TW201631324A - 半導體裝置量測方法 - Google Patents

Abstract

數個半導體裝置的電氣特性能夠在一高溫量測環境中被有效地量測。被貼附於一環形框架上的一薄片是藉由使用一薄片預熱裝置來被加熱然後被冷卻。在那之後，一量測裝置在一高溫量測環境中量測個被貼附於該薄片上之半導體裝置的電氣特性。由於該薄片是事先被加熱及冷卻，該薄片是在無鬆弛下被擴張。縱使當該薄片是在那之後被放置在該高溫量測環境，因此，該薄片之因熱而起的膨脹是受抑制的。據此，被貼附於該薄片上之該數個半導體裝置(14)的位置與角度不會改變而是被維持。

Description

半導體裝置量測方法 發明領域

本發明有關於一種半導體裝置量測方法且，更特別地，係有關於一種測量被貼附到一薄片上之半導體裝置之電氣特性的半導體裝置量測方法。

發明背景

一半導體裝置是藉由使用一個比一半導體晶圓之尺寸大的環形框架來被測量。一具有一比該環形框架之內周緣大之圓形形狀的黏貼薄片是被固定到該環形框架，而該半導體晶圓是被貼附到該薄片上。貼附到該薄片上的該半導體晶圓是藉一切割裝置來被分割成數個半導體裝置。一半導體測試裝置的接觸元件是電氣連接到該數個分割半導體裝置的電極，而該數個半導體裝置的電氣特性是被一次測量。這半導體裝置測量方法是在日本專利早期公開第2007-178132號案中被揭示。

一半導體裝置的電氣特性根據該半導體裝置的使用環境是理想地在一處於比室溫高之溫度，例如，125℃，之高溫測量環境中被測量。在這情況中，供數個半導體裝 置用的一高溫測量環境必須藉由把一在它上面貼附有該數個半導體裝置的薄片置於一加熱板的放置表面上，並且加熱該薄片。如果這是被執行的話，然而，該薄片是因熱而膨脹及鬆弛，而貼附到該薄片上之該數個半導體裝置的位置與附著角度是改變。因此，該半導體測試裝置的接觸元件無法再接觸該等半導體裝置的電極，而且不再可能同時測量該數個半導體裝置的電氣特性。這造成了數個半導體裝置的電氣特性無法有效地在一高溫測量環境中被測量的問題。

發明概要

本發明之目的是為提供一種能夠在一高溫測量環境中有效地測量數個半導體裝置之電氣特性的半導體裝置測量方法。

為了達成上述目的，本發明之半導體裝置測量方法包括把一當在被加熱之後被冷卻時收縮的薄片貼附到一環狀框架上的一薄片貼附步驟、把一在其中有數個半導體裝置以矩陣形式形成之骨料貼附到該薄片之表面上的一骨料貼附步驟、藉由切割被貼附到該薄片之表面上之骨料來切割該數個半導體裝置的一切割步驟、把該在它上面是貼附有該數個分割半導體裝置之薄片放置在一加熱裝置之放置表面上的一放置步驟、以該加熱裝置把貼附在該薄片上之該數個分割半導體裝置加熱的一加熱步驟、當該數個分割半導體裝置被加熱時測量該數個分割半導體裝置之電氣 特性的一量測步驟、及在該薄片貼附步驟之後且在該放置步驟之前加熱該薄片而然後冷卻該薄片的一預加熱步驟。

被貼附在該框架上的薄片是被加熱及在那之後被冷卻，所以該薄片是在無鬆弛之下膨脹。即使當一高溫量測環境是藉由在這狀態下把該薄片放置在該加熱裝置的放置表面上且由該加熱裝置加熱該薄片來被產生時，該薄片之因熱而起的膨脹能夠被抑制。據此，被貼附在該薄片上之該數個半導體裝置的位置與角度不被改變而是被維持。這使得要在高溫量測環境下有效地量測該數個半導體裝置的電氣特性是有可能的。

