우, 케미컬 공급용 개폐 밸브(121b)는 오픈 또는 클로즈되어 케미컬을 제 2 용기(120)로 공급하거나 차단시킬 수 있다.
상기 개폐밸브(130)는 상기 제 1 용기(110)와 상기 제 2 용기(120)를 연결하는 관로에 설치되고, 외부 신호에 의해 제어된다. 개폐밸브(130)는 외부 신호에 제어되어 온/오프 동작을 하는 솔레노이드 공압밸브, 마그네틱 개폐밸브 및, 다이어프램형 개폐밸브등으로 형성될 수 있다. 또한, 제 1 용기(110)의 유입구(111)와 제 2 용기(120)의 배출구(121) 사이의 관로에 설치된 개폐밸브(130)의 주변에는 제 2 용기(120)를 또 다른 관로들과 연결시키기 위한 공급방향 변경용 개폐밸브(130a)가 더 설치될 수 있다. 또한, 제 2 용기(120)의 배출구(122)에는 제 2 용기(120) 내부의 케미컬이 배출되기 위한 것을 막기 위한 케미컬 차단용 개폐밸브(130b)가 더 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 공급방향 변경용 개폐밸브(130a)와 케미컬 차단용 개폐밸브(130b)가 오픈되어 제 2 용기(120)에서 제 1 용기(110)로 케미컬이 공급될 수 있는 상태이다.
상기 압력 센서(140)는 상기 제 1 용기(110)의 내부 압력을 측정하고, 측정되는 압력을 신호로 출력한다. 이 경우, 출력되는 신호는 제 1 용기(110)의 내부 압력의 변화에 따라 전압 또는 전류와 같은 전기적인 신호량을 달리하여 출력할 수 있다. 또한, 압력 센서(140)는 제 1 용기(110)의 보조출구(113) 또는 배출구(112)에 설치된 상태에서 제 1 용기(110)의 압력을 측정할 수 있다.
상기 제어부(150)는 상기 압력 센서(140)와 전기적으로 연결되어 상기 제 1 용기(110)의 내부 압력을 전기적인 신호로 입력받고, 상기 제 1 용기(110)의 내부 압력의 변화에 따라 상기 개폐밸브(130)를 온(on) 또는 오프(off)시킨다. 이러한 제어부(150)는 프로그래머블 로직 컨트롤러(Programmable Logic Controller; 'PLC')로 형성되어 압력 센서(140)에서 출력된 신호를 입력받고 입력된 압력 신호에 따라 개폐부(130)를 제어하여 제 2 용기(120)로부터 제 1 용기(110)로 케미컬을 자동적으로 보충시킨다.
상기한 바와 같이, 반도체 제조용 케미컬 공급 장치(100)는 제 1 용기(110) 의 압력에 따라 제어부(150)가 개폐밸브(130)를 자동적으로 제어하여 제 2 용기(120)로부터 제 1 용기(110)로 케미컬을 자동적으로 보충하게 된다. 따라서, 제 1 용기(110)는 케미컬이 일정량 이상 보충됨으로 반도체 제조공정시 케미컬이 떨어져 반도체 공정이 중단되지 않게 한다.
또한, 상기 제어부(150)는 상기 압력 센서(140)가 측정한 압력이 제 1 임계값 이하일 때 상기 개폐밸브(130)를 오픈시켜 상기 제 2 용기(120)에서 상기 제 1 용기(110)로 케미컬을 공급한다. 예를 들어, 압력 센서(140)가 측정한 제 1 용기(110)의 압력이 32psig일 때, 제어부(150)는 개폐밸브(130)에 신호를 보내 개폐밸브(130)를 오픈시켜 제 2 용기(110)로부터 제 1 용기(110)로 케미컬을 공급한다.
