TW201631105A - 用於接合半導體的接著性樹脂組成物、接著膜、切晶接合膜及半導體元件 - Google Patents

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Abstract

本發明是關於一種用於接合半導體的接著性樹脂組成物，包含：具有低吸濕率之熱塑性樹脂、包含聯苯類環氧樹脂的環氧樹脂以及包含酚樹脂之固化劑，其中在所述接著性樹脂組成物之固體含量中所述聯苯類環氧樹脂之含量為5重量%至25重量%；一種包含所述用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固化產物的接著膜；一種切晶接合膜，包含：基底膜、形成於所述基底膜上之感壓接著層以及形成於所述感壓接著層上且包含所述用於接合半導體的接著性樹脂組成物的接著層；以及一種包含所述接著膜之半導體元件。

Description

用於半導體的接著劑組成物、接著膜、切晶接合膜及半導體元件
本發明是關於一種用於接合半導體的接著性樹脂組成物、一種接著膜、一種切晶接合膜以及一種半導體元件。
最近，由於朝向電子設備之小型化、高功能化以及容量增大之傾向已擴大，且半導體封裝之緻密化及高度整合之需要已快速增加，半導體晶片之尺寸變得愈來愈大。就提高整合度而言，以多級（multi-stage）層合（laminating）晶片之堆疊封裝方法已逐漸增加。
隨著最近之發展趨勢朝向半導體封裝，半導體之小型化、薄化以及高效能已快速進行。此外，出於封裝之容量增大的目的，半導體晶圓之厚度已變得極薄（小於100微米）以使得更多晶片可層合（laminated）於相同封裝中。最近，半導體晶圓之厚度已變得極薄（小於20微米）。
因此，當製造半導體晶片及層間接著膜之厚度為20微米或小於20微米之封裝時，需要接著膜之薄化。
在實現封裝之容量增大之嘗試中，製造商追求一種增加晶片之尺寸或以多級層合晶片之方法。
在以多級層合半導體晶片之製程中出現問題，因為在封裝製造製程期間當進行固化時，接觸第一晶片的接著層（使與基板接觸）暴露於比上部接著劑更多的熱。
出於此原因，隨著各晶片之層合級數（number of lamination stage）增加，接觸第一晶片之接著層長時間置於高溫條件下，且因此可能在接著層內部或第一晶片與接著層之間出現空隙。
這些空隙難以在後續固化製程中移除，且由於殘餘空隙，製程或半導體元件之可靠性可顯著降低。
另一方面，在半導體封裝之安裝製程中，應用在高溫下加熱之步驟，且例如使用藉由通過紅外線回焊（infrared reflow）、氣相回焊、焊料浸漬或類似者加熱整個封裝來安裝半導體封裝之方法。
在此類高溫加熱階段中，因為整個半導體封裝暴露於高於200℃之溫度，存在於半導體封裝內的水引起爆炸性氣化（explosive vaporization）。由於此類氣化，可能出現封裝裂紋或回焊裂紋。
特定言之，若水大量含於切晶接合膜之接著劑中或類似者，則在回焊安裝期間水經由加熱而汽化。因為由此產生之蒸氣壓，切晶接合膜破裂或分層，且可能出現回焊裂紋。
在半導體封裝製程中出現之大部分缺陷是歸因於在回焊製程中在吸濕之後基板與接著劑之間的分層現象，藉此已進行研究來降低基板、接著劑以及半導體晶片之間的應力或改良抗濕性（moisture resistance）。
具體言之，為了改良抗濕性，可藉由增加固化劑及環氧樹脂之含量來降低固化產物之吸濕率。然而，在此情況下，在固化之後接著劑之模數增加，且因此難以減輕（relieve）應力。
此外，為了減輕半導體之應力，當接著劑中之熱固性樹脂之含量過度增加或固化劑之含量降低時，變得難以在固化之後賦予基板足夠接著性。此導致歸因於低接著強度之分層。
需要一種能夠確保在固化之後相對於基板之接著強度且改良在高溫下之拉伸物理特性，同時極大地降低接著劑或接著膜自身之吸濕率程度的方法。 [引用清單] [專利文獻] （專利文獻1）：韓國專利申請公開案第2013-0016123號 （專利文獻2）韓國專利第0889101號
[技術問題]     本發明之目標為提供一種用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其具有用於封裝半導體晶片之多級層合結構（multi-stage lamination structure）之適合的物理特性、極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性）以及高接著強度，且可防止切晶接合膜之分層現象或回焊裂紋。
本發明之另一目標為提供一種切晶接合膜，其具有高機械特性，包含極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性），及高接著強度，且可防止基板、半導體晶圓及/或切晶接合膜之間的分層現象或回焊裂紋或類似者，從而提供較高的積層（layered）結構。
本發明之又一目標為提供一種用於半導體之接著膜，其具有適用於封裝半導體晶片之多級層合結構的物理特性、極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性）以及高接著強度，可防止切晶接合膜之分層現象或回焊裂紋，且即使當長時間暴露在應用於半導體製造製程中之高溫條件下時，實質上不產生空隙。
本發明之另一目標為提供一種包含上述用於半導體之接著膜的半導體元件。 [技術解決方案]
提供一種用於接合半導體的接著性樹脂組成物，包含：熱塑性樹脂，具有當在85℃及85% RH（relative humidity，相對溼度）之條件下暴露165小時時不大於1.5重量%的吸濕率；包含聯苯類環氧樹脂之環氧樹脂；以及包含酚樹脂之固化劑，其中在所述接著劑組成物之固體含量中所述聯苯類環氧樹脂之含量為5重量%至25重量%。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固體含量指除水或其他溶劑（可視情況包含於樹脂組成物中）外的固體組分。
聯苯類環氧樹脂指含有聯苯結構作為重複單元之環氧樹脂。具體言之，聯苯類環氧樹脂可包含聯苯酚醛環氧樹脂。
舉例而言，聯苯類酚醛環氧樹脂可具有1000至10,000之重量平均分子量，且50℃至100℃的軟化點。
除上述聯苯類環氧樹脂以外，環氧樹脂可包含典型的樹脂。
環氧樹脂可更包含一或多種由下列各者所構成之族群中選出的樹脂：雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲醛酚醛環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、4官能環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質之三酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂以及二環戊二烯改質之酚型環氧樹脂。
環氧樹脂之軟化點可為50℃至100℃。
環氧樹脂可具有100至5000之平均環氧當量。
平均環氧當量可基於各環氧樹脂之重量比及環氧樹脂中所含有之環氧當量確定。
上述酚樹脂可具有80公克/當量至300公克/當量之羥基當量及60℃至150℃的軟化點。
熱塑性樹脂可包含一或多種由下列各者所構成之族群中選出的聚合物樹脂：聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚醯胺、聚醚碸、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基、反應性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠以及(甲基)丙烯酸酯類樹脂。