1‧‧‧半導體裝置量測系統

2‧‧‧自動薄片貼附裝置

3‧‧‧薄片預熱裝置

4‧‧‧自動半導體條帶貼附裝置

5‧‧‧切割裝置

6‧‧‧量測裝置

7‧‧‧UV硬化裝置

8‧‧‧分類裝置

10‧‧‧薄薄片本體

11‧‧‧薄片

11a‧‧‧PET基材

11b‧‧‧黏著材料

12‧‧‧環形框架

12a‧‧‧圓形開孔

13‧‧‧半導體條帶

14‧‧‧半導體裝置

14c‧‧‧半導體晶片

14m‧‧‧模鑄樹脂

14r‧‧‧導線架

17‧‧‧高溫環境爐

20‧‧‧切割刀

24‧‧‧夾持台

24a‧‧‧凹室

24b‧‧‧側表面

24c‧‧‧側表面

25‧‧‧接觸器

25a‧‧‧主體

26‧‧‧探針

26a‧‧‧前端部份

26b‧‧‧後端部份

27‧‧‧測試器

27a‧‧‧量測單元

27b‧‧‧診斷單元

27c‧‧‧傳輸單元

28‧‧‧黑燈

30‧‧‧推針

31‧‧‧接收單元

32‧‧‧分類單元

50‧‧‧熱板

51‧‧‧加熱器

52‧‧‧管連接元件

52a‧‧‧貫孔

53‧‧‧夾持元件

53a‧‧‧放置表面

54‧‧‧管連接元件

54a‧‧‧貫孔

55‧‧‧真空路徑

56‧‧‧真空路徑

70‧‧‧熱板

71‧‧‧夾持台

71a‧‧‧放置表面

71b,71c‧‧‧側表面

72‧‧‧凹槽

73,74‧‧‧管連接元件

73a,74a‧‧‧貫孔

75,76‧‧‧真空路徑

101‧‧‧半導體裝置量測系統

102‧‧‧半導體裝置量測系統

S1‧‧‧自動薄片貼附步驟

S2‧‧‧薄片預熱步驟

S3‧‧‧自動半導體條帶貼附步驟

S4‧‧‧切割步驟

S5‧‧‧放置步驟

S6‧‧‧加熱步驟

S7‧‧‧量測步驟

S8‧‧‧UV硬化步驟

S9‧‧‧分類步驟

圖1是為一顯示一要被使用於本發明之第一實施例之一半導體裝置量測方法之半導體裝置量測系統之整體結構的方塊圖；圖2是為一用於說明使用一自動薄片貼附裝置之薄片貼附步驟的圖式；圖3是為一用於說明使用一薄片預熱裝置之薄片預熱步驟的圖式；圖4A是為一顯示一半導體條帶被貼附在一薄片上之狀態的立體圖；圖4B是為一以放大比例方式顯示在圖4A中所示之一個部份S的立體圖；圖5A是為一用於說明使用一切割裝置之切割步驟的圖式； 圖5B是為一以放大比例方式顯示圖5A之主部份的圖式；圖6是為一顯示該半導體條帶由該切割裝置切割之狀態的剖面圖；圖7是為一顯示一量測裝置之配置的圖式；圖8是為一顯示該量測裝置之熱板的立體圖；圖9是為一顯示該薄片被放置在該量測裝置之熱板上之狀態的立體圖；圖10是為一顯示該量測裝置之熱板之結構的剖視圖；圖11是為一用於說明使用一UV硬化裝置之UV硬化步驟的立體圖；圖12是一顯示該UV硬化裝置以紫外線照射該薄片之方式的剖視圖；圖13是為一顯示一分類裝置之配置的圖式；圖14是為一顯示本發明之第一實施例之半導體裝置量測方法之步驟的流程圖；圖15是為一顯示在由該切割裝置切割之前與之後之半導體條帶之狀態的剖視圖；圖16是為一顯示一半導體裝置由一推針推起來之狀態的剖視圖；圖17是為一顯示一要在本發明之第二實施例之半導體裝置量測方法中使用之半導體裝置量測系統之整體結構的方塊圖；圖18是為一顯示本發明之第二實施例之半導體裝置量 測方法之步驟的流程圖；圖19是為一顯示一要在本發明之第三實施例之半導體裝置量測方法中使用之半導體裝置量測系統之整體結構的方塊圖；圖20是為一顯示本發明之第三實施例之半導體裝置量測方法之步驟的流程圖；圖21是為一顯示本發明之第四實施例之量測裝置之熱板與一要被放置在該熱板上之薄片的立體圖；及圖22是為一顯示本發明之第四實施例之量測裝置之熱板之結構的剖視圖。

較佳實施例之詳細說明 <第一實施例>

本發明的第一實施例將會配合該等附圖在下面作說明。

<半導體裝置量測系統的整體結構>

如在圖1中所示，一半導體裝置量測系統1包括一自動薄片貼附裝置2、一薄片預熱裝置3、自動半導體條帶貼附裝置4、切割裝置5、量測裝置6、UV硬化裝置7、及分類裝置8。

