KR102307328B1 - 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와; 불소 함유 아크릴레이트 모노머와; 반응성 모노머와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머;를 공중합시킨 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 포함하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112021081245355-pat00008

(상기 화학식 1에서 R1은 C2HF4, C3HF6, C4HF8 이고, R2는 불포화 에폭시 모노머 또는 불포화 이소시아네이트 모노머이며, n,m은 각각 독립적으로 2 내지 10의 정수이다.)

Description

반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법{UV CURABLE FLUORINE-CONTAINING ACRYLIC ADHESIVE COMPOSITION HAVING LOW ADHESION AND EXCELLENT FOULING RESISTANT FOR SEMICONDUCTOR DICING AND DIE BONDING INTEGRAL TYPE DIE ATTACH FILM AND THE METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와; 불소 함유 아크릴레이트 모노머와; 반응성 모노머와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머;를 공중합시킨 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 포함하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112021081245355-pat00001
(상기 화학식 1에서 R1은 C2HF4, C3HF6, C4HF8 이고, R2는 불포화 에폭시 모노머 또는 불포화 이소시아네이트 모노머이며, n,m은 각각 독립적으로 2 내지 10의 정수이다.)
반도체 제조공정에서 회로가 설계된 웨이퍼는 큰 직경을 갖는 크기에서 다이싱을 통해 작은 칩들로 분리되고, 분리된 각 칩들은 PCB 기판이나 리드프레임 기판 등의 지지부재에 접착공정을 통해 다이본딩 되는 단계적 공정을 거친다.
이때, 다이싱 공정에서 다이싱 필름을 웨이퍼 이면에 부착하여 다이싱 시에 칩이 비산하거나 움직이는 것을 방지해왔다. 다이싱 필름을 사용하지 않으면 고속으로 회전하는 블레이드에 의해 칩이 비산하거나 움직여 칩에 크랙이 발생할 수 있고 손상을 입게 된다.
따라서, [도 1]에 도시한 바와 같이, 적절한 점착력을 가진 다이싱 필름을 사용하여 칩의 개별화공정을 용이하게 하는데, 다이싱 필름이 자외선 경화형 조성물인 경우에는 다이싱 완료 후, 후면에 자외선을 조사하여 조성물을 경화시킴으로써 웨이퍼와의 계면 박리력을 낮추어 개별화된 칩 웨이퍼의 픽업(Pick-up) 공정을 용이하게 하고 있다.
한편, 반도체 칩을 적층하여 용량을 늘리고자 하는 Stacked chip scale package(SCSP)는 반도체 전자업계에서 널리 사용되고 있으며, 이러한 패키지를 통해서 서로 다른 종류의 칩을 적층하여 집적도를 높이거나 메모리 칩을 여러 개 적층하여 용량을 늘릴 수 있다.
상기한 SCSP를 구현하는 핵심기술은 웨이퍼를 얇게 만드는 백그라인딩 기술, 와이어 본딩의 핏치를 줄이는 기술, 칩적층 기술로 요약될 수 있지만, 특히, 칩적층기술의 핵심은 Die Attach Film (DAF)이다.
상기 DAF는 다이를 기판에 접착시키기 위한 필름으로 통상 접착필름과 다이싱 테이프의 합지된 형태의 제품이며, 일반적으로 DAF는 우수한 내습성, 내열충격성, 스트레스를 견딜 수 있는 강인성 등이 요구된다.
그런데, 최근 Die Attach Film (DAF)은 다이싱·다이본딩 일체형 필름이라고 불리는 필름으로 사용되고 있다. 즉, 상기 필름은 종래 다이싱 테이프와 DAF이 일체화된 것으로 상기 필름은, [도 2]에 도시한 바와 같이, 베이스필름층과 점착제층과 접착제층이 순서로 적층된 구조를 가지고, 예를 들면 다음과 같이 사용된다.
먼저, 웨이퍼를 접착제층에 붙인 후, 다이싱 링으로 웨이퍼를 고정한 상태에서 웨이퍼를 다이싱하여 웨이퍼가 다수의 칩으로 분할 절단된다. 다음, 점착제층 자외선을 조사함으로써 접착제층에 대한 점착제층의 점착력을 약하게 한 후, 칩과 접착제를 점착제층으로부터 픽업한 후, 칩을 기판 등에 마운트하는 공정을 거치게 된다.
상기와 같은 Die Attach Film (DAF)은 기존 다이싱 테이프와 DAF의 기능을 일원화시킨 일체형 다이 어테치 필름으로 저점착, 저오염 ITO(indium tin oxide) 일시 보호 공정, 하드 코딩 일시공정 보호용 그리고 전자소재 칩의 일시 고정용 용도로 다양하게 사용되고 있다.