(甲基)丙烯酸酯類樹脂包含含有環氧類官能基之(甲基)丙烯酸酯類重複單元，且其可為具有-10℃至20℃之玻璃轉化溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。
(甲基)丙烯酸酯類樹脂可包含0.1重量%至10重量%含有環氧類官能基之(甲基)丙烯酸酯類重複單元。
相對於100重量份環氧樹脂，用於接合半導體的接著性樹脂組成物可包含50重量份至1000重量份熱塑性樹脂及30重量份至700重量份固化劑。
固化劑可更包含一或多種由胺類固化劑及酸酐類固化劑所構成之族群中選出的化合物。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物可更包含一或多種由磷類化合物、硼類化合物、磷-硼類化合物以及咪唑類化合物所構成之族群中選出的固化催化劑。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物可更包含一或多種由偶合劑及無機填充劑所構成之族群中選出的添加劑。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物可更包含10重量%至90重量%有機溶劑。
在此情況下，在用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固體含量中，聯苯類環氧樹脂之含量可為5重量%至25重量%。
此外，本發明提供一種包含用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固化產物的接著膜。
當持續165小時在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時接著膜之吸濕率可不大於1.5重量%。
接著膜可具有1微米至50微米之厚度。
亦提供一種切晶接合膜，包含：基底膜；形成於所述基底膜上之感壓接著層；以及形成於所述感壓接著層上且包含用於接合半導體的接著性樹脂組成物的接著層。
當在85℃及85% RH下暴露165小時時接著層之吸濕率可不大於1.5重量%。
感壓接著層可包含可紫外線（ultraviolet；UV）固化感壓接著劑或可熱固化感壓接著劑。
基底膜可具有10微米至200微米之厚度，感壓接著層可具有10微米至500微米之厚度，且接著膜可具有1微米至50微米之厚度。
此外，亦提供一種半導體元件，包含第一半導體部件與接著物經由接著膜接合之結構。
當在100℃至200℃或120℃至180℃之溫度下固化半導體元件時，與接著膜及第一半導體部件接觸之表面或在接著膜內產生之空隙可具有不大於1%之面積。
當在100℃至200℃或120℃至180℃之溫度下固化半導體元件多於30分鐘或30分鐘至5小時時，與接著膜及第一半導體部件接觸之表面或在接著膜內產生之空隙可具有不大於1%之面積。
接著物可為基板、絕緣層或第二半導體部件。 [有利效應]
根據本發明，可提供一種用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其具有適用於封裝半導體晶片之多級層合結構的物理特性、極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性）以及高接著強度，且可防止切晶接合膜之分層現象或回焊裂紋。
此外，根據本發明，可提供一種切晶接合膜，其具有高機械特性，包含極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性），及高接著強度，且可防止基板、半導體晶圓及/或切晶接合膜之間的分層現象或回焊裂紋或類似者，從而實現較高的多級層合結構；一種用於半導體之接著膜，其具有適用於封裝半導體晶片之多級層合結構的物理特性、極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性）以及高接著強度，可防止切晶接合膜之分層現象或回焊裂紋，且即使當長時間暴露在應用於半導體製造製程之高溫條件下時，實質上不產生空隙；以及一種包含上述用於半導體之接著膜的半導體元件。
下文中，根據本發明之特定實施例，將更詳細地描述用於接合半導體的接著性樹脂組成物、切晶接合膜、半導體晶圓以及用於半導體晶圓之切割方法。
根據本發明之一個實施例，提供一種用於接合半導體的接著性樹脂組成物，包含：熱塑性樹脂，具有當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時不大於1.5重量%的吸濕率；包含聯苯類環氧樹脂之環氧樹脂；以及包含酚樹脂之固化劑，其中在所述接著樹脂組成物之固體含量中，所述聯苯類環氧樹脂之含量為5重量%至25重量%。
本發明者進行廣泛研究來解決先前技術之問題：歸因於在回焊安裝期間產生之蒸氣壓，切晶接合膜破裂或分層且可能出現回焊裂紋。因此，本發明者經由許多實驗發現，除具有低吸濕率之熱塑性樹脂以外，還藉由混合包含特定含量之聯苯類環氧樹脂的環氧樹脂及包含酚樹脂的固化劑，可提供用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其具有高物理特性，包含極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性）及高接著強度，且可防止切晶接合膜之分層現象或回焊裂紋。已基於此發現完成本發明。
藉由使用聯苯類環氧樹脂以及上述之具有低吸濕率的熱塑性樹脂，根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物即使當在高溫固化步驟之後在高溫及高濕度下暴露長時間時可具有低吸濕率，從而防止在半導體製造製程中在回焊步驟之後基板與接著劑之間的分層現象。
具體言之，根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物在高於100℃，或120℃與180℃之間的高溫下固化一次或兩次或多於兩次，且在85℃及85% RH之條件下暴露165小時之後量測之吸濕率可不大於1.5重量%。
在高溫下之固化可進行30分鐘或多於30分鐘，或30分鐘至5小時。
根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固體含量中，聯苯類環氧樹脂之量可為5重量%至25重量%。
因為以特定量包含聯苯類環氧樹脂，根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物可用以調節固化程度及其他物理特性同時維持低吸濕率，且減輕最終製造之接著膜之應力，從而防止在半導體製造製程中在回焊步驟之後基板與接著劑之間的分層現象。
若根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固體含量中，聯苯類環氧樹脂之量小於5重量%，則不可能充分用來降低根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物之吸濕率，且可能難以充分防止基板與接著膜之間的分層現象或回焊裂紋。
再者，若根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固體含量中，聯苯類環氧樹脂之量超過25重量%，則固化結構不稠密，且因此不可能賦予接著劑或最終製造之接著層足夠的耐熱性及強度，其造成與基板的緊密接著性低，引起基板與接著膜之間的分層現象或回焊裂紋。