<自動薄片貼附裝置>

該自動薄片貼附裝置2是為一用於自動地把一薄片11貼附到一環形框架12上的裝置。如在圖2中所示，該環形框架12是為一在平面圖中具有一圓形環形形狀的薄板- 狀框架，而且具有一圓形開孔12a。該自動薄片貼附裝置2從一被捲成輥形的薄薄片本體10切割出該在平面圖中具有一圓形形狀的薄片11，並且把該薄片11之黏著材料11b(圖6)的邊緣貼附到該環形框架12上。

注意的是該環形框架12不必一定是圓形環，而也能夠是為長方形環等等。如果是這種情況，該薄片11是被切割成一個對應於該環形框架12之形狀的形狀，例如，長方形形狀。而且，該自動薄片貼附裝置2不必一定是被使用，在執行簡單的定位之後手動地把該薄片11貼附到該環形框架12上也是有可能的。

<薄片>

該薄片11具有一稍微比該環形框架12之開孔12a大的直徑。如在圖6中所示，該薄片11是為一藉由把UV-硬化黏著材料11b堆疊在一PET(聚乙二醇對苯二甲酸酯)基材11a上來被得到的UV(紫外線)薄片。當該薄片11以紫外線外部地照射時，該黏著材料11b的黏著力下降。

該薄片11具有的擴張/收縮特性為該薄片11當被加熱到一個比室溫(第一溫度)高的溫度(第二溫度)時擴張，例如，100℃，而如果它是在那個之後被冷卻到室溫的話則收縮比在加熱之前更大的程度。該薄片11的這擴張/收縮特性也能夠被界定為在冷卻時的收縮係數是比在加熱時的擴張係數大。要注意的是"室溫"是為一個由空氣調節所控制的溫度，而且是大約20℃至25℃。

以上所述的擴張/收縮特性是為在結晶性塑膠上 發現的特性。例如，把包括由PBT(聚對苯二酸丁二酯)形成之基材11a的薄片11使用作為結晶性塑膠也是有可能的。

<薄片預熱裝置>

如在圖3中所示，該薄片預熱裝置3包括一能夠產生比室溫高之溫度，例如，100℃或更高，之高溫環境的高溫環境爐17。在由該高溫環境爐17所產生的這高溫環境中，貼附在該環形框架12上的薄片11是與該環形框架12置放在一起並且被預熱。這製程於此後將會被稱為"預熱"。

<自動半導體條帶貼附裝置>

該自動半導體條帶貼附裝置4是為一個用於自動地把一半導體條帶13(將於稍後作描述)貼附到該由該薄片預熱裝置3預熱之薄片11之黏著材料11b上的裝置。注意的是該自動半導體條帶貼附裝置4不必一定被使用，而在執行簡單定位之後手動地把該半導體條帶13貼附到該薄片11上也是有可能的。

<半導體條帶>

如在圖4A和4B中所示，該半導體條帶13是為一骨料，在其中，數個半導體裝置14是以矩陣形式佈置及整合。該半導體條帶13的尺寸是比該環形框架12的開孔12a小。形成該半導體條帶13的每一半導體裝置14具有一結構，在其中，一半導體晶片14c和一電氣連接至該半導體晶片14c的導線架14r是以一模鑄樹脂14m一體地密封。每一半導體裝置14的導線架14r是物理地和電氣地連接至相鄰之半導體裝置14的導線架14r並且以模鑄樹脂14m密封。

<切割裝置>

如在圖5A、5B、和6中所示，該切割裝置5是為一裝置，其固持與該在它上面是貼附有該半導體條帶13之薄片11整合在一起的環形框架12，並且以切割刀片20切割該半導體條帶13，藉此把該半導體條帶13分割成個別的半導體裝置14。

<量測裝置>

該量測裝置6是為一個用於同時地量測該數個半導體裝置14的裝置。在這實施例中，貼附在該薄片11上之該數個分割的半導體裝置14是為量測對象。該量測裝置6根據該等半導體裝置14的實際使用環境產生一處於一個比室溫高之溫度(第三溫度)，例如，125℃，的高溫量測環境，並且在這高溫量測環境下執行量測。在這情況中，該高溫量測環境的下限是為室溫，而其之上限是為125℃。

如在圖7中所示，該量測裝置6包括一作為一用於加熱該數個半導體裝置14之加熱裝置的熱板50、一包括數個探針26的接觸器25、及一連接至該數個探針26並且量測該等半導體裝置14之電氣特性的測試器27。

如在圖8至10中所示，該熱板50包括一加熱器51，和一個被固定在該加熱器51上的夾持台24。該夾持台24是由金屬製成，而且具有一個在平面圖中幾乎長方形形狀。一具有一個在平面圖中幾乎長方形形狀的凹室24a(圖10)是形成在該夾持台24的上表面。一具有一個在平面圖中幾乎長方形形狀的板狀夾持元件53是被裝配在該夾持台24的 凹室24a內。該夾持元件53是由一種包含大量氣隙與孔洞的多孔材料(陶瓷)製成。該夾持元件53具有一個能夠夾持該薄片11的非粗糙平放置表面53a。