또한, 상기 압력 센서(140)가 측정한 압력이 상기 제 1 임계값인 32psig보다 1.5psig 내지 4.0psig 큰 제 2 임계값일 경우, 상기 개폐밸브(130)를 클로즈시켜 상기 제 2 용기(120)에서 상기 제 1 용기(110)로 공급되는 케미컬을 차단한다. 예를 들어, 압력 센서(140)가 처음 측정한 제 1 용기(110)의 압력이 32psig일 때, 제어부(150)는 개폐밸브(130)에 신호를 보내 개폐밸브(130)를 오픈시키고, 제 1 임계값인 32psig에서 증가된 값이 1.5psig 내지 4.0psig의 범위 가운데 어느 하나의 값일 경우, 제어부(150)는 개폐밸브(130)에 신호를 보내 개폐밸브(130)를 차단시킨다. 따라서, 제 1 용기(110)는 제 2 용기(120)로부터 케미컬의 공급이 중지되므로, 제 1 용기(110)는 리필량을 일정하게 유지하게 된다. 또한, 제 1 용기(110)는 내부 압력이 제 1 임계값인 32psig에서 최고 4.0psig가 더해진 36psig의 범위내에서 유지되므로, 반도체 공정장치에 공급하는 압력을 어느 일정 범위내에서 유지할 수 있 게 된다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급 방법의 순서도이다. 도 2b는 도 2a의 순서도에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급 방법의 흐름도이다. 도 2c는 도 2a 및 도 2b의 순서도 및 흐름도를 진행한 상태에 따른 제 1 용기의 압력과 무게의 도시한 그래프이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급 방법은 공급단계(S1)와, 보충단계(S2) 및, 차단단계(S3)를 포함하여 형성된다. 본 실시예에서는 각각의 단계에 도 1를 더 참조하여 설명하기로 한다. 또한, 각각의 단계를 설명할 때, 반도체 제조용 케미컬 공급 방법의 흐름도인 도 2b와 제 1 용기의 압력과 무게를 도시한 그래프인 도 2c를 더 참조하여 설명하기로 한다.
상기 공급단계(S1)는 제 1 용기(110)를 통해 반도체 공정 챔버에 케미컬을 공급한다. 여기서, 케미컬이 공급되는 공정 챔버는 CVD장비 또는 확산공정에 사용되는 장비일 수 있으며, 케미컬은 반도체 제조 공정에 사용되는 TEOS, B, P, Tin, Alfa-1 및, Alfa-4와 같은 물질을 사용할 수 있다. 도 2c를 참조하면, 공급단계(S1)에서의 제 1 용기(110)의 압력은 최초 12200gram으로 설정된 상태에서 반도체 공정 챔버에 케미컬을 공급하게 되면, 제 1 용기(110)의 무게(270)는 제 1a 선도(270a)를 따라 줄어들게 된다. 이때, 제 1 용기(110)는 내부의 압력(280)이 제 2a 선도(280a)를 따라 줄어들게 된다.
상기 보충단계(S2)는 상기 제 1 용기(110) 내의 압력이 제 1 임계값 이하로 낮아질시에 제 2 용기(120)로부터 제 1 용기(110)에 케미컬을 보충한다. 도 2c에서는 제 1 임계값이 36psig로 설정된 상태이다. 따라서, 제 1 용기(110)는 내부 압력이 제 1 임계값인 36psig로 설정되면, 제 2 용기(120)는 제 1 용기(110)로 케미컬을 보충한다. 이때, 제 2 용기(120)로부터 제 1 용기(110)로 보충이 시작되면, 제 1 용기(110)의 무게는 제 1b 선도(270b)를 따라 늘어나게 되고, 제 1 용기(110)의 내부 압력은 제 2b 선도(280b)를 따라 증가하게 된다.
상기 차단단계(S3)는 상기 제 1 용기(110) 내의 압력이 상기 제 1 임계값보다 높은 압력값을 가지는 제 2 임계값으로 설정될 시에 상기 제 1 용기(110)에 보충되는 케미컬을 차단한다. 도 2c는 제 1 용기(110)의 제 2 임계값이 38psig로 설정되었고, 제 1 용기(110)의 제 2 임계값이 38psig일 때 제 2 용기(120)에서 보충되는 케미컬이 차단되는 상태를 나타내었다. 이 경우, 제 1 용기(110)의 무게(270)는 제 1 용기(110)에 보충되는 케미컬의 리필이 끝난 상태로서 제 1b 선도(270b)의 최고점인 12400gram으로 설정된다.