此外，若根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固體含量中，聯苯類環氧樹脂之量超過25重量%，則當由所述組成物製造之接著膜在高溫下暴露長時間時，在接著膜內或在接著膜與接著物之界面處出現許多空隙，從而顯著降低製造製程之可靠性及品質。
具體言之，若根據本發明之實施例的用於結合半導體的接著性樹脂組成物之固體含量中，聯苯類環氧樹脂之量超過25重量%，則當在100℃至200℃，或120℃至180℃下固化多於30分鐘，或30分鐘至5小時時，在由所述組成物製造之接著膜包含於半導體元件中之狀態中，在接觸接著膜及半導體部件之表面處或在接著膜內可能產生許多空隙。
聯苯類環氧樹脂可包含聯苯酚醛環氧樹脂。
聯苯類環氧樹脂之軟化點可為50℃至100℃。
若環氧樹脂之軟化點太低，則感壓接著力增加且因此在切割之後的拾取特性（pickup properties）可能降低，且若環氧樹脂之軟化點過高，則用於接合半導體的接著性樹脂組成物之熔融流動指數可能降低，且由用於接合半導體的接著性樹脂組成物製造的接著膜之接著強度可能降低。
為了調節用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固化程度或增加其接著效能或類似者，除聯苯類環氧樹脂以外，環氧樹脂可更包含由下列各者所構成的族群中選出之一或多者：雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲醛酚醛環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、4官能環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質之三酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂及二環戊二烯改質之酚型環氧樹脂。
如上文所描述另外包含之環氧樹脂之軟化點可為50℃至100℃。
環氧樹脂可具有100至1000之平均環氧當量。
平均環氧當量可基於各環氧樹脂之重量比及環氧樹脂中所包含之環氧當量確定。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物可包含具有高於60℃，或60℃至150℃，或90℃至120℃之軟化點的酚樹脂作為固化劑。
藉由使用具有高於60℃之軟化點的酚樹脂，用於接合半導體的接著性樹脂組成物在固化之後可具有足夠耐熱性、強度以及接著性。
若酚樹脂之軟化點過低，則用於接合半導體的接著性樹脂組成物在固化之後可能不能獲得具有足夠強度之固化產物。
此外，若酚樹脂之軟化點過高，則用於接合半導體的接著性樹脂組成物之熔融流動指數增加，且可在實際半導體製造製程中在接著劑內產生空的空隙（empty void），從而顯著降低最終產物之可靠性及品質。
酚樹脂可具有80公克/當量至300公克/當量之羥基當量。
另一方面，根據本發明之一個實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物可包含熱塑性樹脂，其中當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時吸濕率不大於1.5重量%。
吸濕率可以在85℃及85% RH之條件下暴露165小時之前的重量百分比形式確定。
藉由包含除上述之環氧樹脂及固化劑以外，滿足上述之吸濕率條件的熱塑性樹脂，根據本發明之一個實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物可一般具有較低吸濕率，且內部包含之濕氣量為少量，藉此可防止切晶接合膜之分層現象或回焊裂紋。
熱塑性樹脂之實例不特別受限制，但例如其可包含聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、聚醚碸、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基、反應性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠、(甲基)丙烯酸酯類樹脂，或其兩者或多於兩者之混合物，或其兩者或多於兩者之共聚物。
具體言之，上述之(甲基)丙烯酸酯類樹脂包含含有環氧類官能基之(甲基)丙烯酸酯類重複單元，且其可為具有-10℃至20℃玻璃轉化溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。
藉由使用包含含有環氧類官能基之(甲基)丙烯酸酯類重複單元及具有-10℃至20℃玻璃轉化溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，根據本發明之一個實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物可用於接合半導體、用於接合半導體中所包含之組件或用於半導體封裝，且提供用於半導體之接著膜及用於半導體封裝之接著膜，當以多級層合超薄晶圓時，所述接著膜能夠確保高抗衝擊性且在製造半導體之後改良電學特性。
環氧類官能基可在構成(甲基)丙烯酸酯類樹脂之主鏈之重複單元中具有一或多個取代物。
環氧類官能基可包含環氧基或縮水甘油基（glycidyl group）。
包含大於14重量%之含有環氧類官能基之(甲基)丙烯酸酯類重複單元的(甲基)丙烯酸酯類樹脂可具有-10℃至20℃，或-5℃至15℃之玻璃轉化溫度。
藉由使用具有上述之玻璃轉化溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂，用於接合半導體的接著性樹脂組成物可具有足夠的熔融流動指數，最終製造之接著膜可確保高接著強度，且容易以薄膜或類似者形式使用用於接合半導體的接著性樹脂組成物製造。
相對於100重量份環氧樹脂，根據本發明之一個實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物可包含50重量份至1000重量份熱塑性樹脂及30重量份至700重量份固化劑。
若相對於環氧樹脂，熱塑性樹脂之含量太低，則在固化之後樹脂組成物之模數快速增加，且因此難以預期基板與晶圓之間的應力鬆弛之影響。
此外，若相對於環氧樹脂，熱塑性樹脂之含量太高，則在B階段中組成物之黏度增加，且在晶粒附接製程中與基板之緊密接著減少。此外，在固化製程中移除空隙變得困難，從而降低製程及最終產物之可靠性。
當相對於環氧樹脂，含有酚樹脂之固化劑之含量太低時，可能難以確保足夠的耐熱性。
當相對於環氧樹脂，含有酚樹脂之固化劑之含量太高時，即使完成固化，酚基（phenol group）仍處於未反應狀態且因此吸濕性（hygroscopicity）增加，藉此在半導體封裝製程期間在回焊製程中在吸濕之後可能出現基板與接著劑之間的分層現象。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物中，含有聯苯類環氧樹脂的環氧樹脂之含量可視最終製造之產物而確定，且例如其可為整個組成物之固體含量之3重量%至30重量%或5重量%至25重量%。
固化劑可包含由胺類固化劑及酸酐類固化劑所構成的族群中選出之一或多者。