各具有在側視圖中L形狀的兩個真空路徑55和兩個真空路徑56是形成在該夾持台24內部。該等真空路徑55和56中之每一者的末端是通向該夾持台24的凹室24a，而該等真空路徑55和56的另一末端是通向該夾持台24的側表面24b和24c。兩個管連接元件52和兩個管連接元件54是連接到該夾持台24的側表面24b和24c。貫孔52a和54a是形成在該等管連接元件52和54。該等管連接元件52和54的貫孔52a和54a是連接到該夾持台24的真空路徑55和56。一真空幫浦(圖中未示)是連接到該等管連接元件52和55。

該熱板50是被安裝在一能夠在一箭頭A-B方向(寬度方向)、一與該箭頭A-B方向垂直之箭頭C-D方向(深度方向)、和一箭頭E-F方向(高度方向)移動的X-Y台(圖中未示)上。

該接觸器25與該夾持台24的夾持元件53相對。該接觸器25包括一具有一幾乎平行六面體形狀的主體25a，及數個被固定到該主體25a的探針26。該等探針26是為要電氣連接至該等半導蒂裝置14之導線架14r的接觸元件。該等探針26延伸通過該主體25a。每一探針26的前端部份26a以該箭頭F的方向從該主體25a的下端向下突伸。每一探針26的後端部份26b以該箭頭E的方向從該主體25a的上端向上突伸，並且被連接到該測試器27。該數個探針26是被如此配 置以致於是與一個半導體裝置14的數個導線架14r相對。

該測試器27包括一用於當該等探針26之前端部份26a是電氣連接至該半導體裝置14的導線架14r時量測該半導體裝置14之導通狀態的量測單元27a、一用於依據由該量測單元27a所得到之量測結果來診斷該半導體裝置14之電氣特性的診斷單元27b、及一用於傳輸由該診斷單元27b所得到之診斷結果到該分類裝置8的傳輸單元27c。

<UV硬化裝置>

該UV硬化裝置7是為一用於以紫外線從該薄片11之基材11a的側面照射該薄片11的裝置。即，該薄片11是以紫外線從未貼附有半導體裝置14的表面照射。如在圖11和12中所示，該UV硬化裝置7包括數個平行配置於貼附在環形框架12上之薄片11之基材11a之側的黑燈28。

<分類裝置>

該分類裝置8是為一個依據由該量測裝置6之測試器27所作用之該數個半導體裝置14之電氣特性之診斷結果來把該數個半導體裝置14中之每一者分類成非缺陷產品或缺陷產品、把被分類為非缺陷產品之半導體裝置14從該薄片11移去、及以檢拾器把被移去之半導體裝置14檢拾的裝置。

如在圖13中所示，該分類裝置8包括一用於接收由該量測裝置6之測試器27所得到之半導體裝置14之診斷結果的接收單元31、一用於根據診斷結果來把該等半導體裝置14分類成非缺陷產品和缺陷產品的分類單元32、及一 用於從該薄片11下方僅推起由分類單元32分類為非缺陷產品之半導體裝置14的推針30。

<半導體裝置量測系統的量測運作>

由具有如上所述之結構之該半導體裝置量測系統1所作用的一量測半導體裝置14之電氣特性的運作將會配合圖14來作說明。

[自動薄片貼附步驟S1]

如在圖2中所示，該自動薄片貼附裝置2從該薄片本體10切割出比該環形框架12之開孔12a大的圓形薄片11，並且把該薄片11的外周緣貼附在該環形框架12上。在它上面被貼附有該薄片11的該環形框架12是從該自動薄片貼附裝置2傳輸到該薄片預熱裝置3。

[薄片預熱步驟S2]

該薄片預熱裝置3把貼附在該環形框架12上的薄片11容納在該高溫環境爐17內，並且在一處於100℃的高溫環境中把該薄片11加熱2分鐘(預熱時間)或更久。在那之後，該薄片預熱裝置3從該高溫環境爐17把該薄片11卸載，並且在室溫環境下自然冷卻該薄片11。

在這製程中，該薄片11在該高溫環境爐17中於高溫環境下擴張，並且在那之後於室溫環境下收縮。由於該薄片11之收縮係數是比擴張係數大的特性，張力是給予被貼附在該環形框架12上的薄片11，而且這樣能移除當該薄片11被貼附到該環形框架12上時所產生的鬆弛與起皺。這是該薄片11之透過由該薄片預熱裝置3所作用之預熱與冷 卻所得到的狀態。