상기 Die Attach Film (DAF)와 관련한 종래기술들을 살펴 보면, 한국등록특허 10-1240870(등록일자 2013년02월28일)에 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성된 점착부; 및 상기 점착부 상에 형성된 접착부를 포함하고, 상기 기재 필름의 두께를 A, 점착부의 두께를 B, 그리고 접착부의 두께를 C라고 하였을 때, B/A의 값이 0.2 내지 0.5이고, B/C의 값이 0.5 내지 4이며, 상기 점착부는 베이스 수지, 자외선 경화형 화합물, 광개시제 및 가교제를 포함하고, 상기 접착부는 에폭시 수지; 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드, 폴리아미드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리올레핀, 폴리염화비닐, 페녹시, 반응성 아크릴로니트릴부타디엔 고무 및 아크릴계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 유리전이온도가 -20℃ 내지 40℃이며, 중량평균분자량이 10만 내지 100만인 성분 및 경화제를 포함하는 다이어태치 필름이 개발되었다.
또한, 한국등록특허 10-1330128(등록일자 2013년11월11일)에는 (1) -40 ~ 20℃의 유리전이온도 및 500,000 ~ 2,000,000의 중량평균분자량을 갖는 아크릴계 공중합체, 자외선 경화형 아크릴레이트 화합물, 광개시제 및 열경화제를 포함하는 점착제 조성물의 층을 이형 필름인 제1필름 위에 형성하는 단계; (2) 상기 점착제 조성물 층을 열 경화시키는 단계; (3) 상기 열 경화된 점착제 조성물 층을 연속하여 인-라인으로 자외선 경화시키는 단계; 및 (4) 상기 자외선 경화된 점착제 조성물 층을 기재 필름인 제2필름과 합지시키는 단계;를 포함하는, 반도체 웨이퍼용 다이싱 테이프로서, 상기 아크릴계 공중합체가 중합단위로 부틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, 에틸헥실 아크릴레이트 및 하이드록시 에틸메타크릴레이트로부터 선택되는 2종 이상의 단량체를 포함하고, 상기 자외선 경화형 아크릴레이트 화합물이 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트, 디펜타디에리스리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 에스테르 아크릴레이트계 올리고머 및 우레탄아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 반도체 웨이퍼용 다이싱 테이프 제조방법이 공지되어 있다.
또한, 한국등록특허 10-1799499(등록일자 2017년11월14일)에는 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층;을 포함하고, 상기 점착층은 자외선 경화형 점착제 또는 열 경화형 점착제를 포함하며, 상기 반도체 접착용 수지 조성물을 포함한 접착층은 85℃ 및 85%RH 조건에서 165시간 노출시의 흡습율이 1.5중량%이하인 열가소성 수지; 50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지; 및 페놀 수지를 포함한 경화제;를 포함하고, 고형분 중 상기 바이페닐계 에폭시 수지의 함량이 5 중량% 내지 25중량%인 다이싱 다이본딩 필름.
한국등록특허 10-1953774(등록일자 2019년02월25일)에는 기재 필름; 상기 기재 필름 상에 형성되는 점착층; 및 상기 점착층상에 형성되고 반도체 접착용 수지 조성 물을 포함한 접착층;을 포함하되, 상기 접착층은 85℃ 및 85%RH 조건에서 168시간 노출시의 흡습율이 17중량% 이하인 열가소성 수지; 50℃ 내지 100℃의 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지를 포함한 에폭시 수지; 및 노볼락계 페놀 수지를 포함한 경화제;를 포함하고, 상기 열가소성 수지, 에폭시 수지 및 경화제의 전체 중량 대비 상기 50℃ 내지 100℃ 연화점을 갖는 바이페닐계 에폭시 수지의 중량비가 6 중량% 내지 30 중량%이고, IPC/JEDEC 수분 민감성 테스트 레벨 1을 충족하는, 다이싱 다이본딩 필름이 공지되어 있다.
그러나, 상기 기존의 Die Attach Film (DAF)의 점착제층들은 열경화성 아크릴 점착제 또는 올리고머 및 반응성 모노머를 자외선 경화 목적으로 혼합한 점착제를 사용하여 제시하고 있으나, 반도체 공정에서 오염 및 박리력(점착력) 상승의 경시변화로 인하여 공정 불량으로 고가인 소재를 폐기하여 비용 부담 및 생산 단가가 상승하는 결과를 초래하고 있어 경시변화 안정성 및 우수한 픽업성을 기대하기에는 어려운 문제점이 있었으며, 특히, 부품 소재 산업의 중요한 연구 방향 중의 하나로서 점착제 관련 기술은 낮은 생산 단가 및 공정 프로세스 단축, 생산성 향상 및 고품질을 요구하고 있다.