固化劑之使用量可考慮最終製造之接著膜之物理特性恰當地選擇，且例如固化劑可以基於100重量份環氧樹脂，使用10重量份至700重量份或30重量份至300重量份之量。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物可更包含固化催化劑。
固化催化劑用以促進固化劑之功能或促進用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固化，且可在無特定限制的情況下使用所屬領域中已知的用於半導體之接著膜或類似物之製造中所使用的任何習知固化催化劑。
舉例而言，本文所使用的固化催化劑可包含由下列各者所構成的族群中選出之一或多者：磷類化合物、硼類化合物、磷-硼類化合物以及咪唑類化合物。
固化催化劑之使用量可考慮最終製造之接著膜之物理特性恰當地選擇，且例如其可基於環氧樹脂、(甲基)丙烯酸酯類樹脂以及酚樹脂的總重量份為100重量份，而為0.5重量份至10重量份之量。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物可更包含10重量%至90重量%有機溶劑。
有機溶劑之含量可考慮用於接合半導體的樹脂組成物之物理特性或最終製造之接著膜之物理特性或製造製程而確定。
另一方面，用於接合半導體的接著性樹脂組成物可包含一或多種由偶合劑及無機填充劑所構成之族群中選出的添加劑。
偶合劑及無機填充劑之特定實例不特別受限制，且可在無特定限制的情況下使用已知在用於半導體封裝之接著劑中使用的習知組分。
另一方面，根據本發明之另一實施例，可提供包含用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固化產物的接著膜。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物之固化產物可在例如50℃或高於50℃，或70℃至250℃之高溫下固化（乾燥）以製備接著膜。
接著膜可用於半導體元件。具體言之，接著膜具有適用於封裝半導體晶片之多級層合結構的物理特性、極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性）及高接著強度，且可防止切晶接合膜之分層現象或回焊裂紋（reflow crack）。此外，即使接著膜在應用於半導體製造製程之高溫下暴露長時間，亦可實質上不出現空隙。
接著膜包含：熱塑性樹脂，具有當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時不大於1.5重量%的吸濕率；包含聯苯類環氧樹脂的環氧樹脂；以及包含酚樹脂的固化劑，其中接著膜中之聯苯類環氧樹脂之含量可為5重量%至25重量%。
包含熱塑性樹脂的固化劑、包含聯苯類環氧樹脂的環氧樹脂以及酚樹脂可以彼此交聯狀態存在於接著膜內。
當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時接著膜之吸濕率可不大於1.5重量%。
接著膜可具有1微米至50微米之厚度。
另一方面，根據本發明之又一實施例，可提供一種切晶接合膜，包含：基底膜；形成於所述基底膜上之感壓接著層；以及形成於所述感壓接著層上且包含上述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物的接著層。
因為接著層包含上述之實施例的用於接合半導體之接著膜，切晶接合膜可具有高機械特性，包含極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性），及高接著強度，且展示低吸濕率，從而根據濕氣之氣化防止切晶接合膜中之分層現象或回焊裂紋或類似者。
用於接合半導體的接著性樹脂組成物之特定細節如上述。
當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時接著層之吸濕率可不大於1.5重量%。
另一方面，包含在切晶接合膜中之基底膜之類型不特別受限制，且例如可使用所屬領域中已知的塑膠膜或金屬箔以及類似物。
舉例而言，基底膜可包含低密度聚乙烯、直鏈聚乙烯、中等密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯無規共聚物、聚丙烯嵌段共聚物、均聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-離聚物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯、苯乙烯共聚物或其兩者或多於兩者之混合物。
包含兩種或多於兩種聚合物之混合物的基底膜之含義包含：其中包含上文所提及之聚合物的膜層合於兩個或多於兩個層中之結構的膜，及包含兩種或多於兩種的上文所提及之聚合物的單層的膜。
基底膜之厚度不特別受限制，且通常，基底膜以10微米至200微米，較佳50微米至180微米的厚度形成。
當厚度小於10微米時，在切割製程中切割深度之調節可變得不穩定。當厚度大於200微米時，在切割製程中可能出現許多毛邊或拉伸比可能降低。因此，可能不正確地進行擴張製程（expanding process）。
基底膜可視需要經受習知物理或化學處理，諸如消光處理、電暈放電處理、底塗劑（primer）處理或交聯處理。
另一方面，感壓接著層可包含可紫外線（UV）固化感壓接著劑或可熱固化感壓接著劑。
當使用可UV固化感壓接著劑時，其用來自基底膜側之UV照射以增加感壓接著劑之內聚力及玻璃轉化溫度，從而降低其感壓接著力。當使用可熱固化感壓接著劑時，其經加熱以降低感壓接著力。
此外，可UV固化感壓接著劑可包含(甲基)丙烯酸酯類樹脂、UV可固化化合物、光起始劑以及交聯劑。
(甲基)丙烯酸酯類樹脂可具有100,000至1,500,000且較佳200,000至1,000,000之重量平均分子量。
若重量平均分子量小於100,000，則塗佈特性或內聚力降低，且因此可能出現當剝離時一些殘餘物質保留在接著物上或感壓接著劑破裂之現象。
此外，若重量平均分子量超過1,500,000，則基底膜可阻礙可UV固化化合物之反應，且因此可能不能有效地進行剝離強度之減小。
(甲基)丙烯酸酯類樹脂可例如為(甲基)丙烯酸酯類單體及含交聯官能基之單體的共聚物。
此處，(甲基)丙烯酸酯類單體之實例可包含(甲基)丙烯酸烷基酯，且更特定言之，具有具1至12個碳原子之烷基的單體，其實例可包含由下列各者中選出的一者或兩者或多於兩者之組合：(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯以及(甲基)丙烯酸十二烷酯。
由於使用在烷基中具有較大數目之碳原子的單體，最終共聚物之玻璃轉化溫度降低，且因此足以視相關玻璃轉化溫度而定選擇合適單體。
此外，含交聯官能基之單體的實例可包含由下列各者中選出之一者或兩者或多於兩者之組合：含羥基單體、含羧基單體以及含氮單體。在此情況下，含羥基化合物之實例可包含（但不限於）(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯以及類似物，含羧基化合物之實例可包含（但不限於）(甲基)丙烯酸及類似物，且含氮單體之實例可包含（但不限於）(甲基)丙烯腈、N-乙烯吡咯啶酮、N-乙烯基己內醯胺以及類似物。
自改良其他功能性（諸如相容性）之觀點，(甲基)丙烯酸酯類樹脂可另外包含含有碳-碳雙鍵之低分子量化合物，諸如乙酸乙烯酯、苯乙烯或(甲基)丙烯腈。