為了得到該不具有上述之鬆弛與起皺的薄片11，僅需要把該高溫環境爐17的下限溫度設定在90℃作為形成該薄片11之PET的玻璃化轉變溫度Tg，及把該高溫環境爐17的上限溫度設定在260℃作為PET的溶點Tm(這熔點不是材料熔化的溫度而是聚合物熔點)。該薄片11的預熱時間是被設定在2分鐘或以上因為即使當一處於100℃的高溫環境是被設定在該高溫環境爐17中時，如果該預熱時間是小於2分鐘的話該薄片11的預熱/冷卻效果無法被得到。

[自動半導體條帶貼附步驟S3]

然後，該自動半導體條帶貼附裝置4把該半導體條帶13貼附到該被塗佈有該透過上述預熱與冷卻來移除掉鬆弛與起皺之薄片11之黏著材料11b的表面上。在那之後，該在它上面被貼附有該半導體條帶13的薄片11是與該環形框架12一起被轉移到該切割裝置5。

[切割步驟S4]

該切割裝置5，經由該環形框架12，固持從該自動半導體條帶貼附裝置4轉移的薄片11，並且以切割刀20切割被貼附在該薄片11上的該半導體條帶13，藉此把該半導體條帶13分割成個別的半導體裝置14。在這步驟中，如在圖15中所示，該切割刀20切割該在它上面被貼附有該半導體條帶13之薄片11的黏著材料11b，但不切割該薄片11的基材11a。該切割裝置5因此執行半切。

如先前所述，在該半導體條帶13中之相鄰之半導 體裝置14的導線架14r是物理地與電氣地連接。當該半導體條帶13的個別半導體裝置14被分開時，在相鄰之半導體裝置14之間的這電氣連接消失。據此，該量測裝置6能夠獨立地量測形成該半導體條帶13之該數個半導體裝置14的電氣特性。

[放置步驟S5]

由該切割裝置5所分割之該數個半導體裝置14全部依然由該黏著材料11b貼附在該薄片11上(圖7)。該量測裝置6把該在它上面被貼附有該數個分開之半導體裝置14的薄片11放置在該熱板50之夾持元件53的放置表面53a上。然後，該薄片11是經由該熱板50的管連接部份52和54以及該夾持台24的真空路徑55和56藉由以真空泵吸該薄片11來被夾持在該夾持元件53的放置表面53a。在這狀態下，至少該薄片11之在它上面被貼附有該數個半導體裝置14的部份必須被夾持在該放置表面53a。

[加熱步驟S6]

隨後，該量測裝置6以在它下面的加熱器51加熱該夾持台24，藉此把被貼附在該被夾持於夾持元件53之放置表面53a之薄片11上的數個分開半導體裝置14設定在一處於125℃的高溫量測環境。

於一個在該高溫量測環境是以該加熱器51加熱來被產生之前的浸泡時間中，位置調整是被執行以致於該數個半導體裝置14中之一者的導線架14r相對於該接觸器25的探針26。更特別地，一攝影機個別地捕捉該半導體裝 置14之導線架14r的影像和該接觸器25之探針26的影像，而且該X-Y台根據它們的捕捉影像來移動該熱板50以致於該等導線架14r相對於該等探針26。

被放置在該夾持元件53之放置表面53a的薄片11是藉加熱在無鬆弛之下擴張。即使處於高溫量測環境，因此，該薄片11是難以擴張而且無鬆弛或起皺。因此，被貼附在該薄片11上之該數個半導體裝置14相對於該等探針26的位置與角度維持與在由該加熱器51加熱之前的位置與角度不變。據此，在該等半導體裝置14之該數個導線架14r與該接觸器25之該數個探針26之間的位置關係縱使藉由以加熱器51加熱是不被改變，而是被維持。要防止該薄片11由於該薄片11之鬆弛與起皺而不易於被夾持在該夾持元件53之放置表面53a的不便也是有可能的。

[量測步驟S7]

在該有該數個半導體裝置14被加熱的高溫量測環境中，該接觸器25的主體25a在該箭頭F的方向向下移動，所以該等探針26的前端部份26a變成與該等半導體裝置14的該數個導線架14r接觸。該測試器27的量測單元27a經由該數個探針26量測該等半導體裝置14之該數個導線架14r的導通狀態。根據量測結果，該測試器27的診斷單元27b診斷每一半導體裝置14的電氣特性。該測試器27的傳輸單元27c把診斷結果(非缺陷產品或缺陷產品)傳輸到該分類裝置8。