이에 따라, 본 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위하여 연구한 결과, 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와; 불소 함유 아크릴레이트 모노머와; 반응성 모노머와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머;를 공중합시킨 결과, 불소 및 불포화기를 주쇄에 도입한 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 함유하는 아크릴 점착제 조성물이 경시변화없이 저점착, 안정한 박리력, 유지력, 접촉각 및 표면 자유 에너지 특성, 자외선 경화, 내오염성, 픽업성 등의 물성이 우수하고, 특히, 반도체 공정에서 초기에는 점착력이 양호한 후 웨이퍼 다이싱 공정이 완료된 후 자외선에 의하여 점착력을 상실시켜 칩을 원활하게 박리시켜 픽업 공정에서 칩 플라이(Chip Fly) 및 칩 깨짐 현상 그리고 점착력 경시변화에 의한 불량발생을 방지할 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
,
[특허문헌 001] 한국등록특허 10-1240870(등록일자 2013년02월28일) [특허문헌 002] 한국등록특허 10-1330128(등록일자 2013년11월11일 [특허문헌 003] 한국등록특허 10-1799499(등록일자 2017년11월14일) [특허문헌 004] 한국등록특허 10-1953774(등록일자 2019년02월25일)
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여, 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와; 불소 함유 아크릴레이트 모노머와; 반응성 모노머와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머;를 공중합시킨 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 함유하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
[화학식 1]
Figure 112021081245355-pat00002
(상기 화학식 1에서 R1은 C2HF4, C3HF6, C4HF8 이고, R2는 불포화 에폭시 모노머 또는 불포화 이소시아네이트 모노머이며, n,m은 각각 독립적으로 2 내지 10의 정수이다.)
본 발명은 상기 과제의 해결을 위하여, 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와; 불소 함유 아크릴레이트 모노머와; 반응성 모노머와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머;를 공중합시킨 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 함유하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물을 과제의 해결수단으로 한다.
[화학식 1]
Figure 112021081245355-pat00003
(상기 화학식 1에서 R1은 C2HF4, C3HF6, C4HF8 이고, R2는 불포화 에폭시 모노머 또는 불포화 이소시아네이트 모노머이며, n,m은 각각 독립적으로 2 내지 10의 정수이다.)
상기 공중합 가능한 아크릴 모노머는 알킬아크릴레이트 모노머, C1-20의 알킬(메타)아크릴레이트 모노머, 히드록시기를 갖는 모노머, 카르복실기를 갖는 모노머로부터 선택되는 1종 이상인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 알킬아크릴레이트 모노머는 2-에틸헥실아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 옥틸데실아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 C1-20의 알킬(메타)아크릴레이트 모노머는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트,부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 헵틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 히드록시기를 갖는 모노머는 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올모노(메타)아크릴레이트, 클로로-2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 알릴알코올로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 카복실기를 갖는 모노머는 (메타)아크릴산, 2-카복시에틸(메타)아크릴레이트, 3-카르복시프로필(메타)아크릴레이트, 4-카르복시부틸(메타)아크릴레이트, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산 및 무수말레산으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 불소 함유 아크릴레이트 모노머는 테트라플루오로프로필 메타아크릴레이트(2,2,3,3-Tetrafluoropropyl Methacrylate(TFPM)), 헥사플루오로 아크릴레이트( 2,2,3,4,4,4-Hexafluorobutyl Acrylate(HFBA)), 헥사플루오로부틸 메타아크릴레이트( 2,2,3,4,4,4-Hexafluorobutyl Methacrylate(HFBM)), 옥타플루오로프로필 아크릴레이트( 2,2,3,3,4,4,5,5-Octafluoropropyl Acrylate(OFPA))로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 반응성 모노머는 스티렌, 스티렌 유도체, 4-비닐피리딘, N-비닐피롤리돈, 아크릴로니트릴, 비닐아세테이트, 알킬올레핀, 비닐에테르, 비닐아세테이트, 사이클릭 올레핀, 말레이미드, 알켄 및 알킨으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 불포화기를 가지는 에폭시 모노머는 글리시딜 아크릴레이트(Glycidyl acrylate) 또는 글리시딜 메타크릴레이트(Glycidyl methacrylate)인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머는 