此外，可UV固化化合物之類型不特別受限制，且例如可使用具有約500至約300,000重量平均分子量之多官能化合物（例如多官能丙烯酸胺基甲酸酯、多官能丙烯酸酯單體或寡聚物等）。
對所屬領域中具通常知識者而言，可容易地選擇適合於所需用途之化合物是顯而易見的。
相對於100重量份基本樹脂，可以5重量份至400重量份，且較佳10重量份至200重量份之量含有可UV固化化合物。
若可UV固化化合物之含量小於5重量份，則拾取特性可能減少，因為在固化之後感壓接著力之減少不足。若可UV固化化合物之含量超過400重量份，則在照射UV光之前感壓接著劑之內聚力可能變得不足，或可能不容易實現自例如離型膜之脫模。
光起始劑之類型亦不特別受限制，且可使用所屬領域中已知的典型起始劑。相對於100重量份可UV固化化合物，光起始劑之含量可為0.05重量份至20重量份。
若光起始劑之含量小於0.05重量份，則拾取特性可能因為藉由UV照射之固化反應不足而減少。若光起始劑之含量大於20重量份，則交聯反應可在固化製程中在短單位內發生，或可產生不反應的可UV固化化合物，藉此殘餘物質保留於接著物之表面上，或在固化之後的剝離強度可能過度降低，且從而可能減少拾取特性。
此外，包含於感壓接著劑部分中且賦予接著強度及內聚力之交聯劑的類型不特別受限制。作為交聯劑，可使用典型化合物，諸如異氰酸酯類化合物、氮丙啶類化合物、環氧化物類化合物或金屬螯合劑類化合物。
相對於100重量份基本樹脂，可以2重量份至40重量份，且較佳2重量份至20重量份之量含有交聯劑。
若交聯劑之含量小於2重量份，則感壓接著劑之內聚力可能變得不足。若交聯劑之含量大於20重量份，則晶片可由於在UV光照射之前感壓接著力不足而分散。
感壓接著層可更包含增黏劑，諸如松香樹脂、萜樹脂、酚樹脂、苯乙烯樹脂、脂族石油樹脂、芳族石油樹脂或脂族石油樹脂以及脂族-芳族共聚物石油樹脂。
在基底膜上形成包含如上述組分之感壓接著層的方法不特別受限制，且例如可使用將本發明之感壓接著劑組成物直接塗佈至基底膜上以形成感壓接著層之方法，或將接著劑組成物塗佈於可脫模基板上以製備感壓接著層且使用可脫模基板在基底膜上轉移感壓接著層之方法。
在此情況下，塗佈及乾燥感壓接著劑組成物之方法不特別受限制，且例如可使用在含有各別組分之組成物靜置時將其塗佈，或於適合的溶劑中稀釋組成物且藉由使用缺角輪塗佈機（comma coater）、凹版塗佈機（gravure coater）、模縫塗佈機（die coater）或反向塗佈機（reverse coater）將其塗佈，且隨後在60℃至200℃之溫度下乾燥溶劑10秒至30分鐘之方法。
此外，以上方法（process）可更包含進行感壓接著劑之足夠交聯反應的老化方法。
感壓接著層之厚度不特別受限制，但例如其可在10微米至500微米範圍內。
另一方面，如上文所描述，接著層可形成於感壓接著層上且包含上述實施例之用於半導體的接著膜。
與用於半導體之接著膜相關之內容包含所有上文所提及之內容。
接著層之厚度不特別受限制，但例如其可在1微米至100微米，或3微米至50微米範圍內。
切晶接合膜亦可更包含形成於接著層上之離型膜。
可用於本發明中之離型膜的實例包含一或多種由下列各者所構成之族群中選出的塑膠膜：聚對苯二甲酸伸乙酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚醯亞胺膜以及類似物。
如上文所描述之離型膜的表面可經受用一或多種醇酸類、矽酮類、氟類、不飽和酯類、聚烯烴類或蠟類脫模劑之脫模處理。其中，具有耐熱性之醇酸類、矽酮類或氟類脫模劑尤其較佳。
離型膜可通常以約10微米至約500微米，較佳約20微米至約200微米的厚度形成，但不限於此。
用於製造上文所提及之切晶接合膜的方法不特別受限制，且例如可使用在基底膜上依序形成感壓接著劑部分、接著劑部分以及離型膜之方法或單獨地製備其中形成切割膜（基底膜+感壓接著劑部分）及晶粒接合膜或接著劑部分的離型膜，且將其層合之方法或類似方法。
層合方法不特別受限制，且例如可使用熱軋層合法或層壓法。就連續製程的可能性及效率而言，熱軋層合法較佳。
熱軋層合法可在10℃至100℃之溫度下在0.1公斤力/平方公分（kgf/cm2 ）至10公斤力/平方公分之壓力下進行，但不限於此。
根據本發明之又一實施例，可提供一種用於半導體晶圓之切割方法，包含：完全分割或部分分割包含切晶接合膜之半導體晶圓及層合於切晶接合膜之至少一個表面上的晶圓之預處理步驟；及在預處理步驟之後將紫外光照射至半導體晶圓之基底膜且拾取藉由分割半導體晶圓所分離之個別晶片的步驟。
與切晶接合膜相關之內容包含所有上文所提及之內容。
除了與上述切割方法之詳細程序相關之內容外，用於所屬領域中典型已知的半導體晶圓之切割方法中之元件、方法或類似者可在無特定限制的情況下使用。
用於半導體晶圓之切割方法可更包含在預處理步驟之後擴展半導體晶圓之步驟。
在此情況下，進行如下製程：將UV光照射至經擴展的半導體晶圓之基底膜且拾取藉由分割半導體晶圓所分離的個別晶片。
藉由使用包含切割膜之切晶接合膜，半導體晶圓之切割步驟中毛邊之出現最小化，從而防止半導體晶片之污染及改良半導體晶片之可靠性及使用期限。
另一方面，根據本發明之另一實施例，可提供一種半導體元件，包含第一半導體部件及接著物經由上文所描述之實施例的接著膜接合之結構。
如上文所描述，上文所描述之實施例的接著膜具有適用於封裝半導體晶片之多級層合結構的物理特性、極好的機械及物理特性（諸如耐熱性及抗衝擊性）以及高接著強度，可防止切晶接合膜中之分層現象或回焊裂紋，且即使當在應用於半導體製造製程之高溫條件下暴露長時間時不實質上產生空隙。
因此，當使用上文所描述之實施例的接著膜時，可製造具有較穩定及較強多層結構的半導體元件，且甚至在多層結構之封裝製程中可確保第一半導體部件與接著物之間的強接合。此外，當在高溫下暴露長時間時，接著膜內或接著膜與接著物之間的界面處的空隙之出現可最小化。
具體言之，當在100℃至200℃或120℃至180℃之溫度下固化半導體元件時，與接著膜及第一半導體部件接觸之表面或在接著膜內產生之空隙可具有不大於1%之面積。
具體言之，即使當由根據本發明之實施例的用於接合半導體的接著性樹脂組成物所製造的接著膜，在100℃至200℃，或120℃至180℃下持續多於30分鐘，或30分鐘至5小時，處於接著膜包含於半導體元件中之狀態時，空隙無法實質上出現在與接著膜及半導體部件接觸之表面上或接著膜內，且與接著膜及第一半導體部件接觸之表面或在接著膜內產生之空隙可具有不大於1%之面積。
第一半導體元件可為在半導體封裝製程中與基板直接相鄰的第一半導體元件。
接著物可為基板、絕緣層或第二半導體元件。
基板包含基板或引線框。具體言之，作為基板，可使用習知地已知基板，諸如印刷電路板。作為引線框，可使用金屬引線框（諸如Cu引線框），42合金引線框，或包含玻璃-環氧樹脂（glass-epoxy）、雙順丁烯二醯亞胺-三嗪（bismaleimide-triazine；BT）、聚醯亞胺或類似物之有機基板。
除經由接著膜接合之第一半導體部件及接著物以外，上述半導體元件可更包含與第一半導體部件相同或不同之第二半導體部件。
在半導體元件之製造製程中，層合一般藉由製造封裝之製程進行，且所需數目之半導體部件可經受層合及線接合。
在層合所需數目之半導體部件之後，可進行用樹脂密封整個半導體部件之密封步驟。
下文將參考以下實例更詳細地描述本發明。
然而，這些實例僅提供為說明本發明且不應解釋為將本發明限制於實例。 [實例及比較例：製備用於接合半導體的接著性樹脂組成物及用於半導體之接著膜] 實例1 （1）製備用於接合半導體之樹脂組成物溶液.