當該測試器27完整地診斷在該高溫量測環境中 之貼附在薄片11上之所有該數個分開半導體裝置14的電氣特性時，該在它上面是貼附有該數個半導體裝置14的薄片11是被轉移到該UV硬化裝置7。

[UV硬化步驟S8]

該UV硬化裝置7的該數個黑燈28從該薄片11的基材11a側發射紫外線。因此，該薄片11之黏著材料11b的黏著力降低，而這樣不便於把該數個半導體裝置14自該薄片11移去。在這狀態下，該薄片11是被傳送到該分類裝置8。

[分類步驟S9]

該分類裝置8的接收單元31接收從該量測裝置6之測試器27傳輸之每一半導體裝置14的診斷結果。該分類裝置8的分類單元32依據該診斷結果把該數個半導體裝置14中之每一者分類成非缺陷產品或缺陷產品，並且控制該推針30俾可把被歸類為非缺陷產品的半導體裝置14推起。如在圖16中所示，被歸類為非缺陷產品的該半導體裝置14是由該推針30的前端部份30a從該薄片11下面推起。因此，該半導體裝置14是自該薄片11的黏著材料11b被移去，並且由該拾取器(圖中未示)檢拾起來。

注意的是被歸類為缺陷產品的半玄體裝置14未由該推針30的前端部份30a從該薄片11下面推起，而是被保持貼附在該薄片11上且最後被丟棄。

<效果>

被貼附在該環形框架12上之薄片11的鬆弛與起 皺是透過預熱和冷卻來被移除。在這狀態下，該薄片11是被放置在該量測裝置6之熱板50的放置表面53a上。縱使在由加熱器51加熱到125℃時，因此，該薄片11是難以擴張及鬆弛或起皺。據此，在該接觸器25之該數個探針26與該等半導體裝置14之該數個導線架14r之間的位置關係被調整之後，在它們之間的這位置關係不因由該加熱器51所作用的加熱而改變。

在這實施例中，該熱板50包括該夾持元件53。如上所述，該夾持元件53可靠地把該薄片11夾持在該放置表面53a上因為已經歷過預熱與冷卻的薄片11不會鬆弛或起皺。縱使在由該加熱器51加熱時，該薄片11既不鬆弛也不起皺而且是由該夾持元件53夾持在該放置表面53a上。藉由在由該加熱器51加熱之前與之後這樣夾持該薄片11在該放置表面53a上，在該接觸器25之該數個探針26與該等半導體裝置14之該數個導線架14r之間的位置關係是被更穩定地維持。

據此，該接觸器25之該數個探針26的前端部份26可靠地變成與該半導體裝置14的該數個導線架14r接觸，而該半導體裝置14的電氣特性是被量測。因此，貼附在該薄片11上之該數個半導體裝置14的電氣特性是被依序地量測。在這實施例中，因此，該數個半導體裝置14的電氣特性即使處於一高溫量測環境中依然能夠立刻被有效地量測。

注意的是一習知量測裝置包括一個大預熱結構俾可在高溫下量測半導體裝置。在該量測裝置6中，然而， 預熱能夠由該被安裝於該熱板50之夾持台24下面的加熱器51執行。由於這避免了在習知裝置中之大預熱結構的需求，因此，要簡化該裝置的結構並且縮減該裝置的尺寸與重量是有可能的。

<第二實施例>

接著，本發明的第二實施例將會被說明。如在圖17中所示，一半導體裝置量測系統101包括一自動薄片貼附裝置2、自動半導體條帶貼附裝置4、切割裝置5、薄片預熱裝置3、量測裝置6、UV硬化裝置7、及分類裝置8。該半導體裝置量測系統101的構成元件是與第一實施例之半導體裝置量測系統1的那些相同，但前者的佈局是與後者的佈局不同。即，這實施例與該第一實施例的不同為製程步驟的順序。

更具體地，在該半導體裝置量測系統101中，該薄片預熱裝置3是被配置在該切割裝置5之後與在該量測裝置6之前。即，如在圖18中所示，由該薄片預熱裝置3所作用的薄片預熱步驟S2是在由該切割裝置5所作用的切割步驟S4之後，與在由該量測裝置6所作用的放置步驟S5之前被執行。

縱使在該切割裝置5把一半導體條帶13分成數個半導體裝置14之後，該薄片預熱裝置3能夠藉由給予該薄片11張力來把鬆弛和起皺從一在它上面貼附有該數個分開半導體裝置14的薄片11移除，如果該時序是在該量測裝置6調整該數個半導體裝置14與一接觸器25之探針26的位置之前 的話。如在該第一實施例中，因此，即使在一高溫量測環境下該量測裝置6能夠有效地立刻量測該數個半導體裝置14的電氣特性。