이소시아네이토 에틸 아크릴레이트(Isocyanatoethyl acrylate), 이소시아네이토 에틸 메타크릴레이트(Isocyanatoethyl Methacrylate), 비스아크릴로일옥시메틸 에틸 이소시아네이트(1, 1-(bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate), 이소프로페닐 알파, 알파 다이메틸벤질 이소시아네이트(Isopropenyl-alpha, alpha-dimethylbenzyl isocyanate(TMI))로부터 선택되는 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물은 이소시아네이트계 또는 금속 킬레이트계 가교제를 포함하는 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 이소시아네이트계 가교제는 톨루엔디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포름디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트로부터 1종 또는 2종 이상 선택되는 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 금속 킬레이트계 가교제는 디이소프로폭시알루미늄모노올레일아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄비스올레일아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄모노올레에이트모노에틸아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노라우릴아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노스테아릴아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노이소스테아릴아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄모노-N-라우로일-β-아라네이트모노라우릴아세토아세테이트, 알루미늄트리스아세틸아세토네이트, 모노아세틸아세토네이트알루미늄비스(이소부틸아세토네이트)킬레이트, 모노아세틸아세토네이트알루미늄비스(2-에틸헥실아세토아세테이트)킬레이트, 모노아세틸아세토네이트알루미늄비스(도데실아세토아세테이트)킬레이트, 모노아세틸아세토네이트알루미늄비스(올레일아세토아세테이트)킬레이트, 티타늄테트라프로피오네이트, 티타늄 테트라-n-부틸레이트, 티타늄 테트라-2-에틸헥사노에이트, 지르코늄 sec-부틸레이트, 지르코늄디에톡시-tert-부틸레이트, 트리에탄올 아민 티타늄 다이프로피오네이트, 티타늄락테이트의 암모늄염, 테트라옥틸렌글리콜티타네이트로부터 1종 또는 2종 이상 선택되는 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 가교제의 함유량은 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 3.0중량부인 것이 바람직하고, 특히 0.15 내지 2.5중량부인 것이 바람직하고, 나아가서는 0.2 내지 2.0중량부인 것이 바람직하다.
상기 가교제의 함유량이 0.1 중량부 미만이면 응집력 부족하고 우수한 유지력을 얻을 수 없다. 또한, 가교제의 함유량이 3.0 중량부를 넘으면, 가교의 정도가 과도해져서 얻어지는 점착제의 응력 완화성이 저해될 우려가 있어 본 발명에서 얻으려고 하는 내오염성, 내열성, 저점착등을 얻을 수 없다.
상기 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물은 중량 평균 분자량이 300,000에서 2,000,000g/mol인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
또한, 본 발명은 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와 불소 함유 아크릴레이트 모노머 및 반응성 모노머를 반응기에 도입하는 단계와; 상기 반응기에 도입된 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와 불소 함유 아크릴레이트 모노머 및 반응성 모노머를 반응 온도 50 내지 100℃ 및 7 내지 10 시간의 조건하에서 라디칼 공중합 반응이 수행되도록 하는 단계와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머를 투입하여 공중합 반응시키는 단계;를 포함하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 제조방법을 과제의 해결수단으로 한다.
이때, 상기 모노머의 공중합 반응은 공중합개시제의 존재하에서 실시하는데, 예를 들면 모노머와 공중합개시제의 혼합물을 적하 펀넬를 이용하여 용제가 들어있는 반응기에 공중합 열제어와 폴리머의 분자량 조절을 위해서 5∼20시간 동안 일정한 시간으로 모노머를 적하하여 공중합 반응 메인 체인에 하이드록실기 또는 산이 공중합 된 1step 반응을 하고, 이 합성물의 하드록실기 또는 산과 반응할 수 있도록 불포화 모노머를 투입하고 반응 발열을 제어하여 부가 반응 2step 합성을 완료한다.
상기 공중합개시제는 아조비스 이소 뷰틸로 나이트릴(AIBN), 벤조일 퍼 옥사이드, 디부틸퍼옥사이드 또는 쿠벤히드로피옥사이드로부터 1종 또는 2종 이상을 혼합 사용한다.
본 발명의 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물은 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와; 불소 함유 아크릴레이트 모노머와; 반응성 모노머와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머;를 공중합시킨 결과, 불소 및 불포화기를 주쇄에 도입한 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 함유하는 아크릴 점착제 조성물이 경시변화없이 저점착, 안정한 박리력, 유지력, 접촉각 및 표면 자유 에너지 특성, 자외선 경화, 내오염성, 픽업성의 물성이 우수하고, 반도체 공정에서 초기에는 점착력이 양호한 후 웨이퍼 다이싱 공정이 완료된 후 자외선에 의하여 점착력을 상실시켜 칩을 원활하게 박리시켜 픽업 공정에서 칩 플라이(Chip Fly) 및 칩 깨짐 현상 그리고 점착력 경시변화에 의한 불량발생을 방지할 수 있는 우수한 효과가 있다.