여기서, 상기 보충단계(S2)에서의 상기 제 1 임계값과, 상기 차단단계(S3)에서의 상기 제 2 임계값의 차이는 1.5psig 내지 4.0psig로 형성될 수 있다. 도 2c에 도시된 제 1 용기(110)의 내부 압력(280) 중 최저 압력값은 36psig이고, 최고 압력값은 38psig로 형성되어 있다. 즉, 제 1 용기(110)의 내부 압력(270)은 제 2 용기(120)로부터 리필을 반복하는 사이에 약 2psig의 압력 차이를 나타내고 있다. 이는 제 1 용기(110)가 반도체 공정 챔버에 안정된 압력을 공급하기 위한 하나의 예로서, 2psig 정도의 압력이 변동되는 범위내에서 반도체 공정 챔버에 케미컬을 공 급하여도 반도체 공정 챔버는 이상동작을 발생시키지 않는 상태에서 실험한 결과이다. 그러나, CVD 장비 또는 확산공정에 사용되는 장비는 반도체 기판의 크기에 따른 공정 챔버의 크기 및 공정 챔버의 압력 변화에 따른 공정오차의 정도에 따라서, 케미컬의 압력을 어느 특정한 범위 이내에서 설정하여야 한다. 즉, 압력 변화에 민감한 공정을 진행하는 공정 챔버는 케미컬의 압력 변동이 1.5psig 정도에서 그 공정을 진행하여야 한다. 또한, 압력 변화에 민감하지 않은 공정을 진행하는 공정 챔버에서는 제 1 용기(110)가 빠른 주기로 리필을 실시하는 과정에서 제조 공정상의 변수를 유발할 수 있다. 따라서, 압력 변화에 민감하지 않은 공정을 진행하는 공정챔버에서는 압력 변동이 4.0psig 정도의 범위 이내에서 그 공정을 진행하게끔 하여 제조 공정상의 변수를 최소화하면서 그 공정을 진행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급 장치의 블럭도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급 방법의 순서도이다.
도 2b는 도 2a의 순서도에 따른 반도체 제조용 케미컬 공급 방법의 흐름도이다.
도 2c는 도 2a 및 도 2b의 순서도 및 흐름도를 진행한 상태에 따른 제 1 용기의 압력과 무게의 도시한 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110; 제 1 용기 120; 제 2 용기
130; 개폐밸브 140; 압력 센서
150; 제어부
270; 제 1 용기의 무게 280; 제 1 용기의 내부 압력

Claims (6)

  1. 일정 범위의 내부 압력으로 케미컬을 담고 있는 제 1 용기;
    상기 제 1 용기와 관로에 의해 연결되며, 상기 제 1 용기의 내부 압력보다 높은 내부 압력으로 케미컬을 담고 있는 제 2 용기;
    상기 제 1 용기와 상기 제 2 용기를 연결하는 관로에 설치되고, 외부 신호에 의해 제어되는 개폐밸브;
    상기 제 1 용기의 내부 압력을 측정하고, 측정된 내부 압력을 신호로 출력하는 압력 센서; 및
    상기 압력 센서와 전기적으로 연결되어 상기 제 1 용기의 내부 압력을 전기적인 신호로 입력받고, 상기 제 1 용기의 내부 압력의 변화에 따라 상기 개폐밸브를 온 또는 오프시키는 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는 상기 압력 센서가 측정한 상기 제 1 용기의 내부 압력이 제 1 임계값 이하일 때 상기 개폐밸브를 오픈시켜 상기 제 2 용기에서 상기 제 1 용기로 케미컬을 공급하고, 상기 압력 센서가 측정한 상기 제 1 용기의 내부 압력이 상기 제 1 임계값보다 1.5psig 내지 4.0psig 큰 제 2 임계값일 경우, 상기 개폐밸브를 클로즈시켜 상기 제 2 용기에서 상기 제 1 용기로 공급되는 케미컬을 차단하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 케미컬 공급장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 용기는 외부에서 공급되는 케미컬 공급 관로에 의해 가압된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 케미컬 공급장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력 센서는 상기 제 1 용기의 압력을 전압 또는 전류량으로 환산하여 상기 제어부에 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 케미컬 공급장치.
  5. 일정 범위의 내부 압력으로 케미컬을 담고 있는 제 1 용기를 통해 반도체 공정 챔버에 케미컬을 공급하는 공급단계;
    상기 제 1 용기 내의 내부 압력이 제 1 임계값 이하로 낮아지는 경우에 상기 제 1 용기보다 높은 내부 압력으로 케미컬을 담고 있는 상기 제 2 용기로부터 상기 제 1 용기에 케미컬을 보충하는 보충단계; 및
    상기 제 1 용기 내의 내부 압력이 상기 제 1 임계값보다 높은 압력값을 가지는 제 2 임계값으로 되는 경우에 상기 제 1 용기에 보충되는 케미컬을 차단하는 차단단계를 포함하며,
    상기 제 1 임계값과 상기 제 2 임계값과의 차이는 1.5psig 내지 4.0psig 인 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 케미컬 공급 방법.
  6. 삭제
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