<第三實施例>

本發明的第三實施例將會在下面作說明。如在圖19中所示，一半導體裝置量測系統102包括一自動薄片貼附裝置2、自動半導體條帶貼附裝置4、薄片預熱裝置3、切割裝置5、量測裝置6、UV硬化裝置7、及分類裝置8。該半導體裝置量測系統102的構成元件是與第一實施例之半導體裝置量測系統1的那些相同，但前者的佈局是與後者的佈局不同。即，這實施例與該第一實施例的不同為製程步驟的順序。

更具體地，在該半導體裝置量測系統102中，該薄片預熱裝置3是被配置在該自動半導體條帶貼附裝置4之後與該切割裝置5之前。即，如在圖20中所示，由該薄片預熱裝置3所作用的薄片預熱步驟S2是在由該自動半導體條帶貼附裝置4所作的自動半導體條帶貼附步驟S3之後與在由該切割裝置5所作用的切割步驟S4之前被執行。

縱使在一半導體條帶13被貼附於一薄片11上之後及在該切割裝置5把該半導體條帶13分成數個半導體裝置14之前，該薄片預熱裝置3能夠藉由給予該薄片11張力來把鬆弛和起皺從一在它上面貼附有該半導體條帶13的薄片11移除，如果該時序是在該量測裝置6調整該數個半導體裝置14與一接觸器25之探針26的位置之前的話。如在該第一 實施例中，因此，即使在一高溫量測環境下該量測裝置6能夠有效地立刻量測該數個半導體裝置14的電氣特性。

<第四實施例>

本發明的第四實施例將會在下面作說明。在該第四實施例中，於圖21中所示的一熱板70替換該第一至第三實施例中之每一者之量測裝置6的熱板50。據此，一自動薄片貼附裝置2、薄片預熱裝置3、自動半導體條帶貼附裝置4、切割裝置5、量測裝置6、UV硬化裝置7、及分類裝置8，除了該熱板70之外，是與該第一、第二、和第三實施例之半導體裝置量測系統1,101，和102的構成元件相同。

如在圖21和22中所示，該熱板70包括一加熱器51，像該熱板50一樣。在平面圖中具有一長方形形狀的一夾持台71是被固定在該加熱器51上。數個彼此連接的凹槽72是形成在該夾持台71的放置表面71a。該夾持台71是由鋁製成。因此，該夾持台71當它是由加熱器51加熱時的溫度是均稱的。注意的是該夾持台71不必是由鋁製成而也可以是由其他具有高導熱性的金屬材料形成。

在側視圖中各具有一L形狀的兩真空路徑75和兩真空路徑76是形成在該夾持台71內部。該等真空路徑75和76中之每一者的一端與該數個凹槽72中之一者連通，而該等真空路徑75和76的另一端是通向該夾持台71的側表面71b和71c。兩個管連接元件73和兩個管連接元件74被固定到該夾持台71的側表面71b和71c。貫孔73a和74a是形成在該等管連接元件73和74。該等管連接元件73和74的貫孔73a 和74a是連接到該夾持台71的真空路徑75和76。一真空幫浦(圖中未示)是連接到該等管連接元件73和74。

一放置在該夾持台71之放置表面71a上的薄片11是透過被曝露於該放置表面71a的該數個凹槽72由該真空幫浦抽吸，並且被夾持在該放置表面71a上。

如在圖7中所示之一用於偵測數個半導體裝置14之電氣狀態的接觸器25是被配置在該夾持台71之上，而一測試器27是連接到該接觸器25。

如在該第一實施例中一樣，縱使在由該加熱器51加熱到125℃時該已經歷預熱與冷卻的薄片11是難以擴張，且無鬆弛或起皺。即使處於高溫量測環境中，因此，該薄片11是被夾持在該夾持台71的放置表面71a上。這避免當該接觸器25之探針26變成與被貼附於該薄片11上之半導體裝置14之導線架14r接觸時所產生之碰撞改變該半導體裝置14和薄片11之位置，而貼附在該薄片11上之另一半導體裝置14無法再被量測的不便。

<其他實施例>

在該第一至第四實施例中之每一者，藉由切割半導體條帶13來被得到之半導體裝置14是為高溫量測之目標的範例業已作描述。然而，藉由切割一半導體晶圓來被得到之半導體晶片也可以如同半導體裝置一樣是為高溫量測的目標。