도 1은 다이싱 필름을 사용한 웨이퍼의 픽업(Pick-up) 공정 모식도
도 2는 다이싱·다이본딩 일체형 필름 적층 구조체 모식도
이하에서는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예 및 도면을 통하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구형될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
질소 가스 도입관, 교반 장치, 온도계 및 콘트롤 장치, 비드컨덴서, 적하 깔대기, 맨틀등이 장착된 1리터의 4구 플라스크에 300 미리 리터 적하 깔대기를 장착하였다. 이를 이용하여 다음 [표 1]에 나타난 바와 같은 모노머 비율에 따라 용액 중합법으로 합성하였다.
먼저 플라스크에 일정 비율의 EAc 60중량부를 투입하고 분자량을 크게 하려고 혼합 모노머 40중량%(모노머 기준)와 개시제는 AIBN 0.5중량부(모노머 기준)을 같이 초기에 투입하였다. 교반기를 100rpm의 속도로 교반하면서 1시간에 걸쳐 80℃까지 온도를 올리고 발열을 제어하였다. 온도가 안정한 상태에서 나머지 혼합한 모노머 60중량%, EAc 40중량부 그리고 개시제 AIBN 1.5중량부를 동시에 준비한 적하 펀넬를 통하여 2시간 동안 투입하였다. 그리고 점도 변화와 고형분을 측정하여 이론 고형분 50% 이상과 점도 변화가 없을 때 반응을 종료하고, 고형분 45%가 되게 EAc를 투입하였다. 여기에서 반응 조건인 온도, 교반 속도, 모노머 투입 시간은 일정하게 유지하여 공중합 라디칼 반응을 시켜 하이드록실기를 갖은 불소함유 아크릴 점착제 수지를 합성하였다.
Figure 112021081245355-pat00004
상기 하이드록실기를 가진 불소함유 아크릴 점착제 수지를 하이드록실기와 이소시아네이트를 부가 반응시키기 위하여 [표 2]와 같이 곧바로 75℃에서 합성예 1, 합성예 2, 합성예 3, 합성예 4, 합성예 5의 각각 이소시아네이토 에틸 아크릴레이트(Isocyanatoethyl acrylate) 0.82중량부를 30분 동안 적하 펀넬를 사용하여 일정하게 투입하고, 고형분 40%가 되게 온도를 유지하면서 EAc 20중량부를 1시간 동안 투입하였다. 그리고 NCO 0.1% 이하가 되면 반응을 종료한 다음 각각 EAc 60중량부를 넣고 합성을 완료하여 합성예1, 합성예2, 합성예3, 합성예4, 합성예 5의 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물을 합성하였다.
Figure 112021081245355-pat00005
[비교예 1]
질소 가스 도입관, 교반 장치, 온도계 및 제어 장치, 콘덴서, 적하 펀넬, 맨틀 등이 장착된 1ℓ의 4구 플라스크에 300mL 적하 펀넬를 장착하였다. 그리고 에틸아세테이트 60 중량부를 넣고 교반기를 100rpm의 속도로 교반하면서 1시간에 걸쳐 80℃로 온도를 올려 안정화한 후, 미리 300㎖ 별도 비이커에 옥타플루오르프로필 아크릴레이트 (2, 2, 3, 3, 4, 4, 5, 5-Octafluoropropyl Acrylate(OFPA)) 5중량부, 에틸헥실 아크릴레이트 65 중량부, 에틸헥실 메타아크릴레이트 7 중량부, 하이드록실 에틸 아크릴레이트 18 중량부, 스타이렌 5중량부를 넣고 혼합 모노머를 미리 준비하였다. 혼합 모노머 40wt%(모노머 기준)와 개시제는 아조비스이소부틸로니트릴 0.1 중량부를 같이 초기에 투입하였다. 온도가 안정한 상태에서 나머지 혼합한 모노머 60 wt %, 에틸아세테이트 40g 그리고 개시제 아조비스이소부틸로니트릴 0.1 중량부를 동시에 준비한 적하 펀넬를 통하여 2시간 동안 투입하였다. 그리고 점도 변화와 고형분을 측정하여 이론 고형분 50% 이상과 점도 변화가 없을 때 반응을 종료하고, 고형분 45%가 되게 에틸아세테이트를 투입하여 불소함유 아크릴 점착제를 합성하였다.
[비교예 2]
비교예 1과 프로세스는 같게 하고 혼합 모노머는 옥타플루오르프로필 아크릴레이트 10 중량부, 에틸헥실 아크릴레이트 60 중량부와 에틸헥실 메타아크릴레이트, 하이드록실 에틸 아크릴레이트, 스타이렌은 비교예 1과 같게 투입하여 불소함유 아크릴 점착제를 합성하였다.