將50公克環氧樹脂、聯苯酚醛環氧樹脂（NC-3000-H，由日本化藥株式會社（Nippon Kayaku., Co., Ltd.）製造，環氧當量：288公克/當量，軟化點：65℃）、50公克雙酚A酚醛環氧樹脂（MF8080EK80，由日本JSI株式會社（Japan JSI Corporation）製造，環氧當量：218公克/當量，軟化點：65℃）、酚樹脂KPH-3075（由可隆油化株式會社（Kolon Chemical Co., Ltd.）製造，羥基當量：180公克/當量，軟化點：65℃）、482公克熱塑性丙烯酸酯樹脂KG-3015（當在85℃及85% RH下暴露165小時時的吸濕率：1.2重量%）、固化促進劑2-苯基-4-甲基-5-二羥甲基咪唑（2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethyl imidazole；2P4MHZ，由四國化成株式會社（Shikoku Chemicals）製造）、2公克偶合劑、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（KBM-403，由信越化學株式會社（Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.）製造）以及68公克填充劑R-972（由電氣化學株式會社（Denka Co., Ltd.）製造，球形二氧化矽，平均粒子直徑：17毫米）溶解於甲基乙基酮中以獲得用於接合半導體的接著性樹脂組成物溶液（固體含量：20重量%）。 （2）製備用於半導體之接著膜
將所製造之用於接合半導體之樹脂組成物溶液塗佈至聚對苯二甲酸伸乙酯膜（厚度：38微米）上且隨後在130℃下乾燥3分鐘以獲得厚度為20微米之接著膜。 實例2至實例5
除藉由使用下表1中顯示之組分及含量來製造用於接合半導體的接著性樹脂組成物溶液（於甲基乙基酮中20重量%之濃度）以外，以與實例1中相同之方式製造用於半導體之接著膜。 比較例1至比較例3
除藉由使用下表1中顯示之組分及含量來製造用於接合半導體的接著性樹脂組成物溶液（於甲基乙基酮中20重量%之濃度）以外，以與實例1中相同之方式製造用於半導體之接著膜。 [表1]實例之樹脂組成物之組成[單元：公克] [表2]比較例之樹脂組成物之組成[單元：公克] KPH-3075：新酚樹脂（Xylok）A酚醛苯酚樹脂（由可隆油化株式會社製造，羥基當量：180公克/當量，軟化點：65℃） SHB-1101：雙酚A酚醛苯酚樹脂（由希納（Shina）T & C製造，羥基當量：118公克/當量，軟化點：110℃） NC-3000-H：聯苯酚醛環氧樹脂（環氧當量：180公克/當量，軟化點：65℃） MF8080EK20：雙酚A環氧樹脂（環氧當量：218公克/當量，軟化點：60℃） KG-3015：丙烯酸酯類樹脂（縮水甘油甲基丙烯酸酯類（glycidyl methacrylate-based）重複單元：3重量%，玻璃轉化溫度：10℃，當在85℃及85% RH下暴露165小時時的吸濕率：1.2重量%）。 KG-3047：丙烯酸酯類樹脂（縮水甘油甲基丙烯酸酯類重複單元：3重量%，玻璃轉化溫度：30℃，當在85℃及85% RH下暴露165小時時的吸濕率：1.7重量%）。 KG-3060：丙烯酸酯類樹脂（縮水甘油甲基丙烯酸酯類重複單元：2重量%，玻璃轉化溫度：5℃，當在85℃及85% RH下暴露165小時時的吸濕率：0.8重量%）。 [實驗實例：評估用於半導體之接著膜之物理特性] 實驗實例1：在熱固化用於半導體之接著膜之後，在260℃下量測拉伸儲存模數
將在實例及比較例中獲得之接著膜，在60℃之條件下重疊及層合直至厚度達到320微米，且隨後在125℃之溫度下熱固化1小時且在175℃之溫度下熱固化2小時。
切割熱固化產物以製備長度20毫米且寬度4毫米之六面體樣本。
在10赫茲之頻率及10℃/min之加熱速率的條件下使用黏彈性量測設備（DMA Q800，TA儀器公司（TA Instruments, Inc.））量測樣本在-30℃至280℃下之拉伸儲存模數。
量測結果顯示於下表3中。 實驗實例2：晶粒剪切強度 （1）製備切割膜
在300公克丙烯酸乙酯溶劑中，共聚合75公克丙烯酸2-乙基己酯、10公克甲基丙烯酸2-乙基己酯以及15公克丙烯酸2-羥乙酯，以獲得重量平均分子量為850,000（玻璃轉化溫度為10℃）之共聚物，向其中添加10公克作為可光固化材料的丙烯酸異氰酸酯化合物以獲得反應產物。
隨後，混合10公克多官能異氰酸酯寡聚物及1公克作為光起始劑之達若可（Darocur）TPO以獲得可UV固化感壓接著劑組成物。
在已經受脫模處理之聚酯膜上，將可UV固化感壓接著劑組成物塗佈至38微米之厚度，以便在乾燥之後具有10微米之厚度，且在110℃下乾燥3分鐘。
隨後，將經乾燥的感壓接著層層合於作為基底膜（具有100微米之厚度）的聚烯烴膜上以製備切割膜。 （2）製備切晶接合膜
將在上述製程中獲得之感壓接著層及在實例及比較例中獲得之接著膜層合，以製備用於切晶接合之具有多層結構之接著膜。 （3）量測晶粒剪切強度
將塗佈有二氧化物膜之500微米厚晶圓切成5毫米× 5毫米之尺寸，與所製造之切晶接合膜一起在60℃之條件下層合，用UV光照射以移除切割膜，且隨後切割，同時僅保留晶片尺寸之接著膜。
將尺寸為5毫米× 5毫米之上晶片置於尺寸為10毫米× 10毫米之下晶片上，且在130℃下在2公斤力之力下持續2秒按壓且接著在加熱板中以製備樣本。使樣本依次在125℃下經受固化1小時且在175℃下經受固化2小時。使用DAGE 4000 DST（Die Sheer Tester；推晶試驗機）測試儀在250℃下量測上晶片之晶粒剪切強度。 實驗實例3：量測用於半導體之接著膜之吸濕率
將在實例及比較例中獲得之接著膜在60℃之條件下重疊及層合直至厚度達到550微米，以製備各側之長度為5公分之六面體樣本，其隨後在175℃之溫度下熱固化1小時。
在85℃及85% RH之條件下暴露熱固化樣本165小時。隨後，量測在吸濕之前及之後的重量以確定吸濕率。 [吸濕率（%）] （吸收之後的樣本重量-吸收之前的樣本重量）×100/吸收之前的樣本重量 實驗實例4：評估可靠性（環境測試（Precondition test；Precon TEST））
將塗佈有二氧化物膜之80微米厚晶圓與藉由實驗實例2中所描述之製程製造之切晶接合膜一起在60℃之條件下層合，且切成10毫米×10毫米之尺寸以製備樣本。
使用UV照射機器以300毫焦/平方公分之光量照射樣本且經由晶粒黏著製程以4級層合在FR-4基板上。
隨後，層合物在125℃下連續固化1小時且在175℃下連續固化2小時。
在固化之後，在85℃及85% RH之條件下暴露基板48小時，且進行IR回焊製程三次。藉由肉眼及掃描聲學斷層攝影術（Scanning Acoustic Tomography；SAT）觀測基板與接著劑之間的剝離強度。 實驗實例5：模具空隙測試
將塗佈有二氧化物膜之80微米厚晶圓與藉由實驗實例2中所描述之製程製造之切晶接合膜一起在60℃之條件下層合，且切成10毫米× 10毫米之尺寸以製備樣本。