在該第一至第四實施例中之每一者中，薄片11被貼附於該環形框架12上而然後半導體條帶13被貼附於該 薄片11上的範例業已作描述。然後，把該半導體條帶13貼附於7薄片11上，而然後把該薄片11貼附於該環形框架12上也是有可能的。在這情況中，自動半導體條帶貼附步驟S3是首先被執行，而然後自動薄片貼附步驟S1被執行。

在該第一至第四實施例中之每一者中，被貼附於該薄片11上之半導體裝置14之電氣特性是在該薄片11被夾持於該夾持元件53之放置表面53a或該夾持台71之放置表面71a之下被量測的範例業已作描述。然而，預熱薄片11的使用使得在沒有把該薄片11夾持在該放置表面53a或71a之下，要抑制在接觸器25之該數個探針26與該等半導體裝置14之該數個導線架14r之間的位置關係不因由加熱器51加熱而改變是有可能的。

在該第一至第四實施例中之每一者中，處於最高125℃之高溫量測環境是由該熱板50或70產生且半導體裝置14之電氣特性是在這高溫量測環境下被量測的範例業已作描述。然而，高溫量測環境的溫度不被限定為125℃而也可以是85℃至150℃。

在該第一至第四實施例中之每一者中，預熱是藉由在一處於一比室溫高之溫度(第二溫度)，例如，100或更高，之高溫環境中加熱該薄片11一預定預熱時間(例如，2分鐘或更多)來被執行。在這步驟中，用於把殘留水份從半導體裝置14移去的烘烤能夠藉由把該預熱時間設定到適足長的時間來被執行。習知的薄片無法抵抗烘烤的這種高溫環境。因此，烘烤無法藉由把數個半導體裝置貼附於該薄 片上來被執行。相對地，由PET製成的該薄片11能夠抵抗長時間加熱。據此，數個半導體裝置14藉由把它們貼附在該PET薄片11上而能夠有效地烘烤。此外，由於該等半導體裝置14是藉由使用預熱來被烘烤，不必獨立地執行任何烘烤步驟。注意的是當執行烘烤時的預熱時間是被設定為一個在它期間半導體裝置14之殘留水份是被移去的時間，例如，8小時。

在該第一至第四實施例中之每一者中，黑燈28被使用於UV硬化裝置7的範例業已作描述。然而，要使用金屬鹵化物燈、水銀燈等等取代黑燈28也是有可能的。

在該第一至第四實施例中之每一者中，分類裝置8在由UV硬化裝置7所作用的UV硬化之後把該等半導體裝置14分類的範例業已作描述。然而，要在該等半導體裝置14之由該分類裝置8所作用的分類之後執行由該UV硬化裝置7所作用的UV硬化，而然後卸載該等半導體裝置14也是有可能的。

1‧‧‧半導體裝置量測系統

2‧‧‧自動薄片貼附裝置

3‧‧‧薄片預熱裝置

4‧‧‧自動半導體仔帶貼附裝置

5‧‧‧切割裝置

6‧‧‧量測裝置

7‧‧‧UV硬化裝置

8‧‧‧分類裝置

Claims (5)

1. 一種半導體裝置量測方法，包含下列步驟：一薄片貼附步驟，該薄片貼附步驟將在被加熱之後當被冷卻時收縮之一薄片貼附於一環形框架上；一骨料貼附步驟，該骨料貼附步驟將一骨料貼附於該薄片之表面上，數個半導體裝置以矩陣形式形成於該骨料中；一切割步驟，該切割步驟藉由將被貼附在該薄片之表面上之該骨料切割而將該數個半導體裝置分開；一放置步驟，該放置步驟將貼附有該數個分開之半導體裝置於其上的該薄片放置在一加熱裝置之放置表面上；一加熱步驟，該加熱步驟藉由該加熱裝置將被貼附於該薄片上之該數個分開的半導體裝置加熱；一量測步驟，該量測步驟在該數個分開的半導體裝置被加熱之時量測該數個分開的半導體裝置之電氣特性；及一預熱步驟，該預熱步驟在該薄片貼附步驟之後與在該放置步驟之前加熱該薄片然後冷卻該薄片。
2. 如請求項1之方法，其中，該放置步驟包括將該薄片夾持在該放置表面上的一個步驟。
3. 如請求項1之方法，其中，該預熱步驟包括在該薄片貼附步驟之後且在該骨料貼附步驟之前加熱並冷卻該薄 片的一個步驟。
4. 如請求項1之方法，其中，該預熱步驟包括在該切割步驟之後且在該放置步驟之前的加熱和冷卻該薄片之一個步驟。
5. 如請求項1之方法，其中，該預熱步驟包括在該骨料貼附步驟之後且在該切割步驟之前加熱並冷卻該薄片的一個步驟。