[비교예 3]
비교예 1과 프로세스는 같게 하고 혼합 모노머는 옥타플루오르프로필 아크릴레이트 20 중량부, 에틸헥실 아크릴레이트 50 중량부와 에틸헥실 메타아크릴레이트, 하이드록실 에틸 아크릴레이트, 스타이렌은 비교예 1과 같게 투입하여 불소함유 아크릴 점착제를 합성하였다.
[비교예 4]
비교예 1과 프로세스는 같게 하고 혼합 모노머는 에틸헥실 아크릴레이트 70 중량부와 에틸헥실 메타아크릴레이트, 하이드록실 에틸 아크릴레이트, 스타이렌은 비교예 1과 같게 투입하여 아크릴 점착제를 합성하였다.
[비교예 5]
비교예 1과 프로세스는 같게 하고 혼합 모노머는 에틸헥실 아크릴레이트 75 중량부, 스타이렌은 사용하지 않고 에틸헥실 메타아크릴레이트, 하이드록실 에틸 아크릴레이트은 비교예 1과 같게 투입하여 아크릴 점착제를 합성하였다.
[점착제 성능시험]
다음 [표3]에서와 같이 불소함유 점착제 100 중량부에 가교제 무황변 Isophorone diisocyanate(IPDI) 어덕트 타입 2 중량부를 배합하고, 코팅하기 쉽게 에틸 아세테이트를 혼합하여 50μm PET 필름 위에 20μm 코팅하여 상온 1시간 방치 후, 60℃ 오븐에서 24시간 동안 숙성을 하여 다음과 같이 점착제 성능 시험을 실시하였다.
<점착제의 박리력 및 경시 변화 측정>
점착제에 가교제를 배합하여 50μm PET 필름 위에 10μm 코팅하여 상온 1시간 방치 후, 60℃ 오븐에서 24시간 동안 숙성을 하였다. 코팅된 PET 필름을 SUS304 시편에 2Kg Roll 압력으로 1회 왕복 부착하고 상온에서 1시간 방치 후, 0-100N 범위 내에서 측정이 가능한 Shimadzu EZTest/CE(Japan) 제품을 사용하여 1인치 폭으로 절단되고 점착제가 코팅된 PET 필름의 180도 박리력을 측정하고, 150℃ 오븐에서 각각 48시간, 96시간, 120시간, 144시간, 168시간 숙성 후 점착력 경시변화를 측정하였다.
<점착제의 유지력 측정>
점착제에 가교제를 배합하여 50μm PET 필름 위에 10μm 코팅하여 상온 1시간 방치 후, 60℃ 오븐에서 24시간 동안 숙성을 하였다. 코팅된 PET 필름을 SUS304 시편에 2Kg Roll 압력으로 1회 왕복 부착하고 상온에서 1시간 방치 후 그림2와 같이 자동 시간측정 장치(Tape Retentivity Tester, Test One co.,ltd, Korea)를 이용하여 1인치 폭으로 절단되고 점착제가 코팅된 PET 필름에 100g 추를 매달아 1시간 동안 필름이 유지된 시간을 측정하였다.
<필름의 접촉각 및 표면 자유 에너지 측정>
점착제의 접촉각 및 표면 자유 에너지 측정을 위해서 Contact Angle 측정 장비(Surface tech Co. Ltd, GS)를 사용하였고, 시험방법은 ASTM D5946 규격(Standard Test Method for Corona-Treated Polymer Films Using Water Contact Angle Measurements)에 따라 Measurement range for contact: 0~180℃, Measurement accuracy: 0.1℃ 측정하였고, 시험용액은 DI-Water를 사용하여 측정하였다.
<자외선 경화 속도 측정>
점착제의 경화 속도 및 거동을 확인하기 위해 진공 오븐에서 용매를 완전히 제거한 시료를 10~15mg 사용하여 DSC(Q200, TA instruments)에 photo calorimetric accessory(Omni cure S2000, Lumen dynamics)를 장착하여 광 경화 시 열량 변화를 측정하였다. 사용된 램프는 100W의 중압 수은램프이며, 주요 파장은 250∼650nm이다. 질소는 50mL/min으로 흘려주었으며, 온도는 25, 40, 60℃의 등온과정에서 점착제의 경화 거동을 확인하였다.
<내오염성 측정 전자광학 현미경 분석>
합성한 점착제의 오염성 및 전이 여부를 확인하기 위해서 가교제를 배합하여 50μm PET 필름에 건조 도막 두께 10μm로 코팅하여 120℃에서 2분 동안 열처리하고 60℃ 오븐에서 24시간 동안 숙성을 하였다. 그리고 상온 25℃에서 점착제가 코팅된 PET 필름을 Glass시편 위에서 2kg roller 2회 왕복하여 150℃, 48시간 방치하고 점착제가 코팅된 필름을 제거하고 Glass 위의 오염 및 전사 유무 표면 관찰을 확인하기 위하여 광학 전자 현미경(OLYMPUS BX51,Japan) 40배율로 설정하여 관찰하였다.