使用UV照射機器以300毫焦/平方公分之光量照射樣本且經由晶粒黏著製程以1級層合在FR-4基板上。
隨後，當在120℃下在預定時間間隔下固化層合樣本時，隨時間推移十個接十個地分離固化樣本。
隨後，使隨時間固化之樣本在175℃下的加熱板中靜置，用50公斤之力按壓60秒（模擬環氧樹脂成型化合物（Epoxy Molding Compound；EMC）模製條件），且在175℃下固化2小時。
完成固化後，使用超音波成像元件（SAT；掃描聲學斷層攝影術）測定觀測到接著層中之空隙具有1%或大於1%之面積的樣本之數目。
空隙之觀測是基於樣本浸於蒸餾水中之狀態下藉由使用超音波儀在傳輸模式下量測而成像的結果。 [表3]在實例中獲得之接著膜之實驗實例的結果 [表4]在比較例中獲得之接著膜之實驗實例的結果
如上表2中所示，確認即使當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時在實例1至實例5中獲得之接著膜具有1.4重量%之吸濕率，且在回焊製程中在高溫下固化及吸濕之後在基板與接著劑之間未產生分層現象。
此外，確認在實例1至實例5中獲得之接著膜即使當在可實際上在半導體之多級層合製程中應用之高於100℃，例如125℃至175℃之高溫條件下暴露長時間時，在基板與接著層之間的界面處或在接著層內未產生空隙。
相比之下，確認在85℃及85% RH之條件下暴露165小時之後，不論是否包含具有低吸濕率的丙烯酸酯類樹脂，比較例1之接著膜均具有1.65重量%之吸濕率，且在回焊製程中在高溫下固化及吸濕之後在基板與接著劑之間出現分層現象。
咸信此是因為比較例1之接著膜包含少量（例如小於約3重量%）能夠調節接著劑之吸濕率的聯苯酚醛環氧樹脂。
此外，確認因為比較例2之接著膜包含具有相對高吸濕率之丙烯酸酯類樹脂且未包含聯苯酚醛環氧樹脂作為環氧樹脂，所以在85℃及85% RH之條件下暴露165小時之後的吸濕率達到1.80重量%，且在回焊製程中在高溫下固化及吸濕之後在基板與接著劑之間極大地出現分層現象。
此外，確認當在可實際上應用於半導體之多級層合製程的高於100℃之高溫條件下暴露長時間段時比較例2之接著膜在基板與接著層之間的界面處或在接著層內產生許多空隙。
此外，確認因為比較例3之接著膜包含聯苯酚醛環氧樹脂且包含具有相對高吸濕率之丙烯酸酯類樹脂，所以在85℃及85% RH之條件下暴露165小時之後的吸濕率為1.63重量%，且在回焊製程中在高溫下固化及吸濕之後在基板與接著劑之間出現分層現象。
此外，咸信儘管比較例4之接著膜包含多於25%聯苯酚醛環氧樹脂，在85℃及85% RH之條件下暴露165小時之後的吸濕率為1.22重量%，但在回焊製程中在高溫下固化及吸濕之後在基板與接著劑之間出現分層。
同時，比較例4之接著膜之組成物顯示低吸濕率，因為充當應力緩衝材料之組分不足且因此吸濕率降低，但展示高模數，從而未完全實現減輕應力之效果。
此外，確認當在可實際上在半導體之多級層合製程中應用之高於100℃之高溫條件下暴露長時間時，比較例4之接著膜在基板與接著層之間的界面處或在接著劑內產生大量的空隙。
無
無
無

Claims (23)

  1. 一種用於接合半導體的接著性樹脂組成物，包括： 熱塑性樹脂，具有當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時不大於1.5重量%的吸濕率； 包含聯苯類環氧樹脂的環氧樹脂；以及 包含酚樹脂之固化劑， 其中在所述接著性樹脂組成物之固體含量中，所述聯苯類環氧樹脂之含量為5重量%至25重量%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物， 其中所述聯苯環氧類樹脂包含聯苯酚醛環氧樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物， 其中所述環氧樹脂更包含一或多種由下列各者所構成之族群中選出的樹脂：雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲醛酚醛環氧樹脂、酚醛環氧樹脂、4官能環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質之三酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂以及二環戊二烯改質之酚型環氧樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物， 其中所述聯苯類環氧樹脂具有50℃至100℃的軟化點。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中所述環氧樹脂具有100至5000的平均環氧當量。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中所述酚樹脂具有80公克/當量至300公克/當量之羥基當量及60℃至150℃的軟化點。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中所述熱塑性樹脂包含一或多種由下列各者所構成之族群中選出的聚合物樹脂：聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚酯醯亞胺、聚醯胺、聚醚碸、聚醚酮、聚烯烴、聚氯乙烯、苯氧基、反應性丁二烯-丙烯腈共聚物橡膠以及(甲基)丙烯酸酯類樹脂。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中所述(甲基)丙烯酸酯類樹脂包含含有環氧官能基之(甲基)丙烯酸酯類重複單元，且為具有-10℃至20℃之玻璃轉化溫度的(甲基)丙烯酸酯類樹脂。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中所述(甲基)丙烯酸酯類樹脂包含0.1重量%至10重量%含有環氧官能基之(甲基)丙烯酸酯類重複單元。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中相對於100重量份所述環氧樹脂，所述接著性樹脂組成物包含50重量份至1000重量份熱塑性樹脂及30重量份至700重量份固化劑。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中所述固化劑更包含一或多種由胺類固化劑及酸酐類固化劑所構成之族群中選出的化合物。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中所述接著性樹脂組成物更包含一或多種由磷類化合物、硼類化合物以及磷-硼類化合物所構成之族群中選出的固化劑。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物，其中所述接著性樹脂組成物更包含一或多種由偶合劑及無機填充劑所構成之族群中選出的添加劑。