<다이싱 준비 및 픽업 측정>
점착제가 코팅된 PO 필름과 접착제가 코팅된 에폭시 필름이 래미네이팅 된 필름을 웨이퍼의 지지체인 SUS306(Size 23inch) 시편 크기보다 큰 가로×세로 25.4 × 25.4cm로 절단하여 준비하였다. 그리고 픽업 측정 장비는 Figure 25와 Figure 26에서 보는 것과 같이 SPA -210(Shinkawa, Japan)을 사용하여 웨이퍼 크기는 8inch와 Chip size는 10×15mm, 웨이퍼의 Pin number는 17, 웨이퍼의 높이(Needle Height)는 0.2mm, Expanding은 3mm, Sawing은 Full cutting, 27 HEDD Blade, 웨이퍼 두께는 80㎛이고 Feed Speed 70mm/sec, Spindle Speed 40000rpm, Cut Depth는 95㎛, UV Dose 300mJ/㎠로 측정하였다.
Figure 112021081245355-pat00006
본 발명에서 유지력 및 박리력은 비교예 3, 4, 5보다 불소가 함유된 합성예1, 합성예2, 합성예3, 합성예4, 합성예 5, 비교예 1, 비교예 2에서 양호한 결과를 확인할 수 있었다.
그리고 경시 변화 7일간의 박리력은 10 내지 20gf/in을 요구되고 있는데 비교예 4, 비교예 5에서는 24시간 후 박리력 26gf/in에서 내열 168시간 후에는 42gf/in으로 상승하고, 합성예1, 합성예2, 합성예3, 합성예4, 합성예 5, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3은 반대로 24시간 후 박리력 13∼20gf/in에서 내열 168시간 후에는 8∼15gf/in으로 하락하여 양호한 경시 변화를 나타내었다.
접촉각 및 표면에너지는 접촉각이 크면 클수록 반비례하여 감소하고, 불소가 없는 비교예 1, 비교예 2의 접촉각은 11.66°, 12.84°이나 불소 치환도가 높은 합성예1, 합성예2, 합성예3, 합성예4, 합성예 5, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3의 접촉각은 불소가 증가할수록 접촉각이 60° 이상으로 증가하였다.
그리고 불소 함량이 많으면 많을수록 표면 자유 에너지가 낮아지는 것을 확인할 수 있고, 표면 자유 에너지와 박리력, 유지력, 자외선 경화 후 픽업성, 점착제 전이 특성의 상관관계를 확인할 수 있다.
내오염성은 150℃, 48시간 방치하고 전자 현미경으로 확인했을 때 비교예 4, 비교예 5보다 불소가 함유된 합성예1, 합성예2, 합성예3, 합성예4, 합성예 5, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3에서 전사 및 오염이 없는 것을 확인하여 소재 공정에서 불량이 발생할 가능성이 없다고 할 수 있다.
또한 픽업성은 불포화기를 갖은 불소함유 점착제 합성예1, 합성예2, 합성예3, 합성예4, 합성예 5는 자외선 경화 후 점착력이 0gf/in으로 상실하여 픽업성이 좋았다.
반도체 공정에서 웨이퍼가 흔들리지 않도록 점착 필름으로 고정하고, 그 위에서 다이싱 공정한 다음 자외선 경화 이후에 칩을 픽업하여 다음 공정으로 이송되는데, 자외선 경화 후 점착제가 점착 기능을 상실하여 칩 플라이나 픽업을 우수하게 하여 공정 불량을 최소화할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와; 불소 함유 아크릴레이트 모노머와; 반응성 모노머와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머;를 공중합시킨 하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
[화학식 1]
Figure 112021081245355-pat00007

(상기 화학식 1에서 R1은 C2HF4, C3HF6, C4HF8 이고, R2는 불포화 에폭시 모노머 또는 불포화 이소시아네이트 모노머이며, n,m은 각각 독립적으로 2 내지 10의 정수이다.)
제1항에 있어서,
상기 공중합 가능한 아크릴 모노머는 알킬아크릴레이트 모노머, C1-20의 알킬(메타)아크릴레이트 모노머, 히드록시기를 갖는 모노머, 카르복실기를 갖는 모노머로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제2항에 있어서,
상기 알킬아크릴레이트 모노머는 2-에틸헥실아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 옥틸데실아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제2항에 있어서,
상기 C1-20의 알킬(메타)아크릴레이트 모노머는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 에틸헥실(메타)아크릴레이트, 프로필(메타)아크릴레이트,부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 헵틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제2항에 있어서,
상기 히드록시기를 갖는 모노머는 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올모노(메타)아크릴레이트, 클로로-2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜모노(메타)아크릴레이트, 알릴알코올로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제2항에 있어서,
상기 카복실기를 갖는 모노머는 (메타)아크릴산, 2-카복시에틸(메타)아크릴레이트, 3-카르복시프로필(메타)아크릴레이트, 4-카르복시부틸(메타)아크릴레이트, 이타콘산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산 및 무수말레산으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제1항에 있어서,
상기 불소 함유 아크릴레이트 모노머는 테트라플루오로프로필 메타아크릴레이트(2,2,3,3-Tetrafluoropropyl Methacrylate(TFPM)), 헥사플루오로 아크릴레이트( 2,2,3,4,4,4-Hexafluorobutyl Acrylate(HFBA)), 헥사플루오로부틸 메타아크릴레이트( 2,2,3,4,4,4-Hexafluorobutyl Methacrylate(HFBM)), 옥타플루오로프로필 아크릴레이트( 2,2,3,3,4,4,5,5-Octafluoropropyl Acrylate(OFPA))로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제1항에 있어서,
상기 반응성 모노머는 스티렌, 스티렌 유도체, 4-비닐피리딘, N-비닐피롤리돈, 아크릴로니트릴, 비닐아세테이트, 알킬올레핀, 비닐에테르, 비닐아세테이트, 사이클릭 올레핀, 말레이미드, 알켄 및 알킨으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제1항에 있어서,
상기 불포화기를 가지는 에폭시 모노머는 글리시딜 아크릴레이트(Glycidyl acrylate) 또는 글리시딜 메타크릴레이트(Glycidyl methacrylate)인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제1항에 있어서,
상기 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머는 이소시아네이토 에틸 아크릴레이트(Isocyanatoethyl acrylate), 이소시아네이토 에틸 메타크릴레이트(Isocyanatoethyl Methacrylate), 비스아크릴로일옥시메틸 에틸 이소시아네이트(1, 1-(bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate), 이소프로페닐 알파, 알파 다이메틸벤질 이소시아네이트(Isopropenyl-alpha, alpha-dimethylbenzyl isocyanate(TMI))로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물은 이소시아네이트계 또는 금속 킬레이트계 가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제11항에 있어서,
상기 이소시아네이트계 가교제는 톨루엔디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포름디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이트로부터 1종 또는 2종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제11항에 있어서,
상기 금속 킬레이트계 가교제는 디이소프로폭시알루미늄모노올레일아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄비스올레일아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄모노올레에이트모노에틸아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노라우릴아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노스테아릴아세토아세테이트, 디이소프로폭시알루미늄모노이소스테아릴아세토아세테이트, 모노이소프로폭시알루미늄모노-N-라우로일-β-아라네이트모노라우릴아세토아세테이트, 알루미늄트리스아세틸아세토네이트, 모노아세틸아세토네이트알루미늄비스(이소부틸아세토네이트)킬레이트, 모노아세틸아세토네이트알루미늄비스(2-에틸헥실아세토아세테이트)킬레이트, 모노아세틸아세토네이트알루미늄비스(도데실아세토아세테이트)킬레이트, 모노아세틸아세토네이트알루미늄비스(올레일아세토아세테이트)킬레이트, 티타늄테트라프로피오네이트, 티타늄 테트라-n-부틸레이트, 티타늄 테트라-2-에틸헥사노에이트, 지르코늄 sec-부틸레이트, 지르코늄디에톡시-tert-부틸레이트, 트리에탄올 아민 티타늄 다이프로피오네이트, 티타늄락테이트의 암모늄염, 테트라옥틸렌글리콜티타네이트로부터 1종 또는 2종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제11항에 있어서,
상기 가교제의 함유량은 불소 함유 아크릴 점착제 조성물 100 중량부에 대하여 0.1 내지 3.0중량부인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물은 중량 평균 분자량이 300,000에서 2,000,000g/mol인 것을 특징으로 하는 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물
1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와 불소 함유 아크릴레이트 모노머 및 반응성 모노머를 반응기에 도입하는 단계와; 상기 반응기에 도입된 1종 또는 2종 이상의 공중합 가능한 아크릴 모노머와 불소 함유 아크릴레이트 모노머 및 반응성 모노머를 반응 온도 50 내지 100℃ 및 7 내지 10 시간의 조건하에서 라디칼 공중합 반응이 수행되도록 하는 단계와; 불포화기를 가지는 에폭시 모노머 또는 불포화기를 가지는 이소시아네이트 모노머를 투입하여 공중합 반응시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 반도체 다이싱/다이본딩 일체형 다이 어테치 필름용 저점착 및 내오염성이 우수한 자외선 경화 불소 함유 아크릴 점착제 조성물의 제조방법
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