  14. 一種接著膜，包括如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物的固化產物。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之接著膜，其中當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時所述接著膜之吸濕率不大於1.5重量%。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之接著膜，其中所述接著膜具有1微米至50微米之厚度。
  17. 一種切晶接合膜，包括：基底膜；形成於所述基底膜上之感壓接著層；以及形成於所述感壓接著層上且包含如申請專利範圍第1項所述之用於接合半導體的接著性樹脂組成物的接著層。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之切晶接合膜，其中當在85℃及85% RH之條件下暴露165小時時所述接著層之吸濕率不大於1.5重量%。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之切晶接合膜，其中所述感壓接著層包含可紫外線（ultraviolet；UV）固化感壓接著劑或可熱固化感壓接著劑。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之切晶接合膜，其中所述基底膜具有10微米至200微米之厚度， 所述感壓接著層具有10微米至500微米之厚度，以及 所述接著膜具有1微米至50微米之厚度。
  21. 一種半導體元件，包括第一半導體部件及接著物經由如申請專利範圍第14項所述之接著膜接合之結構。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之半導體元件， 其中當在100℃至200℃之溫度下固化所述半導體元件時，與所述接著膜及所述第一半導體部件接觸之表面或在所述接著膜內產生之空隙具有不大於1%之面積。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之半導體元件， 其中所述接著物為基板、絕緣層或第二半導體部件。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI784129B (zh) * 2018-02-12 2022-11-21 日商巴川製紙所股份有限公司 半導體裝置製造用接著片材及使用其之半導體裝置之製造方法
TWI830697B (zh) * 2017-04-14 2024-02-01 日商信越化學工業股份有限公司 黏著劑組成物及使用此組成物而成之薄膜

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6615150B2 (ja) * 2017-05-01 2019-12-04 古河電気工業株式会社 接着フィルム、半導体ウェハ加工用テープ、半導体パッケージおよびその製造方法
KR102563869B1 (ko) * 2018-06-05 2023-08-04 (주)이녹스첨단소재 대전방지 다이 어태치 필름, 이의 제조방법 및 이를 이용한 웨이퍼 다이싱 공정
WO2020015665A1 (zh) * 2018-07-19 2020-01-23 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 一种半导体器件及太阳能电池
EP3838936A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-23 Arkema France Curable compositions comprising multistage polymers
KR102528264B1 (ko) * 2020-04-24 2023-05-04 주식회사 엘지화학 경화제, 이를 포함하는 반도체 접착용 조성물, 반도체 접착용 필름 및 이를 이용한 반도체 패키지
KR102307328B1 (ko) 2021-07-14 2021-10-01 제이엔에프주식회사 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483102B1 (ko) * 1996-10-08 2005-04-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 및 양면 접착 필름
JP2000230039A (ja) * 1998-12-08 2000-08-22 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR100931742B1 (ko) 2000-02-15 2009-12-14 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착제 조성물, 그 제조 방법, 이것을 이용한 접착 필름, 반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치
JP4691401B2 (ja) * 2005-06-22 2011-06-01 株式会社巴川製紙所 半導体装置用接着剤組成物および半導体装置用接着シート
WO2008129590A1 (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
KR101082448B1 (ko) * 2007-04-30 2011-11-11 주식회사 엘지화학 접착 수지 조성물 및 이를 이용한 다이싱 다이 본딩 필름
KR101240870B1 (ko) * 2008-04-21 2013-03-07 주식회사 엘지화학 다이어태치 필름 및 반도체 웨이퍼
WO2011052161A1 (ja) * 2009-10-29 2011-05-05 日本化薬株式会社 光半導体封止用硬化性樹脂組成物、及びその硬化物
JP5530206B2 (ja) * 2010-02-03 2014-06-25 積水化学工業株式会社 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2013038181A (ja) 2011-08-05 2013-02-21 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI830697B (zh) * 2017-04-14 2024-02-01 日商信越化學工業股份有限公司 黏著劑組成物及使用此組成物而成之薄膜
TWI784129B (zh) * 2018-02-12 2022-11-21 日商巴川製紙所股份有限公司 半導體裝置製造用接著片材及使用其之半導體裝置之製造方法

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